JPH0532808B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は垂直磁気記録媒体に係り、特に記録再
生出力を増大し得る垂直磁気記録媒体に関する。

従来の技術 一般に、磁気ヘツドにより磁気記録媒体に記
録、再生を行なうには、磁気ヘツドにより磁気記
録媒体の磁性層にその媒体長手方向（面内方向）
の磁化を行なわせて記録し、これを再生するもの
が汎用されている。しかるに、これによれば記録
が高密度になるに従つて減磁界が大きくなり減磁
作用が高密度記録に悪影響を及ぼすことが知られ
ている。そこで近年上記悪影響を解消するものと
して、磁気記録媒体の磁性層に垂直方向に磁化を
行なう垂直磁気記録方式が提案されている。これ
によれば記録密度を向上させるに従い減磁界が小
さくなり理論的には残留磁化の減少がない良好な
高密度記録を行なうことができる。

従来この垂直磁気記録方式に用いる垂直磁気記
録媒体としては、ベースフイルム上にCo−Cr膜
をスパツタリングにより被膜形成したものがあつ
た。周知の如く、Co−Cr膜は比較的高い飽和磁
化（Ms）を有し、かつ膜面に対し垂直な磁化容
易軸を持つ（すなわち膜面に対し垂直方向の抗磁
力Hc⊥が大である）ため垂直磁気記録媒体とし
ては極めて有望な材質であることが知られてい
る。しかるにCo−Cr膜はその磁化容易軸がCrの
添加によりCoの磁化容易軸（最密六方晶のＣ軸）
が垂直に近い配向を有しているものの十分には垂
直方向に配向しておらず強い垂直磁気異方性を得
ることができなかつた。このため従来、Co−Cr
にニオブ（Nb）及びタンタル（Ta）等の第三元
素を添加することによりCoの磁化容易軸を垂直
方向に強く配向させた構成の垂直磁気記録媒体が
あつた。またCo−Cr膜とベースフイルムとの間
に、いわゆる裏打ち層である高透磁率層（すなわ
ち抗磁力Hcが小なる層。例えばNi−Fe）を別個
形成して二層構造とし高透磁率層内で広がつてい
る磁束を所定磁気記録位置にて磁気ヘツドの磁極
に向け集中させて吸い込ませることにより分布が
鋭くかつ強い垂直磁化を行ない得る構成の垂直磁
気記録媒体があつた。

発明が解決しようとする問題点 上記従来の垂直磁気記録媒体では、Coの磁化
容易軸を強く垂直方向へ配向させるために、Co
にCr及びNb、Ta等を添加していた。しかるに
Cr及びNb、Taの添加によりCoの磁化容易軸は
強く垂直方向へ配向するものの、強磁性体である
Coに非磁性体であるCr及びNb、Taを添加する
ことにより垂直磁気記録媒体としての飽和磁化
Msが低下してしまい高い再生出力を得ることが
できないという問題点があつた。またCo−Cr膜
に加え高透磁率層を裏打ち層として形成された二
層構造の垂直磁気記録媒体の場合、Co−Cr膜の
抗磁力Hc（700Oe以上）に対して高透磁率層の抗
磁力Hcは極めて小（10Oe以下）となつていたた
め、衝撃性のバルクハウゼンノイズが発生すると
いう問題点があつた。これに加えて、このバルク
ハウゼンノイズを防止するには少なくとも10Oe
以上の抗磁力を有することが必要となるが、この
条件を満たしかつ裏打ち層としての機能を有する
適当な素材が無いという問題点もあつた。

そこで本発明では、コバルト、クロムにニオブ
及びタンタルのうち少なくとも一方を加えてなる
磁性材をコーテイングした際、磁性層が抗磁力の
異なる二層に分かれて形成されることに注目し、
この二層の内抗磁力の小なる小粒径結晶層を垂直
磁気記録に積極的に利用することにより上記問題
点を解決した垂直磁気記録媒体を提供することを
目的とする。

問題点を解決するための手段及び作用 上記問題点を解決するために本発明では、コバ
ルト及びクロムに、ニオブ及びタンタルのうち少
なくとも一方を添加してなる磁性材によりベース
上に低抗磁力の、原点近傍で急激に立ち上がる曲
線で表わされる面内Ｍ−Ｈヒステリシス特性を有
する層を形成すると共に、該層上にコバルト及び
クロムよりなる磁性材により垂直磁化層を形成し
た。

