JP2002309353A - 軟磁性膜及びこれを用いる記録用の磁気ヘッド - Google Patents

軟磁性膜及びこれを用いる記録用の磁気ヘッド

Info

Publication number
JP2002309353A
JP2002309353A JP2001116021A JP2001116021A JP2002309353A JP 2002309353 A JP2002309353 A JP 2002309353A JP 2001116021 A JP2001116021 A JP 2001116021A JP 2001116021 A JP2001116021 A JP 2001116021A JP 2002309353 A JP2002309353 A JP 2002309353A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
soft magnetic
magnetic film
magnetic
soft
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001116021A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoji Ikeda
正二 池田
Ikuya Tagawa
育也 田河
Yuji Uehara
裕二 上原
Yoshinori Otsuka
善徳 大塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2001116021A priority Critical patent/JP2002309353A/ja
Priority to US09/960,419 priority patent/US6828046B2/en
Publication of JP2002309353A publication Critical patent/JP2002309353A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109—Details
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109—Details
    • G11B5/313—Disposition of layers
    • G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
    • G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
    • G11B5/3153—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
    • H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
    • H01F10/132—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing cobalt
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/11—Magnetic recording head
    • Y10T428/115—Magnetic layer composition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/11—Magnetic recording head
    • Y10T428/1171—Magnetic recording head with defined laminate structural detail
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12465—All metal or with adjacent metals having magnetic properties, or preformed fiber orientation coordinate with shape
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12951—Fe-base component

