WO2015166762A1 - 磁気記録用軟磁性合金及びスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 - Google Patents

磁気記録用軟磁性合金及びスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 Download PDF

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WO2015166762A1
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長谷川 浩之
慶明 松原
夢樹 新村
亮二 林
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山陽特殊製鋼株式会社
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
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    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/851Coating a support with a magnetic layer by sputtering

Definitions

  • the present invention relates to a soft magnetic alloy for Co-based magnetic recording, a sputtering target material, and a magnetic recording medium used as a soft magnetic layer in a perpendicular magnetic recording medium.
  • the perpendicular magnetic recording method is a method suitable for high recording density, in which the easy axis of magnetization is oriented perpendicularly to the medium surface in the magnetic film of the perpendicular magnetic recording medium. .
  • a soft magnetic thin film having an alloy composition with a relatively small saturation magnetic flux density (Bs) of about 10 kG is being used.
  • Bs saturation magnetic flux density
  • Nb and / or as optimum elements for increasing the amorphous nature and the crystallization temperature in an Fe—Co-based alloy as a soft magnetic film are proposed in which Ta and B are selected and used for a magnetic recording medium having a high amorphous property and a high crystallization temperature.
  • Patent Document 2 an alloy for a soft magnetic film layer in a perpendicular magnetic recording medium excellent in saturation magnetic flux density, amorphousness, and weather resistance is proposed. Has been.
  • the sputtering target in which Ta or Nb is added in a large amount exceeding 10% in order to obtain a saturation magnetic flux density (Bs) of about 10 kG as described above has a problem that the mechanical strength of the sputtering target is lowered. .
  • the reduction of the mechanical strength of the magnetic recording soft magnetic sputtering target is improved by reducing the hydrogen content in the magnetic recording soft magnetic sputtering target. I found it. Further, the soft magnetic alloy having a low hydrogen content has been found to have improved corrosion resistance, and the present invention has been achieved.
  • the ratio of Fe: Co is 10:90 to 70:30, Containing 0.5 to 29.5% of one or more of group A elements selected from Ta, Nb and V, Containing 0.0 to 29.5% of one or more of group B elements selected from Cr, Mo and W;
  • the total content of the group A element and the group B element is 10-30%,
  • the hydrogen content is less than 20 ppm,
  • a soft magnetic alloy for magnetic recording is provided, with the balance being Co, Fe, and inevitable impurities.
  • the ratio of Fe: Co is 10:90 to 70:30, 0.5% to 29.5% of one or more of the following group A elements, and one or more of the group B elements Of 0.02 to 29.5%, the sum of the group A element and the group B element is 10 to 30%, the hydrogen content is less than 20 ppm, and the balance is Co, Fe, and inevitable impurities.
  • a soft magnetic alloy for magnetic recording is provided.
  • Group B elements Cr, Mo, W
  • the ratio of Fe: Co is 10:90 to 70:30, Containing 0.5 to 29.5% of one or more of group A elements selected from Ta, Nb and V, Containing 0.5 to 29.5% of one or more of group B elements selected from Cr, Mo and W;
  • the total content of the group A element and the group B element is 10-30%,
  • the hydrogen content is less than 20 ppm,
  • a soft magnetic alloy for magnetic recording is provided, with the balance being Co, Fe, and inevitable impurities.
  • the ratio of Fe: Co is 10:90 to 70:30, 0.5% to 29.5% of one or more of the following group A elements, and one or more of the group B elements 0.5 to 29.5%, the sum of the group A element and the group B element is 10 to 30%, the hydrogen content is less than 20 ppm, and the balance is Co, Fe and inevitable impurities.
  • a soft magnetic alloy for magnetic recording is provided.
  • Group B elements Cr, Mo, W
  • one of the elements described in the following group C element, group D element, group E element and group F element is added to any one of the above-described soft magnetic alloys for magnetic recording, or Two or more elements are listed in each group at. % Soft magnetic alloy for magnetic recording.
  • C group element one or more elements selected from Ti, Zr and Hf, the total content of which is less than 5%, and the total content of the A group element, the B group element and the C group element is 10-30%
  • Group D element One or two elements selected from Ni and Mn, and the total content thereof is 30% or less.
  • Group E element One or two elements selected from Al and Cu, The total content is 5% or less.
  • Group F element one or more elements selected from Si, Ge, P, B and C, and the total content is 10% or less
  • any one or more of the elements described in the following group C elements to group F elements is further added to any one of the above-described soft magnetic alloys for magnetic recording.
  • a soft magnetic alloy for magnetic recording is provided.