上記各手段を構ずることにより、垂直磁化され
る大粒径結晶層は高い飽和磁化Msを維持し得、
かつ低い抗磁力を有する小粒径結晶層はいわゆる
裏打ち層としての機能を奏する。

実施例 本発明になる垂直磁気記録媒体（以下単に記録
媒体という）は、まずベースとなるポリイミド基
板上にコバルト（Co）、クロム（Cr）にニオブ
（Nb）及びタンタル（Ta）のうち少なくとも一
方を加えた磁性材をターゲツトとしてスパツタリ
ングし、続いてその上にCo、Crよりなる磁性材
をターゲツトとしてスパツタリングすることによ
り得られる。

従来より金属等（例えばCo−Cr合金）をベー
ス上にスパツタリングした際、被膜形成された薄
膜はその膜面に垂直方向に対して同一結晶構造を
形成するのではなく、ベース近傍の極めて薄い部
分にまず小粒径の第一の結晶層を形成し、その上
部に続いて大粒径の第二の結晶層が形成されるこ
とが各種の実験（例えば走査型電子顕微鏡による
写真撮影）により明らかになつてきている
（Edward R.Wuori and Professor J.H.Judy：
“INITIAL LAYER EFFECT IN CO−CR
FILMS”、IEEE Trans.、VOL.MAG−20、No.
５、SEPTEMBER 1984、P774〜P775または
William G.Haines：“VSM PROFILING OF
CoCr FILMS：Ａ NEW ANALYTICAL
TECHNIQUE”IEEE Trans.、VOL、MAG−
20、No.５、SEPTEMBER 1984、P812〜P814）。

本発明者は上記観点に注目しCo−Cr合金を基
とし、またこれに第三元素を添加した金属を各種
スパツタリングし、形成される小粒径の結晶層と
その上部に形成された大粒径の結晶層との物理的
性質を測定した結果、第三元素としてNbまたは
Taを添加した場合、小粒径結晶層の抗磁力が大
粒径結晶層よりも非常に小でありかつ垂直方向と
面内方向の抗磁力には極端な差が生じてないこと
がわかつた。本発明ではこの低抗磁力を有する小
粒径結晶層を等方性層として用い、この等方性層
上に飽和磁化Msの大なるCo−Cr膜を形成し、こ
れを垂直磁化層として用いることを特徴とする。

以下本発明者が行なつたスパツタリングにより
形成されたCo、Cr、Nb及びTaのうち少なくと
も一方を添加してなる磁性材の小粒径結晶層と、
大粒径結晶層の抗磁力を測定した実験結果を詳述
する。Co−Cr薄膜、Co−Cr−Nb薄膜及びCo−
Cr−Ta薄膜をスパツタリングするに際し、スパ
ツタリング条件は下記の如く設定した（Nbまた
はTaを添加した各場合においてスパツタリング
条件は共に等しく設定した）。

＊スパツタ装置 RFマグネトロンスパツタ装置 ＊スパツタリング方法 連続スパツタリング。予め予備排気圧１×
×10^-6Torrまで排気した後Arガスを導入
し１×10^-3Torrとした ＊ベース ポリイミド（厚さ20μm） ＊ターゲツト Co−Cr合金を使用し、Nb及びTaの添加
は正方形状のNb板及びTa板を所要枚数
Co−Cr合金上に配置することにより行な
つた ＊ターゲツト基板間距離 110mm なお薄膜の磁気特性は振動試料型磁力計（理研
電子製、以下VSMと略称する）にて、薄膜の組
成はエネルギー分散型マイクロアナライザ
（KEVEX社製、以下EDXと略称する）にて、ま
た結晶配向性はＸ線回折装置（理学電機製）にて
夫々測定した。

