JP2000173014A - 薄膜磁気ヘッド及び磁気記録ヘッド並びに磁気ディスク装置 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及び磁気記録ヘッド並びに磁気ディスク装置Info
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- JP2000173014A JP2000173014A JP10341359A JP34135998A JP2000173014A JP 2000173014 A JP2000173014 A JP 2000173014A JP 10341359 A JP10341359 A JP 10341359A JP 34135998 A JP34135998 A JP 34135998A JP 2000173014 A JP2000173014 A JP 2000173014A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】飽和磁束密度が高く、低保磁力の磁性膜を磁気
コアとして用いた磁気記録ヘッドを含む記録／再生分離
型ヘッドを搭載した高記録密度磁気ディスク装置を提供
する。 【解決手段】Ｆｅが２５〜４０at％、Ｎｉが１０〜１５
at％、Ｃｏが４０〜７０at％、及びＳが０〜０.３at％
含まれ、かつ結晶構造が面心立方晶（bcc）単相もしく
はbcc相とごくわずかの体心立方晶（fcc ）からなる磁
性薄膜を上部磁気コア及び下部磁気コアとに用いた磁気
記録ヘッドと、再生ヘッドを含む記録／再生分離型磁気
ヘッドを搭載した高密度記録磁気ディスク装置。
コアとして用いた磁気記録ヘッドを含む記録／再生分離
型ヘッドを搭載した高記録密度磁気ディスク装置を提供
する。 【解決手段】Ｆｅが２５〜４０at％、Ｎｉが１０〜１５
at％、Ｃｏが４０〜７０at％、及びＳが０〜０.３at％
含まれ、かつ結晶構造が面心立方晶（bcc）単相もしく
はbcc相とごくわずかの体心立方晶（fcc ）からなる磁
性薄膜を上部磁気コア及び下部磁気コアとに用いた磁気
記録ヘッドと、再生ヘッドを含む記録／再生分離型磁気
ヘッドを搭載した高密度記録磁気ディスク装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録ヘッド及
び磁気ディスク装置に係り、特に、高記録密度対応の記
録／再生分離型ヘッドの磁気コアに関する。
び磁気ディスク装置に係り、特に、高記録密度対応の記
録／再生分離型ヘッドの磁気コアに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の磁気ディスク装置の小型化高記録
密度化に対応するため、記録媒体が高保磁力となってき
ており、この高保磁力記録媒体に情報を記録／再生する
に十分な能力を備えたヘッドが要求されている。
密度化に対応するため、記録媒体が高保磁力となってき
ており、この高保磁力記録媒体に情報を記録／再生する
に十分な能力を備えたヘッドが要求されている。
【０００３】特開昭62−71015 号公報には、薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、上下磁性体をＣｏが６２〜９５ｗｔ％，
Ｎｉが３〜３０ｗｔ％，Ｆｅが２〜８ｗｔ％，面心立方
格子（fcc）構造のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性薄膜で形成し
たものが開示されている。
ッドにおいて、上下磁性体をＣｏが６２〜９５ｗｔ％，
Ｎｉが３〜３０ｗｔ％，Ｆｅが２〜８ｗｔ％，面心立方
格子（fcc）構造のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性薄膜で形成し
たものが開示されている。
【０００４】しかし、この組成範囲で得られるＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｆｅ磁性薄膜は保磁力Ｈｃは小さいものの、飽和磁
束密度Ｂｓが低く、高記録密度化への対応は困難であ
る。
ｉ−Ｆｅ磁性薄膜は保磁力Ｈｃは小さいものの、飽和磁
束密度Ｂｓが低く、高記録密度化への対応は困難であ
る。
【０００５】また、特開平10−199726号公報はＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｆｅ膜の比抵抗をあげるため、原子比で０.５ 〜４
％のＳを添加する方法が開示されている。しかしなが
ら、膜中にＳが取り込まれることにより飽和磁束密度
（Ｂｓ）が低下し、高保磁力媒体への情報書き込みが不
十分となることが予想される。
ｉ−Ｆｅ膜の比抵抗をあげるため、原子比で０.５ 〜４
％のＳを添加する方法が開示されている。しかしなが
ら、膜中にＳが取り込まれることにより飽和磁束密度
（Ｂｓ）が低下し、高保磁力媒体への情報書き込みが不
十分となることが予想される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｆｅ系３元素合金において飽和磁束密度Ｂｓを高
くすると膜の結晶構造がbcc となり保磁力Ｈｃは大きく
なる。また、膜の結晶構造がfcc になると、保磁力Ｈｃ
は小さくなるが、飽和磁束密度Ｂｓも低くなってしま
