CN118155665A - 磁记录介质及磁记录装置 - Google Patents

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CN118155665A CN202310997057.2A CN202310997057A CN118155665A CN 118155665 A CN118155665 A CN 118155665A CN 202310997057 A CN202310997057 A CN 202310997057A CN 118155665 A CN118155665 A CN 118155665A
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长村燎
中川裕治
前田知幸
高岸雅幸
成田直幸
栗原幸佑
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
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Abstract

本发明提供能够提高记录密度的磁记录介质及磁记录装置。根据实施方式，磁记录介质包括第1～第3磁性区域。第2磁性区域位于第3磁性区域与第1磁性区域之间。第1磁性区域中的Pt原子浓度相对于Co原子浓度的第1组成比、以及第3磁性区域中的Pt原子浓度相对于Co原子浓度的第3组成比高于第2磁性区域中的Pt原子浓度相对于Co原子浓度的第2组成比。第2磁性区域与第1磁性区域之间的沿着第1方向的距离比第3磁性区域与第2磁性区域之间的沿着第1方向的距离长。或者，第1磁性区域从第2磁性区域离开，第3磁性区域与第2磁性区域相接。

Description

磁记录介质及磁记录装置
本申请以日本专利申请2022-194583(申请日2022年12月6日)为基础，从该申请享有优先的利益。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式通常涉及磁记录介质及磁记录装置。
背景技术
使用磁头，向HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)等磁记录介质记录信息。在磁记录介质中，期待提高记录密度。
发明内容
本发明的实施方式提供能够提高记录密度的磁记录介质及磁记录装置。
用于解决课题的技术方案
根据实施方式，磁记录介质包括第1磁性区域、第2磁性区域以及第3磁性区域。所述第2磁性区域在从所述第3磁性区域向所述第1磁性区域的第1方向上，位于所述第3磁性区域与所述第1磁性区域之间。所述第1磁性区域中的第1Pt原子浓度相对于所述第1磁性区域中的第1Co原子浓度的第1组成比高于所述第2磁性区域中的第2Pt原子浓度相对于所述第2磁性区域中的第2Co原子浓度的第2组成比。所述第3磁性区域中的第3Pt原子浓度相对于所述第3磁性区域中的第3Co原子浓度的第3组成比高于所述第2组成比。所述第2磁性区域与所述第1磁性区域之间的沿着所述第1方向的第1距离比所述第3磁性区域与所述第2磁性区域之间的沿着所述第1方向的第2距离长。或者，所述第1磁性区域从所述第2磁性区域离开，所述第3磁性区域与所述第2磁性区域相接。
根据上述构成的磁记录介质，能够提供能提高记录密度的磁记录介质及磁记录装置。
附图说明
图1是例示第1实施方式涉及的磁记录介质的示意性剖视图。
图2的(a)～图2的(c)是例示磁记录介质的特性的图表。
图3的(a)～图3的(c)是例示磁记录介质的特性的图表。
图4的(a)～图4的(c)是例示磁记录介质的特性的图表。
图5是例示磁记录介质的特性的图表。
图6是例示第1实施方式涉及的磁记录介质的示意性剖视图。
图7是例示第1实施方式涉及的磁记录介质的示意性剖视图。
图8是例示第1实施方式涉及的磁记录介质的示意性剖视图。
图9是例示第1实施方式涉及的磁记录介质的示意性剖视图。
图10是例示第1实施方式涉及的磁记录介质的示意性剖视图。
图11是例示第1实施方式涉及的磁记录介质的示意性剖视图。
图12是例示第2实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。
图13是例示第2实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。
图14是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。
图15例示是实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。
图16的(a)及图16的(b)是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。
附图标记说明
20：磁元件，21～24：第1～第4磁性层，31、32：第1、第2磁极，41～45：第1～第5非磁性层，60：记录部，70：再现部，71：磁再现元件，72a、72b：第2再现磁屏蔽件，80、80A～80F：磁记录介质，80M：磁化，80R、80RA：记录层，81、81A：第1磁性区域，82、82A：第2磁性区域，83、83A：第3磁性区域，81f～83f：第1～第3磁性膜，84、84A：中间层，85：介质移动方向，85S：非磁性基板，91n：第1中间区域，92m：第2中间磁性区域，92n：第2中间区域，95m：第1连续磁性区域，110、110A：磁头，150：磁记录装置，154：悬架，155：臂，156：音圈马达，157：轴承部，158：头万向节组件，159：头滑块，159A：空气流入侧，159B：空气流出侧，160：头堆叠组件，161：支承框架，162：线圈，180：记录用介质盘，180M：主轴马达，181：记录介质，190：信号处理部，AR：箭头，D1：第1方向，d1、d2：第1、第2距离，ic：电流，je：电子流，t1～t3：第1～第3厚度