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い飽和磁束密度Ｂｓを備え、かつ成膜直後
或いは低い熱処理後の状態において好ましい軟磁気特性
を示す軟磁性材料を提供する。 【解決手段】 Ｆｅ、Ｃｏ、金属元素Ｍ及び酸素Ｏを含
んで（Ｆｅ１−ａＣｏａ）ｘＭｙＯｚの組成式を有し、
金属元素Ｍは、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒ
ｈ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｐｄ及びＰｔからなる群から選択され
た１つ又はこれらよりなる合金である。前記組成式は、
ａ＝０．０５〜０．６５、ｙ＝０．２〜９ａｔ％、ｚ＝
１〜１２ａｔ％、ｙ＋ｚ≦１５ａｔ％、かつｘ＝（１０
０−ｙ−ｚ）ａｔ％を満たす。結晶組織は、結晶粒径５
０ｎｍを越えないｂｃｃ相を主相として、該ｂｃｃ相中
に前記金属元素Ｍと前記酸素Ｏとが固溶している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク等
の磁気記録媒体に対して、磁気記録を行うインダクティ
ブ（誘導）型ヘッドに好適に用いることができる磁性材
料に関する。特に、高飽和磁束密度を有すると共に好適
な軟磁性や磁気異方性を備え、さらに熱的安定性や耐腐
蝕性等の点でも優れている軟磁性膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体の高記録密度化に伴い媒体
内の磁性層の保磁力は増加している。そのため、磁気デ
ィスク装置に用いられる記録用のインダクティブヘッド
の磁性材料には記録を書込むための磁界（書込み磁界）
を高めるために、高飽和磁束密度を有数することが要求
される。従来からインダクティブヘッドの磁極はメッキ
法で形成されたＮｉ８０Ｃｏ２０、Ｎｉ４５Ｆｅ５５等
のパーマロイが広く用いられており、その飽和磁束密度
Ｂｓは１〜１．６Ｔ（テスラ）程度であった。
【０００３】また、特開平１０−９５４５号公報におい
ては、ＣｏＮｉＦｅにおいて飽和磁束密度Ｂｓを２Ｔ近
くまで高めた磁極材料が提案されている。しかし、今後
さらなる高密度記録化が確実であり、より高い飽和磁束
密度Ｂｓを有する磁極材料への要求が益々高まると予想
される。
【０００４】ところで、高い飽和磁束密度Ｂｓを有する
材料として、一般に鉄コバルト（Ｆｅ−Ｃｏ）系の合金
が知られているが、２Ｔを越えるような高い飽和磁束密
度Ｂｓとなる組成領域では軟磁性を得ることが極めて困
難となる。例えば、特開平１１−１２１２３２号公報に
おいては、種々の金属元素Ｍと酸素Ｏとから主に構成さ
れるアモルファス相に、Ｃｏと他の強磁性３ｄ遷移金属
（Ｆｅ、Ｎｉ）からなる微結晶相が混在した状態におい
て軟磁性を得る技術が開示されている。
【０００５】この軟磁性を得る技術では、ある程度のア
モルファス相を生成するために、２０ａｔ％以上の非磁
性元素（上記金属元素Ｍと酸素Ｏ）を添加することが必
要であることが示されている。ところが、２Ｔ以上の高
い飽和磁束密度Ｂｓを得るためには、その逆に非磁性の
添加物はできるだけ抑制しなければならない。
【０００６】よって、２Ｔ以上の高い飽和磁束密度Ｂｓ
を有する軟磁性材料を得ることは極めて困難である。
【０００７】また、特開平９−１１５７２９号公報にお
いては、セラミック相と強磁性超微結晶相からなる軟磁
性材料が報告されている。しかし、この場合にも磁気モ
ーメントの小さなセラミック相を有しているために高い
飽和磁束密度Ｂｓを得ることは困難である。
【０００８】さらに、日本応用磁気学会誌、Vol.２４
（2000）Ｐ．691では、成膜中での磁場印加により製作
されたＦｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ膜に関して論じられてい
る。これによると、アルミニウムＡｌ及び酸素Ｏのそれ
ぞれを１０ａｔ％及び１２ａｔ％に制限した非磁性元素
の希薄となる組成領域においては異方性磁界Ｈｋがゼロ
となり、一軸磁気異方性が得られ難くなることが示され
ている。
【０００９】またさらに、特開平１０−２７０２４６号
公報においては、異方性磁界Ｈｋ＞２０Ｏｅ、比抵抗ρ
＞５０μΩｃｍ、飽和磁束密度Ｂｓ＞１．６Ｔを有する
軟磁性膜に関して報告がされている。しかし、比抵抗を
５０μΩｃｍ以上に高めるためには磁性元素以外の非磁
性元素の含有量を増加させる必要がある。よって、前述
したように飽和磁束密度Ｂｓが減少してしまい、２Ｔを
越えるような高い飽和磁束密度Ｂｓを得ることは困難と
なる。さらに適度な異方性磁界Ｈｋも得られなくなる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前述したように高い飽
和磁束密度Ｂｓ備えると共に高い比抵抗を有し、しかも
適度な軟磁性や異方性磁界Ｈｋを備えた軟磁性膜を形成
することは極めて困難である。
【００１１】ところで、このように厳しい条件が軟磁性
膜に課されるのは、記録用の磁気ヘッドに対する厳しい
条件を反映したものである。すなわち、磁気ディスク装
置の高密度記録化に伴い、記録用の磁気ヘッドには上記
のような磁気特性が要求されるからである。
【００１２】上記のように軟磁性膜に高い飽和磁束密度
Ｂｓを有することが求められるのは、高密度記録に対応
して磁気記録媒体への書込み磁界を強化するためであ
る。
【００１３】また、この軟磁性膜はコイルにより発生さ
せた書込み磁界を記録媒体側へ導く磁路となる磁気ヨー
クとして構成される場合が多い。この磁気ヨークには高
い比抵抗が求められる。よって、軟磁性膜にも更なる条
件として、高い比抵抗を有することが要求されるのであ
る。
【００１４】しかし、近年の著しい記録密度の増加に伴
い、磁極となるヨーク先端部の幅はサブミクロンとなっ
てきており、このような形状では磁極先端幅が表皮厚さ
以下となり渦電流による損失も無視できる程度となる。
そのため、ヨーク先端部では比抵抗をさほど高くする必
要がなく、むしろ飽和磁束密度Ｂｓを大きくすることを
優先すべきである。
【００１５】なお、このように磁極先端部での比抵抗が
低くなっても、ヨーク全体として高い比抵抗を確保でき
るように設計変更して対応できる。
【００１６】さらに、記録用のインダクティブヘッドに
