JP3108636B2 - 磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
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- H01F10/14—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘導型磁気ヘッ
ド、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）、誘導型
ヘッド部とＭＲヘッド部とを有するＭＲ誘導型複合ヘッ
ド等の各種磁気ヘッドと、その製造方法とに関する。
ド、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）、誘導型
ヘッド部とＭＲヘッド部とを有するＭＲ誘導型複合ヘッ
ド等の各種磁気ヘッドと、その製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録における高密度化が進め
られている。これに伴ない、磁極として軟磁性薄膜を用
いる薄膜磁気ヘッドや、磁気抵抗効果を利用して再生を
行うＭＲヘッドの開発が盛んに進められている。
られている。これに伴ない、磁極として軟磁性薄膜を用
いる薄膜磁気ヘッドや、磁気抵抗効果を利用して再生を
行うＭＲヘッドの開発が盛んに進められている。
【０００３】ＭＲヘッドは、磁性材料を用いた読み取り
センサ部の抵抗変化により外部磁気信号を読み出すもの
である。ＭＲヘッドでは再生出力が記録媒体に対する相
対速度に依存しないことから、線記録密度の高い磁気記
録においても高い出力が得られるという特長がある。Ｍ
Ｒヘッドでは、分解能を上げ、良好な高周波特性を得る
ために、通常、磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）を一対の磁気
シールド膜で挟む構成（シールド型ＭＲヘッド）とされ
る。
センサ部の抵抗変化により外部磁気信号を読み出すもの
である。ＭＲヘッドでは再生出力が記録媒体に対する相
対速度に依存しないことから、線記録密度の高い磁気記
録においても高い出力が得られるという特長がある。Ｍ
Ｒヘッドでは、分解能を上げ、良好な高周波特性を得る
ために、通常、磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）を一対の磁気
シールド膜で挟む構成（シールド型ＭＲヘッド）とされ
る。
【０００４】また、ＭＲヘッドは再生用ヘッドであるた
め、通常、記録を行うための誘導型ヘッド部をＭＲヘッ
ド部と一体化したＭＲ誘導型複合ヘッドが用いられてい
る。
め、通常、記録を行うための誘導型ヘッド部をＭＲヘッ
ド部と一体化したＭＲ誘導型複合ヘッドが用いられてい
る。
【０００５】ＭＲヘッドやＭＲ誘導型複合ヘッドの磁気
シールド膜や磁極には、軟磁気特性が優れた薄膜を用い
ることが好ましい。軟磁気特性の優れた薄膜としては、
例えば特公平７−６０７６７号公報、特開平３−１５１
３号公報等に記載されたＦｅ−Ｚｒ−Ｎ系軟磁性薄膜が
ある。
シールド膜や磁極には、軟磁気特性が優れた薄膜を用い
ることが好ましい。軟磁気特性の優れた薄膜としては、
例えば特公平７−６０７６７号公報、特開平３−１５１
３号公報等に記載されたＦｅ−Ｚｒ−Ｎ系軟磁性薄膜が
ある。
【０００６】ＭＲ膜は一般に耐熱性が低く、特に巨大磁
気抵抗（ＧＭＲ）効果を示す多層膜（厚さ５nm程度の薄
膜を積層した人工格子膜）では、加熱により薄膜間に相
互拡散が生じ、特性が著しく劣化しやすい。したがっ
て、磁気シールド膜や磁極の軟磁気特性を向上させるた
めの焼鈍は、３００℃未満の温度で行う必要がある。
気抵抗（ＧＭＲ）効果を示す多層膜（厚さ５nm程度の薄
膜を積層した人工格子膜）では、加熱により薄膜間に相
互拡散が生じ、特性が著しく劣化しやすい。したがっ
て、磁気シールド膜や磁極の軟磁気特性を向上させるた
めの焼鈍は、３００℃未満の温度で行う必要がある。
【０００７】上記特公平７−６０７６７号公報に記載さ
れた軟磁性薄膜では１Oe以下の低保磁力が得られている
が、同公報における熱処理温度の最低値は３５０℃であ
る。同公報では、優れた軟磁気特性を得るためにはＸ線
回折においてＦｅ（１１０）ピークに対するＦｅ（２０
０）ピークの相対強度比が１以上であること、すなわ
ち、（１００）優先配向が必須であるとしている。同公
報の第５図には、６００℃で熱処理を施した軟磁性薄膜
のＸ回折パターンが記載されている。同図では、Ｆｅ
（１１０）ピークに対するＦｅ（２００）ピークの相対
強度比が３．１となっている。また、同図には、ＺｒＮ
のブロードなピークが明瞭に認められる。同公報におけ
る軟磁気特性向上のメカニズムは、Ｆｅの結晶粒界にＺ
ｒＮ等のセラミックス微小粒子を析出させることにより
結晶粒の成長を抑えるというものである。Ｆｅの結晶粒
界にセラミックス微小粒子を析出させるためには、３０
０℃を超える熱処理が必須となる。しかも、ＺｒＮの析
出によりα−Ｆｅが析出することになるため、耐食性が
低くなってしまうという問題もある。
れた軟磁性薄膜では１Oe以下の低保磁力が得られている
が、同公報における熱処理温度の最低値は３５０℃であ
る。同公報では、優れた軟磁気特性を得るためにはＸ線
回折においてＦｅ（１１０）ピークに対するＦｅ（２０
０）ピークの相対強度比が１以上であること、すなわ
ち、（１００）優先配向が必須であるとしている。同公
報の第５図には、６００℃で熱処理を施した軟磁性薄膜
のＸ回折パターンが記載されている。同図では、Ｆｅ
（１１０）ピークに対するＦｅ（２００）ピークの相対
強度比が３．１となっている。また、同図には、ＺｒＮ
のブロードなピークが明瞭に認められる。同公報におけ
る軟磁気特性向上のメカニズムは、Ｆｅの結晶粒界にＺ
ｒＮ等のセラミックス微小粒子を析出させることにより
結晶粒の成長を抑えるというものである。Ｆｅの結晶粒
界にセラミックス微小粒子を析出させるためには、３０
０℃を超える熱処理が必須となる。しかも、ＺｒＮの析
出によりα−Ｆｅが析出することになるため、耐食性が
低くなってしまうという問題もある。
【０００８】また、上記特開平３−１５１３号公報に記
載された軟磁性薄膜は、形成直後は非晶質膜である。こ
の非晶質膜を３５０℃以上で熱処理した場合には１Oe以
下の低保磁力が得られているが、熱処理温度を２５０℃
とした場合には、結晶化に４８００分間も要しており、
しかも、保磁力が１．４Oeと高い。同公報の第１１図に
は、熱処理温度を変えた場合についてのＸ線回折パター
ンの変化が示されている。同図によれば、４５０℃以上
の高温で熱処理を行った場合にはＦｅ（２００）のブロ
ードなピークが認められるが、それより低温域で熱処理
を行った場合にはＦｅ（２００）ピークは実質的に認め
られない。また、同公報には、熱処理温度が３５０℃以
上であれば保磁力が１Oe以下であり、そのときＺｒＮの
回折ピークが認められる旨の記載がある。すなわち、同
公報記載の軟磁性薄膜は、上記特公平７−６０７６７号
公報記載の軟磁性薄膜と同様に、良好な軟磁気特性を得
るためにはＺｒＮの存在が必要であると考えられる。
載された軟磁性薄膜は、形成直後は非晶質膜である。こ
の非晶質膜を３５０℃以上で熱処理した場合には１Oe以
下の低保磁力が得られているが、熱処理温度を２５０℃
とした場合には、結晶化に４８００分間も要しており、
しかも、保磁力が１．４Oeと高い。同公報の第１１図に
は、熱処理温度を変えた場合についてのＸ線回折パター
ンの変化が示されている。同図によれば、４５０℃以上
の高温で熱処理を行った場合にはＦｅ（２００）のブロ
ードなピークが認められるが、それより低温域で熱処理
を行った場合にはＦｅ（２００）ピークは実質的に認め
られない。また、同公報には、熱処理温度が３５０℃以
上であれば保磁力が１Oe以下であり、そのときＺｒＮの
回折ピークが認められる旨の記載がある。すなわち、同
公報記載の軟磁性薄膜は、上記特公平７−６０７６７号
公報記載の軟磁性薄膜と同様に、良好な軟磁気特性を得
るためにはＺｒＮの存在が必要であると考えられる。
【０００９】上記特公平７−６０７６７号公報および上
記特開平３−１５１３号公報にそれぞれ記載された軟磁
性薄膜は、上述したようにいずれも３５０℃以上の温度
での熱処理が必須であるため、耐熱性の低いＭＲ膜を有
する磁気ヘッドの磁気シールド膜や磁極に適用すること
はできない。このため、３００℃を下回る温度で熱処理
した場合でも良好な軟磁気特性が得られる軟磁性薄膜が
望まれている。
記特開平３−１５１３号公報にそれぞれ記載された軟磁
性薄膜は、上述したようにいずれも３５０℃以上の温度
での熱処理が必須であるため、耐熱性の低いＭＲ膜を有
する磁気ヘッドの磁気シールド膜や磁極に適用すること
はできない。このため、３００℃を下回る温度で熱処理
した場合でも良好な軟磁気特性が得られる軟磁性薄膜が
