JPH10317082A - ターゲット材用Ａｌ系合金とその製造方法 - Google Patents
ターゲット材用Ａｌ系合金とその製造方法Info
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- JPH10317082A JPH10317082A JP12941197A JP12941197A JPH10317082A JP H10317082 A JPH10317082 A JP H10317082A JP 12941197 A JP12941197 A JP 12941197A JP 12941197 A JP12941197 A JP 12941197A JP H10317082 A JPH10317082 A JP H10317082A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 鋳塊合金中の水素含有量を減少させ、ターゲ
ットに加熱を施してもブリスタの発生がなく、鋳塊中の
ＡｌとＡｌ−高融点金属の金属間化合物との均一微細に
分散したターゲット材用Ａｌ系合金とその製造方法を提
供する。 【解決手段】 例えばＴｉなどの高融点金属を０．１〜
５重量％含み、水素含有量が５ｐｐｍ以下であるターゲ
ット材用Ａｌ系合金。また、高融点金属を０．１〜５重
量％含むターゲット材用Ａｌ系合金の溶解鋳造法による
製造方法において、溶解を１×１０-2Ｔｏｒｒ以上の真
空雰囲気中で行い、鋳造をその溶湯組成の液相温度より
１〜５０℃高い溶湯温度にて、不活性ガス雰囲気、また
は、真空雰囲気、または、不活性ガスを含む減圧雰囲気
で行うことを特徴とするターゲット材用Ａｌ系合金の製
造方法。
ットに加熱を施してもブリスタの発生がなく、鋳塊中の
ＡｌとＡｌ−高融点金属の金属間化合物との均一微細に
分散したターゲット材用Ａｌ系合金とその製造方法を提
供する。 【解決手段】 例えばＴｉなどの高融点金属を０．１〜
５重量％含み、水素含有量が５ｐｐｍ以下であるターゲ
ット材用Ａｌ系合金。また、高融点金属を０．１〜５重
量％含むターゲット材用Ａｌ系合金の溶解鋳造法による
製造方法において、溶解を１×１０-2Ｔｏｒｒ以上の真
空雰囲気中で行い、鋳造をその溶湯組成の液相温度より
１〜５０℃高い溶湯温度にて、不活性ガス雰囲気、また
は、真空雰囲気、または、不活性ガスを含む減圧雰囲気
で行うことを特徴とするターゲット材用Ａｌ系合金の製
造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレ
ー、半導体装置用の配線膜・電極膜、機能電子部品用の
配線膜、光ディスク・光磁気ディスク用レーザー光反射
膜などのスパッタリングターゲット材として好適な、タ
ーゲット材用Ａｌ系合金およびその製造方法に関する。
ー、半導体装置用の配線膜・電極膜、機能電子部品用の
配線膜、光ディスク・光磁気ディスク用レーザー光反射
膜などのスパッタリングターゲット材として好適な、タ
ーゲット材用Ａｌ系合金およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ターゲット材等用のＡｌ系合金の製造方
法には、粉末金属を焼結してターゲット材を製造する粉
末冶金法、溶解鋳造して鋳塊を作製し、該鋳塊を原料と
してターゲット材を製造する溶解鋳造法がある。
法には、粉末金属を焼結してターゲット材を製造する粉
末冶金法、溶解鋳造して鋳塊を作製し、該鋳塊を原料と
してターゲット材を製造する溶解鋳造法がある。
【０００３】粉末冶金法によって製造されるＡｌ系合金
ターゲット材は不純物としての酸素量が高くなりやすい
という問題がある。また、溶解鋳造法による製造される
Ａｌ系合金ターゲット材も、Ａｌと高融点金属との金属
間化合物と、Ａｌマトリクスとの大きな比重差が起因と
して発生する重力偏析など多くの問題点がある。溶解鋳
造方法での問題は、例えば、特開平８−１７６８１０号
公報、特開平６−２１８５２９号公報、特開平７−２０
４７８４号公報、等の方法により改善されている。
ターゲット材は不純物としての酸素量が高くなりやすい
という問題がある。また、溶解鋳造法による製造される
Ａｌ系合金ターゲット材も、Ａｌと高融点金属との金属
間化合物と、Ａｌマトリクスとの大きな比重差が起因と
して発生する重力偏析など多くの問題点がある。溶解鋳
造方法での問題は、例えば、特開平８−１７６８１０号
公報、特開平６−２１８５２９号公報、特開平７−２０
４７８４号公報、等の方法により改善されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法による溶解合金は、高融点金属とＡｌとの合金であ
るため液相線温度が一般的なＡｌ合金より著しく高い。
このため、鋳造温度を一般的なＡｌ合金より高くする必
要があった。しかし、Ａｌ合金の溶湯温度を高くすると
溶湯中の水素含有量は増大し、水素含有量の大きい溶湯
を鋳造すると、鋳塊中に過飽和の水素が発生し、ポロシ
ティと呼ばれる水素の気泡となって鋳塊中に析出する。
このポロシティを含む鋳塊に塑性加工を施すと、ポロシ
ティは偏平に押しつぶされるとともに、分断され見かけ
上消失する。しかし、ポロシティは完全に消失したわけ
ではなく、加工材を再加熱すると再び現れる。特に、こ
のポロシティが表面近傍にあり、成長に伴って増大する