う。
Ｎｉ−Ｆｅ系３元素合金において飽和磁束密度Ｂｓを高
くすると膜の結晶構造がbcc となり保磁力Ｈｃは大きく
なる。また、膜の結晶構造がfcc になると、保磁力Ｈｃ
は小さくなるが、飽和磁束密度Ｂｓも低くなってしま
う。
【０００７】本発明の目的は、高い飽和磁束密度を有
し、かつ、保磁力が小さいめっき磁性薄膜を提供するこ
とである。また、本発明の他の目的は前記磁性薄膜を用
いた磁気記録ヘッド及び磁気ディスク装置を提供するこ
とにある。
し、かつ、保磁力が小さいめっき磁性薄膜を提供するこ
とである。また、本発明の他の目的は前記磁性薄膜を用
いた磁気記録ヘッド及び磁気ディスク装置を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性薄膜はＦｅが２
５〜４０at％，Ｎｉが１０〜１５at％，Ｃｏが４０〜７
０at％、及びＳが０〜０.３at％ 含まれ、かつ結晶構造
が面心立方晶（bcc）単相もしくはbcc相とごくわずかの
体心立方晶（fcc）からなり、かつ膜応力は300MPa 以上
である磁性薄膜を提供するものである。
め、本発明では、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性薄膜はＦｅが２
５〜４０at％，Ｎｉが１０〜１５at％，Ｃｏが４０〜７
０at％、及びＳが０〜０.３at％ 含まれ、かつ結晶構造
が面心立方晶（bcc）単相もしくはbcc相とごくわずかの
体心立方晶（fcc）からなり、かつ膜応力は300MPa 以上
である磁性薄膜を提供するものである。
【０００９】さらに、情報を記録する少なくとも１枚の
磁気ディスクと、前記磁気ディスクを回転させる手段
と、前記磁気ディスクに情報を書き込む磁気記録ヘッド
と前記磁気ディスクから情報を読みだす磁気再生ヘッド
とからなる記録／再生分離型ヘッドと前記記録／再生分
離型ヘッドを支持し目標位置に駆動する支持駆動手段と
を備え、前記磁気記録ヘッドの上部及び下部磁性体層の
磁気ギャップに接する側にＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性薄膜、
それ以外に46NiFe磁性膜を用いている、磁気ディスク装
置を提供するものである。
磁気ディスクと、前記磁気ディスクを回転させる手段
と、前記磁気ディスクに情報を書き込む磁気記録ヘッド
と前記磁気ディスクから情報を読みだす磁気再生ヘッド
とからなる記録／再生分離型ヘッドと前記記録／再生分
離型ヘッドを支持し目標位置に駆動する支持駆動手段と
を備え、前記磁気記録ヘッドの上部及び下部磁性体層の
磁気ギャップに接する側にＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性薄膜、
それ以外に46NiFe磁性膜を用いている、磁気ディスク装
置を提供するものである。
【００１０】ここで、前記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性薄膜は
Ｆｅが２５〜４０at％，Ｎｉが１０〜１５at％，Ｃｏが
４０〜７０at％、及びＳが０〜０.３at％ 含まれ、かつ
結晶構造が面心立方晶（bcc）単相もしくはbcc 相とご
くわずかの体心立方晶（fcc）からなり、膜応力は300MP
a以上であることが望ましい。
Ｆｅが２５〜４０at％，Ｎｉが１０〜１５at％，Ｃｏが
４０〜７０at％、及びＳが０〜０.３at％ 含まれ、かつ
結晶構造が面心立方晶（bcc）単相もしくはbcc 相とご
くわずかの体心立方晶（fcc）からなり、膜応力は300MP
a以上であることが望ましい。
【００１１】Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性薄膜では膜の結晶構
造がbcc 相になると、分散が大きくなるため保磁力も大
きくなってしまう。膜応力を大きくすると、応力誘起異
方性が大きくなるため、結晶構造がbcc 単相の場合でも
低保磁力を実現できる。
造がbcc 相になると、分散が大きくなるため保磁力も大
きくなってしまう。膜応力を大きくすると、応力誘起異
方性が大きくなるため、結晶構造がbcc 単相の場合でも
低保磁力を実現できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳述する。
て詳述する。
【００１３】実施の形態１ 図２は本発明の第１の実施の形態におけるＣｏ−Ｎｉ−
Ｆｅ磁性膜の組成比と結晶構造及び保磁力の関係を示し
た図である。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜は、以下のように
作製した。めっき下地膜を数１０ｎｍ作製した基板を、
Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの金属塩を含んだめっき浴中に浸漬す
る。めっき液を撹拌しながらめっき膜を定電流電析法に
より析出させる。なお、めっき液中には、めっき液に導
電性を付与する電導塩，応力に寄与するＳを含んだ添加
剤，界面活性剤などを添加してもかまわない。
Ｆｅ磁性膜の組成比と結晶構造及び保磁力の関係を示し
た図である。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜は、以下のように