Co−Crに第三元素としてNbを添加（２〜10at
％添加範囲において同一現象が生ずる）し、ポリ
イミドベースに0.2μmの膜厚でスパツタリングし
た記録媒体に15KOeの磁界を印加した場合の面
内方向のヒステリシス曲線を第１図に示す。同図
より面内方向の磁界がゼロ近傍部分でヒステリシ
ス曲線は急激に変則的に立ち上がり（図中矢印Ａ
で示す）、いわゆる磁化ジヤンプが生じているこ
とがわかる。スパツタリングされたCo−Cr−Nb
薄膜がスパツタリング時に常に均一の結晶成長を
行なつたと仮定した場合、第１図に示された磁化
ジヤンプは生ずるはずはなく、これよりCo−Cr
−Nb薄膜内に磁気的性質の異なる複数の結晶層
が存在することが推測される。

続いて第１図で示した実験条件と同一条件にて
Co−Cr−Nbをポリイミドベースに0.05μmの膜厚
でスパツタリングした記録媒体に15KOeの磁界
を印加した場合の面内方向のヒステリシス曲線を
第２図に示す。同図においては第１図に見られる
ようなヒステリシス曲線の磁化ジヤンプは生じて
おらず0.05μm程度の膜厚におけるCo−Cr−Nb薄
膜は略均一な結晶となつていることが理解され
る。これに加えて同図より0.05μm程度の膜厚に
おける抗磁力Hcに注目するに、抗磁力Hcは
極めて小なる値となつており面内方向に対する透
磁率が大であることが理解される。上記結果より
スパツタリングによりベース近傍位置にはじめに
成長する初期層は抗磁力Hcが小であり、この
初期層は走査型電子顕微鏡写真で確かめられてい
る（前記資料参照）ベース近傍位置に成長する小
粒径の結晶層であると考えられる。また初期層の
上方に成長する層は、初期層の抗磁力Hcより
大なる抗磁力Hcを有し、この層は同じく走査
型電子顕微鏡写真で確かめられている大粒径の結
晶層であると考えられる。

小粒径結晶層と大粒径結晶層が併存するCo−
Cr−Nb薄膜において磁化ジヤンプが生ずる理由
を第３図から第５図を用いて以下述べる。なお後
述する如く、磁化ジヤンプは組成比率及びスパツ
タリング条件に関し全てのCo−Cr−Nb薄膜に対
して発生するものではない。所定の条件下におい
てCo−Cr−Nb薄膜をスパツタリングにより形成
しこの薄膜のヒステリシス曲線を測定により描く
と第３図に示す如く磁化ジヤンプが現われたヒス
テリシス曲線となる。また小粒径結晶層のみから
なるヒステリシス曲線は膜厚寸法を小としたスパ
ツタリング（約0.075μm以下、これについては後
述する）を行ない、これを測定することにより得
ることができる（第４図に示す）。また大粒径結
晶層は均一結晶構造を有していると考えられ、か
つ第３図に示すヒステリシス曲線は小粒径結晶層
のヒステリシス曲線と大粒径結晶層のヒステリシ
ス曲線を合成したものと考えられるため第５図に
示す如く抗磁力Hcが小粒径結晶層よりも大で
あり、磁化ジヤンプのない滑らかなヒステリシス
曲線を形成すると考えられる。すなわち第３図に
おて示されている磁化ジヤンプの存在は、磁気特
性の異なる二層が同一の薄膜内に形成されている
ことを示しており、従つて第１図に示されたCo
−Cr−Nb薄膜にも磁気特性の異なる二層が形成
されていることが理解できる。なお大粒径結晶層
の抗磁力は、小粒径結晶層と大粒径結晶層が併存
するCo−Cr−Nb薄膜のヒステリシス曲線から小
粒径結晶層のみのCo−Cr−Nb薄膜のヒステリシ
ス曲線を差引いて得られるヒステリシス曲線より
求めることができる。上記各実験結果によりCo
−Cr−Nb薄膜のヒステリシス曲線の磁化ジヤン
プが生じている時、磁気特性の異なる二層が形成
されていることが証明されたことになる。

続いてCo−Cr−Nb薄膜のベース上へのスパツ
タリングの際形成される上記二層の夫々の磁気的
性質をCo−Cr−Nb薄膜の厚さ寸法に関連させつ
つ第６図を用いて以下説明する。第６図はCo−
Cr−Nb薄膜の膜厚寸法をスパツタリング時間を
変えることにより制御し、各膜厚寸法における面
内方向の抗磁力Hc、垂直方向の抗磁力Hc⊥、
磁化ジヤンプ量σjを夫々描いたものである。