内圧が上層の材料強度を上回ると表面層を押し上げ、ブ
リスタと呼ばれるフクレが発生する（「軽金属」 198
9,Vol.39,No.3,P235）。
方法による溶解合金は、高融点金属とＡｌとの合金であ
るため液相線温度が一般的なＡｌ合金より著しく高い。
このため、鋳造温度を一般的なＡｌ合金より高くする必
要があった。しかし、Ａｌ合金の溶湯温度を高くすると
溶湯中の水素含有量は増大し、水素含有量の大きい溶湯
を鋳造すると、鋳塊中に過飽和の水素が発生し、ポロシ
ティと呼ばれる水素の気泡となって鋳塊中に析出する。
このポロシティを含む鋳塊に塑性加工を施すと、ポロシ
ティは偏平に押しつぶされるとともに、分断され見かけ
上消失する。しかし、ポロシティは完全に消失したわけ
ではなく、加工材を再加熱すると再び現れる。特に、こ
のポロシティが表面近傍にあり、成長に伴って増大する
内圧が上層の材料強度を上回ると表面層を押し上げ、ブ
リスタと呼ばれるフクレが発生する（「軽金属」 198
9,Vol.39,No.3,P235）。
【０００５】ターゲット材表面にブリスタが発生する
と、ターゲット材が外観不良となるのみならず、スパッ
タリング中に異常放電を発生させるという問題が生じて
いた。また、合金の鋳造温度が比較的高いと、鋳型中で
（液相＋金属間化合物）の状態が長時間続くことによ
り、液相Ａｌと金属間化合物の比重差による重力偏析が
発生し、かつ初晶金属間化合物が粗大化して塑性加工時
の割れの発生起点となった。
と、ターゲット材が外観不良となるのみならず、スパッ
タリング中に異常放電を発生させるという問題が生じて
いた。また、合金の鋳造温度が比較的高いと、鋳型中で
（液相＋金属間化合物）の状態が長時間続くことによ
り、液相Ａｌと金属間化合物の比重差による重力偏析が
発生し、かつ初晶金属間化合物が粗大化して塑性加工時
の割れの発生起点となった。
【０００６】更に、高融点金属を添加する場合に、従来
の一般的な溶解温度はその組成における液相線＋１００
℃程度であったが、その温度範囲では高融点金属の溶け
残りや、偏析発生という問題が生じた。
の一般的な溶解温度はその組成における液相線＋１００
℃程度であったが、その温度範囲では高融点金属の溶け
残りや、偏析発生という問題が生じた。
【０００７】そこで本発明は、上記問題を解決し、鋳塊
合金中の水素含有量を減少させ、ターゲットに加熱を施
してもブリスタの発生がなく、鋳塊中のＡｌとＡｌ−高
融点金属の金属間化合物との均一微細に分散したターゲ
ット材用Ａｌ合金とその製造方法を提供することを目的
とする。
合金中の水素含有量を減少させ、ターゲットに加熱を施
してもブリスタの発生がなく、鋳塊中のＡｌとＡｌ−高
融点金属の金属間化合物との均一微細に分散したターゲ
ット材用Ａｌ合金とその製造方法を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
の本発明のターゲット材用Ａｌ系合金は、高融点金属を
０．１〜５重量％含み、水素含有量が５ｐｐｍ以下であ
ることを特徴とする。前記高融点金属は、周期律表のＩ
Ｖａ、Ｖａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ、ＶＩＩＩ、Ｉｂ族の遷
移元素、Ｓｃ元素、Ｙ元素、または、ランタノイド系列
希土類元素から選択される少なくとも１種以上に限定さ
れる。
の本発明のターゲット材用Ａｌ系合金は、高融点金属を
０．１〜５重量％含み、水素含有量が５ｐｐｍ以下であ
ることを特徴とする。前記高融点金属は、周期律表のＩ
Ｖａ、Ｖａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ、ＶＩＩＩ、Ｉｂ族の遷
移元素、Ｓｃ元素、Ｙ元素、または、ランタノイド系列
希土類元素から選択される少なくとも１種以上に限定さ
れる。
【０００９】また、本発明のターゲット材用Ａｌ系合金
の製造方法は、高融点金属を０．１〜５重量％含むター
ゲット材用Ａｌ系合金の溶解鋳造法による製造方法にお
いて、溶解を１×１０-2Ｔｏｒｒ以上の真空雰囲気中で
行い、鋳造をその溶湯組成の液相温度より１〜５０℃高
い溶湯温度にて、不活性ガス雰囲気、または、真空雰囲
気、または、不活性ガスを含む減圧雰囲気で行うことを
特徴とする。
の製造方法は、高融点金属を０．１〜５重量％含むター
ゲット材用Ａｌ系合金の溶解鋳造法による製造方法にお
いて、溶解を１×１０-2Ｔｏｒｒ以上の真空雰囲気中で
行い、鋳造をその溶湯組成の液相温度より１〜５０℃高
い溶湯温度にて、不活性ガス雰囲気、または、真空雰囲
気、または、不活性ガスを含む減圧雰囲気で行うことを
特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のターゲット材用Ａｌ系合
金が高融点金属を０．１〜５重量％含むのは、配線膜・
電極膜、反射膜の耐ヒロック性、耐食性などの向上を目
的とし、高融点金属の添加量が０．１重量％未満ではそ
の効果は得られず、また添加量が５重量％を超えるとＡ
ｌのもつ導電性やレーザー光反射率を劣化させるからで
ある。
金が高融点金属を０．１〜５重量％含むのは、配線膜・
電極膜、反射膜の耐ヒロック性、耐食性などの向上を目
的とし、高融点金属の添加量が０．１重量％未満ではそ
の効果は得られず、また添加量が５重量％を超えるとＡ
