JPH10199726A - Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅを主成分とする軟磁性薄膜，その製造方法，それを用いた磁気ヘッド及び磁気記憶装置 - Google Patents
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅを主成分とする軟磁性薄膜，その製造方法，それを用いた磁気ヘッド及び磁気記憶装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い飽和磁化と同時に高い比抵抗を併せ持つ
磁気ヘッド用軟磁性薄膜およびその製造方法を提供し，
また，この軟磁性薄膜を用いた磁気ヘッド及び磁気記憶
装置を提供する。 【解決手段】 磁気回路を形成する磁気ヘッドの下部軟
磁性体層１３及び上部軟磁性体層１８の内の少なくとも
一方を，原子比で３０〜９０％のＣｏ，４０％以下のＮ
ｉ，４０％以下のＦｅからなるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金
に，少なくともＳを原子比で０．５〜４ａｔ％含有する
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅを主成分とする軟磁性薄膜によって形
成する。この軟磁性薄膜は，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの各々の
金属塩を含むめっき液で有って，更に，硫黄系有機化合
物を含有するＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金めっき液から電析し
て形成する。
磁気ヘッド用軟磁性薄膜およびその製造方法を提供し，
また，この軟磁性薄膜を用いた磁気ヘッド及び磁気記憶
装置を提供する。 【解決手段】 磁気回路を形成する磁気ヘッドの下部軟
磁性体層１３及び上部軟磁性体層１８の内の少なくとも
一方を，原子比で３０〜９０％のＣｏ，４０％以下のＮ
ｉ，４０％以下のＦｅからなるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金
に，少なくともＳを原子比で０．５〜４ａｔ％含有する
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅを主成分とする軟磁性薄膜によって形
成する。この軟磁性薄膜は，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの各々の
金属塩を含むめっき液で有って，更に，硫黄系有機化合
物を含有するＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金めっき液から電析し
て形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，磁気ディスク装置
等に情報を記録再生する磁気ヘッドに用いられる軟磁性
薄膜材料及びその製造方法，並びに前記軟磁性膜を用い
た磁気ヘッド，及びそれを用いた磁気記憶装置に関す
る。
等に情報を記録再生する磁気ヘッドに用いられる軟磁性
薄膜材料及びその製造方法，並びに前記軟磁性膜を用い
た磁気ヘッド，及びそれを用いた磁気記憶装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来，書込みヘッド材料としては，Ｎｉ
−Ｆｅ（パーマロイ）合金めっき膜が一般的であるが，
このＮｉ−Ｆｅ合金めっき膜は，飽和磁束密度Ｂｓが
０．８〜１．０テスラ（Ｔ）と小さいという問題点があ
る。また，Ｎｉ−Ｆｅ合金めっき膜は，比抵抗が２０μ
Ωｃｍと小さいため，高周波記録時に渦電流によって記
録磁界の位相が遅れ，記録特性が劣化するという問題点
が有った。
−Ｆｅ（パーマロイ）合金めっき膜が一般的であるが，
このＮｉ−Ｆｅ合金めっき膜は，飽和磁束密度Ｂｓが
０．８〜１．０テスラ（Ｔ）と小さいという問題点があ
る。また，Ｎｉ−Ｆｅ合金めっき膜は，比抵抗が２０μ
Ωｃｍと小さいため，高周波記録時に渦電流によって記
録磁界の位相が遅れ，記録特性が劣化するという問題点
が有った。
【０００３】この為，超高密度記録を実現するために
は，少なくともＮｉ−Ｆｅ合金めっき膜が示す以上の大
きなＢｓと高い比抵抗とをもつ磁気ヘッド用磁極材料の
開発が求められていた。
は，少なくともＮｉ−Ｆｅ合金めっき膜が示す以上の大
きなＢｓと高い比抵抗とをもつ磁気ヘッド用磁極材料の
開発が求められていた。
【０００４】上記問題点を解決するため，既にＣｏ−Ｆ
ｅ（パーメンジュール）系，あるいはＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
（パーミンバー）系膜についての下記の報告などがあ
る。
ｅ（パーメンジュール）系，あるいはＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
（パーミンバー）系膜についての下記の報告などがあ
る。
【０００５】まず，S. H. Liano: IEEE Transactions o
n Magnetics, Vol. Mag-23, No.5,pages 2981-2983, 19
87（以下，従来技術１と呼ぶ）には，磁気ヘッドの磁極
片として，Ｎｉ−ＦｅよりもＣｏ−Ｆｅを用いたものが
特性が優れていることが開示されている。
n Magnetics, Vol. Mag-23, No.5,pages 2981-2983, 19
87（以下，従来技術１と呼ぶ）には，磁気ヘッドの磁極
片として，Ｎｉ−ＦｅよりもＣｏ−Ｆｅを用いたものが
特性が優れていることが開示されている。
【０００６】また，小俣：電子情報通信学会磁気記録研
究会，ＭＲ８８−２３（１９８８），（以下，従来技術
２と呼ぶ）には，磁気ヘッド用のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系薄
膜を蒸着及び合金電着法によって形成したことが述べら
れている。
究会，ＭＲ８８−２３（１９８８），（以下，従来技術
２と呼ぶ）には，磁気ヘッド用のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系薄
膜を蒸着及び合金電着法によって形成したことが述べら
れている。
【０００７】また，篠浦ほか：日本応用磁気学会誌１８
巻２号２７７頁（１９９４）（以下，従来技術３と呼
ぶ）には，磁気ヘッド用のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金電着膜
が示されている。
巻２号２７７頁（１９９４）（以下，従来技術３と呼
ぶ）には，磁気ヘッド用のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金電着膜
が示されている。
【０００８】また，特開昭６０−８２６３８号公報（以
下，従来技術４と呼ぶ）には，重量比でＮｉ≦７５％，
Ｃｏ：１０〜９０％，Ｆｅ≦１５％からなる三元系合金
薄膜であって，磁歪が±２×１０-6の範囲，Ｈｋ≦１０
Ｏｅの薄膜磁気ヘッドの磁気コアに用いる薄膜が開示さ
れている。
下，従来技術４と呼ぶ）には，重量比でＮｉ≦７５％，
Ｃｏ：１０〜９０％，Ｆｅ≦１５％からなる三元系合金
薄膜であって，磁歪が±２×１０-6の範囲，Ｈｋ≦１０
Ｏｅの薄膜磁気ヘッドの磁気コアに用いる薄膜が開示さ
れている。
【０００９】また，特開昭６２−７１０１５号公報（以
下，従来技術５と呼ぶ）には，薄膜磁気ヘッドにおい
て，上下磁性膜を有し，この上下磁性膜を重量比でＮ
ｉ：３〜３０％，Ｃｏ：６２〜９５％，Ｆｅ：２〜８
％，面心立方（ＦＣＣ）構造の合金薄膜で形成したもの
が開示されている。
下，従来技術５と呼ぶ）には，薄膜磁気ヘッドにおい
て，上下磁性膜を有し，この上下磁性膜を重量比でＮ
ｉ：３〜３０％，Ｃｏ：６２〜９５％，Ｆｅ：２〜８
％，面心立方（ＦＣＣ）構造の合金薄膜で形成したもの
が開示されている。
【００１０】さらに，特開平２−６８９０６号公報（以
下，従来技術６と呼ぶ）には，原子比でＮｉ：２０〜７
０％，Ｃｏ：５〜４５％，Ｆｅ：２０〜７５％，５％未
満のＣｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ添加した合金からなる軟磁
性膜とそれを用いた磁気ヘッドとが開示されている。
下，従来技術６と呼ぶ）には，原子比でＮｉ：２０〜７
０％，Ｃｏ：５〜４５％，Ｆｅ：２０〜７５％，５％未
満のＣｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ添加した合金からなる軟磁
性膜とそれを用いた磁気ヘッドとが開示されている。
【００１１】以上の従来技術では，Ｃｏ−Ｆｅ系，ある
いはＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系めっき膜で従来のＮｉ−Ｆｅ
（パーマロイ）膜以上の高Ｂｓ（例えば１．８Ｔ）が得
られることが示されている。
いはＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系めっき膜で従来のＮｉ−Ｆｅ
（パーマロイ）膜以上の高Ｂｓ（例えば１．８Ｔ）が得
られることが示されている。
【００１２】しかし，これらの従来技術には，比抵抗に
ついては一切言及されておらず，前述した高比抵抗化と
いう問題点の解決策は開示していない。
ついては一切言及されておらず，前述した高比抵抗化と
