JP3514800B2

JP3514800B2 - 軟磁性薄膜およびその製造方法

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Publication number: JP3514800B2
Application number: JP02474794A
Authority: JP
Inventors: 哲彌逢坂; 治篠浦
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1994-01-27
Filing date: 1994-01-27
Publication date: 2004-03-31
Anticipated expiration: 2019-03-31
Also published as: JPH07220921A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド材料、セン
サ材料や、トランス、チョークコイル、過飽和リアクト
ル、ノイズフィルタ等の磁心などに使用される軟磁性薄
膜と、この軟磁性薄膜の製造方法とに関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録の分野では、高密度記録を行な
うために磁気記録媒体の高保磁力化が進んでいる。高保
磁力の磁気記録媒体に対しては、飽和磁束密度と透磁率
とが共に高い記録ヘッドが必要とされ、このため、通
常、高飽和磁束密度と高透磁率をもつ軟磁性薄膜を使用
した薄膜タイプやメタル・イン・ギャップタイプの記録
ヘッドが用いられている。この他、薄膜トランスの磁心
などに用いられる軟磁性薄膜にも、同様に高飽和磁束密
度、高透磁率が要求される。

【０００３】従来、これらの用途に用いられている軟磁
性薄膜は、スパッタ法等の真空成膜法や電気めっき法に
より作製されており、組成としてはパーマロイ等が一般
的である。しかし、パーマロイは、良好な軟磁気特性を
示すＦｅ／Ｎｉの比率範囲が狭いため、膜形成時の組成
制御が難しい。また、スパッタ法は量産性に乏しく、大
面積の膜を均一に形成することも困難である。一方、電
気めっき法を用いる場合、２価鉄の酸化の問題や電流密
度分布による組成分布の不均一等の問題が生じる。

【０００４】なお、無電解めっき法によるパーマロイ膜
は、小島ら（東北大学科学研究所報告第３３巻第１
号Ｐ１〜１３１９８４）や鷹野ら（金属表面技術協
会第７４回講演大会要旨集１６Ａ−１１）により提案
されているが、やはり組成制御が難しく、良好な特性を
示すＦｅ／Ｎｉ範囲を再現性よく得ることは困難であ
る。また、前述の小島らにより無電解めっきＣｏ−Ｐ薄
膜も検討されているが、保磁力はせいぜい５ Oe までし
か低下せず、十分な軟磁気特性は得られていない。

【０００５】量産性に優れ、しかも組成制御の容易な軟
磁性薄膜として、Ｃｏ−Ｆｅの電気めっき膜が提案され
ているが、電気めっき法を用いるため、電気密度分布に
起因して組成分布や厚さ分布の不均一さが生じるという
問題があり、また、導電性を有する基体しか用いること
ができないという制限がある。

【０００６】このような事情から、特開平４−１９６４
０２号公報では、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂの３元系軟磁性薄膜を
提案している。この軟磁性薄膜は、組成分布および厚さ
分布の均一性が良好な膜が得られる無電解めっき法によ
り形成でき、しかも膜形成時の管理および制御が容易で
ある。しかし、同公報記載の軟磁性薄膜は、保磁力を低
くするためにＦｅの含有率を７原子％以下に抑えている
ので、飽和磁束密度が不十分である。また、この軟磁性
薄膜は耐熱性が低く、例えば４００℃まで加熱すると保
磁力が５ Oe 以上に増大してしまう。磁気ヘッド製造時
のコア接合の際などには軟磁性薄膜が加熱されるため、
この軟磁性薄膜では軟磁気特性が劣化するおそれがあ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、良好
な軟磁気特性を示し、組成分布および厚さ分布の均一性
が良好で、しかも飽和磁束密度が高く耐熱性が良好な軟
磁性薄膜を提供することであり、他の目的は、このよう
な軟磁性薄膜を、管理および制御が容易で量産性に優れ
た無電解めっき法により形成する方法を提供することで
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】これらの目的は、下記
（１）〜（８）の構成により達成される。（１）Ｃｏ、ＦｅおよびＢを含有し、Ｆｅの含有率が
８〜１５原子％であり、Ｐを含有し、その含有量が１原
子％以下であり、無電解めっき法により形成されたこと
を特徴とする軟磁性薄膜。（２）Ｂの含有率が１〜７原子％である上記（１）の
軟磁性薄膜。（３）含まれる結晶質が実質的に面心立方晶単相であ
る上記（１）または（２）の軟磁性薄膜。（４）Ｐの含有量が０．２原子％以下である上記
（１）〜（３）のいずれかの軟磁性薄膜。（５）Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、硼素含有還元剤およ
び亜燐酸イオンを含有し、硼素含有還元剤の濃度が０．
０１〜０．１０モル／リットルであり、亜燐酸イオンの
濃度が０．０１モル／リットル以上である無電解めっき
浴を用いて軟磁性薄膜を形成することを特徴とする軟磁
性薄膜の製造方法。（６）前記無電解めっき浴において、亜燐酸イオンの
濃度が１モル／リットル以下である上記（５）の軟磁性
薄膜の製造方法。（７）前記無電解めっき浴が、錯化剤イオンとして酒
石酸イオンおよび／またはクエン酸イオンを含有する上
記（５）または（６）の軟磁性薄膜の製造方法。（８）上記（１）〜（４）のいずれかの軟磁性薄膜を
形成する上記（５）〜（７）のいずれかの軟磁性薄膜の
製造方法。