  • Group C element One or more of Ti, Zr, and Hf is less than 5%, provided that the sum of Group A, Group B, and Group C elements is 10 to 30%.
  • Group D element Ni or Mn 1 or 2 is 30% or less
  • Group E element Al or Cu 1 or 2 is 5% or less
  • Group F element Si, Ge, P, B, or C Or 10% or less of 2 or more types
  • a sputtering target material for forming a soft magnetic alloy for magnetic recording comprising any one of the above soft magnetic alloys for magnetic recording.
  • a magnetic recording medium using any one of the above-described soft magnetic alloys for magnetic recording.
  • a soft magnetic sputtering target for magnetic recording excellent in mechanical strength and a soft magnetic alloy excellent in corrosion resistance can be provided.
  • the present invention relates to a soft magnetic alloy for magnetic recording, a sufficient saturation magnetic flux density, preferably 10 kG or less Bs, more preferably 9 kG or less Bs, amorphousness, hardness, and corrosion resistance are required.
  • Fe and Co are elements constituting a soft magnetic alloy.
  • the ratio of Fe to Co is a parameter that ensures soft magnetism and greatly affects saturation magnetic flux density, amorphousness, hardness, and corrosion resistance.
  • the ratio was set to 10:90 to 70:30.
  • One or more elements selected from Group A elements: 0.5 to 29.5% Ta, Nb, and V are all elements that improve amorphousness and hardness. And the improvement effect is fully exhibited at 0.5% or more. Therefore, the lower limit was made 0.5%.
  • the total content of group A elements is preferably 2 to 20%, more preferably 4 to 15%. However, if it exceeds 29.5%, the effect is saturated, so the upper limit was made 29.5%.
  • One or more elements selected from group B elements: 0.0 to 29.5% Cr, Mo, and W are all elements that improve amorphousness and corrosion resistance. Inclusion of these elements simultaneously with the group A element increases the effect improvement effect.
  • the total content of group B elements is preferably 0.5 to 20%, more preferably 1 to 10%. However, since the effect is saturated when it exceeds 29.5%, the upper limit was made 29.5%.
  • Total content of Group A element and Group B element 10-30%
  • the reason why the total content of the A group element and the B group element is 10 to 30% is to improve the amorphousness and hardness, but if the A group element and the B group element are included at the same time, the improvement effect This is because it increases further.
  • the lower limit was made 10%.
  • the total content of group A elements and group B elements is preferably 14 to 22%, and more preferably 16 to 20%. However, if it exceeds 30%, the effect is saturated, so the upper limit was made 30%.
  • One or more elements selected from group C elements: 5% or less Ti, Zr, and Hf are all elements that improve amorphousness. And if it is 5% or less, a saturation magnetic flux density is fully obtained. Therefore, the range was made 5% or less.
  • the total content of group C elements is preferably 2 to 4%.
  • Total content of Group A element, Group B element and Group C element 10-30%
  • the reason why the total content of the group A element, the group B element, and the group C element is 10 to 30% is that all of them are elements that improve the amorphous property and the corrosion resistance.
  • the total content of the group A element, the group B element, and the group C element is 10% or more, the effect is sufficiently exhibited.
  • the saturation magnetic flux density is sufficiently obtained. Therefore, the range is 10-30%.
  • Ni and Mn are elements that adjust the saturation magnetic flux density. And if it is 30% or less, saturation magnetic flux density is fully obtained. Therefore, the range was made 30% or less.
  • the total content of group D elements is preferably 10% or less, and more preferably 5% or less.
  • One or more elements selected from Group E elements: 5% or less Al and Cu are elements that improve corrosion resistance. And if it is 5% or less, the amorphous fall will be suppressed. Therefore, the upper limit was made 5%.
  • the total content of Group E elements is preferably 1 to 4%.
  • One or more elements selected from group F elements 10% or less Si, Ge, P, B, and C are all elements that improve amorphousness. And if it is 10% or less, the improvement effect will not be saturated and the fall of a saturation magnetic flux density will be suppressed. Therefore, the range was made 10% or less.
  • the total content of group F elements is preferably 1 to 8%.
  • Hydrogen content 20 ppm or less Hydrogen is an element that lowers the mechanical strength of the sputtering target material and lowers the corrosion resistance of the soft magnetic alloy. Therefore, the hydrogen content was set to 20 ppm or less.
  • the hydrogen content is preferably 10 ppm or less, more preferably 5 ppm or less.
  • the melted raw material was weighed and melted by induction heating in a refractory crucible in a reduced pressure Ar gas atmosphere or a vacuum atmosphere, then hot water was discharged from a nozzle having a diameter of 8 mm at the bottom of the crucible and atomized with Ar gas.
