TWI642798B - 濺鍍靶 - Google Patents

濺鍍靶 Download PDF

Info

Publication number
TWI642798B
TWI642798B TW105138105A TW105138105A TWI642798B TW I642798 B TWI642798 B TW I642798B TW 105138105 A TW105138105 A TW 105138105A TW 105138105 A TW105138105 A TW 105138105A TW I642798 B TWI642798 B TW I642798B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
magnetic
oxide
coercive force
sputtering target
target
Prior art date
Application number
TW105138105A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201732060A (zh
Inventor
金光 譚
櫛引了輔
山本俊哉
齊藤伸
日向慎太朗
Original Assignee
日商田中貴金屬工業股份有限公司
國立大學法人東北大學
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商田中貴金屬工業股份有限公司, 國立大學法人東北大學 filed Critical 日商田中貴金屬工業股份有限公司
Publication of TW201732060A publication Critical patent/TW201732060A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI642798B publication Critical patent/TWI642798B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/10—Alloys containing non-metals
    • C22C1/1084—Alloys containing non-metals by mechanical alloying (blending, milling)
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
    • C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/04—Alloys based on a platinum group metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0688—Cermets, e.g. mixtures of metal and one or more of carbides, nitrides, oxides or borides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3426—Material
    • H01J37/3429—Plural materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3491—Manufacturing of targets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3409—Boron oxide, borates, boric acids, or oxide forming salts thereof, e.g. borax
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/405—Iron group metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/408—Noble metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/0433—Nickel- or cobalt-based alloys
    • C22C1/0441—Alloys based on intermetallic compounds of the type rare earth - Co, Ni
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/0466—Alloys based on noble metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/05—Mixtures of metal powder with non-metallic powder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C2202/00—Physical properties
    • C22C2202/02—Magnetic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Alloys Or Alloy Compounds (AREA)

Abstract

本發明係一種濺鍍靶，提供可製作矯頑磁力Hc大的磁性薄膜之濺鍍靶。
含有金屬Co、金屬Pt、及氧化物之濺鍍靶，其中，除不可避免之不純物以外未含有金屬Cr之濺鍍靶，前述氧化物係熔點為600℃以下，且，該氧化物之每O21mol之標準生成吉布斯自由能△Gf則為-1000kJ/mol O2以上-500kJ/molO2以下。

