JP3298930B2 - 磁性薄膜の製造方法 - Google Patents
磁性薄膜の製造方法Info
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- JP3298930B2 JP3298930B2 JP17870192A JP17870192A JP3298930B2 JP 3298930 B2 JP3298930 B2 JP 3298930B2 JP 17870192 A JP17870192 A JP 17870192A JP 17870192 A JP17870192 A JP 17870192A JP 3298930 B2 JP3298930 B2 JP 3298930B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、湿式めっき法により成
膜される磁性薄膜の製造方法に関する。特に薄膜磁気ヘ
ッド，薄膜トランス等の磁極材料として使用される薄膜
の製造方法に関する。
膜される磁性薄膜の製造方法に関する。特に薄膜磁気ヘ
ッド，薄膜トランス等の磁極材料として使用される薄膜
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドや薄膜トランスの磁性薄
膜には、低保磁力、高飽和磁束密度、低磁歪等に加えて
高透磁率が要求されている。
膜には、低保磁力、高飽和磁束密度、低磁歪等に加えて
高透磁率が要求されている。
【０００３】これらの磁性薄膜は、スパッタ法等の気相
成膜法や電気めっき法等の液相成膜法により形成される
のが一般的であるが、液相めっき法には、大面積の成膜
が容易で、しかも均一性の高い膜がえられ、また工数が
少ないという利点がある。
成膜法や電気めっき法等の液相成膜法により形成される
のが一般的であるが、液相めっき法には、大面積の成膜
が容易で、しかも均一性の高い膜がえられ、また工数が
少ないという利点がある。
【０００４】特に近年の記録密度の上昇は記録媒体の保
磁力の上昇による部分が大きい。保磁力の大きな記録媒
体に十分に書き込む為には記録ヘッドからより強い磁界
を発生する必要がある。このために従来から広く使用さ
れていたＮｉ−Ｆｅ合金（パーマロイ）以上の高飽和磁
束密度材料が求められている。この磁気特性的な要求を
満たす磁性めっき膜としてはＣｏ−Ｆｅ合金が挙げられ
る（特願平２−３２６８１３）。
磁力の上昇による部分が大きい。保磁力の大きな記録媒
体に十分に書き込む為には記録ヘッドからより強い磁界
を発生する必要がある。このために従来から広く使用さ
れていたＮｉ−Ｆｅ合金（パーマロイ）以上の高飽和磁
束密度材料が求められている。この磁気特性的な要求を
満たす磁性めっき膜としてはＣｏ−Ｆｅ合金が挙げられ
る（特願平２−３２６８１３）。
【０００５】しかし、従来から広く使用されている比較
的低飽和磁束密度材料であるＮｉ−Ｆｅ合金と比較する
と高透磁率を得るのは困難であった。
的低飽和磁束密度材料であるＮｉ−Ｆｅ合金と比較する
と高透磁率を得るのは困難であった。
【０００６】成膜後の熱処理は応力緩和効果等から広く
用いられている。たとえばスパッタ法によるＣｏＦｅＢ
アモルファス膜では３００℃の回転磁場中熱処理にて高
い透磁率が得られる事が報告されている（昭和５６年度
電子通信学会総合全国大会予稿集 １−１６０）。
用いられている。たとえばスパッタ法によるＣｏＦｅＢ
アモルファス膜では３００℃の回転磁場中熱処理にて高
い透磁率が得られる事が報告されている（昭和５６年度
電子通信学会総合全国大会予稿集 １−１６０）。
【０００７】まためっき法においても回転磁場、直交磁
場中熱処理が有効なことは報告されている（特願平３−
１２２５１５等）。
場中熱処理が有効なことは報告されている（特願平３−
１２２５１５等）。
【０００８】しかし熱処理温度、降温速度にのみ注目し
最適条件を決定していた。これらの場合は昇温速度は特
に注意が払われていなかった。昇温速度は急激な昇温は
クラック等の発生があるため控えられる傾向だが作業性
を考え、比較的高速な、１５℃／分程度が使用されてい
た。
最適条件を決定していた。これらの場合は昇温速度は特
に注意が払われていなかった。昇温速度は急激な昇温は
クラック等の発生があるため控えられる傾向だが作業性
を考え、比較的高速な、１５℃／分程度が使用されてい