作製した。めっき下地膜を数１０ｎｍ作製した基板を、
Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの金属塩を含んだめっき浴中に浸漬す
る。めっき液を撹拌しながらめっき膜を定電流電析法に
より析出させる。なお、めっき液中には、めっき液に導
電性を付与する電導塩，応力に寄与するＳを含んだ添加
剤，界面活性剤などを添加してもかまわない。
【００１４】このようにして作製したＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
めっき磁性膜は、図２中に斜線で示す組成範囲すなわち
Ｃｏ：４０〜７０at％，Ｎｉ：１０〜１５at％，Ｆｅ：
２５〜４０at％ でbcc単相、もしくはbcc構造にわずか
にfcc構造が含まれた結晶構造となり、高い飽和磁束密
度Ｂｓを有し、かつ、保磁力Ｈｃは小さくなる。
めっき磁性膜は、図２中に斜線で示す組成範囲すなわち
Ｃｏ：４０〜７０at％，Ｎｉ：１０〜１５at％，Ｆｅ：
２５〜４０at％ でbcc単相、もしくはbcc構造にわずか
にfcc構造が含まれた結晶構造となり、高い飽和磁束密
度Ｂｓを有し、かつ、保磁力Ｈｃは小さくなる。
【００１５】斜線部より、Ｎｉ組成が多い領域（ａ）で
はfcc 単相となり、飽和磁束密度Ｂｓが低くなる。ま
た、斜線部より、Ｎｉ組成が少ない領域（ｂ）では飽和
磁束密度Ｂｓは高いが保磁力が大きくなってしまう。
はfcc 単相となり、飽和磁束密度Ｂｓが低くなる。ま
た、斜線部より、Ｎｉ組成が少ない領域（ｂ）では飽和
磁束密度Ｂｓは高いが保磁力が大きくなってしまう。
【００１６】このようにＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成を制御
することにより、高飽和磁束密度Ｂｓを有し、かつ、保
磁力Ｈｃの小さいＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜が作製でき
た。図３は本発明の第２の実施の形態におけるＣｏ，Ｎ
ｉ，Ｆｅの金属塩を含んだめっき浴中のＳの添加量とＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜の膜応力の関係を示した図であ
る。ここで、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜は、fcc 構造では
飽和磁束密度Ｂｓが低いため、bcc単相もしくはbccにわ
ずかにfcc 構造が含まれた結晶構造である。
することにより、高飽和磁束密度Ｂｓを有し、かつ、保
磁力Ｈｃの小さいＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜が作製でき
た。図３は本発明の第２の実施の形態におけるＣｏ，Ｎ
ｉ，Ｆｅの金属塩を含んだめっき浴中のＳの添加量とＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜の膜応力の関係を示した図であ
る。ここで、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜は、fcc 構造では
飽和磁束密度Ｂｓが低いため、bcc単相もしくはbccにわ
ずかにfcc 構造が含まれた結晶構造である。
【００１７】Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜は、実施の形態１
と同様にめっきにより作製した。めっき浴中に添加する
サッカリンＮａの量を変えることにより、膜中のＳの含
有量をコントロールできる。Ｓの含有量が多くなると膜
の応力は低くなっていく。
と同様にめっきにより作製した。めっき浴中に添加する
サッカリンＮａの量を変えることにより、膜中のＳの含
有量をコントロールできる。Ｓの含有量が多くなると膜
の応力は低くなっていく。
【００１８】図３中に斜線で示した領域すなわちＳが０
〜０.３at％ 、膜応力が300MPa〜900MPaの範囲でＣｏ−
Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜は飽和磁束密度Ｂｓが高く、かつ保磁
力Ｈｃが小さいという特性を示す。斜線部より膜応力が
大きい領域（ｃ）では、保磁力Ｈｃは小さいが膜作製直
後に剥離が生じてしまう。
〜０.３at％ 、膜応力が300MPa〜900MPaの範囲でＣｏ−
Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜は飽和磁束密度Ｂｓが高く、かつ保磁
力Ｈｃが小さいという特性を示す。斜線部より膜応力が
大きい領域（ｃ）では、保磁力Ｈｃは小さいが膜作製直
後に剥離が生じてしまう。
【００１９】一方、斜線部より膜応力が小さい領域
（ｄ）では、膜応力による応力誘起異方性が小さくなる
ため膜の保磁力Ｈｃは大きくなってしまう。このよう
に、膜中のＳ含有量及び膜応力を変化させることにより
高飽和磁束密度Ｂｓを有し、かつ、保磁力Ｈｃの小さい
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜の作製が可能となる。
（ｄ）では、膜応力による応力誘起異方性が小さくなる
ため膜の保磁力Ｈｃは大きくなってしまう。このよう
