KR100748198B1 - 자기 디바이스용 자성막, 하드디스크 드라이브용 자기헤드, 및 고체 디바이스 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포화자화가 2.46 테슬러 이상의 높은 포화자화를 구비하는 자극 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이에 따라 자기 헤드에 의한 기록 매체에의 기록 밀도를 향상시키고, 각종 고체 디바이스에의 응용 이용을 가능하게 한다.
강자성막(11)과, 팔라듐막(12) 또는 팔라듐을 함유하는 합금막이 교대로 적층된 다층막(10)으로서, 상기 팔라듐막(12) 또는 팔라듐을 함유하는 합금막은 주된 결정 구조가 체심 방위 구조이며, 상기 다층막(10)은 드라이 프로세스법에 의해 형성되어 이루어진다.
Description
도 1은 다층막으로서 형성된 자기 디바이스용 자성막의 막 구성을 도시하는 설명도.
도 2는 강자성막 팔라듐막을 교대로 적층한 자기 디바이스용 자성막에 관해서, 팔라듐막의 두께를 바꿔 다층막의 포화자화를 측정한 결과를 도시하는 그래프.
도 3은 강자성막 팔라듐막을 교대로 적층한 자기 디바이스용 자성막에 관해서, 강자성막의 막 두께를 바꿔 포화자화를 측정한 결과를 도시하는 그래프.
도 4는 강자성막 팔라듐막을 교대로 적층한 자기 디바이스용 자성막에 관해서, 로듐막의 두께를 바꿔 다층막의 포화자화를 측정한 결과를 도시하는 그래프.
도 5는 자기 디바이스용 자성막을 사용하는 자기 헤드의 구성을 도시하는 설명도.
도 6은 고체 디바이스의 구성예를 도시하는 설명도.
도 7은 고체 디바이스 외의 구성에를 도시하는 설명도.
본 발명은 포화자화가 높은 자기 디바이스용 자성막, 및 이를 이용한 하드디스크 드라이브용 자기 헤드 및 고체 디바이스에 관한 것이다.
하드디스크 드라이브의 기록 밀도를 향상시키기 위해서는, 기록 헤드가 발생하는 자계를 보다 강하게 해야 한다. 현재 사용되고 있는 기록 헤드는 대부분이 강자성체를 자극(코어)으로 하고, 그것을 둘러싸듯이 감긴 코일에 전류를 흘려 유도 자계를 발생시키며, 이 유도 자계를 상기 자극 내에 수속시킴으로써 강한 기록 자계를 한 방향으로 방출시키도록 구성되어 있다.
코일을 발생할 수 있는 유도 자계의 강도를 일정하게 하면, 기록 자계를 강화하기 위해서는 상기 자극의 포화자화를 높이거나, 상기 유도 자계를 효율적으로 수속시키는 헤드 구조를 실현하는 것 이외의 방법은 없다.
이러한 목적에 맞는 높은 포화자화 재료로서 지금까지 제안되었던 것은 니켈-철 합금(퍼멀로이), 철-알루미늄-실리콘(규소) 합금(센더스트), Fe-Co-Si-B 등의 비정질 합금, 코발트-니켈-철 합금, 코발트-철 합금 등이다.
하드디스크 드라이브용의 기록 헤드가 실용화된 당초에는, 자극 재료로서 Ni-Zn 페라이트가 이용되었다. 이것은 자기 기록 매체라고 하면 자기 테이프밖에 없었던 시대의 것으로, 내마모성이나 내식성이 좋고, 저항율이 높으며, 과전류 손해가 발생하지 않는 등의 이점이 있기 때문에 사용되었었다. 그러나, Ni-Zn 페라이트는 자극 재료로서는 포화자화가 0.4 T(T는 테슬러. 이하 동일)로 작다는 결점이 있었다.
한편, 당시는 기계 가공으로 자극을 제작하였었지만, 헤드의 사이즈가 작아짐에 따라 기계 가공이 곤란해지고, 포토리소그래피의 기술을 쓸 수 있는 퍼멀로이 등의 금속 재료로 대신할 수 있게 되었다. 퍼멀로이는 19세기부터 사용되었던 연자성 재료로, 비교적 내식성이 좋고 페라이트보다도 포화자화가 크기 때문에 페라이트에 계속되는 자극 재료로 사용되었지만, 포화자화가 1.0 T로, 이윽고 기록 자계가 모자라게 되어 한층 더 높은 포화자화의 재료에 서서히 시프트되어 갔다.