読取り用の再生ヘッドを並設した複合型で形成される場
合も多い。この複合型磁気ヘッドで用いる記録用の軟磁
性膜については、上述した条件に加え、さらに製造工程
での熱処理での温度の影響についても考慮することが必
要となる。
【００１７】すなわち、インダクティブヘッド用の軟磁
性膜を成膜するときに、再生ヘッドに用いられる磁気抵
抗素子の特性を劣化させないことに配慮する必要があ
る。一般に、インダクティブヘッド用の軟磁性膜を成膜
するときに、３００℃を越えるような温度で熱処理を行
うと、再生ヘッドの磁気抵抗素子が劣化するとの指摘が
ある。
【００１８】そのために、インダクティブヘッド用の軟
磁性膜は、その成膜直後から軟磁性を備え３００℃程度
までは熱的に安定である、或いは３００℃以下の熱処理
で軟磁性が改善されるような磁気特性を有していること
が望ましい。
【００１９】よって、例えば特開平５−１４８５９５号
公報においては、軟磁性膜の軟磁性を改善するために５
００〜７００℃の熱処理を行っており、ＧＭＲのリード
（再生）ヘッドと複合化されたライト（インダクティ
ブ）ヘッドの磁極材料としては記録読込み特性を劣化さ
せてしまうので不適当である。
【００２０】なお、ここで使用している薄膜材料は、前
述した特開平１１−１２１２３２号公報のものと類似の
元素から構成されており、強磁性微結晶相とそれを取り
囲むアモルファス相から結晶組織を構成していると類推
される。このように５００〜７００℃の高温で軟磁性を
改善しようとするのは、強磁性微結晶相とアモルファス
相とからなる準安定相にこの温度に対応する活性化エネ
ルギーを加えないと構造緩和・相変化しないためと考え
られる。
【００２１】以上、説明したところから明らかなように
インダクティブヘッドに用いる軟磁性膜には相反するよ
うな多くの要求があり、これに対応するのは極めて困難
である。
【００２２】本発明は上記のような従来の状況を鑑みて
なされたものであり、高い飽和磁束密度Ｂｓを備え、か
つ成膜直後或いは低い熱処理後の状態において好ましい
軟磁気特性を示す軟磁性材料を提供することを主な目的
とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記目的は請求項１に記
載の如く、Ｆｅ、Ｃｏ、金属元素Ｍ及び酸素Ｏを含んで
（Ｆｅ１−ａＣｏａ）ｘＭｙＯｚの組成式を有し、前記
金属元素Ｍは、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒ
ｈ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｐｄ及びＰｔからなる群から選択され
た１つ又はこれらよりなる合金であり、前記組成式は、
下記条件、 ａ＝０．０５〜０．６５ ｙ＝０．２〜９ａｔ％、ｚ＝１〜１２ａｔ％、かつｙ＋
ｚ≦１５ａｔ％、 ｘ＝（１００−ｙ−ｚ）ａｔ％を満たし、 結晶組織は、結晶粒径５０ｎｍを越えないｂｃｃ相を主
相として、該ｂｃｃ相中に前記金属元素Ｍと前記酸素Ｏ
とが固溶している軟磁性膜、により達成される。
【００２４】本軟磁性膜は、ＦｅＣｏを主成分とし、金
属元素ＭとＯを含有する非磁性元素で構成され、この非
磁性元素量を１５ａｔ％以下とし上記の条件を満たすよ
うに形成すると２．１Ｔを越えるような高い飽和磁束密
度Ｂｓを有するので、インダクティブヘッドの書込み磁
界を形成するための好ましい軟磁性膜となる。
【００２５】そして、請求項２に記載の如く、請求項１
に記載の軟磁性膜において、成膜したときに一軸磁気異
方性を備えている、構成とすることができ、また、請求
項３に記載の如く、請求項１又は２に記載の軟磁性膜に
おいて、成膜した後に３００℃未満の熱処理で保磁力を
減少させる性質を有した構成とすることもできる。
【００２６】本軟磁性膜は、好ましい異方性磁界Ｈｋを
有する状態に形成することが可能であり、また成膜直後
或いは３００℃以下の熱処理を受けても熱的に安定であ
り、好ましい態様として熱処理を受けると保磁力が低減
して軟磁性が改善される。本軟磁性膜は、耐腐蝕性の点
からも優れている。
【００２７】また、請求項４に記載の如く、請求項２又
は３に記載の軟磁性膜において、当該軟磁性膜が異方的
な微細組織を有している、構成とすることもできる。
【００２８】また、請求項５に記載の如く、請求項４に
記載の軟磁性膜において、前記微細組織は、長径ＬＤ、
短径ＳＤとしたときに、ＬＤが５０ｎｍ未満、かつ（Ｌ
Ｄ／ＳＤ）＞１の関係を満たす構成として特定できる。
【００２９】本軟磁性膜は成膜から一軸磁気異方性を備
えて形成させることが可能であり、そのために異方的な
微細組織を有する。
【００３０】また、請求項６に記載の如く、請求項１か
ら５のいずれかに記載の軟磁性膜において、当該軟磁性
膜の電気比抵抗が５０μΩｃｍを越えないという特徴を
備えていてもよい。
【００３１】本軟磁性膜は、従来にない高い飽和磁束密
度Ｂｓを示すが電気比抵抗が５０μΩｃｍ以下となるこ
とを許容する。この点において、比抵抗を得るために飽
和磁束密度Ｂｓの低下が生じていた従来の軟磁性膜とは
異なる。
【００３２】また、請求項７に記載の如く、請求項１か
ら６のいずれかに記載の軟磁性膜と、該軟磁性膜の上部
及び／又は下部に異なる磁性膜を積層して複合化した複
合膜としてもよい。
【００３３】本軟磁性層膜は、単層で用いる場合だけで
なく、その上下の少なくとも一方で異種の磁性膜を配置
し、好ましい複合型の軟磁性層とすることもできる。
【００３４】さらに、請求項８に記載の如く、請求項１
から７のいずれかに記載の軟磁性膜を記録ヘッドの磁極
全体或いはギャップ近傍の磁極先端部に用いて記録用の
磁気ヘッドを構成すれば、磁気記録媒体に対し高密度で
磁気情報を記録することができる。すなわち、磁気ヨー
クの先端に副磁極を設けるような場合には、その全体を
上記軟磁性膜で形成してもよいし、そのギャップ近傍の
磁極先端部を上記軟磁性膜で形成してもよい。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
をより詳細に説明する。
【００３６】本発明の軟磁性膜は、鉄Ｆｅ、コバルトＣ
ｏ、金属元素Ｍ及び酸素Ｏから構成され、（Ｆｅ１−ａ
Ｃｏａ）ｘＭｙＯｚの組成式で示される。
【００３７】前記金属元素Ｍは、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｐｄ及びＰｔからな