いう問題点の解決策は開示していない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術には，高密度
記録を実現するため，高い保磁力を持つ記録媒体に十分
な情報書込みを行なうため，高飽和磁化（Ｂｓ）をもつ
磁極材料について開示している。
記録を実現するため，高い保磁力を持つ記録媒体に十分
な情報書込みを行なうため，高飽和磁化（Ｂｓ）をもつ
磁極材料について開示している。
【００１４】しかしながら，従来技術には，高密度記録
時の高周波記録に対する解決法，すなわち高Ｂｓはもと
より高比抵抗を併せ持つ磁極材料を開示していなかっ
た。
時の高周波記録に対する解決法，すなわち高Ｂｓはもと
より高比抵抗を併せ持つ磁極材料を開示していなかっ
た。
【００１５】これは，従来の材料では比抵抗が小さい
（例えば，パーマロイ膜は２０μΩｃｍ）為，渦電流に
より記録磁界の位相遅れが生じ，磁気ヘッドの記録特性
が劣化するためである。
（例えば，パーマロイ膜は２０μΩｃｍ）為，渦電流に
より記録磁界の位相遅れが生じ，磁気ヘッドの記録特性
が劣化するためである。
【００１６】そこで，本発明の一技術的課題は，高い飽
和磁化と同時に高い比抵抗を併せ持つ磁気ヘッド用軟磁
性薄膜およびその製造方法を提供することにある。ここ
で，本発明のこの技術的課題を更に具体的にのべれば，
飽和磁化Ｂｓ：２．０Ｔ≧Ｂｓ≧１．５Ｔ，比抵抗ρ：
４２５μΩｃｍ≧ρ≧３０μΩｃｍ，保磁力Ｈｃ≦５Ｏ
ｅを満たす磁気特性を実現する磁気ヘッド用軟磁性薄膜
を提供することにある。
和磁化と同時に高い比抵抗を併せ持つ磁気ヘッド用軟磁
性薄膜およびその製造方法を提供することにある。ここ
で，本発明のこの技術的課題を更に具体的にのべれば，
飽和磁化Ｂｓ：２．０Ｔ≧Ｂｓ≧１．５Ｔ，比抵抗ρ：
４２５μΩｃｍ≧ρ≧３０μΩｃｍ，保磁力Ｈｃ≦５Ｏ
ｅを満たす磁気特性を実現する磁気ヘッド用軟磁性薄膜
を提供することにある。
【００１７】また，本発明の他の技術的課題は，上記軟
磁性薄膜を用いた磁気ヘッド及び磁気記憶装置を提供す
ることにある。
磁性薄膜を用いた磁気ヘッド及び磁気記憶装置を提供す
ることにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め，本発明では，少なくともＳを原子比で０．５から４
ａｔ％含有したＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜であって，しかもＣ
ｏ，Ｎｉ，及びＦｅ３元素の組成が，原子比で，３０％
≦Ｃｏ≦９０％，０％＜Ｎｉ≦４０％，０％＜Ｆｅ≦４
０％を満たす軟磁性薄膜を硫黄系有機化合物を含む，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，及びＦｅの各々の金属塩からなるからなるめ
っき液を用いて，磁気ヘッドの磁気回路をなす下部軟磁
性体層あるいは上部磁性体層の少なくとも一部に成膜し
磁気ヘッドを形成することによって，高Ｂｓ且つ高比抵
抗の磁極からなる高密度，高周波記録特性の優れた磁気
ヘッド，磁気記憶装置を実現したものである。
め，本発明では，少なくともＳを原子比で０．５から４
ａｔ％含有したＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜であって，しかもＣ
ｏ，Ｎｉ，及びＦｅ３元素の組成が，原子比で，３０％
≦Ｃｏ≦９０％，０％＜Ｎｉ≦４０％，０％＜Ｆｅ≦４
０％を満たす軟磁性薄膜を硫黄系有機化合物を含む，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，及びＦｅの各々の金属塩からなるからなるめ
っき液を用いて，磁気ヘッドの磁気回路をなす下部軟磁
性体層あるいは上部磁性体層の少なくとも一部に成膜し
磁気ヘッドを形成することによって，高Ｂｓ且つ高比抵
抗の磁極からなる高密度，高周波記録特性の優れた磁気
ヘッド，磁気記憶装置を実現したものである。
【００１９】即ち，本発明によれば，原子比で３０〜９
０％のＣｏ，４０％以下のＮｉ，４０％以下のＦｅから
なるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金に，少なくともＳを原子比で
０．５〜４ａｔ％含有することを特徴とするＣｏ−Ｎｉ
−Ｆｅを主成分とする軟磁性薄膜が得られる。
０％のＣｏ，４０％以下のＮｉ，４０％以下のＦｅから
なるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金に，少なくともＳを原子比で
０．５〜４ａｔ％含有することを特徴とするＣｏ−Ｎｉ
−Ｆｅを主成分とする軟磁性薄膜が得られる。
【００２０】また，本発明によれば，Ｃｏ，Ｎｉ，及び
Ｆｅの各々の金属塩を含むめっき液であって，更に，硫
黄系有機化合物を含有することを特徴とするＣｏ−Ｎｉ
−Ｆｅ合金めっき液が得られる。
Ｆｅの各々の金属塩を含むめっき液であって，更に，硫
黄系有機化合物を含有することを特徴とするＣｏ−Ｎｉ
−Ｆｅ合金めっき液が得られる。
【００２１】ここで，本発明のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金め
っき液において，前記硫黄系有機化合物は，チオ尿素，
アミノチアゾール，及びチオジグリコール酸の内の少な
くとも一種であることが好ましく，また，更に添加剤と
して，界面活性剤及び硼酸のうちの少なくとも一種を添
加してなることが好ましい。
っき液において，前記硫黄系有機化合物は，チオ尿素，
アミノチアゾール，及びチオジグリコール酸の内の少な
くとも一種であることが好ましく，また，更に添加剤と
して，界面活性剤及び硼酸のうちの少なくとも一種を添
加してなることが好ましい。
【００２２】また，本発明によれば，前記いずれかのＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金めっき液を用い，ｐＨ値２〜６，温
度２０℃〜４０℃，電流密度１〜３０ｍＡ／ｃｍ2 の条
件での電析によって軟磁性薄膜を形成する方法であっ
て，前記電析の際に，当該形成される軟磁性薄膜に所定
方向に磁界を印加することを特徴とするＣｏ−Ｎｉ−Ｆ
ｅを主成分とする軟磁性薄膜の製造方法が得られる。
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金めっき液を用い，ｐＨ値２〜６，温
度２０℃〜４０℃，電流密度１〜３０ｍＡ／ｃｍ2 の条
件での電析によって軟磁性薄膜を形成する方法であっ
て，前記電析の際に，当該形成される軟磁性薄膜に所定
方向に磁界を印加することを特徴とするＣｏ−Ｎｉ−Ｆ
ｅを主成分とする軟磁性薄膜の製造方法が得られる。
【００２３】また，本発明によれば，磁気回路を形成す
る下部軟磁性体層及び上部軟磁性体層と，前記下部軟磁
性体層及び前記上部軟磁性体層に叉交する導電性薄膜材
料からなるコイル層と，非磁性絶縁材料よりなるギャッ
プ層又は層間絶縁層と，前記コイル層に駆動電流を通電
する電極を備えた磁気ヘッドにおいて，前記下部軟磁性
体層及び前記上部軟磁性体層の内の少なくとも一方は，
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金を主成分とし，副成分として原子
比で総含有量の０．５〜４％のＳを含む軟磁性薄膜から
なることを特徴とする磁気ヘッドが得られる。
る下部軟磁性体層及び上部軟磁性体層と，前記下部軟磁
性体層及び前記上部軟磁性体層に叉交する導電性薄膜材
料からなるコイル層と，非磁性絶縁材料よりなるギャッ
プ層又は層間絶縁層と，前記コイル層に駆動電流を通電
する電極を備えた磁気ヘッドにおいて，前記下部軟磁性
体層及び前記上部軟磁性体層の内の少なくとも一方は，
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金を主成分とし，副成分として原子
比で総含有量の０．５〜４％のＳを含む軟磁性薄膜から
なることを特徴とする磁気ヘッドが得られる。
【００２４】さらに，本発明によれば，磁気ヘッドの磁
気回路をなす上部磁性体層及び下部磁性体層の少なくと
も一方の媒体対向面側の磁極端の一部が，Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｆｅ合金膜を主成分とし，副成分として原子比で０．５
〜４％のＳを含有する第１の軟磁性薄膜材料で形成さ
れ，前記磁気回路の残りの部分が，前記第１の軟磁性薄
膜材料とは異なる第２の軟磁性薄膜材料で形成されてい
ることを特徴とする磁気へッドが得られる。
気回路をなす上部磁性体層及び下部磁性体層の少なくと
も一方の媒体対向面側の磁極端の一部が，Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｆｅ合金膜を主成分とし，副成分として原子比で０．５
〜４％のＳを含有する第１の軟磁性薄膜材料で形成さ
れ，前記磁気回路の残りの部分が，前記第１の軟磁性薄
膜材料とは異なる第２の軟磁性薄膜材料で形成されてい
ることを特徴とする磁気へッドが得られる。
【００２５】ここで，本発明の前記磁気ヘッドにおい
て，前記２の軟磁性薄膜材料は，Ｎｉ−Ｆｅめっき膜を
含むことが好ましい。
て，前記２の軟磁性薄膜材料は，Ｎｉ−Ｆｅめっき膜を
含むことが好ましい。
【００２６】また，本発明によれば，前記磁気ヘッドに
おいて，強磁性軟磁性薄膜の単層膜又は多層膜の磁気抵
抗効果を利用した再生ヘッドと複合化されていることを
特徴とする磁気ヘッドが得られる。
おいて，強磁性軟磁性薄膜の単層膜又は多層膜の磁気抵