  • these gas atomized powders in order to remove coarse powder having a particle diameter of 500 ⁇ m or more and not suitable for molding, and to reduce the hydrogen content, the amount of powder having a particle diameter of 5 ⁇ m or less occupied in the powder used for molding is Fine powder was removed so as to be 10% or less.
  • the gas atomized powder was placed in a 110 ° C. furnace and dried with moisture as a raw material, and degassed into an SC can having an outer diameter of 220 mm, an inner diameter of 210 mm, and a length of 200 mm.
  • the hydrogen content of the powder with reduced hydrogen content is less than 20 ppm.
  • the powder-filled billet was sintered by hot isostatic pressing under the conditions of a temperature of 1100 ° C., a pressure of 120 MPa, and a holding time of 4 hours to produce a sintered body.
  • the solidified molded body produced by the above method was processed into a disk shape having a diameter of 180 mm and a thickness of 7 mm by wire cutting, lathe processing, and planar polishing to obtain a sputtering target material.
  • gas atomized powder having a composition excluding Cr was prepared, mixed with Cr powder having a hydrogen content lower than 20 ppm, and molded in the same manner as described above.
  • No. 36 is a gas atomized powder of Co-10Ta-3Cr-2Hf-1Al-4C (at%) and Fe-10Ta-3Cr-2Hf-1Al-4C (at%), mixed at a ratio of 30:70 Was molded in the same manner as described above.
  • Example No. of the present invention shown in Table 2 and Table 3.
  • the raw materials for dissolution were weighed for components 37 to 55, dissolved by induction heating in a refractory crucible in a reduced pressure Ar gas atmosphere or vacuum atmosphere, poured into a mold, cooled, and then heat-treated at 1000 ° C. for 5 hours or more in vacuum. After slow cooling, it was processed into a disk shape having a diameter of 180 mm and a thickness of 7 mm by lathe processing and planar polishing to obtain a sputtering target material.
  • the melting raw materials were weighed and melted by induction heating in a refractory crucible in the atmosphere, and then discharged from a nozzle having a diameter of 8 mm at the bottom of the crucible and atomized with Ar gas.
  • a powder from which coarse powder having a particle size of 500 ⁇ m or more that was not suitable for molding was used as a raw material, and degassed into an SC can having an outer diameter of 220 mm, an inner diameter of 210 mm, and a length of 200 mm.
  • the powder-filled billet was sintered by hot isostatic pressing under the conditions of a temperature of 1100 ° C., a pressure of 120 MPa, and a holding time of 4 hours to produce a sintered body.
  • the solidified molded body produced by the above method was processed into a disk shape having a diameter of 180 mm and a thickness of 7 mm by wire cutting, lathe processing, and planar polishing to obtain a sputtering target material.
  • the hydrogen content was measured by an inert gas melting-non-dispersive infrared absorption method.
  • the mechanical strength was evaluated by a three-point bending test on a TP having a width of 4 mm, a length of 3 mm, and a length of 25 mm determined with a wire.
  • the three-point bending test was performed at a distance between fulcrums of 20 mm, and the stress (N) at that time was reduced in the longitudinal direction, and the three-point bending strength was determined based on the following formula.
  • Three-point bending strength (MPa) [3 ⁇ stress (N) ⁇ distance between fulcrums (mm)] / [2 ⁇ width of test piece (mm) ⁇ (thickness of test piece (mm) 2 ], saturation magnetic flux density ( Bs) was measured with a VSM apparatus (vibrating sample magnetometer) at an applied magnetic field of 1200 kA.
  • Tables 1 to 3 of the examples of the present invention show that a sputtering target having less than 20 ppm of hydrogen has a three-point bending strength of 730 MPa or more.
  • hydrogen is more than 20 ppm and the three-point bending strength is as low as 300 MPa or less.
  • Table 2 No. Even if the raw materials are not all gas atomized powder as in 35, the effect of the present invention can be obtained if the hydrogen content of the sputtering target is 20 ppm or less. No. in Table 2 Even if the number of gas atomized powders of the raw material powder is two or more as in 36, the effect of the present invention can be obtained if the hydrogen content is 20 ppm or less.
  • a thin film in a perpendicular magnetic recording medium is obtained by sputtering a sputtering target material having the same component as that component and forming the film on a glass substrate or the like.
  • the thin film formed by sputtering is rapidly cooled.
  • the quenching thin strip produced with the single roll type liquid quenching apparatus is used as a test material of an Example and a comparative example. This is a simple evaluation of the effects of various components on the properties of thin films that were actually quenched and sputtered by sputtering.
