JP2003034891A - コバルト鉄系合金およびコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法、並びに４成分系合金およびコバルト鉄モリブデン合金めっき磁性薄膜の製造方法 - Google Patents
コバルト鉄系合金およびコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法、並びに４成分系合金およびコバルト鉄モリブデン合金めっき磁性薄膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気特性を向上可能なコバルト鉄系合金およ
び４成分系合金並びにコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜
およびコバルト鉄モリブデン合金めっき磁性薄膜の製造
方法を提供する。 【解決手段】 例えば、Ｃｏ100-a-b Ｆｅa Ｍb （ａお
よびｂは、０＜ａ≦１００，０≦ｂ＜１００をそれぞれ
満たす範囲内の質量比であり、Ｍはコバルトおよび鉄以
外の１種以上の元素を表す。）を有する合金を含んでお
り、飽和磁化が２Ｔ以上、容易軸保磁力が１３×１０3
／（４π）Ａ／ｍ以下となっている。このようなコバル
ト鉄系合金磁性めっき薄膜は、例えば、直流電流，パル
ス電流，両極性パルス電流，パルス調整電流またはこれ
らを組み合わせためっき電流を印加するめっき処理を用
いて製造される。
び４成分系合金並びにコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜
およびコバルト鉄モリブデン合金めっき磁性薄膜の製造
方法を提供する。 【解決手段】 例えば、Ｃｏ100-a-b Ｆｅa Ｍb （ａお
よびｂは、０＜ａ≦１００，０≦ｂ＜１００をそれぞれ
満たす範囲内の質量比であり、Ｍはコバルトおよび鉄以
外の１種以上の元素を表す。）を有する合金を含んでお
り、飽和磁化が２Ｔ以上、容易軸保磁力が１３×１０3
／（４π）Ａ／ｍ以下となっている。このようなコバル
ト鉄系合金磁性めっき薄膜は、例えば、直流電流，パル
ス電流，両極性パルス電流，パルス調整電流またはこれ
らを組み合わせためっき電流を印加するめっき処理を用
いて製造される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コバルト鉄系合金
およびコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法、並
びに４成分系合金およびコバルト鉄モリブデン合金めっ
き磁性薄膜の製造方法に係り、特に高密度記録が可能な
磁気記録ヘッドを作製する際に用いられるコバルト鉄系
合金およびコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方
法、並びに４成分系合金およびコバルト鉄モリブデン合
金めっき磁性薄膜の製造方法に関する。
およびコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法、並
びに４成分系合金およびコバルト鉄モリブデン合金めっ
き磁性薄膜の製造方法に係り、特に高密度記録が可能な
磁気記録ヘッドを作製する際に用いられるコバルト鉄系
合金およびコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方
法、並びに４成分系合金およびコバルト鉄モリブデン合
金めっき磁性薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】記録媒体の記録密度は、２００３年まで
に約１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 に到達すると見込まれてい
る。そこで、磁気記録ヘッドは、約１００Ｇｂｉｔ／ｉ
ｎ2 の高記録密度で記録媒体に記録可能でなければなら
ない。そのような記録媒体に記録する際に必要とされる
高保磁力を得るには、記録ヘッドを形成する際、高飽和
磁化および低保磁力を有する材料が必要であると考えら
れている。なお、高保磁力は、狭いトラック幅を必要と
する高記録分解能並びに記録密度と結びつけて考えられ
るものである。
に約１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 に到達すると見込まれてい
る。そこで、磁気記録ヘッドは、約１００Ｇｂｉｔ／ｉ
ｎ2 の高記録密度で記録媒体に記録可能でなければなら
ない。そのような記録媒体に記録する際に必要とされる
高保磁力を得るには、記録ヘッドを形成する際、高飽和
磁化および低保磁力を有する材料が必要であると考えら
れている。なお、高保磁力は、狭いトラック幅を必要と
する高記録分解能並びに記録密度と結びつけて考えられ
るものである。
【０００３】最近の記録ヘッドは、薄膜磁気ヘッドが主
流であるので、約２Ｔ（テスラ）以上の飽和磁化および
約１３×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下の保磁力を有する
薄膜を形成する方法を見つける必要がある。そのような
優れた磁気特性を有する材料はすでに広く研究されてい
る。
流であるので、約２Ｔ（テスラ）以上の飽和磁化および
約１３×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下の保磁力を有する
薄膜を形成する方法を見つける必要がある。そのような
優れた磁気特性を有する材料はすでに広く研究されてい
る。
【０００４】Osaka らは、定電流電析法により形成した
コバルト−ニッケル−鉄（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ）三元合金
を主成分として含有し、かつ微量の硫黄（Ｓ）を含有し
た低保磁力を有する磁性膜（軟磁性膜）を提案している
（米国特許第６０６３５１２号公報参照）。その磁性膜
によれば、約１．５Ｔ以上２．０Ｔ以下の飽和磁化Ｂｓ
および約５０×１０3 ／（４π）Ａ／ｍよりも低い保磁
力が得られると報告されている。更に、Osaka らは、体
心立方構造の結晶と面心立方構造の結晶との混晶である
コバルト−鉄−ニッケル（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ）三元合金
組成を有し、高磁気モーメントおよび低保磁力を有する
軟磁性膜を提案している。その磁性膜によれば、約１．
９Ｔ〜２．２Ｔの範囲内の飽和磁化Ｂｓおよび約２．５
×１０3／（４π）Ａ／ｍ以下の保磁力Ｈｃが得られ
る。しかし、Osaka らによって提案された軟磁性膜は低
保磁力を有しているものの、飽和磁化については本発明
で想定している高密度記録媒体に用いるには最低限の値
である。
コバルト−ニッケル−鉄（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ）三元合金
を主成分として含有し、かつ微量の硫黄（Ｓ）を含有し
た低保磁力を有する磁性膜（軟磁性膜）を提案している
（米国特許第６０６３５１２号公報参照）。その磁性膜
によれば、約１．５Ｔ以上２．０Ｔ以下の飽和磁化Ｂｓ
および約５０×１０3 ／（４π）Ａ／ｍよりも低い保磁
力が得られると報告されている。更に、Osaka らは、体
心立方構造の結晶と面心立方構造の結晶との混晶である
コバルト−鉄−ニッケル（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ）三元合金
組成を有し、高磁気モーメントおよび低保磁力を有する
軟磁性膜を提案している。その磁性膜によれば、約１．
９Ｔ〜２．２Ｔの範囲内の飽和磁化Ｂｓおよび約２．５
×１０3／（４π）Ａ／ｍ以下の保磁力Ｈｃが得られ
る。しかし、Osaka らによって提案された軟磁性膜は低
保磁力を有しているものの、飽和磁化については本発明
で想定している高密度記録媒体に用いるには最低限の値
である。
【０００５】他にも磁性膜を形成する方法が提案されて
いるが、いずれの方法においても磁化に関して十分な値
が得られていない。
いるが、いずれの方法においても磁化に関して十分な値
が得られていない。
【０００６】例えば、Hasegawaにより提案されたコバル
ト−Ｍ−Ｔ−Ｃ組成（ＴはＦｅ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｐｄより
選択された１種または２種類以上の元素であり、ＭはＴ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗより選択さ
れた１種または２種以上の元素である）を有する軟磁性
膜は、比抵抗および磁歪特性については優れているが、
飽和磁化は約１．４Ｔである（米国特許第６１２４０４
７号公報参照）。
ト−Ｍ−Ｔ−Ｃ組成（ＴはＦｅ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｐｄより
選択された１種または２種類以上の元素であり、ＭはＴ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗより選択さ
れた１種または２種以上の元素である）を有する軟磁性
膜は、比抵抗および磁歪特性については優れているが、
飽和磁化は約１．４Ｔである（米国特許第６１２４０４
７号公報参照）。
【０００７】また、Suzukiらにより提案された方法、具
体的には、絶縁材料よりなるコロイド微粒子が分散され
ると共に、鉄イオン，ニッケルイオンおよびコバルトイ
オンを含むめっき槽内で磁性薄膜を製造する方法（米国
特許第５９３５４０３号公報参照）により形成された薄
膜も、飽和磁化は約１．５Ｔ以上１．８Ｔ以下と、本発
明で想定している高密度記録には不十分な値である。
体的には、絶縁材料よりなるコロイド微粒子が分散され
ると共に、鉄イオン，ニッケルイオンおよびコバルトイ
オンを含むめっき槽内で磁性薄膜を製造する方法（米国
特許第５９３５４０３号公報参照）により形成された薄
膜も、飽和磁化は約１．５Ｔ以上１．８Ｔ以下と、本発
明で想定している高密度記録には不十分な値である。
【０００８】一方、Bozorthは、約２．４３Ｔの最大飽
和モーメントを有するＦｅ2 Ｃｏ合金について述べてい
るが（“Ferromagnetism" , R. M. Bozorth, IEEE pres
s, New York, N. Y. 1978, p. 190参照）、その合金
は、磁気記録ヘッドを形成するには不適切な従来通りの
溶融バルクおよび高温熱処理により製造されている。Yu
nらによれば、その合金は記録ヘッドに適用するのに満
足な高保磁力も有していない（“Magnetic Properties
of RF Diode Sputtered CoxFe100-x Alloy ThinFilms"
IEEE Trans. On Magnetics, 32(5), 9/1996, p45353参
照）とのことである。
和モーメントを有するＦｅ2 Ｃｏ合金について述べてい
るが（“Ferromagnetism" , R. M. Bozorth, IEEE pres
s, New York, N. Y. 1978, p. 190参照）、その合金
は、磁気記録ヘッドを形成するには不適切な従来通りの
溶融バルクおよび高温熱処理により製造されている。Yu
nらによれば、その合金は記録ヘッドに適用するのに満
足な高保磁力も有していない（“Magnetic Properties
of RF Diode Sputtered CoxFe100-x Alloy ThinFilms"
IEEE Trans. On Magnetics, 32(5), 9/1996, p45353参
照）とのことである。
【０００９】ところで、優れた磁気特性を得る方法とし
ては、磁性膜を形成する際に、特殊な電析法を用いるこ
とが挙げられる。
ては、磁性膜を形成する際に、特殊な電析法を用いるこ
とが挙げられる。
【００１０】例えば、Asaiらは、電解液内において電流
の方向を交互に変化させることにより、複数の層が連続
して積層された軟磁性多層膜を形成する電解めっきプロ
セスを教示している（米国特許第５４８９４８８号公報
参照）。
の方向を交互に変化させることにより、複数の層が連続
して積層された軟磁性多層膜を形成する電解めっきプロ
セスを教示している（米国特許第５４８９４８８号公報
参照）。
【００１１】また、Liaoらは、ピットを除去するために
応力除去因子として機能するナトリウムサッカリン、ｐ
Ｈ緩衝剤として機能するホウ酸、および界面活性剤とし
て機能するドデシル硫酸ナトリウムを含む低毒性バスを
用いた電解めっき法を教示している（米国特許第４７５
６８１６号公報参照）。
応力除去因子として機能するナトリウムサッカリン、ｐ
Ｈ緩衝剤として機能するホウ酸、および界面活性剤とし
て機能するドデシル硫酸ナトリウムを含む低毒性バスを
用いた電解めっき法を教示している（米国特許第４７５
６８１６号公報参照）。
【００１２】また、膜の保磁力を低下させる方法として
は、結晶粒微細化を助長することが挙げられる。一般
に、結晶粒微細化は電析の間に核生成を助長したり、粒
成長を遅らせることによって達成される。例えば、混合
組織を有する材料を析出させる場合、組織間での競争に
より核生成が促進されるため、多くの粒が生成される一
方、その粒は小さくなる。なお、上述したOsaka らによ
り開示された、体心立方構造と面心立方構造との混合体
であるコバルト−鉄−ニッケル合金は、複合的な組織に
することにより粒成長を減少させた一例である。複合・
共存組織はモリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），タン
グステン（Ｗ）およびロジウム（Ｒｈ）のような希少元
素の添加によって形成することができる。図８は、モリ
ブデンが原子量で約５％存在しているコバルト−鉄−モ
リブデン合金の平衡状態図を表すものである。この図８
から分かるように、少量のモリブデンはα型，γ型，θ
型組織を形成している。
は、結晶粒微細化を助長することが挙げられる。一般
に、結晶粒微細化は電析の間に核生成を助長したり、粒
成長を遅らせることによって達成される。例えば、混合
組織を有する材料を析出させる場合、組織間での競争に
より核生成が促進されるため、多くの粒が生成される一
方、その粒は小さくなる。なお、上述したOsaka らによ
り開示された、体心立方構造と面心立方構造との混合体
であるコバルト−鉄−ニッケル合金は、複合的な組織に
することにより粒成長を減少させた一例である。複合・
共存組織はモリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），タン
グステン（Ｗ）およびロジウム（Ｒｈ）のような希少元
素の添加によって形成することができる。図８は、モリ
ブデンが原子量で約５％存在しているコバルト−鉄−モ
リブデン合金の平衡状態図を表すものである。この図８
から分かるように、少量のモリブデンはα型，γ型，θ
型組織を形成している。
【００１３】粒径を減少させる他の方法としては、材料
に金属酸化物を分散させることが挙げられる。金属酸化