【０００９】

【作用および効果】本発明では、Ｃｏ、ＦｅおよびＢを
含む軟磁性薄膜を形成するに際し、無電解めっき法を用
いるため、組成分布および厚さ分布の均一性が良好な膜
が得られ、量産性も良好となる。

【００１０】本発明では、軟磁性薄膜中のＦｅ含有率を
８原子％以上とするので、高い飽和磁束密度が得られ
る。そして、Ｃｏイオン、Ｆｅイオンおよび硼素含有還
元剤に加え亜燐酸イオンを含む無電解めっき浴を用いる
ことにより、Ｆｅ含有率を８原子％以上とした場合で
も、保磁力の著しく低い軟磁性薄膜が容易に得られる。
しかも、この軟磁性薄膜は耐熱性が良好であり、５００
℃程度まで加熱した後でも保磁力はわずかしか増大しな
い。亜燐酸イオンを含む無電解めっき浴を用いた場合、
ごく微量のＰが膜中に共析して膜の微細構造に影響を与
えて軟磁気特性を向上させ、耐熱性も向上させると考え
られるが、詳しい作用はよくわかっていない。

【００１１】なお、電気めっき法では、膜中に積極的に
Ｐを共析することを目的として、めっき浴中に次亜燐酸
イオンや亜燐酸イオンを添加することが知られている。
しかし、従来、電気めっき法においてＰを共析させるの
は、アモルファス化して耐食性と磁気特性とを向上させ
るためであり、Ｐの含有率は１％を大きく超える。これ
に対し、本発明では後述するように膜中にＰが含まれて
いるとしても極めて微量である。

【００１２】また、無電解めっき法では、還元剤として
次亜燐酸をめっき浴中に添加することが知られている。
しかし、一般の無電解めっき法において用いられる次亜
燐酸は、成膜の際の還元剤として不可欠である。一方、
本発明では、還元力の小さい亜燐酸でも十分な効果が得
られることからも明白なように、還元剤としての作用は
それほど重要ではないと考えられる。実際、本発明で用
いる無電解めっき浴から亜燐酸イオンを除いても、成膜
反応は生じる。

【００１３】ところで、８原子％以上のＦｅを含むＣｏ
−Ｆｅ−Ｂ合金を急冷法により製造した報告もなされて
いるが、アモルファス状の急冷合金は耐熱性が不十分で
ある。しかし、結晶化させるためにはＢ含有率を高くし
なければならないので良好な軟磁気特性が得られず、例
えば保磁力が５ Oe 以上と大きくなってしまう。また、
急冷合金では、薄膜化やパターニングが実質的に不可能
である。

【００１４】前述した特開平４−１９６４０２号公報に
は、９．２原子％のＦｅを含む無電解めっき膜が比較例
として記載されている。この膜は、亜燐酸イオンを含ま
ない無電解めっき浴を用いて形成されているため、保磁
力が２５．３ Oe にも達し、軟磁性薄膜としての使用は
不可能である。

