JPH1088333A - スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットおよびその製造方法Info
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- JPH1088333A JPH1088333A JP26802396A JP26802396A JPH1088333A JP H1088333 A JPH1088333 A JP H1088333A JP 26802396 A JP26802396 A JP 26802396A JP 26802396 A JP26802396 A JP 26802396A JP H1088333 A JPH1088333 A JP H1088333A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 保磁力に優れ、媒体ノイズの少ないＣｏ系合
金磁性膜をスパッタリング法によって形成するためのス
パッタリングターゲットおよびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 クロム、ニッケル、タンタルおよびプラ
チナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの合
金からなる合金相と、酸素、窒素および炭素のうち少な
くとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力のあ
るシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタン、およびジ
ルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物から
なるセラミックス相の微細均質分散混合相からなるスパ
ッタリングターゲット。急冷凝固法で作製した合金相合
金粉末とセラミックス相粉末とをメカニカルアロイング
してセラミックス相粉末が合金相合金粉末中に均質に分
散した合金粉末を作製した後、ホットプレスにより成形
することを特徴とする高密度面内磁気記録媒体用スパッ
タリングターゲットの製造法。
金磁性膜をスパッタリング法によって形成するためのス
パッタリングターゲットおよびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 クロム、ニッケル、タンタルおよびプラ
チナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの合
金からなる合金相と、酸素、窒素および炭素のうち少な
くとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力のあ
るシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタン、およびジ
ルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物から
なるセラミックス相の微細均質分散混合相からなるスパ
ッタリングターゲット。急冷凝固法で作製した合金相合
金粉末とセラミックス相粉末とをメカニカルアロイング
してセラミックス相粉末が合金相合金粉末中に均質に分
散した合金粉末を作製した後、ホットプレスにより成形
することを特徴とする高密度面内磁気記録媒体用スパッ
タリングターゲットの製造法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスク用の高
密度面内磁気記録媒体をスパッタリングを用いて製造す
るのに適したスパッタリングターゲットに関し、特に詳
しくは酸化物分散型Ｃｏ系合金スパッタリングターゲッ
トおよびその製造方法に関する。
密度面内磁気記録媒体をスパッタリングを用いて製造す
るのに適したスパッタリングターゲットに関し、特に詳
しくは酸化物分散型Ｃｏ系合金スパッタリングターゲッ
トおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度、大容量、高速アクセスを
図るための磁気記録用材料の研究開発が精力的に行われ
ている。ハードディスク用の高密度面内磁気記録媒体と
してＣｏ系合金磁性膜が数多く使用されている。これは
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金などのＣｏ系合金の磁性膜が保磁
力が高く、かつ媒体ノイズが少ないからである。
図るための磁気記録用材料の研究開発が精力的に行われ
ている。ハードディスク用の高密度面内磁気記録媒体と
してＣｏ系合金磁性膜が数多く使用されている。これは
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金などのＣｏ系合金の磁性膜が保磁
力が高く、かつ媒体ノイズが少ないからである。
【０００３】最近の高密度記録化への更なる要求に応え
るためには、スパッタリング法で得られるＣｏ系合金磁
気膜のより一層の保磁力の向上とノイズの低減化が図ら
れる必要があり、このための様々な研究が続けられてい
る。
るためには、スパッタリング法で得られるＣｏ系合金磁
気膜のより一層の保磁力の向上とノイズの低減化が図ら
れる必要があり、このための様々な研究が続けられてい
る。
【０００４】これらのＣｏ系合金磁性膜の高保磁力化
は、理論的には、磁性膜を構成する結晶粒子を更に微細
化すること、およびその結晶粒界に非磁性相を分散させ
ること、により達成できる。また、これらのＣｏ系合金
磁性膜のノイズは結晶粒子間に働く交換相互作用の影響
により生じるため、Ｃｏ系合金磁性膜の結晶粒界に非磁
性相を分散させることは各々の結晶粒子間に働く交換相
互作用を弱める作用があり、ノイズ低減につながると考
えられる。したがって、Ｃｏ系合金磁性膜をスパッタリ
ングにより作製する際に、その結晶粒界に非磁性相を均
質に分散することができればよい。そのための非磁性相
としては酸化物、窒化物や炭化物などが考えられる。
は、理論的には、磁性膜を構成する結晶粒子を更に微細
化すること、およびその結晶粒界に非磁性相を分散させ
ること、により達成できる。また、これらのＣｏ系合金
磁性膜のノイズは結晶粒子間に働く交換相互作用の影響
により生じるため、Ｃｏ系合金磁性膜の結晶粒界に非磁
性相を分散させることは各々の結晶粒子間に働く交換相
互作用を弱める作用があり、ノイズ低減につながると考
えられる。したがって、Ｃｏ系合金磁性膜をスパッタリ
ングにより作製する際に、その結晶粒界に非磁性相を均
質に分散することができればよい。そのための非磁性相
としては酸化物、窒化物や炭化物などが考えられる。
【０００５】この非磁性相として酸化物が分散したＣｏ
系合金磁性膜を作製する方法としては、Ｃｏ系合金ター
ゲットと酸化物ターゲットの２枚を用い、それらを同時
にスパッタリングすればよい。しかし、２枚のターゲッ
トを同時に、しかもその非磁性相の量を制御しながらス
パッタリングすることは難しい。そのため、実際にはＣ
ｏ系合金ターゲットの上に酸化物の小片（チップ）を乗
せた、いわゆるオンチップ型と呼ばれる複合ターゲット
が酸化物が分散したＣｏ系合金磁性膜の研究に使用され
ている。
系合金磁性膜を作製する方法としては、Ｃｏ系合金ター
ゲットと酸化物ターゲットの２枚を用い、それらを同時
にスパッタリングすればよい。しかし、２枚のターゲッ
トを同時に、しかもその非磁性相の量を制御しながらス