望まれている。
【００１０】特開平６−２５９７２９号公報にも、Ｆｅ
−Ｚｒ−Ｎ系組成を有する軟磁性薄膜が記載されてい
る。同公報では、この軟磁性薄膜をＭＲヘッドやＭＲ誘
導型複合ヘッドの磁気シールド膜に適用しているが、誘
導型ヘッド部の磁極に適用する旨の記載はない。同公報
には、この軟磁性薄膜のＸ線回折パターンは記載されて
いないが、（１００）優先配向である旨が記載されてい
る。また、同公報では、この軟磁性薄膜は、ＺｒＮの生
成によりＦｅの結晶粒成長が抑制されるので熱安定性が
向上するとしている。すなわち、この軟磁性薄膜は、上
記特公平７−６０７６７号公報や特開平３−１５１３号
公報と同様に、ＺｒＮが生成するものである。
−Ｚｒ−Ｎ系組成を有する軟磁性薄膜が記載されてい
る。同公報では、この軟磁性薄膜をＭＲヘッドやＭＲ誘
導型複合ヘッドの磁気シールド膜に適用しているが、誘
導型ヘッド部の磁極に適用する旨の記載はない。同公報
には、この軟磁性薄膜のＸ線回折パターンは記載されて
いないが、（１００）優先配向である旨が記載されてい
る。また、同公報では、この軟磁性薄膜は、ＺｒＮの生
成によりＦｅの結晶粒成長が抑制されるので熱安定性が
向上するとしている。すなわち、この軟磁性薄膜は、上
記特公平７−６０７６７号公報や特開平３−１５１３号
公報と同様に、ＺｒＮが生成するものである。
【００１１】ただし、同公報の実施例では、この軟磁性
薄膜に熱処理を施した旨の記載はない。熱処理が不要で
あれば、ＭＲヘッドやＭＲ誘導型複合ヘッドには好適で
ある。しかし、本発明者らの実験によれば、熱処理を施
さずに（１００）配向の薄膜を得ることは極めて困難で
あり、成膜条件、例えば反応性スパッタ時の窒素分圧
や、投入電力、真空度等の微小な変動によりほとんどが
（１１０）配向膜となってしまう。また、熱処理を施さ
ないため、ＺｒＮを安定して生成することはできない。
薄膜に熱処理を施した旨の記載はない。熱処理が不要で
あれば、ＭＲヘッドやＭＲ誘導型複合ヘッドには好適で
ある。しかし、本発明者らの実験によれば、熱処理を施
さずに（１００）配向の薄膜を得ることは極めて困難で
あり、成膜条件、例えば反応性スパッタ時の窒素分圧
や、投入電力、真空度等の微小な変動によりほとんどが
（１１０）配向膜となってしまう。また、熱処理を施さ
ないため、ＺｒＮを安定して生成することはできない。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＭＲ
ヘッドや、再生用のＭＲヘッド部と記録用の誘導型ヘッ
ド部とを有するＭＲ誘導型複合ヘッドにおいて、磁気シ
ールド膜や磁極の熱処理に伴うＭＲ膜の劣化を防ぐこと
である。
ヘッドや、再生用のＭＲヘッド部と記録用の誘導型ヘッ
ド部とを有するＭＲ誘導型複合ヘッドにおいて、磁気シ
ールド膜や磁極の熱処理に伴うＭＲ膜の劣化を防ぐこと
である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（６）のいずれかの構成により達成される。 （１）一対の磁極を有する誘導型ヘッド部を有し、前記
磁極の少なくとも一方の少なくとも一部が、 式 （Ｆｅ1-x Ｍx ）1-y Ｎy （上記式において、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎおよ
びＢからなる群から選択される少なくとも１種の元素で
あり、ｘおよびｙは原子比を表し、０．０１≦ｘ≦０．
１、０．０１≦ｙ≦０．１である）で表される組成を有
し、Ｘ線回折パターンにおいて、Ｆｅ（２００）面の回
折ピークの強度Ｉ（２００）とＦｅ（１１０）面の回折
ピークの強度Ｉ（１１０）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１
１０）が０．１以上１未満であり、かつＭ窒化物の回折
ピークが認められない軟磁性薄膜から構成されている磁
気ヘッド。 （２）磁気抵抗効果膜と少なくとも一つの磁気シールド
膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッド部を有し、磁気シー
ルド膜の少なくとも一つの少なくとも一部が、 式 （Ｆｅ1-x Ｍx ）1-y Ｎy （上記式において、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎおよ
びＢからなる群から選択される少なくとも１種の元素で
あり、ｘおよびｙは原子比を表し、０．０１≦ｘ≦０．
１、０．０１≦ｙ≦０．１である）で表される組成を有
し、Ｘ線回折パターンにおいて、Ｆｅ（２００）面の回
折ピークの強度Ｉ（２００）とＦｅ（１１０）面の回折
ピークの強度Ｉ（１１０）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１
１０）が０．１以上１未満であり、かつＭ窒化物の回折
ピークが認められない軟磁性薄膜から構成されている磁
気ヘッド。 （３）前記磁気抵抗効果型ヘッド部に加え、一対の磁極
を有する誘導型ヘッド部を有し、前記磁極の少なくとも
一方の少なくとも一部が前記軟磁性薄膜から構成されて
いる上記（２）の磁気ヘッド。 （４）前記軟磁性薄膜が、１００〜２８０℃で熱処理さ
れたものである上記（１）〜（３）のいずれかの磁気ヘ
ッド。 （５）一対の磁極を有する誘導型ヘッド部を有する磁気
ヘッドを製造するに際し、まず、Ｆｅ、Ｍ（Ｍは、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＭｎおよびＢからなる群から選択される
少なくとも１種の元素）およびＮを含有し、Ｘ線回折パ
ターンにおいて、Ｆｅ（２００）面の回折ピークの強度
Ｉ（２００）とＦｅ（１１０）面の回折ピークの強度Ｉ
（１１０）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１１０）が０．１
未満である薄膜を形成し、次いで、この薄膜に１００〜
２８０℃で熱処理を施すことにより、 式 （Ｆｅ1-x Ｍx ）1-y Ｎy （ｘおよびｙは原子比を表し、０．０１≦ｘ≦０．１、
０．０１≦ｙ≦０．１である）で表される組成を有し、
Ｘ線回折パターンにおいて、Ｉ（２００）／Ｉ（１１
０）が０．１以上１未満であり、かつＭ窒化物の回折ピ
ークが認められない軟磁性薄膜とし、この軟磁性薄膜を
磁極の少なくとも一方の少なくとも一部として用いる磁
気ヘッドの製造方法。 （６）磁気抵抗効果膜と少なくとも一つの磁気シールド
膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッド部を有する磁気ヘッ
ドを製造するに際し、まず、Ｆｅ、Ｍ（Ｍは、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、ＭｎおよびＢからなる群から選択される少なく
とも１種の元素）およびＮを含有し、Ｘ線回折パターン
において、Ｆｅ（２００）面の回折ピークの強度Ｉ（２
００）とＦｅ（１１０）面の回折ピークの強度Ｉ（１１
０）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１１０）が０．１未満で
ある薄膜を形成し、次いで、この薄膜に１００〜２８０
℃で熱処理を施すことにより、 式 （Ｆｅ1-x Ｍx ）1-y Ｎy （ｘおよびｙは原子比を表し、０．０１≦ｘ≦０．１、
０．０１≦ｙ≦０．１である）で表される組成を有し、
Ｘ線回折パターンにおいて、Ｉ（２００）／Ｉ（１１
０）が０．１以上１未満であり、かつＭ窒化物の回折ピ
ークが認められない軟磁性薄膜とし、この軟磁性薄膜を
磁気シールド膜の少なくとも一方の少なくとも一部とし
て用いる磁気ヘッドの製造方法。
（１）〜（６）のいずれかの構成により達成される。 （１）一対の磁極を有する誘導型ヘッド部を有し、前記
磁極の少なくとも一方の少なくとも一部が、 式 （Ｆｅ1-x Ｍx ）1-y Ｎy （上記式において、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎおよ
びＢからなる群から選択される少なくとも１種の元素で
あり、ｘおよびｙは原子比を表し、０．０１≦ｘ≦０．
１、０．０１≦ｙ≦０．１である）で表される組成を有
し、Ｘ線回折パターンにおいて、Ｆｅ（２００）面の回
折ピークの強度Ｉ（２００）とＦｅ（１１０）面の回折
ピークの強度Ｉ（１１０）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１
１０）が０．１以上１未満であり、かつＭ窒化物の回折
ピークが認められない軟磁性薄膜から構成されている磁
気ヘッド。 （２）磁気抵抗効果膜と少なくとも一つの磁気シールド
膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッド部を有し、磁気シー