抗効果を利用した再生ヘッドと複合化されていることを
特徴とする磁気ヘッドが得られる。
【００２７】さらに，本発明によれば，少なくとも複数
のデータ記録用トラックを有する磁気記録媒体と，前記
磁気記録媒体上に記録された磁気情報から漏洩する磁界
を検出する磁気抵抗効果素子と，前記記録媒体へ情報を
記録する書込み磁気ヘッドと，前記磁気抵抗効果素子及
び前記書込みヘッドを外部回路と接続するための導電性
リード線と，前記磁気抵抗効果素子及び前記書込みヘッ
ドを磁気記録媒体上の所定のトラック上へ移動させるた
めのアクチュエータ手段とを具備する磁気記億装置であ
つて，前記磁気記録媒体は２０００Ｏｅ以上の保磁力を
有し，前記書込みヘッドの磁気回路をなす磁極材料は
０．５〜４ａｔ％の範囲のＳと残部Ｃｏ，Ｎｉ，及びＦ
ｅを主成分とする合金とから実質的になる軟磁性薄膜で
あり，前記合金は，原子比で，３０〜９０％のＣｏ，４
０％以下のＮｉと，４０％以下のＦｅからなることを特
徴とする磁気記憶装置が得られる。
のデータ記録用トラックを有する磁気記録媒体と，前記
磁気記録媒体上に記録された磁気情報から漏洩する磁界
を検出する磁気抵抗効果素子と，前記記録媒体へ情報を
記録する書込み磁気ヘッドと，前記磁気抵抗効果素子及
び前記書込みヘッドを外部回路と接続するための導電性
リード線と，前記磁気抵抗効果素子及び前記書込みヘッ
ドを磁気記録媒体上の所定のトラック上へ移動させるた
めのアクチュエータ手段とを具備する磁気記億装置であ
つて，前記磁気記録媒体は２０００Ｏｅ以上の保磁力を
有し，前記書込みヘッドの磁気回路をなす磁極材料は
０．５〜４ａｔ％の範囲のＳと残部Ｃｏ，Ｎｉ，及びＦ
ｅを主成分とする合金とから実質的になる軟磁性薄膜で
あり，前記合金は，原子比で，３０〜９０％のＣｏ，４
０％以下のＮｉと，４０％以下のＦｅからなることを特
徴とする磁気記憶装置が得られる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００２９】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態による磁気ヘッドの要部を示す断面図であ
る。図１に示す磁気ヘッドは，上部磁性体層１８乃至下
部磁性体層１３の内の少なくとも一方をＣｏ，Ｎｉ，及
びＦｅを主成分（但し，Ｃｏ，Ｎｉ，及びＦｅは夫々３
０％≦Ｃｏ≦９０％，０％＜Ｎｉ≦４０％，０＜Ｆｅ≦
４０％の範囲）とし，少なくともＳを原子比で０．５〜
４％含有する軟磁性めっき膜で形成したものである。他
の部分は，例えば，逢坂 哲彌 ほか：「薄膜磁気ヘッ
ド用メッキ形高飽和磁束密度材料」，電子材料，１９９
４年１１月号，第４１頁〜第４６頁，工業調査会発行の
図２及びその説明に示されている薄膜磁気ヘッドの作製
工程を踏襲して以下のようにして形成した。
の実施の形態による磁気ヘッドの要部を示す断面図であ
る。図１に示す磁気ヘッドは，上部磁性体層１８乃至下
部磁性体層１３の内の少なくとも一方をＣｏ，Ｎｉ，及
びＦｅを主成分（但し，Ｃｏ，Ｎｉ，及びＦｅは夫々３
０％≦Ｃｏ≦９０％，０％＜Ｎｉ≦４０％，０＜Ｆｅ≦
４０％の範囲）とし，少なくともＳを原子比で０．５〜
４％含有する軟磁性めっき膜で形成したものである。他
の部分は，例えば，逢坂 哲彌 ほか：「薄膜磁気ヘッ
ド用メッキ形高飽和磁束密度材料」，電子材料，１９９
４年１１月号，第４１頁〜第４６頁，工業調査会発行の
図２及びその説明に示されている薄膜磁気ヘッドの作製
工程を踏襲して以下のようにして形成した。
【００３０】すなわち，Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣなどのセラ
ミックスの基板１１上に，スパッタによって，数μｍか
ら数十μｍの絶縁物（例えば，アルミナ）層１２を成膜
する。ついで，Ｔｉ／Ｎｉ−Ｆｅ（膜厚が２ｎｍ／１０
０ｎｍ）積層膜（図示せず）をスパッタ成膜し，めっき
下地層を形成する。その後，フォトレジスト（以下，Ｐ
Ｒと呼ぶ）を塗布・露光し，所定の下部磁性体層１３の
形状に対応したフォトレジストパタンを形成する。つい
で，電気めっき法により軟磁性膜を析出させ，いわゆる
フレームめっき法により下部磁性体層１３を作製する。
この軟磁性膜はＣｏ，Ｎｉ，及びＦｅを主成分（但し，
３０％≦Ｃｏ≦９０％，０％＜Ｎｉ≦４０％，０％＜Ｆ
ｅ≦４０％）とし，少なくともＳを原子比でＯ．５から
４％含有するものであり，めっき浴はＣｏ，Ｎｉ，及び
Ｆｅの各々の金属塩と，めっき液に導電性を付与する硫
酸アンモニウム等の電導塩，膜の構造や粒径を制御する
硫黄系有機化合物を含むことを基本とし，ラウリル硫酸
などの界面活性剤や硼酸等を添加してもよい。
ミックスの基板１１上に，スパッタによって，数μｍか
ら数十μｍの絶縁物（例えば，アルミナ）層１２を成膜
する。ついで，Ｔｉ／Ｎｉ−Ｆｅ（膜厚が２ｎｍ／１０
０ｎｍ）積層膜（図示せず）をスパッタ成膜し，めっき
下地層を形成する。その後，フォトレジスト（以下，Ｐ
Ｒと呼ぶ）を塗布・露光し，所定の下部磁性体層１３の
形状に対応したフォトレジストパタンを形成する。つい
で，電気めっき法により軟磁性膜を析出させ，いわゆる
フレームめっき法により下部磁性体層１３を作製する。
この軟磁性膜はＣｏ，Ｎｉ，及びＦｅを主成分（但し，
３０％≦Ｃｏ≦９０％，０％＜Ｎｉ≦４０％，０％＜Ｆ
ｅ≦４０％）とし，少なくともＳを原子比でＯ．５から
４％含有するものであり，めっき浴はＣｏ，Ｎｉ，及び
Ｆｅの各々の金属塩と，めっき液に導電性を付与する硫
酸アンモニウム等の電導塩，膜の構造や粒径を制御する
硫黄系有機化合物を含むことを基本とし，ラウリル硫酸
などの界面活性剤や硼酸等を添加してもよい。
【００３１】下部磁性体層１３形成後，所定のギャップ
長Ｇを持つ絶縁層（ギャップ層）１４をスパッタ法で成
膜する。ギャップ膜の材質はアルミナである。その後，
下部磁性体層１３の段差を解消するため，ＰＲ等からな
る有機物層１５を形成し，銅めっき膜等の導電性材料か
らなるコイル１６を形成する。ついで，コイル１６の段
差を解消するため，ＰＲ等からなる有機物層１７を形成
する。
長Ｇを持つ絶縁層（ギャップ層）１４をスパッタ法で成
膜する。ギャップ膜の材質はアルミナである。その後，
下部磁性体層１３の段差を解消するため，ＰＲ等からな
る有機物層１５を形成し，銅めっき膜等の導電性材料か
らなるコイル１６を形成する。ついで，コイル１６の段
差を解消するため，ＰＲ等からなる有機物層１７を形成
する。
【００３２】その後，下部磁性体層１３と同様にして，
Ｃｏ，Ｎｉ，及びＦｅを主成分（但し，Ｃｏ，Ｎｉ，及
びＦｅの夫々が３０％≦Ｃｏ≦９０％，０％＜Ｎｉ≦４
０％，０％＜Ｆｅ≦４０％の範囲内）とし，少なくとも
Ｓを原子比で０．５から４％含有する軟磁性膜からなる
上部磁性体層１８を形成して，薄膜磁気ヘッドの素子部
の作成を行なう。最後に，薄膜磁気ヘッドの素子部を保
護する為，数十μｍのスパッタアルミナ膜（図示せず）
を成膜して，薄膜磁気ヘッド素子が完成される。
Ｃｏ，Ｎｉ，及びＦｅを主成分（但し，Ｃｏ，Ｎｉ，及
びＦｅの夫々が３０％≦Ｃｏ≦９０％，０％＜Ｎｉ≦４
０％，０％＜Ｆｅ≦４０％の範囲内）とし，少なくとも
Ｓを原子比で０．５から４％含有する軟磁性膜からなる
上部磁性体層１８を形成して，薄膜磁気ヘッドの素子部
の作成を行なう。最後に，薄膜磁気ヘッドの素子部を保
護する為，数十μｍのスパッタアルミナ膜（図示せず）
を成膜して，薄膜磁気ヘッド素子が完成される。
【００３３】薄膜磁気ヘッド素子完成後，ウエハから切
断し，所定の研磨作業等を行いスライダー化する。又，
リード線取付作業，あるいはサスペンション取り付け作
業等，例えば，特開平７−２６２５１９号公報に示され
ている作業工程を経て，磁気ヘッドが完成される。
断し，所定の研磨作業等を行いスライダー化する。又，
リード線取付作業，あるいはサスペンション取り付け作
業等，例えば，特開平７−２６２５１９号公報に示され
ている作業工程を経て，磁気ヘッドが完成される。
【００３４】第１の実施の形態による軟磁性膜は電気め
っき法により成膜されたＣｏ，Ｎｉ，及びＦｅを主成分
（但し，３０％≦Ｃｏ≦９０％，０％＜Ｎｉ≦４０％，
０％＜Ｆｅ≦４０％）とする軟磁性膜であり，少なくと
もＳを原子比で０．５から４％含有している。この構成
により，高Ｂｓ（≧１．５Ｔ），低保磁力（≦５Ｏ
ｅ），高比抵抗（即ち，３０μΩｃｍ≦比抵抗≦４２５
μΩｃｍ）が実現される。
っき法により成膜されたＣｏ，Ｎｉ，及びＦｅを主成分
（但し，３０％≦Ｃｏ≦９０％，０％＜Ｎｉ≦４０％，
０％＜Ｆｅ≦４０％）とする軟磁性膜であり，少なくと
もＳを原子比で０．５から４％含有している。この構成
により，高Ｂｓ（≧１．５Ｔ），低保磁力（≦５Ｏ
ｅ），高比抵抗（即ち，３０μΩｃｍ≦比抵抗≦４２５
μΩｃｍ）が実現される。
【００３５】第１の実施の形態の軟磁性膜は，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，及びＦｅの各々の金属塩と，めっき液に導電性を付
与する硫酸アンモニウム等の電導塩，膜の構造や粒径を
制御する硫黄系有機化合物を含むめっき液から電析する
ことを基本とし，必要に応じてラウリル硫酸などの界面
活性剤や，硼酸等を添加してもよい。
ｉ，及びＦｅの各々の金属塩と，めっき液に導電性を付
与する硫酸アンモニウム等の電導塩，膜の構造や粒径を
制御する硫黄系有機化合物を含むめっき液から電析する
ことを基本とし，必要に応じてラウリル硫酸などの界面
活性剤や，硼酸等を添加してもよい。
【００３６】又，めっき液中の磁性金属イオンの濃度は