まず面内方向の抗磁力Hcに注目するに、膜
厚寸法が0.08μm以下においては極めて小なる値
（150Oe以下）となつており、面内方向に対する
透磁率は高いと考えられる。これに加え垂直方向
の抗磁力Hc⊥と面内方向の抗磁力Hcの値を比
較するに相方とも150Oe以下となつておりその差
は小で、いわゆる等方性を有した層となつてい
る。また膜厚寸法が大となつても抗磁力Hcは
大きく変化するようなことはない。また磁化ジヤ
ンプ量σjに注目すると、磁化ジヤンプ量は膜厚寸
法が0.075μmにて急激に立ち上がり0.075μm以上
の膜厚においては滑らかな下に凸の放物線形状を
描く。更に垂直方向の抗磁力Hc⊥に注目すると、
抗磁力Hc⊥は膜厚寸法0.05μm〜0.1μmで急激に
立ち上がり0.1μm以上の膜厚寸法では900Oe以上
の高い抗磁力を示す。これらの結果より小粒径結
晶層と大粒径結晶層の境は略0.075μmの膜厚寸法
のところにあり、膜厚寸法が0.075μm以下の小粒
径結晶層は面内方向及び垂直方向に対する抗磁力
Hc、Hc⊥が低い、いわゆる低抗磁力層となつ
ており、また膜厚寸法が0.075μm以上の大粒径結
晶層は面内方向の抗磁力Hcは低いものの垂直
方向に対する抗磁力Hc⊥は非常に高い値を有す
る、いわゆる高抗磁力層となつており垂直磁気記
録に適した層となつている。更に磁化ジヤンプが
生じない膜厚寸法（0.075μm以下）においては、
面内方向及び垂直方向に対する抗磁力Hc、Hc
⊥は低く、これより大なる膜厚寸法（0.075μm以
上）においては垂直方向に対する抗磁力Hc⊥が
急増する。これによつても磁化ジヤンプが生じて
いる場合、Co−Cr−Nb薄膜に磁気特性の異なる
二層が形成されていることが推測される。

次にCo−Crに第三元素としてTaを添加（１〜
10at％添加範囲において同一現象が生ずる）し、
上記したNbを添加した場合と同一の実験を行な
つた結果を第７図に示す。第７図はCo−Cr−Ta
薄膜の膜厚寸法をスパツタリング時間を変えるこ
とにより制御し、各膜厚寸法における面内方向の
抗磁力Hc、垂直方向の抗磁力Hc⊥、磁化ジヤ
ンプ量σjを夫々描いたものである。同図よりCo
−CrにTaを添加した場合も、Co−CrにNbを添
加した場合と略同様な結果が得られ、小粒径結晶
層と大粒径結晶層の境は略0.075μmの膜厚寸法の
ところにあり、膜厚寸法が0.075μm以下の小粒径
結晶層は面内方向及び垂直方向に対する抗磁力
Hc、Hc⊥が低い（Hc、Hc⊥共に170Oe以
下）、いわゆる低抗磁力層となつている。これに
加えて垂直方向及び面内方向抗磁力Hc⊥、Hc
の値の差は小でいわゆる等方性を有した層とな
つている。また膜厚寸法が0.075μm以上の大粒径
結晶層は面内方向の抗磁力Hcは低いものの垂
直方向に対する抗磁力Hc⊥は非常に高い値
（750Oe以上）となつている。

なお上記実験で注意すべきことは、スパツタリ
ング条件及びNb、Taの添加量を前記した値
（Nb：２〜10at％、Ta：１〜10at％）より変え
た場合磁化ジヤンプは生じないが、しかるに磁化
ジヤンプが生じないCo−Cr−Nb薄膜、Co−Cr
−Ta薄膜及び、Co−Cr薄膜においても小粒径結
晶層及び大粒径結晶層が形成されていることであ
る（前記資料参照）。磁化ジヤンプが生じないCo
−Cr−Nb薄膜のヒステリシス曲線の一例を第８
図に示す。第８図Ａは小粒径結晶層及び大粒径結
晶層を含む面内方向のヒステリシス曲線であり、
第８図Ｂは小粒径結晶層のみの面内方向のヒステ
リシス曲線、第８図Ｃは大粒径結晶層のみの面内
方向のヒステリシス曲線である。各図より小粒径
結晶層の面内方向の残留磁化Mr_Bは大粒径結晶
層の残留磁化Mr_Cよりも大であるため、両結晶
層を含む残留磁化Mr_Aは大粒径結晶層の残留磁
化Mr_Cのみの時よりも不利となり異方性磁界
Hkが小さくなる。また小粒径結晶層は配向が悪
いこと（△θ50が大）が知られており、また面内
方向の抗磁力Hcも大で垂直磁気記録には適さ
ない。