ルド膜の少なくとも一つの少なくとも一部が、 式 （Ｆｅ1-x Ｍx ）1-y Ｎy （上記式において、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎおよ
びＢからなる群から選択される少なくとも１種の元素で
あり、ｘおよびｙは原子比を表し、０．０１≦ｘ≦０．
１、０．０１≦ｙ≦０．１である）で表される組成を有
し、Ｘ線回折パターンにおいて、Ｆｅ（２００）面の回
折ピークの強度Ｉ（２００）とＦｅ（１１０）面の回折
ピークの強度Ｉ（１１０）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１
１０）が０．１以上１未満であり、かつＭ窒化物の回折
ピークが認められない軟磁性薄膜から構成されている磁
気ヘッド。 （３）前記磁気抵抗効果型ヘッド部に加え、一対の磁極
を有する誘導型ヘッド部を有し、前記磁極の少なくとも
一方の少なくとも一部が前記軟磁性薄膜から構成されて
いる上記（２）の磁気ヘッド。 （４）前記軟磁性薄膜が、１００〜２８０℃で熱処理さ
れたものである上記（１）〜（３）のいずれかの磁気ヘ
ッド。 （５）一対の磁極を有する誘導型ヘッド部を有する磁気
ヘッドを製造するに際し、まず、Ｆｅ、Ｍ（Ｍは、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＭｎおよびＢからなる群から選択される
少なくとも１種の元素）およびＮを含有し、Ｘ線回折パ
ターンにおいて、Ｆｅ（２００）面の回折ピークの強度
Ｉ（２００）とＦｅ（１１０）面の回折ピークの強度Ｉ
（１１０）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１１０）が０．１
未満である薄膜を形成し、次いで、この薄膜に１００〜
２８０℃で熱処理を施すことにより、 式 （Ｆｅ1-x Ｍx ）1-y Ｎy （ｘおよびｙは原子比を表し、０．０１≦ｘ≦０．１、
０．０１≦ｙ≦０．１である）で表される組成を有し、
Ｘ線回折パターンにおいて、Ｉ（２００）／Ｉ（１１
０）が０．１以上１未満であり、かつＭ窒化物の回折ピ
ークが認められない軟磁性薄膜とし、この軟磁性薄膜を
磁極の少なくとも一方の少なくとも一部として用いる磁
気ヘッドの製造方法。 （６）磁気抵抗効果膜と少なくとも一つの磁気シールド
膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッド部を有する磁気ヘッ
ドを製造するに際し、まず、Ｆｅ、Ｍ（Ｍは、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、ＭｎおよびＢからなる群から選択される少なく
とも１種の元素）およびＮを含有し、Ｘ線回折パターン
において、Ｆｅ（２００）面の回折ピークの強度Ｉ（２
００）とＦｅ（１１０）面の回折ピークの強度Ｉ（１１
０）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１１０）が０．１未満で
ある薄膜を形成し、次いで、この薄膜に１００〜２８０
℃で熱処理を施すことにより、 式 （Ｆｅ1-x Ｍx ）1-y Ｎy （ｘおよびｙは原子比を表し、０．０１≦ｘ≦０．１、
０．０１≦ｙ≦０．１である）で表される組成を有し、
Ｘ線回折パターンにおいて、Ｉ（２００）／Ｉ（１１
０）が０．１以上１未満であり、かつＭ窒化物の回折ピ
ークが認められない軟磁性薄膜とし、この軟磁性薄膜を
磁気シールド膜の少なくとも一方の少なくとも一部とし
て用いる磁気ヘッドの製造方法。
【００１４】
【作用および効果】本発明で用いるＦｅ−Ｚｒ−Ｎ系軟
磁性薄膜は、ＭＲヘッドやＭＲ誘導型複合ヘッドの磁極
や磁気シールド膜に適用される。従来のＦｅ−Ｚｒ−Ｎ
系軟磁性薄膜では、良好な軟磁気特性を得るためには上
記したように３５０℃以上での熱処理が必要であったた
め、ＭＲヘッド部を有する磁気ヘッドに適用した場合に
はＭＲ膜の劣化を招いていた。しかし、本発明で用いる
軟磁性薄膜には、ＭＲ膜の特性劣化を生じさせない程度
の低温で熱処理が施されるため、ＭＲ膜の劣化を招くこ
とはない。例えば図１に示すように、トレーリング側磁
気シールド膜６は磁気抵抗効果（ＭＲ）膜５より時間的
に後に形成されるため、トレーリング側磁気シールド膜
に熱処理を施す場合にはＭＲ膜も加熱されることにな
る。このため、上記軟磁性薄膜は、ＭＲヘッド部のトレ
ーリング側の磁気シールド膜に特に好適である。また、
同様な理由により、リーディング側磁極８１およびトレ
ーリング側磁極８２にも好適である。
磁性薄膜は、ＭＲヘッドやＭＲ誘導型複合ヘッドの磁極
や磁気シールド膜に適用される。従来のＦｅ−Ｚｒ−Ｎ
系軟磁性薄膜では、良好な軟磁気特性を得るためには上
記したように３５０℃以上での熱処理が必要であったた
め、ＭＲヘッド部を有する磁気ヘッドに適用した場合に
はＭＲ膜の劣化を招いていた。しかし、本発明で用いる
軟磁性薄膜には、ＭＲ膜の特性劣化を生じさせない程度
の低温で熱処理が施されるため、ＭＲ膜の劣化を招くこ
とはない。例えば図１に示すように、トレーリング側磁
気シールド膜６は磁気抵抗効果（ＭＲ）膜５より時間的
に後に形成されるため、トレーリング側磁気シールド膜
に熱処理を施す場合にはＭＲ膜も加熱されることにな
る。このため、上記軟磁性薄膜は、ＭＲヘッド部のトレ
ーリング側の磁気シールド膜に特に好適である。また、
同様な理由により、リーディング側磁極８１およびトレ
ーリング側磁極８２にも好適である。
【００１５】しかも、このような低温で熱処理を施すに
もかかわらず上記軟磁性薄膜は従来のＦｅ−Ｚｒ−Ｎ系
軟磁性薄膜と同等以上の軟磁気特性を示す。低温熱処理
で良好な軟磁気特性を得るためには、Ｘ線回折パターン
における回折ピークの強度比Ｉ（２００）／Ｉ（１１
０）が、膜形成直後と熱処理後とでそれぞれ上記した範
囲内であればよい。
もかかわらず上記軟磁性薄膜は従来のＦｅ−Ｚｒ−Ｎ系
軟磁性薄膜と同等以上の軟磁気特性を示す。低温熱処理
で良好な軟磁気特性を得るためには、Ｘ線回折パターン
における回折ピークの強度比Ｉ（２００）／Ｉ（１１
０）が、膜形成直後と熱処理後とでそれぞれ上記した範
囲内であればよい。
【００１６】上記特開平３−１５１３号公報の第１１図
では、熱処理前にはＦｅ（２００）ピークが存在しな
い。この点では本発明と同様であるが、２５０℃での熱
処理後にもＦｅ（２００）ピークは実質的に存在してお
らず、５００℃の熱処理後にもＩ（２００）／Ｉ（１１
０）は０．１に達していない。また、上記したように２
５０℃の熱処理では良好な軟磁気特性が得られていな
い。これは、窒素含有率が高すぎるためであると考えら
れる。
では、熱処理前にはＦｅ（２００）ピークが存在しな
い。この点では本発明と同様であるが、２５０℃での熱
処理後にもＦｅ（２００）ピークは実質的に存在してお
らず、５００℃の熱処理後にもＩ（２００）／Ｉ（１１
０）は０．１に達していない。また、上記したように２
５０℃の熱処理では良好な軟磁気特性が得られていな
い。これは、窒素含有率が高すぎるためであると考えら
れる。
【００１７】上記特開平６−２５９７２９号公報記載の
軟磁性薄膜は、形成時に既に（１００）配向の結晶化膜
となっており、この点で本発明で用いる軟磁性薄膜とは
異なる。また、上記したように、このような配向の結晶
化膜を安定して形成することは極めて困難である。
軟磁性薄膜は、形成時に既に（１００）配向の結晶化膜
となっており、この点で本発明で用いる軟磁性薄膜とは
異なる。また、上記したように、このような配向の結晶
化膜を安定して形成することは極めて困難である。
【００１８】本発明で用いる軟磁性薄膜は、展延性が低
く延伸されにくい。この点において、リーディング側磁
気シールド膜に好適である。リーディング側磁気シール
ド膜にパーマロイ膜を使った場合、ハードディスク等の
磁気記録媒体との接触や衝突によりパーマロイ膜が展延
されてＭＲ膜との間で短絡が生じやすいが、上記軟磁性
薄膜を用いることにより、このような短絡を防ぐことが
でき、優れた耐久性が得られる。同様に展延性の低いセ
ンダスト膜では、軟磁気特性を得るためには４００℃以
上での熱処理が必要であるため、ＭＲ膜がダメージを受
けてしまうが、上記軟磁性薄膜は３００℃未満で熱処理
を施せばよいので、ＭＲ膜にはほとんど影響を与えな
い。しかも、上記軟磁性薄膜を用いた場合の磁気シール
ド特性は、パーマロイ膜や高温熱処理後のセンダスト膜
を用いた場合と同等以上となる。
く延伸されにくい。この点において、リーディング側磁
気シールド膜に好適である。リーディング側磁気シール
ド膜にパーマロイ膜を使った場合、ハードディスク等の
磁気記録媒体との接触や衝突によりパーマロイ膜が展延
されてＭＲ膜との間で短絡が生じやすいが、上記軟磁性
薄膜を用いることにより、このような短絡を防ぐことが
でき、優れた耐久性が得られる。同様に展延性の低いセ
ンダスト膜では、軟磁気特性を得るためには４００℃以
上での熱処理が必要であるため、ＭＲ膜がダメージを受