ＣｏとＦｅが０．０から０．１ｍｏｌ／ｄｍ3 程度で有
り，Ｎｉイオン濃度はＣｏあるいはＦｅイオン濃度の２
倍から１０倍が目安である。硫黄有機化合物の添加量
は，０．０１ｇ／ｌから０．１ｇ／ｌである。これは，
これ以下でもこれ以上でも保磁力（Ｈｃ）が増加するか
らである。
ＣｏとＦｅが０．０から０．１ｍｏｌ／ｄｍ3 程度で有
り，Ｎｉイオン濃度はＣｏあるいはＦｅイオン濃度の２
倍から１０倍が目安である。硫黄有機化合物の添加量
は，０．０１ｇ／ｌから０．１ｇ／ｌである。これは，
これ以下でもこれ以上でも保磁力（Ｈｃ）が増加するか
らである。
【００３７】更に，めっき液のｐＨは，２〜６が望まし
い。これはｐＨが６を越える範囲では，金属イオンの水
酸化物が生成し，浴が不安定となるからであり，ｐＨが
２．０未満では，多量の水素が発生し，析出速度が極端
に低下し，生産性が阻害されるからである。
い。これはｐＨが６を越える範囲では，金属イオンの水
酸化物が生成し，浴が不安定となるからであり，ｐＨが
２．０未満では，多量の水素が発生し，析出速度が極端
に低下し，生産性が阻害されるからである。
【００３８】めっき膜の析出は，定電流電析法を用い，
電流密度範囲を１〜３０ｍＡ／ｃｍ2 で成膜する。この
電流密度範囲以下では，析出効率が低下するため好まし
くなく，これ以上では膜応力が増大し，均一膜質を得る
ことが困難となる。
電流密度範囲を１〜３０ｍＡ／ｃｍ2 で成膜する。この
電流密度範囲以下では，析出効率が低下するため好まし
くなく，これ以上では膜応力が増大し，均一膜質を得る
ことが困難となる。
【００３９】また，めっき液の温度は，２０〜４０℃で
ある。これは２０℃未満の温度では，析出速度が低下
し，生産性が劣化するからであり，４０℃を越えると成
膜の均一性が損なわれ，磁気特性の劣化につながり好ま
しくないからである。
ある。これは２０℃未満の温度では，析出速度が低下
し，生産性が劣化するからであり，４０℃を越えると成
膜の均一性が損なわれ，磁気特性の劣化につながり好ま
しくないからである。
【００４０】更に，めっき中は，めっき液を適当に撹拌
することが望ましいが，この条件は使用するめっき槽の
形状や大きさ，及び被めっき物の大きさ（例えば，磁気
ヘッドウエハの大きさや同時にめっきするウエハの数）
等によるので，適宜最適化されるべき事項である。
することが望ましいが，この条件は使用するめっき槽の
形状や大きさ，及び被めっき物の大きさ（例えば，磁気
ヘッドウエハの大きさや同時にめっきするウエハの数）
等によるので，適宜最適化されるべき事項である。
【００４１】図２は，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系の飽和磁化Ｂ
ｓの３元組成図である。ここで，図２中の斜線で示した
領域（イ）で，Ｂｓ≧１．５Ｔという高い飽和磁化が実
現出来た。
ｓの３元組成図である。ここで，図２中の斜線で示した
領域（イ）で，Ｂｓ≧１．５Ｔという高い飽和磁化が実
現出来た。
【００４２】次に，図３は軟磁性膜として重要な低保磁
力の観点から，比較のために従来より一般的に用いられ
ている添加剤（サッカリン）を用いて成膜したＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｆｅ膜の保磁力の測定結果を示す図である。図３の
低保磁力の範囲と図２の高Ｂｓの範囲とを比較すると，
低保磁力（≦５Ｏｅ）が得られる範囲と高Ｂｓ（≧１．
５Ｔ）の範囲との領域が必ずしも重ならず，高Ｂｓ（≧
１．５Ｔ）且つ低保磁力（≦５Ｏｅ）である領域は狭い
ものである。更に，本発明者らは，この高Ｂｓ且つ低保
磁力なる領域の比抵抗を測定したところ，高Ｂｓ且つ低
Ｈｃである領域では，比抵抗が高々２０〜２５μΩｃｍ
程度で，従来のパーマロイ（２０μΩｃｍ）並みの比抵
抗であり，高周波記録特性の改善が困難であることが判
明した。
力の観点から，比較のために従来より一般的に用いられ
ている添加剤（サッカリン）を用いて成膜したＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｆｅ膜の保磁力の測定結果を示す図である。図３の
低保磁力の範囲と図２の高Ｂｓの範囲とを比較すると，
低保磁力（≦５Ｏｅ）が得られる範囲と高Ｂｓ（≧１．
５Ｔ）の範囲との領域が必ずしも重ならず，高Ｂｓ（≧
１．５Ｔ）且つ低保磁力（≦５Ｏｅ）である領域は狭い
ものである。更に，本発明者らは，この高Ｂｓ且つ低保
磁力なる領域の比抵抗を測定したところ，高Ｂｓ且つ低
Ｈｃである領域では，比抵抗が高々２０〜２５μΩｃｍ
程度で，従来のパーマロイ（２０μΩｃｍ）並みの比抵
抗であり，高周波記録特性の改善が困難であることが判
明した。
【００４３】そこで，添加剤をチオ尿素に変更して，Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅの３元系軟磁性膜を作製し，その時の保
磁力を測定した。その結果を図４に示す。
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅの３元系軟磁性膜を作製し，その時の保
磁力を測定した。その結果を図４に示す。
【００４４】図４において，斜線部（ハ）が保磁力≦５
Ｏｅの領域であり，黒く塗りつぶした領域（ニ）が２Ｏ
ｅ以下の保磁力を示した領域である。ここで，図２にお
けるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系膜の飽和磁化Ｂｓを示した
領域とを比較すると，図４のチオ尿素を添加したもの
は，図２に示したサッカリン添加の場合とは異なり，チ
オ尿素添加で作製した領域に包含されていることがわか
る。
Ｏｅの領域であり，黒く塗りつぶした領域（ニ）が２Ｏ
ｅ以下の保磁力を示した領域である。ここで，図２にお
けるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系膜の飽和磁化Ｂｓを示した
領域とを比較すると，図４のチオ尿素を添加したもの
は，図２に示したサッカリン添加の場合とは異なり，チ
オ尿素添加で作製した領域に包含されていることがわか
る。
【００４５】尚，Ｈｃを示す図４では明示しなかった
が，２Ｏｅ以下の低保磁力の得られる領域（図４の交差
した斜線で塗りつぶした領域（ニ））では，Ｂｓの値が
１．８Ｔ以上有り，磁気ヘッド材料として望ましい特性
であった。
が，２Ｏｅ以下の低保磁力の得られる領域（図４の交差
した斜線で塗りつぶした領域（ニ））では，Ｂｓの値が
１．８Ｔ以上有り，磁気ヘッド材料として望ましい特性
であった。
【００４６】このように，チオ尿素を添加剤とすること
により高Ｂｓ且つ低保磁力が実現出来ることが判明し
た。又，他の硫黄系有機化合物，例えばアミノチアゾー
ル，チオジグリコール酸などでも同様な結果を得た。
により高Ｂｓ且つ低保磁力が実現出来ることが判明し
た。又，他の硫黄系有機化合物，例えばアミノチアゾー
ル，チオジグリコール酸などでも同様な結果を得た。
【００４７】以上のような磁気特性評価結果を踏まえ，
本発明の眼目である比抵抗の測定実験，特に比抵抗の硫
黄含有量依存性について検討した。
本発明の眼目である比抵抗の測定実験，特に比抵抗の硫
黄含有量依存性について検討した。
【００４８】図５はその結果の一例である。図５から明
らかな通り，硫黄含有量０．５ａｔ％で膜の比抵抗は３
０μΩｃｍとパーマロイの２０μΩｃｍ，サッカリン添
加剤を用いためっき浴で成膜した膜の２５μΩｃｍより
大きな値となり，その後，Ｓ含有量が増すに連れ増大
し，４．８％含有時には４５０μΩｃｍという非常に大
きな比抵抗が実現された。しかし，同時に実施した保磁
力の測定結果から，Ｓの含有量には限界があることが判
明した。つまり，保磁力は図５に示した様に，一旦低下
し，Ｓ含有量が０．５ａｔ％で５Ｏｅとなり，Ｓ含有量
が１ａｔ％程度で最小値０．８Ｏｅとなる。その後，Ｓ
含有量が増すにつれて，徐々に保磁力は増大し，Ｓ含有
量４ａｔ％で５Ｏｅとなる。これを越えるとで保磁力は
急激に増加し，例えば，４．８ａｔ％のＳを含有した膜
では保磁力は１４Ｏｅ程度となり，磁気ヘッド磁極材料
としては不適である。
らかな通り，硫黄含有量０．５ａｔ％で膜の比抵抗は３
０μΩｃｍとパーマロイの２０μΩｃｍ，サッカリン添
加剤を用いためっき浴で成膜した膜の２５μΩｃｍより
大きな値となり，その後，Ｓ含有量が増すに連れ増大
し，４．８％含有時には４５０μΩｃｍという非常に大
きな比抵抗が実現された。しかし，同時に実施した保磁
力の測定結果から，Ｓの含有量には限界があることが判
明した。つまり，保磁力は図５に示した様に，一旦低下
し，Ｓ含有量が０．５ａｔ％で５Ｏｅとなり，Ｓ含有量
が１ａｔ％程度で最小値０．８Ｏｅとなる。その後，Ｓ
含有量が増すにつれて，徐々に保磁力は増大し，Ｓ含有
量４ａｔ％で５Ｏｅとなる。これを越えるとで保磁力は
急激に増加し，例えば，４．８ａｔ％のＳを含有した膜
では保磁力は１４Ｏｅ程度となり，磁気ヘッド磁極材料
としては不適である。
【００４９】以上の様に，チオ尿素等の硫黄有機化合物
を添加剤としためっき浴から成膜したＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
軟磁性膜では，膜中の硫黄含有量が０．５ａｔ％から４
ａｔ％の範囲で従来のパーマロイ以上の高い比抵抗（≧
３０μΩｃｍ）が得られ，しかも保磁力も５Ｏｅ以下の
良好な特性が実現される。
を添加剤としためっき浴から成膜したＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