【００１５】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００１６】＜軟磁性薄膜＞本発明の軟磁性薄膜は、Ｃ
ｏ、ＦｅおよびＢを含有する。Ｆｅの含有率は、８〜１
５原子％である。Ｆｅが少なすぎると高飽和磁束密度が
得られず、多すぎると体心立方晶が析出して軟磁気特性
が不良となる。Ｂの含有率は好ましくは１〜７原子％、
より好ましくは、２〜５原子％である。Ｂが多すぎると
Ｃｏ−Ｂ合金またはＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金が主成分となっ
てしまい、またＢが少なすぎるとＣｏまたはＣｏ−Ｆｅ
結晶が主成分となり、いずれの場合も好ましい軟磁気特
性が得られにくくなる。軟磁性薄膜の残部は実質的にＣ
ｏから形成されるが、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓ
ｎ、Ｓ、Ｃａ等から選択される少なくとも１種が含有さ
れていてもよい。ただし、これらの元素の含有率は、合
計で５原子％以下であることが好ましい。

【００１７】本発明の軟磁性薄膜は、後述するように亜
燐酸イオンを含むめっき浴を用いて無電解めっき法によ
り形成することにより、良好な軟磁気特性が容易に得ら
れる。しかし、亜燐酸イオンの添加量を良好な軟磁気特
性が得られる範囲とした場合、亜燐酸イオン由来のＰは
蛍光Ｘ線分析では検出することができなかった。したが
って、Ｐの含有率は多くても１原子％であり、通常は
０．２原子％以下であると考えられる。亜燐酸イオン由
来のＰは、結晶粒界に偏析して軟磁気特性向上に寄与し
ていると考えられるが、確認はできていない。

【００１８】このような軟磁性薄膜が、微細な結晶粒を
有するアモルファス類似構造であるとき、極めて良好な
軟磁気特性が得られる。アモルファス類似構造とは、Ｘ
線回折においてブロードなピークを示す構造であり、例
えば、平均粒径１００A 程度以下と推定される結晶質か
らなると考えられる。本発明の軟磁性薄膜においてブロ
ードなピークとして認められるのは、面心立方晶の（１
１１）面に相当するピークなので、軟磁性薄膜に含まれ
る結晶質は実質的に面心立方晶単相からなると考えられ
る。ただし、保磁力が小さくなる組成範囲は、体心立方
晶相が共析する組成範囲と隣接しているので、極めて微
量の体心立方晶が局部的に偏析している可能性も考えら
れる。従って、「実質的に面心立方晶単相からなる」と
は、汎用のＸ線回折装置を用いた場合の評価結果とし、
このような装置では検出不可能な極めて微量の体心立方
晶を含む場合も包含する概念とする。

【００１９】なお、Ｃｏ−Ｂ系合金としてはＣｏ₂ Ｂ
（３３．３原子％、すなわち８．４１重量％Ｂ）やＣｏ
Ｂ（５０原子％、すなわち１５．５１重量％Ｂ）等が知
られているが、本発明の軟磁性薄膜はこれらとはまった
く異なる。すなわち、本発明の軟磁性薄膜のＢ含有率は
たかだか７原子％程度である。

【００２０】本発明の軟磁性薄膜は軟磁気特性が良好で
ある。すなわち、膜形成直後の保磁力は、通常、１．０
Oe 以下であり、しかも、耐熱性が良好であるため、５
００℃程度まで加熱した後でも２ Oe 以下の低保磁力を
示す。また、透磁率が高く、例えば５MHz にて１０００
以上の透磁率を示す。さらに、本発明の軟磁性薄膜は飽
和磁束密度が高く、通常、１５５０emu/cc以上の値を示
す。

【００２１】本発明の軟磁性薄膜の厚さは特に限定され
ないが、均質な膜状とするためには０．０５μm 以上と
することが好ましい。膜が厚くなると巨大結晶構造をと
りやすくなるため、好ましくは１０μm 以下、より好ま
しくは５μm 以下とする。

【００２２】より厚い膜としたい場合には、他の無電解
めっき層等の中間層を介して積層することができる。他
の無電解めっき層としては、非磁性層、例えばＮｉ−Ｐ
層やＣｕ層等がある。すなわち、好ましくは非磁性層を
中間層として設層し、その上下にＣｏ−Ｆｅ−Ｂ層を形
成することも可能である。さらに中間層を増やし、何層
にも積層することも可能である。これは、Ｃｏ−Ｆｅ−
Ｂの膜の構造が厚さによって変化してしまう場合に、薄
い膜を何層も重ねて目的とする厚さとするために役立
つ。中間層としては、磁性層であってもよいが、特に非
磁性めっき層が好ましい。このように積層する場合、Ｃ
ｏ−Ｆｅ−Ｂ層を０．０５〜２μm 程度とし、中間層を
その５〜３０％程度の厚さとすることが好ましい。な
お、中間層として用いるＮｉ−Ｐは、Ｐ含有率が５〜１
８重量％程度の組成とすることが好ましい。この他、中
間層は、０．０１μm 以下のＣｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ
であってもよい。