ここで上記の如く小粒径結晶層と大粒径結晶層
を有するCo−Cr−Nb薄膜及びCo−Cr−Ta薄膜
を垂直磁気記録媒体として考えた場合、Co−Cr
−Nb薄膜及びCo−Cr−Ta薄膜にその膜面に対
し垂直方向に膜厚の全てに亘つて垂直磁化を行な
おうとした場合、小粒径結晶層の存在は垂直磁化
に対し極めて不利な要因となると従来考えられて
いた（磁化ジヤンプが生じている場合及び磁化ジ
ヤンプが生じていない場合の相方において不利な
要因となる）。すなわち磁化ジヤンプが生じてい
る場合の小粒径結晶層は、面内方向及び垂直方向
に対する抗磁力Hc、Hc⊥が共に極めて低く
（170Oe以下）、この層においては垂直磁化はほと
んどされないと考えられる。また磁化ジヤンプが
生じていない場合の小粒径結晶層においても、面
内方向の抗磁力Hcは磁化ジヤンプの生じてい
る場合の抗磁力Hcよりは大であるが垂直方向
の抗磁力Hc⊥は垂直磁気記録を実現し得る程の
抗磁力はなくやはり良好な垂直磁化は行なわれな
いと考えられる。従つて膜面に対して垂直方向に
磁化を行なつても小粒径結晶層における垂直磁化
はほとんど行なわれず、磁性膜全体としての垂直
磁化効率が低下してしまう。この影響はリングコ
アヘツドのように磁束の面内成分を多く含む磁気
ヘツドにおいては顕著である。

しかるに本発明における小粒径結晶層の磁気特
性は、面内方向に対する抗磁力Hcが小であり
比較的高い透磁率及び磁気的な等方性を有してお
り、これは従来Co−Cr薄膜とベース間に配設し
た裏打ち層と似た特性を有している。つまりCo
−Cr−Nb薄膜及びCo−Cr−Ta薄膜において、
低抗磁力Hcを有する小粒径結晶層をいわゆる
裏打ち層である高透磁率層として用いることが可
能であると考えられる。

従つてCo−Cr−Nb薄膜及びCo−Cr−Ta薄膜
の単一膜がスパツタリングされる際形成される小
粒径結晶層を裏打ち層として機能させ、また大粒
径結晶層を垂直磁化層として機能させることが考
えられる。しかるにCo−Cr−Nb薄膜及びCo−
Cr−Ta薄膜の単一膜では、Co−Crに添加される
Nb、Taの添加量は磁化ジヤンプが発生する所定
量に規制されてしまう。また強磁性材であるCo
に非磁性材であるNb、Taを添加することにより
Co−Cr薄膜に比較して飽和磁化Msが低下してし
まい高出力の垂直磁気記録が行なえない。