  • the conditions for preparing the quenching ribbon are a single roll method, this molten base material is set in a quartz tube having an inner diameter of 15 mm, the inner diameter of the tap nozzle is 1 mm, the atmospheric pressure is 61 kPa, the spray differential pressure is 69 kPa, and the copper roll (The diameter of 300 mm) was set to 3000 rpm, the gap between the copper roll and the hot water nozzle was set to 0.3 mm, and the molten base material was melted to discharge hot water. The hot water temperature was the temperature immediately after each molten base material was melted. The quenched ribbon thus produced was used as a test material, and the hydrogen content and corrosion resistance were evaluated.
  • the conditions for preparing the quenching ribbon are a single roll method, this molten base material is set in a quartz tube having an inner diameter of 15 mm, the inner diameter of the tap nozzle is 1 mm, the atmospheric pressure is 61 kPa, the spray differential pressure is 69 kPa, and the copper roll (The diameter of 300 mm) was set to 3000 rpm, the gap between the copper roll and the hot water nozzle was set to 0.3 mm, and the molten base material was melted to discharge hot water. The hot water temperature was the temperature immediately after each molten base material was melted.
  • the quenched ribbon thus produced was used as a test material, and the hydrogen content and corrosion resistance were evaluated.
  • the hydrogen content was measured by an inert gas melting-non-dispersive infrared absorption method.
  • Tables 7 to 9 are examples of the present invention, and Tables 10 to 12 are comparative examples.
  • the present invention by reducing the hydrogen content in the soft magnetic sputtering target for magnetic recording, the mechanical strength of the soft magnetic sputtering target for magnetic recording is improved, and the soft magnetic alloy having excellent corrosion resistance and It is possible to provide a magnetic recording medium.

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Abstract

 垂直磁気記録媒体における軟磁性層として用いるCo系磁気記録用軟磁性合金及びスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体を提供する。この磁気記録用軟磁性合金は、at.%で、Fe:Coの比が10:90~70:30であり、Ta、NbおよびVから選択されるA群元素の1種又は2種以上を0.5~29.5%含有し、Cr、MoおよびWから選択されるB群元素の1種又は2種以上を0.0~29.5%含有し、A群元素とB群元素の合計含有量が10~30%であり、水素含有量が20ppm未満で、残部がCo、Fe及び不可避的不純物である、磁気記録用軟磁性合金である。