Description

濺鍍靶
本發明係有關濺鍍靶，而詳細係含有金屬Co、金屬Pt、及氧化物所成之濺鍍靶，其中，關於可製作矯頑磁力大之磁性薄膜的濺鍍靶。
然而，在本說明書中，有將含有包含金屬Co、金屬Pt、及氧化物所成之濺鍍靶，有記載為CoPt-氧化物系標靶者。另外，有將含有包含金屬Co、金屬Pt、及氧化物所成之磁性薄膜，有記載為CoPt合金-氧化物系磁性薄膜者。
在硬碟驅動器之磁碟中，作為擔當資訊信號之記錄的磁性記錄膜之一，加以使用CoPt基合金-氧化物之粒狀結構所成之磁性薄膜(例如，參照非專利文獻1)。此粒狀結構係由柱狀的CoPt基合金結晶粒與圍繞其周圍之氧化物的結晶粒界所成。因此，對於在CoPt基合金-氧化物之粒狀結構所成之磁性薄膜中為了更使記錄密度提升，係必須細微化含於磁性記錄層(磁性薄膜)之CoPt基合金結晶粒。
但，CoPt基合金結晶粒之微細化進展的結果，經由超常磁性現象而損及記錄信號之熱安定性而記錄信號產生消失，成為呈產生有所謂熱變動現象。熱變動現象係成為對於電性磁碟之高記錄密度化的大的障礙。
為了解決此障礙，係在各CoPt基合金結晶粒中，磁性能量則呈戰勝熱能量地，必須使磁性能量增大。各CoPt基合金結晶粒之磁性能量係由CoPt基合金結晶粒的體積v與結晶磁性異方向性常數Ku的積v×Ku而加以決定。因此，對於為了使CoPt基合金結晶粒之磁性能量增大，必須不可欠使CoPt基合金結晶粒之結晶磁性異方向性常數Ku增大(例如，參照非專利文獻2)。
作為為了使CoPt基合金結晶粒的Ku增大的對策，係可舉出在各CoPt基合金結晶粒中，使層積缺陷降低者，或使Co原子與Pt原子之層積構造的周期性提升等(例如，參照非專利文獻3，4)。
另一方面，對於為了使具有大的Ku之CoPt基合金結晶粒成長為柱狀，係必須使CoPt基合金結晶粒與粒界材料之相分離實現者。另外，CoPt基合金結晶粒與粒界材料之相分離則不充分，而CoPt基合金結晶粒間之粒間相互作用則變大時，CoPt基合金-氧化物之粒狀構造所成之磁性薄膜的矯頑磁力Hc則變小，而損及熱安定性而容易產生有熱波動現象。隨之，縮小CoPt基合金結晶粒間之粒間相互作用之情況亦為重要。
欲使如以上敘述之要求滿足，加以種種檢討 為了作為對於CoPt基合金結晶粒而言之粒界材料而使用之氧化物(例如，參照非專利文獻5，6)。但材料選定之準則則並不明確，而在目前，亦對於為了作為對於CoPt基合金結晶粒而言之粒界材料而使用之氧化物，加以持續進行檢討。
〔先前技術文獻〕 〔非專利文獻〕
[非專利文獻1]T. Oikawa et al.，IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS，2002年9月，VOL.38，NO.5，p.1976-1978
[非專利文獻2]S. N. Piramanayagam，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS，2007年，102，011301
[非專利文獻3]A. Ishikawa and R. Sinclair，IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS，1996年9月，VOL.32，NO.5，p.3605-3607
[非專利文獻4]S. Saito，S. Hinata，and M. Takahashi，IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS，2014年3月，VOL.50，NO.3，3201205
[非專利文獻5]J. Ariake，T. Chiba，and N. Honda，IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS，2005年10月，VOL.41，NO.10，p.3142-3144
[非專利文獻6]V. Sokalski，J. Zhu.，and D. E. Laughlin，IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS，2010 年6月，VOL.46，NO.6，p.2260-2263
本發明係有鑑於有關的狀況所作為之構成，其課題為提供：可製作矯頑磁力Hc大的磁性薄膜之濺鍍靶。
本發明係欲解決前述課題而做銳意研究的結果，適合於增大磁性薄膜之矯頑磁力Hc的氧化物係發現熔點為600℃以下，且，每O21mol之標準生成吉布斯自由能△Gf則為-1000kJ/mol O2以上-500kJ/molO2以下的氧化物。
本發明係依據此新的見解所作為之構成。
即，有關本發明之濺鍍靶之形態係含有金屬Co、金屬Pt、及氧化物所成之濺鍍靶，其特徵為除了不可避免之不純物以外未含有金屬Cr之濺鍍靶，前述氧化物係熔點為600℃以下，且，該氧化物之每O21mol之標準生成吉布斯自由能△Gf則為-1000kJ/mol O2以上-500kJ/molO2以下之濺鍍靶。
前述氧化物係含有B2O3所成者為佳。
前述氧化物係B2O3者為佳。
另外，含有10~50vol%前述氧化物者為佳， 而含有20~40vol%前述氧化物者更佳，含有25~35vol%前述氧化物者又更佳。
前述濺鍍靶係可最佳使用於磁性薄膜之製作者。
如根據本發明，可提供可製作矯頑磁力Hc大的磁性薄膜之濺鍍靶。
圖1係顯示磁性薄膜(CoPt合金-氧化物系磁性薄膜)之磁滯曲線的圖表。
圖2係顯示氧化物的熔點Tm與磁性薄膜(CoPt合金-氧化物系磁性薄膜)之矯頑磁力Hc的關係之圖表。
圖3係顯示氧化物之每O21mol之標準生成吉布斯自由能△Gf與磁性薄膜(CoPt合金-氧化物)之矯頑磁力Hc的關係之圖表。
圖4係實施例1之燒結體試塊的厚度方向剖面之金屬顯微鏡照片。
圖5係實施例1之燒結體試塊的厚度方向剖面之金屬顯微鏡照片。