この点に鑑み本発明では上記磁化ジヤンプが生
ずる条件下で、まずベース上にCo−Cr−Nb薄膜
またはCo−Cr−Ta薄膜の小粒径結晶層を形成さ
せ（約0.1μm以下）、その上に高い飽和磁化Msを
有するCo−Cr薄膜をスパツタリングし垂直磁気
記録に直接寄与する大粒径結晶層を形成した。な
おCo−Cr薄膜においてCrの添加量は約５〜20at
％とした。上記構成の垂直磁気記録媒体において
小粒径結晶層としてCo−Cr−Nb薄膜を用いた場
合の各種磁気特性をCo−Cr単層薄膜及び磁化ジ
ヤンプの生じているCo−Cr−Nb単層薄膜と比較
して第９図に、この垂直磁気記録媒体にセンダス
ト（登録商標）よりなるリングコアヘツドで垂直
磁気記録再生した時の夫々の薄膜の記録波長と再
生出力の関係を第１０図に、また小粒径結晶層と
してCo−Cr−Ta薄膜を用いた場合の各種磁気特
性をCo−Cr単層薄膜及び磁化ジヤンプの生じて
いるCo−Cr−Taの単層薄膜と比較して第１１図
に夫々示す。第９図及び第１１図より磁化ジヤン
プの生ずる条件下で形成したCo−Cr−Nb及び
Co−Cr−Taの小粒径結晶層上にCo−Crの大粒
径結晶層を形成させた垂直磁気記録媒体（以下単
に二層媒体という）は、磁化ジヤンプの生じてい
るCo−Cr−Nb薄膜の単層垂直磁気記録媒体（以
下Nb単層媒体と略称する）及び同じく磁化ジヤ
ンプの生じているCo−Cr−Ta薄膜の単層垂直磁
気記録媒体（以下Ta単層媒体と略称する）より
も飽和磁化Msが大となつている。また垂直方向
の抗磁力Hc⊥は十分に高い値となつており垂直
磁化に適した磁気性質となつている。一方第１０
図に示される如く、再生出力と記録波長特性は、
Nb単層媒体及びCo−Cr薄膜の単層垂直磁気記録
媒体（以下Co−Cr単層媒体と略称する）に比較
して全ての記録波長領域で高い値を示しており強
い再生出力が得られる。特に短波長領域（記録波
長が1μm〜0.2μmの領域）においては、Nb単層
媒体及びCo−Cr単層媒体もその再生出力は増大
しているものの、二層媒体は更に高い効率で再生
出力が増大している。従つて二層媒体は特に短波
長領域での垂直磁気記録再生に適しているといえ
る。なおTaの二層媒体でも第１３図に示す如く
同様の結果が得られた。

上記現象の生ずる理由を第１２図を用いて以下
推論する。ポリイミド等のベース１上に磁化ジヤ
ンプの生ずる条件を満足させてCo−Cr−Nb及び
Co−Cr−Ta磁性材（以下Co−Cr−NbとCo−Cr
−Taを総称する場合Co−Cr−Nb（Ta）と示す）
を約0.1μmの膜厚寸法でスパツタリングすると、
前述の如く被膜されたCo−Cr−Nb（Ta）薄膜は
略その全体において小粒径結晶層２が形成されて
いるものと考えられる。この小粒径結晶層２は面
内方向の抗磁力Hcが小で、かつ垂直方向の抗
磁力Hc⊥との差が少ない等方性を有した層とな
つている。従つて小粒径結晶層２にいわゆる裏打
ち層と略同様な機能を行なわせることができる。

小粒径結晶層２の上部には、Co−Cr磁性材が
約0.1μmの膜厚寸法でスパツタリングされる。Co
−Cr磁性材がCo−Cr−Nb（Ta）薄膜上にスパツ
タリングされる際、Co−Cr磁性材及びCo−Cr−
Nb（Ta）薄膜は結晶構造及び組成において似た
性質を有しているため、両磁性材の境界部分にお
いてCo−Cr磁性材の小粒径結晶層はほとんど発
生せず（発生したとしても垂直磁気記録特性に影
響を与える厚さまで到らなと考えられる）、高い
飽和磁化Msを有すると共に垂直方向に強い抗磁
力を有し、垂直磁化に寄与する大粒径結晶層３が
直ちに成長すると考えられる。よつて二層媒体４
に摺接してリングコア状の磁気ヘツド５から放た
れた磁束線は大粒径結晶層３を貫通して小粒径結
晶層２に到り、低抗磁力でかつ等方性を有する小
粒径結晶層２内で磁束は面内方向に進行し、磁気
ヘツド５の磁極部分で急激に磁束が吸い込まれる
ことにより大粒径結晶層３に垂直磁化がされると
考えられる。よつて磁束が形成する磁気ループは
第１２図に矢印で示す如く、馬蹄形状となり所定
垂直磁気記録位置において高い飽和磁化Msを有
する大粒径結晶層３に磁束が集中して鋭く貫通す
るため、大粒径結晶層３には残留磁化の大なる垂
直磁化が行なわれる。また小粒径結晶層２の面内
方向の抗磁力Hcは第６図、第７図より10Oe〜
50Oe程度であり大粒径結晶層３の抗磁力Hc⊥に
対して極端に小なる値ではないため衝撃性のバル
クハウゼンノイズが発生することもなく良好な垂
直磁気記録再生を行ない得る。