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。
附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度和宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与现实相同。即便在表示相同部分的情况下，也存在根据附图而相互的尺寸和/或比率表示得不同的情况。
在本申请说明书和各图中，对于与关于已出现的图在前面说明过的要素相同的要素标注同一附图标记，并适当省略详细的说明。
(第1实施方式)
图1是例示第1实施方式涉及的磁记录介质的示意性剖视图。
如图1所示，实施方式涉及的磁记录介质80与磁头110一起被使用。磁记录介质80及磁头110包含于磁记录装置150。通过磁头110，控制磁记录介质80的磁化。由此，向磁记录介质80记录信息。磁头110可以能再现所记录的信息。
如图1所示，磁记录介质80包括第1磁性区域81、第2磁性区域82以及第3磁性区域83。第1磁性区域81、第2磁性区域82以及第3磁性区域83包含于记录层80R。
第2磁性区域82在从第3磁性区域83向第1磁性区域81的第1方向D1上，位于第3磁性区域83与第1磁性区域81之间。将第1方向D1设为Z轴方向。将与Z轴方向垂直的1个方向设为X轴方向。将与Z轴方向及X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。第1磁性区域81、第2磁性区域82以及第3磁性区域83实质上与X-Y平面平行。这些区域为层状。
第1磁性区域81的磁化、第2磁性区域82的磁化以及第3磁性区域的磁化沿着第1方向D1。磁记录介质80是垂直磁化介质。
例如，第1磁性区域81、第2磁性区域82以及第3磁性区域83是颗粒磁性区域。例如，能够进行高密度的记录。
如图1所示，磁记录介质80可以包括非磁性基板85S及中间层84。在非磁性基板85S与第1磁性区域81之间设置第3磁性区域83。在非磁性基板85S与第3磁性区域83之间设置中间层84。中间层84例如为软磁性。非磁性基板85S例如包含选自SiO2(例如，玻璃)、Al系合金、陶瓷及树脂中的至少一种。中间层84例如包含选自CoZrNb、CoB、CoTaZr、FeSiAl、FeTaC、CoTaC、NiFe、Fe、FeCoB、FeCoN及FeTaN中的至少一种。
如图1所示，在实施方式中，第1磁性区域81位于第3磁性区域83与磁头110之间。
在3个磁性区域中，组成互不相同。3个磁性区域的组成比互不相同。3个磁性区域各自中的组成比例如也可以是平均的组成比。
将第1磁性区域81中的第1Pt原子浓度相对于第1磁性区域81中的第1Co原子浓度的比(Pt/Co)设为第1组成比。将第1组成比的在第1方向D1上的平均设为第1平均值AC1。将第1磁性区域81中的第1组成比的最高值与最小值之间的差设为第1差ΔC1。
例如，第1差ΔC1相对于第1平均值AC1的第1比(ΔC1/AC1)为0.2以下。即，在第1磁性区域81中，组成比可以在20％以内变化。第1比也可以为0.4以下。
将第2磁性区域82中的第2Pt原子浓度相对于第2磁性区域82中的第2Co原子浓度的比(Pt/Co)设为第2组成比。将第2组成比的在第1方向D1上的平均设为第2平均值AC2。将第2磁性区域82中的第2组成比的最高值与最小值之间的差设为第2差ΔC2。
例如，第2差ΔC2相对于第2平均值AC2的第2比(ΔC2/AC2)为0.2以下。即，在第2磁性区域82中，组成比可以在20％以内变化。第2比也可以为0.4以下。
将第3磁性区域83中的第3Pt原子浓度相对于第3磁性区域83中的第3Co原子浓度的比(Pt/Co)设为第3组成比。将第3组成比的在第1方向D1上的平均设为第3平均值AC3。将第3磁性区域83中的第3组成比的最高值与最小值之间的差设为第3差ΔC3。
例如，第3差ΔC3相对于第3平均值AC3的第3比(ΔC3/AC3)为0.2以下。即，在第3磁性区域83中，组成比可以在20％以内变化。第3比也可以为0.4以下。
在实施方式中，第1组成比高于第2组成比。第3组成比高于第2组成比。例如，在实施方式中，第1平均值AC1比第2平均值AC2高。第3平均值AC3比第2平均值AC2高。
如图1所示，将第2磁性区域82与第1磁性区域81之间的沿着第1方向D1的距离设为第1距离d1。将第3磁性区域83与第2磁性区域82之间的沿着第1方向D1的距离设为第2距离d2。在实施方式中，第1距离d1比第2距离d2长。或者，第1磁性区域81从第2磁性区域82离开，第3磁性区域83与第2磁性区域82相接。
可知通过这样的构成，可得到高的面记录密度。如图1所示，磁头110与记录层80R的一方的面相对。从磁头110对记录层80R施加记录磁场。此时，例如可以从磁头110对记录层80R施加交变磁场。交变磁场例如是高频磁场。例如，可以实施MAMR(Microwave AssistedMagnetic Recording，微波辅助磁记录)。磁头110施加的记录磁场及交变磁场通过第1磁性区域81到达第2磁性区域82及第3磁性区域83。根据实施方式，能够提供能提高记录密度的磁记录介质。
在实施方式中，如上所述，第1距离d1比第2距离d2长。由此，得到高的面记录密度。认为这是因为3个磁性区域的磁特性(包括交换耦合的特性)被适当地设定。