ｌのもつ導電性やレーザー光反射率を劣化させるからで
ある。
【００１１】高融点金属には、周期律表のＩＶａ族（Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ）、Ｖａ族（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、ＶＩａ
族（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、ＶＩＩａ族（Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒ
ｅ）、ＶＩＩＩ族（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ）、Ｉｂ族（Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ）
の遷移元素、Ｓｃ元素、Ｙ元素、または、ランタノイド
系列希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ、Ｌｕ）から選択される少なくとも１種以上に限定さ
れる。
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ）、Ｖａ族（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、ＶＩａ
族（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、ＶＩＩａ族（Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒ
ｅ）、ＶＩＩＩ族（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ）、Ｉｂ族（Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ）
の遷移元素、Ｓｃ元素、Ｙ元素、または、ランタノイド
系列希土類元素（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ、Ｌｕ）から選択される少なくとも１種以上に限定さ
れる。
【００１２】また、本発明のターゲット材用Ａｌ系合金
の水素含有量は５ｐｐｍ以下である。これは、本発明の
製造方法により実現できる。本発明のターゲット材用Ａ
ｌ系合金の製造方法は、公知の溶解鋳造法を前提とし、
溶解を１×１０-2Ｔｏｒｒ以上の真空雰囲気中で行い、
鋳造をその溶湯組成の液相温度より１〜５０℃高い溶湯
温度にて、不活性ガス雰囲気、または、真空雰囲気、ま
たは、不活性ガスを含む減圧雰囲気で行うものである。
の水素含有量は５ｐｐｍ以下である。これは、本発明の
製造方法により実現できる。本発明のターゲット材用Ａ
ｌ系合金の製造方法は、公知の溶解鋳造法を前提とし、
溶解を１×１０-2Ｔｏｒｒ以上の真空雰囲気中で行い、
鋳造をその溶湯組成の液相温度より１〜５０℃高い溶湯
温度にて、不活性ガス雰囲気、または、真空雰囲気、ま
たは、不活性ガスを含む減圧雰囲気で行うものである。
【００１３】溶解を１×１０-2Ｔｏｒｒ以上の真空雰囲
気中で行うのは、溶湯中から水素ガスを除去するためで
ある。ここで、坩堝内の溶湯温度は、晶出する金属間化
合物の融点以上とすることが望ましい。溶湯中での偏析
の発生防止のためである。
気中で行うのは、溶湯中から水素ガスを除去するためで
ある。ここで、坩堝内の溶湯温度は、晶出する金属間化
合物の融点以上とすることが望ましい。溶湯中での偏析
の発生防止のためである。
【００１４】鋳造をその溶湯組成の液相温度より１〜５
０℃高い溶湯温度にて行うのは、これより高い溶湯温度
にすると、鋳型内で（液相Ａｌ）＋（初晶金属間化合
物）の２相混合状態となり、その間にこれら２相の比重
差による著しい重力偏析が発生するからである。その溶
湯組成の液相温度より１〜５０℃高い溶湯温度にて鋳造
すれば、Ａｌマトリクス中にＡｌ−高融点金属系の金属
間化合物が、均一に分散し、また凝固までの速度が速い
ため、鋳塊中に晶出する金属間化合物が微細になる。
０℃高い溶湯温度にて行うのは、これより高い溶湯温度
にすると、鋳型内で（液相Ａｌ）＋（初晶金属間化合
物）の２相混合状態となり、その間にこれら２相の比重
差による著しい重力偏析が発生するからである。その溶
湯組成の液相温度より１〜５０℃高い溶湯温度にて鋳造
すれば、Ａｌマトリクス中にＡｌ−高融点金属系の金属
間化合物が、均一に分散し、また凝固までの速度が速い
ため、鋳塊中に晶出する金属間化合物が微細になる。
【００１５】また、鋳造を不活性ガス雰囲気、または、
真空雰囲気、または、不活性ガスを含む減圧雰囲気で行
うのは、原料損失や偏析の原因となる湯バネの発生を防
止するためである。
真空雰囲気、または、不活性ガスを含む減圧雰囲気で行
うのは、原料損失や偏析の原因となる湯バネの発生を防
止するためである。
【００１６】なお、溶解鋳造法には一般的に用いられて
いる真空溶解鋳造装置を用いることができる。
いる真空溶解鋳造装置を用いることができる。
【００１７】
【実施例】本発明の方法によりＡｌ系合金鋳塊を作製
し、鋳塊よりターゲット材を得た。溶解はいずれも誘電