発明の効果 上述の如く本発明になる垂直磁気記録媒体によ
れば、コバルト及びクロムに、ニオブ及びタンタ
ルのうち少なくとも一方を添加してなる磁性材に
よりベース上に低抗磁力の、原点近傍で急激に立
ち上がる曲線で表わされる面内Ｍ−Ｈヒステリシ
ス特性を有する層を形成すると共に、該層上にコ
バルト及びクロムよりなる磁性材により垂直磁化
層を形成したことにより垂直磁気記録媒体はベー
ス上に面内方向の抗磁力が小さく、かつ、原点近
傍で急激に立ち上がる曲線で表わされる面内Ｍ−
Ｈヒステリシス特性である磁化ジヤンプを有する
層と、高い飽和磁化を有しかつ垂直方向の抗磁力
が大である垂直磁化層との二層を形成された構成
となるため、磁気ヘツドより放たれた磁束は容易
に低抗磁力を有すると共に磁化ジヤンプを有する
層に進入し水平方向へ進行した後磁気ヘツドの磁
極にて高い飽和磁化を有すると共に高抗磁力を有
する垂直磁化層を貫通して磁気ヘツドの磁極に急
激にかつ鋭く吸い込まれるため、垂直磁化層には
強い残留磁化が生じ高い再生出力を実現し得る垂
直磁気記録再生を行なうことができ、これに加え
特に短い記録波長に対しすぐれた垂直磁化が行な
われ良好な再生出力を得ることができ、また磁化
ジヤンプを有する層は面内方向に対する抗磁力が
小であるため、いわゆる裏打ち層として確実に機
能すると共にその抗磁力は垂直磁化層の抗磁力に
対して不要に小なる値ではないため衝撃性のバル
クハウゼンノイズが発生することもなく良好な垂
直磁気記録再生が行なうことができる等の特長を
有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明になる垂直磁気記録媒体の一実
施例の磁性膜であるCo−Cr−Nb薄膜のヒステリ
シス曲線を示す図、第２図は小粒径結晶層のヒス
テリシス曲線を示す図、第３図から第５図は磁化
ジヤンプが生ずる理由を説明するための図、第６
図はCo−Cr−Nb薄膜が二層構造となつているこ
と及び各層の磁気特性を示す図、第７図はCo−
Cr−Ta薄膜が二層構造となつていること及び各
層の磁気特性を示す図、第８図は磁化ジヤンプが
生じていないCo−Cr−Nb薄膜のヒステリシス曲
線の一例を示す図、第９図は小粒径結晶層として
Co−Cr−Nb薄膜を用いた場合の各種磁気特性を
Co−Cr単層薄膜及び磁化ジヤンプの生じている
Co−Cr−Nb単層薄膜と比較して示した図、第１
０図は第９図で示した各薄膜の記録波長と再生出
力の関係を示す図、第１１図は小粒径結晶層とし
てCo−Cr−Ta薄膜を用いた場合の各種磁気特性
をCo−Cr単層薄膜及び磁化ジヤンプの生じてい
るCo−Cr−Ta単層薄膜と比較して示した図、第
１２図は本発明記録媒体の結晶成長状態を概略的
に示すと共に磁束が形成する磁気ループを示す
図、第１３図は第１１図で示した各薄膜の記録波
長と再生出力の関係を示す図である。 １……ベース、２……小粒径結晶層、３……大
粒径結晶層、４……二層媒体、５……磁気ヘツ
ド。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ コバルト及びクロムに、ニオブ及びタンタル
   のうち少なくとも一方を添加してなる磁性材によ
   りベース上に低抗磁力の、原点近傍で急激に立ち
   上がる曲線で表わされる面内Ｍ−Ｈヒステリシス
   特性を有する層を形成すると共に、該層上にコバ
   ルト及びクロムよりなる磁性材により垂直磁化層
   を形成してなることを特徴とする垂直磁気記録媒
   体。