JP2009059403A - 垂直記録用磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気ディスク装置のデ−タ通信速度の高速化と高記録密度化に伴い、記録周波数の高周波化が進み、垂直記録方式が採用されることにより、記録後消去が問題となる。
【解決手段】垂直記録用磁気ヘッド１０は、副磁極１９と、主磁極１８と、主磁極に接するヨーク１７と、副磁極と主磁極とヨークから構成される磁気回路を周回するコイル２０と、主磁極の両側に非磁性膜を介して設けられた第１軟磁性膜２１と、主磁極のトレーリング側に非磁性膜を介して設けられた第２軟磁性膜２２とを有する。前記第１及び第２軟磁性膜は、膜厚が0.5〜20nｍで、結晶構造が体心立方相からなる磁性めっき薄膜と面心立方相からなる磁性めっき薄膜が交互に４層以上積層された多層膜である。これにより、記録後消去を低減しかつ高記録周波数帯域でも特性が劣化しない磁気ディスク装置を実現することができる。
【選択図】図５

Description

本発明は磁気ディスク装置に搭載される垂直記録用磁気ヘッド及びその製造方法に関する。

コンピュータ等の情報処理装置の外部記録装置として使用される磁気ディスク装置は近年大容量化小型化が要求され続けている。それに伴い磁気ディスク装置では、主に記録密度の向上で対応を行っている。これに伴い、従来の長手記録方式に代わり、高記録密度化を実現しやすい垂直記録方式の開発が急務である。

垂直記録媒体に垂直記録用磁気ヘッドを用いて信号を記録する場合、電気信号はコイルによって磁気的信号に変換され、副磁極及び主磁極に磁束が励起される。この磁束は副磁極から主磁極を通り、垂直記録層を貫通する。そして、垂直記録層の下層の軟磁性下地層を通り副磁極へ戻るという閉回路を描く。この際、副磁極は主磁極から垂直記録層及び軟磁性下地層に生じた磁界を磁気的に効率よく再び主磁極に戻すために用いられる。そして、このような磁束の流れによって垂直記録媒体上に磁化として信号の記録が行われる。

垂直記録では、隣り合う反転領域に効率よく記録するため、これまで以上に磁化遷移幅を小さくする必要がある。特許文献１には主磁極のトラック幅方向側面に軟磁性膜を有する垂直記録用磁気ヘッドが開示されている。特許文献２には主磁極のトレーリング側に軟磁性膜を配置することにより磁界勾配を急峻化した垂直記録用磁気ヘッドが開示されている。また特許文献３には主磁極の周囲を取り囲むように磁気シールド膜を配置した構造が提案されている。主磁極のサイド側は隣接トラックへの磁界漏洩を防止するため、上部側（トレーリング側）は磁界勾配を急峻にするために配置されている。

磁気シールド膜には、主磁極からの漏れ磁界を吸収させるためにパーマロイなどのＦｅＮｉ系材料が用いられている。また、主磁極の浮上面から遠い側の端部に接して配置されたヨークにも、主磁極に磁界を導入するためにパーマロイなどのＦｅＮｉ系材料が用いられている。

特許文献４には、垂直記録用磁気ヘッドではないが、上部シールド兼下部磁気コアの磁区構造を安定化するために、上部シールド兼下部磁気コアをパーマロイ中間膜とその上下のＮｉＦｅＣｏ膜の多層膜で構成することが記載されている。

特開2004-310968号公報 特開2005-18851号公報 特開2007-35082号公報 特開平11-161920号公報

上記従来技術によれば、主磁極の周囲に軟磁性膜を配置することにより、主磁極のサイドから隣接トラックへ漏洩する磁界を吸収し、上部側（トレーリング側）の磁界勾配を急峻にできるため、狭トラック記録を実現することができる。

しかしながら、これらの軟磁性膜は結晶粒が大きい場合、磁区が膜厚方向に向きやすく、前述のような主磁極からの漏れ磁界を吸い込む効果が小さくなる。特に、軟磁性膜が主磁極を取り囲むような形状をしている場合、その影響は顕著となり、狭トラック記録を実現できない。

