JP2002093620A - 磁性薄膜とその製造方法及びそれを用いた磁気ヘッド並びに電解めっき装置 - Google Patents
磁性薄膜とその製造方法及びそれを用いた磁気ヘッド並びに電解めっき装置Info
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- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
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- C25D3/562—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 保磁力、磁歪定数が小さく、１８０００〜２
３０００Ｇという高い飽和磁化を安定して得ることがで
きる磁性薄膜とその製造方法及びそれを用いた磁気ヘッ
ド並びに電解めっき装置を提供する。 【解決手段】 本発明の磁性薄膜は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
系合金からなる磁性薄膜の面心立方格子（２００）面に
おける回折Ｘ線強度ｆｃｃ（２００）と面心立方格子
（１１１）面における回折Ｘ線強度ｆｃｃ（１１１）の
比ｆｃｃ（２００）／ｆｃｃ（１１１）が０．２５未
満、かつ、体心立方格子（１１０）面における回折Ｘ線
強度ｂｃｃ（１１０）のピーク強度比が面心立方格子
（１１１）面における回折Ｘ線強度ｆｃｃ（１１１）の
ピーク強度比に対して０．０１〜３．０であることを特
徴とする。
３０００Ｇという高い飽和磁化を安定して得ることがで
きる磁性薄膜とその製造方法及びそれを用いた磁気ヘッ
ド並びに電解めっき装置を提供する。 【解決手段】 本発明の磁性薄膜は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
系合金からなる磁性薄膜の面心立方格子（２００）面に
おける回折Ｘ線強度ｆｃｃ（２００）と面心立方格子
（１１１）面における回折Ｘ線強度ｆｃｃ（１１１）の
比ｆｃｃ（２００）／ｆｃｃ（１１１）が０．２５未
満、かつ、体心立方格子（１１０）面における回折Ｘ線
強度ｂｃｃ（１１０）のピーク強度比が面心立方格子
（１１１）面における回折Ｘ線強度ｆｃｃ（１１１）の
ピーク強度比に対して０．０１〜３．０であることを特
徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁性薄膜とその製
造方法及びそれを用いた磁気ヘッド並びに電解めっき装
置に関し、特に、保磁力、磁歪定数が小さく、安定に１
８０００〜２３０００Ｇという高い飽和磁化を有する磁
性薄膜とその製造方法及びそれを用いた磁気ヘッド並び
に電解めっき装置に関するものである。
造方法及びそれを用いた磁気ヘッド並びに電解めっき装
置に関し、特に、保磁力、磁歪定数が小さく、安定に１
８０００〜２３０００Ｇという高い飽和磁化を有する磁
性薄膜とその製造方法及びそれを用いた磁気ヘッド並び
に電解めっき装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクに搭載させる磁気ヘッドに
おいては、磁気記憶媒体に対して高密度で書き込みを行
うために、ますます強くかつ急峻な書き込み磁界を発生
させる必要が生じている。例えば、再生用の磁気抵抗素
子と記録用のインダクテイブヘッド素子を備えた複合型
磁気ヘッドの場合、書き込み磁界を強くするためには、
前記インダクティブヘッド素子の上部磁性層、あるいは
上部磁性層と下部磁性層の材料を、飽和磁束密度の高い
磁性材料で構成する必要がある。
おいては、磁気記憶媒体に対して高密度で書き込みを行
うために、ますます強くかつ急峻な書き込み磁界を発生
させる必要が生じている。例えば、再生用の磁気抵抗素
子と記録用のインダクテイブヘッド素子を備えた複合型
磁気ヘッドの場合、書き込み磁界を強くするためには、
前記インダクティブヘッド素子の上部磁性層、あるいは
上部磁性層と下部磁性層の材料を、飽和磁束密度の高い
磁性材料で構成する必要がある。
【０００３】この磁性材料は、書き込みコイルに電流を
流すことで容易に励磁される必要があり、そのために
は、保磁力が小さく、かつ透磁率の高い磁性材料、すな
わち、優れた軟磁性特性を有する軟磁性材料である必要
がある。このインダクティブヘッド素子の上部磁性層及
び下部磁性層の磁性材料として従来よく用いられてきた
材料は、パ−マロイと称されるニッケル・鉄合金膜のう
ち、磁歪定数が０に近いニッケル含有量が８２％程度の
領域の材料であった。この領域のパ−マロイを以下８２
パ−マロイと称する。
流すことで容易に励磁される必要があり、そのために
は、保磁力が小さく、かつ透磁率の高い磁性材料、すな
わち、優れた軟磁性特性を有する軟磁性材料である必要
がある。このインダクティブヘッド素子の上部磁性層及
び下部磁性層の磁性材料として従来よく用いられてきた
材料は、パ−マロイと称されるニッケル・鉄合金膜のう
ち、磁歪定数が０に近いニッケル含有量が８２％程度の
領域の材料であった。この領域のパ−マロイを以下８２
パ−マロイと称する。
【０００４】この８２パ−マロイの飽和磁束密度は１０
０００Ｇ程度であるが、これより飽和磁束密度の高い良
好な磁性材料を用いれば、書き込み磁界がより強くかつ
急峻な磁気ヘッドを作製することができる。その一例と
して、高い飽和磁束密度を実現するためにＣｏ−Ｎｉ−
Ｆｅ系磁性薄膜等の３元系めっき膜を用いた磁気ヘッド
が提案されている（例えば、特開平２−６８９０６号公
報参照）。
０００Ｇ程度であるが、これより飽和磁束密度の高い良
好な磁性材料を用いれば、書き込み磁界がより強くかつ
急峻な磁気ヘッドを作製することができる。その一例と
して、高い飽和磁束密度を実現するためにＣｏ−Ｎｉ−
Ｆｅ系磁性薄膜等の３元系めっき膜を用いた磁気ヘッド
が提案されている（例えば、特開平２−６８９０６号公
報参照）。
【０００５】Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系磁性薄膜では、飽和磁
化（Ｂｓ）はＮｉの組成比により決定されるから、高い
飽和磁化（Ｂｓ）を得るためには、Ｎｉの組成値をでき
る限り小さくすることが必要とされる。一方、軟磁気特
性の良好（磁歪が小さい等）な特性を有するｆｃｃ結晶