軟磁性膜では，膜中の硫黄含有量が０．５ａｔ％から４
ａｔ％の範囲で従来のパーマロイ以上の高い比抵抗（≧
３０μΩｃｍ）が得られ，しかも保磁力も５Ｏｅ以下の
良好な特性が実現される。
【００５０】尚，比較の為に，サッカリン添加めっき浴
についても，サッカリン量を種々変化させて，Ｓ含有量
を増すことを試みたが，硫黄含有量は，０．３ａｔ％以
下で有り，高比抵抗化を実現することが出来なかった。
についても，サッカリン量を種々変化させて，Ｓ含有量
を増すことを試みたが，硫黄含有量は，０．３ａｔ％以
下で有り，高比抵抗化を実現することが出来なかった。
【００５１】上述したように，硫黄（Ｓ）含有量の増大
により，高比抵抗化する理由は確定出来ないが，透過型
電子顕微鏡によりＳ含有量０．３ａｔ％の膜（比抵抗２
０μΩｃｍ，保磁力６．５Ｏｅ）と１ａｔ％の膜（比抵
抗５５μΩｃｍ，保磁力１．００Ｏｅ）の膜を観察した
ところ，前者の膜では粒径３０ｎｍで，後者の膜の粒径
１０ｎｍ以下に比較して大きかった。従って，低Ｓ含有
量の膜では，磁性相の結晶磁気異方性が大きく，高い保
磁力を示し，粒界での電子散乱が少なく，小さな比抵抗
となったものと推定された。逆に，Ｓ含有量が１．０ａ
ｔ％の膜では，粒径が小さいので，結晶磁気異方性が小
く低保磁力となり，粒界での電子散乱が大きく比抵抗が
増大したものと考えられる。
により，高比抵抗化する理由は確定出来ないが，透過型
電子顕微鏡によりＳ含有量０．３ａｔ％の膜（比抵抗２
０μΩｃｍ，保磁力６．５Ｏｅ）と１ａｔ％の膜（比抵
抗５５μΩｃｍ，保磁力１．００Ｏｅ）の膜を観察した
ところ，前者の膜では粒径３０ｎｍで，後者の膜の粒径
１０ｎｍ以下に比較して大きかった。従って，低Ｓ含有
量の膜では，磁性相の結晶磁気異方性が大きく，高い保
磁力を示し，粒界での電子散乱が少なく，小さな比抵抗
となったものと推定された。逆に，Ｓ含有量が１．０ａ
ｔ％の膜では，粒径が小さいので，結晶磁気異方性が小
く低保磁力となり，粒界での電子散乱が大きく比抵抗が
増大したものと考えられる。
【００５２】又，Ｓ含有量が４ａｔ％を越える膜で保磁
力が激増した理由は定かではないが，Ｓ含有量が４ａｔ
％を越えると膜応力が著しく増加することから，応力誘
起異方性によリ高保磁力化するか，あるいは磁性相が孤
立化することと関連しているものと推測される。
力が激増した理由は定かではないが，Ｓ含有量が４ａｔ
％を越えると膜応力が著しく増加することから，応力誘
起異方性によリ高保磁力化するか，あるいは磁性相が孤
立化することと関連しているものと推測される。
【００５３】（第２の実施の形態）図６は本発明の第２
の実施の形態による磁気ヘッドの要部を示す断面図であ
る。図６に示すように，上部磁性体層１８及び下部磁性
層１３の内の少なくとも一方の媒体対向面側の一部をＣ
ｏ，Ｎｉ，Ｆｅを主成分（但し，３０％≦Ｃｏ≦９０
％，０％＜Ｎｉ≦４０％，０＜Ｆｅ≦４０％）とし，少
なくともＳを原子比で，０．５〜４ａｔ％含有する軟磁
性めっき膜パタン１９で形成したものである。
の実施の形態による磁気ヘッドの要部を示す断面図であ
る。図６に示すように，上部磁性体層１８及び下部磁性
層１３の内の少なくとも一方の媒体対向面側の一部をＣ
ｏ，Ｎｉ，Ｆｅを主成分（但し，３０％≦Ｃｏ≦９０
％，０％＜Ｎｉ≦４０％，０＜Ｆｅ≦４０％）とし，少
なくともＳを原子比で，０．５〜４ａｔ％含有する軟磁
性めっき膜パタン１９で形成したものである。
【００５４】尚，図６の第２の実施の形態では，上部磁
性体層側にのみ本発明の実施の形態による磁性めっき膜
パタンを挿入した例を開示してある。他の部分は前述と
同様の薄膜磁気ヘッドの作製工程を踏襲して形成されて
おり，軟磁性めっき膜パタン１９の形成工程以外は，第
１の実施の形態の磁気ヘッドの箇所で記述した通りであ
る。軟磁性めっき膜パタン１９の形成は，上部及び下部
磁性体層の形成と同様に，フレームめっき法により形成
され，めっき浴組成，めっき条件等は，本発明の第１の
実施の形態の磁気ヘッドで記述した軟磁性膜の形成法と
同様である。
性体層側にのみ本発明の実施の形態による磁性めっき膜
パタンを挿入した例を開示してある。他の部分は前述と
同様の薄膜磁気ヘッドの作製工程を踏襲して形成されて
おり，軟磁性めっき膜パタン１９の形成工程以外は，第
１の実施の形態の磁気ヘッドの箇所で記述した通りであ
る。軟磁性めっき膜パタン１９の形成は，上部及び下部
磁性体層の形成と同様に，フレームめっき法により形成
され，めっき浴組成，めっき条件等は，本発明の第１の
実施の形態の磁気ヘッドで記述した軟磁性膜の形成法と
同様である。
【００５５】（第３の実施の形態）図７は本発明の３の
実施の形態による磁気ヘッドの構造を示す断面図であ
る。図７に示すように，上部及び下部磁性体層１３，１
８の少なくとも一方をＣｏ，Ｎｉ，及びＦｅを主成分
（但し，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅは夫々３０％≦Ｃｏ≦９０
％，０％＜Ｎｉ≦４０％，０％＜Ｆｅ≦４０％の範囲
内）とし，少なくともＳを原子比で０．５から４ａｔ％
含有する軟磁性めっき膜で形成しており，更に，記録媒
体上の記録情報を再生する磁気抵抗効果（ＭＲ）素子２
３と複合化された構造の磁気ヘッドである。
実施の形態による磁気ヘッドの構造を示す断面図であ
る。図７に示すように，上部及び下部磁性体層１３，１
８の少なくとも一方をＣｏ，Ｎｉ，及びＦｅを主成分
（但し，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅは夫々３０％≦Ｃｏ≦９０
％，０％＜Ｎｉ≦４０％，０％＜Ｆｅ≦４０％の範囲
内）とし，少なくともＳを原子比で０．５から４ａｔ％
含有する軟磁性めっき膜で形成しており，更に，記録媒
体上の記録情報を再生する磁気抵抗効果（ＭＲ）素子２
３と複合化された構造の磁気ヘッドである。
【００５６】第３の実施の形態においては，下部磁性体
層１３とアルミナスパッタ膜からなる絶縁物層１４との
間には，下部シールド２１が設けられ，さらに，その上
にシルド間ギャップ２２を形成性する絶縁物層が設けら
れ，その絶縁物層２２の中にＭＲ素子２３が収容されて
いる。
層１３とアルミナスパッタ膜からなる絶縁物層１４との
間には，下部シールド２１が設けられ，さらに，その上
にシルド間ギャップ２２を形成性する絶縁物層が設けら
れ，その絶縁物層２２の中にＭＲ素子２３が収容されて
いる。
【００５７】尚，ここでＭＲ素子２３とは，磁気抵抗効
果を利用した再生専用素子を意味しており，ＭＲ素子ヘ
センス電流を通電する電極バタンや線形動作やバルクハ
ウゼンノイズ抑制の為の各種バイアス印加手段について
は，図の繁雑さを回避するため省略して示してある。
果を利用した再生専用素子を意味しており，ＭＲ素子ヘ
センス電流を通電する電極バタンや線形動作やバルクハ
ウゼンノイズ抑制の為の各種バイアス印加手段について
は，図の繁雑さを回避するため省略して示してある。
【００５８】このような磁気ヘッドでは，ＭＲ素子２３
を作製する工程が別途必要となるが，再生ヘッドと記録
ヘッドを各々最適設計出来ること，ＭＲ膜の高感度性，
高出力性を利用出来，高面密度においても高い再生出力
が実現出来ること，従来の電磁誘導型薄膜ヘッドで再生
出力を得る必要が無いので，コイルの巻き数を低減出
来，ヘッドノイズを低減出来ることなどの利点がある。
を作製する工程が別途必要となるが，再生ヘッドと記録
ヘッドを各々最適設計出来ること，ＭＲ膜の高感度性，
高出力性を利用出来，高面密度においても高い再生出力
が実現出来ること，従来の電磁誘導型薄膜ヘッドで再生
出力を得る必要が無いので，コイルの巻き数を低減出
来，ヘッドノイズを低減出来ることなどの利点がある。
【００５９】尚，第３の実施の形態として下部磁性体層
１３，あるいは上部磁性体層１８の少なくとも一方の全
体を本発明の軟磁性めっき膜で構成する例を，図７に示
したが，第２の実施の形態（図６で図示）の如き，下
部，あるいは上部磁性体層の媒体対向面側の一部が，軟
磁性めっき膜で構成された薄膜磁気ヘッドとＭＲ素子と
複合化されていてもよい。
１３，あるいは上部磁性体層１８の少なくとも一方の全
体を本発明の軟磁性めっき膜で構成する例を，図７に示
したが，第２の実施の形態（図６で図示）の如き，下
部，あるいは上部磁性体層の媒体対向面側の一部が，軟
磁性めっき膜で構成された薄膜磁気ヘッドとＭＲ素子と
複合化されていてもよい。
【００６０】（第４の実施の形態）第４の実施の形態で
は，第１乃至第３の実施の形態による磁気ヘッドの適用
例について説明する。
は，第１乃至第３の実施の形態による磁気ヘッドの適用
例について説明する。
【００６１】図８は本発明の第１乃至第３の実施の形態
による磁気ヘッドを用いた磁気記憶装置３０の構成図で
ある。図８の磁気記憶装置３０は，磁気ヘッドを搭載し
たヘッドスライダー３１，磁気記録媒体３２（所謂磁気
ディスク板），アクチュエータ３３，及びスピンドルモ
ータ３４を備えている。スピンドルモータ３４は，信号
処理系３５に電気接続されている。
による磁気ヘッドを用いた磁気記憶装置３０の構成図で
ある。図８の磁気記憶装置３０は，磁気ヘッドを搭載し
たヘッドスライダー３１，磁気記録媒体３２（所謂磁気
ディスク板），アクチュエータ３３，及びスピンドルモ
ータ３４を備えている。スピンドルモータ３４は，信号
処理系３５に電気接続されている。
【００６２】この磁気記憶装置３０では，磁気ディスク
板からなる磁気記録媒体３２に，スピンドルモータ３４
により回転動作を付与する。アクチュエータ３３によっ