パッタリングすることは難しい。そのため、実際にはＣ
ｏ系合金ターゲットの上に酸化物の小片（チップ）を乗
せた、いわゆるオンチップ型と呼ばれる複合ターゲット
が酸化物が分散したＣｏ系合金磁性膜の研究に使用され
ている。
【０００６】上記のＣｏ系合金ターゲットの上に酸化物
の小片を乗せた、オンチップ型の複合ターゲットには、
次のような問題点がある。 （１） Ｃｏ系合金と酸化物とを同時にスバッタリング
することができても、それぞれの表面積が大きく異なる
ため、実際の生産において組成の均質な薄膜を得ること
が非常に難しい。 （２） Ｃｏ系合金と酸化物の間に異常放電が起こるこ
とがある。 （３） 下向きにまたは斜めに傾けてターゲットを使用
するスパッタリング装置には対応できない。
の小片を乗せた、オンチップ型の複合ターゲットには、
次のような問題点がある。 （１） Ｃｏ系合金と酸化物とを同時にスバッタリング
することができても、それぞれの表面積が大きく異なる
ため、実際の生産において組成の均質な薄膜を得ること
が非常に難しい。 （２） Ｃｏ系合金と酸化物の間に異常放電が起こるこ
とがある。 （３） 下向きにまたは斜めに傾けてターゲットを使用
するスパッタリング装置には対応できない。
【０００７】スパッタリングによる成膜にはその生産性
の良さからマグネトロンスパッタリング装置が広く使用
されている。このマグネトロンスパッタリング装置では
ターゲットの背面に設置した永久磁石の磁界を使用する
が、スパッタリング効果をあげるためには、ターゲット
表面の磁界（漏れ磁界）を適当な値にすることが重要で
ある。一般的にＣｏ系合金はその透磁率が高いため、使
用するマグネトロンスパッタリング装置に適する値まで
その透磁率を下げる必要がある。Ｃｏ系合金が磁性材料
であるためＣｏ系合金ターゲットの厚さによってはター
ゲットの表面まで永久磁石の磁界が届かず、酸化物がう
まくスバッタリングされない場合が生じる。
の良さからマグネトロンスパッタリング装置が広く使用
されている。このマグネトロンスパッタリング装置では
ターゲットの背面に設置した永久磁石の磁界を使用する
が、スパッタリング効果をあげるためには、ターゲット
表面の磁界（漏れ磁界）を適当な値にすることが重要で
ある。一般的にＣｏ系合金はその透磁率が高いため、使
用するマグネトロンスパッタリング装置に適する値まで
その透磁率を下げる必要がある。Ｃｏ系合金が磁性材料
であるためＣｏ系合金ターゲットの厚さによってはター
ゲットの表面まで永久磁石の磁界が届かず、酸化物がう
まくスバッタリングされない場合が生じる。
【０００８】また、アーク溶解炉や真空溶解炉により作
製したＣｏ系合金のインゴットを圧延、切断、研削等に
より仕上げる合金法では、Ｃｏ系合金の溶解時に酸化物
を添加しても、酸化物と金属は比重が異なり、また酸化
物と金属の濡れ性が悪いため、スラグとして溶湯上に浮
いてしまたっり、溶解るつぼの壁に堆積してしまい、Ｃ
ｏ系合金に酸化物を分散することは非常に難しい。
製したＣｏ系合金のインゴットを圧延、切断、研削等に
より仕上げる合金法では、Ｃｏ系合金の溶解時に酸化物
を添加しても、酸化物と金属は比重が異なり、また酸化
物と金属の濡れ性が悪いため、スラグとして溶湯上に浮
いてしまたっり、溶解るつぼの壁に堆積してしまい、Ｃ
ｏ系合金に酸化物を分散することは非常に難しい。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、保磁
力に優れ、媒体ノイズの少ないＣｏ系合金磁性膜をスパ
ッタリング法によって形成するために、結晶組織が合金
相とセラミックス相が均質に分散した微細混合相である
スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供す
ることにある。本発明の他の目的は、上記改善された磁
性膜を得るための操作、取扱い易く、スパッタリング特
性に優れたスパッタリングターゲットを提供することで
ある。
力に優れ、媒体ノイズの少ないＣｏ系合金磁性膜をスパ
ッタリング法によって形成するために、結晶組織が合金
相とセラミックス相が均質に分散した微細混合相である
スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供す
ることにある。本発明の他の目的は、上記改善された磁
性膜を得るための操作、取扱い易く、スパッタリング特
性に優れたスパッタリングターゲットを提供することで
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、Ｃｏ系合
金磁性膜の結晶粒界に非磁性相を均質に分散させれば、
保磁力の向上とノイズの低減が改善されたＣｏ系合金磁
性膜が得られることから、そのような磁性膜を得るため
には、使用されるスパッタリングターゲットの結晶組織
が合金相とセラミックス相が均質に分散した微細混合相
であればよいことに着目した。そして、本発明者らは、
セラミックス相として酸化物が均質に分散したＣｏ系合
金磁性膜を製造する方法について種々の実験、研究開発
を行った。
金磁性膜の結晶粒界に非磁性相を均質に分散させれば、
保磁力の向上とノイズの低減が改善されたＣｏ系合金磁
性膜が得られることから、そのような磁性膜を得るため
には、使用されるスパッタリングターゲットの結晶組織
が合金相とセラミックス相が均質に分散した微細混合相
であればよいことに着目した。そして、本発明者らは、
セラミックス相として酸化物が均質に分散したＣｏ系合
金磁性膜を製造する方法について種々の実験、研究開発
を行った。
【００１１】当初、本発明者らは、アーク溶解炉や真空
溶解炉で作製したＣｏ系合金のインゴットを圧延、切
断、研削等により仕上げる合金法を採用した。しかし、
Ｃｏ系合金に溶解時に酸化物を添加しても、酸化物と金
属との比重が異なるため、また濡れ性が悪いため、酸化
物スラグとして溶湯上に浮いてしまったり、溶解るつぼ
の壁に堆積してしまい、Ｃｏ系合金中に酸化物を分散す
ることが非常に難しい。また、本発明者らは、アーク溶
解炉や真空溶解炉で作製したＣｏ系合金のインゴットは
柔らかく、機械的に粉砕して粉末にすることは難かしい
ことに直面した。
溶解炉で作製したＣｏ系合金のインゴットを圧延、切
断、研削等により仕上げる合金法を採用した。しかし、
Ｃｏ系合金に溶解時に酸化物を添加しても、酸化物と金
属との比重が異なるため、また濡れ性が悪いため、酸化
物スラグとして溶湯上に浮いてしまったり、溶解るつぼ
の壁に堆積してしまい、Ｃｏ系合金中に酸化物を分散す
ることが非常に難しい。また、本発明者らは、アーク溶
解炉や真空溶解炉で作製したＣｏ系合金のインゴットは
柔らかく、機械的に粉砕して粉末にすることは難かしい
ことに直面した。
【００１２】しかしながら、本発明者らは結局、下記の
事項を見い出すに至った。本発明はこれらの知見に基づ
いてなされたものである。 アトマイズ法やメルトスピン法などの急冷凝固法を用
いることによりＣｏ系合金粉末が作製できる。また得ら
れたＣｏ系合金粉末は、酸化が著しく少なく、またこの
粉末と酸化物とを混合した後、モールドに入れてホット
プレスすると酸化物が分散したＣｏ系合金ターゲットが
製造できる。
事項を見い出すに至った。本発明はこれらの知見に基づ
いてなされたものである。 アトマイズ法やメルトスピン法などの急冷凝固法を用
いることによりＣｏ系合金粉末が作製できる。また得ら
れたＣｏ系合金粉末は、酸化が著しく少なく、またこの
粉末と酸化物とを混合した後、モールドに入れてホット