현재, 자극 재료로서는 단체로 최대의 포화자화 2.45 T를 갖는 것으로 알려진 Fe70Co30 합금이 주로 이용되고 있다. 지금까지 Fe70Co30 합금을 넘는 포화자화를 갖는 재료는 발견되고 있지 않다. 예외로서, 철-질소 화합물의 Fe16N2 막이 2.8∼3.0 T의 포화자화를 갖는다는 실험 데이터가 보고된 예는 있지만(비 특허 문헌 1), 현재로서 이 값은 의문으로 보고 있고, 크더라도 2.4 T가 타당한 값이라고 되어 있다(비 특허 문헌 2). 이 값은 Fe70Co30 합금의 포화자화 2.45 T보다 작다.
또한, 본 발명에 관한 자기 디바이스용 자성막에 의한 것과 유사한 실험 데이터로서, Pd 안에 Fe를 분산한 희박 합금, Fe/Pd 다층막, FeCo/Pd 다층막에서, Fe 또는 FeCo의 1 원자 당 포화 자기 모멘트가 최대 10 μB로까지 증대되어 있다는 보고가 있다(단체의 Fe의 1 원자 당 포화 자기 모멘트는 2.2 μB, Fe70Co30은 2.46 μB). 이것은 Fe 원자와 Pd 원자 사이의 계면에서 자기 모멘트가 증대하는 현상에 따른다고 설명되어 있다. 그러나, 지금까지 보고된 실험 데이터로는 전체를 Fe-Pd 합금(또는 Fe-Co-Pd 합금)으로 간주한 경우에 Pd의 함유율이 Fe의 함유율보다 훨씬 많게 설정되어 있기 때문에, 전체로서는 포화자화의 값이 매우 작아져 버리고, 자극 재료로 이용하기 위해서는 실용성에 부족했었다. 또한, 어떤 경우도 높은 포화자화가 관측된 것은 액체 헬륨의 기화 온도인 4.2 K 전후이며, 실온으로 포화 자기 모멘트가 증대하였다는 보고예는 없다.
또한, 본원 출원인이 2004년에 출원한 특허 문헌 1에는 Fe와 Co와 Pd를 포함하는 합금막이 적절한 조성 범위에서, 상기 Fe70Co30을 웃도는 포화자화를 갖는 것이 나타나있다. 이것은 Pd가 Fe와 합금화됨으로써, Fe 원자가 갖는 자기 모멘트가 여기되어 전체의 포화자화를 높이기 때문이라고 설명되어 있다.
[비 특허 문헌 1] M.Komuro et al., Journal of Applied Physics, vol.67, No.9, pp.5126(1990)
[비 특허 문헌 2] M.Takahashi et al., Journal of Applied Physics, vol.79, No.8, pp.5546(1996)
[비 특허 문헌 3] Physical Review, vol.125, No.2, pp.541(1962)
[비 특허 문헌 4] Journal of Applied Physics, vol.77, No.8, pp.3965(1995)
[비 특허 문헌 5] IEEE Transactions on Magnetism, vol.28, No.5, pp.2766(1992)
[비 특허 문헌 6] Journal of Applied Physics, vol.92, No.5, pp.2634(2002)
[특허 문헌 1] 특허 출원 2004-168502호
하드디스크 드라이브의 기록 밀도의 향상에는 기록 헤드에 높은 포화 자극 재료를 사용하는 것이 효율적이다. 그러나 전술한 바와 같이, 종래 실용되고 있는 최고의 포화자화를 갖는 자극 재료는 포화자화 2.45 T를 갖는 Fe70Co30 합금으로서, 이 이상의 포화자화를 갖는 재료는 없다.
본 발명자는 Fe-Co-Pd 막에 관한 조성을 검토하는 동시에, 특허 문헌 1에 나타난 방법을 발전시킴으로써 본 발명을 이룬 것이며, 본 발명은 포화자화가 2.46 T 이상이라는 종래의 Fe70Co30 합금이 갖는 포화자화를 넘는 동시에, 실용에 견디는 자극 재료를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 과제를 달성하기 위해 다음의 구성을 구비한다.
