JPH04129009A - 薄膜磁気読出し・書込みヘッド - Google Patents

薄膜磁気読出し・書込みヘッド

Info

Publication number
JPH04129009A
JPH04129009A JP2107736A JP10773690A JPH04129009A JP H04129009 A JPH04129009 A JP H04129009A JP 2107736 A JP2107736 A JP 2107736A JP 10773690 A JP10773690 A JP 10773690A JP H04129009 A JPH04129009 A JP H04129009A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
thin film
read
core
write head
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2107736A
Other languages
English (en)
Inventor
Simon H Liao
シモン　ファングチュング　リアオ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seagate Technology International
Seagate Technology LLC
Original Assignee
Seagate Technology International
Seagate Technology LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seagate Technology International, Seagate Technology LLC filed Critical Seagate Technology International
Publication of JPH04129009A publication Critical patent/JPH04129009A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109—Details
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49034—Treating to affect magnetic properties

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、コバルト・鉄・硼素コアを有する薄膜磁気ヘ
ッドに関する。
〔従来の技術〕
薄膜磁気読出し・書込みヘッドは、磁気ディスク又は磁
気テープの如き磁気記憶媒体に情報を磁気的に書込み及
び読出しするために用いられている、データー記憶の要
請は増大してきているので磁気記憶媒体に大きな情報記
憶密度を与えることが益々望まれるようになってきてい
る。記憶密度の増大には、印加した書込み電流に対して
強い書込み磁場を与える磁気読出し・書込みヘッドが必
要である。これは異方性磁場（Ｈｋ）をできるだけ小さ
くして透磁率（μ）を増大させることによって達成させ
ることができる。μの増大は、情報を磁気記憶媒体から
読み出す時の感度の増大を与える結果にもなる。読出し
・書込み磁気ヘッドの保磁力（Ｈｅ）が小さいことも望
ましい、保磁力（ｃｏｅｒ−ｃｉｖｉｔｙ）　（Ｈｃ）
が小さいと、薄膜ヘッドの磁極片及びヨーク中の磁区形
状が一層安定になり、それによってバルクハウゼン効果
による雑音が最小になる。
米国特許第４，６６１．２１６号明細書は、約１９にガ
ウスの飽和磁化（４πＭｓ）、約２エルステツドの保磁
力（Ｈｃ）、約１３エルステツドの異方性磁場（Ｈｋ）