物は粒成長を抑制し、それにより電析の間の核生成を助
長する。図９は、アノード電位が０．２Ｖよりも高く、
かつ水素イオン濃度（ｐＨ）が４以下の場合に、酸化モ
リブデン（ＶＩ）（ＭｏＯ3 ）が３価の金属イオン（Ｍ
3+）を含有する水溶液から析出することを示している。
図９は、また、モリブデンは、カソード電位でもわずか
に酸化されて酸化モリブデン（ＶＩ）（ＭｏＯ 2 ）にな
ることも示している。酸化モリブデン（ＩＶ）は、更
に、酸性環境下、かつアノード電位において酸化して酸
化モリブデン（ＶＩ）にすることができる。
に金属酸化物を分散させることが挙げられる。金属酸化
物は粒成長を抑制し、それにより電析の間の核生成を助
長する。図９は、アノード電位が０．２Ｖよりも高く、
かつ水素イオン濃度（ｐＨ）が４以下の場合に、酸化モ
リブデン（ＶＩ）（ＭｏＯ3 ）が３価の金属イオン（Ｍ
3+）を含有する水溶液から析出することを示している。
図９は、また、モリブデンは、カソード電位でもわずか
に酸化されて酸化モリブデン（ＶＩ）（ＭｏＯ 2 ）にな
ることも示している。酸化モリブデン（ＩＶ）は、更
に、酸性環境下、かつアノード電位において酸化して酸
化モリブデン（ＶＩ）にすることができる。
【００１４】なお、電解めっきは、合金磁性薄膜を形成
するのに効果的な方法である。コバルト，鉄，ニッケ
ル，モリブデン，クロム，タングステンおよびロジウム
は、カソード電位を用いてそれらの塩の水溶液から容易
に共析させることができ、その合金組成は、溶液濃度お
よび電流密度により容易に調整することができるからで
ある。例えば、溶液における元素濃度が高いと、合金に
おける元素濃度も高くなる。また、電流密度を高くする
と還元電位も高くなり、それにより元素が還元される。
するのに効果的な方法である。コバルト，鉄，ニッケ
ル，モリブデン，クロム，タングステンおよびロジウム
は、カソード電位を用いてそれらの塩の水溶液から容易
に共析させることができ、その合金組成は、溶液濃度お
よび電流密度により容易に調整することができるからで
ある。例えば、溶液における元素濃度が高いと、合金に
おける元素濃度も高くなる。また、電流密度を高くする
と還元電位も高くなり、それにより元素が還元される。
【００１５】また、電解めっきが、合金磁性薄膜を形成
する効果的な方法である理由として、めっきのパラメー
タを調整することにより、合金膜の機械的および磁気的
特性の一部を細かく調整することができることも挙げら
れる。例えば、サッカリンを添加すると、膜（上述の米
国特許第４７５６８１６号公報参照）の応力が低減する
ことが知られている。パルスめっきおよび両極性パルス
めっきによれば、直流めっき以上の電位効果を得ること
ができる。その効果のうちの１つは、粒成長を抑制する
ことにより粒径を低減させて保磁力を低下させることで
ある。もう１つの効果は、ミクロ的な均一性を改良する
ことである。電流のアノード周期は金属イオンが補充さ
れることを可能にし、膜のトポグラフィにおける金属濃
度を均一にする。これは、特に、磁気記録ヘッドの要素
である上部磁極片にめっきする場合のように、高アスペ
クト比の溝内に膜を析出させてめっきするときに効果が
ある。
する効果的な方法である理由として、めっきのパラメー
タを調整することにより、合金膜の機械的および磁気的
特性の一部を細かく調整することができることも挙げら
れる。例えば、サッカリンを添加すると、膜（上述の米
国特許第４７５６８１６号公報参照）の応力が低減する
ことが知られている。パルスめっきおよび両極性パルス
めっきによれば、直流めっき以上の電位効果を得ること
ができる。その効果のうちの１つは、粒成長を抑制する
ことにより粒径を低減させて保磁力を低下させることで
ある。もう１つの効果は、ミクロ的な均一性を改良する
ことである。電流のアノード周期は金属イオンが補充さ
れることを可能にし、膜のトポグラフィにおける金属濃
度を均一にする。これは、特に、磁気記録ヘッドの要素
である上部磁極片にめっきする場合のように、高アスペ
クト比の溝内に膜を析出させてめっきするときに効果が
ある。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】このように磁気特性を
改善する種々の方法が提案されているものの、未だ十分
な磁気特性は得られていない。
改善する種々の方法が提案されているものの、未だ十分
な磁気特性は得られていない。
【００１７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁気特性を向上可能なコバルト鉄系
合金およびコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方
法、並びに４成分系合金およびコバルト鉄モリブデン合
金磁性薄膜の製造方法を提供することにある。
ので、その目的は、磁気特性を向上可能なコバルト鉄系
合金およびコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方
法、並びに４成分系合金およびコバルト鉄モリブデン合
金磁性薄膜の製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明によるコバルト鉄
系合金めっき磁性薄膜の製造方法は、コバルト（Ｃｏ）
と鉄（Ｆｅ）と他の元素（Ｍ）とを含み、飽和磁化が２
Ｔ以上、かつ容易軸保磁力が１３×１０3 ／（４π）Ａ
／ｍ以下のコバルト鉄系合金（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍ）めっき
磁性薄膜を製造する方法であって、１Ｈｚのパドル速度
を有すると共に電界めっき溶液を含むパドルセルに、め
っき処理がされる基体を浸漬する工程を含み、電界めっ
き溶液として、（ａ）水素イオン濃度（ｐＨ）が２以上
４以下の範囲内であり、（ｂ）コバルトイオン、鉄イオ
ンおよび他の元素イオンを提供可能な溶解塩を含み、
（ｃ）ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）あるいはア
ンモニウムのそれぞれの塩化物、硫酸塩、酢酸塩、クエ
ン酸塩、酒石酸塩あるいはスルファミン酸塩を含む群の
うちのいずれかよりなる支持塩を含み、（ｄ）めっき電
流を発生させるために０．１Ｔの磁界が印加されるもの
を用いるようにしたものである。
系合金めっき磁性薄膜の製造方法は、コバルト（Ｃｏ）
と鉄（Ｆｅ）と他の元素（Ｍ）とを含み、飽和磁化が２
Ｔ以上、かつ容易軸保磁力が１３×１０3 ／（４π）Ａ
／ｍ以下のコバルト鉄系合金（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍ）めっき
磁性薄膜を製造する方法であって、１Ｈｚのパドル速度
を有すると共に電界めっき溶液を含むパドルセルに、め
っき処理がされる基体を浸漬する工程を含み、電界めっ
き溶液として、（ａ）水素イオン濃度（ｐＨ）が２以上
４以下の範囲内であり、（ｂ）コバルトイオン、鉄イオ
ンおよび他の元素イオンを提供可能な溶解塩を含み、
（ｃ）ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）あるいはア
ンモニウムのそれぞれの塩化物、硫酸塩、酢酸塩、クエ
ン酸塩、酒石酸塩あるいはスルファミン酸塩を含む群の
うちのいずれかよりなる支持塩を含み、（ｄ）めっき電
流を発生させるために０．１Ｔの磁界が印加されるもの
を用いるようにしたものである。
【００１９】本発明の第１の観点に係るコバルト鉄系合
金は、コバルト（Ｃｏ）と鉄（Ｆｅ）と他の元素（Ｍ）
とを含み、飽和磁化が２Ｔ以上、かつ容易軸保磁力が１
３×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下のコバルト鉄系合金
（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍ）であって、主成分として化５に示し
た一般組成式を有する合金を含むものである。
金は、コバルト（Ｃｏ）と鉄（Ｆｅ）と他の元素（Ｍ）
とを含み、飽和磁化が２Ｔ以上、かつ容易軸保磁力が１
３×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下のコバルト鉄系合金
（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍ）であって、主成分として化５に示し
た一般組成式を有する合金を含むものである。
【００２０】
【化５】Ｃｏ100-a-bＦｅa Ｍb
（式中、ａおよびｂは、５０≦ａ≦８０，０≦ｂ≦１０
をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはモリブデ
ン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），タングステン（Ｗ），ニ
ッケル（Ｎｉ）およびロジウム（Ｒｈ）からなる群のう
ちの少なくとも１種を表す。）
をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはモリブデ
ン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），タングステン（Ｗ），ニ
ッケル（Ｎｉ）およびロジウム（Ｒｈ）からなる群のう
ちの少なくとも１種を表す。）
【００２１】本発明の第２の観点に係るコバルト鉄系合
金は、コバルト（Ｃｏ）と鉄（Ｆｅ）と他の元素（Ｍ）
とを含み、飽和磁化が２Ｔ以上、かつ容易軸保磁力が１
３×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下のコバルト鉄系合金
（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍ）であって、主成分として化６に示し
た一般組成式を有する合金を含むものである。
金は、コバルト（Ｃｏ）と鉄（Ｆｅ）と他の元素（Ｍ）
とを含み、飽和磁化が２Ｔ以上、かつ容易軸保磁力が１
３×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下のコバルト鉄系合金
（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍ）であって、主成分として化６に示し
た一般組成式を有する合金を含むものである。
【００２２】
【化６】Ｃｏ100-a-bＦｅa Ｍb
（式中、ａおよびｂは、５７≦ａ≦７４，１．５≦ｂ≦
３をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはモリブ
デン，クロム，タングステン，ニッケルおよびロジウム
からなる群のうちの少なくとも１種を表す。）
３をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはモリブ
デン，クロム，タングステン，ニッケルおよびロジウム
からなる群のうちの少なくとも１種を表す。）
【００２３】本発明の第３の観点に係るコバルト鉄系合
金は、コバルト（Ｃｏ）と鉄（Ｆｅ）と他の元素（Ｍ）
とを含み、飽和磁化が２Ｔ以上、かつ容易軸保磁力が１
３×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下のコバルト鉄系合金
（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍ）であって、化７に示した一般組成式
を有する合金を含むものである。
金は、コバルト（Ｃｏ）と鉄（Ｆｅ）と他の元素（Ｍ）
とを含み、飽和磁化が２Ｔ以上、かつ容易軸保磁力が１
３×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下のコバルト鉄系合金
（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍ）であって、化７に示した一般組成式
を有する合金を含むものである。
【００２４】
【化７】Ｃｏ100-a-bＦｅa Ｍb
（式中、ａおよびｂは、６３≦ａ≦６７，０≦ｂ≦０．
５をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはモリブ
デン，クロム，タングステン，ニッケルおよびロジウム
からなる群のうちの少なくとも１種を表す。）
５をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはモリブ
デン，クロム，タングステン，ニッケルおよびロジウム
からなる群のうちの少なくとも１種を表す。）
【００２５】本発明による４成分系合金は、主成分とし
てＣｏＦｅ67Ｎｉ2 Ｍｏ3 を含むものである。
てＣｏＦｅ67Ｎｉ2 Ｍｏ3 を含むものである。
【００２６】本発明によるコバルト鉄モリブデン合金め
っき磁性薄膜の製造方法は、モリブデン（Ｍｏ）の酸化
物を含み、厚みが０．７μｍ以上１．３μｍ以下、飽和
磁化が２Ｔ以上、容易軸保持力が１３×１０3 ／（４
π）Ａ／ｍ以下のコバルト鉄モリブデン合金めっき磁性
薄膜を製造する方法であって、酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）よりなる下地めっきと、厚みが０．０７μｍ以
上０．１μｍ以下であり、ニッケル鉄合金、コバルトニ
ッケル鉄合金、銅または金がスパッタ形成されてなる下
地層とが設けられたアルミナチタンカーバイト（ＡｌＴ
ｉＣ）よりなる基体を用いて、１Ｈｚのパドル速度を有
すると共に電界めっき溶液を含むパドルセルに前記基体
を浸漬する工程と、電流密度が１５ｍＡ／ｃｍ2 、通電
時間が１ｓのカソードパルスと、電流密度が１５ｍＡ／
ｃｍ2 、通電時間が１０ｍｓのアノードパルスとが連続
してなる両極性パルス電流をめっき電流として供給する
工程とを含み、電界めっき溶液として、（ａ）水素イオ
ン濃度（ｐＨ）が２以上４以下であり、（ｂ）１５ｇ／
ｄｍ3 以上３０ｇ／ｄｍ3 以下の硫酸コバルト（ＣｏＳ
Ｏ4 ・7 Ｈ2 Ｏ）と、（ｃ）８ｇ／ｄｍ3 以上５０ｇ／
ｄｍ3 以下の硫酸鉄（ＦｅＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ）と、
（ｄ）１２ｇ／ｄｍ3 以上２０ｇ／ｄｍ3 以下の塩化ア
ンモニウム（ＮＨ4 Ｃｌ）と、（ｅ）２０ｇ／ｄｍ3 以
上２５ｇ／ｄｍ3 以下のホウ酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）と、
（ｆ）０．５ｇ／ｄｍ3 未満のモリブデン酸ナトリウム
（ＮａＭｏＯ4 ・２Ｈ2 Ｏ）と、（ｇ）０．５ｇ／ｄｍ
3 のサッカリン（Ｃ7 Ｈ5 ＮＯ3 Ｓ）と、（ｈ）０．１
ｇ／ｄｍ3 のドデシル硫酸ナトリウム（Ｃ 12Ｈ25ＮａＯ
4 Ｓ）とを含み、（ｉ）０．１Ｔの磁界が印加されるも
のを用いるようにしたものである。
っき磁性薄膜の製造方法は、モリブデン（Ｍｏ）の酸化
物を含み、厚みが０．７μｍ以上１．３μｍ以下、飽和
磁化が２Ｔ以上、容易軸保持力が１３×１０3 ／（４
π）Ａ／ｍ以下のコバルト鉄モリブデン合金めっき磁性
薄膜を製造する方法であって、酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）よりなる下地めっきと、厚みが０．０７μｍ以