通过第1距离d1比第2距离d2长，交换耦合强度不同。例如，第2磁性区域82与第1磁性区域81之间的第1交换耦合强度比第3磁性区域83与第2磁性区域82之间的第2交换耦合强度低。
例如，在第1磁性区域81从第2磁性区域82离开，第3磁性区域83与第2磁性区域82相接的情况下，第1交换耦合强度也比第2交换耦合强度低。
如上所述，3个磁性区域各自中的组成(例如平均的组成比)互不相同。若Pt原子浓度相对于Co原子浓度的比(Pt/Co)高，则磁性区域中的各向异性磁场Hk变大。若该比低，则磁性区域中的各向异性磁场Hk变小。3个磁性区域各自中的各向异性磁场(例如平均的各向异性磁场)不同。
例如，1个磁性区域的各向异性磁场可以设为是在第1方向D1上的各向异性磁场的平均。将第1磁性区域81的各向异性磁场的在第1方向D1上的平均设为第1平均各向异性磁场Hk1。将第2磁性区域82的各向异性磁场的在第1方向D1上的平均设为第2平均各向异性磁场Hk2。将第3磁性区域83的各向异性磁场的在第1方向D1上的平均设为第3平均各向异性磁场Hk3。
在实施方式中，第1磁性区域81的各向异性磁场比第2磁性区域82的各向异性磁场大。第3磁性区域83的各向异性磁场比第2磁性区域82的各向异性磁场大。例如，在实施方式中，第1平均各向异性磁场Hk1比第2平均各向异性磁场Hk2大。第3平均各向异性磁场Hk3比第2平均各向异性磁场Hk2大。由此，得到高的面记录密度。
以下，对与磁记录介质80有关的模拟结果的例子进行说明。在模拟中，变更磁性区域的各向异性磁场(第1平均各向异性磁场Hk1、第2平均各向异性磁场Hk2以及第3平均各向异性磁场Hk3)。各向异性磁场反映了上述的组成比。在模拟中还变更第1交换耦合强度Jex1及第2交换耦合强度Jex2。交换耦合强度与上述的距离有关。若距离长，则交换耦合强度变低。
图2的(a)～图2的(c)、图3的(a)～图3的(c)、图4的(a)～图4的(c)以及图5是例示磁记录介质的特性的图表。
这些图例示了在使各向异性磁场及交换耦合强度进行各种各样的变化时与能够适当地进行记录再现动作的面记录密度的关系。
在图2的(a)～图2的(c)中，第1交换耦合强度Jex1比第2交换耦合强度Jex2低。在该例子中，第1交换耦合强度Jex1是第2交换耦合强度Jex2的0.1倍以上且0.6倍以下。图2的(a)～图2的(c)对应于第1距离d1比第2距离d2长的情况。图2的(a)的横轴为Hk1/Hk2。图2的(b)的横轴为Hk3/Hk2。图2的(c)的横轴为Hk1/Hk3。这些图的纵轴为面记录密度ADC。
在图3的(a)～图3的(c)中，第1交换耦合强度Jex1与第2交换耦合强度Jex2实质上相同。在该例子中，第1交换耦合强度Jex1为第2交换耦合强度Jex2的0.9倍以上且1.1倍以下。图3的(a)～图3的(c)对应于第1距离d1与第2距离d2实质上相同的情况。图3的(a)的横轴为Hk1/Hk2。图3的(b)的横轴为Hk3/Hk2。图3的(c)的横轴为Hk1/Hk3。这些图的纵轴为面记录密度ADC。
在图4的(a)～图4的(c)中，第1交换耦合强度Jex1比第2交换耦合强度Jex2高。在该例子中，第1交换耦合强度Jex1超过第2交换耦合强度Jex2的1倍且为20倍以下。图4的(a)～图4的(c)对应于第1距离d1比第2距离d2短的情况。图4的(a)的横轴为Hk1/Hk2。图4的(b)的横轴为Hk3/Hk2。图4的(c)的横轴为Hk1/Hk3。这些图的纵轴为面记录密度ADC。
如图2的(a)～图2的(c)所示，在第1交换耦合强度Jex1比第2交换耦合强度Jex2低的情况下，存在可得到0.9～1.0的高的面记录密度ADC的条件。与此相对，如图3的(a)～图3的(c)所示，在第1交换耦合强度Jex1与第2交换耦合强度Jex2实质上相同的情况下，面记录密度ADC为0.8以下。如图4的(a)～图4的(c)所示，在第1交换耦合强度Jex1比第2交换耦合强度Jex2高的情况下，面记录密度ADC为0.8以下。
这样，通过第1交换耦合强度Jex1比第2交换耦合强度Jex2低，可得到高的面密度。例如，第1交换耦合强度Jex1为第2交换耦合强度Jex2的0.1倍以上且0.6倍以下。可得到高的面密度。
例如，第1磁性区域81与磁头110之间的距离比第2磁性区域82与磁头110之间的距离短，比第3磁性区域83与磁头110之间的距离短。在磁头110的记录动作中，第1磁性区域81的磁化比其它的磁性区域的磁化容易反转。反转后的第1磁性区域81的磁化通过低的第1交换耦合强度Jex1传递到第2磁性区域82。例如，具有小的第2平均各向异性磁场Hk2的第2磁性区域82的磁化，由于具有大的第1平均各向异性磁场Hk1的第1磁性区域81的磁化的影响而有效地反转。另一方面，通过第2交换耦合强度Jex2高，能够将具有小的第2平均各向异性磁场Hk2的第2磁性区域82的磁化传递到第3磁性区域83。例如，即使在第3磁性区域83的第3平均各向异性磁场Hk3高的情况下，通过高的第2交换耦合强度Jex2，第2磁性区域82的磁化也传递到第3磁性区域83。由此，认为可得到高的面密度。
如图2的(a)所示，在Hk1/Hk2为1.4以上且1.7以下时，可得到高的面记录密度ADC。如图2的(b)所示，在Hk3/Hk2为1.4以上且1.7以下时，可得到高的面记录密度ADC。如图2的(c)所示，在Hk1/Hk3为0.9以上且1.1以下时，可得到高的面记录密度ADC。
图5的横轴为交换耦合比JR。交换耦合比JR是第1交换耦合强度Jex1相对于第2交换耦合强度Jex2之比。在图5中，Hk1>Hk2，Hk3>Hk2。如图5所示，在交换耦合比JR为0.1以上且0.6以下时，可得到高的面记录密度。