る群から選択された１つ又はこれらよりなる合金とする
ことができる。
【００３８】上記組成式中のａ及びｘ、ｙ、ｚは下記の
ような範囲にある。
【００３９】ａ＝０．０５〜０．６５ ｙ＝０．２〜９ａｔ％、ｚ＝１〜１２ａｔ％、かつｙ＋
ｚ≦１５ａｔ％ ｘ＝（１００−ｙ−ｚ）ａｔ％ このように特定される軟磁性膜は、その結晶組織におい
て結晶粒径５０ｎｍを越えないｂｃｃ相を主相として、
該ｂｃｃ相中に前記金属元素Ｍと前記酸素Ｏとが固溶し
ている状態に形成される。
【００４０】そして、この軟磁性膜は２．１Ｔを越える
ような高い飽和磁束密度Ｂｓを有するといる優れた特質
を有すると共に、後述するようにインダクティブヘッド
に用いる軟磁性膜として好適は磁気特性をも備える。
【００４１】まず、本発明の軟磁性膜が上記組成式で特
定されることの根拠を示す。
【００４２】本願発明者等の研究により、主骨格のＦｅ
１−ａＣｏａで、ａ＝０．０５〜０．６５の範囲外とな
るとＦｅＣｏの２元合金の飽和磁束密度Ｂｓが２．１Ｔ
以下となった。また、これにＭ−Ｏの添加量を１５ａｔ
％以上とすると、比抵抗ρは５０μΩｃｍ以上の値とな
るが飽和磁束密度Ｂｓはさらに低下する。金属元素Ｍの
添加量の限界は９ａｔ％であり、酸素Ｏの添加量の限界
は１２ａｔ％である。
【００４３】また、金属元素Ｍの量が０．２ａｔ％未
満、酸素Ｏの量が１ａｔ％未満となると、磁気異方性の
制御が困難となり、耐腐蝕性にも影響が出ることが確認
された。
【００４４】以下、さらに本発明の軟磁性膜として金属
元素ＭとしてＡｌを用いた場合の実施例を示して、その
特徴を明らかとする。
【００４５】実施例の軟磁性膜は、Ｆｅ０．８Ｃｏ
０．２粉末（ａｔ％）と、Ｍ−ＯとしてＡｌ２Ｏ３粉末
とを焼結成形した合金ターゲットを用い、アルゴンガス
（Ａｒ）のみの導入により、図１に示すような公転成膜
を行うＲＦマグネトロンスパッタ装置により成膜した。
合金ターゲット中のＡｌ２Ｏ３組成は１〜１０ａｔ％で
調整した。投入電源は３〜９ｗ／ｃｍ２とし、スパッタ
時の圧力は０．２〜０．９Ｐａ、アルゴンガス流量は５
０ｓｃｃｍとした。
【００４６】図１のＲＦマグネトロンスパッタ装置で
は、基板１が公転しながらシールド３に設けられた開孔
４の下を周期的に通過する。その際にターゲット２から
叩き出された材料が基板１上に薄膜状に形成される。
【００４７】上記ＦｅＣｏ磁性粉末についてはＣｏ原子
比ａをａ＝０．０５〜０．６５まで変化させた場合つい
てほぼ同様の結果が得られることを確認した。また、も
う１つのターゲットＡｌ２Ｏ３について、これ以外の前
述したＡｌ以外の酸素Ｏとの金属酸化物（Ｍ−Ｏ）と焼
結成形させた合金を用いた場合ついてもほぼ同様の結果
が得られることを確認している。
【００４８】さらに、ＦｅＣｏＭ合金ターゲットをＡｒ
＋Ｏ２混合ガス中で反応性スパッタとした場合、ＦｅＣ
ｏ合金ターゲット上に酸化物チップを配置した複合ター
ゲットを用いた場合についてもほぼ同様の結果を得るこ
とができる。
【００４９】次に、水冷基板上に成膜させた場合の本軟
磁性（ＦｅＣｏＡｌＯ）膜について下記に示す。
【００５０】ここで、磁気特性の測定には振動試料型磁
力計（ＶＳＭ：Digital Measurement systems; Model 1
660）並びにＢ−Ｈループトレーサ（shb B-H curve tra
cer109）を使用し、電気抵抗は直流四端子法により測定
した。
【００５１】構造解析はＣｕ−Ｋα線を用いてＸ線回析
ＸＲＤ（理学電機 RINT-1000）により行った。成分分
析は、エネルギ分散型Ｘ線装置（ＥＤＳ：oxford 社
製）及び電子プローブマイクロアナライザ（ＥＰＭＡ：
日本電子ＪＸＡ−6900）により行った。膜の結晶組成は
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：日本電子 ＪＥＭ−2000Ｅ
Ｘ）を用いて観察した。また、粒子内及び粒界の組成の
定性分析にはエネルギー分散Ｘ線分析ＥＤＳを用い、こ
のときの電子ビーム径は約３ｎｍφである。
【００５２】図２は、本軟磁性膜（（Ｆｅ１−ａＣ
ｏａ）ｘＡｌｙＯｚ（ａ＝０．２、ｘ＝１００−ｙ-
ｚ））における飽和磁束密度Ｂｓと（Ａｌ＋Ｏ）含有量
ＭＸとの関係について示した図である。この図２よりに
飽和磁束密度Ｂｓの（Ａｌ＋Ｏ）含有量ＭＸに対する依
存性が確認できる。但し、ＭＸは上記組成式における
（ｙ＋ｚ）である。
【００５３】図２に示すように、飽和磁束密度Ｂｓは
（Ａｌ＋Ｏ）含有量ＭＸが１５ａｔ％を越えると２．１
Ｔ以下となってしまう。よって、軟磁性膜中での（Ａｌ
＋Ｏ）含有量ＭＸは１５ａｔ％を越えないように形成す
ることが必要であることが確認できる。
【００５４】また、図３は上記軟磁性膜における比抵抗
ρと（Ａｌ＋Ｏ）含有量ＭＸとの関係について示した図
である。この図３により比抵抗ρの（Ａｌ＋Ｏ）含有量
ＭＸに対する依存性を確認することができる。
【００５５】図３に示すように、比抵抗ρは（Ａｌ＋
Ｏ）含有量ＭＸが１５ａｔ％より低いと５０μΩｃｍよ
り低い値を取るようになる。本軟磁性膜は従来の軟磁性
膜のように高抵抗を得ることを目的に設計しておらず、
高い飽和磁束密度Ｂｓを得ることを優先としている。よ
って、比抵抗ρが５０μΩｃｍ未満となることを許容す
る。
【００５６】ところで、Ａｌの添加は、酸素Ｏの添加よ
りも飽和磁束密度Ｂｓを低下させる傾向が強い。よっ
て、Ａｌと酸素Ｏの最大添加量は異なり、各々９ａｔ
％、１２ａｔ％程度とすることが好ましい。
【００５７】さらに、図４は上記軟磁性膜について磁化
容易軸方向で測定した保磁力Ｈｃｅと、（Ａｌ＋Ｏ）含
有量ＭＸとの関係を示している。
【００５８】図４によると、Ａｌと酸素Ｏが無添加であ
る膜とした場合においては、保磁力Ｈｃｅ＝６０Ｏｅ程
度と大きな値となる。しかし、Ａｌと酸素Ｏを添加する
とＨｃｅ＝１０Ｏｅ程度まで低減される。
【００５９】よって、Ａｌと酸素Ｏの添加が本軟磁性膜
の軟磁性を改善することに寄与していることが確認でき
る。
【００６０】本発明者等による検討によると、本軟磁性
膜において軟磁性の改善を得るために必要なＡｌと酸素
Ｏの添加量は、各々０．２ａｔ％、１ａｔ％程度であ
る。
【００６１】つぎに、図５は本軟磁性膜を成膜した直
後、及び２２０℃で熱処理した後のＦｅ７７．７Ｃｏ