【００２３】本発明の軟磁性薄膜は、薄膜磁気ヘッドの
磁極材料、メタル・イン・ギャップ型の磁気ヘッドの軟
磁性薄膜、垂直磁気記録媒体の軟磁性下地膜、磁気セン
サ、距離センサ、方位センサ、傾斜センサ等のセンサ薄
膜、トランス、チョークコイル、ノイズフィルタ、過飽
和リアクトル等の薄膜磁心、磁気シールド用薄膜等とし
て有用である。

【００２４】＜製造方法＞上述した軟磁性薄膜は、Ｃｏ
イオン、Ｆｅイオン、硼素含有還元剤および亜燐酸イオ
ンを含有するめっき浴を用いる無電解めっき法により、
容易に形成することができる。

【００２５】めっき浴中におけるＣｏイオン濃度および
Ｆｅイオン濃度は、目的とする膜組成や要求される膜形
成速度などに応じて適宜決定すればよいが、通常、Ｃｏ
イオン濃度を０．０５〜３．０モル／リットルとし、Ｆ
ｅイオン／Ｃｏイオン（モル比）を、好ましくは０．０
０５〜０．３、より好ましくは０．０１〜０．２とす
る。これらの金属イオンの供給源は、硫酸塩、スルファ
ミン酸塩、酢酸塩、硝酸塩等の水溶性の塩から選択する
ことが好ましく、安価であることから特に硫酸塩を用い
ることが好ましい。また、この他、金属をめっき浴中に
浸漬して自然溶解させたり、電解により陽極を溶解して
供給することもできる。

【００２６】Ｂの供給源には硼素含有還元剤を用いる。
硼素含有還元剤としては、ジメチルアミンボラン、トリ
メチルアミンボラン、水素化硼素ナトリウム等が好まし
く、特にジメチルアミンボランが好ましい。硼素含有還
元剤の濃度は、０．０１〜０．１０モル／リットルであ
ることが好ましい。

【００２７】亜燐酸イオンの濃度は、０．０１モル／リ
ットル以上であることが好ましい。亜燐酸イオンを含む
無電解めっき浴を用いることにより、上述したＦｅ含有
率の高い軟磁性薄膜の保磁力を低くすることができ、膜
の耐熱性も良好となる。亜燐酸イオンの濃度が低いと、
低保磁力の膜が得ることが困難となる。亜燐酸イオンの
濃度の上限は特にないが、０．１モル／リットル程度の
濃度で十分な効果が得られ、１モル／リットルを超える
濃度としても効果が向上することもないので、経済性や
溶解限度を考慮して、１モル／リットル以下とすること
が好ましい。亜燐酸イオンの供給源には、亜燐酸または
その塩、例えば、亜燐酸ナトリウム、亜燐酸カリウムな
どを用いることができる。

【００２８】めっき浴中には、錯化剤イオンが含まれる
ことが好ましい。錯化剤イオンとしては有機酸イオンが
好ましく、具体的には、酒石酸、クエン酸、コハク酸、
マロン酸、リンゴ酸、グルコン酸や、これらの塩を錯化
剤としてめっき浴に添加することが好ましく、特に酒石
酸もしくはその塩および／またはクエン酸もしくはその
塩、特に酒石酸ナトリウムおよび／またはクエン酸ナト
リウムを用いることが好ましい。錯化剤イオンの濃度
は、好ましくは０．０５モル／リットル以上、より好ま
しくは０．１〜１モル／リットルである。めっき浴に錯
化剤を添加することにより、微細構造組織が安定して形
成され、軟磁気特性が向上する。

【００２９】めっき浴中には、アンモニア源が含有され
ることが好ましい。アンモニア源としては、硫酸アンモ
ニウム、塩化アンモニウム等を挙げることができる。ア
ンモニア源を添加することによっても、膜の微細構造組
織が安定化し、軟磁気特性が向上する。アンモニア源の
濃度は、好ましくは０．１モル／リットル以上、より好
ましくは０．２〜０．４モル／リットルとする。