に、膜中のＳ含有量及び膜応力を変化させることにより
高飽和磁束密度Ｂｓを有し、かつ、保磁力Ｈｃの小さい
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜の作製が可能となる。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１に第３の実施の形態により作製したＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜の磁気特性をまとめて示す。Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜は実施の形態１及び２と同様にめっ
き法を用い、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの金属塩の配合比，めっ
き時の電流密度，サッカリンＮａの添加量などを変えて
作製した。このようにめっき条件を制御することにより
高飽和磁束密度Ｂｓを有し、かつ、保磁力Ｈｃの小さい
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜が作製できる。
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜の磁気特性をまとめて示す。Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜は実施の形態１及び２と同様にめっ
き法を用い、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの金属塩の配合比，めっ
き時の電流密度，サッカリンＮａの添加量などを変えて
作製した。このようにめっき条件を制御することにより
高飽和磁束密度Ｂｓを有し、かつ、保磁力Ｈｃの小さい
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜が作製できる。
【００２２】図１は第４の実施の形態による磁気記録ヘ
ッドの斜視断面図を示す。非磁性基板８上に下地膜を形
成後、下部シールド膜をスパッタリング法で形成し、こ
の上に下部磁気ギャップ膜であるＡｌ2Ｏ3膜９を形成す
る。この上に再生専用素子としてＭＲまたはＧＭＲセン
サ１０を形成する。磁区制御層，電極膜を形成後、上部
磁気ギャップ膜としてＡｌ2Ｏ3膜９（図示せず）、上部
磁気シールド膜としてＮｉ−Ｆｅ膜１１を形成した。
ッドの斜視断面図を示す。非磁性基板８上に下地膜を形
成後、下部シールド膜をスパッタリング法で形成し、こ
の上に下部磁気ギャップ膜であるＡｌ2Ｏ3膜９を形成す
る。この上に再生専用素子としてＭＲまたはＧＭＲセン
サ１０を形成する。磁区制御層，電極膜を形成後、上部
磁気ギャップ膜としてＡｌ2Ｏ3膜９（図示せず）、上部
磁気シールド膜としてＮｉ−Ｆｅ膜１１を形成した。
【００２３】記録／再生分離型ヘッドでは前記磁気シー
ルド膜１１は記録ヘッドの下部磁気コアを兼ねている。
この上にＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜１２を形成する。Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｆｅ膜１２は前述のようにめっき法により作製し
た。続いて磁気ギャップ膜としてＡｌ2Ｏ3膜９をＲＦス
パッタリング法により形成する。
ルド膜１１は記録ヘッドの下部磁気コアを兼ねている。
この上にＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜１２を形成する。Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｆｅ膜１２は前述のようにめっき法により作製し
た。続いて磁気ギャップ膜としてＡｌ2Ｏ3膜９をＲＦス
パッタリング法により形成する。
【００２４】次に記録電流を印加するためのコイル１
３、及び有機絶縁層１４を形成後、上部磁気コアを形成
するためのレジストフレームを作製し、ここに、まずＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜１２を前述のようにめっき法により作
製し、さらにＮｉ−Ｆｅ膜１５を形成する。さらに、上
部コアを所定のトラック幅に加工するため、トリミング
工程を行う場合もある。このように作製した磁気記録ヘ
ッドは、高保磁力記録媒体にも十分記録可能であること
を確認した。
３、及び有機絶縁層１４を形成後、上部磁気コアを形成
するためのレジストフレームを作製し、ここに、まずＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜１２を前述のようにめっき法により作
製し、さらにＮｉ−Ｆｅ膜１５を形成する。さらに、上
部コアを所定のトラック幅に加工するため、トリミング
工程を行う場合もある。このように作製した磁気記録ヘ
ッドは、高保磁力記録媒体にも十分記録可能であること
を確認した。
【００２５】図４は第５の発明の形態による磁気ディス
ク装置の構成図である。磁気ディスク装置は情報を記録
する磁気ディスク１と、磁気ディスク１を回転させるモ
ータ２と、磁気ディスク１に情報を書き込みまたは磁気