１９．５Ａｌ０．６Ｏ２．２の組成を有する軟磁性膜を
試作して、磁化困難軸方向と磁化容易軸方向で測定され
た磁化曲線を示した図である。
【００６２】図５（Ａ）は成膜直後の場合、図５（Ｂ）
は２２０℃で熱処理した場合を示している。また、各図
において磁化困難軸方向の場合をＨＡ、磁化容易軸方向
の場合をＥＡで示している。
【００６３】図５により、本軟磁性膜は３００℃未満の
熱処理により軟磁性が改善されることが確認できる。磁
化容易軸方向ＥＡの場合には保磁力Ｈｃｅが約１５Ｏｅ
から約７Ｏｅに減少している。磁化容易軸方向ＨＡの場
合についても保磁力Ｈｃｈが約４Ｏｅから約１．３Ｏｅ
に減少している。なお、異方性磁界Ｈｋは５０Ｏｅから
４０Ｏｅとなった。
【００６４】そして、飽和磁束密度Ｂｓに関しては成膜
時が図５（Ａ）に示すように２．３２Ｔであり、熱処理
後は図５（Ｂ）に示すように２．３５Ｔとなった。よっ
て、熱処理を受けても飽和磁束密度Ｂｓは維持或いは若
干増加するが殆ど変化がない。
【００６５】本軟磁性膜に対して約３００℃までの熱処
理を行ったところ同様の結果を得た。すなわち、本軟磁
性膜は３００℃までの熱的安定性を有していることを確
認できる。
【００６６】本実施例で示す軟磁性膜は単層で用いるこ
とも有効であるが、さらに他の磁性材料と組合せて用い
ることも勿論可能である。さらに、他の磁性膜と積層し
て複合膜構造とした場合について説明する。
【００６７】図６は、本軟磁性膜を単層とした場合と、
この軟磁性膜を含む積層膜とした場合について、磁化容
易軸方向での保磁力Ｈｃｅを比較して示した図である。
【００６８】図６において、上から順に、及びは単
層の軟磁性膜について示している。の単層軟磁性膜は
前記図５の（Ａ）、の単層軟磁性膜は前記図５の
（Ｂ）に対応したものである。
【００６９】は本軟磁性膜の上部にパーマロイＮｉＦ
ｅをメッキして積層膜とした場合である。このについ
ては成膜直後及び２２０℃で熱処理後した場合の各々に
ついて示している。
【００７０】は本軟磁性膜の下部に、スパッタリング
等で形成したパーマロイＮｉＦｅを用い積層膜とした場
合、はに対してパーマロイＮｉＦｅの組成を変更し
た場合、さらには本軟磁性膜の上部及び下部にパーマ
ロイＮｉＦｅを設けた場合である。
【００７１】図６に示すように、パーマロイＮｉＦｅ膜
を本軟磁性膜の上部又は下部、或いは上下部の双方に配
置した複合膜では保磁力Ｈｃｅの減少が得られ、軟磁性
を改善できることが確認できる。
【００７２】さらに、単層について示したとの場合
と同様に、のように積層した場合でも３００℃未満の
低温での熱処理で軟磁性がさらに改善することも分か
る。
【００７３】ここで用いたパーマロイの他、例えばＣｏ
ＺｒＮｂ、ＣｏＮｉＦｅ、ＦｅＡｌＳｉ、ＣｏＦｅＢ、
ＦｅＡｌＯ等の軟磁性膜を用いても同様に軟磁性を改善
することができる。
【００７４】このような軟磁性の改善は下地層に依存し
た本軟磁性膜（ＦｅＣｏＡｌＯ）の結晶配向性の変化
や、異種磁性層間の磁気的相互作用によること等が要因
として考えられる。結晶配向性の観点からは下地層にＴ
ｉ、Ｔａ、Ｃｒ等を用いた場合にも同様に軟磁性の改善
が確認できた。
【００７５】図７は、０．０１ＮのＫＣｌ溶液を用いた
アノード分極曲線を示しており、Ｆｅ８０Ｃｏ２０の２
元合金の自然電位ＲＰ＝−２７０ｍＶｖｓＳＥＣ、孔食
電位ＰＰ＝０ｍＶｖｓＳＥＣ付近であるのに対し、本軟
磁性膜（Ｆｅ７７．７Ｃｏ１ ９．５Ａｌ
０．６Ｏ２．２）の場合には自然電位ＲＰ＝−６０ｍＶ
ｖｓＳＥＣ、孔食電位ＰＰ＝±４００ｍＶｖｓＳＥＣ程
度となり良好な耐腐蝕性が示されている。
【００７６】なお、図７中には、例えば特開平１０−９
５４５号公報等に開示され従来においては比較的耐腐蝕
性が高いとされるＣｏＮｉＦｅメッキ膜についてのアノ
ード分曲線を示している。しかし、この膜よりも本軟磁
性膜が耐食性に優れていることが確認できる。
【００７７】さらに、図８には上記実施例の軟磁性膜
（Ｆｅ７７．７Ｃｏ１９．５Ａｌ０． ６Ｏ２．２）のＴ
ＥＭ像を示した。結晶粒径は約５０ｎｍ以下となってお
り、Ｘ線回析の結果ではｂｃｃ相に対応する回析ピーク
が観測された。
【００７８】また、図９はこの軟磁性膜の結晶相と粒界
の組成を電子ビーム径３ｎｍφにおいてＥＤＳにより測
定した組成分析結果である。図９（Ａ）は粒内につい
て、図９（Ｂ）は粒界について示している。これらの図
から明らかなように結晶粒内においてもＡｌと酸素Ｏに
対応するピークが検出され、結晶相内にもＡｌと酸素Ｏ
が固溶していることが確認できる。このような結晶相へ
のＡｌ及び酸素Ｏの固溶状態がＦｅＣｏによる２元合金
よりも自然電位ＲＰを高めるように影響していると推測
できる。
【００７９】さらに、図１０は磁場を印加せずに成膜し
た本軟磁性膜を拡大して示したＴＥＭ像である。この図
から結晶粒は異方的な結晶形状（長径ＬＤ／短径ＳＤ＞
１）を有しており、かつその結晶粒の長径ＬＤ方向が紙
面幅に沿って平均に配向した異方的な微結晶組織を有し
ていることが確認できる。なお、本軟磁性膜では長径Ｌ
Ｄは５０ｎｍ以下である。
【００８０】図１１は本軟磁性膜の応力σ及び異方性磁
界Ｈｋを示したものであり、応力はスパッタリング時の
圧力に強く依存している。また、圧力低下に対応して異
方性磁界Ｈｋは相対的に減少することが分かる。このこ
とから、応力に伴う磁気弾性が磁気異方性の一要因とし
て考えられる。
【００８１】しかしながら、これらの膜の磁歪定数は３
０×１０−６程度でほぼ一定値を示しており、磁気弾性
に伴う異方性エネルギーを３／２λσと仮定し、σ＝０
へ外挿しても異方性磁界Ｈｋｈはゼロとはならない。よ
って、磁気弾性効果に伴う磁気異方性のみでは本軟磁性
膜（ＦｅＣｏＡｌＯ）の一軸磁気異方性は説明できな
い。
【００８２】したがって、異方的な結晶粒及び結晶組織
に直接的或いは応力を通じて間接的に膜中に一軸磁気異
方性が付与されているものと推定される。このような推
定はＴＥＭ画像による結果とも矛盾しない。
【００８３】よって、本軟磁性膜は成膜時から異方的な
微細組織を有している。この異方的な結晶粒及び結晶組
織に直接的或いは応力による磁気弾性効果を通じて間接
的に一軸磁気異方性が成膜時から付与されていると推定
できる。
【００８４】以上で詳述したように、本発明の軟磁性膜
は極めて高い飽和磁束密度Ｂｓと適度な異方性磁界Ｈｋ