プレスすると酸化物が分散したＣｏ系合金ターゲットが
製造できる。
【００１３】急冷凝固法で作製したＣｏ系合金粉末と
酸化物とをメカニカルアロイングすると、酸化物がＣｏ
系合金粉末中に均質に分散した組織を有する複合合金粉
末が得られ、この粉末をモールドに入れてホットプレス
すると非常に均質な酸化物分散型Ｃｏ系合金ターゲット
が製造できる。 酸化物の代わりに、窒化物や炭化物を用いても同様
に、窒化物や炭化物がＣｏ系合金粉末中に均質に分散し
た窒化物分散型Ｃｏ系合金ターゲットや炭化物分散型Ｃ
ｏ系合金ターゲットが製造できる。
酸化物とをメカニカルアロイングすると、酸化物がＣｏ
系合金粉末中に均質に分散した組織を有する複合合金粉
末が得られ、この粉末をモールドに入れてホットプレス
すると非常に均質な酸化物分散型Ｃｏ系合金ターゲット
が製造できる。 酸化物の代わりに、窒化物や炭化物を用いても同様
に、窒化物や炭化物がＣｏ系合金粉末中に均質に分散し
た窒化物分散型Ｃｏ系合金ターゲットや炭化物分散型Ｃ
ｏ系合金ターゲットが製造できる。
【００１４】本発明は、下記の通りのものである。 （１）保磁力が高く、かつ媒体ノイズが少ない高密度面
内磁気記録媒体用スパッタリングターゲットであって、
その組織が合金相とセラミックス相とが微細に、かつ均
質に分散した混合相からなることを特徴とするスパッタ
リングターゲット。 （２）合金相が、クロム、ニッケル、タンタルおよびプ
ラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの
合金からなることを特徴とする前項（１）に記載のスパ
ッタリングターゲット。 （３）セラミックス相が、酸素、窒素および炭素のうち
少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力
のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタン、およ
びジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物
からなることを特徴とする前項（１）に記載のスパッタ
リングターゲット。 （４）急冷凝固法で作製した合金相合金粉末とセラミッ
クス相粉末とを混合した後、ホットプレスにより形成す
ることを特徴とする、保磁力が高く、かつ媒体ノイズが
少ない高密度面内磁気記録媒体用スパッタリングターゲ
ットの製造方法。 （５）急冷凝固法で作製した合金相合金粉末とセラミッ
クス相粉末とをメカニカルアロイングしてセラミックス
相粉末が均質に合金相合金粉末中に分散した組織を有す
る複合合金粉末を作製した後、ホットプレスにより成形
することを特徴とする保磁力が高く、かつ媒体ノイズが
少ない高密度面内磁気記録媒体用スパッタリングターゲ
ットの製造方法。 （６）合金相合金粉末が、クロム、ニッケル、タンタル
およびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバ
ルトとの合金からなることを特徴とする前項（４）また
は（５）に記載の高密度面内磁気記録媒体用スパッタリ
ングターゲットの製造方法。 （７）セラミックス相粉末が、酸素、窒素および炭素の
うち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親
和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタンお
よびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合
物からなることを特徴とする前項（４）または（５）に
記載の高密度面内磁気記録媒体用スパッタリングターゲ
ットの製造方法。
内磁気記録媒体用スパッタリングターゲットであって、
その組織が合金相とセラミックス相とが微細に、かつ均
質に分散した混合相からなることを特徴とするスパッタ
リングターゲット。 （２）合金相が、クロム、ニッケル、タンタルおよびプ
ラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの
合金からなることを特徴とする前項（１）に記載のスパ
ッタリングターゲット。 （３）セラミックス相が、酸素、窒素および炭素のうち
少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力
のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタン、およ
びジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物
からなることを特徴とする前項（１）に記載のスパッタ
リングターゲット。 （４）急冷凝固法で作製した合金相合金粉末とセラミッ
クス相粉末とを混合した後、ホットプレスにより形成す
ることを特徴とする、保磁力が高く、かつ媒体ノイズが
少ない高密度面内磁気記録媒体用スパッタリングターゲ
ットの製造方法。 （５）急冷凝固法で作製した合金相合金粉末とセラミッ
クス相粉末とをメカニカルアロイングしてセラミックス
相粉末が均質に合金相合金粉末中に分散した組織を有す
る複合合金粉末を作製した後、ホットプレスにより成形
することを特徴とする保磁力が高く、かつ媒体ノイズが
少ない高密度面内磁気記録媒体用スパッタリングターゲ
ットの製造方法。 （６）合金相合金粉末が、クロム、ニッケル、タンタル
およびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバ
ルトとの合金からなることを特徴とする前項（４）また
は（５）に記載の高密度面内磁気記録媒体用スパッタリ
ングターゲットの製造方法。 （７）セラミックス相粉末が、酸素、窒素および炭素の
うち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親
和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタンお
よびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合
物からなることを特徴とする前項（４）または（５）に
記載の高密度面内磁気記録媒体用スパッタリングターゲ
ットの製造方法。
【００１５】
【実施例】以下に、本発明を実施例により説明する。実施例１ Ｃｏ82Ｃｒ13Ｔａ5 合金１．５ｋｇを日新技研製超小型
ガスアトマイズ装置でアトマイズすることにより粉末と
した。アトマイズはＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金を、底にノズ
ルをもつアルミナるつぼ中に入れアルゴン雰囲気中で高
周波溶解により約１６００℃の温度で溶湯した後、その
溶湯をノズルより落下して溶湯流とし、その溶湯流にア
ルゴンガスを５０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で噴射することに
より行なった。アトマイズした粉末は超小型ガスアトマ
イズ装置の下部にあるサイクロンで回収した。アトマイ
ズにより得られた試料は直径１５０μｍ以下のきれいな
球状の粉末であった。得られたアトマイズ粉末（１５０
μｍ以下）に酸化物として３重量％のＳｉＯ2 の粉末を
混合した後、ボールミルによりメカニカルアロイングを
施した。メカニカルアロイング条件は、ボールと試料の
重量比を４０：１とし、アルゴン雰囲気中で９６時間行