た。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情からなされたものであり、めっき法により成膜された
低保磁力、高飽和磁束密度な薄膜を高透磁率化する製造
方法に関する。
情からなされたものであり、めっき法により成膜された
低保磁力、高飽和磁束密度な薄膜を高透磁率化する製造
方法に関する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために鋭意検討、研究した結果、従来から知ら
れている成膜後の熱処理の際の条件検討を詳細に行い特
に高透磁率が得られる事を見いだすに至った。
解決するために鋭意検討、研究した結果、従来から知ら
れている成膜後の熱処理の際の条件検討を詳細に行い特
に高透磁率が得られる事を見いだすに至った。
【００１１】このような目的は、下記（１）及び（２）
の本発明により達成される。
の本発明により達成される。
【００１２】（１） ＣｏおよびＦｅを主成分としため
っき膜を１℃／分乃至７．５℃／分の昇温速度にて、３
５０℃以下の真空又は不活性雰囲気下加熱処理を行うこ
とを特徴とする磁性薄膜の製造方法。
っき膜を１℃／分乃至７．５℃／分の昇温速度にて、３
５０℃以下の真空又は不活性雰囲気下加熱処理を行うこ
とを特徴とする磁性薄膜の製造方法。
【００１３】（２） 上記熱処理が直流磁界中または回
転磁場中で行われることを特徴とする上記（１）に記載
の製造方法。
転磁場中で行われることを特徴とする上記（１）に記載
の製造方法。
【００１４】
【作用】本発明に用いられる磁性薄膜は湿式めっき法、
すなわち電気めっき法、無電解めっき法及び置換めっき
法等により形成され、Ｃｏ、Ｆｅを主成分とするもので
ある。
すなわち電気めっき法、無電解めっき法及び置換めっき
法等により形成され、Ｃｏ、Ｆｅを主成分とするもので
ある。
【００１５】このような組成により、本発明の磁性薄膜
は、１．２Ｔ以上、特に１．５Ｔ以上の飽和磁束密度Ｂ
Ｓ が得られ、例えば薄膜磁気ヘッドや薄膜トランス用の
磁性薄膜として極めて有効である。
は、１．２Ｔ以上、特に１．５Ｔ以上の飽和磁束密度Ｂ
Ｓ が得られ、例えば薄膜磁気ヘッドや薄膜トランス用の
磁性薄膜として極めて有効である。
【００１６】しかし透磁率μは従来のＮｉＦｅ合金に比
べて低いものが多かった。本発明の製造方法により透磁
率２０００以上（５MHz）が容易に得られる。
べて低いものが多かった。本発明の製造方法により透磁
率２０００以上（５MHz）が容易に得られる。
【００１７】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１８】昇温速度は、１℃／分乃至７．５℃／分と
する。昇温速度が前記範囲以上であると、十分な高透磁
率が得られない。
する。昇温速度が前記範囲以上であると、十分な高透磁
率が得られない。
【００１９】昇温速度が透磁率の重要要因であることは
今まで全く報告されていない。これはめっき膜独特の現
象だとすれば成膜時に吸蔵された水素ガスの放出と関連
が深いと考えられる。しかし未だ解明には至っていな
い。
今まで全く報告されていない。これはめっき膜独特の現
象だとすれば成膜時に吸蔵された水素ガスの放出と関連
が深いと考えられる。しかし未だ解明には至っていな
い。
【００２０】熱処理最高温度は、３５０℃未満、好まし
くは３４０℃以下とする。熱処理温度が上記範囲以上で
あると粒子成長が激しくなり軟磁気特性が低下する。
くは３４０℃以下とする。熱処理温度が上記範囲以上で
あると粒子成長が激しくなり軟磁気特性が低下する。
【００２１】最高温度での保持時間は１０分〜１時間程
度で良い。本発明の熱処理ではサンプルが受けるトータ
ルの熱量は特に問題ではない。
度で良い。本発明の熱処理ではサンプルが受けるトータ
ルの熱量は特に問題ではない。
【００２２】降温速度も特に大きな要因ではなく自然冷
却で構わない。
却で構わない。
【００２３】この処理は通常知られているように磁性膜
の酸化を防止するために不活性雰囲気下または真空雰囲
気下で処理することが好ましい。不活性雰囲気としては
窒素、アルゴン、ヘリウム等が一般的である。
の酸化を防止するために不活性雰囲気下または真空雰囲
気下で処理することが好ましい。不活性雰囲気としては
窒素、アルゴン、ヘリウム等が一般的である。
【００２４】また膜中の鉄／コバルト比により磁歪が変