上０．１μｍ以下であり、ニッケル鉄合金、コバルトニ
ッケル鉄合金、銅または金がスパッタ形成されてなる下
地層とが設けられたアルミナチタンカーバイト（ＡｌＴ
ｉＣ）よりなる基体を用いて、１Ｈｚのパドル速度を有
すると共に電界めっき溶液を含むパドルセルに前記基体
を浸漬する工程と、電流密度が１５ｍＡ／ｃｍ2 、通電
時間が１ｓのカソードパルスと、電流密度が１５ｍＡ／
ｃｍ2 、通電時間が１０ｍｓのアノードパルスとが連続
してなる両極性パルス電流をめっき電流として供給する
工程とを含み、電界めっき溶液として、（ａ）水素イオ
ン濃度（ｐＨ）が２以上４以下であり、（ｂ）１５ｇ／
ｄｍ3 以上３０ｇ／ｄｍ3 以下の硫酸コバルト（ＣｏＳ
Ｏ4 ・7 Ｈ2 Ｏ）と、（ｃ）８ｇ／ｄｍ3 以上５０ｇ／
ｄｍ3 以下の硫酸鉄（ＦｅＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ）と、
（ｄ）１２ｇ／ｄｍ3 以上２０ｇ／ｄｍ3 以下の塩化ア
ンモニウム（ＮＨ4 Ｃｌ）と、（ｅ）２０ｇ／ｄｍ3 以
上２５ｇ／ｄｍ3 以下のホウ酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）と、
（ｆ）０．５ｇ／ｄｍ3 未満のモリブデン酸ナトリウム
（ＮａＭｏＯ4 ・２Ｈ2 Ｏ）と、（ｇ）０．５ｇ／ｄｍ
3 のサッカリン（Ｃ7 Ｈ5 ＮＯ3 Ｓ）と、（ｈ）０．１
ｇ／ｄｍ3 のドデシル硫酸ナトリウム（Ｃ 12Ｈ25ＮａＯ
4 Ｓ）とを含み、（ｉ）０．１Ｔの磁界が印加されるも
のを用いるようにしたものである。
【００２７】本発明による第１〜第３の観点に係るコバ
ルト鉄系合金または４成分系合金では、優れた磁気特性
が磁気特性が得られる。
ルト鉄系合金または４成分系合金では、優れた磁気特性
が磁気特性が得られる。
【００２８】本発明によるコバルト鉄系合金めっき磁性
薄膜の製造方法またはコバルト鉄モリブデン合金めっき
磁性薄膜の製造方法では、コバルト鉄系合金めっき磁性
薄膜またはコバルト鉄モリブデン合金めっき磁性薄膜が
容易に製造される。
薄膜の製造方法またはコバルト鉄モリブデン合金めっき
磁性薄膜の製造方法では、コバルト鉄系合金めっき磁性
薄膜またはコバルト鉄モリブデン合金めっき磁性薄膜が
容易に製造される。
【００２９】なお、本発明によるコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法では、コバルト鉄系合金めっき磁
性薄膜が、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上の高密度記録が
可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成するために用い
られるようにしてもよい。
き磁性薄膜の製造方法では、コバルト鉄系合金めっき磁
性薄膜が、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上の高密度記録が
可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成するために用い
られるようにしてもよい。
【００３０】また、本発明によるコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法では、高アスペクト比を有する溝
内において、磁極構造の一部をなす上部磁極を形成する
ために用いられるようにしてもよい。
き磁性薄膜の製造方法では、高アスペクト比を有する溝
内において、磁極構造の一部をなす上部磁極を形成する
ために用いられるようにしてもよい。
【００３１】また、本発明によるコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法では、コバルト鉄系合金めっき磁
性薄膜が、主成分として化８に示した一般組成式を有す
る合金を含むようにするのが好ましい。
き磁性薄膜の製造方法では、コバルト鉄系合金めっき磁
性薄膜が、主成分として化８に示した一般組成式を有す
る合金を含むようにするのが好ましい。
【００３２】
【化８】Ｃｏ100-a-bＦｅa Ｍb
（式中、ａおよびｂは、０＜ａ≦１００，０≦ｂ＜１０
０をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはコバル
トおよび鉄以外の１種以上の元素を表す。）
０をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはコバル
トおよび鉄以外の１種以上の元素を表す。）
【００３３】また、本発明によるコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法では、他の元素が、モリブデン
（Ｍｏ），ニッケル（Ｎｉ），タングステン（Ｗ），ク
ロム（Ｃｒ）およびロジウム（Ｒｈ）からなる群のうち
の少なくとも１種を含むようにするのが好ましい。
き磁性薄膜の製造方法では、他の元素が、モリブデン
（Ｍｏ），ニッケル（Ｎｉ），タングステン（Ｗ），ク
ロム（Ｃｒ）およびロジウム（Ｒｈ）からなる群のうち
の少なくとも１種を含むようにするのが好ましい。
【００３４】また、本発明によるコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法では、コバルト鉄系合金めっき磁
性薄膜が、ＭｏＯs （２≦ｓ≦３），ＣｒＯt （１≦ｔ
≦５），ＲｈＯu （０．５≦ｕ≦２），ＮｉＯv （１．
３３≦ｖ≦２）およびＷＯw（２≦ｗ≦３）からなる群
のうちの少なくとも１種よりなる前記他の元素の酸化物
を含むようにするのが好ましい。
き磁性薄膜の製造方法では、コバルト鉄系合金めっき磁
性薄膜が、ＭｏＯs （２≦ｓ≦３），ＣｒＯt （１≦ｔ
≦５），ＲｈＯu （０．５≦ｕ≦２），ＮｉＯv （１．
３３≦ｖ≦２）およびＷＯw（２≦ｗ≦３）からなる群
のうちの少なくとも１種よりなる前記他の元素の酸化物
を含むようにするのが好ましい。
【００３５】また、本発明によるコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法では、溶解塩として、鉄イオンを
提供するために硫酸鉄または塩化鉄を用い、コバルトイ
オンを提供するために硫酸コバルトまたは塩化コバルト
を用いるようにするのが好ましい。
き磁性薄膜の製造方法では、溶解塩として、鉄イオンを
提供するために硫酸鉄または塩化鉄を用い、コバルトイ
オンを提供するために硫酸コバルトまたは塩化コバルト
を用いるようにするのが好ましい。
【００３６】また、本発明によるコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法では、電解めっき溶液として、硫
酸鉄が８ｇ／ｄｍ3 以上５０ｇ／ｄｍ3 以下、硫酸コバ
ルトが１５ｇ／ｄｍ3 以上３０ｇ／ｄｍ3 以下でそれぞ
れ溶解されているものを用いるのが好ましい。
き磁性薄膜の製造方法では、電解めっき溶液として、硫
酸鉄が８ｇ／ｄｍ3 以上５０ｇ／ｄｍ3 以下、硫酸コバ
ルトが１５ｇ／ｄｍ3 以上３０ｇ／ｄｍ3 以下でそれぞ
れ溶解されているものを用いるのが好ましい。
【００３７】また、本発明によるコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法では、めっき電流が、電流密度が
５ｍＡ／ｃｍ2 以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、通電時間が
１０ｍｓ以上１０ｓ以下、中断時間が１ｍｓ以上１ｓ以
下のカソードパルスが連続したパルス電流となるように
するのが好ましい。
き磁性薄膜の製造方法では、めっき電流が、電流密度が
５ｍＡ／ｃｍ2 以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、通電時間が
１０ｍｓ以上１０ｓ以下、中断時間が１ｍｓ以上１ｓ以
下のカソードパルスが連続したパルス電流となるように
するのが好ましい。
【００３８】また、本発明によるコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法では、めっき電流が、電流密度が
５ｍＡ／ｃｍ2 以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、通電時間が
１０ｍｓ以上１０ｓ以下のカソードパルスと、電流密度
が０ｍＡ／ｃｍ2 よりも大きく３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、
通電時間が１ｍｓ以上１ｓ以下のアノードパルスとが連
続した両極性パルス電流となるようにするのが好まし
い。
き磁性薄膜の製造方法では、めっき電流が、電流密度が
５ｍＡ／ｃｍ2 以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、通電時間が
１０ｍｓ以上１０ｓ以下のカソードパルスと、電流密度
が０ｍＡ／ｃｍ2 よりも大きく３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、
通電時間が１ｍｓ以上１ｓ以下のアノードパルスとが連
続した両極性パルス電流となるようにするのが好まし
い。
【００３９】また、本発明によるコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法では、めっき電流が、電流密度が
上向きまたは下向きに変位する段差を有するカソードパ
ルスと、電流密度が上向きに変位する段差を有するアノ
ードパルスとが連続したパルス調整電流となるように
し、カソードパルスについて、その段差でない部分の電
流密度が５ｍＡ／ｃｍ2 以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下なら
びに通電時間が１０ｍｓ以上１０ｓ以下、下向きの段差
の電流密度が１ｍＡ／ｃｍ2 以上下向きの段差でない部
分の電流密度以下ならびに通電時間が１ｍｓ以上１００
ｍｓ以下、上向きの段差の電流密度が上向きの段差でな
い部分の電流密度以上６０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通
電時間が１ｍｓ以上１００ｍｓ以下となるようにし、ア
ノードパルスについて、その段差でない部分の電流密度
が０ｍＡ／ｃｍ2 よりも大きく３０ｍＡ／ｃｍ2 以下な
らびに通電時間が１ｍｓ以上１ｓ以下、上向きの段差の
電流密度が上向きの段差でない部分の電流密度以上５０
ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通電時間が１ｍｓ以上１００
ｍｓ以下となるようにするのが好ましい。
き磁性薄膜の製造方法では、めっき電流が、電流密度が
上向きまたは下向きに変位する段差を有するカソードパ
ルスと、電流密度が上向きに変位する段差を有するアノ
ードパルスとが連続したパルス調整電流となるように
し、カソードパルスについて、その段差でない部分の電
流密度が５ｍＡ／ｃｍ2 以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下なら
びに通電時間が１０ｍｓ以上１０ｓ以下、下向きの段差
の電流密度が１ｍＡ／ｃｍ2 以上下向きの段差でない部
分の電流密度以下ならびに通電時間が１ｍｓ以上１００
ｍｓ以下、上向きの段差の電流密度が上向きの段差でな
い部分の電流密度以上６０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通
電時間が１ｍｓ以上１００ｍｓ以下となるようにし、ア
ノードパルスについて、その段差でない部分の電流密度
が０ｍＡ／ｃｍ2 よりも大きく３０ｍＡ／ｃｍ2 以下な
らびに通電時間が１ｍｓ以上１ｓ以下、上向きの段差の
電流密度が上向きの段差でない部分の電流密度以上５０
ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通電時間が１ｍｓ以上１００
ｍｓ以下となるようにするのが好ましい。
【００４０】また、本発明によるコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法ではめっき電流が、両極性パルス
電流とパルス調整電流との組合せとなるようにするのが
好ましい。
き磁性薄膜の製造方法ではめっき電流が、両極性パルス
電流とパルス調整電流との組合せとなるようにするのが
好ましい。
【００４１】また、本発明によるコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法では、両極性パルス電流が、電流
密度が上向きまたは下向きに変位する段差を有するカソ
ードパルスと、電流密度が上方向に変位する段差を有す
るアノードパルスとが連続したパルス調整電流となるよ
うにし、カソードパルスについて、その段差でない部分
の電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2 以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下
ならびに通電時間が１０ｍｓ以上１０ｓ以下、下向きの
段差の電流密度が１ｍＡ／ｃｍ2 以上下向きの段差でな
い部分の電流密度以下ならびに通電時間が１ｍｓ以上１
００ｍｓ以下、上向きの段差の電流密度が上向きの段差
でない部分の電流密度以上６０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならび
に通電時間が１ｍｓ以上１００ｍｓ以下となるように
し、アノードパルスについて、その段差でない部分の電
流密度が０ｍＡ／ｃｍ2 よりも大きく３０ｍＡ／ｃｍ2
以下ならびに通電時間が１ｍｓ以上１ｓ以下、上向きの
段差の電流密度が上向きの段差でない部分の電流密度以
上５０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通電時間が１ｍｓ以上
１００ｍｓ以下となるようにするのが好ましい。
き磁性薄膜の製造方法では、両極性パルス電流が、電流
密度が上向きまたは下向きに変位する段差を有するカソ
ードパルスと、電流密度が上方向に変位する段差を有す
るアノードパルスとが連続したパルス調整電流となるよ
うにし、カソードパルスについて、その段差でない部分
の電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2 以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下
ならびに通電時間が１０ｍｓ以上１０ｓ以下、下向きの
段差の電流密度が１ｍＡ／ｃｍ2 以上下向きの段差でな
い部分の電流密度以下ならびに通電時間が１ｍｓ以上１
００ｍｓ以下、上向きの段差の電流密度が上向きの段差
でない部分の電流密度以上６０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならび
に通電時間が１ｍｓ以上１００ｍｓ以下となるように
し、アノードパルスについて、その段差でない部分の電