けてしまうが、上記軟磁性薄膜は３００℃未満で熱処理
を施せばよいので、ＭＲ膜にはほとんど影響を与えな
い。しかも、上記軟磁性薄膜を用いた場合の磁気シール
ド特性は、パーマロイ膜や高温熱処理後のセンダスト膜
を用いた場合と同等以上となる。
【００１９】従来のＦｅ−Ｚｒ−Ｎ系軟磁性薄膜では上
記したようにＺｒＮの析出に伴いα−Ｆｅが析出するた
め、耐食性にやや問題がある。しかし、本発明で用いる
軟磁性薄膜はＺｒＮが析出しないので、耐食性が良好で
ある。このため、磁気ヘッド製造工程において水を使用
する場合でも腐食しにくい。
記したようにＺｒＮの析出に伴いα−Ｆｅが析出するた
め、耐食性にやや問題がある。しかし、本発明で用いる
軟磁性薄膜はＺｒＮが析出しないので、耐食性が良好で
ある。このため、磁気ヘッド製造工程において水を使用
する場合でも腐食しにくい。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００２１】本発明では、磁気ヘッドの磁極や磁気シー
ルド膜に、下記式で表される組成を有する軟磁性薄膜を
用いる。
ルド膜に、下記式で表される組成を有する軟磁性薄膜を
用いる。
【００２２】式 （Ｆｅ1-x Ｍx ）1-y Ｎy
【００２３】上記式において、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
ＭｎおよびＢからなる群から選択される少なくとも１種
の元素であり、好ましくはＺｒ、Ｖ、ＴａおよびＴｉか
ら選択される少なくとも１種の元素であり、より好まし
くはＺｒである。Ｚｒは、Ｍ中の２０原子％以上を占め
ることが好ましい。Ｎは窒素である。ｘおよびｙは原子
比を表し、 ０．０１≦ｘ≦０．１、 ０．０１≦ｙ≦０．１ であり、好ましくは ０．０２≦ｘ≦０．０９、 ０．０２≦ｙ≦０．０９ である。
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
ＭｎおよびＢからなる群から選択される少なくとも１種
の元素であり、好ましくはＺｒ、Ｖ、ＴａおよびＴｉか
ら選択される少なくとも１種の元素であり、より好まし
くはＺｒである。Ｚｒは、Ｍ中の２０原子％以上を占め
ることが好ましい。Ｎは窒素である。ｘおよびｙは原子
比を表し、 ０．０１≦ｘ≦０．１、 ０．０１≦ｙ≦０．１ であり、好ましくは ０．０２≦ｘ≦０．０９、 ０．０２≦ｙ≦０．０９ である。
【００２４】また、この軟磁性薄膜は、Ｘ線回折におい
て、Ｆｅ（２００）面の回折ピークの強度Ｉ（２００）
とＦｅ（１１０）面の回折ピークの強度Ｉ（１１０）と
の比Ｉ（２００）／Ｉ（１１０）が０．１以上１未満、
好ましくは０．１５〜０．８である。そして、Ｘ線回折
において、ＺｒＮ等のＭ窒化物の回折ピークが実質的に
認められないものである。
て、Ｆｅ（２００）面の回折ピークの強度Ｉ（２００）
とＦｅ（１１０）面の回折ピークの強度Ｉ（１１０）と
の比Ｉ（２００）／Ｉ（１１０）が０．１以上１未満、
好ましくは０．１５〜０．８である。そして、Ｘ線回折
において、ＺｒＮ等のＭ窒化物の回折ピークが実質的に
認められないものである。
【００２５】なお、Ｘ線回折においてＣｕＫα線を用い
た場合の各ピークの位置を２θ（θは回折角）で表示す
ると、Ｆｅ（２００）が６５°程度、Ｆｅ（１１０）が
４４°程度、ＺｒＮ（２００）が３９°程度である。
た場合の各ピークの位置を２θ（θは回折角）で表示す
ると、Ｆｅ（２００）が６５°程度、Ｆｅ（１１０）が
４４°程度、ＺｒＮ（２００）が３９°程度である。
【００２６】Ｍ、特にＺｒは、Ｉ（２００）／Ｉ（１１
０）を本発明範囲内とするために有効である。また、Ｍ
は、Ｎとともに結晶の微細化に有効である。
０）を本発明範囲内とするために有効である。また、Ｍ
は、Ｎとともに結晶の微細化に有効である。
【００２７】上記式においてｘが小さすぎると、結晶粒
径が大きくなりすぎて良好な軟磁気特性が得られなくな
り、熱安定性も低下してしまう。また、耐食性も悪くな
る。一方、ｘが大きすぎると、結晶化させるためには高
温の熱処理が必要となってしまい、また、結晶化したと
しても良好な軟磁気特性は得られない。また、飽和磁束
密度も低くなってしまう。
径が大きくなりすぎて良好な軟磁気特性が得られなくな
り、熱安定性も低下してしまう。また、耐食性も悪くな
る。一方、ｘが大きすぎると、結晶化させるためには高
温の熱処理が必要となってしまい、また、結晶化したと
しても良好な軟磁気特性は得られない。また、飽和磁束
密度も低くなってしまう。
【００２８】上記式においてｙが小さすぎると、Ｎによ
る結晶粒の微細化が不十分となり、良好な軟磁気特性が
得られない。ｙが大きすぎると、後述するような低温の
熱処理を施す場合、結晶化のためには実用に耐えないほ
どの長時間の熱処理が必要となり、しかも結晶化したと
しても良好な軟磁気特性は得られない。
る結晶粒の微細化が不十分となり、良好な軟磁気特性が
得られない。ｙが大きすぎると、後述するような低温の
熱処理を施す場合、結晶化のためには実用に耐えないほ
どの長時間の熱処理が必要となり、しかも結晶化したと
しても良好な軟磁気特性は得られない。
【００２９】なお、軟磁性薄膜中には、酸素が全体の５
原子％以下含有されていてもよい。
原子％以下含有されていてもよい。
【００３０】軟磁性薄膜の組成は、例えば、Electron P
robe Micro Analysis (EPMA)法により測定すればよい。
robe Micro Analysis (EPMA)法により測定すればよい。
【００３１】上記軟磁性薄膜では、優れた軟磁気特性が
得られる。具体的には、１０MHzでの初透磁率は１００
０以上にでき、保磁力は１Oe以下にできる。また、飽和
磁束密度は１４０００G 以上にできる。
得られる。具体的には、１０MHzでの初透磁率は１００
０以上にでき、保磁力は１Oe以下にできる。また、飽和
磁束密度は１４０００G 以上にできる。
【００３２】本発明において軟磁性薄膜の形成には、蒸
着、スパッタ、イオンプレーティング、ＣＶＤ等の各種
気相法を用いればよいが、特にスパッタが好ましい。ス
パッタを用いる場合、例えば以下のような手順で薄膜を
形成する。ターゲットには、合金鋳造体や多元ターゲッ
ト等を用い、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気下で、反応性ガ
スとして窒素を用いて反応性スパッタを行う。窒素は、
スパッタ雰囲気中に好ましくは０．１〜１５体積％、よ
り好ましくは２〜１０体積％含有させる。窒素含有率が
低すぎたり高すぎたりすると、上記式におけるｙを本発
明範囲内とすることが難しくなって、良好な軟磁気特性
が得られにくくなる。
着、スパッタ、イオンプレーティング、ＣＶＤ等の各種
気相法を用いればよいが、特にスパッタが好ましい。ス
パッタを用いる場合、例えば以下のような手順で薄膜を
形成する。ターゲットには、合金鋳造体や多元ターゲッ
ト等を用い、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気下で、反応性ガ
スとして窒素を用いて反応性スパッタを行う。窒素は、
スパッタ雰囲気中に好ましくは０．１〜１５体積％、よ
り好ましくは２〜１０体積％含有させる。窒素含有率が
低すぎたり高すぎたりすると、上記式におけるｙを本発
明範囲内とすることが難しくなって、良好な軟磁気特性
が得られにくくなる。
【００３３】スパッタの方式に特に制限はなく、また、
使用するスパッタ装置にも制限はないが、好ましくはマ
グネトロンスパッタを用いる。マグネトロンスパッタは
高周波で行なっても直流で行なってもよい。なお、動作
圧力は通常０．０５〜１．０Pa 程度とすればよい。ス
パッタ投入電力等の諸条件は、適宜決定すればよい。
使用するスパッタ装置にも制限はないが、好ましくはマ
グネトロンスパッタを用いる。マグネトロンスパッタは
高周波で行なっても直流で行なってもよい。なお、動作
圧力は通常０．０５〜１．０Pa 程度とすればよい。ス
パッタ投入電力等の諸条件は、適宜決定すればよい。
【００３４】スパッタ法により形成された薄膜は、通
常、非晶質に近いものであり、Ｆｅ（１１０）面に由来
するブロードなピークが存在するが、Ｆｅ（２００）面
に由来するピークは実質的に認められない。このときの
ピーク強度比Ｉ（２００）／Ｉ（１１０）は、０．１未
満であることが好ましい。そして、続く熱処理により、
このピーク強度比が上記範囲内となるようにする。
常、非晶質に近いものであり、Ｆｅ（１１０）面に由来
するブロードなピークが存在するが、Ｆｅ（２００）面
に由来するピークは実質的に認められない。このときの
ピーク強度比Ｉ（２００）／Ｉ（１１０）は、０．１未
満であることが好ましい。そして、続く熱処理により、
このピーク強度比が上記範囲内となるようにする。
【００３５】薄膜形成後、熱処理を施す。この熱処理
は、膜の結晶化を進め良好な軟磁気特性を得るためのも