Description

磁気記録用軟磁性合金及びスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 関連出願の相互参照
 この出願は、2014年5月1日に出願された日本国特許出願2014-94550号および2015年2月16日に出願された日本国特許出願2015-27251号に基づく優先権を主張するものであり、これらの全体の開示内容が参照により本明細書に組み込まれる。
 本発明は、垂直磁気記録媒体における軟磁性層として用いるCo系磁気記録用軟磁性合金及びスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体に関する。
 近年、垂直磁気記録の進歩は著しく、ドライブの大容量化のために、磁気記録媒体の高記録密度化が進められており、従来普及していた面内磁気記録媒体より、さらに高記録密度が実現できる、垂直磁気記録方式が実用化されている。ここで、垂直磁気記録方式とは、垂直磁気記録媒体の磁性膜中の媒体面に対して磁化容易軸が垂直方向に配向するように形成したものであり、高記録密度に適した方法である。
 そこで、最近では10kG程度の比較的小さい飽和磁束密度(Bs)の合金組成を持つ軟磁性薄膜が使用されつつある。例えば、特開2011-181140号公報(特許文献1)に開示されているように、軟磁性膜としてFe-Co系合金中にアモルファス性と結晶化温度を高めるための最適な元素としてNbおよび/またはTaとBとを選択し、アモルファス性が高く、かつ高い結晶化温度を有する磁気記録媒体に用いられるFe-Co系合金軟磁性膜が提案されている。
 さらには、特開2008-299905号公報(特許文献2)に開示されているように、飽和磁束密度、非晶質性、耐候性に優れた垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金が提案されている。
特開2011-181140号公報 特開2008-29905号公報
 その一方で、このように10kG程度の飽和磁束密度(Bs)とするためにTaやNbを10%を超えて多量に添加したスパッタリングターゲットでは、スパッタリングターゲットの機械強度が低下するという課題があった。
 上述した問題を解消するために鋭意開発を進めた結果、磁気記録用軟磁性スパッタリングターゲット中の水素含有量を低減させることで、磁気記録用軟磁性スパッタリングターゲットの機械強度低下が改善されることを見出した。また、水素含有量が低い軟磁性合金は耐食性が改善することを見出し、本発明に至った。
 本発明の一態様によれば、
 at.%で、
 Fe:Coの比が10:90~70:30であり、
 Ta、NbおよびVから選択されるA群元素の1種又は2種以上を0.5~29.5%含有し、
 Cr、MoおよびWから選択されるB群元素の1種又は2種以上を0.0~29.5%含有し、
 前記A群元素と前記B群元素の合計含有量が10~30%であり、
 水素含有量が20ppm未満で、
 残部がCo、Fe及び不可避的不純物である、磁気記録用軟磁性合金が提供される。
 本発明の他の態様によれば、
 at.%で、Fe:Coの比を10:90~70:30とし、かつ下記A群元素の1種又は2種以上を0.5~29.5%、B群元素の1種又は2種以上を0.0~29.5%を含有し、かつA群元素とB群元素との和を10~30%とし、水素含有量が20ppm未満で、残部Co、Fe及び不可避的不純物からなることを特徴とする磁気記録用軟磁性合金が提供される。
A群元素:Ta,Nb,V
B群元素:Cr,Mo,W
 本発明の他の態様によれば、
 at.%で、
 Fe:Coの比が10:90~70:30であり、
 Ta、NbおよびVから選択されるA群元素の1種又は2種以上を0.5~29.5%含有し、
 Cr、MoおよびWから選択されるB群元素の1種又は2種以上を0.5~29.5%含有し、
 前記A群元素と前記B群元素の合計含有量が10~30%であり、
 水素含有量が20ppm未満で、
 残部がCo、Fe及び不可避的不純物である、磁気記録用軟磁性合金が提供される。
 本発明の他の態様によれば、
 at.%で、Fe:Coの比を10:90~70:30とし、かつ下記A群元素の1種又は2種以上を0.5~29.5%、B群元素の1種又は2種以上を0.5~29.5%を含有し、かつA群元素とB群元素との和を10~30%とし、水素含有量が20ppm未満で、残部Co、Fe及び不可避的不純物からなることを特徴とする磁気記録用軟磁性合金が提供される。
A群元素:Ta,Nb,V
B群元素:Cr,Mo,W
 本発明の好ましい態様によれば、上記いずれかの磁気記録用軟磁性合金に、さらに、下記C群元素、D群元素、E群元素およびF群元素に記載された元素のうちの1種または2種以上の元素を各群に記載したat.%の範囲内で含有する、磁気記録用軟磁性合金。