一方、主磁極に高記録磁界を発生させるには、ヨークに用いる材料は飽和磁束密度が高い方が有効であり、また、高記録周波数に対応するには、膜の透磁率は大きい方がよい。パーマロイは膜の透磁率は3000と高いが、飽和磁束密度は1.0Tと小さい。また、Ni45wt%Fe55wt%膜は、飽和磁束密度は1.6-1.7Tとパーマロイより大きいが、膜の透磁率は1500と小さい。したがって、狭トラック記録を実現するためには飽和磁束密度が高く、かつ透磁率が大きい材料が必要である。

本発明の目的は、かかる困難を鑑みて、狭トラック記録を実現する垂直記録用磁気ヘッドを提供することである。
本発明の他の目的は、狭トラック記録を実現する垂直記録用磁気ヘッドの製造方法を提供することである。

上記目的を達成するために、本発明においては、磁気シールドとしての軟磁性膜の軟磁気特性を保持したまま、結晶粒を小さくすることで、面内方向に磁区を向きやすくし、漏れ磁界の吸い込み効果を大きくするものである。

第１の発明は、副磁極と、主磁極と、主磁極に接するヨークと、副磁極と主磁極とヨークから構成される磁気回路を周回するコイルと、主磁極の両脇に非磁性膜を介して設けられた第１軟磁性膜と、主磁極のトレーリング側に非磁性膜を介して設けられた第２軟磁性膜を有する垂直記録用磁気ヘッドにおいて、前記第１及び第２軟磁性膜は、膜厚0.5〜20nｍなる磁性めっき薄膜を少なくとも４層以上積層した多層膜であり、かつ、その多層膜は膜の結晶構造が体心立方相からなる磁性めっき薄膜と面心立方相からなる磁性めっき薄膜が交互に積層されているものである。

上記垂直記録用磁気ヘッドにおいて前記第１及び第２軟磁性膜は同時に形成され、主磁極の周囲を取り囲むように形成されることが望ましく、透磁率は2500以上である。また、第１及び第２軟磁性膜はNi及びFeを含有し、磁性膜全体の組成は15≦Ni≦60wt％、40≦Fe≦85wt％であり、組成が10≦Ni≦30wt％からなる磁性めっき薄膜と、55≦Ni≦90wt％からなる磁性めっき薄膜が交互に積層されているものである。

第２の発明は、副磁極と、主磁極と、主磁極に接するヨークと、副磁極と主磁極とヨークから構成される磁気回路を周回するコイルを有する垂直記録用磁気ヘッドにおいて、前記主磁極に接するヨークは、膜厚0.5〜20nｍなる磁性めっき薄膜を少なくとも４層以上積層した多層膜であり、かつ、その多層膜は膜の結晶構造が体心立方相からなる磁性めっき薄膜と面心立方相からなる磁性めっき薄膜が交互に積層されており、磁性膜の透磁率は2500以上である。このヨークはNi及びFeを含有し、磁性膜全体の組成は15≦Ni≦60wt％、40≦Fe≦85wt％であり、膜の組成が10≦Ni≦30wt％からなる磁性めっき薄膜と、55≦Ni≦90wt％からなる磁性めっき薄膜が交互に積層されているものであり、飽和磁束密度は1.5T以上である。

第３の発明は、前記第１及び第２の軟磁性膜とヨークに前記した多層膜を用いた垂直記録用磁気ヘッドである。

第４の発明は、上記記載の垂直記録用磁気ヘッドの製造方法であって、前記第１及び第２の軟磁性膜とヨークに用いる磁性めっき薄膜を、ｐH2.0以下のめっき浴を使用し、かつ同一めっき槽において多層めっきをすることで作製するものである。

本発明によれば、主磁極周辺の軟磁性膜の結晶粒を小さくすることで、面内方向に磁区を向きやすくし、漏れ磁界の吸い込み効果を大きくすることができ、狭トラック記録を実現することができる。また、ヨークの飽和磁束密度が高く、透磁率が大きいので、高周波特性が良好で、オーバーライト特性の低下がなく、高密度記録を実現することができる。