を備えると共に、好ましい軟磁性を示す。また、この軟
磁性は再生ヘッドの劣化を招くことのない３００℃越え
ない低温での熱処理により改善される。よって、インダ
クティブヘッドのギャップ端部で磁極用の磁性膜として
用いる等の用途において極めて有用な軟磁性膜となる。
【００８５】図１２は、記録用のインダクティブヘッド
１０の概要を示す図である。このインダクティブヘッド
１０では、コイル１１に発生させた書込み磁界が磁気ヨ
ーク１２を介して外部の磁気記録媒体２０に磁気情報を
書込む。このようなヘッド１０の書き込みギャップ部、
即ち磁気ヨーク１２の端部磁極１５に本軟磁性膜を用い
ることで強い書込み磁界を形成することができる。
【００８６】よって、高密度の記録媒体２０に対応した
高密度での記録が可能となる。なお、図１２で磁気ヨー
ク１２の先端部分を拡大して示したように、下部ヨーク
１２−１、下部磁極１５−１、ギャップ層２５、上部磁
極１５−２及び上部ヨーク１２−２が積層されている。
【００８７】また、図１２に示したヘッド１０は記録部
のみが示されているが、これに接して再生ヘッドを並設
すれば複合型の磁気ヘッドとすることができるのは言う
までもない。
【００８８】また、上記のように記録用の磁気ヘッドの
磁極端部に用いる軟磁性膜は、単層でもよいし、前述し
たような積層膜でもよい。そして、このヘッド１０はヨ
ーク全体として所定の比抵抗が得られるように設計され
ているので、端部の磁極として比抵抗の小さい軟磁性膜
を用いることによる不都合は生じない。
【００８９】上記ヘッド１０は、薄膜形成技術並びに微
細加工技術を利用して、スパッタリング法等で所望の膜
を成膜し、レジストを用いて所定の形状にパターニング
し、不要部をリフトオフ、エッチング、ミリング等によ
り除去することで図１２に示すような形状とすることが
できる。
【００９０】図１３〜図１５は上記インダクティブヘッ
ド１０の製造工程の一部としてヨーク先端部を形成する
工程例について示した図である。
【００９１】図１３（Ａ）〜（Ｄ）では、Ａｌ２Ｏ３等
の基板２０上にＮｉＦｅ，ＣｏＮｉＦｅ等をメッキして
下部用のヨーク１２−１が形成され、この上に下部用の
磁極１５−１として本軟磁性膜（ＦｅＣｏＭＯ）がスパ
ッタリングにより成膜される。この上に例えばＡｌ２Ｏ
３のギャップ層２５が成膜され、さらにその上に上部用
の磁極１５−２として本軟磁性膜（ＦｅＣｏＭＯ）がス
パッタリングにより成膜される。
【００９２】図１４（Ｅ）、（Ｆ）ではレジスト２７を
用いて所定形状にパター形成した後、ＮｉＦｅ，ＣｏＮ
ｉＦｅ等をメッキして上部用のヨーク１２−２が形成さ
れる。
【００９３】図１５（Ｇ）及び（Ｈ）で、レジスト除
去、エッチングにより不要部を除去することにより、ヨ
ーク１２の先端部に磁極１５−１及び１５−２を軟磁性
膜で形成した図１２に示すようなヘッド１０を得ること
ができる。
【００９４】以上本発明の好ましい実施例について詳述
したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるもの
ではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の
範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００９５】
【発明の効果】以上詳述したところから明らかなよう
に、本発明による軟磁性は２．１Ｔを越えるような高い
飽和磁束密度Ｂｓを有するので、インダクティブヘッド
の書込み磁界を形成するための好ましい軟磁性膜とな
る。
【００９６】また、この軟磁性膜は好適な軟磁性や磁気
異方性を備え、さらに熱的安定性や耐腐蝕性等の点でも
優れている。さらに、３００℃未満の低温で熱処理を受
けると軟磁性が改善される。よって、再生ヘッドと複合
させた複合型磁気ヘッドに採用する軟磁性膜として好適
である。
【００９７】この軟磁性膜を磁極先端部に用いて記録ヘ
ッドを構成すれば、磁気記録媒体に対し高密度で磁気情
報を記録することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】公転成膜を行うＲＦマグネトロンスパッタ装置
の例を示した図である。
【図２】実施例の軟磁性膜における飽和磁束密度Ｂｓと
（Ａｌ＋Ｏ）含有量ＭＸとの関係について示した図であ
る。
【図３】実施例の軟磁性膜における比抵抗ρと（Ａｌ＋
Ｏ）含有量ＭＸとの関係について示した図である。
【図４】実施例の磁性膜について磁化容易軸方向で測定
した保磁力Ｈｃｅと、（Ａｌ＋Ｏ）含有量ＭＸとの関係
を示した図である。
【図５】成膜した直後及び熱処理した後の軟磁性膜につ
いて、磁化困難軸方向と磁化容易軸方向で測定された磁
化曲線を示した図である。
【図６】軟磁性膜を単層とした場合と、軟磁性膜を含む
積層膜とした場合について、磁化容易軸方向での保磁力
Ｈｃｅを比較して示した図である。
【図７】軟磁性膜の耐腐蝕性について示した図である。
【図８】軟磁性膜のＴＥＭ像を示した図である。
【図９】軟磁性膜の結晶相と粒界の組成をＥＤＳにより
測定した組成分析結果について示した図である。
【図１０】磁場を印加せずに成膜した軟磁性膜を拡大し
たＴＥＭ像を示した図である。
【図１１】軟磁性膜の応力σ及び異方性磁界Ｈｋについ
て示した図である。
【図１２】記録用のインダクティブヘッドの概要を示し
た図である。
【図１３】インダクティブヘッドの製造工程例について
示した図（その１）である。
【図１４】インダクティブヘッドの製造工程例について
示した図（その２）である。
【図１５】インダクティブヘッドの製造工程例について
示した図（その３）である。
【符号の説明】
１０ インダクティブヘッド １２ ヨーク １５ 磁極（軟磁性膜） ２０ 磁気記録媒体
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 10/16 Ｈ０１Ｆ 10/16 (72)発明者 上原 裕二 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 大塚 善徳 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 BA02 DA01 DA03 5D093 BD08 JA06 5E049 BA11 BA12 CB02