【００３０】この他、めっき浴には、必要に応じ、硼酸
等の緩衝剤を添加してもよい。

【００３１】めっき浴のｐＨは、７〜１０とすることが
好ましい。ｐＨが低すぎると析出速度が遅くなり、高す
ぎると浴が不安定となって分離しやすくなる。ｐＨ調整
剤は特に限定されないが、浴中のアンモニウムイオン量
を一定とするために水酸化ナトリウム等を用いてもよ
い。

【００３２】めっき浴の温度は、好ましくは４０〜９５
℃、より好ましくは７０〜９０℃である。浴温が高すぎ
ると浴が不安定となって分離しやすくなり、低すぎると
析出速度が遅くなる。なお、大気中での沸点に近いよう
な高温の場合、浴が不安定となりやすいので、このよう
な場合には加圧状態で成膜してもよい。

【００３３】めっき時間は、好ましくは２〜６０分間、
より好ましくは１０〜２０分間で所定の膜厚とすること
が、工程上好ましい。

【００３４】なお、膜を厚くする必要がある場合には、
電解めっきを併用したり、交流電解による無電解析出の
活性化を行なって、短時間に厚い膜を得ることも可能で
ある。さらに、これらの電解手法をめっき中の一定期間
にだけ行なうこともできる。例えば、初期に無電解めっ
きだけで０．５μm 厚まで成膜した後に、電解を併用し
たり、あるいは無電解めっき５分間と電解めっき併用５
分間とを交互に繰り返し行なうことも可能である。併用
する電解めっきの電流密度は０．５〜３A/dm²程度とす
ることが好ましく、交流電解は０．１〜１A/dm² の電流
密度にて周波数１〜１０００Hz程度で行なうことが好ま
しい。

【００３５】軟磁性薄膜に適度の磁気異方性を付与した
い場合には、めっき中に直交磁場をかけることが好まし
い。例えば、磁化容易軸としたい方向に磁界強度８００
Oeで１０秒印加したのち、磁化困難軸としたい方向に
２００ Oe で５秒印加しこれを成膜中繰り返す。あるい
は、基体を直流磁界中で回転することでも同様の効果が
得られる。このように、異なる方向からの磁場を交互に
印加したり、回転磁場を印加しながら成膜することによ
り、適度の磁気異方性が付与される。面内容易軸方向に
印加する磁界は、５０〜１０００ Oe 程度、また面内困
難軸方向に印加する磁界は５０〜１０００ Oe 程度とす
ることが好ましい。このような交番ないし回転磁界の印
加の周期は、一般に０．１〜２００秒間程度とすればよ
い。

【００３６】本発明では、前述したように軟磁性薄膜間
に非磁性中間層を挟む多層構造とすることもできるが、
非磁性中間層として、Ｎｉ−Ｐ層を設ける場合、Ｐ供給
源としては、次亜燐酸ナトリウム等を用いればよく、Ｎ
ｉ供給源としては、硫酸ニッケルや塩化ニッケル等を用
いればよい。

【００３７】軟磁性薄膜を担持する基体は用途に応じて
適宜選択すればよく、剛性のものであっても可撓性のも
のであってもよい。基体には、軟磁性薄膜形成前に、無
電解めっき等による公知の各種活性化処理を施してもよ
い。

【００３８】なお、軟磁性薄膜は、必要に応じ、形成後
に基体から剥離して用いてもよい。

【００３９】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００４０】＜実施例１、２、比較例１〜３＞基体とし
て、スパッタ法により５００A 厚のＣｕ膜を形成した厚
さ０．７mmのガラス板（コーニング社製品番号７０５
９）を用意した。この基体を５％水酸化ナトリウム溶液
（室温）に３０秒間浸漬して脱脂処理を行なった。次い
で、水洗した後、１０％塩酸溶液（室温）に３０秒間浸
漬して活性化処理を行なった。この基体に、表１に示す
めっき浴を用いて無電解めっきを１０分間行ない、表２
に示す薄膜を形成した。

【００４１】なお、めっき中の基体には交番直交磁場を
印加した。すなわち、永久磁石を２つ対にして向かい合
わせることで直流磁場を得、これらの永久磁石の位置を
基体に対して周期的に変化させることにより交番直交磁
場とした。磁場強度は、磁化容易軸方向で６００ Oe 、
磁化困難軸方向で３００ Oe とし、２０秒ごとに印加方
向を変更した。