った。得られた粉末を電子顕微鏡により組織観察したと
ころ、酸化物が分散したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末にな
っていることがわかった。この酸化物が分散したＣｏ−
Ｃｒ−Ｔａ合金粉末を直径４インチのカーボン型中に入
れ、真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ2 でホットプ
レスを施し、ターゲットを作製した。
ガスアトマイズ装置でアトマイズすることにより粉末と
した。アトマイズはＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金を、底にノズ
ルをもつアルミナるつぼ中に入れアルゴン雰囲気中で高
周波溶解により約１６００℃の温度で溶湯した後、その
溶湯をノズルより落下して溶湯流とし、その溶湯流にア
ルゴンガスを５０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で噴射することに
より行なった。アトマイズした粉末は超小型ガスアトマ
イズ装置の下部にあるサイクロンで回収した。アトマイ
ズにより得られた試料は直径１５０μｍ以下のきれいな
球状の粉末であった。得られたアトマイズ粉末（１５０
μｍ以下）に酸化物として３重量％のＳｉＯ2 の粉末を
混合した後、ボールミルによりメカニカルアロイングを
施した。メカニカルアロイング条件は、ボールと試料の
重量比を４０：１とし、アルゴン雰囲気中で９６時間行
った。得られた粉末を電子顕微鏡により組織観察したと
ころ、酸化物が分散したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末にな
っていることがわかった。この酸化物が分散したＣｏ−
Ｃｒ−Ｔａ合金粉末を直径４インチのカーボン型中に入
れ、真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ2 でホットプ
レスを施し、ターゲットを作製した。
【００１６】このようにして作製したターゲットには、
ひびや割れなどは見られなかった。ホットプレスにより
作製したターゲットはアルキメデス法で測定したところ
約９８％の高い相対密度をもつ。図１にホットプレスに
より作製したターゲットの断面組織写真を示す。これに
よれば、微細な黒い点（ＳｉＯ2 ）が均質に分布してい
るのが観察され、また、空孔やひびなどは観察されな
い。以上の結果より、このターゲットの組織はＳｉＯ2
がＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金中に分散した微細混合相からな
っていることがわかった。
ひびや割れなどは見られなかった。ホットプレスにより
作製したターゲットはアルキメデス法で測定したところ
約９８％の高い相対密度をもつ。図１にホットプレスに
より作製したターゲットの断面組織写真を示す。これに
よれば、微細な黒い点（ＳｉＯ2 ）が均質に分布してい
るのが観察され、また、空孔やひびなどは観察されな
い。以上の結果より、このターゲットの組織はＳｉＯ2
がＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金中に分散した微細混合相からな
っていることがわかった。
【００１７】実施例２ 実施例１で使用したと同様のＣｏ82Ｃｒ13Ｔａ5 合金ア
トマイズ粉末（１５０μｍ以下）１．５ｋｇに酸化物と
して３重量％のＳｉＯ2 の粉末を添加し、Ｖ型混合器で
１時間混合した後、直径４インチのカーボン型中に入
れ、真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ2 でホットプ
レスを施し、ターゲットを作製した。
トマイズ粉末（１５０μｍ以下）１．５ｋｇに酸化物と
して３重量％のＳｉＯ2 の粉末を添加し、Ｖ型混合器で
１時間混合した後、直径４インチのカーボン型中に入
れ、真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ2 でホットプ
レスを施し、ターゲットを作製した。
【００１８】このようにして作製したターゲットには、
大きなひびや割れなどは見られなかった。ホットプレス
により作製したターゲットはその相対密度をアルキメデ
ス法で測定したところ約９６％の高い相対密度である。
図２にホットプレスにより作製したターゲットの断面組
織写真を示す。この断面組織写真は大きな白い球状の組
織（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金）のまわりを黒い部分（Ｓｉ
Ｏ2 ）が取り囲んで分布しているのが観察され、また空
孔やひびなどは観察されない。以上の結果より、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ合金粉末と酸化物を混合した後ホットプレス
することにより作製したターゲットの組織は、酸化物
（ＳｉＯ2 ）がＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末の粒界に分散
した組織からなっていた。
大きなひびや割れなどは見られなかった。ホットプレス
により作製したターゲットはその相対密度をアルキメデ
ス法で測定したところ約９６％の高い相対密度である。
図２にホットプレスにより作製したターゲットの断面組
織写真を示す。この断面組織写真は大きな白い球状の組
織（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金）のまわりを黒い部分（Ｓｉ
Ｏ2 ）が取り囲んで分布しているのが観察され、また空
孔やひびなどは観察されない。以上の結果より、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ合金粉末と酸化物を混合した後ホットプレス
することにより作製したターゲットの組織は、酸化物
（ＳｉＯ2 ）がＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末の粒界に分散
した組織からなっていた。
【００１９】実施例３ 実施例１で使用したと同様のＣｏ82Ｃｒ13Ｔａ5 合金ア
トマイズ粉末（１５０μｍ以下）１．５ｋｇに酸化物と
して３重量％のＳｉＯ2 の粉末を混合した後、ボールミ
ルによりメカニカルアロイングを施した。メカニカルア
ロイング条件は、ボールと試料の重量比を４０：１と
し、アルゴン雰囲気中で９６時間行った。得られた粉末
を電子顕微鏡により組織観察したところ、酸化物が分散
したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末になっていることがわか
った。この酸化物が分散したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末
を室温でプレスすることにより成形体を作製し、それを
水素雰囲気中１３００℃で１時間焼結することによりタ
ーゲットを作製した。
トマイズ粉末（１５０μｍ以下）１．５ｋｇに酸化物と
して３重量％のＳｉＯ2 の粉末を混合した後、ボールミ
ルによりメカニカルアロイングを施した。メカニカルア
ロイング条件は、ボールと試料の重量比を４０：１と
し、アルゴン雰囲気中で９６時間行った。得られた粉末
を電子顕微鏡により組織観察したところ、酸化物が分散
したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末になっていることがわか