て，ヘッドスライダー３１を磁気記録媒体３２の所定ト
ラック上に位置決めする。このヘッドスライダー３１上
の磁気ヘッドは，信号処理系３５と接続されている。
板からなる磁気記録媒体３２に，スピンドルモータ３４
により回転動作を付与する。アクチュエータ３３によっ
て，ヘッドスライダー３１を磁気記録媒体３２の所定ト
ラック上に位置決めする。このヘッドスライダー３１上
の磁気ヘッドは，信号処理系３５と接続されている。
【００６３】前述のようにヘッドスライダー３１上に形
成された磁気ヘッドにより，所定の電気信号を磁気記録
媒体３２上に磁気的情報として記録し，あるいは磁気記
録媒体３２上の磁気的信号を磁気ヘッド，あるいはＭＲ
素子と複合化されたヘッドであればＭＲ素子の再生出力
を信号処理系３５を経て電気信号として得るものであ
る。
成された磁気ヘッドにより，所定の電気信号を磁気記録
媒体３２上に磁気的情報として記録し，あるいは磁気記
録媒体３２上の磁気的信号を磁気ヘッド，あるいはＭＲ
素子と複合化されたヘッドであればＭＲ素子の再生出力
を信号処理系３５を経て電気信号として得るものであ
る。
【００６４】尚，磁気ヘッドの出力，あるいはＭＲ素子
と複合化された第３の実施の形態による磁気ヘッドでは
ＭＲ素子からの出力を用いて，トラック上の位置を検出
し，アクチュエータ３３を制御し，ヘッドスライダー３
１の位置決めして，磁気ヘッドを所望のトラック上へ移
動させることが出来る。
と複合化された第３の実施の形態による磁気ヘッドでは
ＭＲ素子からの出力を用いて，トラック上の位置を検出
し，アクチュエータ３３を制御し，ヘッドスライダー３
１の位置決めして，磁気ヘッドを所望のトラック上へ移
動させることが出来る。
【００６５】次に，本発明の実施の形態による磁気ヘッ
ドの製造の具体例について説明する。
ドの製造の具体例について説明する。
【００６６】（例１）例１では，めっき軟磁性膜につい
て説明する。
て説明する。
【００６７】厚み０．３ｍｍのガラス基板を基板洗浄法
で洗浄後，スパッタ法によりＴｉ／Ｎｉ−Ｆｅめっき下
地層を形成した。このめっき下地層の膜厚はＴｉ：５ｎ
ｍ，Ｎｉ−Ｆｅ：５０ｎｍである。このような鍍金下地
層を成膜した基板を用い，下記表１に示すめっき浴に
て，軟磁性膜の成膜を行なった。
で洗浄後，スパッタ法によりＴｉ／Ｎｉ−Ｆｅめっき下
地層を形成した。このめっき下地層の膜厚はＴｉ：５ｎ
ｍ，Ｎｉ−Ｆｅ：５０ｎｍである。このような鍍金下地
層を成膜した基板を用い，下記表１に示すめっき浴に
て，軟磁性膜の成膜を行なった。
【００６８】
【表１】 めっき条件はｐＨ：２．８，浴温度：室温（約２０
℃），アノード：白金，電流密度：２０ｍＡ／ｃｍ2 ，
電極回転数：１０００ｒｐｍである。
℃），アノード：白金，電流密度：２０ｍＡ／ｃｍ2 ，
電極回転数：１０００ｒｐｍである。
【００６９】又，比較のため，添加剤をチオ尿素から従
来のサッカリンナトリウムに変えた下記に示す浴組成の
めっき浴を用いて，磁性膜のめっきも行った。
来のサッカリンナトリウムに変えた下記に示す浴組成の
めっき浴を用いて，磁性膜のめっきも行った。
【００７０】［比較浴の組成］硫酸コバルト：０．０４
７５，硫酸ニッケル：０．２，硫酸鉄：０．００２５，
サッカリンナトリウム：２（ｇ／ｌ），硼酸：０．
４，塩化アンモニウム：０．２８，ドデシル硫酸ナトリ
ウム：０．０１（ｇ／ｌ）。
７５，硫酸ニッケル：０．２，硫酸鉄：０．００２５，
サッカリンナトリウム：２（ｇ／ｌ），硼酸：０．
４，塩化アンモニウム：０．２８，ドデシル硫酸ナトリ
ウム：０．０１（ｇ／ｌ）。
【００７１】尚，ここで示した以外の単位はｍｏｌ／ｄ
ｍ3 である。
ｍ3 である。
【００７２】以上の本発明の例１によるめっき浴より成
膜した膜，及び比較浴からめっきした膜の磁気特性（飽
和磁化Ｂｓと保磁力Ｈｃ），比抵抗ρ，膜組成および膜
中の硫黄（Ｓ）含有量の測定を行なった。
膜した膜，及び比較浴からめっきした膜の磁気特性（飽
和磁化Ｂｓと保磁力Ｈｃ），比抵抗ρ，膜組成および膜
中の硫黄（Ｓ）含有量の測定を行なった。
【００７３】磁気特性の測定は振動試料型磁力計（ＶＳ
Ｍ）を用い，比抵抗ρは四端子法にて測定した。膜組成
については蛍光Ｘ線分析法で原子番号９以上の元素につ
いて測定し，膜中の硫黄量については炭素硫黄分析装置
を用い別途定量分析した。
Ｍ）を用い，比抵抗ρは四端子法にて測定した。膜組成
については蛍光Ｘ線分析法で原子番号９以上の元素につ
いて測定し，膜中の硫黄量については炭素硫黄分析装置
を用い別途定量分析した。
【００７４】各浴から成膜した軟磁性めっき膜の測定値
を下記表２及び表３にまとめて示した。
を下記表２及び表３にまとめて示した。
【００７５】
【表２】
【００７６】
【表３】 上記表２及び表３からわかるように，本発明の例１によ
る軟磁性膜では，Ｂｓは，いずれも１．５Ｔ以上有り，
保磁力は５Ｏｅ以下であり，しかも比抵抗も従来のパー
マロイ膜の２倍程度の５０μΩｃｍ台の大きな値を示し
た。
る軟磁性膜では，Ｂｓは，いずれも１．５Ｔ以上有り，
保磁力は５Ｏｅ以下であり，しかも比抵抗も従来のパー
マロイ膜の２倍程度の５０μΩｃｍ台の大きな値を示し
た。
【００７７】しかしながら，比較浴から成膜した膜で
は，Ｂｓこそ１．６Ｔと大きかつたものの，保磁力Ｈｃ
は６．５Ｏｅと大きく，逆に比抵抗は２２μΩｃｍとパ
ーマロイ並みの値であった。
は，Ｂｓこそ１．６Ｔと大きかつたものの，保磁力Ｈｃ
は６．５Ｏｅと大きく，逆に比抵抗は２２μΩｃｍとパ
ーマロイ並みの値であった。
【００７８】以上のように，本発明の例１による軟磁性
膜は高Ｂｓ（≧１．５Ｔ），低保磁力（≦５Ｏｅ），高
比抵抗ρ（５０μΩｃｍ位）と磁気ヘッドの磁極材料と
して，優れた特性を示した。
膜は高Ｂｓ（≧１．５Ｔ），低保磁力（≦５Ｏｅ），高
比抵抗ρ（５０μΩｃｍ位）と磁気ヘッドの磁極材料と
して，優れた特性を示した。
【００７９】（例２）図１に示すよに，Ａｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＣの基板１１上にスパッタ法によりアルミナ膜を絶縁
物層１２として約１５μｍ成膜した。スパッタ条件は，
投入電力５ｋＷ，Ａｒ圧力：５ｍＴｏｒｒである。つい
で，Ｔｉ／Ｎｉ−Ｆｅ膜（膜厚５ｎｍ／１００ｎｍ）の
めっき下地層をスパッタ法により成膜した。成膜条件は
投入電力６００Ｗ，Ａｒ圧力：５ｍＴｏｒｒであり，成
膜時に永久磁石（磁界強度５００Ｏｅ）により，一軸異
方性を付与した。その後，膜厚８８μｍのノボラック樹
脂系のポジ型ＰＲを塗布し，下部磁性体層の形状に対応
したＰＲフレームパタンを形成した。また，トラック幅
２μｍとした。
ｉＣの基板１１上にスパッタ法によりアルミナ膜を絶縁
物層１２として約１５μｍ成膜した。スパッタ条件は，
投入電力５ｋＷ，Ａｒ圧力：５ｍＴｏｒｒである。つい
で，Ｔｉ／Ｎｉ−Ｆｅ膜（膜厚５ｎｍ／１００ｎｍ）の
めっき下地層をスパッタ法により成膜した。成膜条件は
投入電力６００Ｗ，Ａｒ圧力：５ｍＴｏｒｒであり，成
膜時に永久磁石（磁界強度５００Ｏｅ）により，一軸異
方性を付与した。その後，膜厚８８μｍのノボラック樹
脂系のポジ型ＰＲを塗布し，下部磁性体層の形状に対応
したＰＲフレームパタンを形成した。また，トラック幅
２μｍとした。
【００８０】ついで，硫酸コバルト：０．０６，硫酸ニ
ッケル：０．２，硫酸鉄：０．０１５，硼酸：０．４，
塩化アンモニウム：０．２８（以上，単位：ｍｏｌ／ｄ
ｍ3，ドデシル硫酸：０．０１．チオ尿素：０．０１５
（以上，単位ｇ／ｌ）なるめっき浴を建浴し，ｐＨ：
２．８，浴温度：〜２０℃，アノード：白金，電流密
度：２０ｍＡ／ｃｍ2 の条件下でめっきを行ない，１ａ
ｔ％の硫黄を含有するＣｏ73Ｎｉ11Ｆｅ（ａｔ％）を成
膜し，下部磁性体層１３を形成した。尚，めっき中は，
めっき層の外部から基板に約５００Ｏｅの磁界を印加
し，また適宜撹拌を行いめっき膜の均一性を保持した。
ッケル：０．２，硫酸鉄：０．０１５，硼酸：０．４，
塩化アンモニウム：０．２８（以上，単位：ｍｏｌ／ｄ
ｍ3，ドデシル硫酸：０．０１．チオ尿素：０．０１５
（以上，単位ｇ／ｌ）なるめっき浴を建浴し，ｐＨ：
２．８，浴温度：〜２０℃，アノード：白金，電流密
度：２０ｍＡ／ｃｍ2 の条件下でめっきを行ない，１ａ
ｔ％の硫黄を含有するＣｏ73Ｎｉ11Ｆｅ（ａｔ％）を成
膜し，下部磁性体層１３を形成した。尚，めっき中は，
めっき層の外部から基板に約５００Ｏｅの磁界を印加
し，また適宜撹拌を行いめっき膜の均一性を保持した。
【００８１】その後，ギャップとなる絶縁物層１４とし
てアルミナスパッタ膜を成膜した。成膜条件は投入電力
６００Ｗ，Ａｒ圧力：５ｍＴｏｒｒで有り，膜厚はＯ．
３μｍとした。
てアルミナスパッタ膜を成膜した。成膜条件は投入電力
６００Ｗ，Ａｒ圧力：５ｍＴｏｒｒで有り，膜厚はＯ．
３μｍとした。
【００８２】ついで，ノボラック系のＰＲにより下部磁
性体層１３の段差解消のための有機物層１５を形成し
た。この段差解消用の有機物層１５の膜厚は，５μｍで
あり，露光・現像技術によりパタン化した後，大気中で
２５０℃，１時間の加熱処理を行い，ＰＲパタンを熱硬
化させて形成した。
性体層１３の段差解消のための有機物層１５を形成し
た。この段差解消用の有機物層１５の膜厚は，５μｍで
あり，露光・現像技術によりパタン化した後，大気中で
２５０℃，１時間の加熱処理を行い，ＰＲパタンを熱硬
化させて形成した。
【００８３】その後，Ｔｉ／Ｃｕ（膜厚５ｎｍ／５０ｎ
ｍ）の積層膜をスパッタ法で成膜した。成膜条件は投入
電力６００Ｗ，Ａｒ圧力：５ｍＴｏｒｒである。