有關本發明之實施形態的濺鍍靶係含有金屬Co、金屬Pt、及氧化物所成之濺鍍靶，其特徵為除了不可避免之不純物以外未含有金屬Cr，另外，前述氧化物係含有B2O3所成者。然而，在本說明書中，有將金屬Co單記載為Co，而將金屬Pt單記載為Pt者。
1、標靶的構成成分
有關本實施形態之濺鍍靶係作為金屬成分而含有Co及Pt，但如未成為形成磁性薄膜之障礙，更含有其他金屬(例如，Au、Ag、Ru、Rh、Pd、Ir、W、Ta、Cu、B、Mo等)亦可。但，呈在本發明者們之前申請(日本特願2014-95566及PCT/JP2015/061409)所實證地，因含有Cr時，對於磁性薄膜之結晶磁性異方性常數Ku帶來不良影響之故，而無法含有不可避免之不純物以外的金屬Cr者。
金屬Co及金屬Pt係在經由濺鍍所形成之磁性薄膜的粒狀構造中，成為磁性結晶粒(微小的磁鐵)之構成成分。
Co係強磁性金屬元素，而在磁性薄膜之粒狀構造的磁性結晶粒(微小的磁鐵)之形成中，達成中心的作用。從加大經由濺鍍所得到之磁性薄膜中之CoPt合金粒子(磁性結晶粒)之結晶磁性異方性常數Ku之觀點及維持所得到之磁性薄膜中之CoPt合金粒子之磁性的觀點，有關本實施形態之濺鍍靶中的Co含有比例係對於金 屬成分的全體(Co與Pt之合計)而言，作為20~90at%者為佳，而作為25~85at%者更佳。
Pt係具有經由在特定的組成範圍與Co作為合金化而使合金的磁性矩力降低之機能，而具有調整磁性結晶粒的磁性強度的作用。從加大經由濺鍍所得到之磁性薄膜中之CoPt合金粒子(磁性結晶粒)之結晶磁性異方性常數Ku之觀點及調整所得到之磁性薄膜中之CoPt合金粒子(磁性結晶粒)之磁性的觀點，有關本實施形態之濺鍍靶中的Pt含有比例係對於金屬成分的全體而言，作為10~80at%者為佳，而作為15~75at%者更佳。
另外，有關本實施形態之濺鍍靶係作為氧化物成分而包含B2O3。氧化物成分係在磁性薄膜之粒狀構造中，成為間隔磁性結晶粒(微小的磁鐵)彼此之間的非磁性矩陣。
有關本實施形態之濺鍍靶係作為氧化物而包含B2O3，但如未成為形成磁性薄膜之障礙，更包含其他的氧化物(例如，SiO2、TiO2、Ti2O3、Ta2O5、Cr2O3、CoO、Co3O4、MnO、Mn3O4、Fe2O3、CuO、Y2O3、MgO、Al2O3、ZrO2、Nb2O5、MoO3、CeO2、Sm2O3、Gd2O3、WO2、WO3、HfO2、NiO2等)亦可。但如以後述之實施例進行實證地，經由作為氧化物而僅使用B2O3之時，因特別可增大以室溫進形成成膜所得到之磁性薄膜的矯頑磁力Hc之故，作為氧化物係僅可使用B2O3者為佳。
對於濺鍍靶全體而言之金屬成分的含有比例 及氧化物成分的含有比例係經由作為目的之磁性薄膜之成分組成而決定，並特未別加以限定，但對於濺鍍靶全體而言之金屬成分的含有比例係例如，可作為88~94mol%，而對於濺鍍靶全體而言之氧化物成分的含有比例係例如，可作為6~12mol%者。
氧化物成分係如前述，在磁性薄膜之粒狀構造中，成為間隔磁性結晶粒(微小的磁鐵)彼此之間的非磁性矩陣。因此，增加磁性薄膜中的氧化物之含有量者則因成為容易確實地間隔磁性結晶粒彼此之間，而成為容易使磁性結晶粒彼此獨立之故而為理想。從此點，含於有關本實施形態之濺鍍靶中之氧化物的含有量係10vol%以上者為佳，而為20vol%以上者更佳，25vol%以上者為又更佳。
但磁性薄膜中的氧化物的含有量則成為過多時，氧化物混入於CoPt合金粒子(磁性結晶粒)中而對於CoPt合金粒子(磁性結晶粒)之結晶性帶來不良影響，而在CoPt合金粒子(磁性結晶粒)中有hcp以外之構造的比例增加之虞。另外，在磁性薄膜之每單位面積之磁性結晶粒的數量減少之故，而成為不易提高記錄密度。從此點，含於有關本實施形態之濺鍍靶中之氧化物的含有量係50vol%以下者為佳，而為40vol%以下者更佳，35vol%以下者為又更佳。
隨之，含於有關本實施形態之濺鍍靶中，對於氧化物之濺鍍靶全體而言之含有量係10~50vol%者為 佳，而20~40vol%者則更佳，25~35vol%者則又更佳。
2、濺鍍靶之微細構造
有關本實施形態之濺鍍靶的微細構造係未特別加以限定，但金屬相與氧化物相則微細地相互分散而作為相互分散之微細構造者為佳。經由作為如此之微細構造，而在實施濺鍍時，成為不易發生有團塊或顆粒等之不良情況。
3、濺鍍靶之製造方法
經由本實施形態之濺鍍靶係例如，可由如以下作為而製造者。
(1)CoPt合金霧化粉末的製作
呈成為特定的組成(對於金屬Co與金屬Pt之合計而言之該金屬Co的原子數比則為20~90at%)地，秤量Co、Pt而製作CoPt合金熔液。並且，進行氣霧化，製作特定的組成(對於金屬Co與金屬Pt之合計而言之該金屬Co的原子數比則為20~90at%者為佳)之CoPt合金霧化粉末。所製作之CoPt合金霧化粉末係進行分級，粒徑則做為呈成為特定的粒徑以下(例如106μm以下)。
然而，在可加大CoPt合金霧化粉末之磁性的點，對於含有之金屬Co與金屬Pt之合計而言之該金屬Co的原子數比作為25at%以上者則更佳，而作為30at%以上者則更佳。
(2)加壓燒結用混合粉末之製作
加上B2O3粉末於在(1)所製作之CoPt合金霧化粉末而由球磨機進行混合分散，製作加壓燒結用混合粉末。經由以球磨機而混合分散CoPt合金霧化粉末與B2O3粉末之時，可製作CoPt合金霧化粉末與B2O3粉末則微細地相互分散的加壓燒結用混合粉末。
在使用所得到之濺鍍靶而加以製作之磁性薄膜中，從經由B2O3而確實自間隔磁性結晶粒彼此之間而成為容易使磁性結晶粒彼此獨立的觀點，CoPt合金粒子(磁性結晶粒)則容易成為hcp構造之觀點，及提高記錄密度的觀點，對於B2O3粉末之加壓燒結用混合粉末的全體而言之體積分率係10~50vol%者為佳，而20~40vol%者為更佳，25~35vol%者又更佳。
(3)成形
將在(2)所製作之加壓燒結用混合粉末，例如經由真空熱壓法而進行加壓燒結而成形，製作濺鍍靶。在(2)所製作之加壓燒結用混合粉末係由球磨機而加以混合分散，而CoPt合金霧化粉末與B2O3粉末則因微細地相互分散之故，在使用經由本製造方法所得到之濺鍍靶而進行濺鍍時，不易發生有團塊或顆粒之發生等不良情況。