ディスク１から情報を読みだす磁気ヘッド３と、磁気デ
ィスク１の目標位置に決めるアクチュエータ４及びボイ
スコイルモータ５とを備えている。
ク装置の構成図である。磁気ディスク装置は情報を記録
する磁気ディスク１と、磁気ディスク１を回転させるモ
ータ２と、磁気ディスク１に情報を書き込みまたは磁気
ディスク１から情報を読みだす磁気ヘッド３と、磁気デ
ィスク１の目標位置に決めるアクチュエータ４及びボイ
スコイルモータ５とを備えている。
【００２６】また、磁気ヘッド３が取り付けられ、磁気
ディスク１とのサブミクロンスペースを安定に維持する
ためばね６と、ばね６が固定され、前記アクチュエータ
４及びボイスコイルモータ５により駆動されるガイドア
ーム７を備えている。さらに図には示していないが、デ
ィスク回転制御系，ヘッド位置決め制御系，記録／再生
信号処理系とからなる。
ディスク１とのサブミクロンスペースを安定に維持する
ためばね６と、ばね６が固定され、前記アクチュエータ
４及びボイスコイルモータ５により駆動されるガイドア
ーム７を備えている。さらに図には示していないが、デ
ィスク回転制御系，ヘッド位置決め制御系，記録／再生
信号処理系とからなる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の磁性膜によれば、Ｃｏ，Ｎｉ，
Ｆｅ及びＳの組成を所定の範囲に限定しているので、め
っき後の磁気特性において、飽和磁束密度Ｂｓが十分に
高く、かつ、保磁力Ｈｃが十分に低い。このような磁気
特性の磁性薄膜を磁気記録ヘッドの磁気コアに用いれ
ば、高保磁力記録媒体に対応した高記録密度磁気ディス
ク装置において、優れた記録性能が得られる。
Ｆｅ及びＳの組成を所定の範囲に限定しているので、め
っき後の磁気特性において、飽和磁束密度Ｂｓが十分に
高く、かつ、保磁力Ｈｃが十分に低い。このような磁気
特性の磁性薄膜を磁気記録ヘッドの磁気コアに用いれ
ば、高保磁力記録媒体に対応した高記録密度磁気ディス
ク装置において、優れた記録性能が得られる。
【図１】第４の実施の形態による磁気ヘッドの部分断面
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図２】第１の実施の形態によるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性
膜の組成比と結晶構造及び保磁力の関係を示した図。
膜の組成比と結晶構造及び保磁力の関係を示した図。
【図３】第２の実施の形態によるめっき浴中のＳの添加
量とＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜の膜応力の関係を示した
図。
量とＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜の膜応力の関係を示した
図。
【図４】第５の発明の形態による磁気ディスク装置の構
成を示す斜視図。
成を示す斜視図。
１…磁気ディスク、２…モータ、３…磁気ヘッド、４…
アクチュエ−タ、５…ボイスコイルモータ、６…ばね、
７…ガイドアーム、８…基板、９…磁気ギャップ膜、１
０…ＭＲ，ＧＭＲセンサ、１１…上部シールド（下部磁
気コア）、１２…Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜、１３…コイ
ル、１４…有機絶縁膜、１５…Ｎｉ−Ｆｅ膜、１６…磁
区制御膜、１７…電極膜。
アクチュエ−タ、５…ボイスコイルモータ、６…ばね、
７…ガイドアーム、８…基板、９…磁気ギャップ膜、１
０…ＭＲ，ＧＭＲセンサ、１１…上部シールド（下部磁
気コア）、１２…Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜、１３…コイ
ル、１４…有機絶縁膜、１５…Ｎｉ−Ｆｅ膜、１６…磁
区制御膜、１７…電極膜。
フロントページの続き (72)発明者 渡辺 克朗 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 及川 玄 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 府山 盛明 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 5D033 BA03 BA08 BB43 CA01
Claims (5)
- 【請求項１】Ｆｅが２５〜４０at％，Ｎｉが１０〜１５
at％，Ｃｏが４０〜７０at％、及びＳが０〜０.３at％
含まれ、かつ結晶構造が面心立方晶(bcc）単相もしくは
bcc相とごくわずかの体心立方晶(fcc）からなることを
特徴とするめっき薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】請求項１記載のめっき磁性薄膜において、
膜応力が300MPa以上であることを特徴とするめっき薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項３】Ｃｏ，Ｎｉ及びＦｅの各々の金属塩とＳ系
有機化合物として、サッカリンＮａを０〜１.５ｇ／ｌ