【００４２】各薄膜について、厚さを段差計で、飽和磁
束密度（Ｂs ）および保磁力（Ｈc）をＶＳＭで、透磁
率（μ）を８の字コイル法で測定した。また、各薄膜を
硝酸により溶解した後、プラズマ発光分析を行ない、膜
中のＦｅ含有率とＢ含有率とを定量した。結果を表２に
示す。

【００４３】

【表１】

【００４４】

【表２】

【００４５】表１および表２に示される結果から、本発
明の効果が明らかである。すなわち、実施例１および２
では、亜燐酸イオンを含む無電解めっき浴を用いてＦｅ
含有率が８〜１５原子％の範囲にある膜を形成している
ため、高飽和磁束密度が得られ、しかも保磁力が低く透
磁率が高くなっている。これに対し、比較例１では、亜
燐酸イオンを含まないめっき浴を用いてＦｅ含有率が８
原子％以上の膜を形成しているため、保磁力が著しく大
きくなっている。比較例２では、Ｆｅ含有率が１５原子
％を超えているため、保磁力が高く透磁率が低くなって
いる。比較例３では、亜燐酸イオンを含まないめっき浴
を用いているが、前述した特開平４−１９６４０２号公
報と同様にＦｅ含有率を７原子％以下に抑えているた
め、良好な軟磁気特性が得られている。しかし、Ｆｅ含
有率が低いため、飽和磁束密度が不十分となっている。

【００４６】なお、Ｘ線回折の結果、Ｆｅ含有率が１５
原子％を超える比較例２の膜では、面心立方晶の（１１
１）面に相当するブロードなピークに加え、体心立方晶
の（１１０）面に相当するブロードなピークが認められ
たが、実施例１、２および比較例１、３の膜では、面心
立方晶のピークだけしか認められなかった。

【００４７】＜実施例３＞実施例１で形成した軟磁性薄
膜に熱処理を１時間施し、処理後に保磁力を測定した。
その結果、熱処理時の保持温度が３００℃のときは０．
８４ Oe 、４００℃のときは１．００ Oe 、５００℃の
ときは１．０４ Oe であり、耐熱性が極めて良好である
ことが確認された。

【００４８】＜実施例４＞めっき時間を変えることによ
り膜厚を変更した以外は実施例１と同様にして軟磁性薄
膜を形成した。その結果、膜厚が２．２μm のときの保
磁力は０．７ Oe、３．４μm のときも０．７ Oe であ
り、いずれも十分に低い保磁力が得られた。

【００４９】以上の実施例の結果から、本発明の効果が
明らかである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭58−58268（ＪＰ，Ａ) 特開平４−196402（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01F 10/16 C23C 18/50 H01F 41/24 C23C 30/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｃｏ、ＦｅおよびＢを含有し、Ｆｅの含
有率が８〜１５原子％であり、Ｐを含有し、その含有量
が１原子％以下であり、無電解めっき法により形成され
たことを特徴とする軟磁性薄膜。
【請求項２】Ｂの含有率が１〜７原子％である請求項
１の軟磁性薄膜。
【請求項３】含まれる結晶質が実質的に面心立方晶単
相である請求項１または２の軟磁性薄膜。
【請求項４】Ｐの含有量が０．２原子％以下である請
求項１〜３のいずれかの軟磁性薄膜。
【請求項５】Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、硼素含有還元
剤および亜燐酸イオンを含有し、硼素含有還元剤の濃度
が０．０１〜０．１０モル／リットルであり、亜燐酸イ
オンの濃度が０．０１モル／リットル以上である無電解
めっき浴を用いて軟磁性薄膜を形成することを特徴とす
る軟磁性薄膜の製造方法。
【請求項６】前記無電解めっき浴において、亜燐酸イ
オンの濃度が１モル／リットル以下である請求項５の軟
磁性薄膜の製造方法。
【請求項７】前記無電解めっき浴が、錯化剤イオンと
して酒石酸イオンおよび／またはクエン酸イオンを含有
する請求項５または６の軟磁性薄膜の製造方法。
【請求項８】請求項１〜４のいずれかの軟磁性薄膜を
形成する請求項５〜７のいずれかの軟磁性薄膜の製造方
法。