構造を得るためには、Ｎｉ濃度を高い値に設定しなけれ
ばならない。したがって、このＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系磁性
薄膜では、これらの相反する特性を満足することは難し
い。
化（Ｂｓ）はＮｉの組成比により決定されるから、高い
飽和磁化（Ｂｓ）を得るためには、Ｎｉの組成値をでき
る限り小さくすることが必要とされる。一方、軟磁気特
性の良好（磁歪が小さい等）な特性を有するｆｃｃ結晶
構造を得るためには、Ｎｉ濃度を高い値に設定しなけれ
ばならない。したがって、このＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系磁性
薄膜では、これらの相反する特性を満足することは難し
い。
【０００６】そこで、磁気ヘッド材料として用いる３元
系めっき膜であるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系磁性薄膜を、体心
立方構造のγ層と面心立方構造のα層の混晶としたもの
が提案されている（特許第２８２１４５６号）。このＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系磁性薄膜の飽和磁化は、２．０Ｔ以上
の特性を有するもので、Ｎｉの組成値を１０ｗｔ％前後
とし、サッカリン等の添加剤を用いないことで、ｆｃｃ
とｂｃｃの結晶構造の境界ラインを従来から報告されて
いるものと比べてＮｉ組成の低い側にシフトさせたこと
を特徴としたものである。これにより、飽和磁化が高
く、保磁力が低く、かつ磁歪が小さい軟磁性の優れた磁
性膜が得られている。
系めっき膜であるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系磁性薄膜を、体心
立方構造のγ層と面心立方構造のα層の混晶としたもの
が提案されている（特許第２８２１４５６号）。このＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系磁性薄膜の飽和磁化は、２．０Ｔ以上
の特性を有するもので、Ｎｉの組成値を１０ｗｔ％前後
とし、サッカリン等の添加剤を用いないことで、ｆｃｃ
とｂｃｃの結晶構造の境界ラインを従来から報告されて
いるものと比べてＮｉ組成の低い側にシフトさせたこと
を特徴としたものである。これにより、飽和磁化が高
く、保磁力が低く、かつ磁歪が小さい軟磁性の優れた磁
性膜が得られている。
【０００７】また、従来より、サッカリン等の添加剤を
用いることで、ｆｃｃ結晶面を優先的に配向させ、ｆｃ
ｃ（２００）のｆｃｃ（１１１）面に対する配向の度合
いを規定することにより、保磁力、磁歪定数の低減を図
った軟磁性薄膜が提案されている（例えば、特開平７−
３４８９号公報、特開平６−３４６２０２号公報等参
照）。
用いることで、ｆｃｃ結晶面を優先的に配向させ、ｆｃ
ｃ（２００）のｆｃｃ（１１１）面に対する配向の度合
いを規定することにより、保磁力、磁歪定数の低減を図
った軟磁性薄膜が提案されている（例えば、特開平７−
３４８９号公報、特開平６−３４６２０２号公報等参
照）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＣｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ系磁性薄膜においては、Ｎｉの組成値が低
いところで保磁力及び磁歪定数が小さい値のものが得ら
れるものの、結晶構造が不安定なために、飽和磁化が１
８０００〜２３０００Ｇという高い領域においては、安
定した飽和磁化を得ることが難しいという問題点があっ
た。この磁気記録の高密度化に際しては、高い記録能力
を安定に供給できる磁気ヘッドを提供することが重要な
点であり、この磁気ヘッドを実現するためには、高い記
録能力を有し、しかも特性が安定した磁性膜を開発する
ことが重要な点になる。
−Ｎｉ−Ｆｅ系磁性薄膜においては、Ｎｉの組成値が低
いところで保磁力及び磁歪定数が小さい値のものが得ら
れるものの、結晶構造が不安定なために、飽和磁化が１
８０００〜２３０００Ｇという高い領域においては、安
定した飽和磁化を得ることが難しいという問題点があっ
た。この磁気記録の高密度化に際しては、高い記録能力
を安定に供給できる磁気ヘッドを提供することが重要な
点であり、この磁気ヘッドを実現するためには、高い記
録能力を有し、しかも特性が安定した磁性膜を開発する
ことが重要な点になる。
【０００９】また、サッカリン等の添加剤を用いてｆｃ
ｃ結晶面を優先的に配向させる方法では、ｆｃｃ結晶面
の結晶構造が安定したものとはならないために、高い飽
和磁化を安定して得ることができない。
ｃ結晶面を優先的に配向させる方法では、ｆｃｃ結晶面
の結晶構造が安定したものとはならないために、高い飽
和磁化を安定して得ることができない。
【００１０】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、保磁力、磁歪定数が小さく、１８０００〜
２３０００Ｇという高い飽和磁化を安定して得ることが
できる磁性薄膜とその製造方法及びそれを用いた磁気ヘ
ッド並びに電解めっき装置を提供することを目的とす
る。
のであって、保磁力、磁歪定数が小さく、１８０００〜
２３０００Ｇという高い飽和磁化を安定して得ることが
できる磁性薄膜とその製造方法及びそれを用いた磁気ヘ
ッド並びに電解めっき装置を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討し
た結果、次のような知見を得た。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系磁
性材料では、その組成のみならず結晶構造により、飽和
磁化、保磁力及び磁歪定数を制御することができる。例
えば、サッカリン等の添加剤を用いることなしに、優先
的にｆｃｃ結晶面に配向を施すように構造を規定するこ
とで、保磁力、磁歪定数が小さく、しかも飽和磁化が高
い磁性薄膜を得ることができる。換言すれば、飽和磁化
が安定して高いＮｉ組成の低い組成領域において、保磁
力、磁歪定数の小さい値のものを得ることができる。
た結果、次のような知見を得た。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系磁