즉, 본 발명에 관한 자기 디바이스용 자성막은 강자성막과, 팔라듐막 또는 팔라듐을 함유하는 합금막이 교대로 적층된 다층막으로서, 상기 팔라듐막 또는 팔라듐을 함유하는 합금막의 각 층의 층 두께가 0.05 nm 이상이며, 이 다층막이 드라이 프로세스법에 의해 형성되어 이루어진다. 또한 강자성막과, 팔라듐막 또는 팔라듐을 함유하는 합금막이 교대로 적층된 다층막으로서, 상기 팔라듐막 또는 팔라듐을 함유하는 합금막은 주된 결정 구조가 체심 방위 구조이며, 이 다층막이 드라이 프로세스법에 의해 형성되어 이루어진다. 또한 강자성막과, 팔라듐막 또는 팔라듐 을 함유하는 합금막이 교대로 적층된 다층막으로서, 상기 강자성막의 포화자화가 2.46 테슬러 이상이며, 이 다층막이 드라이 프로세스법에 의해 형성되어 이루어진다. 또한, 강자성막과, 로듐막 또는 로듐을 함유하는 합금막이 교대로 적층된 다층막으로서, 상기 로듐막 또는 로듐을 함유하는 합금막의 각 층의 층 두께가 0.1 nm 내지 0.4 nm 이며, 이 다층막이 드라이 프로세스법에 의해 형성되어 이루어진다. 또한, 강자성막과 합금막이 교대로 적층된 다층막으로서, 상기 합금막은 티탄, 바나듐, 크롬, 망간, 니켈, 동, 지르코늄, 니오브, 몰리브덴, 루테늄, 은, 하프늄, 탄탈, 텅스텐, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금 및 금으로부터 선택되는 한 종류 이상의 원소를 함유하고 있고, 이 층 막이 드라이 프로세스법에 의해 형성되어 이루어진다.
또한, 상기 합금막 또는 상기 다층막이 체심 방위 구조의 결정 구조를 갖는 하지층 위에 형성되어 이루어진다.
또한, 상기 하지층이 체심 입방 구조를 갖는 크롬, 바나듐, 몰리브덴, 니오브, 텅스텐, 니켈, 또는 이들 중 적어도 2 종류를 함유하는 합금 또는 이 합금에 티탄 또는 니켈을 첨가한 합금으로 이루어진다.
또한, 상기 합금막은 철-코발트 또는 철-코발트를 함유하는 합금으로 이루어지고, 철과 코발트의 함유 몰량의 비(CFe/CCo)가 0.667 내지 9.0이다.
또한, 상기 강자성막은 철-코발트와, 팔라듐, 로듐 또는 백금을 함유하는 합금이다.
또한, 상기 다층막은 드라이 프로세스법, 즉 스퍼터법, 진공 증착법, 화학 기상 성장법 중 어느 하나를 이용하여 형성된다.
또한, 본 발명에 관한 하드디스크 드라이브용 자기 헤드는 강자성막과, 로듐막 또는 로듐을 함유하는 합금막이 교대로 적층된 다층막으로서, 상기 로듐막 또는 로듐을 함유하는 합금막의 각 층의 층 두께가 0.1 nm 내지 0.4 nm이며, 이 다층막이 드라이 프로세스법에 의해 형성되어 이루어지는 자기 디바이스용 자성막을 이용한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관한 고체 디바이스는 강자성막과, 로듐막 또는 로듐을 함유하는 합금막이 교대로 적층된 다층막으로서, 상기 로듐막 또는 로듐을 함유하는 합금막의 각 층의 층 두께가 0.1 nm 내지 0.4 nm이며, 이 다층막이 드라이 프로세스법에 의해 형성되어 이루어지는 자기 디바이스용 자성막을 이용한 것을 특징으로 한다.
(실시예)
이하, 본 발명에 관한 자기 디바이스용 자성막, 및 이를 이용한 하드디스크 드라이브용 자기 헤드 및 고체 디바이스의 실시예에 관해서 설명한다.
도 1은 본 실시예에 관한 자기 디바이스용 자성막(10)을 도시한 것이다. 자기 디바이스용 자성막(10)은 강자성막으로서 철-코발트로 이루어지는 강자성막(11)과 팔라듐막(12)이 교대로 적층된 다층막이다. 도 1의 막은 스퍼터법에 의하면 동일 진공조 내에서 FeCo 및 pd의 타겟을 교대로 방전시킴으로써 형성된다.
또한, 자기 디바이스용 자성막(10)을 구성하는 다층막은 막 안의 주된 결정 구조가 체심 방위 구조로 되어 있다.