然而，加壓燒結加壓燒結用混合粉末之方法係未特別加以限定，而亦可為真空熱壓法以外的方法，例 如使用HIP法等亦可。
(4)變形例
在(1)~(3)所說明之製造方法的例中，使用霧化法而製作CoPt合金霧化粉末，於所製作之CoPt合金霧化粉末加上B2O3粉末而以球磨機進行混合分散，製作加壓燒結用混合粉末，但取代於使用CoPt合金霧化粉末者，而使用Co單體粉末及Pt單體粉末亦可。對於此情況，將Co單體粉末，Pt單體粉末，及B2O3粉末之3種類的粉末，以球磨機進行混合分散而製作加壓燒結用混合粉末。
〔實施例〕
呈在本發明者們之前申請(日本特願2014-95566及PCT/JP2015/061409)所實證地，因含有金屬Cr時，對於磁性薄膜之結晶磁性異方性常數Ku帶來不良影響之故，而在本發明中係自使用於磁性薄膜之形成的濺鍍靶除去不可避免之不純物以外的金屬Cr。
因此，在以下所記載之實施例及比較例中，將自使用於磁性薄膜之形成的濺鍍靶除去不可避免之不純物以外的金屬Cr之情況(將磁性薄膜中的磁性結晶粒，以未含有不可避免之不純物以外的金屬Cr之CoPt合金而形成者)為前提，以合計13種類之氧化物進行檢討。
(實施例1)
使用DC濺鍍裝置而進行濺鍍，製作磁性記錄膜。磁性記錄膜係製作於玻璃基板上。所製作之磁性記錄膜之層構成係從接近於玻璃基板依序加以顯示，Ta(5nm,0.6Pa)/Pt(6nm,0.6Pa)/Ru(10nm,0.6Pa)/Ru(10nm,8Pa)/Co60Cr40-26vol%SiO2(2nm,4Pa)/CoPt合金-B2O3(16nm,8Pa)/C(7nm,0.6Pa)。括弧內左側的數字係顯示膜厚，而右側的數字係顯示進行濺鍍時之Ar環境的壓力。CoPt合金-B2O3則成為垂直磁性記錄媒體的記錄層之磁性薄膜。
作為實施例1而製作的標靶全體之組成係以莫耳比而表示時，為91.4(80Co-20Pt)-7.5B2O3，而由如以下作為進行標靶之製作同時，進行評估。然而，以對於標靶全體而言之體積分率而顯示氧化物(B2O3)之含有比例，當顯示在本實施例1而製作之標靶全體的組成時，為(80Co-20Pt)-30vol%B2O3。
在有關本實施例1之標靶的製作時，首先，製作80Co-20Pt合金霧化粉末。具體而言，合金組成則呈成為Co：80at%、Pt：20at%地，秤量各金屬，加熱為1500℃以上而作為合金熔液，進行氣體霧化製作80Co-20Pt合金霧化粉末。
將所製作之80Co-20Pt合金霧化粉末，以150網目的篩進行分級，而得到粒徑為106μm以下之80Co-20Pt合金霧化粉末。
於分級後之80Co-20Pt合金霧化粉末1150g， 添加B2O3粉末74.78g，以球磨機進行混合分散，得到加壓燒結用混合粉末。球磨機的累計旋轉次數係2,805,840次。
將所得到之加壓燒結用混合粉末30g，以燒結温度：720℃、壓力：24.5MPa、時間：30min、環境：5×10-2Pa以下之條件，進行熱壓，製作燒結體試塊( 30mm)。所製作之燒結體試塊的相對密度係99.009%。然而，計算密度係9.04g/cm3。
圖4及圖5係所得到之燒結體試塊之厚度方向剖面之金屬顯微鏡照片，圖4係攝影時的倍率為100倍的照片(照片中之比例尺刻度係500μm)，圖5係攝影時的倍率為500倍的照片(照片中之比例尺刻度係100μm)。
如自圖4及圖5了解到，80Co-20Pt合金相與B2O3相係微細地加以混合分散。
接著，使用所製作之加壓燒結用混合粉末，以燒結温度：720℃、壓力：24.5MPa、時間：60min、環境：5×10-2Pa以下之條件，進行熱壓，而製作1個 153.0×1.0mm+ 161.0×4.0mm的標靶。所製作之標靶的相對密度係101.0%。
對於所製作之標靶，依據ASTM F2086-01，進行對於洩漏磁束之評估時，平均洩漏磁束率係30.9%。此平均洩漏磁束率係對於良好地進行磁控濺鍍為充分的數值。
接著，使用所製作之標靶而進行磁控濺鍍，使(80Co-20Pt)-30vol%B2O3所成之磁性薄膜，成膜於基板上，製作磁性特性測定用樣本。此磁性特性測定用樣本之層構成係如前述，從接近於玻璃基板依序加以顯示，玻璃/Ta(5nm,0.6Pa)/Pt(6nm,0.6Pa)/Ru(10nm,0.6Pa)/Ru(10nm,8Pa)/Co60Cr40-26vol%SiO2(2nm,4Pa)/CoPt合金-B2O3(16nm,8Pa)/C(7nm,0.6Pa)。括弧內左側的數字係顯示膜厚，而右側的數字係顯示進行濺鍍時之Ar環境的壓力。
CoPt合金-B2O3則為使用在本實施例所製作之標靶而進行成膜的磁性薄膜。然而，對於在將此磁性薄膜進行成膜時，未使基板升溫，而以室溫進行成膜。
對於所得到之磁性特性測定用樣本，使用磁性光學克爾效果裝置而測定磁滯曲線。並且，從磁滯曲線讀取到矯頑磁力Hc。讀取到之矯頑磁力Hc的值係8.8kOe。在現狀的技術位準中所實現之磁性薄膜的矯頑磁力Hc係6~7kOe程度。
將實施例1之磁滯曲線，與其他的比較例結果配合而示於圖1。圖1的橫軸係加上的磁場強度。圖1之縱軸係以飽和克爾旋轉角除以入射光之偏光的軸之旋轉角(克爾旋轉角)而規格化的值。
將對於矯頑磁力Hc之測定結果，與比較例的結果配合而示於圖2及圖3。圖2及圖3的縱軸係矯頑磁力Hc，但圖2的橫軸係該氧化物的熔點Tm(℃)，圖3 的橫軸係該氧化物所生成時之每O21mol之標準生成吉布斯自由能△Gf(kJ/mol O2)。
(比較例1)
作為比較例1而製作之標靶全體之組成係(80Co-20Pt)-30vol%WO3。將所使用之氧化物作為WO3以外係與實施例1相同作為，而製作標靶。另外，使用製作之標靶而與實施例1同樣作為，製作磁性特性測定用樣本。
