JP2009054219A - 垂直磁気記録ヘッド - Google Patents
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Abstract
【課題】従来、記録後消去を抑制するために主磁極としてFeCo強磁性層と非磁性層を積層した多層膜を用い、強磁性層を反強磁性的に結合させて残留磁化を低減して角型比Sを小さくしている。しかしながら角型比Sを小さくするために非磁性層を増やすと飽和磁場Hsが増加し、垂直磁気記録ヘッドの電流応答特性が低下する。また角型比Sを小さくするためにFeCo強磁性層の膜厚を減少させるとオーバーライト特性の劣化につながる。
【解決手段】垂直磁気記録ヘッド1の主磁極2は、FeCo強磁性層22中にNiFe軟磁性層24が挿入されている。NiFe軟磁性層24を非磁性層26から1〜7nm離れた位置に挿入することにより、非磁性層26の層数やFeCo強磁性層22の膜厚を変更せずに残留磁化Mrを低減することができ、角型比Sを大幅に小さくすることができる。これにより、記録後消去を抑制することができる。
【選択図】図1
【解決手段】垂直磁気記録ヘッド1の主磁極2は、FeCo強磁性層22中にNiFe軟磁性層24が挿入されている。NiFe軟磁性層24を非磁性層26から1〜7nm離れた位置に挿入することにより、非磁性層26の層数やFeCo強磁性層22の膜厚を変更せずに残留磁化Mrを低減することができ、角型比Sを大幅に小さくすることができる。これにより、記録後消去を抑制することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は垂直磁気記録磁気ヘッドに係り、特に、主磁極の構成に関する。
磁気ディスク装置(HDD)にはその記録情報容量の増加と変換速度の向上、誤謬率の低下が要求され、磁気記録密度は年々向上する状況となっている。このため、従来より用いられている面内記録方式媒体に代えて、記録膜の磁化方向が媒体面に対して垂直となる、所謂、垂直記録方式が幅広く研究され、実用化も始まっている。垂直記録方式では高線記録密度になるほど媒体の反磁界が減少し磁化が安定化することから、高記録密度化に適した方式である。しかしながら垂直記録方式では記録後消去という問題が知られている。これは記録動作を行った後の記録ヘッドが媒体上の記録信号を劣化させる現象である。この原因は、主磁極が残留磁化を有し、媒体上の記録情報を撹乱するためと考えられている。特許文献1には、記録後消去を抑えるために、主磁極として強磁性層を反強磁性的に結合させた積層膜を用いることが提案されている。
図8に、特許文献1に記載されている主磁極構造の模式図を示す。主磁極は、下地層50上に、強磁性層52、反平行結合層54、強磁性層52からなる軟磁性積層膜が非平行結合層56を介して繰り返し積層された多層膜で構成されており、反平行結合層54を介して隣接する強磁性層52は、互いの磁化が反平行になるように、反強磁性結合している。
従来は記録後消去を抑制するために、主磁極としてFeCo強磁性層と非磁性層を積層した膜を用い、強磁性層を反強磁性的に結合させて主磁極の残留磁化Mrを低減し、角型比Sを小さくしている。
しかしながら、残留磁化Mrを低減して角型比Sを小さくするために非磁性層の層数を増やすと、飽和磁場Hsが増加し、ヘッドの電流応答特性低下につながる。また残留磁化Mrを低減して角型比Sを小さくするためにFeCo強磁性層の膜厚を減少させると、記録磁界が不足しオーバーライト特性の劣化につながる。したがって、非磁性層の層数やFeCo強磁性層の膜厚を変更せずに、主磁極の残留磁化Mrを低減して角型比Sを小さくすることが重要である。
本発明の目的は、主磁極の残留磁化Mrを低減して角型比Sを小さくし、記録後消去を抑えた高密度記録に適した垂直磁気記録ヘッドを提供することである。
しかしながら、残留磁化Mrを低減して角型比Sを小さくするために非磁性層の層数を増やすと、飽和磁場Hsが増加し、ヘッドの電流応答特性低下につながる。また残留磁化Mrを低減して角型比Sを小さくするためにFeCo強磁性層の膜厚を減少させると、記録磁界が不足しオーバーライト特性の劣化につながる。したがって、非磁性層の層数やFeCo強磁性層の膜厚を変更せずに、主磁極の残留磁化Mrを低減して角型比Sを小さくすることが重要である。