在实施方式中，例如，第1交换耦合强度相对于第2交换耦合强度之比优选为0.1以上且0.6以下。由此，可得到高的面记录密度。
在实施方式中，第1磁性区域81的各向异性磁场相对于第2磁性区域82的各向异性磁场之比优选为1.4以上且1.7以下。例如，第1平均各向异性磁场Hk1相对于第2平均各向异性磁场Hk2之比(Hk1/Hk2)优选为1.4以上且1.7以下。由此，可得到高的面记录密度。第3磁性区域83的各向异性磁场相对于第2磁性区域82的各向异性磁场之比优选为1.4以上且1.7以下。例如，第3平均各向异性磁场Hk3相对于第2平均各向异性磁场Hk2之比(Hk3/Hk2)优选为1.4以上且1.7以下。由此，可得到高的面记录密度。第1磁性区域81的各向异性磁场相对于第3磁性区域83的各向异性磁场之比优选为0.9以上且1.1以下。例如，第1平均各向异性磁场Hk1相对于第3平均各向异性磁场Hk3之比(Hk1/Hk3)例如优选为0.9以上且1.1以下。由此，可得到高的面记录密度。
在实施方式中，第1平均各向异性磁场Hk1例如优选为19000Oe以上。第1平均各向异性磁场Hk1可以为25000Oe以下。第2平均各向异性磁场Hk2例如优选为11000Oe以上且15000Oe以下。第3平均各向异性磁场Hk3例如优选为18000Oe以上。第3平均各向异性磁场Hk3可以为25000Oe以下。
这样，在实施方式涉及的磁记录介质80中，第1磁性区域81、第2磁性区域82以及第3磁性区域83可以满足以下的条件。
第1磁性区域81的各向异性磁场比第2磁性区域82的各向异性磁场大。第3磁性区域83的各向异性磁场比第2磁性区域82的各向异性磁场大。例如，第1磁性区域81的各向异性磁场的在第1方向D1上的平均为第1平均各向异性磁场Hk1。例如，第1磁性区域81中的各向异性磁场的最高值与最小值之间的第1差相对于第1平均各向异性磁场Hk1的第1比为0.2以下。第2磁性区域82的各向异性磁场的在第1方向D1上的平均为第2平均各向异性磁场Hk2。例如，第2磁性区域82中的各向异性磁场的最高值与最小值之间的第2差相对于第2平均各向异性磁场Hk2的第2比为0.2以下。第3磁性区域83的各向异性磁场的在第1方向D1上的平均为第3平均各向异性磁场Hk3。例如，第3磁性区域83中的各向异性磁场的最高值与最小值之间的第3差相对于第3平均各向异性磁场Hk3的第3比为0.2以下。
第1平均各向异性磁场Hk1比第2平均各向异性磁场Hk2大。第3平均各向异性磁场Hk3比第2平均各向异性磁场Hk2大。第2磁性区域82与第1磁性区域81之间的沿着第1方向D1的第1距离d1比第3磁性区域83与第2磁性区域82之间的沿着第1方向D1的第2距离d2长。或者，第1磁性区域81从第2磁性区域82离开，第3磁性区域83与第2磁性区域82相接。
第1磁性区域81的第1厚度t1(参照图1)例如为4nm以上且10nm以下。第2磁性区域82的第2厚度t2(参照图1)例如为1nm以上且6nm以下。第3磁性区域83的第3厚度t3(参照图1)例如为4nm以上且10nm以下。这些厚度是沿着第1方向D1方向的长度。
第1距离d1例如为0.1nm以上且0.6nm以下。第2距离d2例如为0nm以上且0.5nm以下。
图6是例示第1实施方式涉及的磁记录介质的示意性剖视图。
如图6所示，在实施方式涉及的磁记录介质80A中，3个磁性区域中的至少1个磁性区域包括多个磁性膜。除此之外的磁记录介质80A中的构成可以与磁记录介质80的构成相同。
如图6所示，第1磁性区域81包括多个第1磁性膜81f。多个第1磁性膜81f沿着第1方向D1排列。从多个第1磁性膜81f中的1个第1磁性膜81f向多个第1磁性膜81f中的其他的1个第1磁性膜81f的方向沿着第1方向D1。
第2磁性区域82包括多个第2磁性膜82f。从多个第2磁性膜82f中的1个第2磁性膜82f向多个第2磁性膜82f中的其他的1个第2磁性膜82f的方向沿着第1方向D1。第3磁性区域83包括多个第3磁性膜83f。从多个第3磁性膜83f中的1个第3磁性膜83f向多个第3磁性膜83f中的其他的1个第3磁性膜83f的方向沿着第1方向D1。
在多个第1磁性膜81f之间，组成比的差例如为20％以内。在多个第2磁性膜82f之间，组成比的差例如为20％以内。在多个第3磁性膜83f之间，组成比的差例如为20％以内。
图7是例示第1实施方式涉及的磁记录介质的示意性剖视图。
如图7所示，实施方式涉及的磁记录介质80B还包括第1中间区域91n及第2中间区域92n。除此之外的磁记录介质80B的构成可以与磁记录介质80或者磁记录介质80A的构成相同。
在磁记录介质80B中，第1中间区域91n设置于第2磁性区域82与第1磁性区域81之间。第1中间区域91n为非磁性。第2中间区域92n设置于第3磁性区域83与第2磁性区域82之间。第2中间区域92n为非磁性。
第1中间区域91n及第2中间区域92n例如包含选自Ru、Pt及C中的至少一种。第1中间区域91n的厚度对应于第1距离d1。第2中间区域92n的厚度对应于第2距离d2。
图8是例示第1实施方式涉及的磁记录介质的示意性剖视图。
如图8所示，实施方式涉及的磁记录介质80C包括第1中间区域91n。在磁记录介质80C中，第2磁性区域82与第3磁性区域83相接。除此之外的磁记录介质80C的构成可以与磁记录介质80或者磁记录介质80A的构成相同。
在磁记录介质80C中，第2距离d2为0。通过第2磁性区域82与第3磁性区域83相接，第1交换耦合强度比第2交换耦合强度低。
图9是例示第1实施方式涉及的磁记录介质的示意性剖视图。