図１を参照して本発明に係る垂直記録用磁気ヘッドの構成例を説明する。図１（ａ）は垂直記録用磁気ヘッドの層構成を示す断面図であり、図１（ｂ）は浮上面側から見た模式図である。垂直記録用磁気ヘッド１０は、非磁性基板（図示せず）上に下部磁気シールド膜１６、上部磁気シールド膜１４を有し、下部磁気シールド膜１６と上部磁気シールド膜１４の間に磁気ギャップ膜１３を介してＭＲ(Magnetoresistive)、ＧＭＲ(Giant Magnetoresistive)またはＴＭＲ(Tunneling Magnetoresistive)センサからなる再生素子１５が配置されている。再生素子１５の両脇には図示しない磁区制御膜が設けられ、図示しない電極膜が設けられる。上部磁気シールド１４と再生素子１５と下部磁気シールド１６とで再生ヘッドが構成されている。

上部磁気シールド１４の上部に絶縁分離膜２５を介して記録ヘッドが積層される。記録ヘッドは、副磁極１９と、アルミナ等の絶縁分離膜２５を介して形成された後部磁性膜２３と、台座磁極２４と、コイル２０とを有し、さらに後部磁性膜２３と磁気的に接続されたヨーク１７と、ヨーク１７の浮上面側の端部に接して設けられた主磁極１８と、主磁極１８の両側に非磁性膜を介して設けられた第１軟磁性膜（サイドシールド）２１と、主磁極１８のトレーリング側に非磁性膜を介して設けられた第２軟磁性膜（トレーリングシールド）２２と、コイル２０と、磁性膜２６とを有する。

本発明の特徴は、上記垂直記録用磁気ヘッド１０において、第１軟磁性膜２１と第２軟磁性膜２２を結晶構造の異なる多層膜で構成することにより、軟磁気特性を保持したまま、結晶粒を小さくすることであり、また、ヨーク１７を結晶構造の異なる多層膜で構成することにより、高飽和磁束密度と高透磁率特性を持たせることである。まず、多層膜の製膜条件、製膜方法及び磁気特性について説明する。多層膜を製膜するための基板には、５インチ径セラミック基板またはガラス基板、Ｓｉ基板を使用した。いずれの基板もめっき導通下地膜としてスパッタリング法により積層膜Au/Cr=20/5nmを形成した。図２にめっき条件及び浴組成を示す。めっき浴温は30±1°Ｃ、浴組成はFe²⁺5〜15(g/l)，Ni²⁺5〜25(g/l)，サッカリンナトリウム(Sodium Saccharin)1.5±1.0(g/l)，ほう酸(H₃BO₃)25±5(g/l)，塩化ナトリウム(NaCl)25±5(g/l)である。貯槽でN₂攪拌パ−ジ有りを使用した。ここで、めっき浴中におけるFeイオン濃度とNiイオン濃度は、その比がNiイオン/Feイオン≧1.5であることが望ましい。また、めっき液のｐHは2.0以下とする。これは、図３に示すように、pＨが高い浴では、電流値に対するめっき膜中のFe組成の変化の割合が小さいため、結晶構造の異なる膜を同一めっき槽で作製することができないが、pＨ2.0以下とすることにより、電流値を変化させることで同一めっき槽で、結晶構造の異なる膜が作製可能となるからである。めっき電源は定電流電源を使用した。まためっき中の印加磁場は1kOeである。膜厚・膜組成測定は蛍光X線分析装置を使用、磁気特性Hc,Hk,Bs測定は薄膜用B-Hトレ−サを使用した。

図２に記載のめっき浴を使用し、電流を低電流、高電流と交互に変化させ、めっき開始から終了まで、同一のめっき槽でめっきを行い、膜厚が0.5〜20nｍの、Feが比較的多く含まれる結晶構造が体心立方相(bcc)の磁性めっき薄膜と、体心立方相(bcc)の磁性めっき薄膜の結晶成長を断ち切るためのNiが比較的多く含まれる結晶構造が面心立方相(fcc)の磁性めっき薄膜とを、交互に５０層形成した。この多層膜が第1及び第２の軟磁性膜の場合は、bcc薄膜の組成は10≦Ni≦30ｗｔ％であり、fcc薄膜の組成は55≦Ni≦90ｗｔ％であり、多層膜全体の組成はNi46Fe54wt％である。この膜厚及び組成範囲にすることにより、飽和磁束密度を1.5T以上、透磁率を2500以上を達成できる。