ｍ）の積層膜をスパッタ法で成膜した。成膜条件は投入
電力６００Ｗ，Ａｒ圧力：５ｍＴｏｒｒである。
【００８４】ついで，所定コイル形状に対応したＰＲパ
タンを露光・現像により形成し，硫酸銅めっき浴中に
て，膜厚３μｍのＣｕ膜を析出させ，巻き数１２ターン
のコイル１６を形成し，その後，コイルのパタンの段差
解消のため，下部磁性体層１３の段差解消の際と全く同
様にして，有機物層１５を形成した。
タンを露光・現像により形成し，硫酸銅めっき浴中に
て，膜厚３μｍのＣｕ膜を析出させ，巻き数１２ターン
のコイル１６を形成し，その後，コイルのパタンの段差
解消のため，下部磁性体層１３の段差解消の際と全く同
様にして，有機物層１５を形成した。
【００８５】更に，下部磁性体層１３と全く同様にし
て，１ａｔ％の硫黄を含有するＣｏ73Ｎｉ11Ｆｅ15（ａ
ｔ％）を成膜し，上部磁性体層１８を形成した。
て，１ａｔ％の硫黄を含有するＣｏ73Ｎｉ11Ｆｅ15（ａ
ｔ％）を成膜し，上部磁性体層１８を形成した。
【００８６】最後に膜厚３０μｍのスパッタアルミナ膜
からなるオーバーコート層を成膜（成膜条件：投入電力
５ｋＷ，Ａｒ圧力：５ｍＴｏｒｒ）して，ウエハ工程を
完了した。
からなるオーバーコート層を成膜（成膜条件：投入電力
５ｋＷ，Ａｒ圧力：５ｍＴｏｒｒ）して，ウエハ工程を
完了した。
【００８７】ついで，例えば，特開昭５０−１０４９１
６号公報に示されている公知の機械加工・研磨加工を行
いヘッドスライダーを作製し，磁気ヘッドの評価，特に
記録特性の評価を行なった。評価条件は媒体保磁力３０
００Ｏｅ，磁気スペーシング１００ｎｍ，磁気記録媒体
回転数：５４００ｒｐｍ，記録電流：２５ｍＡで行なっ
た。その結果，作製した本発明の例２による磁気ヘッド
Ｂｓ：１．７Ｔ，ρ：５１μΩｃｍ）では，−３５ｄＢ
という十分なover write（以下，Ｏ／Ｗと呼ぶ）特性が
得られた。
６号公報に示されている公知の機械加工・研磨加工を行
いヘッドスライダーを作製し，磁気ヘッドの評価，特に
記録特性の評価を行なった。評価条件は媒体保磁力３０
００Ｏｅ，磁気スペーシング１００ｎｍ，磁気記録媒体
回転数：５４００ｒｐｍ，記録電流：２５ｍＡで行なっ
た。その結果，作製した本発明の例２による磁気ヘッド
Ｂｓ：１．７Ｔ，ρ：５１μΩｃｍ）では，−３５ｄＢ
という十分なover write（以下，Ｏ／Ｗと呼ぶ）特性が
得られた。
【００８８】一方，磁極材料を従来のパーマロイ（Ｂ
ｓ：１Ｔ，ρ：２０μΩｃｍ）とした以外は，本発明の
例２による磁気ヘッドと同様にして作製した磁気ヘッド
では，−２２ｄＢのＯ／Ｗ値しか得られなかつた。ま
た，ＭＦＭ (Magnctic force microscopy)で磁気ディス
ク上に記録された情報ビットを観察したところ，パーマ
ロイを磁極とした磁気ヘッドに比較して，本発明の例２
による磁気ヘッドで記録したビットは高周波領域までビ
ット端部，ビット間の乱れはなく明瞭に記録されている
ことを確認した。
ｓ：１Ｔ，ρ：２０μΩｃｍ）とした以外は，本発明の
例２による磁気ヘッドと同様にして作製した磁気ヘッド
では，−２２ｄＢのＯ／Ｗ値しか得られなかつた。ま
た，ＭＦＭ (Magnctic force microscopy)で磁気ディス
ク上に記録された情報ビットを観察したところ，パーマ
ロイを磁極とした磁気ヘッドに比較して，本発明の例２
による磁気ヘッドで記録したビットは高周波領域までビ
ット端部，ビット間の乱れはなく明瞭に記録されている
ことを確認した。
【００８９】（例３）例２と同様にして，図６に示すよ
うに，Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣの基板１１上にスパッタ法に
より，絶縁物層１２として，アルミナ膜を約１５μｍ成
膜し，ついで，Ｔｉ／Ｎｉ−Ｆｅ膜（膜厚５ｎｍ／１０
０ｎｍ）のめっき下地層を成膜した後，１ａｔ％の硫黄
を含有するＣｏ73 Ｎｉ11Ｆｅ15（ａｔ％）により下部
磁性体層１３を形成し，更に段差解消のための有機物層
１５（以下，第１の有機物層と呼ぶ），コイル１６，及
び第２の有機物層１７を形成した。
うに，Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣの基板１１上にスパッタ法に
より，絶縁物層１２として，アルミナ膜を約１５μｍ成
膜し，ついで，Ｔｉ／Ｎｉ−Ｆｅ膜（膜厚５ｎｍ／１０
０ｎｍ）のめっき下地層を成膜した後，１ａｔ％の硫黄
を含有するＣｏ73 Ｎｉ11Ｆｅ15（ａｔ％）により下部
磁性体層１３を形成し，更に段差解消のための有機物層
１５（以下，第１の有機物層と呼ぶ），コイル１６，及
び第２の有機物層１７を形成した。
【００９０】その後，下部磁性体層１３の形成時と同様
に，Ｔｉ／Ｎｉ−Ｆｅめっき下地層を成膜した後，上部
磁性体層１８の媒体対向面側の部分のみに下部磁性体層
１３と同じめっき浴を用いて１ａｔ％の硫黄を含有する
Ｃｏ73Ｎｉ11Ｆｅ15（ａｔ％）軟磁性パターンを析出さ
せた。ついで，この軟磁性めっき膜パタン１９と磁気的
連続性を維持するように，パーマロイの上部磁性体層１
８のパタンを形成し，磁気回路を形成した。
に，Ｔｉ／Ｎｉ−Ｆｅめっき下地層を成膜した後，上部
磁性体層１８の媒体対向面側の部分のみに下部磁性体層
１３と同じめっき浴を用いて１ａｔ％の硫黄を含有する
Ｃｏ73Ｎｉ11Ｆｅ15（ａｔ％）軟磁性パターンを析出さ
せた。ついで，この軟磁性めっき膜パタン１９と磁気的
連続性を維持するように，パーマロイの上部磁性体層１
８のパタンを形成し，磁気回路を形成した。
【００９１】その後，例２と同様にして，残りのウエハ
工程，及び機械加工・研磨加工を行いヘッドスライダー
を作製し，例２と同様にして，磁気ヘッドの評価，特に
記録特性の評価を行なった。その結果，−３０ｄＢのＯ
／Ｗ値を得た。
工程，及び機械加工・研磨加工を行いヘッドスライダー
を作製し，例２と同様にして，磁気ヘッドの評価，特に
記録特性の評価を行なった。その結果，−３０ｄＢのＯ
／Ｗ値を得た。
【００９２】本発明の例３では，上部磁性体層の作製工
程が２段階に分割され，この面では，繁雑ではあるが，
一度に上部磁性体層を形成する場合に比較して，ＰＲフ
レームパタンの形成精度が格段に向上し，トラック幅を
より高精度に規定出来るというメリットがある。
程が２段階に分割され，この面では，繁雑ではあるが，
一度に上部磁性体層を形成する場合に比較して，ＰＲフ
レームパタンの形成精度が格段に向上し，トラック幅を
より高精度に規定出来るというメリットがある。
【００９３】（例４）図７に示すように，Ａｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＣの基板１１上にスパッタ法により絶縁物層１２と
してアルミナ膜を約１５μｍ成膜したのち，膜厚２μｍ
のスパッタパーマロイ膜を成膜した。成膜条件は投入電
力６００Ｗ，Ａｒ圧力５ｍＴｏｒｒで有り，成膜時に永
久磁石により一軸異方性を付与した。その後，フォトリ
ソグラフィ技術により所定形状の下部シールド２１に加
工し，ついで，膜厚２０ｎｍのスパッタアルミナ膜から
なるシールド間ギャップ２２の一部を形成した。その
後，Ｎｉ−Ｆｅ／Ｔａ／ＣｏＺｒＭｏ積層膜からなるＭ
Ｒ膜を形成した。以上の成膜条件は，投入電力６００
Ｗ，Ａｒ圧力５ｍＴｏｒｒで有り，いずれも成膜時に永
久磁石により５００Ｏｅの磁界を印加した。
ＴｉＣの基板１１上にスパッタ法により絶縁物層１２と
してアルミナ膜を約１５μｍ成膜したのち，膜厚２μｍ
のスパッタパーマロイ膜を成膜した。成膜条件は投入電
力６００Ｗ，Ａｒ圧力５ｍＴｏｒｒで有り，成膜時に永
久磁石により一軸異方性を付与した。その後，フォトリ
ソグラフィ技術により所定形状の下部シールド２１に加
工し，ついで，膜厚２０ｎｍのスパッタアルミナ膜から
なるシールド間ギャップ２２の一部を形成した。その
後，Ｎｉ−Ｆｅ／Ｔａ／ＣｏＺｒＭｏ積層膜からなるＭ
Ｒ膜を形成した。以上の成膜条件は，投入電力６００
Ｗ，Ａｒ圧力５ｍＴｏｒｒで有り，いずれも成膜時に永
久磁石により５００Ｏｅの磁界を印加した。
【００９４】ついで，イオンエッチング法でＭＲ膜を所
定の形状に加工し，ＭＲ素子２３を作製した。引き続
き，残りのシールド間ギャップ２２，ＭＲ素子２３へセ
ンス電流を通電する電極パタン，あるいはＭＲ素子２３
のノイズを抑制する縦バイアス印加パタンを形成した。
ここで，電極パタンはＴａ／Ａｕ積層スパッタ膜よりな
り，縦バイアス印加パタンはＣｏＣｒＰｔ等のハード膜
をＭＲ素子パタン端部に配置する構成とした。
定の形状に加工し，ＭＲ素子２３を作製した。引き続
き，残りのシールド間ギャップ２２，ＭＲ素子２３へセ
ンス電流を通電する電極パタン，あるいはＭＲ素子２３
のノイズを抑制する縦バイアス印加パタンを形成した。
ここで，電極パタンはＴａ／Ａｕ積層スパッタ膜よりな
り，縦バイアス印加パタンはＣｏＣｒＰｔ等のハード膜
をＭＲ素子パタン端部に配置する構成とした。
【００９５】その後，例２と全く同様にして，１ａｔ％
の硫黄を含有するＣｏ73Ｎｉ11Ｆｅ15（ａｔ％）膜から
なる下部磁性体層１３（本例では上部シールドを兼ね
る），記録用ギャップのための絶縁物層１４，段差解消
用の有機物層１５，コイル１６（巻き数は８ターンとし
た），下部磁性体層１３と同じ１ａｔ％の硫黄を含有す
るＣｏ73Ｎｉ11Ｆｅ15（ａｔ％）膜よりなる上部磁性体
層１８，さらには図示しないオーバーコート層を形成し
た。
の硫黄を含有するＣｏ73Ｎｉ11Ｆｅ15（ａｔ％）膜から
なる下部磁性体層１３（本例では上部シールドを兼ね