如图9所示，实施方式涉及的磁记录介质80D还包括第1中间区域91n及第2中间磁性区域92m。除此之外的磁记录介质80D的构成可以与磁记录介质80或者磁记录介质80A的构成相同。
第1中间区域91n设置于第2磁性区域82与第1磁性区域81之间。第1中间区域91n为非磁性。第2中间磁性区域92m设置于第3磁性区域83与第2磁性区域82之间。第2中间磁性区域92m为连续磁性区域。第2中间磁性区域92m例如包含选自Cr、Pt及Pd中的至少一种和Co。第1中间区域91n的厚度对应于第1距离d1。第2中间磁性区域92m的厚度对应于第2距离d2。
在磁记录介质80D中，第1距离d1可以与第2距离d2相同，也可以比第2距离d2短，也可以比第2距离d2长。通过非磁性膜与磁性膜的不同，可得到交换耦合强度的差。在磁记录介质80D中，第1交换耦合强度比第2交换耦合强度低。
在磁记录介质80D中，第2磁性区域82及第3磁性区域83是颗粒磁性区域。第2中间磁性区域92m、第2磁性区域82以及第3磁性区域83例如能够通过电子显微镜图像确定。第1磁性区域81也可以是颗粒磁性区域。
这样，磁记录介质80D包括第1磁性区域81、第2磁性区域82、第3磁性区域83、第1中间区域91n以及第2中间磁性区域92m。第1中间区域91n设置于第2磁性区域82与第1磁性区域81之间。第2中间磁性区域92m设置于第3磁性区域83与第2磁性区域82之间。第2中间磁性区域92m为连续磁性区域。第1中间区域91n为非磁性。
图10是例示第1实施方式涉及的磁记录介质的示意性剖视图。
如图10所示，实施方式涉及的磁记录介质80E包括第1连续磁性区域95m。除此之外的磁记录介质80E的构成可以与磁记录介质80或者磁记录介质80A的构成相同。
在磁记录介质80E中，第1磁性区域81设置于第3磁性区域83与第1连续磁性区域95m之间。第1连续磁性区域95m例如包含选自Cr、Pt及Pd中的至少一种和Co。第1连续磁性区域95m例如为覆盖层。通过设置第1连续磁性区域95m，例如可得到高的记录特性。
在磁记录介质80E中，第1磁性区域81为颗粒磁性区域。第2磁性区域82及第3磁性区域83也可以为颗粒磁性区域。
图11是例示第1实施方式涉及的磁记录介质的示意性剖视图。
如图11所示，在实施方式涉及的磁记录介质80F中，除了上述的记录层80R之外还设置有其它的记录层80RA。除此之外的磁记录介质80F的构成可以与上述的任意的磁记录介质的构成相同。
在其它的记录层80RA与记录层80R之间，设置非磁性基板85S。其它的记录层80RA包括其它的第1磁性区域81A、其它的第2磁性区域82A以及其它的第3磁性区域83A。在其它的第1磁性区域81A与第1磁性区域81之间设置非磁性基板85S。在其它的第1磁性区域81A与非磁性基板85S之间，设置其它的第2磁性区域82A。在其它的第2磁性区域82A与非磁性基板85S之间，设置其它的第3磁性区域83A。在其它的第3磁性区域83A与非磁性基板85S之间，可以设置其它的中间层84A。
在磁记录介质80F中，在非磁性基板85S的2个面分别设置记录层。其它的磁头110A与其它的第1磁性区域81A相对。
(第2实施方式)
第2实施方式涉及磁记录装置150。
图12是例示第2实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。
如图12所示，磁头110与第1实施方式涉及的磁记录介质(例如，磁记录介质80等)一起被使用。在该例子中，磁头110包括记录部60及再现部70。通过磁头110的记录部60，向磁记录介质80记录信息。通过再现部70，再现记录于磁记录介质80的信息。
磁记录介质80例如包括非磁性基板85S和设置在非磁性基板85S上的记录层80R。记录层80R的磁化80M由记录部60控制。
再现部70例如包括第1再现磁屏蔽件72a、第2再现磁屏蔽件72b以及磁再现元件71。磁再现元件71设置于第1再现磁屏蔽件72a与第2再现磁屏蔽件72b之间。磁再现元件71能够输出与记录层80R的磁化80M相应的信号。
如图12所示，磁记录介质80在介质移动方向85的方向上相对于磁头110相对地移动。通过磁头110，在任意的位置，控制与记录层80R的磁化80M对应的信息。通过磁头110，在任意的位置，再现与记录层80R的磁化80M对应的信息。
如已经说明的那样，在磁记录装置150中，第1磁性区域81位于第3磁性区域83与磁头110之间(参照图1)。磁头110能够进行记录动作。在记录动作中，从磁头110对磁记录介质80(与记录层80R之间)施加交变磁场。从磁头110对磁记录介质80(记录层80R)施加记录磁场。
图13是例示第2实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。
图13例示了磁头110。磁头110包括第1磁极31、第2磁极32以及磁元件20。磁元件20设置于第1磁极31与第2磁极32之间。
例如，磁元件20包括第1磁性层21、第2磁性层22、第3磁性层23以及第4磁性层24。第1磁性层21设置于第1磁极31与第2磁极32之间。第2磁性层22设置于第1磁性层21与第2磁极32之间。第3磁性层23设置于第2磁性层22与第2磁极32之间。第4磁性层24设置于第3磁性层23与第2磁极32之间。
例如，磁元件20包括第1非磁性层41、第2非磁性层42、第3非磁性层43、第4非磁性层44以及第5非磁性层45。第1非磁性层41设置于第1磁极31与第1磁性层21之间。第2非磁性层42设置于第1磁性层21与第2磁性层22之间。第3非磁性层43设置于第2磁性层22与第3磁性层23之间。第4非磁性层44设置于第3磁性层23与第4磁性层24之间。第5非磁性层45设置于第4磁性层24与第2磁极32之间。