流密度が０ｍＡ／ｃｍ2 よりも大きく３０ｍＡ／ｃｍ2
以下ならびに通電時間が１ｍｓ以上１ｓ以下、上向きの
段差の電流密度が上向きの段差でない部分の電流密度以
上５０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通電時間が１ｍｓ以上
１００ｍｓ以下となるようにするのが好ましい。
【００４２】また、本発明によるコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法では、めっき電流が、直流電流、
パルス電流、両極性パルス電流およびパルス調整電流の
組み合わせとなるようにするのが好ましい。
き磁性薄膜の製造方法では、めっき電流が、直流電流、
パルス電流、両極性パルス電流およびパルス調整電流の
組み合わせとなるようにするのが好ましい。
【００４３】また、本発明によるコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法では、直流電流が、電流密度が５
ｍＡ／ｃｍ2 以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、通電時間が５
分以上２０分以下の単一のカソードパルス電流となるよ
うにし、パルス電流が、電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2 以上
３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、通電時間が１０ｍｓ以上１０ｓ
以下、中断時間が１ｍｓ以上１ｓ以下のカソードパルス
が連続したカソードパルス電流となるようにし、両極性
パルス電流が、電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2 以上３０ｍＡ
／ｃｍ2 以下、通電時間が１０ｍｓ以上１０ｓ以下のカ
ソードパルスと、電流密度が０ｍＡ／ｃｍ2 よりも大き
く３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、通電時間が１ｍｓ以上１ｓ以
下のアノードパルスとが連続したパルス電流となるよう
にし、パルス調整電流が、電流密度が上向きまたは下向
きに変位する段差を有するカソードパルスと、電流密度
が上方向に変位する段差を有するアノードパルスとが連
続したパルス電流となるようにし、カソードパルスにつ
いて、その段差でない部分の電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2
以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通電時間が１０ｍｓ
以上１０ｓ以下、下向きの段差の電流密度が１ｍＡ／ｃ
ｍ2 以上下向きの段差でない部分の電流密度以下ならび
に通電時間が１ｍｓ以上１００ｍｓ以下、上向きの段差
の電流密度が上向きの段差でない部分の電流密度以上６
０ｍＡ／ｃｍ 2 以下ならびに通電時間が１ｍｓ以上１０
０ｍｓ以下となるようにし、アノードパルスについて、
その段差でない部分の電流密度が０ｍＡ／ｃｍ2 よりも
大きく３０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通電時間が１ｍｓ
以上１ｓ以下、上向きの段差の電流密度が上向きの段差
でない部分の電流密度以上５０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならび
に通電時間が１ｍｓ以上１００ｍｓ以下となるようにす
るのが好ましい。
き磁性薄膜の製造方法では、直流電流が、電流密度が５
ｍＡ／ｃｍ2 以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、通電時間が５
分以上２０分以下の単一のカソードパルス電流となるよ
うにし、パルス電流が、電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2 以上
３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、通電時間が１０ｍｓ以上１０ｓ
以下、中断時間が１ｍｓ以上１ｓ以下のカソードパルス
が連続したカソードパルス電流となるようにし、両極性
パルス電流が、電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2 以上３０ｍＡ
／ｃｍ2 以下、通電時間が１０ｍｓ以上１０ｓ以下のカ
ソードパルスと、電流密度が０ｍＡ／ｃｍ2 よりも大き
く３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、通電時間が１ｍｓ以上１ｓ以
下のアノードパルスとが連続したパルス電流となるよう
にし、パルス調整電流が、電流密度が上向きまたは下向
きに変位する段差を有するカソードパルスと、電流密度
が上方向に変位する段差を有するアノードパルスとが連
続したパルス電流となるようにし、カソードパルスにつ
いて、その段差でない部分の電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2
以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通電時間が１０ｍｓ
以上１０ｓ以下、下向きの段差の電流密度が１ｍＡ／ｃ
ｍ2 以上下向きの段差でない部分の電流密度以下ならび
に通電時間が１ｍｓ以上１００ｍｓ以下、上向きの段差
の電流密度が上向きの段差でない部分の電流密度以上６
０ｍＡ／ｃｍ 2 以下ならびに通電時間が１ｍｓ以上１０
０ｍｓ以下となるようにし、アノードパルスについて、
その段差でない部分の電流密度が０ｍＡ／ｃｍ2 よりも
大きく３０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通電時間が１ｍｓ
以上１ｓ以下、上向きの段差の電流密度が上向きの段差
でない部分の電流密度以上５０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならび
に通電時間が１ｍｓ以上１００ｍｓ以下となるようにす
るのが好ましい。
【００４４】また、本発明による本発明によるコバルト
鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法では、ニッケルイオ
ンの供給源を添加することにより、コバルト、鉄および
前記他の元素と共にニッケルを含む４成分系合金を主成
分として含むようにしてもよい。
鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法では、ニッケルイオ
ンの供給源を添加することにより、コバルト、鉄および
前記他の元素と共にニッケルを含む４成分系合金を主成
分として含むようにしてもよい。
【００４５】また、本発明による第１〜第３の観点に係
るコバルト鉄系合金では、さらに、他の元素の酸化物を
含むようにしてもよい。
るコバルト鉄系合金では、さらに、他の元素の酸化物を
含むようにしてもよい。
【００４６】また、本発明による第１〜第３の観点に係
るコバルト鉄系合金では、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上
の高密度記録が可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成
するために用いられるものであるようにしてもよい。
るコバルト鉄系合金では、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上
の高密度記録が可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成
するために用いられるものであるようにしてもよい。
【００４７】また、本発明によるコバルト鉄モリブデン
合金磁性薄膜の製造方法では、コバルト鉄モリブデン合
金磁性薄膜、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上の高密度記録
が可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成するために用
いられるようにしてもよい。
合金磁性薄膜の製造方法では、コバルト鉄モリブデン合
金磁性薄膜、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上の高密度記録
が可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成するために用
いられるようにしてもよい。
【００４８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
て、図面を参照して詳細に説明する。
【００４９】本実施の形態に係るコバルト鉄系合金は、
コバルト（Ｃｏ）と、鉄（Ｆｅ）と、これらのコバルト
および鉄以外の他の元素（Ｍ）とを含むものであり、例
えば、化９に示した一般組成式を有する合金を含んでい
る。このコバルト鉄系合金の最大飽和磁化は２．４Ｔで
あり、最小容易軸保磁力は６×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ
以下となっている。
コバルト（Ｃｏ）と、鉄（Ｆｅ）と、これらのコバルト
および鉄以外の他の元素（Ｍ）とを含むものであり、例
えば、化９に示した一般組成式を有する合金を含んでい
る。このコバルト鉄系合金の最大飽和磁化は２．４Ｔで
あり、最小容易軸保磁力は６×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ
以下となっている。
【００５０】
【化９】Ｃｏ100-a-b Ｆｅa Ｍb
式中、ａおよびｂは、０＜ａ≦１００，０≦ｂ＜１００
をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはコバルト
および鉄以外の１種以上の元素を表す。
をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはコバルト
および鉄以外の１種以上の元素を表す。
【００５１】化９に示した一般組成式を有する合金の中
でも、磁気特性の最適化のためには化１０に示した一般
組成式を有する合金が好ましい。化１０に示した一般組
成式を有する合金を主成分として含むようにすれば、飽
和磁化を２Ｔ以上、容易軸保磁力を１３×１０3 ／（４
π）Ａ／ｍ以下にすることができる。また、化１０に示
した一般組成式を有する合金の中でも、特に、化１１ま
たは化１２に示した一般組成式を有する合金が好まし
い。化１１に示した一般組成式を有する合金を主成分と
して含むようにすれば、飽和磁化を２．１Ｔ以上、容易
軸保磁力を７×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下にすること
ができ、それにより平衡スイッチング速度および飽和モ
ーメントを必要とするアプリケーションに最適に用いる
ことができ、化１２に示した一般組成式を有する合金を
主成分として含むようにすれば、飽和磁化を２．３ｋＧ
以上、容易軸保磁力を１１×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以
下にすることができ、それにより最大飽和モーメントを
必要とするアプリケーションに最適に用いることができ
るからである。
でも、磁気特性の最適化のためには化１０に示した一般
組成式を有する合金が好ましい。化１０に示した一般組
成式を有する合金を主成分として含むようにすれば、飽
和磁化を２Ｔ以上、容易軸保磁力を１３×１０3 ／（４
π）Ａ／ｍ以下にすることができる。また、化１０に示
した一般組成式を有する合金の中でも、特に、化１１ま
たは化１２に示した一般組成式を有する合金が好まし
い。化１１に示した一般組成式を有する合金を主成分と
して含むようにすれば、飽和磁化を２．１Ｔ以上、容易
軸保磁力を７×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下にすること
ができ、それにより平衡スイッチング速度および飽和モ
ーメントを必要とするアプリケーションに最適に用いる
ことができ、化１２に示した一般組成式を有する合金を
主成分として含むようにすれば、飽和磁化を２．３ｋＧ
以上、容易軸保磁力を１１×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以
下にすることができ、それにより最大飽和モーメントを
必要とするアプリケーションに最適に用いることができ
るからである。
【００５２】
【化１０】Ｃｏ100-a-b Ｆｅa Ｍb
式中、ａおよびｂは、５０≦ａ≦８０，０≦ｂ≦１０を
それぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはモリブデ
ン，クロム，タングステン，ニッケルおよびロジウムか
らなる群のうちの少なくとも１種を表す。なお、化１０
は化学量論組成で表したものであるが、この合金は化学
量論組成に限らず、化学量論組成でなくてもよい。これ
は化１１および化１２についても同様である。
それぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはモリブデ
ン，クロム，タングステン，ニッケルおよびロジウムか
らなる群のうちの少なくとも１種を表す。なお、化１０
は化学量論組成で表したものであるが、この合金は化学
量論組成に限らず、化学量論組成でなくてもよい。これ
は化１１および化１２についても同様である。
【００５３】
【化１１】Ｃｏ100-a-b Ｆｅa Ｍb
ａおよびｂは、５７≦ａ≦７４，１．５≦ｂ≦３をそれ
ぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはモリブデン，ク
ロム，タングステン，ニッケルおよびロジウムからなる
群のうちの少なくとも１種を表す。
ぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはモリブデン，ク
ロム，タングステン，ニッケルおよびロジウムからなる
群のうちの少なくとも１種を表す。
【００５４】
【化１２】Ｃｏ100-a-b Ｆｅa Ｍb
式中、ａおよびｂは、６３≦ａ≦６７，０≦ｂ≦０．５
をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはモリブデ
ン，クロム，タングステン，ニッケルおよびロジウムか
らなる群のうちの少なくとも１種を表す。
をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはモリブデ
ン，クロム，タングステン，ニッケルおよびロジウムか
らなる群のうちの少なくとも１種を表す。
【００５５】化１０〜１２に示した一般組成式を有する
合金としては、例えば、Ｃｏ34.6Ｆｅ65Ｍｏ0.4 等の３
成分系合金あるいはＣｏ28Ｆｅ67Ｎｉ2 Ｍｏ3 等の４成
分系合金が挙げられる。
合金としては、例えば、Ｃｏ34.6Ｆｅ65Ｍｏ0.4 等の３