及び約１５００の透磁率（μ）を有する薄膜ヘッドを製
造するのに用いられるコバルト・ニッケル・鉄電気メッ
キ用組成物に間する。
大きな飽和磁化（Ｍｓ又は４πＭｓ＞を維持し、透磁率
（μ）を増大させながら異方性磁場（Ｈｋ）及び保磁力
（Ｈｃ）を−層小さくした薄膜磁気へ・ンドと製造する
ことが望ましいであろう。
〔本発明の要約〕
本発明は、大きな飽和磁化（Ｍｓ又は４πＭｓ）を維持
しながら、保磁力Ｈｅ及び異方性磁場（Ｈｋ）が減少し
た薄膜磁気ヘッドを与える。透磁率（μ）も増大されて
いる。
本発明の改良された薄膜へラドコアは、合金中に硼素が
添加されたコバルト・鉄からなるコアを用いている。こ
の改良されたコアはく電着法によって付着させてもよい
、！気メッキ過程中交番磁場をコアに印加すると、異方
性磁場Ｈｋは減少する。
別法として、異方性磁場（Ｈｋ）を低下させるために、
コアを回転磁場焼鈍（ｒｏｔａｔｉｎｇ　ｆｉｅｌｄ　
ａｎｎｅａｌ−ｉｎｇ）にかけてもよい、得られるコバ
ルト・鉄・硼素コアは約１９にガウスの飽和磁化（４π
Ｍｓ）、約１．０エルステツドのＨｃ、約７エルステツ
ドの［（ｋ及び約２５００の透磁率（μ）を有する。
〔好ましい態様についての詳細な記述〕本発明は、改良
された性ｒを与える磁気特性を有する薄膜磁気ヘッドを
与える〉本発明の磁気ヘッドは、ヘッド性能を改良する
なめコバルト、鉄及び硼素からなる金属合金を用いて形
成される。薄層磁石の性能特性を説明するなめ、もう−
度磁気学について概観して見る。第１図〜第５図及び次
の説明は、磁化容易軸及び困難軸、１４方性磁場（Ｈｋ
）、透磁率〈μ〉、保磁力（Ｈｃ）及び飽和磁化（４π
Ｍｇ）の意味内容を記述したものである。
第１図には棒磁石（６）が示されており、図中矢印（８
）及び（ｉｏ）は棒磁石（６）の磁化容易軸及び困難軸
を夫々示している。磁化容易軸とは、緩和状態の磁性材
料内での好ましい磁化ベクトル（Ｍ）の方向を指す、磁
石では、容易軸は磁極片の軸と平行である。一方困難軸
は、第１因中矢印（１０）で示されているように、容易
軸に対し直角の方向を指す、磁場Ｈを磁性材料に印加す
ると、その材料の磁化ベクトルＭは、印加した磁場Ｈの
方向に振れる傾向にある。Ｆｉｉ性材料の容易軸の方向
とは異なった方向に充分大きな磁場１−１２印加すると
、材料の磁化ベクトルＭは、容易軸に平行な緩和状態で
のその好ましい方向からｉ倚する。偏倚した磁化ベクト
ルＭは、第１ツ中Ｍ（合力）として示されている。
交番磁場Ｈを磁性材料に、その材料の磁化容易軸に沿っ
て印加すると、磁化Ｍ対印前磁場Ｈのグラフは、第２図
に示したようなヒステリシスループを形成する。磁化Ｍ
はガウスの単位で４πＭとして示されている。印加磁場
Ｈはエルステッドの単位で示されている。
第２図のＰｌで示した点から出発して、磁場Ｈ（磁化容
易軸の方向）を磁性材料に印加すると、磁化Ｍは第２図
のＰｌで示した点へ点線に沿っていく、その材料が一度
び第２図のＰｌ点に到達するとその材料は飽和し、その
材料に更に磁場Ｈを印加しても、材料の磁化を更に増大
させる結果にはならない、印加Ｈを更に増大させるとプ
ロットは第２図の２３の方へ移動する。この飽和磁化値
は第２図で４πＭｓ・である。
印加磁場Ｈの大きさを減少させ、そのベクトルの方向を
逆にすると、材料のヒステリシスグラフは、点２３〜Ｐ
２を通り第２図中４π示した点への路に沿っていく、材
料の磁化はその飽和値４πＭｓから変化しない、印加磁
場Ｈを逆の方向に更に増大すると、磁性材料内の磁化Ｍ
は減少し始め、点Ｐ４から第２図に示したヒステリシス
ループ上−Ｈｅで示した点を通過してＰ５で示した点へ
の路へ沿っていく、第２図の点Ｐ５に到達したならば磁
場Ｈ更に増大しても（逆方向）材料の磁化を更に増大す
る結果にはならず、材料は第２図中４πＭｓで示した値
で再び飽和する。印加磁場Ｈの強さを更に増大すると、