化するがほぼゼロ付近となるように浴組成を調整するこ
とが好ましい。一般に熱処理により磁歪値は変化するた
め熱処理後の磁歪値を目標にすることとなる。
化するがほぼゼロ付近となるように浴組成を調整するこ
とが好ましい。一般に熱処理により磁歪値は変化するた
め熱処理後の磁歪値を目標にすることとなる。
【００２５】無電解めっき法による成膜では還元剤より
の共析でＢまたはＰが膜に０．１〜１０重量％含有され
る。特にアミンボラン系を還元剤とした場合に軟磁性化
が容易であり、粒子微細化に効果が大きいためと考えら
れる。電気めっき法においてもＢ、Ｐ化合物を浴に加え
る事でＰ、Ｂの共析は可能である。
の共析でＢまたはＰが膜に０．１〜１０重量％含有され
る。特にアミンボラン系を還元剤とした場合に軟磁性化
が容易であり、粒子微細化に効果が大きいためと考えら
れる。電気めっき法においてもＢ、Ｐ化合物を浴に加え
る事でＰ、Ｂの共析は可能である。
【００２６】なおさらに本発明の磁性合金にはＣ、Ｓ、
Ｃｒ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｉ
ｎ、Ｍｏ、Ｐｂ、Ｒｅ、Ｗ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｒｈ及びＰｔ
等から選択される１種以上の元素を３重量％以下含有す
ることで高周波特性の向上、耐食性向上等も期待され
る。またこれらの元素を不純物として微量含有すること
も特に支障は認められないので安価な試薬の使用による
コスト低減も可能である。
Ｃｒ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｉ
ｎ、Ｍｏ、Ｐｂ、Ｒｅ、Ｗ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｒｈ及びＰｔ
等から選択される１種以上の元素を３重量％以下含有す
ることで高周波特性の向上、耐食性向上等も期待され
る。またこれらの元素を不純物として微量含有すること
も特に支障は認められないので安価な試薬の使用による
コスト低減も可能である。
【００２７】但し、３重量％以上の含有の場合には磁気
特性に悪影響を及ぼしたりBsの低下を招く場合が多いの
で注意が必要である。なお、当然のことながら、本発明
の磁性薄膜はＣｏ及びＦｅを主成分としていることが必
須条件となっているので、この条件を満たすものであれ
ば、上記例示した元素以外に例えばＮｉを少量含有する
ものであってもよい。
特性に悪影響を及ぼしたりBsの低下を招く場合が多いの
で注意が必要である。なお、当然のことながら、本発明
の磁性薄膜はＣｏ及びＦｅを主成分としていることが必
須条件となっているので、この条件を満たすものであれ
ば、上記例示した元素以外に例えばＮｉを少量含有する
ものであってもよい。
【００２８】また磁気異方性を積極的に制御するために
磁場中処理が有効である。軟磁性薄膜の処理としては回
転磁場中や成膜時と直交磁界をかける直交磁場中熱処理
が知られており共に効果がある。
磁場中処理が有効である。軟磁性薄膜の処理としては回
転磁場中や成膜時と直交磁界をかける直交磁場中熱処理
が知られており共に効果がある。
【００２９】本発明の磁性薄膜は、優れた透磁率を有す
る。具体的には、５MHzにて２０００以上でこれはパー
マロイと同等である。
る。具体的には、５MHzにて２０００以上でこれはパー
マロイと同等である。
【００３０】本発明で特に好ましく用いるめっき膜は無
電解めっき法または電気めっき法により成膜される。
電解めっき法または電気めっき法により成膜される。
【００３１】めっき浴には、少なくともコバルトイオン
と鉄イオンとを含有するものである。本発明で用いるコ
バルトイオン、鉄イオン供給源としては硫酸塩、塩化
塩、スルファミン酸塩、酢酸塩、硝酸塩等の水溶性の塩
を用いるのが好ましい。あるいは金属をめっき浴中に浸
積させ自然溶解したイオンや陽極として電解により溶解
したイオンも有効に利用可能である。
と鉄イオンとを含有するものである。本発明で用いるコ
バルトイオン、鉄イオン供給源としては硫酸塩、塩化
塩、スルファミン酸塩、酢酸塩、硝酸塩等の水溶性の塩
を用いるのが好ましい。あるいは金属をめっき浴中に浸
積させ自然溶解したイオンや陽極として電解により溶解
したイオンも有効に利用可能である。