또한, 체심 방위 구조의 결정 성장을 재촉하기 위해 적절한 결정 구조를 갖는 하지층 위에 FeCo/Pd의 막을 형성하는 것이 높은 포화자화를 실현한 후에 매우 효율적이다. 재료로서는 체심 입방 구조를 갖는 크롬, 바나듐, 몰리브덴, 니오브, 텅스텐 및 이들 합금이 FeCoPd 막의 하지층으로서 효율적인 것을 알 수 있다. 또한 FeCoPd 막과의 결정 격자의 미스매치를 완화할 목적으로, 이들 하지층에 티탄이나 니켈을 첨가하는 것도 좋고, 적절한 조성비의 크롬-니켈 합금이 특히 효과적인 것을 알 수 있다.
자기 디바이스용 자성막(10)을 구성하는 다층막에서, FeCo 층 두께를 1.7 nm로 고정하고 pd 층을 0 내지 0.28 nm까지 변화시켰을 때의 포화자화(Bs)를 측정한 결과를 도 2에 도시한다. 도 2에 도시하는 측정 결과는 pd와 다층화되어 있지 않은 경우의 FeCo 막의 포화자화(Bs)가 2.41 T인데 데하여, 0.14 nm 두께의 pd와 다층화한 막에서는 2.52 T를 나타낸다.
또한, pd 층 두께를 고정하고 FeCo 층 두께를 1.7 내지 7.2 nm까지 변화시킨 상기 다층막의 포화자화(Bs)를 측정한 결과를 도 3에 도시한다. 도 3에 도시하는 측정 결과는 pd와 다층화되어 있지 않은 경우의 FeCo 막의 포화자화(Bs)가 2.41 T인데 데하여, 0.14 nm 두게의 pd와 4.9 nm의 FeCo를 다층화한 막에서는 2.741 T를 나타낸다.
FeCo/pd 막에서의 이러한 포화자화(Bs)의 증대는 pd 안에 Fe를 분산한 희박 합금으로 일어나고 있는 포화 자기 모멘트(μB)의 증대만으로는 설명할 수 없다. 이 자기 디바이스용 자성막에서는 Pd가 FeCo의 결정 격자를 넓힘으로써 전자 상태가 변화하고 있는 결과로 추정된다.
또한, pd 이외의 금속 또는 합금막에서도 같은 포화자화의 증대를 얻을 수 있다. 도 4는 FeCo/Rh의 다층막에서, FeCo 층 두께를 1.7 nm로 고정하고 Rh 층 두께를 0 내지 0.49 nm까지 변화시킨 다층막의 포화자화(Bs)를 도시한 것이다. 도 4에 도시하는 측정 결과는 Rh와 다층화되어 있지 않은 경우의 FeCo 막의 포화자화(Bs)가 2.44 T인 것에 대하여, Rh 층 두께가 0.1 내지 0.4 nm의 범위에서 포화자화가 증대되고 있는 것을 도시하고 있다. 특히 Rh 두께가 0.35 nm에서 2.7 T의 포화자화를 얻을 수 있다.
상기의 결과는 Pd와 마찬가지로 Rh가 다층화에 따라 FeCo 층의 결정 구조를 변화시킴으로써 일어난다고 생각된다. 이 때문에, FeCo와 결정 구조 또는 결정 격자의 길이가 다른 금속 또는 합금과 FeCo를 다층화함으로써 포화자화가 증대하는 조합이 존재한다. 상기의 금속 또는 합금으로서는 티탄, 바나듐, 크롬, 망간, 니켈, 동, 지르코늄, 니오브, 몰리브덴, 루테늄, 은, 하프늄, 탄탈, 텅스텐, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금 및 금으로부터 선택되는 한 종류 이상의 원소를 함유한 재료가 적합하다.
본 발명에 이러한 자성막의 형성법으로서 적합한 것은 드라이 프로세스법이 다. 이것에는 상기 스퍼터법 외, 진공 증착법, 화학 기상 성장법, 또는 이들에 상당하는 방법이 포함된다.
스퍼터법에 의하면 팔라듐막 또는 팔라듐 합금막, 또는 강자성막을 반복하여 적층할 때에 0.05 nm 내지 0.28 nm라고 하는 상당히 얇은 막 두께라도 정밀도 좋게 제어하는 것이 가능하기 때문이다. 특히, 본 발명에 관한 다층막에 형성하는 자기 디바이스용 자성막에서는 원리적으로 팔라듐막 또는 팔라듐 합금막과 강자성막의 자계가 상당히 가파르게 형성되는 것이 요구되지만, 스퍼터법은 이러한 계면을 형성하는 것에 적합하다.