成分系合金あるいはＣｏ28Ｆｅ67Ｎｉ2 Ｍｏ3 等の４成
分系合金が挙げられる。
【００５６】このコバルト鉄系合金は、また、必要に応
じて、副成分として、コバルトおよび鉄以外の元素の酸
化物を１種以上、例えば１０質量％よりも少ない質量比
で含んでいる。コバルトおよび鉄以外の元素の酸化物と
しては、例えば、ＭｏＯs （２≦ｓ≦３），ＣｒＯt
（１≦ｔ≦５），ＲｈＯu （０．５≦ｕ≦２），ＮｉＯ
v （１．３３≦ｖ≦２）あるいはＷＯw （２≦ｗ≦３）
が挙げられる。
じて、副成分として、コバルトおよび鉄以外の元素の酸
化物を１種以上、例えば１０質量％よりも少ない質量比
で含んでいる。コバルトおよび鉄以外の元素の酸化物と
しては、例えば、ＭｏＯs （２≦ｓ≦３），ＣｒＯt
（１≦ｔ≦５），ＲｈＯu （０．５≦ｕ≦２），ＮｉＯ
v （１．３３≦ｖ≦２）あるいはＷＯw （２≦ｗ≦３）
が挙げられる。
【００５７】このようなコバルト鉄系合金は次のように
して製造することができる。なお、ここでは、めっき処
理によりコバルト鉄系合金を薄膜として製造する場合、
すなわちコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法に
ついて説明する。
して製造することができる。なお、ここでは、めっき処
理によりコバルト鉄系合金を薄膜として製造する場合、
すなわちコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法に
ついて説明する。
【００５８】まず、めっきされる基体として、例えば、
酸化アルミニウムよりなる下地めっきと、ニッケル鉄合
金，コバルトニッケル鉄合金，銅あるいは金がスパッタ
されることにより形成され、厚みが約０．０７μｍ以上
０．１μｍ以下である下地層とが設けられたアルミナチ
タンカーバイトを用意する。
酸化アルミニウムよりなる下地めっきと、ニッケル鉄合
金，コバルトニッケル鉄合金，銅あるいは金がスパッタ
されることにより形成され、厚みが約０．０７μｍ以上
０．１μｍ以下である下地層とが設けられたアルミナチ
タンカーバイトを用意する。
【００５９】次いで、電解めっき溶液を含むパドルセル
内に、基体を浸漬する。その際、パドル速度を約１Ｈｚ
とすると共に、電解めっき溶液としては、コバルトイオ
ン、鉄イオンおよび元素Ｍのイオンを提供可能な溶解塩
と、支持塩と、必要に応じて、更に、応力除去剤と、ｐ
Ｈ緩衝剤と、界面活性剤とを含むものを用いる。
内に、基体を浸漬する。その際、パドル速度を約１Ｈｚ
とすると共に、電解めっき溶液としては、コバルトイオ
ン、鉄イオンおよび元素Ｍのイオンを提供可能な溶解塩
と、支持塩と、必要に応じて、更に、応力除去剤と、ｐ
Ｈ緩衝剤と、界面活性剤とを含むものを用いる。
【００６０】なお、元素Ｍとして、モリブデン，ニッケ
ル，タングステン，クロムおよびロジウムを含むように
することが好ましい。これら元素は、カソード電位を用
いてそれらの塩の水溶液から容易に共析されるため、そ
の合金組成を溶液濃度および電流密度により容易に調整
することができるからである。電解めっき溶液は、酸
性、具体的にはｐＨを２以上４以下とすることが好まし
い。酸性にすると、元素Ｍの酸化物が容易に析出し、そ
の元素Ｍの酸化物が粒成長を抑制するため、粒径を小さ
くして保磁力を低下させることができるからである。
ル，タングステン，クロムおよびロジウムを含むように
することが好ましい。これら元素は、カソード電位を用
いてそれらの塩の水溶液から容易に共析されるため、そ
の合金組成を溶液濃度および電流密度により容易に調整
することができるからである。電解めっき溶液は、酸
性、具体的にはｐＨを２以上４以下とすることが好まし
い。酸性にすると、元素Ｍの酸化物が容易に析出し、そ
の元素Ｍの酸化物が粒成長を抑制するため、粒径を小さ
くして保磁力を低下させることができるからである。
【００６１】コバルトイオンを提供可能な溶解塩として
は、例えば、硫酸コバルトあるいは塩化コバルトを用い
ることができる。鉄イオンを提供可能な溶解塩として
は、例えば、硫酸鉄あるいは塩化鉄を用いることができ
る。元素Ｍのイオンを提供可能な溶解塩としては、例え
ば元素Ｍがモリブデンの場合、モリブデン酸ナトリウム
あるいはモリブデン酸アンモニウム（(ＮＨ4 )2 ＭｏＯ
4 ）を用いることができる。支持塩としては、例えば、
ナトリウム，カリウムあるいはアンモニウムのそれぞれ
の塩化物、硫酸塩，酢酸塩，クエン酸塩，酒石酸塩また
はスルファミン酸塩などを用いることができる。応力除
去剤としては、例えば、サッカリンあるいはナトリウム
サッカリンを用いることができる。ｐＨ緩衝剤として
は、例えば、ホウ酸を用いることができる。界面活性剤
としては、例えば、ドデシル硫酸ナトリウム（ラウリル
硫酸ナトリウム）を用いることができる。
は、例えば、硫酸コバルトあるいは塩化コバルトを用い
ることができる。鉄イオンを提供可能な溶解塩として
は、例えば、硫酸鉄あるいは塩化鉄を用いることができ
る。元素Ｍのイオンを提供可能な溶解塩としては、例え
ば元素Ｍがモリブデンの場合、モリブデン酸ナトリウム
あるいはモリブデン酸アンモニウム（(ＮＨ4 )2 ＭｏＯ
4 ）を用いることができる。支持塩としては、例えば、
ナトリウム，カリウムあるいはアンモニウムのそれぞれ
の塩化物、硫酸塩，酢酸塩，クエン酸塩，酒石酸塩また
はスルファミン酸塩などを用いることができる。応力除
去剤としては、例えば、サッカリンあるいはナトリウム
サッカリンを用いることができる。ｐＨ緩衝剤として
は、例えば、ホウ酸を用いることができる。界面活性剤
としては、例えば、ドデシル硫酸ナトリウム（ラウリル
硫酸ナトリウム）を用いることができる。
【００６２】電解めっき溶液におけるコバルトイオンを
提供可能な溶解塩の含有量は、例えば、それが硫酸コバ
ルトの場合、１５ｇ／ｄｍ3 以上３０ｇ／ｄｍ3 以下と
することが好ましい。また、電解めっき溶液における鉄
イオンを提供可能な溶解塩の含有量は、例えば、それが
硫酸鉄の場合、８ｇ／ｄｍ3 以上５０ｇ／ｄｍ3 以下と
することが好ましい。優れた磁気特性を有するコバルト
鉄系合金めっき磁性薄膜を得ることができるからであ
る。
提供可能な溶解塩の含有量は、例えば、それが硫酸コバ
ルトの場合、１５ｇ／ｄｍ3 以上３０ｇ／ｄｍ3 以下と
することが好ましい。また、電解めっき溶液における鉄
イオンを提供可能な溶解塩の含有量は、例えば、それが
硫酸鉄の場合、８ｇ／ｄｍ3 以上５０ｇ／ｄｍ3 以下と
することが好ましい。優れた磁気特性を有するコバルト
鉄系合金めっき磁性薄膜を得ることができるからであ
る。
【００６３】パドルセルに基体を浸漬したのち、電解め
っき溶液に約０．１Ｔの磁界を印加して、電解めっき溶
液にめっき電流を供給する。めっき電流は、例えば、直
流電流，パルス電流，両極性パルス電流あるいはパルス
調整電流となるようにすることができ、中でも、パルス
電流，両極性パルス電流あるいはパルス調整電流、また
はこれらの組み合わせとなるようにすることが好まし
い。粒成長を抑制して粒径を低減させることにより保磁
力を低下させることができると共に、ミクロ的な均一性
を改良することができるからである。
っき溶液に約０．１Ｔの磁界を印加して、電解めっき溶
液にめっき電流を供給する。めっき電流は、例えば、直
流電流，パルス電流，両極性パルス電流あるいはパルス
調整電流となるようにすることができ、中でも、パルス
電流，両極性パルス電流あるいはパルス調整電流、また
はこれらの組み合わせとなるようにすることが好まし
い。粒成長を抑制して粒径を低減させることにより保磁
力を低下させることができると共に、ミクロ的な均一性
を改良することができるからである。
【００６４】図１〜図４は本実施の形態に係るめっき電
流の波形を模式的に表すものである。これらの図におい
て、それぞれ横軸は時間を表し、縦軸は電流密度を表し
ている。なお、図１は直流カソード電流の波形、図２は
カソードパルス電流の波形、図３は両極性パルス電流の
波形、図４はパルス調整電流の波形をそれぞれ模式的に
表すものである。
流の波形を模式的に表すものである。これらの図におい
て、それぞれ横軸は時間を表し、縦軸は電流密度を表し
ている。なお、図１は直流カソード電流の波形、図２は
カソードパルス電流の波形、図３は両極性パルス電流の
波形、図４はパルス調整電流の波形をそれぞれ模式的に
表すものである。
【００６５】直流電流は、図１に示したように、例え
ば、ｘＡ／ｃｍ2 の電流密度を有している。このような
直流電流を用いると、コバルト鉄系合金およびコバルト
鉄合金における酸化物の形成が最小限となる。
ば、ｘＡ／ｃｍ2 の電流密度を有している。このような
直流電流を用いると、コバルト鉄系合金およびコバルト
鉄合金における酸化物の形成が最小限となる。
【００６６】また、パルス電流は、図２に示したよう
に、例えば、パルス幅が“ａ”であるカソードパルス
が、中断時間“ｂ”の間隔をおいて連続したものであ
る。このパルス電流を印加すると、カソード電流（図で
は電流密度値“ｘ”）が与えられている間、コバルト鉄
系合金が析出し、カソード電流の電流密度が０に減少し
たときに元素Ｍが酸化される。
に、例えば、パルス幅が“ａ”であるカソードパルス
が、中断時間“ｂ”の間隔をおいて連続したものであ
る。このパルス電流を印加すると、カソード電流（図で
は電流密度値“ｘ”）が与えられている間、コバルト鉄
系合金が析出し、カソード電流の電流密度が０に減少し
たときに元素Ｍが酸化される。
【００６７】また、両極性パルス電流は、図３に示した
ように、例えば、パルス幅が“ａ”であるカソードパル
スと、このカソードパルスに続き、パルス幅が“ｂ”で
あるアノードパルスとにより構成されている。このよう
な両極性パルス電流を印加すると、アノードパルスの電
流密度“ｙ”により元素Ｍの酸化が助長されることを除
き、パルス電流を用いたときと同様にコバルト鉄系合金
が析出する。
ように、例えば、パルス幅が“ａ”であるカソードパル
スと、このカソードパルスに続き、パルス幅が“ｂ”で
あるアノードパルスとにより構成されている。このよう
な両極性パルス電流を印加すると、アノードパルスの電
流密度“ｙ”により元素Ｍの酸化が助長されることを除
き、パルス電流を用いたときと同様にコバルト鉄系合金
が析出する。
【００６８】また、パルス調整電流は、図４に示したよ
うに、例えば、カソードパルスが、幅がｃであるパルス
波高の段差状の減少により調整されており、また、アノ
ードパルスが、幅がｄである波高の段差状の増加により
調整されている。すなわち、このパルス調整電流は、電
流密度が下向きに変位する段差Ｄ１を有するカソードパ
ルスと、電流密度が上向きに変位する段差Ｄ２を有する
アノードパルスとが連続したものである。このようなパ
ルス調整電流を印加すると、調整カソードパルスの段差
Ｄ１の電流密度“ｕ”または“ｖ”により合金中の元素
Ｍの組成が増加される。また、調整アノードパルスの段
差Ｄ２の電流密度“ｚ”により酸化物の形成が助長され
る。なお、カソードパルスの電流密度は、元素Ｍの還元
電位により調節する。例えば、ニッケル，モリブデンあ
るいはロジウムのような低還元電位を有する元素を合金
に含むようにする場合、段差Ｄ１の電流密度を ｘ以下
のｕとすることが好ましい。一方、タングステンおよび
クロムのようなコバルト鉄系合金以上の還元電位を有す
る元素を含むようにする場合には、段差Ｄ１の電流密度
をより高い電流密度“ｖ”とすることが好ましい。
うに、例えば、カソードパルスが、幅がｃであるパルス
波高の段差状の減少により調整されており、また、アノ
ードパルスが、幅がｄである波高の段差状の増加により
調整されている。すなわち、このパルス調整電流は、電
流密度が下向きに変位する段差Ｄ１を有するカソードパ
ルスと、電流密度が上向きに変位する段差Ｄ２を有する
アノードパルスとが連続したものである。このようなパ
ルス調整電流を印加すると、調整カソードパルスの段差
Ｄ１の電流密度“ｕ”または“ｖ”により合金中の元素
Ｍの組成が増加される。また、調整アノードパルスの段
差Ｄ２の電流密度“ｚ”により酸化物の形成が助長され
る。なお、カソードパルスの電流密度は、元素Ｍの還元
電位により調節する。例えば、ニッケル，モリブデンあ
るいはロジウムのような低還元電位を有する元素を合金
に含むようにする場合、段差Ｄ１の電流密度を ｘ以下
のｕとすることが好ましい。一方、タングステンおよび
クロムのようなコバルト鉄系合金以上の還元電位を有す
る元素を含むようにする場合には、段差Ｄ１の電流密度
をより高い電流密度“ｖ”とすることが好ましい。
【００６９】なお、図４では、カソードパルスが下向き
の段差Ｄ１を有すると共に、アノードパルスが上向きの
段差Ｄ２を有するようにしたが、必ずしもこれに限られ
るものではなく、例えば、上記の場合と反対に、カソー
ドパルスが上向きの段差を有すると共に、アノードパル
スが下向きの段差を有するようにしてもよい。
の段差Ｄ１を有すると共に、アノードパルスが上向きの
段差Ｄ２を有するようにしたが、必ずしもこれに限られ
るものではなく、例えば、上記の場合と反対に、カソー
ドパルスが上向きの段差を有すると共に、アノードパル
スが下向きの段差を有するようにしてもよい。
【００７０】表１に、本実施の形態に係るコバルト鉄系
合金めっき磁性薄膜を製造する際に印加するめっき電流
の電流密度の範囲を要約して示す。
合金めっき磁性薄膜を製造する際に印加するめっき電流
の電流密度の範囲を要約して示す。
【００７１】
【表１】
【００７２】以上の工程により、本実施の形態に係るコ
バルト鉄系合金めっき磁性薄膜が形成される。
バルト鉄系合金めっき磁性薄膜が形成される。
【００７３】このように本実施の形態によれば、化１
０，化１１または化１２に示した一般組成式を有する合
金を主成分として含むようにしたので、飽和磁化が約２
Ｔ以上、容易軸保持力が約１３×１０3 ／（４π）Ａ／
ｍ以下の優れた磁気特性を有するコバルト鉄系合金を得
ることができる。
０，化１１または化１２に示した一般組成式を有する合
金を主成分として含むようにしたので、飽和磁化が約２
Ｔ以上、容易軸保持力が約１３×１０3 ／（４π）Ａ／
ｍ以下の優れた磁気特性を有するコバルト鉄系合金を得
ることができる。
【００７４】また、本実施の形態によれば、電解めっき
溶液を含むパドルセルに約１Ｈｚのパドル速度で基体を
浸漬するようにし、電解めっき溶液として、（ａ）ｐＨ
が２〜４の範囲内であり、（ｂ）コバルトイオン、鉄イ
オンおよび他の元素イオンを提供可能な溶解塩を含み、
（ｃ）ナトリウム、カリウムあるいはアンモニウムのそ
れぞれの塩化物、硫酸塩、酢酸塩、クエン酸塩、酒石酸
塩あるいはスルファミン酸塩を含む群のうちのいずれか
よりなる支持塩を含み、この電解めっき溶液に（ｄ）
０．１Ｔの磁界が印加されるようにしたので、本発明の
コバルト鉄系合金（コバルト鉄系合金めっき磁性薄膜）
を容易に製造することができる。
溶液を含むパドルセルに約１Ｈｚのパドル速度で基体を
浸漬するようにし、電解めっき溶液として、（ａ）ｐＨ
が２〜４の範囲内であり、（ｂ）コバルトイオン、鉄イ
オンおよび他の元素イオンを提供可能な溶解塩を含み、
（ｃ）ナトリウム、カリウムあるいはアンモニウムのそ
れぞれの塩化物、硫酸塩、酢酸塩、クエン酸塩、酒石酸