本発明の目的は、主磁極の残留磁化Mrを低減して角型比Sを小さくし、記録後消去を抑えた高密度記録に適した垂直磁気記録ヘッドを提供することである。
上記目的を達成するために、本発明の垂直磁気記録ヘッドにおいては、主磁極と、浮上面と反対側において主磁極と磁気的に結合された補助磁極と、主磁極と補助磁極に磁束を発生させるコイルとを有する記録ヘッドを備え、主磁極は、Cr、Ru、Rh、Irの中から選択される一つあるいは複数の元素を含む非磁性層と、非磁性層の上下に位置するFeCo強磁性層と、FeCo強磁性層の膜厚方向の中央部よりも非磁性層側に挿入されたNiFe軟磁性層とを有する多層膜である。
前記NiFe軟磁性層の上下のFeCo強磁性層は強磁性結合し、非磁性層の上下のFeCo強磁性層は反強磁性結合している。
前記NiFe軟磁性層は、非磁性層から1〜7nm離れたFeCo強磁性層中に挿入されることが望ましい。
前記多層膜がNiCr中間非磁性層を介して複数積層されていても良い。
前記垂直磁気記録ヘッドは、さらに上部磁気シールドと、下部磁気シールドと、上部磁気シールドと下部磁気シールドの間に設けられた磁気抵抗効果センサを有する再生ヘッドを備える。
前記NiFe軟磁性層の上下のFeCo強磁性層は強磁性結合し、非磁性層の上下のFeCo強磁性層は反強磁性結合している。
前記NiFe軟磁性層は、非磁性層から1〜7nm離れたFeCo強磁性層中に挿入されることが望ましい。
前記多層膜がNiCr中間非磁性層を介して複数積層されていても良い。
前記垂直磁気記録ヘッドは、さらに上部磁気シールドと、下部磁気シールドと、上部磁気シールドと下部磁気シールドの間に設けられた磁気抵抗効果センサを有する再生ヘッドを備える。
本発明によれば、非磁性層の層数やFeCo強磁性層の膜厚を変更せずに、主磁極の残留磁化Mrを低減して角型比Sを小さくすることができる。これにより、記録後消去を抑えることができ、高密度記録に適した垂直磁気記録ヘッドを得ることができる。
まず図6、図7を参照して本発明に関わる垂直磁気記録ヘッドの全体構成を説明する。図6は断面図、図7は浮上面(ABS)側から見た斜視図である。垂直磁気記録ヘッド1は、書き込み主磁極(主磁極)2と、主磁極2の後部に磁気的に接続されたスティッチドポール(磁気ヨーク部)4と、浮上面と反対側において磁気ヨーク部4に磁気的に接続されたリターンポール(補助磁極)6と、磁気ヨーク部4と補助磁極6とで形成される磁気回路と鎖交するように設けられたコイル8とを備えた記録ヘッドと、記録ヘッドに隣接して設けられた再生ヘッドとを有する。再生ヘッドは上部磁気シールド12と、下部磁気シールド14と、上部磁気シールド12と下部磁気シールド14の間に設けられた巨大磁気抵抗(GMR)又はトンネル磁気抵抗(TMR)センサ10とを備えている。記録ヘッドのコイル8に電流を流すことにより、磁気ヨーク部4と補助磁極6とで形成される磁気回路に磁束を発生させ、主磁極2に誘導し垂直磁気記録媒体100に向けて磁束を漏洩させる。主磁極2から出た磁束は垂直磁気記録媒体100の軟磁性裏打ち層104を通過して補助磁極6に戻り、主磁極2の直下の垂直記録層102に磁化情報を記録する。
次に、図1を参照して、実施例による垂直磁気記録ヘッドの主磁極2の膜構成を説明する。図1は主磁極2を浮上面側からみた図である。NiCr合金などの非磁性材料からなる下地層20の上に、FeCoなどの強磁性材料からなる強磁性層22が形成される。FeCo強磁性層22の上にはNiFe軟磁性層24が形成され、その上にFeCoなどの強磁性材料からなるFeCo強磁性層22′が形成される。FeCo強磁性層22′の上にはCr、Ru、Rh、Irなどの非磁性層26が形成され、その上にFeCo強磁性層22′、NiFe軟磁性層24、FeCo強磁性層22が形成され、その上にNiCr合金などの中間非磁性層28が形成される。その後再びFeCo強磁性層22、NiFe軟磁性層24、FeCo強磁性層22′が形成され、FeCo強磁性層22′の上にはCr、Ru、Rh、Irなどの非磁性層26が形成され、その上にFeCo強磁性層22′、NiFe軟磁性層24、FeCo強磁性層22が形成され、その上にNiCr合金などの非磁性保護層29が形成される。