並且，與實施例1同樣作為，對於磁性特性測定用樣本，使用磁性光學克爾效果裝置而測定磁滯曲線。並且，從磁滯曲線讀取到矯頑磁力Hc。讀取到之矯頑磁力Hc的值係7.1kOe。將比較例1之磁滯曲線，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖1。另外，將對於矯頑磁力Hc之測定結果，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖2及圖3。
(比較例2)
作為比較例2而製作之標靶全體之組成係(80Co-20Pt)-30vol%TiO2。將所使用之氧化物作為TiO2以外係與實施例1相同作為，而製作標靶。另外，使用製作之標靶而與實施例1同樣作為，製作磁性特性測定用樣本。
並且，與實施例1同樣作為，對於磁性特性 測定用樣本，使用磁性光學克爾效果裝置而測定磁滯曲線。並且，從磁滯曲線讀取到矯頑磁力Hc。讀取到之矯頑磁力Hc的值係5.8kOe。將比較例2之磁滯曲線，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖1。另外，將對於矯頑磁力Hc之測定結果，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖2及圖3。
(比較例3)
作為比較例3而製作之標靶全體之組成係(80Co-20Pt)-30vol%SiO2。將所使用之氧化物作為SiO2以外係與實施例1相同作為，而製作標靶。另外，使用製作之標靶而與實施例1同樣作為，製作磁性特性測定用樣本。
並且，與實施例1同樣作為，對於磁性特性測定用樣本，使用磁性光學克爾效果裝置而測定磁滯曲線。並且，從磁滯曲線讀取到矯頑磁力Hc。讀取到之矯頑磁力Hc的值係5.2kOe。將比較例3之磁滯曲線，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖1。另外，將對於矯頑磁力Hc之測定結果，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖2及圖3。
(比較例4)
作為比較例4而製作之標靶全體之組成係(80Co-20Pt)-30vol%Al2O3。將所使用之氧化物作為 Al2O3以外係與實施例1相同作為，而製作標靶。另外，使用製作之標靶而與實施例1同樣作為，製作磁性特性測定用樣本。
並且，與實施例1同樣作為，對於磁性特性測定用樣本，使用磁性光學克爾效果裝置而測定磁滯曲線。並且，從磁滯曲線讀取到矯頑磁力Hc。讀取到之矯頑磁力Hc的值係0.8kOe。將比較例4之磁滯曲線，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖1。另外，將對於矯頑磁力Hc之測定結果，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖2及圖3。
(比較例5)
作為比較例5而製作之標靶全體之組成係(80Co-20Pt)-30vol%MoO3。將所使用之氧化物作為MoO3以外係與實施例1相同作為，而製作標靶。另外，使用製作之標靶而與實施例1同樣作為，製作磁性特性測定用樣本。
並且，與實施例1同樣作為，對於磁性特性測定用樣本，使用磁性光學克爾效果裝置而測定磁滯曲線。並且，從磁滯曲線讀取到矯頑磁力Hc。讀取到之矯頑磁力Hc的值係5.1kOe。將比較例5之磁滯曲線，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖1。另外，將對於矯頑磁力Hc之測定結果，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖2及圖3。
(比較例6)
作為比較例6而製作之標靶全體之組成係(80Co-20Pt)-30vol%ZrO2。將所使用之氧化物作為ZrO2以外係與實施例1相同作為，而製作標靶。另外，使用製作之標靶而與實施例1同樣作為，製作磁性特性測定用樣本。
並且，與實施例1同樣作為，對於磁性特性測定用樣本，使用磁性光學克爾效果裝置而測定磁滯曲線。並且，從磁滯曲線讀取到矯頑磁力Hc。讀取到之矯頑磁力Hc的值係1.6kOe。將比較例6之磁滯曲線，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖1。另外，將對於矯頑磁力Hc之測定結果，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖2及圖3。
(比較例7)
作為比較例7而製作之標靶全體之組成係(80Co-20Pt)-30vol%Co3O4。將所使用之氧化物作為Co3O4以外係與實施例1相同作為，而製作標靶。另外，使用製作之標靶而與實施例1同樣作為，製作磁性特性測定用樣本。
並且，與實施例1同樣作為，對於磁性特性測定用樣本，使用磁性光學克爾效果裝置而測定磁滯曲線。並且，從磁滯曲線讀取到矯頑磁力Hc。讀取到之矯 頑磁力Hc的值係4.7kOe。將比較例7之磁滯曲線，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖1。另外，將對於矯頑磁力Hc之測定結果，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖2及圖3。
(比較例8)
作為比較例8而製作之標靶全體之組成係(80Co-20Pt)-30vol%MnO。將所使用之氧化物作為MnO以外係與實施例1相同作為，而製作標靶。另外，使用製作之標靶而與實施例1同樣作為，製作磁性特性測定用樣本。
並且，與實施例1同樣作為，對於磁性特性測定用樣本，使用磁性光學克爾效果裝置而測定磁滯曲線。並且，從磁滯曲線讀取到矯頑磁力Hc。讀取到之矯頑磁力Hc的值係5.6kOe。將比較例8之磁滯曲線，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖1。另外，將對於矯頑磁力Hc之測定結果，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖2及圖3。