塩あるいはスルファミン酸塩を含む群のうちのいずれか
よりなる支持塩を含み、この電解めっき溶液に（ｄ）
０．１Ｔの磁界が印加されるようにしたので、本発明の
コバルト鉄系合金（コバルト鉄系合金めっき磁性薄膜）
を容易に製造することができる。
【００７５】なお、本実施の形態のコバルト鉄系合金
は、狭いトラック幅を有し、かつ面密度が１００Ｇｂｉ
ｔ／ｉｎ2 以上の高密度記録が可能な磁気書き込みヘッ
ドの磁極構造、特に、高アスペクト比を有する溝内で磁
極構造の一部をなす上部磁極を形成するために好ましく
用いられる。
は、狭いトラック幅を有し、かつ面密度が１００Ｇｂｉ
ｔ／ｉｎ2 以上の高密度記録が可能な磁気書き込みヘッ
ドの磁極構造、特に、高アスペクト比を有する溝内で磁
極構造の一部をなす上部磁極を形成するために好ましく
用いられる。
【００７６】更に、本発明の具体的な実施例について詳
細に説明する。
細に説明する。
【００７７】（実施例１）酸化モリブデン（Ｍｏx ）を
含むコバルト鉄モリブデン合金を作製した。その際、電
解めっき溶液には、表２に示したような化学濃度を有す
るものを用い、めっき電流は、表３に示したような物理
パラメータを有する両極性パルス電流となるようにし
た。コバルト鉄モリブデン合金を作製したのち、コバル
ト鉄モリブデン合金の組成と磁気特性との関係を調べ
た。めっきは、０．１Ｔの磁界を有するパドルセル内で
行った。基体には、酸化アルミニウムを下塗りし、ニッ
ケル鉄合金（ＮｉＦｅ），銅あるいは金をスパッタする
ことにより形成した下層を有する４．５ｉｎ×４．５ｉ
ｎ（１１４．３ｍｍ×１１４．３ｍｍ）アルミナチタン
カーバイトを用いた。下層の厚みは０．７μｍ〜１．３
μｍとなるように調整した。
含むコバルト鉄モリブデン合金を作製した。その際、電
解めっき溶液には、表２に示したような化学濃度を有す
るものを用い、めっき電流は、表３に示したような物理
パラメータを有する両極性パルス電流となるようにし
た。コバルト鉄モリブデン合金を作製したのち、コバル
ト鉄モリブデン合金の組成と磁気特性との関係を調べ
た。めっきは、０．１Ｔの磁界を有するパドルセル内で
行った。基体には、酸化アルミニウムを下塗りし、ニッ
ケル鉄合金（ＮｉＦｅ），銅あるいは金をスパッタする
ことにより形成した下層を有する４．５ｉｎ×４．５ｉ
ｎ（１１４．３ｍｍ×１１４．３ｍｍ）アルミナチタン
カーバイトを用いた。下層の厚みは０．７μｍ〜１．３
μｍとなるように調整した。
【００７８】
【表２】
【００７９】
【表３】
【００８０】得られたコバルト鉄モリブデン合金につい
て飽和磁化Ｍｓおよび容易軸保磁力Ｈｃｅを調べた。図
５および図６にそれらの結果を示す。なお、図５は、コ
バルト鉄モリブデン合金の組成と飽和磁化Ｍｓとの関係
を表すものであり、横軸が鉄の割合（質量％）、縦軸が
モリブデンの割合（質量％）をそれぞれ示している。ま
た、図６は、コバルト鉄モリブデン合金の組成と容易軸
保磁力Ｈｃｅとの関係を表すものであり、横軸が鉄の割
合（質量％）、縦軸がモリブデンの割合（質量％）をそ
れぞれ示している。
て飽和磁化Ｍｓおよび容易軸保磁力Ｈｃｅを調べた。図
５および図６にそれらの結果を示す。なお、図５は、コ
バルト鉄モリブデン合金の組成と飽和磁化Ｍｓとの関係
を表すものであり、横軸が鉄の割合（質量％）、縦軸が
モリブデンの割合（質量％）をそれぞれ示している。ま
た、図６は、コバルト鉄モリブデン合金の組成と容易軸
保磁力Ｈｃｅとの関係を表すものであり、横軸が鉄の割
合（質量％）、縦軸がモリブデンの割合（質量％）をそ
れぞれ示している。
【００８１】図５から分かるように、広範囲においてめ
っき膜飽和磁化が見られた。また、５５質量％〜７６質
量％の鉄と、０質量％よりも多いモリブデンとにより構
成されるコバルト鉄モリブデン合金の飽和磁化Ｍｓは２
Ｔ以上であることが分かった。
っき膜飽和磁化が見られた。また、５５質量％〜７６質
量％の鉄と、０質量％よりも多いモリブデンとにより構
成されるコバルト鉄モリブデン合金の飽和磁化Ｍｓは２
Ｔ以上であることが分かった。
【００８２】また、図中、飽和磁化Ｍｓが２．３Ｔ以上
となるＡ、および飽和磁化Ｍｓが２．１以上となるＢで
示した２つの局所的な範囲が見られた。なお、範囲Ａの
合金組成は、鉄が５５．６質量％以上６３質量％以下
で、モリブデンが０．２質量％以下であり、範囲Ｂの合
金組成は、鉄が５８質量％以上６４質量％以下で、モリ
ブデンが１．５質量％〜３質量％であった。
となるＡ、および飽和磁化Ｍｓが２．１以上となるＢで
示した２つの局所的な範囲が見られた。なお、範囲Ａの
合金組成は、鉄が５５．６質量％以上６３質量％以下
で、モリブデンが０．２質量％以下であり、範囲Ｂの合
金組成は、鉄が５８質量％以上６４質量％以下で、モリ
ブデンが１．５質量％〜３質量％であった。
【００８３】範囲Ａの組成を有するコバルト鉄モリブデ
ン合金のうち飽和磁化Ｍｓが最大のものは鉄が６４．５
質量％のものであり、その飽和磁化Ｍｓは２．４Ｔであ
った。また、範囲Ｂの組成を有するコバルト鉄モリブデ
ン合金のうち飽和磁化Ｍｓが最大のものは、Ｃｏ35.1Ｆ
ｅ62.5Ｍｏ2.4 であった。
ン合金のうち飽和磁化Ｍｓが最大のものは鉄が６４．５
質量％のものであり、その飽和磁化Ｍｓは２．４Ｔであ
った。また、範囲Ｂの組成を有するコバルト鉄モリブデ
ン合金のうち飽和磁化Ｍｓが最大のものは、Ｃｏ35.1Ｆ
ｅ62.5Ｍｏ2.4 であった。
【００８４】また、図６から分かるように、鉄が５８質
量％〜６５質量％で、モリブデンが１．６質量％以上の
組成範囲を有するコバルト鉄モリブデン合金は、容易軸
保磁力Ｈｃｅが７×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下であっ
た。検出された最小の容易軸保磁力Ｈｃｅを有するもの
は、合金組成がＣｏ35.1Ｆｅ62.5Ｍｏ2.4 であり、その
容易軸保磁力Ｈｃｅは６×１０3 ／（４π）Ａ／ｍであ
った。その合金組成をＣと呼ぶ。図６中の最小容易軸保
磁力を有する合金組成Ｃは、図５中の最大飽和磁化を有
する合金組成Ｂと測定許容誤差内で重なる。すなわち、
コバルト鉄モリブデン合金の組成をＢ（またはＣ）とす
れば、良好な磁気特性（高飽和磁化および低保磁力）を
得ることができることが分かった。
量％〜６５質量％で、モリブデンが１．６質量％以上の
組成範囲を有するコバルト鉄モリブデン合金は、容易軸
保磁力Ｈｃｅが７×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下であっ
た。検出された最小の容易軸保磁力Ｈｃｅを有するもの
は、合金組成がＣｏ35.1Ｆｅ62.5Ｍｏ2.4 であり、その
容易軸保磁力Ｈｃｅは６×１０3 ／（４π）Ａ／ｍであ
った。その合金組成をＣと呼ぶ。図６中の最小容易軸保
磁力を有する合金組成Ｃは、図５中の最大飽和磁化を有
する合金組成Ｂと測定許容誤差内で重なる。すなわち、
コバルト鉄モリブデン合金の組成をＢ（またはＣ）とす
れば、良好な磁気特性（高飽和磁化および低保磁力）を
得ることができることが分かった。
【００８５】ここで、図７はＣｏ35.1Ｆｅ62.5Ｍｏ2.4
の標準Ｂ−Ｈループを表すものである。この図７から、
Ｃｏ35.1Ｆｅ62.5Ｍｏ2.4 は、飽和磁化Ｍｓが２．２Ｔ
で容易軸保磁力Ｈｃｅが約５．９×１０3 ／（４π）Ａ
／ｍであり、このＣｏ35.1Ｆｅ62.5Ｍｏ2.4 によれば、
良好な磁気特性（高飽和磁化および低保磁力）を得るこ
とができることが確認された。
の標準Ｂ−Ｈループを表すものである。この図７から、
Ｃｏ35.1Ｆｅ62.5Ｍｏ2.4 は、飽和磁化Ｍｓが２．２Ｔ
で容易軸保磁力Ｈｃｅが約５．９×１０3 ／（４π）Ａ
／ｍであり、このＣｏ35.1Ｆｅ62.5Ｍｏ2.4 によれば、
良好な磁気特性（高飽和磁化および低保磁力）を得るこ
とができることが確認された。
【００８６】（実施例２）磁気特性に与えるめっき電流
の効果について調べた。めっき電流としては、直流電流
または両極性パルス電流を用いた。試料１〜４について
は、実施例１と同様の条件でコバルト鉄合金またはコバ
ルト鉄モリブデン合金を作製した。試料５，６について
は、電解めっき溶液に１０ｇ／ｄｍ3 の硫酸ニッケル
（ＮｉＳＯ4・６Ｈ2 Ｏ）を更に含むようにしたことを
除き、実施例１と同様の条件で、コバルト鉄ニッケルモ
リブデン合金を作製した。得られた試料１〜６につい
て、容易軸保磁力Ｈｃｅを調べた。その結果を表４に示
す。
の効果について調べた。めっき電流としては、直流電流
または両極性パルス電流を用いた。試料１〜４について
は、実施例１と同様の条件でコバルト鉄合金またはコバ
ルト鉄モリブデン合金を作製した。試料５，６について
は、電解めっき溶液に１０ｇ／ｄｍ3 の硫酸ニッケル
（ＮｉＳＯ4・６Ｈ2 Ｏ）を更に含むようにしたことを
除き、実施例１と同様の条件で、コバルト鉄ニッケルモ
リブデン合金を作製した。得られた試料１〜６につい
て、容易軸保磁力Ｈｃｅを調べた。その結果を表４に示
す。
【００８７】
【表４】
【００８８】表４から分かるように、めっき電流として
両極性パルス電流を用いた試料２，４，６の方が、直流
電流を用いた試料１，３，５よりも低い容易軸保磁力Ｈ
ｃｅが得られた。すなわち、両極性パルス電流の方が直
流電流よりも、粒成長を抑制する効果が大きいと考えら
れ、それにより保磁力を改善することができることが分
かった。なお、両極性パルス電流による効果は、表４か
らも分かるように、コバルト鉄合金（試料３〜６）と共
に、モリブデンが供析したときに顕著であった。これ
は、保磁力を更に低下する要因となる酸化モリブデン
（ＭｏＯ2 ，ＭｏＯ 3 ）の供析に起因すると考えられ
る。
両極性パルス電流を用いた試料２，４，６の方が、直流
電流を用いた試料１，３，５よりも低い容易軸保磁力Ｈ
ｃｅが得られた。すなわち、両極性パルス電流の方が直
流電流よりも、粒成長を抑制する効果が大きいと考えら
れ、それにより保磁力を改善することができることが分
かった。なお、両極性パルス電流による効果は、表４か
らも分かるように、コバルト鉄合金（試料３〜６）と共
に、モリブデンが供析したときに顕著であった。これ
は、保磁力を更に低下する要因となる酸化モリブデン
（ＭｏＯ2 ，ＭｏＯ 3 ）の供析に起因すると考えられ
る。
【００８９】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、磁気特性を向上可能な限り種々変形可能である。
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、磁気特性を向上可能な限り種々変形可能である。
【００９０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項１５または請求項２２、３０のいずれか１項に記載
のコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法によれ
ば、電解めっき溶液を含むパドルセルに約１Ｈｚのパド
ル速度で基体を浸漬するようにし、電解めっき溶液とし
て、（ａ）水素イオン濃度（ｐＨ）が２以上４以下の範
囲内であり、（ｂ）コバルトイオン、鉄イオンおよび前
記他の元素イオンを提供可能な溶解塩を含み、（ｃ）ナ
トリウム、カリウムあるいはアンモニウムのそれぞれの
塩化物、硫酸塩、酢酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩あるい
はスルファミン酸塩を含む群のうちのいずれかよりなる
支持塩を含み、（ｄ）めっき電流を発生させるために
０．１Ｔの磁界が印加されるものを用いるようにしたの
で、飽和磁化が約２Ｔ以上、容易軸保持力が約１３×１
０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下の優れた磁気特性を有するコ
バルト鉄系合金めっき磁性薄膜を容易に得ることができ
る。
求項１５または請求項２２、３０のいずれか１項に記載
のコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法によれ
ば、電解めっき溶液を含むパドルセルに約１Ｈｚのパド
ル速度で基体を浸漬するようにし、電解めっき溶液とし
て、（ａ）水素イオン濃度（ｐＨ）が２以上４以下の範
囲内であり、（ｂ）コバルトイオン、鉄イオンおよび前
記他の元素イオンを提供可能な溶解塩を含み、（ｃ）ナ
トリウム、カリウムあるいはアンモニウムのそれぞれの
塩化物、硫酸塩、酢酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩あるい
はスルファミン酸塩を含む群のうちのいずれかよりなる
支持塩を含み、（ｄ）めっき電流を発生させるために
０．１Ｔの磁界が印加されるものを用いるようにしたの
で、飽和磁化が約２Ｔ以上、容易軸保持力が約１３×１
０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下の優れた磁気特性を有するコ
バルト鉄系合金めっき磁性薄膜を容易に得ることができ
る。
【００９１】また、請求項１６、１９、２４または２７
に記載、請求項１７、２０、２５または２８記載、ある
いは請求項１８、２１、２６、２９記載のコバルト鉄系
合金によれば、主成分として化２、３または４に示した
一般組成式を有する合金を含むようにしたので、優れた
磁気特性を得ることができる。
に記載、請求項１７、２０、２５または２８記載、ある
いは請求項１８、２１、２６、２９記載のコバルト鉄系
合金によれば、主成分として化２、３または４に示した
一般組成式を有する合金を含むようにしたので、優れた
磁気特性を得ることができる。
【００９２】また、請求項２３または請求項３１に記載
の４成分系合金によれば、主成分としてＣｏＦｅ67Ｎｉ
2 Ｍｏ3 を含むようにしたので、優れた磁気特性を得る
ことができる。
の４成分系合金によれば、主成分としてＣｏＦｅ67Ｎｉ
2 Ｍｏ3 を含むようにしたので、優れた磁気特性を得る
ことができる。
【００９３】また、請求項３２あるいは請求項３３に記
載のコバルト鉄モリブデン合金めっき磁性薄膜の製造方
法によれば、電解めっき溶液を含むパドルセルに１Ｈｚ
のパドル速度で基体を浸漬したのち、電流密度が１５ｍ
Ａ／ｃｍ2 、通電時間が１ｓのカソードパルスと、電流
密度が１５ｍＡ／ｃｍ2 、通電時間が１０ｍｓのアノー
ドパルスとが連続してなる両極性パルス電流をめっき電
流として供給すると共に、電解めっき溶液として、
（ａ）水素イオン濃度（ｐＨ）が２以上４以下であり、
（ｂ）１５ｇ／ｄｍ3 以上３０ｇ／ｄｍ3 以下の硫酸コ
バルト（ＣｏＳＯ4・７Ｈ2 Ｏ）と、（ｃ）８ｇ／ｄｍ
3 以上５０ｇ／ｄｍ3 以下の硫酸鉄（ＦｅＳＯ4 ・７Ｈ
2 Ｏ）と、（ｄ）１２ｇ／ｄｍ3 以上２０ｇ／ｄｍ3 以
下の塩化アンモニウム（ＮＨ4 Ｃｌ）と、（ｅ）２０ｇ
／ｄｍ3 以上２５ｇ／ｄｍ3 以下のホウ酸（Ｈ3 Ｂ
Ｏ3 ）と、（ｆ）０．５ｇ／ｄｍ3 以下のモリブデン酸
ナトリウム（ＮａＭｏＯ4 ・２Ｈ2 Ｏ）と、（ｇ）０．
５ｇ／ｄｍ3 のサッカリン（Ｃ7 Ｈ 5 ＮＯ3 Ｓ）と、
（ｈ）０．１ｇ／ｄｍ3 のドデシル硫酸ナトリウム（Ｃ
12Ｈ25ＮａＯ4 Ｓ）とを含み、（ｉ）０．１Ｔの磁界が