C群元素:Ti、ZrおよびHfから選択される1種又は2種以上の元素であり、その合計含有量が5%未満、かつA群元素とB群元素とC群元素の合計含有量が10~30%
D群元素:NiおよびMnから選択される1種又は2種の元素であり、その合計含有量が30%以下
E群元素:AlおよびCuから選択される1種又は2種の元素であり、その合計含有量が5%以下
F群元素:Si、Ge、P、BおよびCから選択される1種又は2種以上の元素であり、その合計含有量が10%以下
 本発明の他の態様によれば、上記いずれかの磁気記録用軟磁性合金に、さらに、下記C群元素からF群元素に記載された元素の内の1種または2種以上の元素を各群に記載したat.%の範囲内で含有することを特徴とする磁気記録用軟磁性合金が提供される。
C群元素:Ti,Zr,Hfの1種又は2種以上を5%未満とする、ただしA群元素とB群元素とC群元素との和を10~30%
D群元素:Ni,Mnの1種又は2種を30%以下
E群元素:Al,Cuの1種又は2種を5%以下
F群元素:Si,Ge,P,B,Cの1種又は2種以上を10%以下
 本発明の他の態様によれば、上記いずれかの磁気記録用軟磁性合金からなる、磁気記録用軟磁性合金形成用スパッタリングターゲット材が提供される。
 本発明のさらに他の態様によれば、上記いずれかの磁気記録用軟磁性合金を用いた磁気記録媒体が提供される。
 上記のように、本発明によれば機械強度に優れた磁気記録用軟磁性スパッタリングターゲットと、耐食性の優れた軟磁性合金を提供することができる。
 以下、本発明に係わる成分組成の限定理由を説明する
 本発明は磁気記録用軟磁性合金に関するものであるため、十分な飽和磁束密度、好ましくは10kG以下のBs、より好ましくは9kG以下のBs、アモルファス性、硬さ、および耐食性が必要である。
 Fe:Coの比: 10:90~70:30
 FeやCoは、軟磁性合金を構成する元素である。FeとCoとの比は、軟磁性を確保し、かつ飽和磁束密度、アモルファス性、硬さ、および耐食性に大きく影響するパラメータである。特にFe:Coの比を10以上とすることで飽和磁束密度が十分となり、また70以下に抑えることで耐食性の劣化が抑えられる。したがって、その比を10:90~70:30とした。
 A群元素から選択される1種又は2種以上の元素: 0.5~29.5%
 Ta、NbおよびVは、いずれもアモルファス性と硬さを改善する元素である。そして、0.5%以上でその改善効果が十分に発揮される。したがって、その下限を0.5%とした。A群元素の合計含有量は、好ましくは2~20%とし、さらに好ましくは、4~15%とする。しかし、29.5%を超えると、その効果が飽和することからその上限を29.5%とした。
 B群元素から選択されるの1種又は2種以上の元素: 0.0~29.5%
 Cr、MoおよびWは、いずれもアモルファス性と耐食性を改善する元素である。これらの元素をA群元素と同時に含むことでその効果改善効果が増す。B群元素の合計含有量は、好ましくは0.5~20%とし、さらに好ましくは、1~10%とする。しかし、29.5%を超えるとその効果が飽和することから、その上限を29.5%とした。
 A群元素とB群元素の合計含有量: 10~30%
 A群元素とB群元素の合計含有量を10~30%とした理由は、いずれもアモルファス性と硬さを改善する元素であるが、A群元素とB群元素を同時に含むとその改善効果がさらに増すからである。A群元素とB群元素の合計含有量を10%以上とすることで、その改善効果が十分に発揮される。したがって、その下限を10%とした。A群元素とB群元素の合計含有量は、好ましくは、14~22%とし、さらに好ましくは、16~20%とする。しかし、30%を超えると、その効果が飽和することからその上限を30%とした。
 C群元素から選択される1種又は2種以上の元素: 5%以下
 Ti、ZrおよびHfは、いずれもアモルファス性を改善する元素である。そして、5%以下であれば飽和磁束密度が十分に得られる。したがって、その範囲を5%以下とした。C群元素の合計含有量は、好ましくは2~4%とする。
 A群元素とB群元素とC群元素の合計含有量: 10~30%
 A群元素とB群元素とC群元素の合計含有量を10~30%とした理由は、いずれもアモルファス性と耐食性を改善する元素だからである。A群元素とB群元素とC群元素の合計含有量が10%以上でその効果が十分に発揮され、また、30%以下であれば飽和磁束密度が十分に得られる。したがって、その範囲を10~30%とした。
 D群元素から選択される1種又は2種の元素: 30%以下
 NiおよびMnは、いずれも飽和磁束密度を調整する元素である。そして、30%以下であれば飽和磁束密度が十分に得られる。したがって、その範囲を30%以下とした。D群元素の合計含有量は、好ましくは、10%以下とし、さらに好ましくは、5%以下とする。
 E群元素から選択される1種又は2種以上の元素: 5%以下
 AlおよびCuは、いずれも耐食性を向上させる元素である。そして、5%以下であればとアモルファス性の低下が抑えられる。したがって、その上限を5%とした。E群元素の合計含有量は、好ましくは1~4%とする。
 F群元素から選択される1種又は2種以上の元素: 10%以下