のである。この熱処理は、好ましくは１００〜２８０
℃、より好ましくは１２０〜２６０℃で、好ましくは
０．５〜２０時間、より好ましくは２〜８時間行う。熱
処理温度が低すぎると、結晶化が不十分となって良好な
軟磁気特性が得られない。一方、熱処理温度が高すぎる
と、磁気ヘッドの他の部材、特にＭＲ膜に熱的な悪影響
を与える。特に、薄膜を積層した多層構造のＭＲ膜は、
各薄膜がきわめて薄く、加熱により元素が相互拡散しや
すいので、熱処理温度を上記のような低温とすることが
必須である。上記組成の膜をこのような低温で熱処理す
ることにより、Ｆｅ（２００）ピークを出現させてＩ
（２００）／Ｉ（１１０）を本発明内とすることがで
き、これにより優れた軟磁気特性が得られる。なお、熱
処理温度が高すぎると、ＦｅＮの析出に伴ってα−Ｆｅ
が析出し、耐食性が低くなってしまうという問題も生じ
る。
は、膜の結晶化を進め良好な軟磁気特性を得るためのも
のである。この熱処理は、好ましくは１００〜２８０
℃、より好ましくは１２０〜２６０℃で、好ましくは
０．５〜２０時間、より好ましくは２〜８時間行う。熱
処理温度が低すぎると、結晶化が不十分となって良好な
軟磁気特性が得られない。一方、熱処理温度が高すぎる
と、磁気ヘッドの他の部材、特にＭＲ膜に熱的な悪影響
を与える。特に、薄膜を積層した多層構造のＭＲ膜は、
各薄膜がきわめて薄く、加熱により元素が相互拡散しや
すいので、熱処理温度を上記のような低温とすることが
必須である。上記組成の膜をこのような低温で熱処理す
ることにより、Ｆｅ（２００）ピークを出現させてＩ
（２００）／Ｉ（１１０）を本発明内とすることがで
き、これにより優れた軟磁気特性が得られる。なお、熱
処理温度が高すぎると、ＦｅＮの析出に伴ってα−Ｆｅ
が析出し、耐食性が低くなってしまうという問題も生じ
る。
【００３６】熱処理は真空中あるいはＡｒ等の不活性ガ
ス雰囲気中で行なうことが好ましい。
ス雰囲気中で行なうことが好ましい。
【００３７】熱処理後の薄膜の平均結晶粒径は、１００
nm以下であり、５〜５０nmとすることも容易である。平
均結晶粒径は、Ｘ線回折でのＦｅ（２００）ピークの半
値巾Ｗ50を測定し、下記のシェラーの式から求めればよ
い。
nm以下であり、５〜５０nmとすることも容易である。平
均結晶粒径は、Ｘ線回折でのＦｅ（２００）ピークの半
値巾Ｗ50を測定し、下記のシェラーの式から求めればよ
い。
【００３８】式 Ｄ＝０．９λ／Ｗ50 cosθ
【００３９】この式において、λは用いたＸ線の波長で
あり、θは回折角である。
あり、θは回折角である。
【００４０】次に、本発明の磁気ヘッドの構成について
説明する。
説明する。
【００４１】本発明の磁気ヘッドの構成例である磁気抵
抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）を、図１に示す。図１は
磁気記録媒体側から見た平面図であり、媒体に対するヘ
ッドの相対的移動方向は図中下側である。したがって、
図中下側がリーディング側となり、上側がトレーリング
側となる。図１の再生ヘッドは、基体２からトレーリン
グ方向に向かって、リーディング側磁気シールド膜４、
一対のリード５１が接続されたＭＲ膜５およびトレーリ
ング側磁気シールド膜６を有し、隣り合う膜間には絶縁
材３が設けられている。
抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）を、図１に示す。図１は
磁気記録媒体側から見た平面図であり、媒体に対するヘ
ッドの相対的移動方向は図中下側である。したがって、
図中下側がリーディング側となり、上側がトレーリング
側となる。図１の再生ヘッドは、基体２からトレーリン
グ方向に向かって、リーディング側磁気シールド膜４、
一対のリード５１が接続されたＭＲ膜５およびトレーリ
ング側磁気シールド膜６を有し、隣り合う膜間には絶縁
材３が設けられている。
【００４２】上記した軟磁性薄膜は、リーディング側磁
気シールド膜に適用してもトレーリング側磁気シールド
膜に適用してもよいが、好ましくは両磁気シールド膜に
適用する。
気シールド膜に適用してもトレーリング側磁気シールド
膜に適用してもよいが、好ましくは両磁気シールド膜に
適用する。
【００４３】なお、図１に示される再生ヘッドは、ＭＲ
膜５が媒体対向面に露出する通常のシールド型ＭＲヘッ
ドであるが、本発明では図２に示されるような構成のヨ
ーク型ＭＲヘッドにも適用することができる。図２に示
される再生ヘッドは、基体２からトレーリング方向に向
かってリーディング側磁気シールド膜４、絶縁材３１、
ヨーク７１、絶縁材３２、ＭＲ膜５、ヨーク７２、絶縁
材３３およびトレーリング側磁気シールド膜６を有す
る。この再生ヘッドでは図中右側の側面が媒体対向面と
なり、磁束はヨーク７１、ＭＲ膜５、ヨーク７２を通る
ことになる。
膜５が媒体対向面に露出する通常のシールド型ＭＲヘッ
ドであるが、本発明では図２に示されるような構成のヨ
ーク型ＭＲヘッドにも適用することができる。図２に示
される再生ヘッドは、基体２からトレーリング方向に向
かってリーディング側磁気シールド膜４、絶縁材３１、
ヨーク７１、絶縁材３２、ＭＲ膜５、ヨーク７２、絶縁
材３３およびトレーリング側磁気シールド膜６を有す
る。この再生ヘッドでは図中右側の側面が媒体対向面と
なり、磁束はヨーク７１、ＭＲ膜５、ヨーク７２を通る
ことになる。
【００４４】本発明は、記録用の誘導型ヘッド部および
再生用のＭＲヘッド部を具備するＭＲ誘導型複合ヘッド
にも好適である。
再生用のＭＲヘッド部を具備するＭＲ誘導型複合ヘッド
にも好適である。
【００４５】図３に示される記録再生ヘッドは、ＭＲ誘
導型複合ヘッドの構成例であり、図１に示される再生ヘ
ッドのトレーリング側に、絶縁材を介して誘導型ヘッド
部を有する。この誘導型ヘッド部は、リーディング側磁
極８１とトレーリング側磁極８２とを有する通常の薄膜
ヘッドの構成を有する。
導型複合ヘッドの構成例であり、図１に示される再生ヘ
ッドのトレーリング側に、絶縁材を介して誘導型ヘッド
部を有する。この誘導型ヘッド部は、リーディング側磁
極８１とトレーリング側磁極８２とを有する通常の薄膜
ヘッドの構成を有する。
【００４６】一方、図４に示される記録再生ヘッドは、
図１に示される再生ヘッドのトレーリング側磁気シール
ド膜６を誘導型ヘッド部のリーディング側磁極として用
い、さらにこれのトレーリング側に誘導型ヘッド部のト
レーリング側磁極８２を設けた構成である。
図１に示される再生ヘッドのトレーリング側磁気シール
ド膜６を誘導型ヘッド部のリーディング側磁極として用
い、さらにこれのトレーリング側に誘導型ヘッド部のト
レーリング側磁極８２を設けた構成である。
【００４７】これらの誘導型ヘッド部に本発明を適用す
る場合、上記軟磁性薄膜を磁極として用いる。この場
合、上記軟磁性薄膜をリーディング側磁極に適用しても
トレーリング側磁極に適用してもよいが、好ましくは両
磁極に適用する。なお、これらいずれの場合でも、上記
軟磁性薄膜はリーディング側またはトレーリング側の磁
極全体を構成する必要はない。例えば、磁極を上記軟磁
性薄膜とパーマロイ等の他の軟磁性薄膜との積層構造と
し、磁束密度のより高い上記軟磁性薄膜をギャップ側に
配置する構成としてもよい。このような構成とすること
により、ギャップ付近においてより急峻な磁束変化を実
現することができる。
る場合、上記軟磁性薄膜を磁極として用いる。この場
合、上記軟磁性薄膜をリーディング側磁極に適用しても
トレーリング側磁極に適用してもよいが、好ましくは両
磁極に適用する。なお、これらいずれの場合でも、上記
軟磁性薄膜はリーディング側またはトレーリング側の磁
極全体を構成する必要はない。例えば、磁極を上記軟磁
性薄膜とパーマロイ等の他の軟磁性薄膜との積層構造と
し、磁束密度のより高い上記軟磁性薄膜をギャップ側に
配置する構成としてもよい。このような構成とすること
により、ギャップ付近においてより急峻な磁束変化を実
現することができる。
【００４８】本発明の磁気ヘッドにおいて、磁気シール
ド膜や磁極以外の構成は特に限定されず、通常のＭＲヘ
ッドやＭＲ誘導型複合ヘッドと同様な構成であってよ
い。
ド膜や磁極以外の構成は特に限定されず、通常のＭＲヘ
ッドやＭＲ誘導型複合ヘッドと同様な構成であってよ
い。
【００４９】例えば、ＭＲ膜には、パーマロイやＮｉ−
Ｃｏ合金の他、磁気抵抗効果を有する各種材料等を用い
ることができる。上述したように、本発明では熱処理温
度を低くできるので、ＭＲ膜を多層構成とする場合に特
に好適である。多層構成のＭＲ膜としては、例えば、ス
ピンバルブ型のもの（ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／Ｆｅ
Ｍｎ、Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ／ＦｅＭｎ等）、人工格子多層