性材料では、その組成のみならず結晶構造により、飽和
磁化、保磁力及び磁歪定数を制御することができる。例
えば、サッカリン等の添加剤を用いることなしに、優先
的にｆｃｃ結晶面に配向を施すように構造を規定するこ
とで、保磁力、磁歪定数が小さく、しかも飽和磁化が高
い磁性薄膜を得ることができる。換言すれば、飽和磁化
が安定して高いＮｉ組成の低い組成領域において、保磁
力、磁歪定数の小さい値のものを得ることができる。
【００１２】また、電気めっき法により磁性薄膜を形成
する場合、磁性薄膜の結晶構造がめっき条件により異な
ることが分かった。そこで、電気めっき法のめっき条件
を規定することにより、安定して高い飽和磁化を有する
磁性薄膜を形成することが可能になった。
する場合、磁性薄膜の結晶構造がめっき条件により異な
ることが分かった。そこで、電気めっき法のめっき条件
を規定することにより、安定して高い飽和磁化を有する
磁性薄膜を形成することが可能になった。
【００１３】本発明は、以上のような知見に基づいてな
されたもので、次のような磁性薄膜とその製造方法及び
それを用いた磁気ヘッド並びに電解めっき装置を提供す
る。すなわち、本発明の請求項１記載の磁性薄膜は、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなる磁性薄膜の面心立方格子
（２００）面における回折Ｘ線強度ｆｃｃ（２００）と
面心立方格子（１１１）面における回折Ｘ線強度ｆｃｃ
（１１１）の比ｆｃｃ（２００）／ｆｃｃ（１１１）が
０．２５未満、かつ、体心立方格子（１１０）面におけ
る回折Ｘ線強度ｂｃｃ（１１０）のピーク強度比が面心
立方格子（１１１）面における回折Ｘ線強度ｆｃｃ（１
１１）のピーク強度比に対して０．０１〜３．０である
ことを特徴とする。
されたもので、次のような磁性薄膜とその製造方法及び
それを用いた磁気ヘッド並びに電解めっき装置を提供す
る。すなわち、本発明の請求項１記載の磁性薄膜は、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなる磁性薄膜の面心立方格子
（２００）面における回折Ｘ線強度ｆｃｃ（２００）と
面心立方格子（１１１）面における回折Ｘ線強度ｆｃｃ
（１１１）の比ｆｃｃ（２００）／ｆｃｃ（１１１）が
０．２５未満、かつ、体心立方格子（１１０）面におけ
る回折Ｘ線強度ｂｃｃ（１１０）のピーク強度比が面心
立方格子（１１１）面における回折Ｘ線強度ｆｃｃ（１
１１）のピーク強度比に対して０．０１〜３．０である
ことを特徴とする。
【００１４】請求項２記載の磁性薄膜は、請求項１記載
の磁性薄膜において、前記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金は、
Ｃｏを４０〜７０重量％、Ｎｉを２〜２０重量％、Ｆｅ
を１５〜４０重量％含むことを特徴とする。
の磁性薄膜において、前記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金は、
Ｃｏを４０〜７０重量％、Ｎｉを２〜２０重量％、Ｆｅ
を１５〜４０重量％含むことを特徴とする。
【００１５】請求項３記載の磁性薄膜の製造方法は、め
っき法によりＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなる磁性薄膜
を形成する方法であって、Ｃｏイオン、Ｎｉイオン及び
Ｆｅイオンを含むめっき液を２０℃以下に保持した状態
でめっきを行うことを特徴とする。
っき法によりＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなる磁性薄膜
を形成する方法であって、Ｃｏイオン、Ｎｉイオン及び
Ｆｅイオンを含むめっき液を２０℃以下に保持した状態
でめっきを行うことを特徴とする。
【００１６】請求項４記載の磁性薄膜の製造方法は、請
求項３記載の磁性薄膜の製造方法において、前記めっき
は、１５ｍＡ／ｃｍ2以上の電流密度にて行い、その
後、１００〜２５０℃で熱処理を行うことを特徴とす
る。
求項３記載の磁性薄膜の製造方法において、前記めっき
は、１５ｍＡ／ｃｍ2以上の電流密度にて行い、その
後、１００〜２５０℃で熱処理を行うことを特徴とす
る。
【００１７】請求項５記載の磁性薄膜の製造方法は、請
求項３または４記載の磁性薄膜の製造方法において、前
記めっき液は、Ｃｏイオンを０．０５〜０．４ｍｏｌ／
ｌ、Ｎｉイオンを０．０３〜０．２ｍｏｌ／ｌ、Ｆｅイ
オンを０．００５〜０．０５ｍｏｌ／ｌ含むことを特徴
とする。
求項３または４記載の磁性薄膜の製造方法において、前
記めっき液は、Ｃｏイオンを０．０５〜０．４ｍｏｌ／
ｌ、Ｎｉイオンを０．０３〜０．２ｍｏｌ／ｌ、Ｆｅイ
オンを０．００５〜０．０５ｍｏｌ／ｌ含むことを特徴
とする。
【００１８】請求項６記載の磁気ヘッドは、請求項１ま
たは２記載の磁性薄膜を備えたことを特徴とする。
たは２記載の磁性薄膜を備えたことを特徴とする。
【００１９】請求項７記載の磁気ヘッドは、再生用の磁
気抵抗効果素子と記録用のインダクテイブヘッド素子を
備え、該インダクテイブヘッド素子の上部磁極及び下部
磁極の少なくとも一部に、請求項１または２記載の磁性
薄膜を配置したことを特徴とする。
気抵抗効果素子と記録用のインダクテイブヘッド素子を
備え、該インダクテイブヘッド素子の上部磁極及び下部
磁極の少なくとも一部に、請求項１または２記載の磁性
薄膜を配置したことを特徴とする。
【００２０】請求項８記載の磁気ヘッドは、請求項７記
載の磁気ヘッドにおいて、前記磁性薄膜の厚みは、０．
３〜２．０μｍであることを特徴とする。
載の磁気ヘッドにおいて、前記磁性薄膜の厚みは、０．
３〜２．０μｍであることを特徴とする。
【００２１】請求項９記載の電解めっき装置は、めっき
法によりＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなる磁性薄膜を形
成する電解めっき装置であって、Ｃｏイオン、Ｎｉイオ
ン及びＦｅイオンを含むめっき液を貯留するめっき槽
に、前記めっき液を２０℃以下に冷却・保持する冷却機
構を設けたことを特徴とする。
法によりＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなる磁性薄膜を形