このめっき多層膜のB-Hカーブを図４の(a)に示す。この膜の磁気特性は、困難磁区方向の保磁力Hchが0.4Oe、容易磁区方向の保磁力Hceが2.4Oe、異方性磁界Hkが6.0Oe、磁歪λが45E-7、飽和磁束密度が1.74Tであり、(b)のNi45Fe55wt％単層膜の磁気特性とほぼ同等である。ここで、めっき電流値、めっき時間を制御することにより、膜全体の組成が15≦Ni≦60ｗｔ％、40≦Fe≦85ｗｔ％なる磁性膜の作製が可能である。このようにして作製しためっき膜の断面TEM写真を図５に示す。これは、膜の断面TEMにて、Feマッピングを行ったものである。図中、白く見える層はFe rich層、黒く見える層はNi rich層となる。この結果から、各めっき薄膜の膜厚はほぼ目標どおりに制御できていることが確認できた。

図６にこのようにして作製した積層膜を第１の軟磁性膜２１及び第２の軟磁性膜２２に適用した実施例１による垂直記録用磁気ヘッド１０の主磁極周辺の断面写真を示す。従来の単層膜では平均結晶粒径が４５nmであるのに対し、実施例１による第１及び第２の軟磁性膜は平均結晶粒径は１８ｎｍと微細であることがわかる。また、この垂直記録用磁気ヘッド１０の浮上面のMFM写真を図７に示す。図中符号５０の部分は磁界強度が大きいことを示している。これより、従来ヘッドでは、主磁極の形状より広い部分で強い磁界強度分布を示す。すなわち、漏れ磁界が大きい。このようなヘッドでは、記録後消去などが起きやすい。一方、実施例１のヘッドでは、ほぼ主磁極に対応した磁界分布が得られており、第１及び第２の軟磁性膜に積層膜を用いることで、面内方向に磁区を向きやすくし、漏れ磁界の吸い込み効果を大きくできていることがわかる。なお、上記実施例１の垂直記録用磁気ヘッド１０は、従来のヘッドと比較して、高周波特性が良好であり、オーバーライト特性の低下もないことを確認した。

次に、ヨーク１７に多層膜を適用した実施例２による垂直記録用磁気ヘッド１０について説明する。全体構成は実施例１と同様に、図１に示す構成と同じである。ヨーク１７に適用する多層膜を、図２に記載のめっき浴を使用し、電流を低電流、高電流と交互に変化させ、めっき開始から終了まで、同一のめっき槽でめっきを行い、膜厚が0.5〜20nｍの、Feが比較的多く含まれる結晶構造が体心立方相(bcc)の磁性めっき薄膜と、体心立方相(bcc)の磁性めっき薄膜の結晶成長を断ち切るためのNiが比較的多く含まれる結晶構造が面心立方相(fcc)の磁性めっき薄膜とを、交互に５０層形成した。この多層膜のbcc薄膜の組成は10≦Ni≦30ｗｔ％であり、fcc薄膜の組成は55≦Ni≦75ｗｔ％であり、多層膜全体の組成はNi46Fe54wt％である。

この多層膜は、膜の結晶構造が体心立方相からなる磁性めっき薄膜と面心立方相からなる磁性めっき薄膜を交互に積層することにより、多層膜の透磁率は2500以上を達成できる。また、Ni及びFeを含有し、多層膜全体の組成を15≦Ｎｉ≦60ｗｔ％、40≦Ｆｅ≦90ｗｔ％とすることにより、飽和磁束密度1.5Tを達成できる。

図８に、単層膜と実施例２による垂直記録用磁気ヘッド１０のヨーク１７の透磁率μの周波数依存性を調べた結果を示す。どちらの膜も、膜全体の組成はNi46Fe54wt％とした。実施例２による多層膜は単層膜と比べ、透磁率μの値が大きくなっており、さらに高周波側まで透磁率μの低下が少なく、高周波特性が改善できることがわかった。この膜の透磁率は3000以上であり、単層膜の透磁率1500と比較して約２倍の値を示している。

このように、実施例２による垂直記録用磁気ヘッドは、飽和磁束密度が高く、透磁率が大きいため、高周波特性が良好であり、オーバーライト特性も低下しないので、高密度記録を実現することができる。