印加されるものを用いるようにしたので、飽和磁化が約
２Ｔ以上、容易軸保持力が約１３×１０3 ／（４π）Ａ
／ｍ以下の優れた磁気特性を有するコバルト鉄モリブデ
ン合金めっき磁性薄膜を容易に得ることができる。
載のコバルト鉄モリブデン合金めっき磁性薄膜の製造方
法によれば、電解めっき溶液を含むパドルセルに１Ｈｚ
のパドル速度で基体を浸漬したのち、電流密度が１５ｍ
Ａ／ｃｍ2 、通電時間が１ｓのカソードパルスと、電流
密度が１５ｍＡ／ｃｍ2 、通電時間が１０ｍｓのアノー
ドパルスとが連続してなる両極性パルス電流をめっき電
流として供給すると共に、電解めっき溶液として、
（ａ）水素イオン濃度（ｐＨ）が２以上４以下であり、
（ｂ）１５ｇ／ｄｍ3 以上３０ｇ／ｄｍ3 以下の硫酸コ
バルト（ＣｏＳＯ4・７Ｈ2 Ｏ）と、（ｃ）８ｇ／ｄｍ
3 以上５０ｇ／ｄｍ3 以下の硫酸鉄（ＦｅＳＯ4 ・７Ｈ
2 Ｏ）と、（ｄ）１２ｇ／ｄｍ3 以上２０ｇ／ｄｍ3 以
下の塩化アンモニウム（ＮＨ4 Ｃｌ）と、（ｅ）２０ｇ
／ｄｍ3 以上２５ｇ／ｄｍ3 以下のホウ酸（Ｈ3 Ｂ
Ｏ3 ）と、（ｆ）０．５ｇ／ｄｍ3 以下のモリブデン酸
ナトリウム（ＮａＭｏＯ4 ・２Ｈ2 Ｏ）と、（ｇ）０．
５ｇ／ｄｍ3 のサッカリン（Ｃ7 Ｈ 5 ＮＯ3 Ｓ）と、
（ｈ）０．１ｇ／ｄｍ3 のドデシル硫酸ナトリウム（Ｃ
12Ｈ25ＮａＯ4 Ｓ）とを含み、（ｉ）０．１Ｔの磁界が
印加されるものを用いるようにしたので、飽和磁化が約
２Ｔ以上、容易軸保持力が約１３×１０3 ／（４π）Ａ
／ｍ以下の優れた磁気特性を有するコバルト鉄モリブデ
ン合金めっき磁性薄膜を容易に得ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係るコバルト鉄系合金
めっき磁性薄膜を製造する際に用いる直流電流を模式的
に表す図である。
めっき磁性薄膜を製造する際に用いる直流電流を模式的
に表す図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係るコバルト鉄系合金
めっき磁性薄膜を製造する際に用いるパルス電流を模式
的に表す図である。
めっき磁性薄膜を製造する際に用いるパルス電流を模式
的に表す図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係るコバルト鉄系合金
めっき磁性薄膜を製造する際に用いる両極性パルス電流
を模式的に表す図である。
めっき磁性薄膜を製造する際に用いる両極性パルス電流
を模式的に表す図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係るコバルト鉄系合金
めっき磁性薄膜を製造する際に用いるパルス調整電流を
模式的に表す図である。
めっき磁性薄膜を製造する際に用いるパルス調整電流を
模式的に表す図である。
【図５】本発明の実施例１に係るコバルト鉄モリブデン
合金の組成と飽和磁化との関係を表す特性図である。
合金の組成と飽和磁化との関係を表す特性図である。
【図６】本発明の実施例１に係るコバルト鉄モリブデン
合金の組成と容易軸保磁力との関係を表す特性図であ
る。
合金の組成と容易軸保磁力との関係を表す特性図であ
る。
【図７】本発明の実施例１に係るＣｏ35.1Ｆｅ62.5Ｍｏ
2.4 の標準Ｂ−Ｈループを表す図である。
2.4 の標準Ｂ−Ｈループを表す図である。
【図８】コバルト鉄モリブデン合金の平衡状態図であ
る。
る。
【図９】水溶液中のモリブデンの電気化学状態図であ
る。
る。
Ｍｓ…飽和磁化、Ｈｃｅ…保磁力
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｃ
(72)発明者 冠志 林
アメリカ合衆国 カリフォルニア州
94583 サンラモン リードランド サー
クル 4090
(72)発明者 介威 張
アメリカ合衆国 カリフォルニア州
95014 カッパーティノ ノーマンディー
ウェイ 7680
Ｆターム(参考） 4K023 AB18 AB19 BA06 BA08 BA15
BA29 DA02 DA07
4K024 AA15 AB01 BB14 CA01 CA02
CA03 CA06 CA08 GA16
5D033 BA03 CA00 DA04 DA31
Claims (33)
- 【請求項１】 コバルト（Ｃｏ）と鉄（Ｆｅ）と他の元
素（Ｍ）とを含み、飽和磁化が２Ｔ以上、かつ容易軸保
磁力が１３×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下のコバルト鉄
系合金（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍ）めっき磁性薄膜の製造方法で
あって、 １Ｈｚのパドル速度を有すると共に電界めっき溶液を含
むパドルセルに、めっき処理がされる基体を浸漬する工
程を含み、 前記電界めっき溶液として、 （ａ）水素イオン濃度（ｐＨ）が２以上４以下の範囲内
であり、 （ｂ）コバルトイオン、鉄イオンおよび前記他の元素イ
オンを提供可能な溶解塩を含み、 （ｃ）ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）あるいはア
ンモニウムのそれぞれの塩化物、硫酸塩、酢酸塩、クエ
ン酸塩、酒石酸塩あるいはスルファミン酸塩を含む群の
うちのいずれかよりなる支持塩を含み、 （ｄ）めっき電流を発生させるために、０．１Ｔの磁界
が印加されるものを用いることを特徴とするコバルト鉄
系合金めっき磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記コバルト鉄系合金（Ｃｏ−Ｆｅ−
Ｍ）めっき磁性薄膜は、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上の
高密度記録が可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成す
るために用いられることを特徴とする請求項１記載のコ
バルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記コバルト鉄系合金めっき磁性薄膜
は、高アスペクト比を有する溝内において前記磁極構造
の一部をなす上部磁極を形成するために用いられること
を特徴とする請求項２記載のコバルト鉄系合金めっき磁
性薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 前記コバルト鉄系合金めっき磁性薄膜
が、主成分として化１に示した一般組成式を有する合金
を含むようにすることを特徴とする請求項１記載のコバ
ルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法。 【化１】Ｃｏ100-a-bＦｅa Ｍb （式中、ａおよびｂは、０＜ａ≦１００，０≦ｂ＜１０
０をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはコバル
トおよび鉄以外の１種以上の元素を表す。） - 【請求項５】 前記他の元素が、モリブデン（Ｍｏ），
ニッケル（Ｎｉ），タングステン（Ｗ），クロム（Ｃ
ｒ）およびロジウム（Ｒｈ）からなる群のうちの少なく
とも１種を含むようにすることを特徴とする請求項１記
載のコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項６】 前記コバルト鉄系合金めっき磁性薄膜
が、ＭｏＯs （２≦ｓ≦３），ＣｒＯt （１≦ｔ≦
５），ＲｈＯu （０．５≦ｕ≦２），ＮｉＯv （１．３
３≦ｖ≦２）およびＷＯw （２≦ｗ≦３）からなる群の
うちの少なくとも１種よりなる前記他の元素の酸化物を
含むようにすることを特徴とする請求項４記載のコバル
ト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項７】 前記溶解塩として、鉄イオンを提供する
ために硫酸鉄または塩化鉄を用い、コバルトイオンを提
供するために硫酸コバルトまたは塩化コバルトを用いる
ことを特徴とする請求項１記載のコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項８】 前記電解めっき溶液として、硫酸鉄が８
ｇ／ｄｍ3 以上５０ｇ／ｄｍ3 以下、硫酸コバルトが１
５ｇ／ｄｍ3 以上３０ｇ／ｄｍ3 以下でそれぞれ溶解さ
れているものを用いることを特徴とする請求項７記載の
コバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項９】 前記めっき電流が、 電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2 以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、
通電時間が１０ｍｓ以上１０ｓ以下、中断時間が１ｍｓ
以上１ｓ以下のカソードパルスが連続したパルス電流と
なるようにすることを特徴とする請求項１記載のコバル
ト鉄系めっき磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項１０】 前記めっき電流が、 電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2 以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、
通電時間が１０ｍｓ以上１０ｓ以下のカソードパルス
と、 電流密度が０ｍＡ／ｃｍ2 よりも大きく３０ｍＡ／ｃｍ
2 以下、通電時間が１ｍｓ以上１ｓ以下のアノードパル
スとが連続した両極性パルス電流となるようにすること
を特徴とする請求項１記載のコバルト鉄系合金めっき磁
性薄膜の製造方法。 - 【請求項１１】 前記めっき電流が、 電流密度が上向きまたは下向きに変位する段差を有する
カソードパルスと、 電流密度が上向きに変位する段差を有するアノードパル
スとが連続したパルス調整電流となるようにし、 前記カソードパルスについて、 その段差でない部分の電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2 以上３
０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通電時間が１０ｍｓ以上１
０ｓ以下、 前記下向きの段差の電流密度が１ｍＡ／ｃｍ2 以上前記
下向きの段差でない部分の電流密度以下ならびに通電時
間が１ｍｓ以上１００ｍｓ以下、 前記上向きの段差の電流密度が前記上向きの段差でない
部分の電流密度以上６０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通電
時間が１ｍｓ以上１００ｍｓ以下となるようにし、 前記アノードパルスについて、 その段差でない部分の電流密度が０ｍＡ／ｃｍ2 よりも
大きく３０ｍＡ／ｃｍ 2 以下ならびに通電時間が１ｍｓ
以上１ｓ以下、 前記上向きの段差の電流密度が前記上向きの段差でない
部分の電流密度以上５０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通電
時間が１ｍｓ以上１００ｍｓ以下となるようにすること
を特徴とする請求項１記載のコバルト鉄系合金めっき磁
性薄膜の製造方法。 - 【請求項１２】 前記めっき電流が、両極性パルス電流
とパルス調整電流との組合せとなるようにすることを特
徴とする請求項１記載のコバルト鉄系合金めっき磁性薄
膜の製造方法。 - 【請求項１３】 前記両極性パルス電流が、 電流密度が上向きまたは下向きに変位する段差を有する
カソードパルスと、 電流密度が上向きに変位する段差を有するアノードパル
スとが連続したパルス調整電流となるようにし、 前記カソードパルスについて、 その段差でない部分の電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2 以上３
０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通電時間が１０ｍｓ以上１
０ｓ以下、 前記下向きの段差の電流密度が１ｍＡ／ｃｍ2 以上前記
下向きの段差でない部分の電流密度以下ならびに通電時
間が１ｍｓ以上１００ｍｓ以下、 前記上向きの段差の電流密度が前記上向きの段差でない
部分の電流密度以上６０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通電
時間が１ｍｓ以上１００ｍｓ以下となるようにし、 前記アノードパルスについて、 その段差でない部分の電流密度が０ｍＡ／ｃｍ2 よりも
大きく３０ｍＡ／ｃｍ 2 以下ならびに通電時間が１ｍｓ
以上１ｓ以下、 前記上向きの段差の電流密度が前記上向きの段差でない
部分の電流密度以上５０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通電
時間が１ｍｓ以上１００ｍｓ以下となるようにすること
を特徴とする請求項１２記載のコバルト鉄系合金めっき
磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項１４】 前記めっき電流が、直流電流、パルス
電流、両極性パルス電流およびパルス調整電流の組み合
わせとなるようにすることを特徴とする請求項１記載の
コバルト鉄系合金めっき磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項１５】 前記直流電流が、電流密度が５ｍＡ／
ｃｍ2 以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、通電時間が５分以上
２０分以下の単一のカソードパルス電流となるように
し、 前記パルス電流が、電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2 以上３０
ｍＡ／ｃｍ2 以下、通電時間が１０ｍｓ以上１０ｓ以
下、中断時間が１ｍｓ以上１ｓ以下のカソードパルスが
連続したカソードパルス電流となるようにし、 前記両極性パルス電流が、電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2 以
上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、通電時間が１０ｍｓ以上１０
ｓ以下のカソードパルスと、電流密度が０ｍＡ／ｃｍ2
よりも大きく３０ｍＡ／ｃｍ2 以下、通電時間が１ｍｓ
以上１ｓ以下のアノードパルスとが連続したパルス電流
となるようにし、 前記パルス調整電流が、電流密度が上向きまたは下向き
に変位する段差を有するカソードパルスと、電流密度が
上向きに変位する段差を有するアノードパルスとが連続
したパルス電流となるようにし、 前記カソードパルスについて、その段差でない部分の電
流密度が５ｍＡ／ｃｍ 2 以上３０ｍＡ／ｃｍ2 以下なら
びに通電時間が１０ｍｓ以上１０ｓ以下、前記下向きの
段差の電流密度が１ｍＡ／ｃｍ2 以上前記下向きの段差
でない部分の電流密度以下ならびに通電時間が１ｍｓ以
上１００ｍｓ以下、前記上向きの段差の電流密度が前記