成する電解めっき装置であって、Ｃｏイオン、Ｎｉイオ
ン及びＦｅイオンを含むめっき液を貯留するめっき槽
に、前記めっき液を２０℃以下に冷却・保持する冷却機
構を設けたことを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の磁性薄膜とその製造方法
及びそれを用いた磁気ヘッド並びに電解めっき装置の各
実施の形態について図面に基づき説明する。
及びそれを用いた磁気ヘッド並びに電解めっき装置の各
実施の形態について図面に基づき説明する。
【００２３】［第１の実施の形態］図１はめっき法によ
りＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなる磁性薄膜を形成した
磁気ヘッドを製造する際に用いられる本発明の第１の実
施の形態の電解めっき装置を示す概略構成図であり、図
において、符号１はＣｏイオン、Ｎｉイオン及びＦｅイ
オンを含むめっき液Ｌを貯留するめっき槽、２はめっき
槽１内のめっき液Ｌを２０℃以下に冷却・保持する冷却
機構である。
りＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなる磁性薄膜を形成した
磁気ヘッドを製造する際に用いられる本発明の第１の実
施の形態の電解めっき装置を示す概略構成図であり、図
において、符号１はＣｏイオン、Ｎｉイオン及びＦｅイ
オンを含むめっき液Ｌを貯留するめっき槽、２はめっき
槽１内のめっき液Ｌを２０℃以下に冷却・保持する冷却
機構である。
【００２４】この冷却機構２は、不凍液及び水を含む冷
却媒体Ｃを所定の温度（例えば、２０℃、あるいはそれ
以下）に冷却する熱交換機３と、熱交換機３から送り出
された冷却媒体Ｃを用いてめっき槽１内のめっき液Ｌを
２０℃以下に冷却・保持するテフロン（登録商標）チュ
−ブ４と、テフロンチュ−ブ４から送り出された冷却媒
体Ｃ’を一旦貯留し再度熱交換機３に搬送するリザーブ
タンク５と、冷却媒体Ｃ（Ｃ’）搬送用の配管６とから
構成されている。
却媒体Ｃを所定の温度（例えば、２０℃、あるいはそれ
以下）に冷却する熱交換機３と、熱交換機３から送り出
された冷却媒体Ｃを用いてめっき槽１内のめっき液Ｌを
２０℃以下に冷却・保持するテフロン（登録商標）チュ
−ブ４と、テフロンチュ−ブ４から送り出された冷却媒
体Ｃ’を一旦貯留し再度熱交換機３に搬送するリザーブ
タンク５と、冷却媒体Ｃ（Ｃ’）搬送用の配管６とから
構成されている。
【００２５】この電解めっき装置では、めっき槽１の内
側に沿ってテフロンチュ−ブ４を這わせ、このテフロン
チューブ４内に不凍液及び水からなる冷却媒体Ｃを送り
込み、この冷却媒体Ｃによりめっき液Ｌを２０℃以下に
冷却・保持する。このめっき槽１では、めっき液Ｌを図
示しないポンプを用いて循環させることにより、めっき
液Ｌの温度を一定に保持する。さらに、パドルめっき法
により、めっき膜形成面に常に新鮮なめっき液Ｌが供給
されるように、また、めっき膜形成面のＰＨが常に一定
となるように、めっきを行う。なお、めっき液Ｌ及びめ
っき槽１内側の温度が一定となるように循環速度は設定
される。
側に沿ってテフロンチュ−ブ４を這わせ、このテフロン
チューブ４内に不凍液及び水からなる冷却媒体Ｃを送り
込み、この冷却媒体Ｃによりめっき液Ｌを２０℃以下に
冷却・保持する。このめっき槽１では、めっき液Ｌを図
示しないポンプを用いて循環させることにより、めっき
液Ｌの温度を一定に保持する。さらに、パドルめっき法
により、めっき膜形成面に常に新鮮なめっき液Ｌが供給
されるように、また、めっき膜形成面のＰＨが常に一定
となるように、めっきを行う。なお、めっき液Ｌ及びめ
っき槽１内側の温度が一定となるように循環速度は設定
される。
【００２６】図２は本実施の形態の電解めっき装置を用
いて作製した磁性膜の結晶構造について調べた結果を示
すＸ線回折図形（チャート）である。ここでは、めっき
液の温度を２０℃以下とし、めっき液の組成は次の通り
とした。 硫酸コバルト（ＣｏＳＯ4） ０．０９２ ｍｏｌ／ｌ 硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4） ０．２０ ｍｏｌ／ｌ 塩化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ） ０．２８ ｍｏｌ／ｌ ほう酸（Ｈ3ＢＯ3） ０．４０ ｍｏｌ／ｌ 硫酸第一鉄 （ＦｅＳＯ4） ０．００１６ ｍｏｌ／ｌ ラウリル酸ナトリウム ０．０００３５ｍｏｌ／ｌ
いて作製した磁性膜の結晶構造について調べた結果を示
すＸ線回折図形（チャート）である。ここでは、めっき
液の温度を２０℃以下とし、めっき液の組成は次の通り
とした。 硫酸コバルト（ＣｏＳＯ4） ０．０９２ ｍｏｌ／ｌ 硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4） ０．２０ ｍｏｌ／ｌ 塩化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ） ０．２８ ｍｏｌ／ｌ ほう酸（Ｈ3ＢＯ3） ０．４０ ｍｏｌ／ｌ 硫酸第一鉄 （ＦｅＳＯ4） ０．００１６ ｍｏｌ／ｌ ラウリル酸ナトリウム ０．０００３５ｍｏｌ／ｌ
【００２７】また、めっきの際の条件としては、 電流密度 １５．０ｍＡ／ｃｍ2 ＰＨ ２．７ とした。図２から明らかな通り、めっき液の温度を低く
していくとともに、ｂｃｃ配向が支配的となっていくこ
とがわかる。
していくとともに、ｂｃｃ配向が支配的となっていくこ
とがわかる。
【００２８】図３は、これらの膜の飽和磁化について調
べた結果を示す図であり、ｂｃｃ（１１０）／ｆｃｃ
（１１１）に対して飽和磁化Ｂｓをプロットしたもので
ある。この図３から、ｂｃｃ配向が大きくなるにつれて
飽和磁化（Ｂｓ）も大きくなることがわかった。このよ
うに、膜のｂｃｃ配向を大きくするプロセス条件として
は、めっき液の温度を低くすることが挙げられる。
べた結果を示す図であり、ｂｃｃ（１１０）／ｆｃｃ
（１１１）に対して飽和磁化Ｂｓをプロットしたもので
ある。この図３から、ｂｃｃ配向が大きくなるにつれて
飽和磁化（Ｂｓ）も大きくなることがわかった。このよ
うに、膜のｂｃｃ配向を大きくするプロセス条件として
は、めっき液の温度を低くすることが挙げられる。
【００２９】通常、めっき工程では、めっき液の組成の