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ｆｅ、Ｃｏ、金属元素Ｍ及び酸素Ｏを含
    んで（Ｆｅ１−ａＣｏａ）ｘＭｙＯｚの組成式を有し、 前記金属元素Ｍは、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、
    Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
    Ｒｈ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｐｄ及びＰｔからなる群から選択さ
    れた１つ又はこれらよりなる合金であり、 前記組成式は、下記条件、 ａ＝０．０５〜０．６５ ｙ＝０．２〜９ａｔ％、ｚ＝１〜１２ａｔ％、かつｙ＋
    ｚ≦１５ａｔ％、 ｘ＝（１００−ｙ−ｚ）ａｔ％を満たし、 結晶組織は、結晶粒径５０ｎｍを越えないｂｃｃ相を主
    相として、該ｂｃｃ相中に前記金属元素Ｍと前記酸素Ｏ
    とが固溶している、ことを特徴とする軟磁性膜。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の軟磁性膜において、 成膜したときに一軸磁気異方性を備えている、ことを特
    徴とする軟磁性膜。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の軟磁性膜におい
    て、 成膜した後に３００℃未満の熱処理で保磁力を減少させ
    る、ことを特徴とする軟磁性膜。
  4. 【請求項４】 請求項２又は３に記載の軟磁性膜におい
    て、 当該軟磁性膜が異方的な微細組織を有している、ことを
    特徴とする軟磁性膜。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の軟磁性膜において、 前記微細組織は、長径ＬＤ、短径ＳＤとしたときに、Ｌ
    Ｄが５０ｎｍ未満、かつ（ＬＤ／ＳＤ）＞１の関係を満
    たす、ことを特徴とする軟磁性膜。
  6. 【請求項６】 請求項１から５のいずれかに記載の軟磁
    性膜において、 当該軟磁性膜の電気比抵抗が５０μΩｃｍを越えない、
    ことを特徴とする軟磁性膜。
  7. 【請求項７】 請求項１から６のいずれかに記載の軟磁
    性膜と、該軟磁性膜の上部及び／又は下部に異なる磁性
    膜を積層して複合化した、ことを特徴とする軟磁性膜。
  8. 【請求項８】 請求項１から７のいずれかに記載の軟磁
    性膜を記録ヘッドの磁極全体或いはギャップ近傍の磁極
    先端部に用いた、ことを特徴とする記録用の磁気ヘッ
    ド。
JP2001116021A 2001-04-13 2001-04-13 軟磁性膜及びこれを用いる記録用の磁気ヘッド Withdrawn JP2002309353A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001116021A JP2002309353A (ja) 2001-04-13 2001-04-13 軟磁性膜及びこれを用いる記録用の磁気ヘッド
US09/960,419 US6828046B2 (en) 2001-04-13 2001-09-21 Soft magnetic film of FeCoMO having a high saturation flux density, a moderate soft magnetism and a uniaxial magnetic anisotropy