膜（ＮｉＦｅ／Ａｇ、Ｃｏ／Ａｇ等）などが挙げられ
る。
Ｃｏ合金の他、磁気抵抗効果を有する各種材料等を用い
ることができる。上述したように、本発明では熱処理温
度を低くできるので、ＭＲ膜を多層構成とする場合に特
に好適である。多層構成のＭＲ膜としては、例えば、ス
ピンバルブ型のもの（ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／Ｆｅ
Ｍｎ、Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ／ＦｅＭｎ等）、人工格子多層
膜（ＮｉＦｅ／Ａｇ、Ｃｏ／Ａｇ等）などが挙げられ
る。
【００５０】ＭＲ膜に接続されるリードには、ＴａやＷ
等、ＭＲ膜に拡散しない材料を用いることが好ましい。
絶縁材には、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等の各種セラミック
スなど、通常の絶縁材料を用いることができる。また、
セラミックスなどから構成される基体２は、通常、磁気
ヘッドのスライダに固定されるが、基体２自体をスライ
ダとして用いてもよい。
等、ＭＲ膜に拡散しない材料を用いることが好ましい。
絶縁材には、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等の各種セラミック
スなど、通常の絶縁材料を用いることができる。また、
セラミックスなどから構成される基体２は、通常、磁気
ヘッドのスライダに固定されるが、基体２自体をスライ
ダとして用いてもよい。
【００５１】なお、必要に応じ、磁気シールド膜の一部
を、パーマロイなどの従来の各種軟磁性材料から構成し
てもよい。
を、パーマロイなどの従来の各種軟磁性材料から構成し
てもよい。
【００５２】各部の寸法も特に限定されず、組み合わさ
れる磁気記録媒体の構成などに応じて適宜決定すればよ
いが、通常、磁気シールド膜は厚さ１〜５μm 、幅３０
〜２００μm 、磁気抵抗効果膜は厚さ５〜６０nm、幅１
〜１０μm 、磁気シールド膜と磁気抵抗効果膜との距離
は０．０３〜１．０μm 、誘導型ヘッド部の磁極は厚さ
１〜５μm 、幅０．５〜１０μm 、トレーリング側磁気
シールド膜と誘導型ヘッド部の磁極との距離は０．２〜
５μm である。
れる磁気記録媒体の構成などに応じて適宜決定すればよ
いが、通常、磁気シールド膜は厚さ１〜５μm 、幅３０
〜２００μm 、磁気抵抗効果膜は厚さ５〜６０nm、幅１
〜１０μm 、磁気シールド膜と磁気抵抗効果膜との距離
は０．０３〜１．０μm 、誘導型ヘッド部の磁極は厚さ
１〜５μm 、幅０．５〜１０μm 、トレーリング側磁気
シールド膜と誘導型ヘッド部の磁極との距離は０．２〜
５μm である。
【００５３】本発明の磁気ヘッドにおいて、ＭＲ膜の線
形動作化の方式は特に限定されず、電流バイアス法、ハ
ードフィルムバイアス法、ソフトフィルムバイアス法、
形状バイアス法などの各種方式から適宜選択することが
できる。
形動作化の方式は特に限定されず、電流バイアス法、ハ
ードフィルムバイアス法、ソフトフィルムバイアス法、
形状バイアス法などの各種方式から適宜選択することが
できる。
【００５４】本発明の磁気ヘッドは、通常、薄膜作製と
パターン形成とによって製造される。各膜の形成には、
スパッタ法、真空蒸着法等の気相被着法や、めっき法等
を用いればよい。パターン形成は、選択エッチングや選
択デポジションなどにより行なうことができる。
パターン形成とによって製造される。各膜の形成には、
スパッタ法、真空蒸着法等の気相被着法や、めっき法等
を用いればよい。パターン形成は、選択エッチングや選
択デポジションなどにより行なうことができる。
【００５５】本発明の磁気ヘッドは、アーム等の従来公
知のアセンブリーと組み合わせて使用される。
知のアセンブリーと組み合わせて使用される。
【００５６】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００５７】薄膜 表１に示す組成の薄膜を、以下に示す手順で基板上に形
成した。なお、基板には、表面にＡｌ2 Ｏ3 膜を形成し
たＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ板を用いた。まず、ターゲットに
Ｆｅ−Ｚｒ合金を用い、Ａｒ＋Ｎ2 混合ガスを真空槽中
に導入しながら反応性スパッタを行って、厚さ１．０μ
m のＦｅ−Ｚｒ−Ｎ薄膜を基板上に形成した。スパッタ
の際の流量比Ｎ2 ／（Ａｒ＋Ｎ2）は、０．０５〜０．
１０とした。次いで、薄膜に、２５０℃で５時間熱処理
を施した。
成した。なお、基板には、表面にＡｌ2 Ｏ3 膜を形成し
たＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ板を用いた。まず、ターゲットに
Ｆｅ−Ｚｒ合金を用い、Ａｒ＋Ｎ2 混合ガスを真空槽中
に導入しながら反応性スパッタを行って、厚さ１．０μ
m のＦｅ−Ｚｒ−Ｎ薄膜を基板上に形成した。スパッタ
の際の流量比Ｎ2 ／（Ａｒ＋Ｎ2）は、０．０５〜０．
１０とした。次いで、薄膜に、２５０℃で５時間熱処理
を施した。
【００５８】熱処理後の各薄膜について、保磁力、１０
MHzにおける初透磁率、飽和磁束密度を測定した。結果
を表１に示す。
MHzにおける初透磁率、飽和磁束密度を測定した。結果
を表１に示す。
【００５９】また、各薄膜のＸ線回折パターンから、Ｉ
（２００）／Ｉ（１１０）を求めた。結果を表１に示
す。図５に、薄膜No.１の熱処理前および熱処理後それ
ぞれのＸ線回折パターンを示す。
（２００）／Ｉ（１１０）を求めた。結果を表１に示
す。図５に、薄膜No.１の熱処理前および熱処理後それ
ぞれのＸ線回折パターンを示す。
【００６０】
【表１】
【００６１】表１に示される結果から、本発明の効果が
明らかである。すなわち、組成およびＩ（２００）／Ｉ
（１１０）が本発明範囲内である薄膜では、熱処理温度
が２５０℃と低いにもかかわらず、保磁力が低く、初透
磁率が高く、きわめて優れた軟磁気特性が得られてい
る。
明らかである。すなわち、組成およびＩ（２００）／Ｉ
（１１０）が本発明範囲内である薄膜では、熱処理温度
が２５０℃と低いにもかかわらず、保磁力が低く、初透
磁率が高く、きわめて優れた軟磁気特性が得られてい
る。
【００６２】薄膜No.１では、図５に示されるようにＺ
ｒＮの回折ピークは認められない。また、他の薄膜にお
いても同様であった。
ｒＮの回折ピークは認められない。また、他の薄膜にお
いても同様であった。
【００６３】比較のために、前記特開平３−１５１３号
公報記載の軟磁性薄膜に相当する窒素含有率の高い組成
（７７．７Ｆｅ−６．８Ｚｒ−１５．５Ｎ）を有する薄
膜を表１の薄膜の形成方法に準じて反応性スパッタによ
り形成した。なお、前記組成は原子比である。この薄膜
に２５０℃で熱処理を施したところ、５時間では結晶化
せず、結晶化したのは７０時間後であった。しかも、結
晶化後の特性は、保磁力２７Oe、初透磁率８０と著しく
悪いものであった。
公報記載の軟磁性薄膜に相当する窒素含有率の高い組成
（７７．７Ｆｅ−６．８Ｚｒ−１５．５Ｎ）を有する薄
膜を表１の薄膜の形成方法に準じて反応性スパッタによ
り形成した。なお、前記組成は原子比である。この薄膜
に２５０℃で熱処理を施したところ、５時間では結晶化
せず、結晶化したのは７０時間後であった。しかも、結
晶化後の特性は、保磁力２７Oe、初透磁率８０と著しく
悪いものであった。
【００６４】また、３種類の反応性スパッタ装置を使用
し、かつスパッタレート、雰囲気圧力、窒素ガス分圧等
の反応性スパッタ条件を変化させることにより、前記特
開平６−２５９７２９号公報に記載された（１００）配
向薄膜の形成を試みた。しかし、様々な条件で成膜を１
０回行ったうち、（１００）配向の薄膜は１回しか形成
することができなかった。
し、かつスパッタレート、雰囲気圧力、窒素ガス分圧等
の反応性スパッタ条件を変化させることにより、前記特
開平６−２５９７２９号公報に記載された（１００）配
向薄膜の形成を試みた。しかし、様々な条件で成膜を１
０回行ったうち、（１００）配向の薄膜は１回しか形成
することができなかった。
【００６５】ＭＲ誘導型複合ヘッド 図３に示される構成を有するＭＲ誘導型複合ヘッドを作
製した。
製した。
【００６６】まず、基板２（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）上
に、絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3 ：厚さ１０μm ）、リーディン
グ側磁気シールド膜４（表１の薄膜No.１の組成：厚さ
３μm）、絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3 ：厚さ０．１μm ）、Ｍ
Ｒ膜５（厚さ１５nmのバイアス膜／厚さ７nmのＴａ膜／