 Si、Ge、P、BおよびCは、いずれもアモルファス性を改善する元素である。そして、10%以下であればその改善効果が飽和せずに、飽和磁束密度の低下が抑えられる。したがって、その範囲を10%以下とした。F群元素の合計含有量は、好ましくは1~8%とする。
 水素含有量: 20ppm以下
 水素はスパッタリングターゲット材の機械強度を下げ、また軟磁性合金の耐食性を低下させる元素である。よって水素含有量を20ppm以下とした。水素含有量は、好ましくは10ppm以下、より好ましくは5ppm以下とする。
 以下、本発明に係るターゲット材について実施例によって具体的に説明する。
 表1および表2に示す本発明例No.1~No.34の成分組成について、溶解原料を秤量し、減圧Arガス雰囲気あるいは真空雰囲気の耐火物坩堝内で誘導加熱溶解したあと、坩堝下部の直径8mmのノズルより出湯し、Arガスによりアトマイズした。このガスアトマイズ粉末のうち、粒径が500μm以上の成形に向かない粗粉を除去し、かつ水素含有量を低減するために、成形に用いる粉末中に占める、粒径が5μm以下の粉末の量が、10%以下となるよう微粉を除去した。次いで、このガスアトマイズ粉末を110℃の炉に入れて水分乾燥を実施した粉末を原料として、外径220mm、内径210mm、長さ200mmのSC製の缶に脱気装入した。水素含有量を低減した粉末の水素含有量は20ppm未満となる。上記の粉末充填ビレットを温度1100℃、圧力120MPa、保持時間4時間の条件で熱間静水圧プレスによって焼結し、焼結体を作製した。上記の方法で作製した固化成形体を、ワイヤーカット、旋盤加工、平面研磨により、直径180mm、厚さ7mmの円盤状に加工し、スパッタリングターゲット材とした。
 表2に示す本発明例No.35の成分については、Cr分を抜いた組成のガスアトマイズ粉末を用意し、水素含有量が20ppmより低いCr粉末を混合し、上記と同様に成形した。表2に示す本発明例No.36は、Co-10Ta-3Cr-2Hf-1Al-4C(at%)とFe-10Ta-3Cr-2Hf-1Al-4C(at%)のガスアトマイズ粉末を用意し、30:70の割合で混合したものを上記と同様に成形した。
 表2、表3に示す本発明例No.37~55の成分について溶解原料を秤量し、減圧Arガス雰囲気あるいは真空雰囲気の耐火物坩堝内で誘導加熱溶解したあと、鋳型に流し込み、冷却後、真空中で1000度で5時間以上熱処理し、徐冷後、旋盤加工、平面研磨により、直径180mm、厚さ7mmの円盤状に加工し、スパッタリングターゲット材とした。
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 表4~表6に示すNo.56~94は比較例である。
 表4および表5の比較例No.56~83の成分組成について、溶解原料を秤量し、大気雰囲気の耐火物坩堝内で誘導加熱溶解したあと、坩堝下部の直径8mmのノズルより出湯し、Arガスによりアトマイズした。このガスアトマイズ粉末のうち、粒径が500μm以上の成形に向かない粗粉を除去した粉末を原料として、外径220mm、内径210mm、長さ200mmのSC製の缶に脱気装入した。上記の粉末充填ビレットを温度1100℃、圧力120MPa、保持時間4時間の条件で熱間静水圧プレスによって焼結し、焼結体を作製した。上記の方法で作製した固化成形体を、ワイヤーカット、旋盤加工、平面研磨により、直径180mm、厚さ7mmの円盤状に加工し、スパッタリングターゲット材とした。
 表5および6の比較例No.84~94の成分について溶解原料を秤量し、大気雰囲気の耐火物坩堝内で誘導加熱溶解したあと、鋳型に流し込み、冷却後、旋盤加工、平面研磨により、直径180mm、厚さ7mmの円盤状に加工し、スパッタリングターゲット材とした。
 評価方法としては、水素含有量は不活性ガス融解-非分散型赤外線吸収法によって測定した。機械強度は横4mm、縦3mm、長さ25mmのTPをワイヤーで割り出したものを、三点曲げ試験によって評価した。三点曲げ試験の条件は、支点間距離20mmで実施し、縦方向に圧下しその時の応力(N)を測定し、次の式に基づき、三点曲げ強度とした。三点曲げ強度(MPa)=〔3×応力(N)×支点間距離(mm)〕/〔2×試験片の幅(mm)×(試験片厚さ(mm)2 〕、飽和磁束密度(Bs)の評価としては、VSM装置(振動試料型磁力計)にて、印加磁場1200kAにて測定した。
 評価結果として、本発明例の表1~表3は、水素が20ppmより少ないスパッタリングターゲットは3点曲げ強度で730MPa以上を示す。これに対して、比較例の表4~表6は、いずれも水素が20ppmより多く、3点曲げ強度が300MPa以下と低い。また、表2のNo.35のように原料が全てガスアトマイズ粉末ではなくても、スパッタリングターゲットの水素含有量が20ppm以下であれば本発明の効果が得られる。表2のNo.36のように原料粉末のガスアトマイズ粉末が2種類以上となっても水素含有量が20ppm以下であれば本発明の効果が得られる。
 次に、本発明に係る合金について実施例によって具体的に説明する。