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001116021A JP2002309353A (ja) 2001-04-13 2001-04-13 軟磁性膜及びこれを用いる記録用の磁気ヘッド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002309353A true JP2002309353A (ja) 2002-10-23

Family

ID=18966824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001116021A Withdrawn JP2002309353A (ja) 2001-04-13 2001-04-13 軟磁性膜及びこれを用いる記録用の磁気ヘッド

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6828046B2 (ja)
JP (1) JP2002309353A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107146690A (zh) * 2017-03-03 2017-09-08 华为机器有限公司 一种薄膜电感、电源转换电路和芯片

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003198002A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果膜および強磁性積層構造体
US7101633B2 (en) * 2002-03-06 2006-09-05 Tdk Corporation Electroplated magnetic thin film, method of manufacturing the same, electroplating bath and thin film magnetic head
JP2003332125A (ja) * 2002-05-10 2003-11-21 Akita Prefecture 高飽和磁束密度軟磁性膜
WO2003096359A1 (fr) * 2002-05-10 2003-11-20 Japan Science And Technology Agency Materiau magnetique doux a densite eleve de flux magnetique de saturation
JP4210986B2 (ja) * 2003-01-17 2009-01-21 日立金属株式会社 磁性合金ならびにそれを用いた磁性部品
JP2005025890A (ja) * 2003-07-04 2005-01-27 Fujitsu Ltd 磁気ヘッド用磁性膜
US20060078762A1 (en) * 2004-06-07 2006-04-13 Fujitsu Limited Magnetic film for a magnetic device, magnetic head for a hard disk drive, and solid-state device
US20060083950A1 (en) * 2004-06-07 2006-04-20 Fujitsu Limited Magnetic film for a magnetic device, magnetic head for a hard disk drive, and solid-state device
JP2005347688A (ja) * 2004-06-07 2005-12-15 Fujitsu Ltd 磁気デバイス用磁性膜
US7688555B2 (en) * 2004-06-15 2010-03-30 Headway Technologies, Inc. Hard bias design for extra high density recording
JP4331182B2 (ja) * 2006-04-14 2009-09-16 山陽特殊製鋼株式会社 軟磁性ターゲット材
JP5037036B2 (ja) * 2006-05-02 2012-09-26 山陽特殊製鋼株式会社 ＦｅＣｏ系ターゲット材
JP4907259B2 (ja) * 2006-08-16 2012-03-28 山陽特殊製鋼株式会社 Ｃｒを添加したＦｅＣｏＢ系ターゲット材
JP2008121071A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Sanyo Special Steel Co Ltd 軟磁性ＦｅＣｏ系ターゲット材
JP5111835B2 (ja) * 2006-11-17 2013-01-09 山陽特殊製鋼株式会社 （ＣｏＦｅ）ＺｒＮｂ／Ｔａ／Ｈｆ系ターゲット材およびその製造方法
JP5253781B2 (ja) * 2007-09-18 2013-07-31 山陽特殊製鋼株式会社 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金ターゲット材
JP4998292B2 (ja) * 2008-01-31 2012-08-15 Ｔｄｋ株式会社 磁性薄膜および薄膜磁気デバイス
US7914916B2 (en) * 2008-02-04 2011-03-29 Seagate Technology Llc Thermally stable high anisotropic high magnetic moment films
US9704511B2 (en) 2014-11-12 2017-07-11 Tdk Corporation Perpendicular magnetic recording head with improved density recording

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100210579B1 (ko) * 1990-01-08 1999-07-15 가나이 쓰도무 강자성막 및 그 제조방법과 이것을 사용한 자기헤드
JP2996553B2 (ja) 1991-11-28 2000-01-11 アルプス電気株式会社 軟磁性合金薄膜
JPH05251236A (ja) 1992-03-06 1993-09-28 Sony Corp 軟磁性膜
JP2584179B2 (ja) 1993-01-14 1997-02-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 高透磁率Ｆｅ基合金
US5851643A (en) * 1993-11-11 1998-12-22 Hitachi, Ltd. Magnetic recording media and magnetic recording read-back system which uses such media
JPH09115729A (ja) 1995-10-18 1997-05-02 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 超微結晶磁性膜及びその製造方法
JPH10270246A (ja) 1997-03-22 1998-10-09 Res Inst Electric Magnetic Alloys 磁性薄膜
JP2821456B1 (ja) 1997-07-03 1998-11-05 学校法人早稲田大学 コバルト・鉄・ニッケル磁性薄膜とその製造方法，及びそれを用いた複合型薄膜磁気ヘッドと磁気記憶装置
JPH11121232A (ja) 1997-10-09 1999-04-30 Alps Electric Co Ltd 軟磁性膜とこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、平面型磁気素子、およびフィルタ
JPH11329837A (ja) * 1998-03-10 1999-11-30 Alps Electric Co Ltd 磁性膜の成膜方法
US6303218B1 (en) * 1998-03-20 2001-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Multi-layered thin-film functional device and magnetoresistance effect element
US6210544B1 (en) * 1999-03-08 2001-04-03 Alps Electric Co., Ltd. Magnetic film forming method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107146690A (zh) * 2017-03-03 2017-09-08 华为机器有限公司 一种薄膜电感、电源转换电路和芯片
CN107146690B (zh) * 2017-03-03 2019-11-05 华为机器有限公司 一种薄膜电感、电源转换电路和芯片
US10790079B2 (en) 2017-03-03 2020-09-29 Huawei Technologies Co., Ltd. Thin film inductor, power conversion circuit, and chip

Also Published As

Publication number Publication date
US20020150790A1 (en) 2002-10-17
US6828046B2 (en) 2004-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5942342A (en) Perpendicular recording medium and magnetic recording apparatus
US7354664B1 (en) Magnetically soft, high saturation magnetization laminate of iron-cobalt-nitrogen and iron-nickel for perpendicular media underlayers
KR100372984B1 (ko) 자기저항효과형자기헤드및자기기록재생장치
US7532433B2 (en) Thin film perpendicular magnetic recording head, their fabrication process and magnetic disk drive using it
JP3587447B2 (ja) メモリー素子
US7522377B1 (en) Magnetic write head with high moment magnetic thin film formed over seed layer
US6828046B2 (en) Soft magnetic film of FeCoMO having a high saturation flux density, a moderate soft magnetism and a uniaxial magnetic anisotropy
US5751528A (en) Multilayer exchange coupled magnetic poles with approximate zero magnetostriction
US20090231755A1 (en) Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing apparatus
US8034470B2 (en) Perpendicular magnetic recording medium and method of manufacturing the medium
JP2005025890A (ja) 磁気ヘッド用磁性膜
US6055135A (en) Exchange coupling thin film and magnetoresistive element comprising the same
JP4759455B2 (ja) 磁気シールド及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド
JPH1196514A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
EP1605475B1 (en) Magnetic film for magnetic device
US20060083950A1 (en) Magnetic film for a magnetic device, magnetic head for a hard disk drive, and solid-state device
JP3647306B2 (ja) 磁気抵抗素子及び磁気抵抗メモリ素子
JP3108636B2 (ja) 磁気ヘッドおよびその製造方法
US20060078762A1 (en) Magnetic film for a magnetic device, magnetic head for a hard disk drive, and solid-state device
JPH09138919A (ja) 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
Jones Jr Fabrication of film heads with high moment materials
JPH06200364A (ja) 磁性多層膜および磁気抵抗効果素子
JP4286792B2 (ja) 磁気ヘッド
WO2005027100A1 (ja) アモルファス軟磁性膜を有する垂直磁気記録媒体
JP2000020926A (ja) 磁気抵抗効果ヘッド

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080121

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20090610