添加した（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金めっき液を有する）こ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】記録／再生分離型磁気ヘッド用の磁気記録
ヘッドにおいて、上部及び下部磁性体層の磁気ギャップ
に接する側にＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性薄膜、それ以外にＮ
ｉ−Ｆｅ磁性膜を用い、かつ、前記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁
性薄膜はＦｅが２５〜４０at％，Ｎｉが１０〜１５at
％，Ｃｏが４０〜７０at％、及びＳが０〜０.３at％ 含
まれ、かつ結晶構造が面心立方晶（bcc）単相もしくはb
cc相とごくわずかの体心立方晶（fcc）からなり、膜応
力は300MPa 以上であることを特徴とする磁気記録ヘッ
ド。 - 【請求項５】情報を記録する少なくとも１枚の磁気ディ
スクと、前記磁気ディスクを回転させる手段と、前記磁
気ディスクに情報を書き込む磁気記録ヘッドと前記磁気
ディスクから情報を読みだす磁気再生ヘッドとからなる
記録／再生分離型ヘッドと前記記録／再生分離型ヘッド
を支持し目標位置に駆動する支持駆動手段とを備えた磁
気ディスク装置において、前記磁気記録ヘッドの上部及
び下部磁性体層の少なくとも一方の磁気ギャップに接す
る側にＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性薄膜、それ以外に46NiFe磁
性膜を用い、かつ、前記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性薄膜はＦ
ｅが２５〜４０at％，Ｎｉが１０〜１５at％，Ｃｏが４
０〜７０at％、及びＳが０〜０.３at％含まれ、かつ結
晶構造が面心立方晶（bcc）単相もしくはbcc相とごくわ
ずかの体心立方晶（fcc）からなり、膜応力は300MPa 以
上であることを特徴とする磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10341359A JP2000173014A (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | 薄膜磁気ヘッド及び磁気記録ヘッド並びに磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10341359A JP2000173014A (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | 薄膜磁気ヘッド及び磁気記録ヘッド並びに磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000173014A true JP2000173014A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18345462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10341359A Pending JP2000173014A (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | 薄膜磁気ヘッド及び磁気記録ヘッド並びに磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000173014A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210744A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性膜及びそれを用いた磁気ヘッド |
| JP2007172753A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Tdk Corp | 軟磁性膜およびその製造方法、薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ヘッドアームアセンブリならびに磁気ディスク装置 |
| EP1821289A2 (en) * | 2006-02-15 | 2007-08-22 | Fujitsu Limited | Soft magnetic thin film, method of producing the same, and magnetic head |
| US7679860B2 (en) * | 2005-03-09 | 2010-03-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Thin film magnetic head with layer having high saturation magnetic flux density, and magnetic storage apparatus |
-
1998
- 1998-12-01 JP JP10341359A patent/JP2000173014A/ja active Pending
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