(比較例9)
作為比較例9而製作之標靶全體之組成係(80Co-20Pt)-30vol%Cr2O3。將所使用之氧化物作為Cr2O3以外係與實施例1相同作為，而製作標靶。另外，使用製作之標靶而與實施例1同樣作為，製作磁性特性測 定用樣本。
並且，與實施例1同樣作為，對於磁性特性測定用樣本，使用磁性光學克爾效果裝置而測定磁滯曲線。並且，從磁滯曲線讀取到矯頑磁力Hc。讀取到之矯頑磁力Hc的值係3.3kOe。將比較例9之磁滯曲線，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖1。另外，將對於矯頑磁力Hc之測定結果，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖2及圖3。
(比較例10)
作為比較例10而製作之標靶全體之組成係(80Co-20Pt)-30vol%Y2O3。將所使用之氧化物作為Y2O3以外係與實施例1相同作為，而製作標靶。另外，使用製作之標靶而與實施例1同樣作為，製作磁性特性測定用樣本。
並且，與實施例1同樣作為，對於磁性特性測定用樣本，使用磁性光學克爾效果裝置而測定磁滯曲線。並且，從磁滯曲線讀取到矯頑磁力Hc。讀取到之矯頑磁力Hc的值係1.2kOe。將比較例10之磁滯曲線，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖1。另外，將對於矯頑磁力Hc之測定結果，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖2及圖3。
(比較例11)
作為比較例11而製作之標靶全體之組成係(80Co-20Pt)-30vol%WO2。將所使用之氧化物作為WO2以外係與實施例1相同作為，而製作標靶。另外，使用製作之標靶而與實施例1同樣作為，製作磁性特性測定用樣本。
並且，與實施例1同樣作為，對於磁性特性測定用樣本，使用磁性光學克爾效果裝置而測定磁滯曲線。並且，從磁滯曲線讀取到矯頑磁力Hc。讀取到之矯頑磁力Hc的值係3.3kOe。將比較例11之磁滯曲線，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖1。另外，將對於矯頑磁力Hc之測定結果，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖2及圖3。
(比較例12)
作為比較例12而製作之標靶全體之組成係(80Co-20Pt)-30vol%Mn3O4。將所使用之氧化物作為Mn3O4以外係與實施例1相同作為，而製作標靶。另外，使用製作之標靶而與實施例1同樣作為，製作磁性特性測定用樣本。
並且，與實施例1同樣作為，對於磁性特性測定用樣本，使用磁性光學克爾效果裝置而測定磁滯曲線。並且，從磁滯曲線讀取到矯頑磁力Hc。讀取到之矯頑磁力Hc的值係5.3kOe。將比較例12之磁滯曲線，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖1。另外，將 對於矯頑磁力Hc之測定結果，與其他的實施例及比較例的結果配合而示於圖2及圖3。
(對於氧化物的種類之研究(實施例1，比較例1~12))
將對於在實施例1及比較例1~12所使用之氧化物的熔點及每O21mol之標準生成吉布斯自由能△Gf，以及作為實施例1及比較例1~12之磁性特性測定用樣本所得到之磁性薄膜之矯頑磁力Hc的值，一覽顯示於接下來的表1。然而，在實施例1及比較例1~12所使用之氧化物的含有量係對於標靶全體而言均為30vol%。
自表1以及圖2及圖3所示，磁性薄膜之矯頑磁力Hc的值係有所使用之氧化物的熔點Tm則越低而變越大的傾向，而熔點則在600℃以下時，特別變大。另一方面，對於氧化物之每O21mol之標準生成吉布斯自由能△Gf而言，磁性薄膜之矯頑磁力Hc的值係氧化物之標準生成吉布斯自由能△Gf則放入於-1000kJ/mol O2以上-500kJ/mol O2以下之範圍時而變大。
隨之，適合於增大磁性薄膜之矯頑磁力Hc的氧化物係認為熔點為600℃以下，且，每O21mol之標準生成吉布斯自由能△Gf則為-1000kJ/mol O2以上-500kJ/molO2以下的氧化物。
然而，適合於增大磁性薄膜之矯頑磁力Hc的氧化物係其熔點為600℃以下，且，每O21mol之標準生成吉布斯自由能△Gf則為-1000kJ/mol O2以上-500kJ/molO2以下的理由，係在現階段中並不明確，但磁性薄膜之矯頑磁力Hc的值係有對於所使用之氧化物的熔點Tm則越低而變越大的傾向情況，係可如以下進行說明。即，位置於較磁性薄膜為下層(靠基板)之Ru層係於表面，具有凹凸時，在濺鍍後之冷卻過程中，熔點為1460℃高之CoPt合金則首先選擇性地析出於Ru層之凸部(Ru層之凸部表面的Co60Cr40-26vol%SiO2層)而成長為柱狀之另一方面，熔點低之氧化物係因保持為液體之故，認為氧化物係以液體的狀態而存在於成長為柱狀的CoPt合金粒子之間。並且，更加地冷卻進行時，存在於CoPt 合金粒子之間的液體之氧化物亦成為固體之故，認為呈間隔成長為柱狀之CoPt合金粒子之間地，完成氧化物的壁體，而成為粒狀構造。
隨之，使用熔點低之氧化物者，經由氧化物的壁體而成為更確實地間隔CoPt合金粒子之間，而CoPt合金粒子彼此之間的相互作用則變小之故，認為使用熔點低之氧化物之磁性薄膜者則矯頑磁力Hc變大。
然而，氧化物之每O21mol之標準生成吉布斯自由能△Gf則越小(負為大)，其氧化物係因作為氧化物而安定之故，在此點中，認為氧化物之每O21mol之標準生成吉布斯自由能△Gf則越小(負為大)而為理想。
另外，如表1了解到，在實施例1之濺鍍靶所使用之氧化物B2O3係熔點Tm為450℃，600℃以下，且，每O21mol之標準生成吉布斯自由能△Gf則因-795.8kJ/mol O2，-1000kJ/mol O2以上-500kJ/mol O2以下之故，實施例1之濺鍍靶係含於本發明之範圍。在實施例1所製作之磁性特性測定用樣本之矯頑磁力Hc的值係8.8kOe，而與使用其他氧化物之比較例1~12做比較，矯頑磁力Hc的值則特別變大，而矯頑磁力Hc的值則唯一超過一8kOe。