또한 진공 증착법으로도 상당히 얇은 막 두께를 제어하는 것이 가능하다.
또한 화학 기상 성장법으로도 반응 챔버 내의 압력을 낮춤으로써 상당히 얇은 층 막을 제어할 수 있다.
또한, 하드디스크 드라이브용 기록 헤드의 자극에 사용되는 자성막의 작성에는 현재 주로 도금법이 사용되고 있지만, 본 발명에 관한 자성막의 형성법으로서 도금법은 부적합하다. 도금법은 막의 성장 속도가 빠르면서, 습식이기 때문에 이러한 매우 얇은 층끼리를 반복하여 적층하는 것은 부적합하다. 특히, 막 재료의 전환으로 도금욕을 교체할 때에 이미 막으로서 분석된 합금이 재차 욕 중에 녹아드는 경우가 있어, 본래 계면에서 있어서는 안 되는 혼합층을 형성해 버리기 때문에, 본 발명에서 얻은 포화자화의 증대 효과가 약해질 수 있다.
이상 설명한 자기 디바이스용 자성막은 높은 포화자화를 갖기 때문에, 하드디스크 드라이브용 자기 헤드 또는 고체 디바이스 등에 적합하게 이용할 수 있다.
도 5는 하드디스크 드라이브용 자기 헤드(30)의 구성예를 도시한다. 도시한 자기 헤드(30)는 면내 기록용으로서 구성된 예로, 기록 헤드부(20)로서 하부 자극(21)과 상부 자극(22)을 구비하고, 코어부(22a)에 쇄교하도록 코일(24)이 배치되어 있다.
이 기록 헤드부(20)를 구성하는 하부 자극(21)에 전술한 Fe70Co30/Pd의 다층막을 스퍼터법에 의해 형성함으로써, 하부 자극(21)에 본 발명에 관한 자기 디바이스용 자성막(10)을 형성할 수 있다.
본 발명에 관한 자기 디바이스용 자성막은 고어 자극 재료로서 종래, 주류로서 사용되고 있는 Fe70Co30 합금보다 우수한 2.45 T 이상의 포화자화를 갖기 때문에, 하부 자극(21)으로 사용함으로써 효과적으로 기록 자계 강도를 향상시킬 수 있고, 기록 매체(26)에 대한 기록 밀도를 향상시키는 것이 가능하다.
물론, 본 발명에 관한 자기 디바이스용 자성막은 자기 헤드(30)의 하부 자극(21)으로 사용하는 것 외, 상부 자극(22)을 구성하는 자극 재료로서 사용할 수 있다.
도 6, 7은 본 발명에 관한 다층막 구조의 자기 디바이스용 자성막을 고체 디바이스로서 사용한 예를 도시한다. 즉, 도 6은 팔라듐으로 이루어지는 기체부(42)에 세선형으로 형성된 철-코발트로 이루어지는 양자 세선(43)을 소정 간격을 두고 정열시켜 배치한 고체 디바이스(40)이다. 도 7은 팔라듐으로 이루어지는 기체부(42)에 도트형으로 형성한 철-코발트로 이루어지는 양자 도트(45)를 서로 소정 간 격을 두고 배열한 고체 디바이스(41)를 도시한다. 이들 고체 디바이스(40, 41)는 팔라듐층과 철-코발트로 이루어지는 강자성층을 교대로, 마스크를 이용하여 스퍼터 또는 증착함으로써 제작할 수 있다.
도 6, 7에 도시하는 고체 디바이스(40, 41)는 자기 기록용 디바이스로서 이용하는 것이 가능하고, 특히 전술한 다층막으로서 형성한 자기 디바이스용 자성막(10)의 구성을 구비하며, 매우 큰 포화자화를 구비하기 때문에, 정보의 고밀도 기록용으로서 효율적으로 이용하는 것이 가능하게 된다. 특히 도 7에 도시하는 고체 디바이스(41)와 같은 도트 구조가 될수록 자성체 단위 체적 당 포화자화가 증대하는 것으로 생각된다.
본 발명에 관한 자기 디바이스용 자성막은 자극 재료로서 종래 가장 큰 포화자화로서 2.45 T를 갖는 Fe70Co30 합금보다 더 큰 포화자화를 갖는 자성막으로 제공할 수 있다. 이에 따라, 고밀도 기록을 가능하게 하는 하드디스크 드라이브용 자기 헤드, 또한 고밀도 기록이 가능한 고체 디바이스에 응용 이용하는 것이 가능해진다.