上向きの段差でない部分の電流密度以上６０ｍＡ／ｃｍ
2 以下ならびに通電時間が１ｍｓ以上１００ｍｓ以下と
なるようにし、 前記アノードパルスについて、その段差でない部分の電
流密度が０ｍＡ／ｃｍ 2 よりも大きく３０ｍＡ／ｃｍ2
以下ならびに通電時間が１ｍｓ以上１ｓ以下、前記上向
きの段差の電流密度が前記上向きの段差でない部分の電
流密度以上５０ｍＡ／ｃｍ2 以下ならびに通電時間が１
ｍｓ以上１００ｍｓ以下となるようにすることを特徴と
する請求項１４記載のコバルト鉄系合金めっき磁性薄膜
の製造方法。 - 【請求項１６】 コバルト（Ｃｏ）と鉄（Ｆｅ）と他の
元素（Ｍ）とを含み、飽和磁化が２Ｔ以上、かつ容易軸
保磁力が１３×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下のコバルト
鉄系合金（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍ）であって、 主成分として化２に示した一般組成式を有する合金を含
むことを特徴とするコバルト鉄系合金。 【化２】Ｃｏ100-a-bＦｅa Ｍb （式中、ａおよびｂは、５０≦ａ≦８０，０≦ｂ≦１０
をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはモリブデ
ン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），タングステン（Ｗ），ニ
ッケル（Ｎｉ）およびロジウム（Ｒｈ）からなる群のう
ちの少なくとも１種を表す。） - 【請求項１７】 コバルト（Ｃｏ）と鉄（Ｆｅ）と他の
元素（Ｍ）とを含み、飽和磁化が２．１Ｔ以上、かつ容
易軸保磁力が７×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下のコバル
ト鉄系合金（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍ）であって、 主成分として化３に示した一般組成式を有する合金を含
むことを特徴とするコバルト鉄系合金。 【化３】Ｃｏ100-a-bＦｅa Ｍb （式中、ａおよびｂは、５７≦ａ≦７４，１．５≦ｂ≦
３をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはモリブ
デン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），タングステン（Ｗ），
ニッケル（Ｎｉ）およびロジウム（Ｒｈ）からなる群の
うちの少なくとも１種を表す。） - 【請求項１８】 コバルト（Ｃｏ）と鉄（Ｆｅ）と他の
元素（Ｍ）とを含み、飽和磁化が２．３Ｔ以上、かつ容
易軸保磁力が１１×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下のコバ
ルト鉄系合金（Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍ）であって、 化４に示した一般組成式を有する合金を含むことを特徴
とするコバルト鉄系合金。 【化４】Ｃｏ100-a-bＦｅa Ｍb （式中、ａおよびｂは、６３≦ａ≦６７，０≦ｂ≦０．
５をそれぞれ満たす範囲内の質量比であり、Ｍはモリブ
デン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），タングステン（Ｗ），
ニッケル（Ｎｉ）およびロジウム（Ｒｈ）からなる群の
うちの少なくとも１種を表す。） - 【請求項１９】 更に、前記他の元素の酸化物を含むこ
とを特徴とする請求項１６記載のコバルト鉄系合金。 - 【請求項２０】 更に、前記他の元素の酸化物を含むこ
とを特徴とする請求項１７記載のコバルト鉄系合金。 - 【請求項２１】 更に、前記他の元素の酸化物を含むこ
とを特徴とする請求項１８記載のコバルト鉄系合金。 - 【請求項２２】 ニッケルイオンの供給源を添加するこ
とにより、コバルト、鉄および前記他の元素と共にニッ
ケルを含む４成分系合金を主成分として含むようにする
ことを特徴とする請求項１記載のコバルト鉄系合金めっ
き磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項２３】 主成分としてＣｏＦｅ67Ｎｉ2 Ｍｏ3
を含むことを特徴とする４成分系合金。 - 【請求項２４】 １００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上の高密度
記録が可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成するため
に用いられるものであることを特徴とする請求項１６記
載のコバルト鉄系合金。 - 【請求項２５】 １００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上の高密度
記録が可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成するため
に用いられるものであることを特徴とする請求項１７記
載のコバルト鉄系合金。 - 【請求項２６】 １００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上の高密度
記録が可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成するため
に用いられるものであることを特徴とする請求項１８記
載のコバルト鉄系合金。 - 【請求項２７】 １００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上の高密度
記録が可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成するため
に用いられるものであることを特徴とする請求項１９記
載のコバルト鉄系合金。 - 【請求項２８】 １００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上の高密度
記録が可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成するため
に用いられるものであることを特徴とする請求項２０記
載のコバルト鉄系合金。 - 【請求項２９】 １００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上の高密度
記録が可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成するため
に用いられるものであることを特徴とする請求項２１記
載のコバルト鉄系合金。 - 【請求項３０】 １００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上の高密度
記録が可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成するため
に用いられるものであることを特徴とする請求項２２記
載のコバルト鉄系合金。 - 【請求項３１】 １００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上の高密度
記録が可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成するため
に用いられるものであることを特徴とする請求項２３記
載の４成分系合金。 - 【請求項３２】 モリブデン（Ｍｏ）の酸化物を含み、
厚みが０．７μｍ以上１．３μｍ以下、飽和磁化が２Ｔ
以上、容易軸保持力が１３×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以
下のコバルト鉄モリブデン合金めっき磁性薄膜の製造方
法であって、 酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなる下地めっき
と、厚みが０．０７μｍ以上０．１μｍ以下であり、ニ
ッケル鉄合金、コバルトニッケル鉄合金、銅または金が
スパッタ形成されてなる下地層とが設けられたアルミナ
チタンカーバイト（ＡｌＴｉＣ）よりなる基体を用い
て、１Ｈｚのパドル速度を有すると共に電界めっき溶液
を含むパドルセルに前記基体を浸漬する工程と、 電流密度が１５ｍＡ／ｃｍ2 、通電時間が１ｓのカソー
ドパルスと、電流密度が１５ｍＡ／ｃｍ2 、通電時間が
１０ｍｓのアノードパルスとが連続してなる両極性パル
ス電流をめっき電流として供給する工程とを含み、 前記電界めっき溶液として、 （ａ）水素イオン濃度（ｐＨ）が２以上４以下であり、 （ｂ）１５ｇ／ｄｍ3 以上３０ｇ／ｄｍ3 以下の硫酸コ
バルト（ＣｏＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ）と、 （ｃ）８ｇ／ｄｍ3 以上５０ｇ／ｄｍ3 以下の硫酸鉄
（ＦｅＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ）と、 （ｄ）１２ｇ／ｄｍ3 以上２０ｇ／ｄｍ3 以下の塩化ア
ンモニウム（ＮＨ4 Ｃｌ）と、 （ｅ）２０ｇ／ｄｍ3 以上２５ｇ／ｄｍ3 以下のホウ酸
（Ｈ3 ＢＯ3 ）と、 （ｆ）０．５ｇ／ｄｍ3 未満のモリブデン酸ナトリウム
（ＮａＭｏＯ4 ・２Ｈ 2 Ｏ）と、 （ｇ）０．５ｇ／ｄｍ3 のサッカリン（Ｃ7 Ｈ5 ＮＯ3
Ｓ）と、 （ｈ）０．１ｇ／ｄｍ3 のドデシル硫酸ナトリウム（Ｃ
12Ｈ25ＮａＯ4 Ｓ）とを含み、 （ｉ）０．１Ｔの磁界が印加されるものを用いることを
特徴とするコバルト鉄モリブデン合金めっき磁性薄膜の
製造方法。 - 【請求項３３】 前記コバルト鉄モリブデン合金めっき
磁性薄膜は、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 以上の高密度記録
が可能な磁気記録ヘッドの磁極構造を形成するために用
いられることを特徴とする請求項３２記載のコバルト鉄
モリブデン合金めっき磁性薄膜の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| US09/859363 | 2001-05-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP4732668B2 JP4732668B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=25330733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR101283883B1 (ko) | 2005-06-07 | 2013-07-08 | 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 합금 전착층 생성방법 및 음극 펄스전류 전착법을 이용한나노구조 제어방법, 및 전착물을 구비하는 제품 |
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| US8906216B2 (en) | 2005-06-07 | 2014-12-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for producing alloy deposits and controlling the nanostructure thereof using electro-deposition with controlled polarity ratio |
| US8728630B2 (en) | 2005-06-07 | 2014-05-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Articles incorporating alloy deposits having controlled, varying nanostructure |
| JP2007172753A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Tdk Corp | 軟磁性膜およびその製造方法、薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ヘッドアームアセンブリならびに磁気ディスク装置 |
| US7684151B2 (en) | 2006-01-13 | 2010-03-23 | Tdk Corporation | Soft magnetic film and method of manufacturing same, thin-film magnetic head and method of manufacturing same, head arm assembly and magnetic disk drive |
| JP2011023104A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Headway Technologies Inc | 記録磁極の形成方法 |
| RU2449062C1 (ru) * | 2010-10-18 | 2012-04-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)" | Способ получения оксидного покрытия на стали |
| RU2449061C1 (ru) * | 2010-10-18 | 2012-04-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)" | Способ получения покрытия из оксидов металлов на стали |
| JP2018505960A (ja) * | 2014-12-05 | 2018-03-01 | アトテック・ドイチュラント・ゲーエムベーハーＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ Ｇｍｂｈ | 基板上に金属を電気メッキする方法および装置 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050000600A1 (en) | 2005-01-06 |
| US7192662B2 (en) | 2007-03-20 |
| JP4732668B2 (ja) | 2011-07-27 |
| US20030044303A1 (en) | 2003-03-06 |
| US6776891B2 (en) | 2004-08-17 |
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|
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|
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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