【００３２】コバルトイオンの濃度は０．０５〜５モル
／l、特に０．１〜２モル／lであることが好ましい。コ
バルトイオンの濃度が前記範囲未満であると析出速度の
低下が著しく、前記範囲を越えるとめっき浴の粘度が上
昇し一般には作業性や微細なレジストパターン内への成
膜が困難となる。
／l、特に０．１〜２モル／lであることが好ましい。コ
バルトイオンの濃度が前記範囲未満であると析出速度の
低下が著しく、前記範囲を越えるとめっき浴の粘度が上
昇し一般には作業性や微細なレジストパターン内への成
膜が困難となる。
【００３３】また、めっき浴中における鉄イオン濃度
は、０．００１〜１モル／lの範囲でより好ましくは
０．０１〜１モル／lである。コバルトイオンとの濃度
比が成膜される膜の組成を決定する大きな要因であるの
で、所望の膜組成が得られるように決定すれば良い。
は、０．００１〜１モル／lの範囲でより好ましくは
０．０１〜１モル／lである。コバルトイオンとの濃度
比が成膜される膜の組成を決定する大きな要因であるの
で、所望の膜組成が得られるように決定すれば良い。
【００３４】鉄イオンとしては２価鉄イオンが好まし
い。しかし２価鉄イオンは、酸化して３価鉄イオンにな
りやすい。３価鉄イオンは小量ならば問題ではなく、レ
ベリング性等に効果がある場合もある。また容易に２価
鉄イオンに還元することが可能であるし生成を防ぐこと
も容易である。
い。しかし２価鉄イオンは、酸化して３価鉄イオンにな
りやすい。３価鉄イオンは小量ならば問題ではなく、レ
ベリング性等に効果がある場合もある。また容易に２価
鉄イオンに還元することが可能であるし生成を防ぐこと
も容易である。
【００３５】還元方法としてはアスコルビン酸、次亜り
ん酸、ジメチルアミンボラン、チオ尿素あるいはそれら
の塩、誘導体のような還元剤の添加やＣｏ、Ｆｅの金属
をめっき浴に浸積し自然溶解する際の副反応を利用する
ことが一般的に知られている。
ん酸、ジメチルアミンボラン、チオ尿素あるいはそれら
の塩、誘導体のような還元剤の添加やＣｏ、Ｆｅの金属
をめっき浴に浸積し自然溶解する際の副反応を利用する
ことが一般的に知られている。
【００３６】また電気めっき法の場合には浴のｐＨは
１．０〜４．０で特に２．０〜３．０が好ましい。上記
範囲以下では成膜速度が遅く、前記範囲以上では三価鉄
の沈澱が生じ易い。 めっき浴中には、これらの他、ほ
う酸等のｐＨ緩衝剤、硫酸アンモニウムや塩化アンモニ
ウム等の導電塩、ラウリル硫酸ナトリウム等の界面活性
剤等、通常の電気めっき浴に添加される成分が含有され
ることが好ましい。
１．０〜４．０で特に２．０〜３．０が好ましい。上記
範囲以下では成膜速度が遅く、前記範囲以上では三価鉄
の沈澱が生じ易い。 めっき浴中には、これらの他、ほ
う酸等のｐＨ緩衝剤、硫酸アンモニウムや塩化アンモニ
ウム等の導電塩、ラウリル硫酸ナトリウム等の界面活性
剤等、通常の電気めっき浴に添加される成分が含有され
ることが好ましい。
【００３７】無電解めっき法の場合には還元剤が加えら
れる。還元剤としては次亜りん酸、その塩、ジメチルア
ミンボラン（ＤＭＡＢ）、トリメチルアミンボラン、ヒ
ドラジン等が広く知られている。特にＤＭＡＢが好まし
い。ＤＭＡＢ浴の場合には浴のｐＨは９程度が好まし
い。
れる。還元剤としては次亜りん酸、その塩、ジメチルア
ミンボラン（ＤＭＡＢ）、トリメチルアミンボラン、ヒ
ドラジン等が広く知られている。特にＤＭＡＢが好まし
い。ＤＭＡＢ浴の場合には浴のｐＨは９程度が好まし
い。
【００３８】また特に軟磁気特性を得るためにはめっき
浴中にアンモニウムイオン特に塩化アンモニウムを含有
していることが好ましい。しかしながらその原因は不明
である。
浴中にアンモニウムイオン特に塩化アンモニウムを含有
していることが好ましい。しかしながらその原因は不明
である。
【００３９】目的の方向に一軸異方性を付与するために
直流磁場中、直交磁場中、回転磁場中成膜をおこなうこ
とが好ましい。直交磁場中、回転磁場中成膜の場合には
９０度ごとに強い磁場を印加するか長時間保持する等で
異方性を付与する。
直流磁場中、直交磁場中、回転磁場中成膜をおこなうこ
とが好ましい。直交磁場中、回転磁場中成膜の場合には
９０度ごとに強い磁場を印加するか長時間保持する等で
異方性を付与する。
【００４０】また優れた磁気特性を得るのにめっき浴は