均一性、膜の成膜レ−トを上げる等のために、めっき液
の温度を室温以上に高く設定されている。図４は、Ｃｏ
ＮｉＦｅめっき液の温度と成膜レ−トとの関係について
調べた結果を示す図であり、調べた温度の範囲において
は、一様の成膜レ−トを示すことがわかった。また、面
内での膜組成の均一性については、通常用いている２イ
ンチサイズ以上の基板において均一であることが確認さ
れた。また、温度を変化させた場合には、結晶構造のみ
が変化することがわかった。
均一性、膜の成膜レ−トを上げる等のために、めっき液
の温度を室温以上に高く設定されている。図４は、Ｃｏ
ＮｉＦｅめっき液の温度と成膜レ−トとの関係について
調べた結果を示す図であり、調べた温度の範囲において
は、一様の成膜レ−トを示すことがわかった。また、面
内での膜組成の均一性については、通常用いている２イ
ンチサイズ以上の基板において均一であることが確認さ
れた。また、温度を変化させた場合には、結晶構造のみ
が変化することがわかった。
【００３０】［第２の実施の形態］図５は本発明の第２
の実施の形態の磁気ヘッドを示す断面図であり、本発明
の磁性薄膜の製造方法及び電解めっき装置を用いて、絶
縁層上にスパッタ法等によりめっき下地を施した上に、
電解めっき法によりＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ磁性薄膜を形成し
たものである。図において、符号１１はスライダとなる
基体であり、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）とチタンカーバイド
（ＴｉＣ）とからなる複合セラミックスである。この基
体１１上には、再生機能を有するＭＲヘッドが形成され
ている。
の実施の形態の磁気ヘッドを示す断面図であり、本発明
の磁性薄膜の製造方法及び電解めっき装置を用いて、絶
縁層上にスパッタ法等によりめっき下地を施した上に、
電解めっき法によりＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ磁性薄膜を形成し
たものである。図において、符号１１はスライダとなる
基体であり、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）とチタンカーバイド
（ＴｉＣ）とからなる複合セラミックスである。この基
体１１上には、再生機能を有するＭＲヘッドが形成され
ている。
【００３１】このＭＲヘッドは、パタン化されたＣｏＺ
ｒＴａ膜からなる下シールド１２と、Ｎｉが８０重量％
程度のＮｉＦｅ膜からなる上シールド１３と、これらの
間に形成されアルミナからなる磁気分離層１４と、上シ
ールド１３内に形成された磁気抵抗効果素子１５とから
構成されている。この下シールド１２の厚さは１μｍ、
上シールド１３の厚さは３μｍである。また、下シール
ド１２と上シールド１３の間のギャップは０．１３μｍ
である。
ｒＴａ膜からなる下シールド１２と、Ｎｉが８０重量％
程度のＮｉＦｅ膜からなる上シールド１３と、これらの
間に形成されアルミナからなる磁気分離層１４と、上シ
ールド１３内に形成された磁気抵抗効果素子１５とから
構成されている。この下シールド１２の厚さは１μｍ、
上シールド１３の厚さは３μｍである。また、下シール
ド１２と上シールド１３の間のギャップは０．１３μｍ
である。
【００３２】この磁気抵抗効果素子１５は、図６に示す
ように、記録媒体からの磁界を感磁する中央領域２１
と、この中央領域２１にバイアス磁界と電流とを供給す
る機能を有する端部領域２２とから構成されている。こ
の中央領域２１は一般にスピンバルブ効果と呼ばれるＧ
ＭＲ効果を有する積層構造体からなるもので、具体的に
は、下シールド１２側から、下地Ｚｒ膜（膜厚３ｎ
ｍ）、ＰｔＭｎ膜（膜厚２０ｎｍ）、ＣｏＦｅ膜（膜厚
２ｎｍ）、Ｃｕ膜（膜厚２．１ｎｍ）、ＣｏＦｅ膜（膜
厚０．５ｎｍ）、ＮｉＦｅ膜（膜厚２ｎｍ）、Ｚｒ膜
（膜厚３ｎｍ）が順次積層された積層構造体である。
ように、記録媒体からの磁界を感磁する中央領域２１
と、この中央領域２１にバイアス磁界と電流とを供給す
る機能を有する端部領域２２とから構成されている。こ
の中央領域２１は一般にスピンバルブ効果と呼ばれるＧ
ＭＲ効果を有する積層構造体からなるもので、具体的に
は、下シールド１２側から、下地Ｚｒ膜（膜厚３ｎ
ｍ）、ＰｔＭｎ膜（膜厚２０ｎｍ）、ＣｏＦｅ膜（膜厚
２ｎｍ）、Ｃｕ膜（膜厚２．１ｎｍ）、ＣｏＦｅ膜（膜
厚０．５ｎｍ）、ＮｉＦｅ膜（膜厚２ｎｍ）、Ｚｒ膜
（膜厚３ｎｍ）が順次積層された積層構造体である。
【００３３】ここで、中央領域２１の幅は０．５μｍで
あり、再生トラック幅を規定している。また、端部領域
２２は、永久磁石膜としてのＣｏＰｔ膜（膜厚２０ｎ
ｍ）、電極膜としてのＡｕ膜（膜厚５０ｎｍ）からなる
積層構造である。このＭＲヘッド上には、上シールド１
３を第一の磁極として併用した記録機能を有するＩＤヘ
ッドが形成されている。この下部磁極を構成する上シ−
ルド１３は、８２パ−マロイと本発明のＣｏＮｉＦｅ膜
の積層膜から構成されている。この下部磁極を構成する
上シ−ルド１３上に、膜厚０．１８μｍのアルミナによ
る磁気ギャップ１６を介して形成された非磁性絶縁体１
７によってゼロスロートハイトが規定される。
あり、再生トラック幅を規定している。また、端部領域
２２は、永久磁石膜としてのＣｏＰｔ膜（膜厚２０ｎ
ｍ）、電極膜としてのＡｕ膜（膜厚５０ｎｍ）からなる
積層構造である。このＭＲヘッド上には、上シールド１
３を第一の磁極として併用した記録機能を有するＩＤヘ
ッドが形成されている。この下部磁極を構成する上シ−
ルド１３は、８２パ−マロイと本発明のＣｏＮｉＦｅ膜
の積層膜から構成されている。この下部磁極を構成する
上シ−ルド１３上に、膜厚０．１８μｍのアルミナによ
る磁気ギャップ１６を介して形成された非磁性絶縁体１
７によってゼロスロートハイトが規定される。
【００３４】この非磁性絶縁体１７はフォトレジストに
より構成されている。さらに、この非磁性絶縁体１７上
には、Ｃｕめっき膜からなるコイル１８が形成され、こ
のコイル１８は非磁性絶縁体１９により絶縁されてい
る。この非磁性絶縁体１９もフォトレジストにより構成
されている。以上の非磁性絶縁体１９とコイル１８とか
らなる構造体に乗り上げ、かつ、磁気媒体と対向するＡ
ＢＳに露出した第二の磁極である上部磁極２０が形成さ
