JP2005347688A - 磁気デバイス用磁性膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 磁気デバイス用磁性膜であって、強磁性膜11と,パラジウム膜12またはパラジウムを含む合金膜とが交互に積層され、前記パラジウム膜12またはパラジウムを含む合金膜の各層の層厚が0.05nm乃至0.28nmに設定された多層膜であって、該多層膜がスパッタ法または蒸着法により形成されてなることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
コイルが発生できる誘導磁界の強さを一定とすると、書き込み磁界を強めるには前記磁極の飽和磁化を高めるか、前記誘導磁界を効率的に収束させるようなヘッド構造を実現する以外に方法はない。
本発明者は、Fe-Co-Pd膜についての組成を検討し、また、Fe-Co/Pd多層膜の膜構造を検討することにより本発明をなしたものであり、本発明は、飽和磁化が2.5T以上という、従来のFe70Co30合金が有する飽和磁化を超えるとともに、実用に耐える磁極材料を提供するものである。
すなわち、本発明に係る第一の磁気デバイス用磁性膜は、鉄とコバルトとパラジウムとからなり、前記パラジウムのモル含有率が1%乃至7%に設定された合金膜であって、該合金膜が、スパッタ法により形成されてなることを特徴とするものである。
また、前記モル含有率に設定された鉄とコバルトとパラジウムとからなる合金をターゲットとし、スパッタ法により形成することにより、合金膜中におけるパラジウムのモル含有率を上記比率に正確に調製することができ、2.45Tを超える高飽和磁化Bsを有する磁気デバイス用磁性膜を確実に得ることが可能となる。
また、前記多層膜に前記強磁性膜が少なくとも2層以上含まれていることを特徴とし、前記強磁性膜は、鉄−コバルトまたは鉄−コバルトを含む合金からなり,鉄とコバルトの含有モル量の比(CFe/CCo)が0.667乃至9.0であることを特徴とする。
また、前記強磁性膜の一層当りの層厚が、2.3nm以下であることにより、2.45T以上の飽和磁化を有する磁気デバイス用磁性膜が得られる。
図1は、本発明に係る第一の磁気デバイス用磁性膜の例として、Fe70Co30へのPdの添加量を変えたターゲットを用意し、スパッタ条件1000W、0.4Pa、スパッタ膜厚50nmとして成膜したスパッタ膜について飽和磁化Bsを測定した結果を示す。図1に示す測定結果は、Pdが含有されていない場合のスパッタ膜の飽和磁化Bsが2.45Tであるのに対し、Pdを3%添加したスパッタ膜では2.55Tを示し、Pdが7%以上のスパッタ膜については飽和磁化Bsは2.45Tを下回ることを示す。
図3は、鉄−コバルトからなる強磁性膜11とパラジウム膜12とを交互に25層ずつ積層した磁気デバイス用磁性膜10について、パラジウム膜12の厚さを変えた多層膜についてその飽和磁化Bsを測定した結果を示す。この測定結果から、パラジウム膜12の厚さが0.05nm乃至0.28nmの場合に飽和磁化Bsが2.45Tを超えることがわかる。
RhPd合金などが使用できる。FeCo層をこれらの合金膜と多層化した場合でも、パラジウムを含む合金膜の膜厚を0.05nm乃至0.28nmとすることで高飽和磁化が得られる。
とくに、本発明に係る多層膜に形成する磁気デバイス用磁性膜では、原理的にパラジウム膜あるいはパラジウム合金膜と強磁性膜との界面が非常に急峻に形成されることが求められるが、スパッタ法または蒸着法はこのような界面を形成するのに適している。
図5は、ハードディスクドライブ用磁気ヘッド30の構成例を示す。図示した磁気ヘッド30は面内記録用として構成された例で、記録ヘッド部20として下部磁極21と上部磁極22とを備え、コア部22aに鎖交するようにコイル24が配置されている。
本発明に係る磁気デバイス用磁性膜は、この記録ヘッド部20を構成する下部磁極21を、上述した鉄−コバルトからなる強磁性膜11とパラジウム膜12とを交互に積層した多層膜によって形成することができる。
多層膜によって形成した磁気デバイス用磁性膜の場合は、下部磁極21として所要の厚さとなるように強磁性膜11とパラジウム膜12あるいはパラジウム合金膜の積層数を設定すればよい。
11 強磁性膜
12 パラジウム膜
20 記録ヘッド部
21 下部磁極
22 上部磁極
22a コア部
24 コイル
26 記録媒体
30 磁気ヘッド
40、41 固体デバイス
43 量子細線
45 量子ドット
Claims (8)
- 鉄とコバルトとパラジウムとからなり、前記パラジウムのモル含有率が1%乃至7%に設定された合金膜であって、
該合金膜が、スパッタ法により形成されてなることを特徴とする磁気デバイス用磁性膜。 - 前記モル含有率に設定された鉄とコバルトとパラジウムとからなる合金をターゲットとし、スパッタ法により形成されたことを特徴とする請求項1記載の磁気デバイス用磁性膜。
- 強磁性膜と,パラジウム膜またはパラジウムを含む合金膜とが交互に積層され、前記パラジウム膜またはパラジウムを含む合金膜の各層の層厚が0.05nm乃至0.28nmに設定された多層膜であって、
該多層膜がスパッタ法または蒸着法により形成されてなることを特徴とする磁気デバイス用磁性膜。 - 前記多層膜に前記強磁性膜が少なくとも2層以上含まれていることを特徴とする請求項3記載の磁気デバイス用磁性膜。
- 前記強磁性膜は、鉄−コバルトまたは鉄−コバルトを含む合金からなり,鉄とコバルトの含有モル量の比(CFe/CCo)が0.667乃至9.0であることを特徴とする請求項3または4記載の磁気デバイス用磁性膜。
- 前記強磁性膜の一層当りの層厚が、2.3nm以下であることを特徴とする請求項5記載の磁気デバイス用磁性膜。
- 請求項1〜6のいずれか一項記載の磁気デバイス用磁性膜を用いたハードディスクドライブ用磁気ヘッド 。
- 請求項1〜6のいずれか一項記載の磁気デバイス用磁性膜を用いた固体デバイス。
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