上記膜構成の特徴は、非磁性層26の上下に位置するFeCo強磁性層22に、NiFe軟磁性層24が挿入されていることであり、その位置は、FeCo強磁性層22の膜厚方向の中央部よりも非磁性層26側である。ここで、NiFe軟磁性層24と非磁性層26の間のFeCo強磁性層22′を非磁性層隣接FeCo層と呼ぶことにする。FeCo強磁性層22と非磁性層隣接FeCo層22′はNiFe軟磁性層24を介して強磁性結合しており、非磁性層26の上下の非磁性層隣接FeCo層22′は、非磁性層26を介して反強磁性結合している。符号30は磁性層それぞれの磁化方向を示している。
次に、上記実施例による主磁極2を作製し、膜特性の評価を行った。図2に作製した主磁極膜の組成及び膜厚を示す。FeCo層の総膜厚は200nmとした。非磁性層隣接FeCo層の膜厚をx(nm)とし、NiFe層の位置をシフトさせることによって非磁性層隣接FeCo層の膜厚を変化させ、そのときの角型比Sを調べた結果を図3に示す。図3より非磁性層隣接FeCo層を薄くすると角型比Sは減少し、特に非磁性層隣接FeCo層の膜厚が1〜7nmのとき、すなわちNiFe軟磁性層24を非磁性層26から1〜7nm離れた位置に挿入することにより、角型比Sは0.02以下となり、従来構造のS=0.36に比べて、極めて小さな角型比Sが得られた。図4に角型比Sを求めた磁化曲線を示す。この磁化曲線において、磁化が飽和するときの磁化が飽和磁化Ms、磁場0での磁化が残留磁化Mrである。また、磁化が飽和磁化Msの95%に達するときの磁場を飽和磁場Hsとした。角型比Sは、Mr/Msから求めることができる。
次に、FeCo強磁性層22にNiFe軟磁性層24を挿入し、非磁性層隣接FeCo層22′を薄膜化することにより角型比Sが大きく減少する原因について説明する。反強磁性結合の交換結合エネルギーをJAFとすると、JAFは次の式で表すことができる。
JAF=Bs・t・Hs(Bs:飽和磁束密度、t:磁性層膜厚、Hs:飽和磁場)
JAF及びBsは一定と仮定すると、tとHsは反比例の関係にあり、磁性層膜厚が薄いほど、飽和磁場Hsは大きくなり、反強磁性的な結合が強くなって角型比Sが減少する。ここで、非磁性層隣接FeCo層22′の薄膜化による角型比Sの減少を説明するために図5のようなモデルを考える。このモデルでは、非磁性層隣接FeCo層(Cr隣接FeCo層)の磁化をAdjacent Magnetization、非磁性層(Cr層)に隣接していないFeCo強磁性層(FeCo層)の磁化をNonadjacent Magnetizationと定義する。Adjacent Magnetization間にはCr層を介して反強磁性結合JAFが働く。また、Adjacent MagnetizationとNonadjacent Magnetizationの間にはNiFe中間層を介して強磁性結合JFが働く。Adjacent Magnetization層とNonadjacent Magnetization層はNiFe中間層によって隔てられており、NiFe中間層はFeCo層に比べて飽和磁束密度が小さく、結晶構造も異なることから、Adjacent MagnetizationとNonadjacent Magnetizationの間の強磁性結合JFは弱く、Adjacent Magnetizationは磁気的にほぼ独立になると考えられる。このため、反強磁性結合JAFはAdjacent Magnetization層(Cr隣接FeCo層)の膜厚によって決定され、Cr隣接FeCo層が薄いほどCr隣接FeCo層間の反強磁性的な結合が強くなる。すなわちCr隣接FeCo層が薄いほど磁性層の実効膜厚は減少し、その結果、角型比Sは減少するものと考えられる。
JAF=Bs・t・Hs(Bs:飽和磁束密度、t:磁性層膜厚、Hs:飽和磁場)