った。この酸化物が分散したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末
を室温でプレスすることにより成形体を作製し、それを
水素雰囲気中１３００℃で１時間焼結することによりタ
ーゲットを作製した。
【００２０】このようにして作製したターゲットには、
ひびや割れなどは見られず、その相対密度は約９５％で
あった。また、ターゲットの組織は、図１に示した組織
とほぼ同様であった。このことにより、ホットプレスの
代りに、冷間で成形した後、高温で焼結することによっ
ても酸化物分散型Ｃｏ系合金ターゲットを製造するでき
ることがわかった。
ひびや割れなどは見られず、その相対密度は約９５％で
あった。また、ターゲットの組織は、図１に示した組織
とほぼ同様であった。このことにより、ホットプレスの
代りに、冷間で成形した後、高温で焼結することによっ
ても酸化物分散型Ｃｏ系合金ターゲットを製造するでき
ることがわかった。
【００２１】実施例４ Ｃｏ82Ｃｒ11Ｔａ4 Ｐｔ3 合金１．８ｋｇをガスアトマ
イズ装置により実施例１と同様の方法で粉末とした。ア
トマイズには６０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力のアルゴンガスを
用いた。得られたアトマイズ粉末（１５０μｍ以下）に
窒化物として３重量％のＳｉ3 Ｎ4 の粉末を混合した
後、ボールミルによりメカニカルアロイングを施した。
メカニカルアロイング条件は、ボールと試料の重量比を
４０：１とし、アルゴン雰囲気中で９６時間行った。得
られた粉末の電子顕微鏡による組織観察を行ったとこ
ろ、窒化物が分散したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金粉末
になっていることがわかった。この窒化物が分散したＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金粉末を直径３インチのカーボ
ン型中に入れ、真空中１０００〜１１００℃で３００〜
５００ｋｇ／ｃｍ2 でホットプレスを施し、ターゲット
を作製した。
イズ装置により実施例１と同様の方法で粉末とした。ア
トマイズには６０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力のアルゴンガスを
用いた。得られたアトマイズ粉末（１５０μｍ以下）に
窒化物として３重量％のＳｉ3 Ｎ4 の粉末を混合した
後、ボールミルによりメカニカルアロイングを施した。
メカニカルアロイング条件は、ボールと試料の重量比を
４０：１とし、アルゴン雰囲気中で９６時間行った。得
られた粉末の電子顕微鏡による組織観察を行ったとこ
ろ、窒化物が分散したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金粉末
になっていることがわかった。この窒化物が分散したＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金粉末を直径３インチのカーボ
ン型中に入れ、真空中１０００〜１１００℃で３００〜
５００ｋｇ／ｃｍ2 でホットプレスを施し、ターゲット
を作製した。
【００２２】このようにして作製したターゲットには、
ひびや割れなどは見られず、その相対密度は約９８％で
あった。また、このターゲットの組織は、図１に示した
酸化物（ＳｉＯ2 ）が分散した微細混合相とほぼ同様で
あった。このことにより、本製造プロセスで酸化物だけ
ではなく窒化物も分散することができ、窒化物分散型Ｃ
ｏ系合金ターゲットを製造できることがわかった。
ひびや割れなどは見られず、その相対密度は約９８％で
あった。また、このターゲットの組織は、図１に示した
酸化物（ＳｉＯ2 ）が分散した微細混合相とほぼ同様で
あった。このことにより、本製造プロセスで酸化物だけ
ではなく窒化物も分散することができ、窒化物分散型Ｃ
ｏ系合金ターゲットを製造できることがわかった。
【００２３】実施例５ Ｃｏ77Ｎｉ7 Ｃｒ4 Ｐｔ12合金１．８ｋｇをガスアトマ
イズ装置により実施例１と同様の方法で粉末とした。ア
トマイズには６０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力のアルゴンガスを
用いた。得られたアトマイズ粉末（１５０μｍ以下）に
酸化物として３重量％のＺｒＯ2 の粉末を混合した後、
高エネルギーボールミルによりメカニカルアロイングを
施した。メカニカルアロイング条件は、ボールと試料の
重量比１０：１とし、アルゴン雰囲気中で１０時間行っ
た。得られた粉末の電子顕微鏡による組織観察を行った
ところ、酸化物が分散したＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ合金
粉末になっていることがわかった。この酸化物が分散し
たＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末を直径３インチのカ
ーボン型中に入れ、真空中１０００〜１１００℃で３０
０〜５００ｋｇ／ｃｍ2 でホットプレスを施し、ターゲ
ットを作製した。
イズ装置により実施例１と同様の方法で粉末とした。ア
トマイズには６０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力のアルゴンガスを
用いた。得られたアトマイズ粉末（１５０μｍ以下）に
酸化物として３重量％のＺｒＯ2 の粉末を混合した後、
高エネルギーボールミルによりメカニカルアロイングを
施した。メカニカルアロイング条件は、ボールと試料の
重量比１０：１とし、アルゴン雰囲気中で１０時間行っ
た。得られた粉末の電子顕微鏡による組織観察を行った
ところ、酸化物が分散したＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ合金
粉末になっていることがわかった。この酸化物が分散し
たＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末を直径３インチのカ
ーボン型中に入れ、真空中１０００〜１１００℃で３０
０〜５００ｋｇ／ｃｍ2 でホットプレスを施し、ターゲ
ットを作製した。
【００２４】このようにして作製したターゲットには、
ひびや割れなどは見られず、その相対密度は約９８％で
あった。また、このターゲットの組織は、図１に示した
組織とほぼ同様であった。このことにより、ボールミル
条件が多少異なっても酸化物の分散した合金粉末ができ
れば、微細な酸化物がＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ合金中に
分散したターゲットが製造できることがわかった。
ひびや割れなどは見られず、その相対密度は約９８％で
あった。また、このターゲットの組織は、図１に示した
組織とほぼ同様であった。このことにより、ボールミル
条件が多少異なっても酸化物の分散した合金粉末ができ
れば、微細な酸化物がＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ合金中に
分散したターゲットが製造できることがわかった。
【００２５】実施例６ Ｃｏ62Ｎｉ20Ｃｒ13Ｔａ5 合金１．５ｋｇを日新技研製
メルトスピナー装置により急冷薄帯とした。メルトスピ
ンは、母合金を底に直径０．５−１．０ｍｍ程度の小さ