厚さ１７nmのＮｉＦｅ膜の３層構造：合計厚さ３９nm、
高さ２．０μm ）、リード５１（Ｔａ：厚さ０．２μm
）、絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3：厚さ０．１μm ）、トレーリ
ング側磁気シールド膜６（表１の薄膜No.１の組成：厚
さ２．５μm ）および絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3 ：厚さ３μm
）を形成した。両磁気シールド膜は反応性スパッタに
より形成し、各膜形成後にそれぞれ２５０℃で５時間熱
処理を施した。ＭＲ膜、絶縁材およびリードはスパッタ
により形成した。パターン形成にはイオンミリングを用
いた。
に、絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3 ：厚さ１０μm ）、リーディン
グ側磁気シールド膜４（表１の薄膜No.１の組成：厚さ
３μm）、絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3 ：厚さ０．１μm ）、Ｍ
Ｒ膜５（厚さ１５nmのバイアス膜／厚さ７nmのＴａ膜／
厚さ１７nmのＮｉＦｅ膜の３層構造：合計厚さ３９nm、
高さ２．０μm ）、リード５１（Ｔａ：厚さ０．２μm
）、絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3：厚さ０．１μm ）、トレーリ
ング側磁気シールド膜６（表１の薄膜No.１の組成：厚
さ２．５μm ）および絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3 ：厚さ３μm
）を形成した。両磁気シールド膜は反応性スパッタに
より形成し、各膜形成後にそれぞれ２５０℃で５時間熱
処理を施した。ＭＲ膜、絶縁材およびリードはスパッタ
により形成した。パターン形成にはイオンミリングを用
いた。
【００６７】次いで、リーディング側磁極８１（表１の
薄膜No.１の組成：厚さ２．５μm）を反応性スパッタに
より形成し、２５０℃で５時間熱処理を施した後、絶縁
材（Ａｌ2 Ｏ3 ：厚さ０．５μm ）をスパッタにより形
成してギャップとし、さらにトレーリング側磁極８２
（表１の薄膜No.１の組成：厚さ３μm ）を反応性スパ
ッタにより形成し、２５０℃で５時間熱処理を施した
後、絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3：厚さ５０μm ）をスパッタに
より形成して保護膜とし、本発明のＭＲ誘導型複合ヘッ
ドを得た。次いで、このＭＲ誘導型複合ヘッドの基板２
をスライダに固定し、ハードディスク駆動装置に組み込
んだ。
薄膜No.１の組成：厚さ２．５μm）を反応性スパッタに
より形成し、２５０℃で５時間熱処理を施した後、絶縁
材（Ａｌ2 Ｏ3 ：厚さ０．５μm ）をスパッタにより形
成してギャップとし、さらにトレーリング側磁極８２
（表１の薄膜No.１の組成：厚さ３μm ）を反応性スパ
ッタにより形成し、２５０℃で５時間熱処理を施した
後、絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3：厚さ５０μm ）をスパッタに
より形成して保護膜とし、本発明のＭＲ誘導型複合ヘッ
ドを得た。次いで、このＭＲ誘導型複合ヘッドの基板２
をスライダに固定し、ハードディスク駆動装置に組み込
んだ。
【００６８】なお、各磁気シールド膜および各磁極の熱
処理は、真空中において膜面に平行な３kOe の磁界を印
加しながら行った。
処理は、真空中において膜面に平行な３kOe の磁界を印
加しながら行った。
【００６９】再生波形の半値幅 シールド効果の良否を調べるために、本発明のＭＲ誘導
型複合ヘッドの孤立再生波形の半値幅を測定した。ま
た、両磁気シールド膜をパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）とし
た以外は本発明のヘッドと同様にして比較例のヘッドを
作製し、これらについても同様な測定を行った。結果を
表２に示す。
型複合ヘッドの孤立再生波形の半値幅を測定した。ま
た、両磁気シールド膜をパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）とし
た以外は本発明のヘッドと同様にして比較例のヘッドを
作製し、これらについても同様な測定を行った。結果を
表２に示す。
【００７０】
【表２】
【００７１】表２から明らかなように、本発明のヘッド
では、パーマロイを用いた従来のヘッドと同等の磁気シ
ールド効果が得られている。
では、パーマロイを用いた従来のヘッドと同等の磁気シ
ールド効果が得られている。
【００７２】耐久性 再生波形の半値幅の測定に用いた各ヘッドの記録媒体対
向面を、ダイヤモンドスラリーを用いたラッピングによ
り研磨した後、リーディング側磁気シールド膜のリセス
量（凹み量）を測定した。また、絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3 ）
のリセス量も測定した。結果を表３に示す。
向面を、ダイヤモンドスラリーを用いたラッピングによ
り研磨した後、リーディング側磁気シールド膜のリセス
量（凹み量）を測定した。また、絶縁材（Ａｌ2 Ｏ3 ）
のリセス量も測定した。結果を表３に示す。
【００７３】
【表３】
【００７４】表３から、本発明のヘッドでは磁気シール
ド膜の耐久性が絶縁材と同等であることがわかる。
ド膜の耐久性が絶縁材と同等であることがわかる。
【００７５】再生出力の記録電流依存性 本発明のＭＲ誘導型複合ヘッドを用いて、再生出力の記
録電流依存性を測定した。また、両磁極をパーマロイ
（Ｎｉ−Ｆｅ）とした以外は本発明のヘッドと同様にし
て比較例のヘッドを作製し、これについても同様な測定
を行った。結果を表４に示す。
録電流依存性を測定した。また、両磁極をパーマロイ
（Ｎｉ−Ｆｅ）とした以外は本発明のヘッドと同様にし
て比較例のヘッドを作製し、これについても同様な測定
を行った。結果を表４に示す。
【００７６】
【表４】
【００７７】表４において、本発明のヘッドでは、磁極
の飽和磁束密度が高いため、記録電流の増大に伴って再
生出力も増大しているが、パーマロイ磁極を有する比較
例のヘッドでは、磁極の磁気飽和のために、記録電流が
大きくなると再生出力がかえって低下してしまってい
る。
の飽和磁束密度が高いため、記録電流の増大に伴って再
生出力も増大しているが、パーマロイ磁極を有する比較
例のヘッドでは、磁極の磁気飽和のために、記録電流が
大きくなると再生出力がかえって低下してしまってい
る。
【００７８】以上の各測定の結果から、本発明の効果が
明らかである。低温で熱処理されたＦｅ−Ｚｒ−Ｎ薄膜
を磁気シールド膜に適用した本発明のヘッドでは、パー
マロイを磁気シールド膜に用いた従来のヘッドと同等の
磁気シールド特性が得られ、しかも、パーマロイに比べ
耐久性が著しく高い。また、上記薄膜を磁極に適用した
本発明のヘッドでは、パーマロイを磁極に用いた従来の
ヘッドよりも記録特性に優れ、しかも、磁気シールド膜
に適用した場合と同様に耐久性も良好となる。
明らかである。低温で熱処理されたＦｅ−Ｚｒ−Ｎ薄膜
を磁気シールド膜に適用した本発明のヘッドでは、パー
マロイを磁気シールド膜に用いた従来のヘッドと同等の
磁気シールド特性が得られ、しかも、パーマロイに比べ
耐久性が著しく高い。また、上記薄膜を磁極に適用した
本発明のヘッドでは、パーマロイを磁極に用いた従来の
ヘッドよりも記録特性に優れ、しかも、磁気シールド膜
に適用した場合と同様に耐久性も良好となる。
【００７９】また、上記磁気ヘッドを製造する際には、
軟磁性薄膜形成後に水を噴射しながら基板を切断する工
程を設けたが、２５０℃で熱処理した場合には、磁気ヘ
ッド中の軟磁性薄膜に腐食は認められなかった。これに
対し、同組成の薄膜を３５０℃で熱処理した場合には、
磁気ヘッド中の軟磁性薄膜に、α−Ｆｅの酸化によると
みられる発錆が認められた。
軟磁性薄膜形成後に水を噴射しながら基板を切断する工
程を設けたが、２５０℃で熱処理した場合には、磁気ヘ
ッド中の軟磁性薄膜に腐食は認められなかった。これに
対し、同組成の薄膜を３５０℃で熱処理した場合には、
磁気ヘッド中の軟磁性薄膜に、α−Ｆｅの酸化によると
みられる発錆が認められた。
【００８０】なお、本発明を図１、図２および図４にそ
れぞれ示される構成の磁気ヘッドに適用した場合でも、
上記と同様な効果が得られた。
れぞれ示される構成の磁気ヘッドに適用した場合でも、
上記と同様な効果が得られた。
【図１】本発明の磁気ヘッドの構成例を媒体側から見た
平面図である。
平面図である。
【図２】本発明の磁気ヘッドの構成例の断面図である。
【図３】本発明の磁気ヘッドの構成例を媒体側から見た
平面図である。
平面図である。