JAF及びBsは一定と仮定すると、tとHsは反比例の関係にあり、磁性層膜厚が薄いほど、飽和磁場Hsは大きくなり、反強磁性的な結合が強くなって角型比Sが減少する。ここで、非磁性層隣接FeCo層22′の薄膜化による角型比Sの減少を説明するために図5のようなモデルを考える。このモデルでは、非磁性層隣接FeCo層(Cr隣接FeCo層)の磁化をAdjacent Magnetization、非磁性層(Cr層)に隣接していないFeCo強磁性層(FeCo層)の磁化をNonadjacent Magnetizationと定義する。Adjacent Magnetization間にはCr層を介して反強磁性結合JAFが働く。また、Adjacent MagnetizationとNonadjacent Magnetizationの間にはNiFe中間層を介して強磁性結合JFが働く。Adjacent Magnetization層とNonadjacent Magnetization層はNiFe中間層によって隔てられており、NiFe中間層はFeCo層に比べて飽和磁束密度が小さく、結晶構造も異なることから、Adjacent MagnetizationとNonadjacent Magnetizationの間の強磁性結合JFは弱く、Adjacent Magnetizationは磁気的にほぼ独立になると考えられる。このため、反強磁性結合JAFはAdjacent Magnetization層(Cr隣接FeCo層)の膜厚によって決定され、Cr隣接FeCo層が薄いほどCr隣接FeCo層間の反強磁性的な結合が強くなる。すなわちCr隣接FeCo層が薄いほど磁性層の実効膜厚は減少し、その結果、角型比Sは減少するものと考えられる。
さらに角型比Sが減少する理由を説明する。FeCo層は膜厚が大きくなるにつれて結晶粒が成長し、界面のラフネスが増加する。したがって、Cr隣接FeCo層が厚い場合は、Cr隣接FeCo層の結晶粒が大きく界面のラフネスは大きくなる。この場合、界面に発生する磁荷は大きくなり、Cr隣接FeCo層を強磁性的に結合させる静磁結合は大きくなる。このため角型比Sが大きくなると考えられる。FeCo層にNiFe中間層が挿入された場合、FeCoの結晶粒成長がリセットされ、平坦なNiFe中間層表面からFeCoの結晶粒成長が始まると考えられる。したがって、Cr隣接FeCo層が薄い場合はFeCoの結晶粒はあまり成長しておらず、結晶粒が小さくなり界面のラフネスは小さくなる。この場合、界面に発生する磁荷は小さくなり、Cr隣接FeCo層を強磁性的に結合させる静磁結合は小さくなる。このため角型比Sが小さくなるものと考えられる。
以上説明したとおり、本発明の実施例によれば、飽和磁場Hsはわずかに増加するが、ヘッドの電流応答特性の低下を招かずに、オーバーライト特性を劣化させることなく、従来構造に比べて角型比Sが格段に小さい(残留磁化Mrの小さい)主磁極構造を提供することができる。これにより、記録後消去を抑えた高密度記録に適した垂直磁気記録ヘッドを得ることができる。
なお、上記実施例では、主磁極2は、Cr,Ru,Rh,Irの中から選択される一つあるいは複数の元素を含む非磁性層26と、非磁性層26の上下に設けられたFeCo強磁性層22と、FeCo強磁性層22の膜厚方向の中央部よりも非磁性層26側に挿入されたNiFe軟磁性層24とを有する多層膜を、NiCr中間非磁性層28を介して積層した構成であるが、多層膜は一層でも良く、この場合でも上記実施例と同様の効果を得ることができる。すなわち、NiFe軟磁性層24がFeCo強磁性層22の膜厚方向の中央部よりも非磁性層26側に挿入されることにより、上記効果は発現する。
1…垂直磁気記録ヘッド、
2…主磁極、
4…スティッチドポール、
6…リターンポール、
8…コイル、
10…センサ、
12…上部磁気シールド、
14…下部磁気シールド、
20…下地層、
22…FeCo強磁性層、
22′…非磁性層隣接FeCo層、
24…NiFe軟磁性層、
26…非磁性層、
28…中間非磁性層、
29…保護層、
30…磁化、
100…垂直磁気記録媒体、
102…垂直記録層、
104…軟磁性裏打ち層。
2…主磁極、
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22′…非磁性層隣接FeCo層、
24…NiFe軟磁性層、