れている。
より構成されている。さらに、この非磁性絶縁体１７上
には、Ｃｕめっき膜からなるコイル１８が形成され、こ
のコイル１８は非磁性絶縁体１９により絶縁されてい
る。この非磁性絶縁体１９もフォトレジストにより構成
されている。以上の非磁性絶縁体１９とコイル１８とか
らなる構造体に乗り上げ、かつ、磁気媒体と対向するＡ
ＢＳに露出した第二の磁極である上部磁極２０が形成さ
れている。
【００３５】この上部磁極２０は、下地層となるスパッ
タによる８２パ−マロイ膜２０ａと、この８２パ−マロ
イ膜２０ａ上に形成された本発明のＢｓが２ＴのＣｏＮ
ｉＦｅ膜からなる磁極２０ｂとから構成されている。こ
の上部磁極２０の膜厚は１．０μｍである。
タによる８２パ−マロイ膜２０ａと、この８２パ−マロ
イ膜２０ａ上に形成された本発明のＢｓが２ＴのＣｏＮ
ｉＦｅ膜からなる磁極２０ｂとから構成されている。こ
の上部磁極２０の膜厚は１．０μｍである。
【００３６】ここで、下部磁極を構成する上シ−ルド１
３及び上部磁極２０の形成方法について説明する。この
上シ−ルド１３及び上部磁極２０を、本発明の電解めっ
き法により作製した。なお、めっき液の組成は、上述し
た第１の実施の形態のめっき液と全く同様である。ここ
では、このめっき液を図１に示すめっき槽１に貯留し、
１５時間以上の攪拌の後に冷却機構２を用いて１５℃ま
で冷却し、その後、このめっき液Ｌをめっき槽１に循環
させ、パドル法を用いて磁気ヘッド作製用基板にＣｏＮ
ｉＦｅ膜を形成した。このときのＣｏＮｉＦｅ膜の組成
は、Ｃｏ６５重量％、Ｎｉ１２重量％、Ｆｅ２３重量％
であった。また、このＣｏＮｉＦｅ膜の比抵抗ρは２０
μΩｃｍであった。
３及び上部磁極２０の形成方法について説明する。この
上シ−ルド１３及び上部磁極２０を、本発明の電解めっ
き法により作製した。なお、めっき液の組成は、上述し
た第１の実施の形態のめっき液と全く同様である。ここ
では、このめっき液を図１に示すめっき槽１に貯留し、
１５時間以上の攪拌の後に冷却機構２を用いて１５℃ま
で冷却し、その後、このめっき液Ｌをめっき槽１に循環
させ、パドル法を用いて磁気ヘッド作製用基板にＣｏＮ
ｉＦｅ膜を形成した。このときのＣｏＮｉＦｅ膜の組成
は、Ｃｏ６５重量％、Ｎｉ１２重量％、Ｆｅ２３重量％
であった。また、このＣｏＮｉＦｅ膜の比抵抗ρは２０
μΩｃｍであった。
【００３７】この複合型の磁気ヘッドを用いて、磁気媒
体の保磁力を３５００ Ｏｅ以上、磁気媒体と磁気ヘッ
ドの磁気間隙を３５ｎｍとすることによって、およそ１
０ギガビット／平方インチ、またはそれ以上の記録密度
を有する磁気記憶装置を実現することができた。
体の保磁力を３５００ Ｏｅ以上、磁気媒体と磁気ヘッ
ドの磁気間隙を３５ｎｍとすることによって、およそ１
０ギガビット／平方インチ、またはそれ以上の記録密度
を有する磁気記憶装置を実現することができた。
【００３８】［第３の実施の形態］本実施の形態では、
上述した第２の実施の形態と同様に、磁気ヘッドの再生
部、記録部を作製した。ここでは、図５に示す下部磁極
を構成する上シ−ルド１３及び上部磁極２０を本発明の
磁性薄膜の製造方法及び電解めっき装置を用いて作製し
た。
上述した第２の実施の形態と同様に、磁気ヘッドの再生
部、記録部を作製した。ここでは、図５に示す下部磁極
を構成する上シ−ルド１３及び上部磁極２０を本発明の
磁性薄膜の製造方法及び電解めっき装置を用いて作製し
た。
【００３９】ここでは、めっき液の組成は次の通りとし
た。 硫酸コバルト（ＣｏＳＯ4） ０．０９２ ｍｏｌ／ｌ 硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4） ０．２０ ｍｏｌ／ｌ 塩化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ） ０．２８ ｍｏｌ／ｌ ほう酸（Ｈ3ＢＯ3） ０．４０ ｍｏｌ／ｌ 硫酸第一鉄 （ＦｅＳＯ4） ０．００１６ ｍｏｌ／ｌ ラウリル酸ナトリウム ０．０００３５ｍｏｌ／ｌ
た。 硫酸コバルト（ＣｏＳＯ4） ０．０９２ ｍｏｌ／ｌ 硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4） ０．２０ ｍｏｌ／ｌ 塩化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ） ０．２８ ｍｏｌ／ｌ ほう酸（Ｈ3ＢＯ3） ０．４０ ｍｏｌ／ｌ 硫酸第一鉄 （ＦｅＳＯ4） ０．００１６ ｍｏｌ／ｌ ラウリル酸ナトリウム ０．０００３５ｍｏｌ／ｌ
【００４０】また、めっきの際の条件としては、 電流密度 ２０．０ｍＡ／ｃｍ2 ＰＨ ２．７ とした。
【００４１】次いで、このめっき液をめっき槽１に貯留
し、１５時間以上の攪拌の後、めっき槽１を循環させ、
パドル法を用いて磁気ヘッド作製用基板にＣｏＮｉＦｅ
膜を形成した。ここでは、室温にて２０．０ｍＡ／ｃｍ
2の高い電流密度の条件でめっき膜を作製した。その後
１００℃〜２５０℃の温度で熱処理を行い、磁極膜を形
成した。このときの磁極膜の組成は、Ｃｏ６５重量％、
Ｎｉ１２重量％、Ｆｅ２３重量％であり、また、この磁
極膜の比抵抗ρは２０μΩｃｍであった。
し、１５時間以上の攪拌の後、めっき槽１を循環させ、
パドル法を用いて磁気ヘッド作製用基板にＣｏＮｉＦｅ
膜を形成した。ここでは、室温にて２０．０ｍＡ／ｃｍ
2の高い電流密度の条件でめっき膜を作製した。その後
１００℃〜２５０℃の温度で熱処理を行い、磁極膜を形
成した。このときの磁極膜の組成は、Ｃｏ６５重量％、
Ｎｉ１２重量％、Ｆｅ２３重量％であり、また、この磁
極膜の比抵抗ρは２０μΩｃｍであった。
【００４２】本実施の形態の磁気ヘッドを用いることに
より、磁気媒体の保磁力を３５００Ｏｅ以上、磁気媒体
と磁気ヘッドの磁気間隙を３５ｎｍとすることができ、
したがって、およそ１０ギガビット／平方インチおよび
それ以上の記録密度を有する磁気記憶装置を実現するこ
とができた。
より、磁気媒体の保磁力を３５００Ｏｅ以上、磁気媒体
と磁気ヘッドの磁気間隙を３５ｎｍとすることができ、
したがって、およそ１０ギガビット／平方インチおよび
それ以上の記録密度を有する磁気記憶装置を実現するこ
とができた。
【００４３】以上、本発明の磁性薄膜とその製造方法及
びそれを用いた磁気ヘッド並びに電解めっき装置の各実