在1个例子中，第1非磁性层41包含选自Cu、Au、Cr、V、Al及Ag中的至少一种。第2非磁性层42包含选自Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt及W中的至少一种。第3非磁性层43包含选自Cu、Au、Cr、V、Al及Ag中的至少一种。第4非磁性层44包含选自Cu、Au、Cr、V、Al及Ag中的至少一种。第5非磁性层45包含选自Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt及W中的至少一种。在这样的构成中，例如，容易得到稳定的交变磁场。
如图13所示，在记录动作中，向磁元件20供给电流ic。电流ic从第1磁极31流向第2磁极32。电子流je从第2磁极32流向第1磁极31。
图14是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。
图14例示了头滑块。
磁头110设置于头滑块159。头滑块159例如包含Al2O3/TiC等。头滑块159一边在磁记录介质之上浮起或接触，一边相对于磁记录介质相对地运动。
头滑块159例如具有空气流入侧159A及空气流出侧159B。磁头110配置于头滑块159的空气流出侧159B的侧面等。由此，磁头110一边在磁记录介质之上浮起或接触，一边相对于磁记录介质相对地运动。
图15是例示实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。
图16的(a)及图16的(b)是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。
如图15所示，在实施方式涉及的磁记录装置150中，使用了旋转致动器。记录用介质盘180装配于主轴马达180M。记录用介质盘180通过主轴马达180M而向箭头AR的方向旋转。主轴马达180M响应来自驱动装置控制部的控制信号。本实施方式涉及的磁记录装置150可以具备多个记录用介质盘180。磁记录装置150可以包括记录介质181。记录介质181例如是SSD(Solid State Drive，固态驱动器)。对于记录介质181，例如使用闪速存储器等非易失性存储器。例如，磁记录装置150也可以是混合HDD(Hard Disk Drive)。
头滑块159进行向记录用介质盘180记录的信息的记录及再现。头滑块159设置于薄膜状的悬架154的顶端。在头滑块159的顶端附近设置实施方式涉及的磁头。
当记录用介质盘180旋转时，基于悬架154的按压压力与在头滑块159的介质对向面(ABS)产生的压力相平衡。头滑块159的介质对向面与记录用介质盘180的表面之间的距离成为预定的浮起量。在实施方式中，头滑块159也可以与记录用介质盘180接触。例如也可以应用接触移动型。
悬架154连接于臂155(例如致动器臂)的一端。臂155例如具有骨架(bobbin)部等。骨架部保持驱动线圈。在臂155的另一端设置音圈马达156。音圈马达156是线性马达的一种。音圈马达156例如包括驱动线圈及磁路。驱动线圈卷绕于臂155的骨架部。磁路包括永磁体及对向磁轭。在永磁体与对向磁轭之间设置驱动线圈。悬架154具有一端和另一端。磁头设置于悬架154的一端。臂155连接于悬架154的另一端。
臂155由滚珠轴承保持。滚珠轴承设置于轴承部157的上下两处。臂155能够通过音圈马达156而旋转及滑动。磁头能够移动到记录用介质盘180的任意位置。
图16的(a)例示了磁记录装置的一部分的构成，是头堆叠组件160的放大立体图。
图16的(b)是例示成为头堆叠组件160的一部分的磁头组件(头万向节组件：HGA)158的立体图。
如图16的(a)所示，头堆叠组件160包括轴承部157、头万向节组件158以及支承框架161。头万向节组件158从轴承部157延伸。支承框架161从轴承部157延伸。支承框架161的延伸方向与头万向节组件158的延伸方向相反。支承框架161支承音圈马达156的线圈162。
如图16的(b)所示，头万向节组件158具有从轴承部157延伸出的臂155以及从臂155延伸出的悬架154。
在悬架154的顶端设置头滑块159。在头滑块159设置实施方式涉及的磁头。
实施方式涉及的磁头组件(头万向节组件)158包括实施方式涉及的磁头、设置有磁头的头滑块159、悬架154以及臂155。头滑块159设置于悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。
悬架154例如具有信号的记录及再现用的引线(未图示)。悬架154例如也可以具有用于浮起量调整的加热器用的引线(未图示)。悬架154也可以具有例如用于振荡元件等的引线(未图示)。这些引线与设置于磁头的多个电极电连接。
在磁记录装置150中，设置信号处理部190。信号处理部190使用磁头进行对于磁记录介质的信号的记录及再现。信号处理部190中，信号处理部190的输入输出线例如连接于头万向节组件158的电极焊盘，与磁头电连接。
实施方式涉及的磁记录装置150包括磁记录介质、实施方式涉及的磁头、可动部、位置控制部以及信号处理部。可动部设为使磁记录介质和磁头能够以分离或接触的状态相对地移动。位置控制部使磁头对位于磁记录介质的预定记录位置。信号处理部进行使用磁头的对于磁记录介质的信号的记录及再现。
例如，作为上述的磁记录介质，使用记录用介质盘180。上述的可动部例如包括头滑块159。上述的位置控制部例如包括头万向节组件158。
实施方式可以包含以下的技术方案。
(技术方案1)
一种磁记录介质，具备：
第1磁性区域；