溶解炉を用いて各約１０ｋｇの溶解重量とした。鋳造の
鋳型にはＳＵＳ製の直径１５０ｍｍ、深さ２００ｍｍの
ものを用いた。表１に条件を示す。
し、鋳塊よりターゲット材を得た。溶解はいずれも誘電
溶解炉を用いて各約１０ｋｇの溶解重量とした。鋳造の
鋳型にはＳＵＳ製の直径１５０ｍｍ、深さ２００ｍｍの
ものを用いた。表１に条件を示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】得られた各鋳塊の上部、下部を切り捨てた
後、鋳塊に熱間加工および冷間加工を施し、最終仕上げ
として機械加工を施して直径１５２．４ｍｍ、厚さ６ｍ
ｍのターゲットを５枚ずつ作製した。作製したターゲッ
トに対して、Ｔｉの成分偏析の調査を行った所、表２の
ような結果が得られた。また、このターゲットの端材を
サンプリングし、ミクロ組織観察を行い、晶出している
金属間化合物の大きさを測定した結果、表２のような結
果が得られた。
後、鋳塊に熱間加工および冷間加工を施し、最終仕上げ
として機械加工を施して直径１５２．４ｍｍ、厚さ６ｍ
ｍのターゲットを５枚ずつ作製した。作製したターゲッ
トに対して、Ｔｉの成分偏析の調査を行った所、表２の
ような結果が得られた。また、このターゲットの端材を
サンプリングし、ミクロ組織観察を行い、晶出している
金属間化合物の大きさを測定した結果、表２のような結
果が得られた。
【００２０】ターゲットの端材よりサンプリングを行
い、水素含有量を測定した結果を表２に示す。更に、こ
のターゲットに対して２５０℃×１ｈｒの条件で加熱を
施し、ブリスタの発生数を数えた結果を表２に示す。
い、水素含有量を測定した結果を表２に示す。更に、こ
のターゲットに対して２５０℃×１ｈｒの条件で加熱を
施し、ブリスタの発生数を数えた結果を表２に示す。
【００２１】
【表２】
【００２２】以上の実施例および比較例の結果より、本
発明の条件にて作製した鋳塊より得られたターゲット
は、晶出する金属間化合物がターゲット内に均一にそし
て微細に分散していること、また、水素含有量が少なく
なるため加熱後のブリスタの発生が無いことがわかる。
発明の条件にて作製した鋳塊より得られたターゲット
は、晶出する金属間化合物がターゲット内に均一にそし
て微細に分散していること、また、水素含有量が少なく
なるため加熱後のブリスタの発生が無いことがわかる。
【００２３】本発明の条件以外の方法で作製した鋳塊よ
り得られたターゲットは、金属間化合物の分散状態が悪
くなり、金属間化合物も粗大化する。また、水素含有量
が多くなるため加熱後、ターゲット表面にブリスタが発
生することがわかる。
り得られたターゲットは、金属間化合物の分散状態が悪
くなり、金属間化合物も粗大化する。また、水素含有量
が多くなるため加熱後、ターゲット表面にブリスタが発
生することがわかる。
【００２４】
【発明の効果】本発明により、鋳塊合金中の水素含有量
を減少させ、ターゲットに加熱を施してもブリスタの発
生がなく、鋳塊中のＡｌとＡｌ−高融点金属の金属間化
合物との均一微細に分散したターゲット材用Ａｌ系合金
とその製造方法が提供できた。
を減少させ、ターゲットに加熱を施してもブリスタの発
生がなく、鋳塊中のＡｌとＡｌ−高融点金属の金属間化
合物との均一微細に分散したターゲット材用Ａｌ系合金
とその製造方法が提供できた。
【００２５】本発明のＡｌ系合金ターゲット材を用いて
スパッタリングしても、ターゲット材表面にブリスタが
ないため、異常放電が起こらない。
スパッタリングしても、ターゲット材表面にブリスタが
ないため、異常放電が起こらない。
Claims (4)
- 【請求項１】 高融点金属を０．１〜５重量％含み、水
素含有量が５ｐｐｍ以下であるターゲット材用Ａｌ系合
金。 - 【請求項２】 高融点金属が、周期律表のＩＶａ、Ｖ
ａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ、ＶＩＩＩ、Ｉｂ族の遷移元素、
Ｓｃ元素、Ｙ元素、または、ランタノイド系列希土類元
素から選択される少なくとも１種以上である、請求項１
に記載のターゲット材用Ａｌ系合金。 - 【請求項３】 高融点金属がＴｉである、請求項１に記
載のターゲット材用Ａｌ系合金。 - 【請求項４】 高融点金属を０．１〜５重量％含むター
ゲット材用Ａｌ系合金の溶解鋳造法による製造方法にお
いて、溶解を１×１０-2Ｔｏｒｒ以上の真空雰囲気中で
行い、鋳造をその溶湯組成の液相温度より１〜５０℃高
い溶湯温度にて、不活性ガス雰囲気、または、真空雰囲
気、または、不活性ガスを含む減圧雰囲気で行うことを