施の形態について図面に基づき説明してきたが、具体的
な構成は本実施形態に限定されるものではなく、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で設計の変更等が可能である。
例えば、めっき液の組成等は、得るべき磁性薄膜の特性
に応じて、適宜変更可能である。
びそれを用いた磁気ヘッド並びに電解めっき装置の各実
施の形態について図面に基づき説明してきたが、具体的
な構成は本実施形態に限定されるものではなく、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で設計の変更等が可能である。
例えば、めっき液の組成等は、得るべき磁性薄膜の特性
に応じて、適宜変更可能である。
【００４４】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の磁性薄膜に
よれば、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなる磁性薄膜の面
心立方格子（２００）面における回折Ｘ線強度ｆｃｃ
（２００）と面心立方格子（１１１）面における回折Ｘ
線強度ｆｃｃ（１１１）の比ｆｃｃ（２００）／ｆｃｃ
（１１１）が０．２５未満、かつ、体心立方格子（１１
０）面における回折Ｘ線強度ｂｃｃ（１１０）のピーク
強度比が面心立方格子（１１１）面における回折Ｘ線強
度ｆｃｃ（１１１）のピーク強度比に対して０．０１〜
３．０としたので、１８０００〜２３０００Ｇという高
い飽和磁化を安定して得ることができ、したがって、高
い記録密度を有しかつ特性の安定した磁気記憶媒体を得
ることができる。
よれば、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなる磁性薄膜の面
心立方格子（２００）面における回折Ｘ線強度ｆｃｃ
（２００）と面心立方格子（１１１）面における回折Ｘ
線強度ｆｃｃ（１１１）の比ｆｃｃ（２００）／ｆｃｃ
（１１１）が０．２５未満、かつ、体心立方格子（１１
０）面における回折Ｘ線強度ｂｃｃ（１１０）のピーク
強度比が面心立方格子（１１１）面における回折Ｘ線強
度ｆｃｃ（１１１）のピーク強度比に対して０．０１〜
３．０としたので、１８０００〜２３０００Ｇという高
い飽和磁化を安定して得ることができ、したがって、高
い記録密度を有しかつ特性の安定した磁気記憶媒体を得
ることができる。
【００４５】また、本発明の磁性薄膜の製造方法によれ
ば、Ｃｏイオン、Ｎｉイオン及びＦｅイオンを含むめっ
き液を２０℃以下に保持した状態でめっきを行うので、
１８０００〜２３０００Ｇという高い飽和磁化を有する
磁性膜を安定して成膜することができる。したがって、
高いかつ安定した記録密度を有する磁気記憶装置を供給
することができる。
ば、Ｃｏイオン、Ｎｉイオン及びＦｅイオンを含むめっ
き液を２０℃以下に保持した状態でめっきを行うので、
１８０００〜２３０００Ｇという高い飽和磁化を有する
磁性膜を安定して成膜することができる。したがって、
高いかつ安定した記録密度を有する磁気記憶装置を供給
することができる。
【００４６】また、本発明の磁気ヘッドによれば、請求
項１または２記載の磁性薄膜を備えたので、１８０００
〜２３０００Ｇという高い飽和磁化を有する磁性薄膜を
備えた磁気ヘッドを安定して提供することができる。
項１または２記載の磁性薄膜を備えたので、１８０００
〜２３０００Ｇという高い飽和磁化を有する磁性薄膜を
備えた磁気ヘッドを安定して提供することができる。
【００４７】また、本発明の電解めっき装置によれば、
Ｃｏイオン、Ｎｉイオン及びＦｅイオンを含むめっき液
を貯留するめっき槽に、前記めっき液を２０℃以下に冷
却・保持する冷却機構を設けたので、１８０００〜２３
０００Ｇという高い飽和磁化を有する磁性薄膜を安定し
て形成することができる。したがって、高い飽和磁化を
有しかつ特性の安定した磁性薄膜を得ることができる。
Ｃｏイオン、Ｎｉイオン及びＦｅイオンを含むめっき液
を貯留するめっき槽に、前記めっき液を２０℃以下に冷
却・保持する冷却機構を設けたので、１８０００〜２３
０００Ｇという高い飽和磁化を有する磁性薄膜を安定し
て形成することができる。したがって、高い飽和磁化を
有しかつ特性の安定した磁性薄膜を得ることができる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態の電解めっき装置
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図２】 本発明の第１の実施の形態の磁性膜の結晶構
造を示すＸ線回折図形である。
造を示すＸ線回折図形である。
【図３】 本発明の第１の実施の形態の磁性膜の結晶構
造と飽和磁化の関係を示す図である。
造と飽和磁化の関係を示す図である。
【図４】 本発明の第１の実施の形態のＣｏＮｉＦｅめ
っき液の温度と成膜レ−トとの関係を示す図である。
っき液の温度と成膜レ−トとの関係を示す図である。
【図５】 本発明の第２の実施の形態の磁気ヘッドを示
す断面図である。
す断面図である。
【図６】 本発明の第２の実施の形態の磁気ヘッドの要
部を示す部分断面図である。
部を示す部分断面図である。
１ めっき槽 ２ 冷却機構 ３ 熱交換機 ４ テフロンチュ−ブ ５ リザーブタンク ６ 配管 １１ 基体 １２ 下シールド １３ 上シールド １４ 磁気分離層 １５ 磁気抵抗効果素子 １６ 磁気ギャップ １７ 非磁性絶縁体 １８ コイル １９ 非磁性絶縁体 ２０ 上部磁極 ２０ａ ８２パ−マロイ膜 ２０ｂ ＣｏＮｉＦｅ膜からなる磁極 ２１ 中央領域 ２２ 端部領域 Ｃ、Ｃ’ 冷却媒体 Ｌ めっき液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｋ 5/39 5/39 Ｈ０１Ｆ 41/26 Ｈ０１Ｆ 41/26 Ｆターム(参考） 4K024 AA14 AA15 AA16 AB01 AB15 AB19 BA15 BB14 CA01 CA04 CA06 CB24 CB26 DB01 GA16 5D033 BA03 BA07 DA04 DA31 5D034 BA02 BB12 5E049 AA04 AA09 AC00 BA12 LC02 LC06
Claims (9)