な穴（オリフィス）をもつ石英るつぼ中に入れアルゴン
雰囲気中で高周波溶解により約１６００℃の温度で溶湯
した後、その溶湯をオリフィスよりアルゴンガスの圧力
（０．３ｋｇ／ｃｍ2 ）で、高速（５０ｍ／ｓ）で回転
している銅ロール上に噴射することにより作製した。メ
ルトスピンにより得られた試料は、幅約２ｍｍ程度、厚
さ約２０μｍｍ、長さ数ｍの急冷薄帯であった。得られ
た急冷薄帯を乳鉢で約２００μｍ程度に粗粉砕した粉末
に酸化物として３重量％のＳｉＯ2 の粉末を混合した
後、高エネルギー型のボールミルによりメカニカルアロ
イングを施した。メカニカルアロイング条件は、ボール
と試料の重量比を１０：１とし、アルゴン雰囲気中で１
０時間行なった。得られた粉末を組織観察したところ、
酸化物が分散したＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末にな
っていることがわかった。この酸化物が分散したＣｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末を直径３インチのカーボン型
中に入れ、真空中１０００〜１１００℃で３００〜５０
０ｋｇ／ｃｍ2 でホットプレスを施し、ターゲットを作
製した。
メルトスピナー装置により急冷薄帯とした。メルトスピ
ンは、母合金を底に直径０．５−１．０ｍｍ程度の小さ
な穴（オリフィス）をもつ石英るつぼ中に入れアルゴン
雰囲気中で高周波溶解により約１６００℃の温度で溶湯
した後、その溶湯をオリフィスよりアルゴンガスの圧力
（０．３ｋｇ／ｃｍ2 ）で、高速（５０ｍ／ｓ）で回転
している銅ロール上に噴射することにより作製した。メ
ルトスピンにより得られた試料は、幅約２ｍｍ程度、厚
さ約２０μｍｍ、長さ数ｍの急冷薄帯であった。得られ
た急冷薄帯を乳鉢で約２００μｍ程度に粗粉砕した粉末
に酸化物として３重量％のＳｉＯ2 の粉末を混合した
後、高エネルギー型のボールミルによりメカニカルアロ
イングを施した。メカニカルアロイング条件は、ボール
と試料の重量比を１０：１とし、アルゴン雰囲気中で１
０時間行なった。得られた粉末を組織観察したところ、
酸化物が分散したＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末にな
っていることがわかった。この酸化物が分散したＣｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末を直径３インチのカーボン型
中に入れ、真空中１０００〜１１００℃で３００〜５０
０ｋｇ／ｃｍ2 でホットプレスを施し、ターゲットを作
製した。
【００２６】このようにして作製したターゲットには、
ひびや割れなどは見られず、その相対密度は約９７％で
あった。また、このターゲットの組織は、図１に示した
組織とほぼ同様であった。このことにより、アトマイズ
合金粉末のかわりにメルトスピンで作製した急冷薄帯を
原料粉末として使用しても微細な酸化物がＣｏ−Ｎｉ−
Ｃｒ−Ｐｔ合金中に分散したターゲットを製造できるこ
とがわかった。
ひびや割れなどは見られず、その相対密度は約９７％で
あった。また、このターゲットの組織は、図１に示した
組織とほぼ同様であった。このことにより、アトマイズ
合金粉末のかわりにメルトスピンで作製した急冷薄帯を
原料粉末として使用しても微細な酸化物がＣｏ−Ｎｉ−
Ｃｒ−Ｐｔ合金中に分散したターゲットを製造できるこ
とがわかった。
【００２７】実施例７ Ｃｏ82Ｃｒ11Ｔａ4 Ｐｔ3 合金１．８ｋｇを、実施例１
と同様の方法により、６０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力のアルゴ
ンガスを用いたガスアトマイズ装置により粉末とした。
得られたアトマイズ粉末（１５０μｍ以下）を直径４イ
ンチのカーボン型に入れ、真空中１１００℃で３００ｋ
ｇ／ｃｍ2 でホットプレスを施し、ターゲット（Ｔ1 ）
を作製した。また、上記得られたアトマイズ粉末（１５
０μｍ以下）に酸化物として３重量％のＳｉＯ2 の粉末
を添加し、Ｖ型混合器で１時間混合した粉末を直径４イ
ンチのカーボン型に入れ、真空中１１００℃で３００ｋ
ｇ／ｃｍ2 でホットプレスを施し、ターゲット（Ｔ2 ）
を作製した。さらに、上記得られたアトマイズ粉末（１
５０μｍ以下）に３重量％のＳｉＯ2 の粉末を添加し、
ボールミルでメカニカルアロイングし、次いで真空中１
１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ2 でホットプレスを施し、
ターゲット（Ｔ3 ）を作製した。
と同様の方法により、６０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力のアルゴ
ンガスを用いたガスアトマイズ装置により粉末とした。
得られたアトマイズ粉末（１５０μｍ以下）を直径４イ
ンチのカーボン型に入れ、真空中１１００℃で３００ｋ
ｇ／ｃｍ2 でホットプレスを施し、ターゲット（Ｔ1 ）
を作製した。また、上記得られたアトマイズ粉末（１５
０μｍ以下）に酸化物として３重量％のＳｉＯ2 の粉末
を添加し、Ｖ型混合器で１時間混合した粉末を直径４イ
ンチのカーボン型に入れ、真空中１１００℃で３００ｋ
ｇ／ｃｍ2 でホットプレスを施し、ターゲット（Ｔ2 ）
を作製した。さらに、上記得られたアトマイズ粉末（１
５０μｍ以下）に３重量％のＳｉＯ2 の粉末を添加し、
ボールミルでメカニカルアロイングし、次いで真空中１
１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ2 でホットプレスを施し、
ターゲット（Ｔ3 ）を作製した。
【００２８】これらのターゲットについてＢＨトレーサ
で透磁率を測定した。その結果を、表１に示す。また、
比較のため真空溶解で作ったＣｏ82Ｃｒ11Ｔａ4 Ｐｔ3
合金の透磁率を、表１に併記する。
で透磁率を測定した。その結果を、表１に示す。また、
比較のため真空溶解で作ったＣｏ82Ｃｒ11Ｔａ4 Ｐｔ3
合金の透磁率を、表１に併記する。
【００２９】
【表１】
【００３０】表１の結果から分るように、真空溶解で作
製したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金は高い透磁率の値を
示すが、アトマイズ粉末をホットプレスすることにより
作製したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金の透磁率は低い。
これらの透磁率の相違を調べるため、その断面組織観察
を行なった。その結果を、図３に示す。
製したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金は高い透磁率の値を
示すが、アトマイズ粉末をホットプレスすることにより
作製したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金の透磁率は低い。
これらの透磁率の相違を調べるため、その断面組織観察
を行なった。その結果を、図３に示す。
【００３１】図３から分るように、このように真空溶解
で作製したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金の組織は典型的
な鋳造組織である比較的粗く大きなデンドライト組織
（図３（ａ））であるのに対し、アトマイズした合金粉
末をホットプレスすることにより作製したＣｏ−Ｃｒ−