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28…中間非磁性層、
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104…軟磁性裏打ち層。
Claims (11)
- 主磁極と、浮上面と反対側において前記主磁極と磁気的に結合された補助磁極と、前記主磁極と補助磁極に磁束を発生させるコイルとを有する垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記主磁極は、Cr、Ru、Rh、Irの中から選択される一つあるいは複数の元素を含む非磁性層と、該非磁性層の上下に設けられたFeCo強磁性層と、該FeCo強磁性層の膜厚方向の中央部よりも前記非磁性層側に挿入されたNiFe軟磁性層とを有する多層膜であることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
- 前記NiFe軟磁性層の上下のFeCo強磁性層は強磁性結合し、前記非磁性層の上下のFeCo強磁性層は反強磁性結合していることを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。
- 前記多層膜において、前記NiFe軟磁性層と前記非磁性層の間にあるFeCo強磁性層を非磁性層隣接FeCo層としたとき、該非磁性層隣接FeCo層の膜厚が1nm以上7nm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の垂直磁気記録ヘッド。
- 前記多層膜において、前記非磁性層の上下のFeCo強磁性層の膜厚が約50nm以上であり、前記NiFe軟磁性層と前記非磁性層の間にあるFeCo強磁性層を非磁性層隣接FeCo層としたとき、該非磁性層隣接FeCo層の膜厚が1nm以上7nm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の垂直磁気記録ヘッド。
- 前記非磁性層から前記NiFe軟磁性層間までの距離が1nm以上7nm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の垂直磁気記録ヘッド。
- 前記多層膜がNiCr中間非磁性層を介して複数積層されていることを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。
- 主磁極と、浮上面と反対側において前記主磁極と磁気的に結合された補助磁極と、前記主磁極と補助磁極に磁束を発生させるコイルとを有する記録ヘッドと、上部磁気シールドと下部磁気シールドの間に磁気抵抗効果センサを有する再生ヘッドとを備えた垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記主磁極は、Cr、Ru、Rh、Irの中から選択される一つあるいは複数の元素を含む非磁性層と、該非磁性層の上下に設けられたFeCo強磁性層と、該FeCo強磁性層の膜厚方向の中央部よりも前記非磁性層側に挿入されたNiFe軟磁性層とを有する多層膜であることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
- 前記NiFe軟磁性層の上下のFeCo強磁性層は強磁性結合し、前記非磁性層の上下のFeCo強磁性層は反強磁性結合していることを特徴とする請求項7記載の垂直磁気記録ヘッド。
- 前記多層膜において、前記NiFe軟磁性層と前記非磁性層の間にあるFeCo強磁性層を非磁性層隣接FeCo層としたとき、該非磁性層隣接FeCo層の膜厚が1nm以上7nm以下であることを特徴とする請求項7又は8記載の垂直磁気記録ヘッド。
- 前記非磁性層から前記NiFe軟磁性層間までの距離が1nm以上7nm以下であることを特徴とする請求項7又は8記載の垂直磁気記録ヘッド。
- 前記多層膜がNiCr中間非磁性層を介して複数積層されていることを特徴とする請求項7記載の垂直磁気記録ヘッド。
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