連続フィルタリングにより浴中の微粒子や水酸化物を取
り除くことが必要である。ろ過の程度としてはめっき浴
の容量をＶリットルとすると、ろ過流量としてＶ×０．
１リットル／分以上が望ましい。フィルターメッシュは
用途によるが特に微細なレジストパターン内へ成膜の場
合には０．２μm以下が好ましい。
連続フィルタリングにより浴中の微粒子や水酸化物を取
り除くことが必要である。ろ過の程度としてはめっき浴
の容量をＶリットルとすると、ろ過流量としてＶ×０．
１リットル／分以上が望ましい。フィルターメッシュは
用途によるが特に微細なレジストパターン内へ成膜の場
合には０．２μm以下が好ましい。
【００４１】陽極は微粒子除去の観点からは不溶解性の
ＴｉＰｔ、フェライト電極が好ましい。しかし、陽極に
おいて酸化反応が起こるのでたとえばイオン交換膜によ
り陰極部と分離することが望ましい。
ＴｉＰｔ、フェライト電極が好ましい。しかし、陽極に
おいて酸化反応が起こるのでたとえばイオン交換膜によ
り陰極部と分離することが望ましい。
【００４２】本発明のめっき浴の溶媒としては通常の水
のほかに非水系溶媒、たとえばメチルアルコール、エチ
ルアルコール、プロピレンカーバイドや溶融塩等も使用
可能である。
のほかに非水系溶媒、たとえばメチルアルコール、エチ
ルアルコール、プロピレンカーバイドや溶融塩等も使用
可能である。
【００４３】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００４４】実施例１ コーニング社製製品番号７０５９のガラス上にスパッタ
法によりチタンを５０A、さらに銅を５００A成膜した基
板を使用した。めっき前処理として１Ｎ−塩酸（常温）
に３０秒浸積し水洗した後、以下のめっき条件にて磁性
膜を下記めっき浴を用いて、下記表１に示す無電解めっ
きサンプルを作製した。
法によりチタンを５０A、さらに銅を５００A成膜した基
板を使用した。めっき前処理として１Ｎ−塩酸（常温）
に３０秒浸積し水洗した後、以下のめっき条件にて磁性
膜を下記めっき浴を用いて、下記表１に示す無電解めっ
きサンプルを作製した。
【００４５】無電解めっき浴組成（１リットル中） 硫酸コバルト ０．１モル 硫酸鉄（II） ０．００２５モル 硫酸アンモニウム ０．３０モル ジメチルアミンボラン ０．０２５モル 酒石酸 ０．６０モル めっき浴温度は７０℃、めっき浴のｐＨは９．０、でめ
っき時間は約１０分間とし、６００ Oeの直流磁界を印
加した。
っき時間は約１０分間とし、６００ Oeの直流磁界を印
加した。
【００４６】サンプルの厚さは、１μmとした。サンプ
ルの組成は蛍光Ｘ線分析装置、ＩＣＰを用い分析したと
ころＣｏ＝９１at％、Ｆｅ＝５．１at％、Ｂ＝３．９at
％であった。飽和磁束密度Bsは１５２０emu／cc、保磁
力Hc＝０．５Oeであった。
ルの組成は蛍光Ｘ線分析装置、ＩＣＰを用い分析したと
ころＣｏ＝９１at％、Ｆｅ＝５．１at％、Ｂ＝３．９at
％であった。飽和磁束密度Bsは１５２０emu／cc、保磁
力Hc＝０．５Oeであった。
【００４７】各サンプルに対し、表１に示す条件にて熱
処理後に透磁率測定を行った。結果を表１に示す。熱処
理は窒素雰囲気中で成膜時と直交する面内方向に磁場を
与える直交磁場中である。最高温度での保持時間は２０
分間、降温は自然冷却とした。
処理後に透磁率測定を行った。結果を表１に示す。熱処
理は窒素雰囲気中で成膜時と直交する面内方向に磁場を
与える直交磁場中である。最高温度での保持時間は２０
分間、降温は自然冷却とした。
【００４８】
【表１】
【００４９】（飽和磁束密度Bs） ＶＳＭにより測定し
た。
た。
【００５０】（透磁率） ８の字コイル型透磁率計を用
い５MHz、３mOe磁界で測定した。
い５MHz、３mOe磁界で測定した。
【００５１】（保磁力Hc） ６０Hz−ＢＨトレーサーに
より測定した。
より測定した。
【００５２】実施例２ コーニング社製製品番号７０５９のガラス上にスパッタ
法によりチタンを５０A、さらにパーマロイを５００A成
膜した基板を使用した。めっき前処理として実施例１と
同じ条件の処理の後、以下の電気めっき条件にて磁性膜
を成膜した。
法によりチタンを５０A、さらにパーマロイを５００A成
膜した基板を使用した。めっき前処理として実施例１と
同じ条件の処理の後、以下の電気めっき条件にて磁性膜
を成膜した。