 通常、垂直磁気記録媒体における薄膜は、その成分と同じ成分のスパッタリングターゲット材をスパッタし、ガラス基板などの上に成膜することで得られる。ここでスパッタにより成膜された薄膜は急冷されている。これに対し、本発明では実施例および比較例の供試材として、単ロール式の液体急冷装置にて作製した急冷薄帯を用いている。これは実際にスパッタにより急冷され成膜された薄膜の、成分による諸特性への影響を、簡易的に液体急冷薄帯により評価したものである
 表7~9に示す本発明例No.101~147に示す成分組成に秤量した原料30gを内径が10mmで深さが40mm程度の水冷銅型に挿入して減圧したAr雰囲気中でアーク溶解して凝固させ、急冷薄帯の溶解母材とした。急冷薄帯の作製条件は、単ロール方式で、内径15mmの石英管中にてこの溶解母材をセットし、出湯ノズルの内径を1mmとし、雰囲気気圧を61kPa、噴霧差圧を69kPa、銅ロール(径300mm)の回転数を3000rpm、銅ロールと出湯ノズルのギャップを0.3mmにして溶解母材を溶解後出湯した。出湯温度は各溶解母材の溶け落ち直後の温度とした。このようにして作製した急冷薄帯を供試材とし、水素含有量と耐食性を評価した。
 表10~表12に示す比較例No.154~192に示す成分組成に秤量した原料30gを内径が10mmで深さが40mm程度の水冷銅型に挿入して大気雰囲気中でアーク溶解して凝固させ、急冷薄帯の溶解母材とした。急冷薄帯の作製条件は、単ロール方式で、内径15mmの石英管中にてこの溶解母材をセットし、出湯ノズルの内径を1mmとし、雰囲気気圧を61kPa、噴霧差圧を69kPa、銅ロール(径300mm)の回転数を3000rpm、銅ロールと出湯ノズルのギャップを0.3mmにして溶解母材を溶解後出湯した。出湯温度は各溶解母材の溶け落ち直後の温度とした。このようにして作製した急冷薄帯を供試材とし、水素含有量と耐食性を評価した。評価方法として、水素含有量は不活性ガス融解-非分散型赤外線吸収法によって測定した。
 [急冷薄帯の耐食性(HNO )]
 50mgの供試材を秤量し、3%HNO 水溶液を10ml滴下した後、室温にて1hr放置後、3%HNO 水溶液中へのCo溶出量を分析した。Co溶出量が500ppm未満のものをA、500以上1000ppm未満のものをB、1000ppm以上のものをCと評価した。
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 表7~表9は本発明例であり、表10~表12は比較例である。
 以上述べたように、本発明により、磁気記録用軟磁性スパッタリングターゲット中の水素含有量を低減させることで磁気記録用軟磁性スパッタリングターゲットの機械強度が改善され、かつ耐食性の優れた軟磁性合金並びに磁気記録媒体を提供することが可能となる。

Claims (7)

  1.  at.%で、
     Fe:Coの比が10:90~70:30であり、
     Ta、NbおよびVから選択されるA群元素の1種又は2種以上を0.5~29.5%含有し、
     Cr、MoおよびWから選択されるB群元素の1種又は2種以上を0.0~29.5%含有し、
     前記A群元素と前記B群元素の合計含有量が10~30%であり、
     水素含有量が20ppm未満で、
     残部がCo、Fe及び不可避的不純物である、磁気記録用軟磁性合金。
  2.  at.%で、
     Fe:Coの比が10:90~70:30であり、
     Ta、NbおよびVから選択されるA群元素の1種又は2種以上を0.5~29.5%含有し、
     Cr、MoおよびWから選択されるB群元素の1種又は2種以上を0.5~29.5%含有し、
     前記A群元素と前記B群元素の合計含有量が10~30%であり、
     水素含有量が20ppm未満で、
     残部がCo、Fe及び不可避的不純物である、磁気記録用軟磁性合金。
  3.  請求項1または2に記載した磁気記録用軟磁性合金に、さらに、下記C群元素、D群元素、E群元素およびF群元素に記載された元素のうちの1種または2種以上の元素を各群に記載したat.%の範囲内で含有する、磁気記録用軟磁性合金。
    C群元素:Ti、ZrおよびHfから選択される1種又は2種以上の元素であり、その合計含有量が5%未満、かつA群元素とB群元素とC群元素の合計含有量が10~30%
    D群元素:NiおよびMnから選択される1種又は2種の元素であり、その合計含有量が30%以下
    E群元素:AlおよびCuから選択される1種又は2種の元素であり、その合計含有量が5%以下
    F群元素:Si、Ge、P、BおよびCから選択される1種又は2種以上の元素であり、その合計含有量が10%以下
  4.  請求項1または2に記載した磁気記録用軟磁性合金からなる、磁気記録用軟磁性合金形成用スパッタリングターゲット材。
  5.  請求項3に記載した磁気記録用軟磁性合金からなる、磁気記録用軟磁性合金形成用スパッタリングターゲット材。
  6.  請求項1または2に記載した磁気記録用軟磁性合金を用いた、磁気記録媒体。
  7.  請求項3に記載した磁気記録用軟磁性合金を用いた、磁気記録媒体。
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