Ｔａ−Ｐｔ合金はアトマイズ（急冷凝固法）を用いてい
るため非常に微細で均質な組織（図３（ｂ））になって
いる。
で作製したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金の組織は典型的
な鋳造組織である比較的粗く大きなデンドライト組織
（図３（ａ））であるのに対し、アトマイズした合金粉
末をホットプレスすることにより作製したＣｏ−Ｃｒ−
Ｔａ−Ｐｔ合金はアトマイズ（急冷凝固法）を用いてい
るため非常に微細で均質な組織（図３（ｂ））になって
いる。
【００３２】また、アトマイズで作製した粉末に酸化物
を混合した後、ホットプレスすることにより作製した酸
化物分散型Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金ターゲットや、
アトマイズで作製した粉末に酸化物をメカニカルアロイ
ングで分散させた後、ホットプレスすることにより作製
したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金ターゲットの透磁率
は、酸化物を混合しないでアトマイズ粉末のみをホット
プレスすることにより作製したターゲットの透磁率より
さらに低い。これは、合金相のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ
合金中にセラミックス相である酸化物が均質に分散し、
磁気的な介在物として働き、磁束の流れを邪魔している
ためであると思われる。
を混合した後、ホットプレスすることにより作製した酸
化物分散型Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金ターゲットや、
アトマイズで作製した粉末に酸化物をメカニカルアロイ
ングで分散させた後、ホットプレスすることにより作製
したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金ターゲットの透磁率
は、酸化物を混合しないでアトマイズ粉末のみをホット
プレスすることにより作製したターゲットの透磁率より
さらに低い。これは、合金相のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ
合金中にセラミックス相である酸化物が均質に分散し、
磁気的な介在物として働き、磁束の流れを邪魔している
ためであると思われる。
【００３３】実施例８ 実施例１で使用したと同様のアトマイズ粉末（１５０μ
ｍ以下）１．５ｋｇに酸化物として３重量％のＳｉＯ2
の粉末を混合した後、ボールミルによりメカニカルアロ
イングを施した。メカニカルアロイング条件としては、
ボールと試料の重量比を４０：１とし、アルゴン雰囲気
中で９６時間行なった。
ｍ以下）１．５ｋｇに酸化物として３重量％のＳｉＯ2
の粉末を混合した後、ボールミルによりメカニカルアロ
イングを施した。メカニカルアロイング条件としては、
ボールと試料の重量比を４０：１とし、アルゴン雰囲気
中で９６時間行なった。
【００３４】次に、メカニカルアロイングの効果を調べ
るため、アトマイズで作製した合金粉末とメカニカルア
ロイングを施した粉末の断面写真を、図４（ａ）および
図４（ｃ）にそれぞれ示す。また、比較のため、アトマ
イズ粉末（１５０μｍ以下）に酸化物として３重量％の
ＳｉＯ2 の粉末を添加し、Ｖ型混合器で１時間混合した
粉末の断面写真（図４（ｂ））も示す。
るため、アトマイズで作製した合金粉末とメカニカルア
ロイングを施した粉末の断面写真を、図４（ａ）および
図４（ｃ）にそれぞれ示す。また、比較のため、アトマ
イズ粉末（１５０μｍ以下）に酸化物として３重量％の
ＳｉＯ2 の粉末を添加し、Ｖ型混合器で１時間混合した
粉末の断面写真（図４（ｂ））も示す。
【００３５】図４の断面写真から、アトマイズ粉末（１
５０μｍ以下）に酸化物として３重量％のＳｉＯ2 の粉
末を添加し、Ｖ型混合器で１時間混合した粉末（図４
（ｂ））は、元のアトマイズで作製した合金粉末（図４
（ａ））と同様に球状であることがわかる。すなわち、
アトマイズ粉末と酸化物を混合しても、アトマイズ粉末
自体には変化が見られない。一方、アトマイズ粉末（１
５０μｍ以下）に酸化物として３重量％のＳｉＯ2 の粉
末を混合した後、ボールミル処理した粉末（図４
（ｃ））は、もはや元の球状の粉末ではなく機械的に変
形した粉末となっている。これは該粉末がメカニカルア
ロイングにより機械的に粉砕・圧延・混合された結果で
ある。
５０μｍ以下）に酸化物として３重量％のＳｉＯ2 の粉
末を添加し、Ｖ型混合器で１時間混合した粉末（図４
（ｂ））は、元のアトマイズで作製した合金粉末（図４
（ａ））と同様に球状であることがわかる。すなわち、
アトマイズ粉末と酸化物を混合しても、アトマイズ粉末
自体には変化が見られない。一方、アトマイズ粉末（１
５０μｍ以下）に酸化物として３重量％のＳｉＯ2 の粉
末を混合した後、ボールミル処理した粉末（図４
（ｃ））は、もはや元の球状の粉末ではなく機械的に変
形した粉末となっている。これは該粉末がメカニカルア
ロイングにより機械的に粉砕・圧延・混合された結果で
ある。
【００３６】これらの断面写真は粉末の形状の変化を示
すため比較的低い倍率で撮影したが、高倍率で撮影した
写真ではメカニカルアロイングで作製した粉末にのみ、
酸化物が粉末内に分散している様子が観察された。この
ことにより、添加した酸化物もこのメカニカルアロイン
グにより同時に粉砕・圧延・混合され、その結果酸化物
が合金中に分散した粉末となっている。
すため比較的低い倍率で撮影したが、高倍率で撮影した
写真ではメカニカルアロイングで作製した粉末にのみ、
酸化物が粉末内に分散している様子が観察された。この
ことにより、添加した酸化物もこのメカニカルアロイン
グにより同時に粉砕・圧延・混合され、その結果酸化物
が合金中に分散した粉末となっている。
【００３７】また、ターゲットの相対密度が同一の場
合、このメカニカルアロイングで作製した酸化物分散型
Ｃｏ82Ｃｒ13Ｔａ5 合金粉末は、元のアトマイズ粉末よ
りも少し低温でまたは少し低い圧力でホットプレスでき
ること、および同一温度、圧力であればより相対密度の
高いものが得られるという長所があることがわかった。
これは、メカニカルアロイングにより粉末中に蓄積され
た機械的なエネルギーの効果によるものであると思われ
る。
合、このメカニカルアロイングで作製した酸化物分散型
Ｃｏ82Ｃｒ13Ｔａ5 合金粉末は、元のアトマイズ粉末よ
りも少し低温でまたは少し低い圧力でホットプレスでき
ること、および同一温度、圧力であればより相対密度の
高いものが得られるという長所があることがわかった。
これは、メカニカルアロイングにより粉末中に蓄積され
た機械的なエネルギーの効果によるものであると思われ
る。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、酸化物分散型Ｃｏ系合
金ターゲットとスパッタリングで形成される磁性薄膜と
の組成差、いわゆる組成ズレが少ない。またこの磁性薄
膜は組成を均一で保磁力が高く、かつ媒体ノイズも少な
い。本発明により得られるターゲットは、Ｃｏ系合金粉
末を母相とした合金相とセラミックス相が均質に分散し
た微細混合相からなり、また一枚の板状体に微細な酸化
物が均質に分散した複合ターゲットであるため、従来の
オンチップ型に比較して生産性に優れ、透磁率が低く、
密度が高いので異常放電がなく、また取扱いも容易であ
る。