隨之，對於為了加大CoPt合金-氧化物系磁性薄膜之矯頑磁力Hc，係如實施例1，認為使用採用B2O3之CoPt合金-氧化物系標靶者則最為適合。
(對於氧化物含有量的追加檢討(實施例2~8))
如前述，對於為了加大CoPt合金-氧化物系磁性薄膜之矯頑磁力Hc，係如實施例1，認為使用採用B2O3之CoPt合金-氧化物系標靶者則最為適合。
但在實施例1所使用之濺鍍靶之B2O3的含有量係僅30vol%之1種類。
因此，除改變B2O3之含有量以外係與實施例1同樣作為，製作複數標靶(Co與Pt之組成係80Co-20Pt)而進行追加檢討。追加檢討之濺鍍(實施例2~8)中之B2O3之含有量係實施例2則為10vol%，而實施例3則為15vol%，實施例4則為20vol%，實施例5則為25vol%，實施例6則為35vol%，實施例7則為40vol%，實施例8則為50vol%。使用製作之標靶而與實施例1同樣作為，製作磁性特性測定用樣本。
並且，與實施例1同樣作為，對於磁性特性測定用樣本，使用磁性光學克爾效果裝置而測定磁滯曲線。並且，從磁滯曲線讀取到矯頑磁力Hc。
將此等的測定結果，與實施例1之測定結果同時，一覽顯示於接下來的表2。
如自表2了解到，在實施例1~8之任一中，矯頑磁力Hc則均超過5kOe，得到良好的結果。隨之，作為氧化物而使用B2O3之CoPt-氧化物標靶之情況，對於標靶全體而言之B2O3的含有量則如為10vol%以上50vol%以下，認為可得到矯頑磁力Hc超過5kOe之良好的磁性薄膜者。
另外，如自表2了解到，對於標靶全體而言之B2O3的含有量則在20vol%以上40vol%以下時，因可得到矯頑磁力Hc為7.6kOe以上，更良好之磁性薄膜之故，認為對於標靶全體而言之B2O3的含有量係20vol%以上40vol%以下者則更佳。
另外，如自表2了解到，對於標靶全體而言之B2O3的含有量則在25vol%以上35vol%以下時，因可得到矯頑磁力Hc為8.2kOe以上，更良好之磁性薄膜之故，認為對於標靶全體而言之B2O3的含有量係25vol%以上 35vol%以下者則更佳。
〔產業上之利用可能性〕
有關本發明之濺鍍靶係可製作矯頑磁力大之磁性薄膜的濺鍍靶，具有產業上之利用可能性。

Claims (7)

  1. 一種濺鍍靶係含有金屬Co、金屬Pt、及氧化物所成之濺鍍靶，其特徵為除不可避免之不純物以外未含有金屬Cr之濺鍍靶，前述氧化物係含有B2O3且前述B2O3係含15~40vol%。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之濺鍍靶，其中，前述氧化物係B2O3者。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項記載之濺鍍靶，其中，令前述B2O3含有20~40vol%者。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項記載之濺鍍靶，其中，令前述B2O3含有25~35vol%者。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項記載之濺鍍靶，其中，前述濺鍍靶係可使用於磁性薄膜之製作者。
  6. 如申請專利範圍第3項記載之濺鍍靶，其中，前述濺鍍靶係可使用於磁性薄膜之製作者。
  7. 如申請專利範圍第4項記載之濺鍍靶，其中，前述濺鍍靶係可使用於磁性薄膜之製作者。
TW105138105A 2015-11-27 2016-11-21 濺鍍靶 TWI642798B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-232446 2015-11-27
JP2015232446A JP6504605B2 (ja) 2015-11-27 2015-11-27 スパッタリングターゲット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201732060A TW201732060A (zh) 2017-09-16
TWI642798B true TWI642798B (zh) 2018-12-01

Family

ID=58764151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105138105A TWI642798B (zh) 2015-11-27 2016-11-21 濺鍍靶

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11072851B2 (zh)
JP (1) JP6504605B2 (zh)
CN (1) CN108291294B (zh)
MY (1) MY187547A (zh)
SG (1) SG11201804080RA (zh)
TW (1) TWI642798B (zh)
WO (1) WO2017090481A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6504605B2 (ja) * 2015-11-27 2019-04-24 田中貴金属工業株式会社 スパッタリングターゲット
TWI679291B (zh) * 2017-09-21 2019-12-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 濺鍍靶、積層膜之製造方法、積層膜及磁記錄媒體
TWI702294B (zh) * 2018-07-31 2020-08-21 日商田中貴金屬工業股份有限公司 磁氣記錄媒體用濺鍍靶