第2磁性区域；以及
第3磁性区域，
所述第2磁性区域在从所述第3磁性区域向所述第1磁性区域的第1方向上，位于所述第3磁性区域与所述第1磁性区域之间，
所述第1磁性区域中的第1Pt原子浓度相对于所述第1磁性区域中的第1Co原子浓度的第1组成比高于所述第2磁性区域中的第2Pt原子浓度相对于所述第2磁性区域中的第2Co原子浓度的第2组成比，
所述第3磁性区域中的第3Pt原子浓度相对于所述第3磁性区域中的第3Co原子浓度的第3组成比高于所述第2组成比，
所述第2磁性区域与所述第1磁性区域之间的沿着所述第1方向的第1距离比所述第3磁性区域与所述第2磁性区域之间的沿着所述第1方向的第2距离长，或者，所述第1磁性区域从所述第2磁性区域离开，所述第3磁性区域与所述第2磁性区域相接。
(技术方案2)
根据技术方案1所述的磁记录介质，
所述第2磁性区域与所述第1磁性区域之间的第1交换耦合强度比所述第3磁性区域与所述第2磁性区域之间的第2交换耦合强度低。
(技术方案3)
根据技术方案2所述的磁记录介质，
所述第1交换耦合强度相对于所述第2交换耦合强度之比为0.1以上且0.6以下。
(技术方案4)
根据技术方案1～3中任一项所述的磁记录介质，
所述第1磁性区域的第1各向异性磁场相对于所述第2磁性区域的第2各向异性磁场之比为1.4以上且1.7以下。
(技术方案5)
根据技术方案4所述的磁记录介质，
所述第3磁性区域的第3各向异性磁场相对于所述第2各向异性磁场之比为1.4以上且1.7以下。
(技术方案6)
根据技术方案5所述的磁记录介质，
所述第1各向异性磁场相对于所述第3各向异性磁场之比为0.9以上且1.1以下。
(技术方案7)
根据技术方案1～6中任一项所述的磁记录介质，
所述磁记录介质还具备设置于所述第2磁性区域与所述第1磁性区域之间的非磁性的第1中间区域。
(技术方案8)
根据技术方案1～7中任一项所述的磁记录介质，
所述第1磁性区域、所述第2磁性区域以及所述第3磁性区域为颗粒磁性区域。
(技术方案9)
根据技术方案8所述的磁记录介质，
所述磁记录介质还具备设置于所述第3磁性区域与所述第2磁性区域之间的第2中间磁性区域，
所述第2中间磁性区域为连续磁性区域。
(技术方案10)
一种磁记录介质，具备：
第1磁性区域；
第2磁性区域；
第3磁性区域；
设置于所述第2磁性区域与所述第1磁性区域之间的第1中间区域；以及
设置于所述第3磁性区域与所述第2磁性区域之间的第2中间磁性区域，
所述第2磁性区域在从所述第3磁性区域向所述第1磁性区域的第1方向上，位于所述第3磁性区域与所述第1磁性区域之间，
所述第1磁性区域中的第1Pt原子浓度相对于所述第1磁性区域中的第1Co原子浓度的第1组成比高于所述第2磁性区域中的第2Pt原子浓度相对于所述第2磁性区域中的第2Co原子浓度的第2组成比，
所述第3磁性区域中的第3Pt原子浓度相对于所述第3磁性区域中的第3Co原子浓度的第3组成比高于所述第2组成比，
所述第1磁性区域、所述第2磁性区域以及所述第3磁性区域为颗粒磁性区域，
所述第2中间磁性区域为连续磁性区域，
所述第1中间区域为非磁性。
(技术方案11)
根据技术方案8～10中任一项所述的磁记录介质，
所述磁记录介质还具备第1连续磁性区域，
所述第1磁性区域设置于所述第3磁性区域与所述第1连续磁性区域之间。
(技术方案12)
一种磁记录介质，具备：
第1磁性区域；
第2磁性区域；以及
第3磁性区域，
所述第2磁性区域在从所述第3磁性区域向所述第1磁性区域的第1方向上，位于所述第3磁性区域与所述第1磁性区域之间，
所述第1磁性区域的第1各向异性磁场比所述第2磁性区域的第2各向异性磁场大，
所述第3磁性区域的第3各向异性磁场比所述第2各向异性磁场大，
所述第2磁性区域与所述第1磁性区域之间的沿着所述第1方向的第1距离比所述第3磁性区域与所述第2磁性区域之间的沿着所述第1方向的第2距离长，或者，所述第1磁性区域从所述第2磁性区域离开，所述第3磁性区域与所述第2磁性区域相接。
(技术方案13)
根据技术方案12所述的磁记录介质，
所述第1各向异性磁场相对于所述第2各向异性磁场之比为1.4以上且1.7以下。
(技术方案14)
根据技术方案13所述的磁记录介质，
所述第3各向异性磁场相对于所述第2各向异性磁场之比为1.4以上且1.7以下。
(技术方案15)
根据技术方案14所述的磁记录介质，
所述第1各向异性磁场相对于所述第3各向异性磁场之比为0.9以上且1.1以下。
(技术方案16)
根据技术方案12～15中任一项所述的磁记录介质，
所述第1各向异性磁场为19000Oe以上，
所述第2各向异性磁场为11000Oe以上且15000Oe以下，
所述第3各向异性磁场为18000Oe以上。
(技术方案17)
根据技术方案1～16中任一项所述的磁记录介质，
所述磁记录介质还具备：
非磁性基板；和
中间层，
在所述非磁性基板与所述第1磁性区域之间设置所述第3磁性区域，
在所述非磁性基板与所述第3磁性区域之间设置所述中间层，
所述中间层为软磁性。
(技术方案18)
一种磁记录装置，具备：
技术方案1～17中任一项所述的磁记录介质；和
磁头，
所述第1磁性区域位于所述第3磁性区域与所述磁头之间。
(技术方案19)
根据技术方案18所述的磁记录装置，
所述磁头能够进行记录动作，
在所述记录动作中，从所述磁头对所述磁记录介质施加交变磁场，从所述磁头对所述磁记录介质施加记录磁场。
(技术方案20)
根据技术方案18或者19所述的磁记录装置，
所述磁头包括：
第1磁极；
第2磁极；以及
设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁元件，
所述磁元件包括：