金ターゲットとスパッタリングで形成される磁性薄膜と
の組成差、いわゆる組成ズレが少ない。またこの磁性薄
膜は組成を均一で保磁力が高く、かつ媒体ノイズも少な
い。本発明により得られるターゲットは、Ｃｏ系合金粉
末を母相とした合金相とセラミックス相が均質に分散し
た微細混合相からなり、また一枚の板状体に微細な酸化
物が均質に分散した複合ターゲットであるため、従来の
オンチップ型に比較して生産性に優れ、透磁率が低く、
密度が高いので異常放電がなく、また取扱いも容易であ
る。
【図１】アトマイズにより作製したＣｏ82Ｃｒ13Ｔａ5
合金粉末（１５０μｍ以下）とＳｉＯ2 にメカニカルア
ロイングを施して酸化物分散型Ｃｏ82Ｃｒ13Ｔａ5 合金
粉末を作製した後、真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃ
ｍ2 でホットプレスを施すことにより得られた本発明の
ターゲットの断面組織写真である。
合金粉末（１５０μｍ以下）とＳｉＯ2 にメカニカルア
ロイングを施して酸化物分散型Ｃｏ82Ｃｒ13Ｔａ5 合金
粉末を作製した後、真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃ
ｍ2 でホットプレスを施すことにより得られた本発明の
ターゲットの断面組織写真である。
【図２】アトマイズにより作製したＣｏ82Ｃｒ13Ｔａ5
合金粉末（１５０μｍ以下）とＳｉＯ2 をＶ型混合器で
１時間混合した後、真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃ
ｍ2 でホットプレスを施すことにより得られた本発明の
ターゲットの断面組織写真である。
合金粉末（１５０μｍ以下）とＳｉＯ2 をＶ型混合器で
１時間混合した後、真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃ
ｍ2 でホットプレスを施すことにより得られた本発明の
ターゲットの断面組織写真である。
【図３】（ａ）真空溶解で作製したＣｏ82Ｃｒ13Ｔａ5
合金のターゲットおよび（ｂ）アトマイズにより作製し
たＣｏ82Ｃｒ13Ｔａ5 合金粉末（１５０μｍ以下）を真
空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ2 でホットプレスを
施すことにより得られた本発明のターゲット、のそれぞ
れの断面組織写真である。
合金のターゲットおよび（ｂ）アトマイズにより作製し
たＣｏ82Ｃｒ13Ｔａ5 合金粉末（１５０μｍ以下）を真
空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ2 でホットプレスを
施すことにより得られた本発明のターゲット、のそれぞ
れの断面組織写真である。
【図４】（ａ）アトマイズにより作製したＣｏ82Ｃｒ13
Ｔａ5 合金粉末、（ｂ）アトマイズ粉末と酸化物をＶ型
混合器で１時間混合した粉末、および（ｃ）アトマイズ
粉末と酸化物をメカニカルアロイングした粉末、のそれ
ぞれの断面組織写真である。
Ｔａ5 合金粉末、（ｂ）アトマイズ粉末と酸化物をＶ型
混合器で１時間混合した粉末、および（ｃ）アトマイズ
粉末と酸化物をメカニカルアロイングした粉末、のそれ
ぞれの断面組織写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 世 良 佳 弘 福岡県大牟田市不知火町２−９−10 不知 火ハイツ204号
Claims (7)
- 【請求項１】保磁力が高く、かつ媒体ノイズが少ない高
密度面内磁気記録媒体用スパッタリングターゲットであ
って、その組織が合金相とセラミックス相との微細均質
分散混合相からなることを特徴とする、スパッタリング
ターゲット。 - 【請求項２】合金相が、クロム、ニッケル、タンタルお
よびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバル
トとの合金からなることを特徴とする請求項１に記載の
スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】セラミックス相が、酸素、窒素および炭素
のうち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して
親和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタ
ン、およびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素と
の化合物からなることを特徴とする請求項１に記載のス
パッタリングターゲット。 - 【請求項４】急冷凝固法で作製した合金相合金粉末とセ
ラミックス相粉末とを混合した後、ホットプレスにより
形成することを特徴とする、保磁力が高く、かつ媒体ノ
イズが少ない高密度面内磁気記録媒体用スパッタリング
ターゲットの製造方法。 - 【請求項５】急冷凝固法で作製した合金相合金粉末とセ
ラミックス相粉末とをメカニカルアロイングして、セラ
ミックス相粉末が合金相合金粉末中に均質に分散した組
織を有する複合合金粉末を作製した後、ホットプレスに
より成形することを特徴とする保磁力が高く、かつ媒体
ノイズが少ない高密度面内磁気記録媒体用スパッタリン
グターゲットの製造方法。 - 【請求項６】合金相合金粉末が、クロム、ニッケル、タ
ンタルおよびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部
がコバルトとの合金からなることを特徴とする請求項４
または５に記載の高密度面内磁気記録媒体用スパッタリ
ングターゲットの製造方法。 - 【請求項７】セラミックス相粉末が、酸素、窒素および
炭素のうち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対
して親和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チ
タンおよびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素と
の化合物からなることを特徴とする請求項４または５に
記載の高密度面内磁気記録媒体用スパッタリングターゲ
ットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26802396A JP3816595B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26802396A JP3816595B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006129351A Division JP2006307345A (ja) | 2006-05-08 | 2006-05-08 | スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1088333A true JPH1088333A (ja) | 1998-04-07 |
| JP3816595B2 JP3816595B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=17452827
Family Applications (1)
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