次に、第１軟磁性膜２１、第２軟磁性膜２２、ヨーク１７に上記した多層膜をそれぞれ採用した実施例３による垂直記録用磁気ヘッド１０のエラーレートの測定結果を図９に示す。中央のトラックに１万回記録した後に、隣接トラックのエラーレートを測定した。この場合、エラーレートとは正常動作回数を表す。図９は初期のエラーレートを１として規格化したものである。したがって、誤動作が少なければ、１に近い値を推移する。１万回記録後の従来ヘッドではエラーレートが下がっている。これは１万回記録の際に主磁極から漏れた磁界で隣接トラックの情報が消され、誤動作し易くなったことを意味する。一方、実施例３ではこの現象が見られない。すなわち、記録後消去が起きにくくなっていることがわかる。なお、実施例３の垂直記録用磁気ヘッドは、実施例１の効果と実施例２の効果を奏することは勿論である。

次に、図１を参照して実施例１、２、３の垂直記録磁気ヘッドの製造方法について説明する。非磁性基板（図示せず）上にめっきにて下部シールド膜１６を形成し、この上にスパッタリングにて磁気ギャップ膜１３と、MRセンサ、GMRセンサまたはTMRセンサからなる再生素子１５を形成する。続いて、スパッタリングにて図示しない磁区制御膜、電極膜を形成し、めっきにて上部磁気シールド膜１４を形成する。続いて、スパッタリングにてアルミナ等からなる絶縁分離膜２５を形成し、その上にめっきにて副磁極１９を形成する。さらに、めっきにて後部磁性膜２３、台座磁極２４、コイル２０を形成する。続いて、めっきにてヨーク１７を形成し、ヨーク１７の先端に主磁極１８（FeCoNi、飽和磁束密度＞2.4T）を形成する。次に、主磁極１８を取り囲むようにスパッタリングにて非磁性膜を形成し、続いて主磁極１８の両側にめっきにて第１の軟磁性膜２１を形成し、さらに主磁極１８上部に第２の軟磁性膜２２を形成する。続いて、めっきにてコイル２０、磁性膜２６を形成し、垂直記録用磁気ヘッド１０とする。ここで、第１軟磁性膜２１、第２軟磁性膜２２、ヨーク１７は、実施例１及び２で説明したように、図１記載のめっき浴を使用し、電流を低電流、高電流と交互に変化させ、めっき開始から終了まで、同一のめっき槽でめっきにて形成する。なお、上記の製法においては、第１軟磁性膜２１と第２軟磁性膜２２を別々に形成したが、同時に形成することも可能である。また、主磁極１８をめっきにて形成したが、スパッタリングで形成しても良い。

次に、図１０を参照して上記各実施例による垂直記録磁気ヘッド１０を搭載した磁気ディスク装置について説明する。この磁気ディスク装置１００は、情報を記録する磁気ディスク１０５と、磁気ディスク１０５を回転させるモ−タ１０６と、磁気ディスク１０５に情報を記録又は再生する垂直記録磁気ヘッド１０と、垂直記録磁気ヘッド１０を支持するサスペンション１１０と、垂直記録磁気ヘッド１０を磁気ディスク１０５の目標トラックに位置決めするアクチュエ−タ１０８と、アクチュエ−タ１０８を駆動するボイスコイルモ−タ１０９と、図示はしないが磁気ディスク回転制御系、ヘッド位置決め制御系、記録/再生信号処理系とを備える。垂直記録磁気ヘッド１０は、サスペンション１１０により磁気ディスク１０５上をサブミクロンオーダーのスペ−スで安定に浮上し、記録又は再生を行う。この磁気ディスク装置によれば、記録後消去を低減し、高記録周波数f〜2000MHzにおいても記録特性の劣化を防止することができる。

本発明に係る垂直記録用磁気ヘッドの断面図と正面図である。 積層膜のめっき条件及び浴組成を示す図である。 FeNiめっき薄膜における、膜中のFe濃度とめっき電流値の関係を示す図である。 実施例１の垂直記録用磁気ヘッドにおけるFeNiめっき多層膜のB-Hカーブを示す図である。 実施例１の垂直記録用磁気ヘッドにおけるFeNiめっき積層膜の断面TEM写真を示す図である。 実施例１による垂直記録用磁気ヘッドの断面写真を示す図である。 実施例１の垂直記録用磁気ヘッドにおける磁界強度分布を示す図である。 実施例１及び２の垂直記録用磁気ヘッドにおけるFeNiめっき積層膜の透磁率と周波数の関係を示す図である。 実施例３の垂直記録用磁気ヘッドのエラーレートを示す図である。 本発明に係る垂直記録用磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の構成図である。