Claims (17)
- 삭제
- 강자성막과, 팔라듐막 또는 팔라듐을 함유하는 합금막이 교대로 적층된 다층막으로서, 상기 팔라듐막 또는 팔라듐을 함유하는 합금막은 주된 결정 구조가 체심 입방 구조이며, 이 다층막은 드라이 프로세스법에 의해 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 디바이스용 자성막.
- 제2항에 있어서, 상기 다층막은 체심 방위 구조의 결정 구조를 갖는 하지층 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 디바이스용 자성막.
- 제3항에 있어서, 상기 하지층은 체심 입방 구조를 갖는 크롬, 바나듐, 몰리브덴, 니오브, 텅스텐, 니켈, 또는 이들 중 적어도 2 종류를 함유하는 합금 또는 이 합금에 티탄 또는 니켈을 첨가한 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 디바이스용 자성막.
- 삭제
- 강자성막과, 로듐막 또는 로듐을 함유하는 합금막이 교대로 적층된 다층막으로서, 상기 로듐막 또는 로듐을 함유하는 합금막의 각 층의 층 두께는 0.1 nm 내지 0.4 nm이며, 이 다층막은 드라이 프로세스법에 의해 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 디바이스용 자성막.
- 강자성막과, 합금막이 교대로 적층된 다층막으로서, 상기 합금막은 티탄, 바나듐, 크롬, 망간, 니켈, 동, 지르코늄, 니오브, 몰리브덴, 루테늄, 은, 하프늄, 탄탈, 텅스텐, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 및 금으로부터 선택되는 한 종류 이상의 원소를 함유하고 있고, 이 다층막은 드라이 프로세스법에 의해 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 디바이스용 자성막.
- 제6항에 있어서, 상기 다층막의 주된 결정 구조는 체심 입방 구조인 것을 특징으로 하는 자기 디바이스용 자성막.
- 제8항에 있어서, 상기 다층막은 체심 방위 구조의 결정 구조를 갖는 하지층 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 디바이스용 자성막.
- 제9항에 있어서, 상기 하지층은 체심 입방 구조를 갖는 크롬, 바나듐, 몰리브덴, 니오브, 텅스텐, 니켈 또는 이들 중 적어도 2 종류를 함유하는 합금 또는 이 합금에 티탄 또는 니켈을 첨가한 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 디바이스용 자성막.
- 제6항에 있어서, 상기 강자성막은 철- 코발트 또는 철-코발트를 함유하는 합금으로 이루어지고, 철과 코발트의 함유 몰량의 비(CFe/CCo)는 0.667 내지 9.0인 것을 특징으로 하는 자기 디바이스용 자성막.
- 제11항에 있어서, 상기 강자성막은 철-코발트와, 팔라듐, 로듐 또는 백금을 함유하는 합금인 것을 특징으로 하는 자기 디바이스용 자성막.
- 제6항에 있어서, 상기 드라이 프로세스법으로서 스퍼터법을 이용하는 것을 특징으로 하는 자기 디바이스용 자성막.
- 제6항에 있어서, 상기 드라이 프로세스법으로서 진공 증착법을 이용하는 것을 특징으로 하는 자기 디바이스용 자성막.
- 제6항에 있어서, 상기 드라이 프로세스법으로서 화학 기상 성장법을 이용하는 것을 특징으로 하는 자기 디바이스용 자성막.
- 강자성막과, 로듐막 또는 로듐을 함유하는 합금막이 교대로 적층된 다층막으로서, 상기 로듐막 또는 로듐을 함유하는 합금막의 각 층의 층 두께는 0.1 nm 내지 0.4 nm이며, 이 다층막은 드라이 프로세스법에 의해 형성되어 이루어지는 자기 디바이스용 자성막을 이용한 하드디스크 드라이브용 자기 헤드.
- 강자성막과, 로듐막 또는 로듐을 함유하는 합금막이 교대로 적층된 다층막으로서, 상기 로듐막 또는 로듐을 함유하는 합금막의 각 층의 층 두께는 0.1 nm 내지 0.4 nm이며, 이 다층막은 드라이 프로세스법에 의해 형성되어 이루어지는 자기 디바이스용 자성막을 이용한 고체 디바이스.
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