设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的第1磁性层；
设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间的第2磁性层；
设置于所述第2磁性层与所述第2磁极之间的第3磁性层；以及
设置于所述第3磁性层与所述第2磁极之间的第4磁性层。
根据实施方式，能够提供能提高记录密度的磁记录介质及磁记录装置。
在本申请说明书中，“垂直”及“平行”不仅仅是严格的垂直及严格的平行，还包括例如制造工序中的偏差等，只要是实质上垂直及实质上平行即可。
以上，参照具体例，对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明不限定于这些具体例。例如，关于磁头及磁记录装置所包括的磁极、磁元件、磁性层、非磁性层以及控制部等各要素的具体的构成，只要本领域技术人员通过从公知的范围中适当选择而能够同样地实施本发明并获得同样的效果，就包含于本发明的范围内。
将各具体例中的任两个以上的要素在技术上可能的范围内组合而得到的方案，也是只要包含本发明的要旨，就包含于本发明的范围内。
除此之外，本领域技术人员以作为本发明的实施方式在上叙述的磁记录装置为基础来适当进行设计变更而能够实施的全部磁记录装置，也是只要包含本发明的要旨就属于本发明的范围。
除此之外，需要了解的是，在本发明的思想上的范畴内，对于本领域技术人员来说，能够想到各种的变更例及修正例，关于这些变更例及修正例，也属于本发明的范围。
说明了本发明的一些实施方式，但是这些实施方式是作为例子而提示的，并非意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式实施，在不脱离发明的要旨的范围内能够进行各种的省略、置换、变更。这些实施方式和其变形包含于发明的范围和/或要旨内，并且包含于权利要求书所记载的发明及与其等同的范围内。

Claims (10)

1.一种磁记录介质，具备：
第1磁性区域；
第2磁性区域；以及
第3磁性区域，
所述第2磁性区域在从所述第3磁性区域向所述第1磁性区域的第1方向上，位于所述第3磁性区域与所述第1磁性区域之间，
所述第1磁性区域中的第1Pt原子浓度相对于所述第1磁性区域中的第1Co原子浓度的第1组成比高于所述第2磁性区域中的第2Pt原子浓度相对于所述第2磁性区域中的第2Co原子浓度的第2组成比，
所述第3磁性区域中的第3Pt原子浓度相对于所述第3磁性区域中的第3Co原子浓度的第3组成比高于所述第2组成比，
所述第2磁性区域与所述第1磁性区域之间的沿着所述第1方向的第1距离比所述第3磁性区域与所述第2磁性区域之间的沿着所述第1方向的第2距离长，或者，所述第1磁性区域从所述第2磁性区域离开，所述第3磁性区域与所述第2磁性区域相接。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质，
所述第2磁性区域与所述第1磁性区域之间的第1交换耦合强度比所述第3磁性区域与所述第2磁性区域之间的第2交换耦合强度低。
3.根据权利要求2所述的磁记录介质，
所述第1交换耦合强度相对于所述第2交换耦合强度之比为0.1以上且0.6以下。
4.根据权利要求1所述的磁记录介质，
所述第1磁性区域的第1各向异性磁场相对于所述第2磁性区域的第2各向异性磁场之比为1.4以上且1.7以下。
5.根据权利要求4所述的磁记录介质，
所述第3磁性区域的第3各向异性磁场相对于所述第2各向异性磁场之比为1.4以上且1.7以下。
6.根据权利要求5所述的磁记录介质，
所述第1各向异性磁场相对于所述第3各向异性磁场之比为0.9以上且1.1以下。
7.根据权利要求1所述的磁记录介质，
所述磁记录介质还具备设置于所述第2磁性区域与所述第1磁性区域之间的非磁性的第1中间区域。
8.一种磁记录介质，具备：
第1磁性区域；
第2磁性区域；
第3磁性区域；
设置于所述第2磁性区域与所述第1磁性区域之间的第1中间区域；以及
设置于所述第3磁性区域与所述第2磁性区域之间的第2中间磁性区域，
所述第2磁性区域在从所述第3磁性区域向所述第1磁性区域的第1方向上，位于所述第3磁性区域与所述第1磁性区域之间，
所述第1磁性区域中的第1Pt原子浓度相对于所述第1磁性区域中的第1Co原子浓度的第1组成比高于所述第2磁性区域中的第2Pt原子浓度相对于所述第2磁性区域中的第2Co原子浓度的第2组成比，
所述第3磁性区域中的第3Pt原子浓度相对于所述第3磁性区域中的第3Co原子浓度的第3组成比高于所述第2组成比，
所述第1磁性区域、所述第2磁性区域以及所述第3磁性区域为颗粒磁性区域，
所述第2中间磁性区域为连续磁性区域，
所述第1中间区域为非磁性。
9.一种磁记录介质，具备：
第1磁性区域；
第2磁性区域；以及
第3磁性区域，
所述第2磁性区域在从所述第3磁性区域向所述第1磁性区域的第1方向上，位于所述第3磁性区域与所述第1磁性区域之间，
所述第1磁性区域的第1各向异性磁场大于所述第2磁性区域的第2各向异性磁场，
所述第3磁性区域的第3各向异性磁场大于所述第2各向异性磁场，
所述第2磁性区域与所述第1磁性区域之间的沿着所述第1方向的第1距离比所述第3磁性区域与所述第2磁性区域之间的沿着所述第1方向的第2距离长，或者，所述第1磁性区域从所述第2磁性区域离开，所述第3磁性区域与所述第2磁性区域相接。
10.一种磁记录装置，具备：
权利要求1所述的磁记录介质；和
磁头，
所述第1磁性区域位于所述第3磁性区域与所述磁头之间。
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