る），記録用ギャップのための絶縁物層１４，段差解消
用の有機物層１５，コイル１６（巻き数は８ターンとし
た），下部磁性体層１３と同じ１ａｔ％の硫黄を含有す
るＣｏ73Ｎｉ11Ｆｅ15（ａｔ％）膜よりなる上部磁性体
層１８，さらには図示しないオーバーコート層を形成し
た。
【００９６】最後に，前述と同様の機械加工・研磨加工
を行いヘッドスライダーを作製し，磁気ヘッドの評価，
特に記録特性の評価を例２と同様の条件で行なつた。そ
の結果，作製した本発明の例４による磁気ヘッド（Ｂ
ｓ：１．７Ｔ，ρ：５１μΩｃｍ）では，−３５ｄＢと
いう十分なＯ／Ｗ特性が得られた。又，同時に，ＭＲ素
子を用いたことにより，例２に比べ約３倍も高い再生出
力を得ることが出来た。
を行いヘッドスライダーを作製し，磁気ヘッドの評価，
特に記録特性の評価を例２と同様の条件で行なつた。そ
の結果，作製した本発明の例４による磁気ヘッド（Ｂ
ｓ：１．７Ｔ，ρ：５１μΩｃｍ）では，−３５ｄＢと
いう十分なＯ／Ｗ特性が得られた。又，同時に，ＭＲ素
子を用いたことにより，例２に比べ約３倍も高い再生出
力を得ることが出来た。
【００９７】
【発明の効果】以上述べてきたように，本発明によれば
高い飽和磁化（≧１．５Ｔ），低保磁力（≦５Ｏｅ），
高い比抵抗（≧３０μΩｃｍ）を持つ磁極用軟磁性膜材
料が実現され，この軟磁性膜を用いた磁気ヘッド，およ
び磁気記憶装置では，充分大きなＯ／Ｗ特性と高周波記
録特性が実現される。
高い飽和磁化（≧１．５Ｔ），低保磁力（≦５Ｏｅ），
高い比抵抗（≧３０μΩｃｍ）を持つ磁極用軟磁性膜材
料が実現され，この軟磁性膜を用いた磁気ヘッド，およ
び磁気記憶装置では，充分大きなＯ／Ｗ特性と高周波記
録特性が実現される。
【図１】図１は本発明の第１の実施の形態による磁気ヘ
ッドの要部を示す断面図である。
ッドの要部を示す断面図である。
【図２】Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金の飽和磁化Ｂｓの三元
組成図である。
組成図である。
【図３】比較のための浴添加剤としてサッカリンを用い
て成膜したＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜の保磁力Ｈｃの測定結果
を示す三元組成図である。
て成膜したＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜の保磁力Ｈｃの測定結果
を示す三元組成図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による浴添加剤とし
てチオ尿素を用いて成膜したＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜の保磁
力Ｈｃの測定結果を示す三元組成図である。
てチオ尿素を用いて成膜したＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜の保磁
力Ｈｃの測定結果を示す三元組成図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態によるＣｏ−Ｎｉ−
Ｆｅ膜の硫黄含有量と保磁力及び比抵抗との関係を示す
図である。
Ｆｅ膜の硫黄含有量と保磁力及び比抵抗との関係を示す
図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態による磁気ヘッドの
要部を示す断面図である。
要部を示す断面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態による磁気ヘッドの
要部を示す断面図である。
要部を示す断面図である。
【図８】本発明の第１乃至第３の実施の形態による磁気
ヘッドを用いた磁気記憶装置の概略構成を示す図であ
る。
ヘッドを用いた磁気記憶装置の概略構成を示す図であ
る。
１１ 基板 １２ 絶縁物層 １３ 下部磁性体層 １４ 絶縁物（ギャップ）層 １５ 有機物層 １６ コイル １７ 有機物層 １８ 上部磁性体層 １９ 軟磁性めっき膜パタン ２１ 下部シールド ２２ シールド間ギャップ ２３ ＭＲ素子 ３０ 磁気記憶装置 ３１ ヘッドスライダー ３２ 磁気記録媒体 ３３ アクチュエータ ３４ スピンドルモータ ３５ 信号処理系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｆ 41/26 Ｈ０１Ｆ 41/26 (72)発明者 橘 裕昭 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 原子比で３０〜９０％のＣｏ，４０％以
下のＮｉ，及び４０％以下のＦｅからなるＣｏ−Ｎｉ−
Ｆｅ合金に，少なくともＳを原子比で０．５〜４％含有
することを特徴とするＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅを主成分とする
軟磁性薄膜。 - 【請求項２】 Ｃｏ，Ｎｉ，及びＦｅの各々の金属塩を
含むめっき液であって，更に，硫黄系有機化合物を含有
することを特徴とするＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金めっき液。 - 【請求項３】 請求項２記載のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金め
っき液において，前記硫黄系有機化合物は，チオ尿素，
アミノチアゾール，及びチオジグリコール酸の内の少な
くとも一種であることを特徴とするＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合
金めっき液。 - 【請求項４】 請求項２又は３記載のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
合金めっき液において，更に添加剤として，界面活性剤
及び硼酸のうちの少なくとも一種を添加してなることを
特徴とするＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金めっき液。 - 【請求項５】 請求項２乃至４の内のいずれかに記載の
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金めっき液を用い，ｐＨ値２〜６，
温度２０℃〜４０℃，電流密度１〜３０ｍＡ／ｃｍ2 の
条件での電析によって軟磁性薄膜を形成する方法であっ
て，前記電析の際に，当該形成される軟磁性薄膜に所定
方向に磁界を印加することを特徴とするＣｏ−Ｎｉ−Ｆ
ｅを主成分とする軟磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項６】 磁気回路を形成する下部軟磁性体層及び
上部軟磁性体層と，前記下部軟磁性体層及び前記上部軟
磁性体層に叉交する導電性薄膜材料からなるコイル層
と，非磁性絶縁材料よりなるギャップ層又は層間絶縁層
と，前記コイル層に駆動電流を通電する電極を備えた磁
気ヘッドにおいて，前記下部軟磁性体層及び前記上部軟
磁性体層の内の少なくとも一方は，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合
金を主成分とし，副成分として，原子比で総含有量の
０．５〜４％のＳを含む軟磁性薄膜からなることを特徴
とする磁気ヘッド。 - 【請求項７】 磁気ヘッドの磁気回路をなす上部磁性体
層及び下部磁性体層の少なくとも一方の媒体対向面側の
磁極端の一部が，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金膜を主成分と
し，副成分として原子比で０．５〜４ａｔ％のＳを含有
する第１の軟磁性薄膜材料で形成され，前記磁気回路の
残りの部分が，前記第１の軟磁性薄膜材料とは異なる第
２の軟磁性薄膜材料で形成されていることを特徴とする
磁気へッド。 - 【請求項８】 請求項７記載の磁気ヘッドにおいて，前
記２の軟磁性薄膜材料は，Ｎｉ−Ｆｅめっき膜を含むこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項９】 請求項７又は８記載の磁気ヘッドにおい
て，強磁性軟磁性薄膜の単層膜又は多層膜の磁気抵抗効
果を利用した再生ヘッドと複合化されていることを特徴
とする磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 少なくとも複数のデータ記録用トラッ
クを有する磁気記録媒体と前記磁気記録媒体上に記録さ
れた磁気情報から漏洩する磁界を検出する磁気抵抗効果
素子と，前記記録媒体へ情報を記録する書込み磁気ヘッ
ドと，前記磁気抵抗効果素子及び前記書込みヘッドを外
部回路と接続するための導電性リード線と，前記磁気抵
抗効果素子及び前記書込みヘッドを磁気記録媒体上の所
定のトラック上へ移動させるためのアクチュエータ手段
とを具備する磁気記億装置であつて，前記磁気記録媒体
は，２０００Ｏｅ以上の保磁力を有し，前記書込みヘッ
ドの磁気回路をなす磁極材料は，原子比で０．５〜４％
の範囲のＳと残部Ｃｏ，Ｎｉ，及びＦｅを主成分とする
合金とから実質的になる軟磁性薄膜であり，前記合金
は，原子比で，３０〜９０％のＣｏ，４０％以下のＮ
ｉ，及び４０％以下のＦｅからなることを特徴とする磁
気記憶装置。
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-
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