- 【請求項１】 Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなる磁性薄
膜の面心立方格子（２００）面における回折Ｘ線強度ｆ
ｃｃ（２００）と面心立方格子（１１１）面における回
折Ｘ線強度ｆｃｃ（１１１）の比ｆｃｃ（２００）／ｆ
ｃｃ（１１１）が０．２５未満、かつ、体心立方格子
（１１０）面における回折Ｘ線強度ｂｃｃ（１１０）の
ピーク強度比が面心立方格子（１１１）面における回折
Ｘ線強度ｆｃｃ（１１１）のピーク強度比に対して０．
０１〜３．０であることを特徴とする磁性薄膜。 - 【請求項２】 前記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金は、Ｃｏを
４０〜７０重量％、Ｎｉを２〜２０重量％、Ｆｅを１５
〜４０重量％含むことを特徴とする請求項１記載の磁性
薄膜。 - 【請求項３】 めっき法によりＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金
からなる磁性薄膜を形成する方法であって、 Ｃｏイオン、Ｎｉイオン及びＦｅイオンを含むめっき液
を２０℃以下に保持した状態でめっきを行うことを特徴
とする磁性薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 前記めっきは、１５ｍＡ／ｃｍ2以上の
電流密度にて行い、その後、１００〜２５０℃で熱処理
を行うことを特徴とする請求項３記載の磁性薄膜の製造
方法。 - 【請求項５】 前記めっき液は、Ｃｏイオンを０．０５
〜０．４ｍｏｌ／ｌ、Ｎｉイオンを０．０３〜０．２ｍ
ｏｌ／ｌ、Ｆｅイオンを０．００５〜０．０５ｍｏｌ／
ｌ含むことを特徴とする請求項３または４記載の磁性薄
膜の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１または２記載の磁性薄膜を備え
たことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項７】 再生用の磁気抵抗効果素子と記録用のイ
ンダクテイブヘッド素子を備え、該インダクテイブヘッ
ド素子の上部磁極及び下部磁極の少なくとも一部に、請
求項１または２記載の磁性薄膜を配置したことを特徴と
する磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記磁性薄膜の厚みは、０．３〜２．０
μｍであることを特徴とする請求項７記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項９】 めっき法によりＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金
からなる磁性薄膜を形成する電解めっき装置であって、 Ｃｏイオン、Ｎｉイオン及びＦｅイオンを含むめっき液
を貯留するめっき槽に、前記めっき液を２０℃以下に冷
却・保持する冷却機構を設けたことを特徴とする電解め
っき装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000283989A JP2002093620A (ja) | 2000-09-19 | 2000-09-19 | 磁性薄膜とその製造方法及びそれを用いた磁気ヘッド並びに電解めっき装置 |
| US09/953,877 US20020056649A1 (en) | 2000-09-19 | 2001-09-18 | Method of fabricating thin magnetic film and electrolytic plating apparatus for fabricating thin magnetic film |
| SG200105940A SG102007A1 (en) | 2000-09-19 | 2001-09-19 | Method of fabricating thin magnetic film and electrolytic plating apparatus for fabricating thin magnetic film |
| KR10-2001-0057960A KR100475756B1 (ko) | 2000-09-19 | 2001-09-19 | 자성 박막의 제조 방법 및 자성 박막을 제조하기 위한 전해 도금 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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| US (1) | US20020056649A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002093620A (ja) |
| KR (1) | KR100475756B1 (ja) |
| SG (1) | SG102007A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010008136A2 (ko) * | 2008-07-14 | 2010-01-21 | (주)노바마그네틱스 | 비파괴 박막센서가 내장된 결함 검출용 멀티프로브 |
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|---|---|---|---|---|
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| KR100838729B1 (ko) * | 2006-11-09 | 2008-06-17 | 주식회사 포스코 | 도금용액 항온장치 |
| JP2009151834A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-09 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| KR20100006969A (ko) * | 2008-07-11 | 2010-01-22 | (주)노바마그네틱스 | 자기유도형 비파괴 센서를 위한 코발트-니켈-철 삼원계합금박막의 조성물 |
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