【００５３】電気めっき浴組成（１リットル中） スルファミンコバルト ０．２モル スルファミン鉄（II） ０．０１モル 塩化アンモニウム １０g ほう酸 ４０g １、３、６−ナフタレントリスルホン酸トリナトリウム
６０g プロパギルアルコール ０．０５ml めっき浴温度は４０℃、めっき浴のｐＨは２．８、電流
密度は１A／dm2、めっき時間は５分間とし、６００Oeの
直流磁界を印加しながら電気めっきを行った。
６０g プロパギルアルコール ０．０５ml めっき浴温度は４０℃、めっき浴のｐＨは２．８、電流
密度は１A／dm2、めっき時間は５分間とし、６００Oeの
直流磁界を印加しながら電気めっきを行った。
【００５４】サンプルの厚さは、１μmとした。サンプ
ルの組成は蛍光Ｘ線分析装置、ＩＣＰを用い分析したと
ころＣｏ＝９６wt％、Ｆｅ＝４wt％であった。飽和磁束
密度Bsは１．６T、保磁力Hc＝０．５Oeであった。
ルの組成は蛍光Ｘ線分析装置、ＩＣＰを用い分析したと
ころＣｏ＝９６wt％、Ｆｅ＝４wt％であった。飽和磁束
密度Bsは１．６T、保磁力Hc＝０．５Oeであった。
【００５５】各サンプルに対し、表２に示す条件にて熱
処理後に透磁率測定を行った。結果を表２に示す。熱処
理は真空中で６０ｒｐｍの回転磁場中である。最高温度
保持時間は３０分間、降温は自然冷却とした。
処理後に透磁率測定を行った。結果を表２に示す。熱処
理は真空中で６０ｒｐｍの回転磁場中である。最高温度
保持時間は３０分間、降温は自然冷却とした。
【００５６】
【表２】
【００５７】以上の実施例の結果から、本発明の効果が
明らかである。すなわち、本発明によれば、高透磁率磁
性薄膜が容易に得られる。
明らかである。すなわち、本発明によれば、高透磁率磁
性薄膜が容易に得られる。
【００５８】本発明によれば、透磁率２０００以上とい
う高透磁率磁性薄膜が容易に得られる。しかもめっき法
のために高い生産性が得られる。
う高透磁率磁性薄膜が容易に得られる。しかもめっき法
のために高い生産性が得られる。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−99303（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−62806（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−109710（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01F 10/00 - 10/32 H01F 41/14 - 41/34
Claims (3)
- 【請求項１】 ＣｏおよびＦｅを主成分としためっき膜
を１℃／分乃至７．５℃／分の昇温速度にて、３５０℃
以下の真空又は不活性雰囲気下加熱処理を行うことを特
徴とする磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記めっき膜の形成は、無電解めっき法
によることを特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 上記熱処理が直流磁界中または回転磁場
中で行われることを特徴とする請求項１又は請求項２に
記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17870192A JP3298930B2 (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 磁性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17870192A JP3298930B2 (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 磁性薄膜の製造方法 |
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-
1992
- 1992-07-06 JP JP17870192A patent/JP3298930B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
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