特徴とする、ターゲット材用Ａｌ系合金の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12941197A JPH10317082A (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | ターゲット材用Ａｌ系合金とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12941197A JPH10317082A (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | ターゲット材用Ａｌ系合金とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10317082A true JPH10317082A (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=15008883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12941197A Pending JPH10317082A (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | ターゲット材用Ａｌ系合金とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10317082A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004001092A1 (ja) * | 2002-06-24 | 2003-12-31 | Nikko Materials Company, Limited | AlRuスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2006095642A1 (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-14 | Ulvac, Inc. | ターゲット製造方法 |
| JP2009087527A (ja) * | 2003-10-30 | 2009-04-23 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録用Ａｌ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録用Ａｌ合金反射膜の形成用のＡｌ合金スパッタリングターゲット |
| JP2015222609A (ja) * | 2014-05-01 | 2015-12-10 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 磁気記録用軟磁性合金及びスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 |
| CN109778020A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-05-21 | 江苏华企铝业科技股份有限公司 | 高纯度高致密铝钛合金锭及其制造方法 |
| CN112962069A (zh) * | 2021-02-02 | 2021-06-15 | 长沙淮石新材料科技有限公司 | 一种含金属间化合物的铝合金靶材及其制备方法 |
-
1997
- 1997-05-20 JP JP12941197A patent/JPH10317082A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004001092A1 (ja) * | 2002-06-24 | 2003-12-31 | Nikko Materials Company, Limited | AlRuスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2008179892A (ja) * | 2002-06-24 | 2008-08-07 | Nikko Kinzoku Kk | ＡｌＲｕスパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2009087527A (ja) * | 2003-10-30 | 2009-04-23 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録用Ａｌ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録用Ａｌ合金反射膜の形成用のＡｌ合金スパッタリングターゲット |
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| JP4676487B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2011-04-27 | 株式会社アルバック | ターゲット製造方法 |
| JP2015222609A (ja) * | 2014-05-01 | 2015-12-10 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 磁気記録用軟磁性合金及びスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 |
| CN109778020A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-05-21 | 江苏华企铝业科技股份有限公司 | 高纯度高致密铝钛合金锭及其制造方法 |
| CN112962069A (zh) * | 2021-02-02 | 2021-06-15 | 长沙淮石新材料科技有限公司 | 一种含金属间化合物的铝合金靶材及其制备方法 |
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