【図４】本発明の磁気ヘッドの構成例を媒体側から見た
平面図である。
平面図である。
【図５】Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ薄膜の熱処理前および熱処理後
それぞれのＸ線回折パターンである。
それぞれのＸ線回折パターンである。
２ 基体 ３、３１、３２、３３ 絶縁材 ４ リーディング側磁気シールド膜 ５ 磁気抵抗効果膜 ５１ リード ６ トレーリング側磁気シールド膜 ７１、７２ ヨーク ８１ リーディング側磁極 ８２ トレーリング側磁極
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/31 - 5/39 H01F 41/14 - 41/28
Claims (6)
- 【請求項１】 一対の磁極を有する誘導型ヘッド部を有
し、前記磁極の少なくとも一方の少なくとも一部が、 式 （Ｆｅ1-x Ｍx ）1-y Ｎy （上記式において、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎおよ
びＢからなる群から選択される少なくとも１種の元素で
あり、ｘおよびｙは原子比を表し、 ０．０１≦ｘ≦０．１、 ０．０１≦ｙ≦０．１ である）で表される組成を有し、Ｘ線回折パターンにお
いて、Ｆｅ（２００）面の回折ピークの強度Ｉ（２０
０）とＦｅ（１１０）面の回折ピークの強度Ｉ（１１
０）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１１０）が０．１以上１
未満であり、かつＭ窒化物の回折ピークが認められない
軟磁性薄膜から構成されている磁気ヘッド。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果膜と少なくとも一つの磁気
シールド膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッド部を有し、
磁気シールド膜の少なくとも一つの少なくとも一部が、 式 （Ｆｅ1-x Ｍx ）1-y Ｎy （上記式において、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎおよ
びＢからなる群から選択される少なくとも１種の元素で
あり、ｘおよびｙは原子比を表し、 ０．０１≦ｘ≦０．１、 ０．０１≦ｙ≦０．１ である）で表される組成を有し、Ｘ線回折パターンにお
いて、Ｆｅ（２００）面の回折ピークの強度Ｉ（２０
０）とＦｅ（１１０）面の回折ピークの強度Ｉ（１１
０）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１１０）が０．１以上１
未満であり、かつＭ窒化物の回折ピークが認められない
軟磁性薄膜から構成されている磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記磁気抵抗効果型ヘッド部に加え、一
対の磁極を有する誘導型ヘッド部を有し、前記磁極の少
なくとも一方の少なくとも一部が前記軟磁性薄膜から構
成されている請求項２の磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記軟磁性薄膜が、１００〜２８０℃で
熱処理されたものである請求項１〜３のいずれかの磁気
ヘッド。 - 【請求項５】 一対の磁極を有する誘導型ヘッド部を有
する磁気ヘッドを製造するに際し、 まず、Ｆｅ、Ｍ（Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＭｎおよびＢ
からなる群から選択される少なくとも１種の元素）およ
びＮを含有し、Ｘ線回折パターンにおいて、Ｆｅ（２０
０）面の回折ピークの強度Ｉ（２００）とＦｅ（１１
０）面の回折ピークの強度Ｉ（１１０）との比Ｉ（２０
０）／Ｉ（１１０）が０．１未満である薄膜を形成し、
次いで、この薄膜に１００〜２８０℃で熱処理を施すこ
とにより、 式 （Ｆｅ1-x Ｍx ）1-y Ｎy （ｘおよびｙは原子比を表し、 ０．０１≦ｘ≦０．１、 ０．０１≦ｙ≦０．１ である）で表される組成を有し、Ｘ線回折パターンにお
いて、Ｉ（２００）／Ｉ（１１０）が０．１以上１未満
であり、かつＭ窒化物の回折ピークが認められない軟磁
性薄膜とし、この軟磁性薄膜を磁極の少なくとも一方の
少なくとも一部として用いる磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】 磁気抵抗効果膜と少なくとも一つの磁気
シールド膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッド部を有する
磁気ヘッドを製造するに際し、 まず、Ｆｅ、Ｍ（Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＭｎおよびＢ
からなる群から選択される少なくとも１種の元素）およ
びＮを含有し、Ｘ線回折パターンにおいて、Ｆｅ（２０
０）面の回折ピークの強度Ｉ（２００）とＦｅ（１１
０）面の回折ピークの強度Ｉ（１１０）との比Ｉ（２０
０）／Ｉ（１１０）が０．１未満である薄膜を形成し、
次いで、この薄膜に１００〜２８０℃で熱処理を施すこ
とにより、 式 （Ｆｅ1-x Ｍx ）1-y Ｎy （ｘおよびｙは原子比を表し、 ０．０１≦ｘ≦０．１、 ０．０１≦ｙ≦０．１ である）で表される組成を有し、Ｘ線回折パターンにお
いて、Ｉ（２００）／Ｉ（１１０）が０．１以上１未満
であり、かつＭ窒化物の回折ピークが認められない軟磁
性薄膜とし、この軟磁性薄膜を磁気シールド膜の少なく
とも一方の少なくとも一部として用いる磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08269448A JP3108636B2 (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US08/932,465 US6023397A (en) | 1996-09-19 | 1997-09-18 | Magnetic head, and its fabrication method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08269448A JP3108636B2 (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1097706A JPH1097706A (ja) | 1998-04-14 |
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Family
ID=17472578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08269448A Expired - Fee Related JP3108636B2 (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6023397A (ja) |
| JP (1) | JP3108636B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0744123B2 (ja) * | 1989-02-08 | 1995-05-15 | 富士写真フイルム株式会社 | 軟磁性薄膜の製造方法 |
| US5262915A (en) * | 1990-08-23 | 1993-11-16 | Tdk Corporation | Magnetic head comprising a soft magnetic thin film of FeNiZrN having enhanced (100) orientation |
| JPH06259729A (ja) * | 1993-03-03 | 1994-09-16 | Tdk Corp | 磁気ヘッド |
| JPH0760767A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-03-07 | Kasai Kogyo Co Ltd | パウダースラッシュ成形装置 |
-
1996
- 1996-09-19 JP JP08269448A patent/JP3108636B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-09-18 US US08/932,465 patent/US6023397A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1097706A (ja) | 1998-04-14 |
| US6023397A (en) | 2000-02-08 |
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