符号の説明

１０…垂直記録用磁気ヘッド、１３…磁気ギャップ、１４…上部磁気シ−ルド膜、
１５…再生素子、１６…下部磁気シ−ルド膜、１７…ヨーク、１８…主磁極、
１９…副磁極、２０…コイル、２１…第１軟磁性膜、２２…第２軟磁性膜、
２３…後部磁性膜、２４…台座磁極、２５…絶縁分離膜、２６…磁性膜、５０…磁界強度分布。

Claims (18)

1. 副磁極と、主磁極と、前記主磁極に接するヨークと、前記副磁極と主磁極とヨークから構成される磁気回路を周回するコイルと、前記主磁極の両側に非磁性膜を介して設けられた第１軟磁性膜と、前記主磁極のトレーリング側に非磁性膜を介して設けられた第２軟磁性膜と、を有する垂直記録用磁気ヘッドにおいて、前記第１及び第２軟磁性膜は、膜厚が0.5〜20nｍの結晶構造が体心立方相からなる磁性めっき薄膜と、膜厚が0.5〜20nｍの結晶構造が面心立方相からなる磁性めっき薄膜が、交互に４層以上積層された多層膜であることを特徴とする垂直記録用磁気ヘッド。
2. 請求項１記載の垂直記録用磁気ヘッドにおいて、前記第１及び第２軟磁性膜を構成する磁性めっき薄膜はＮｉ及びFeを含有し、その多層膜全体のＮｉおよびＦｅの組成比は15≦Ｎｉ≦60ｗｔ％、40≦Ｆｅ≦85ｗｔ％であることを特徴とする垂直記録用磁気ヘッド。
3. 請求項２記載の垂直記録用磁気ヘッドにおいて、前記結晶構造が体心立方相からなる磁性めっき薄膜のＮｉ含有率は10≦Ｎｉ≦30ｗｔ％であり、前記結晶構造が面心立方相からなる磁性めっき薄膜のＮｉ含有率は55≦Ｎｉ≦90ｗｔ％であることを特徴とする垂直記録用磁気ヘッド。
4. 請求項１記載の垂直記録用磁気ヘッドにおいて、前記ヨークは、膜厚が0.5〜20nｍで、結晶構造が体心立方相からなる磁性めっき薄膜と面心立方相からなる磁性めっき薄膜が交互に４層以上積層された多層膜であることを特徴とする垂直記録用磁気ヘッド。
5. 請求項４記載の垂直記録用磁気ヘッドにおいて、前記ヨークを構成する磁性めっき薄膜はＮｉ及びFeを含有し、その多層膜全体の組成比は15≦Ｎｉ≦60ｗｔ％、40≦Ｆｅ≦85ｗｔ％であることを特徴とする垂直記録用磁気ヘッド。
6. 請求項５記載の垂直記録用磁気ヘッドにおいて、前記結晶構造が体心立方相からなる磁性めっき薄膜のＮｉ含有率は10≦Ｎｉ≦30ｗｔ％であり、前記結晶構造が面心立方相からなる磁性めっき薄膜のＮｉ含有率は55≦Ｎｉ≦90ｗｔ％であることを特徴とする垂直記録用磁気ヘッド。
7. 請求項１記載の垂直記録用磁気ヘッドにおいて、さらに下部磁気シールド膜と、上部磁気シールド膜と、下部磁気シールド膜と上部磁気シールド膜の間に配置された再生用素子とを有する再生ヘッドを有することを特徴とする垂直記録用磁気ヘッド。
8. 副磁極と、主磁極と、前記主磁極に接するヨークと、前記副磁極と主磁極とヨークから構成される磁気回路を周回するコイルとを有する垂直記録用磁気ヘッドにおいて、前記ヨークは、膜厚が0.5〜20nｍの結晶構造が体心立方相からなる磁性めっき薄膜と、膜厚が0.5〜20nｍの結晶構造が面心立方相からなる磁性めっき薄膜が、交互に４層以上積層された多層膜であることを特徴とする垂直記録用磁気ヘッド。
9. 請求項８記載の垂直記録用磁気ヘッドにおいて、前記ヨークを構成する磁性めっき薄膜はＮｉ及びFeを含有し、その多層膜全体の組成比は15≦Ｎｉ≦60ｗｔ％、40≦Ｆｅ≦85ｗｔ％であることを特徴とする垂直記録用磁気ヘッド。