WO2021085410A1 (ja) * 2019-11-01 2021-05-06 田中貴金属工業株式会社 熱アシスト磁気記録媒体用スパッタリングターゲット

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090134015A1 (en) * 2005-06-24 2009-05-28 Heraeus Inc. Enhanced oxygen non-stoichiometry compensation for thin films
WO2015166795A1 (ja) * 2014-05-02 2015-11-05 田中貴金属工業株式会社 スパッタリングターゲットおよびその製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5204460B2 (ja) * 2007-10-24 2013-06-05 三井金属鉱業株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
US20110253926A1 (en) 2008-12-26 2011-10-20 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Sputtering Target and Method of Forming Film
JP2012117147A (ja) * 2010-11-12 2012-06-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp コバルト酸化物が残留したスパッタリングターゲット
US9761422B2 (en) 2012-02-22 2017-09-12 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Magnetic material sputtering target and manufacturing method for same
SG11201407011UA (en) * 2012-09-18 2014-11-27 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target
CN105026589B (zh) * 2013-04-30 2017-07-18 吉坤日矿日石金属株式会社 烧结体、包含该烧结体的磁记录膜形成用溅射靶
JP6073194B2 (ja) * 2013-07-03 2017-02-01 昭和電工株式会社 磁気記録媒体、磁気記憶装置
JP6504605B2 (ja) * 2015-11-27 2019-04-24 田中貴金属工業株式会社 スパッタリングターゲット

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090134015A1 (en) * 2005-06-24 2009-05-28 Heraeus Inc. Enhanced oxygen non-stoichiometry compensation for thin films
WO2015166795A1 (ja) * 2014-05-02 2015-11-05 田中貴金属工業株式会社 スパッタリングターゲットおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
MY187547A (en) 2021-09-29
CN108291294B (zh) 2020-03-17
US11072851B2 (en) 2021-07-27
JP2017095790A (ja) 2017-06-01
SG11201804080RA (en) 2018-06-28
CN108291294A (zh) 2018-07-17
US20180355473A1 (en) 2018-12-13
US20210269911A1 (en) 2021-09-02
TW201732060A (zh) 2017-09-16
JP6504605B2 (ja) 2019-04-24
WO2017090481A1 (ja) 2017-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6958819B2 (ja) 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット
TWI585213B (zh) Sputtering target and its manufacturing method
TWI642798B (zh) 濺鍍靶
JP2023144067A (ja) スパッタリングターゲット、グラニュラ膜および垂直磁気記録媒体
WO2018123500A1 (ja) 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2015155573A (ja) 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット
WO2017141557A1 (ja) 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及び磁性薄膜
JP7554192B2 (ja) 非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材
TWI812869B (zh) 磁性記錄媒體用濺鍍靶
TWI778215B (zh) 濺鍍靶
CN112106134B (zh) 磁记录介质用溅射靶
TW202009311A (zh) 濺鍍靶、磁性膜及垂直磁記錄媒體
TWI671418B (zh) 濺鍍靶、積層膜之製造方法、積層膜及磁記錄媒體
CN114600190A (zh) 热辅助磁记录介质用溅射靶