10. 請求項９記載の垂直記録用磁気ヘッドにおいて、前記結晶構造が体心立方相からなる磁性めっき薄膜のＮｉ含有率は10≦Ｎｉ≦30ｗｔ％であり、前記結晶構造が面心立方相からなる磁性めっき薄膜のＮｉ含有率は55≦Ｎｉ≦90ｗｔ％であることを特徴とする垂直記録用磁気ヘッド。
11. 請求項８記載の垂直記録用磁気ヘッドにおいて、さらに下部磁気シールド膜と、上部磁気シールド膜と、下部磁気シールド膜と上部磁気シールド膜の間に配置された再生用素子とを有する再生ヘッドを有することを特徴とする垂直記録用磁気ヘッド。
12. 副磁極を形成するステップと、
    前記副磁極の上部にコイルを形成するステップと、
    前記コイルの上部に、浮上面と反対側において前記副磁極と磁気的に接続されたヨークを形成するステップと、
    浮上面側において前記ヨークと磁気的に接続された主磁極を形成するステップと、
    前記主磁極の両側に非磁性膜を介して第１軟磁性膜を形成するステップと、
    前記主磁極のトレーリング側に非磁性膜を介して第２軟磁性膜を形成するステップとを含む垂直記録用磁気ヘッドの製造方法であって、
    前記第１及び第２軟磁性膜を形成するステップは、膜厚が0.5〜20nｍの結晶構造が体心立方相からなる磁性めっき薄膜と、膜厚が0.5〜20nｍの結晶構造が面心立方相からなる磁性めっき薄膜を、交互に４層以上積層するステップを含むことを特徴とする垂直記録用磁気ヘッドの製造方法。
13. 請求項１２記載の垂直記録用磁気ヘッドの製造方法において、前記第１及び第２軟磁性膜を構成する磁性めっき薄膜はＮｉ及びFeを含有し、その積層膜全体のＮｉおよびＦｅの組成比は15≦Ｎｉ≦60ｗｔ％、40≦Ｆｅ≦85ｗｔ％であることを特徴とする垂直記録用磁気ヘッドの製造方法。
14. 請求項１３記載の垂直記録用磁気ヘッドの製造方法において、前記結晶構造が体心立方相からなる磁性めっき薄膜のＮｉ含有率は10≦Ｎｉ≦30ｗｔ％であり、前記結晶構造が面心立方相からなる磁性めっき薄膜のＮｉ含有率は55≦Ｎｉ≦90ｗｔ％であることを特徴とする垂直記録用磁気ヘッドの製造方法。
15. 請求項１２記載の垂直記録用磁気ヘッドの製造方法において、前記ヨークを形成するステップは、膜厚が0.5〜20nｍの結晶構造が体心立方相からなる磁性めっき薄膜と、膜厚が0.5〜20nｍの結晶構造が面心立方相からなる磁性めっき薄膜を、交互に４層以上積層するステップを含むことを特徴とする垂直記録用磁気ヘッドの製造方法。
16. 請求項１５記載の垂直記録用磁気ヘッドの製造方法において、前記ヨークを構成する磁性めっき薄膜はＮｉ及びFeを含有し、その積層膜全体の組成比は15≦Ｎｉ≦60ｗｔ％、40≦Ｆｅ≦85ｗｔ％であることを特徴とする垂直記録用磁気ヘッドの製造方法。
17. 請求項１６記載の垂直記録用磁気ヘッドの製造方法において、前記結晶構造が体心立方相からなる磁性めっき薄膜のＮｉ含有率は10≦Ｎｉ≦30ｗｔ％であり、前記結晶構造が面心立方相からなる磁性めっき薄膜のＮｉ含有率は55≦Ｎｉ≦90ｗｔ％であることを特徴とする垂直記録用磁気ヘッドの製造方法。
18. 請求項１２記載の垂直記録用磁気ヘッドの製造方法において、前記副磁極を形成するステップの前に、再生ヘッドを形成するステップを含むことを特徴とする垂直記録用磁気ヘッドの製造方法。

Images