プロットは点Ｐ５から第２区のＰ６で示した点へ移動す
る。
印加磁場Ｈを点Ｐ６の値から第２図中の点Ｐ５及び０を
通りＰ７で示した点へ増大させると、材料の磁化は一４
πＭｓの飽和値から変化することはない、磁場Ｈを更に
増大させると、材料の磁化はヒステリシスルーアの点Ｐ
７からＨａを通り点Ｐ２への路を通る。印加磁場Ｈを変
化し続けることにより、材料は第２図のヒステリシスル
ー１を繰り返し通ることになるであろう。
Ｈｅ及び−Ｈｃで示した点は、磁性材料の保磁力即ち保
磁率を表している。ヒステリシスループの面積は、ヒス
テリシス１循環中のエネルギー損失に相当する。ヒステ
リシス損失は、磁！運動及び磁区回転中に起きる摩擦に
打ち勝つ熱の形のエネルギー損失となる。磁気読出し・
書込みヘッドでは、ヒステリシスルー１の形が一般に高
くて薄くなるように、大きな飽和磁化及び小さなＨｅを
持つのが好ましい、第３図は、ガウス単位で測定した４
πＭの材料の磁化Ｍ対印前磁場Ｈのグラフを示している
。第３図では、ベクトルＨは、磁性材料の困難軸に平行
で、容易軸に垂直な方向に印加されている。第２図のグ
ラフとは異なって、磁化Ｍ対困難軸に沿った印加磁場Ｈ
のグラフにはヒステリシスループはない、第２図のグラ
フと同様に、第３図でもＨは印加磁場であり、４πＭは
磁性材料内で得られた磁化ベクトルである。磁場Ｈが印
加されていないと、困難軸方向に沿ったＦｌｉ（ヒはＯ
である。Ｈの値を困難軸に平行な方向で増大すると、磁
化のプロットは、第３図のグラフの２８で示した点から
第３図のＰ９で示した点への線に沿っていく１点Ｐ９で
は、材料は最大磁化値４πＭに到達し、材料は４πＭｓ
に等しい磁化を持って飽和する。印加磁場Ｈを更に増大
しても、材料の磁化が４πＭｓ値を越えて更に増大する
結果にはならず、プロットはＰＬＯで示した点へ続いて
いく。
印加Ｈを減少させて０を通り、負へ増大させると、材料
の磁化Ｍは４πＭｓの点Ｐ９及びＰｌｏの値から点Ｐ８
のＯを通って減少し、最終的に第３図のｐＨで示した点
の値−４πＭｓを持つ飽和へ再び到達する１点ｐＨに到
達するのに必要な大きさを越えて印加磁場を更に増大さ
せても（逆方向）、材料の磁化Ｍのそれに相当する増大
をもたらすことはなく、プロットは第３図のＰＩ３で示
した点へ移動する。磁性材料を飽和状態にするのに必要
な困難軸の印加磁場Ｈの値は異方性磁場として知られて
おり、Ｈｋで示されている。材料の透磁率μは次の式で
表すことができる： 式１ ％式％ （式中、Ｍｓは材料の飽和磁ｆヒ値であり、Ｈｋは材料
の異方性である）。
式１の最後の簡略化を行なってもよい、なぜなら、項４
πＭ／Ｈは１より遥かに大きいからである。
従って、第３区のグラフの勾配は、磁性材料の透磁率μ
にほぼ等しい、材料のμが大きくなるほど、同じ磁化４
πＭを達成するのに印加される磁場Ｈは小さくてよい、
第３図は、Ｈｋが減少するに連れて、材料の透磁率μが
増大することをグラフ的に示している。なぜなら、第３
図の直線の勾配が増大するからである。
第４図は、上方磁極片（１４）及び下方磁極片（１６）
を有するコア（１３）を具えた薄膜ヘッド（１２）を示
している。導電体（１８）は薄膜ヘッド（１２）を通っ
て伸びており、上方磁極片（１４）と下方磁極片（１６
）との間に挟まれている。下方磁極片（１４）は上方磁
極先端（２０）を有し、下方磁極片（１６）は下方磁極
先端（２２）を有する。上方磁極先端（２０）と下方磁
極先端（２２）との間にはギャップ（２４）が形成され
ているのが示されている。典型的にはアルミナがそのギ
ャップに充填されている。磁気記憶媒体（図示されてい
ない）はギャップ（２４）の近くにおき、情報をその媒
体に書込み又は読出しすることができる。
第４図には、印加磁場Ｈの方向を示すＨ（印加）の矢印
と、緩和状態にある薄膜ヘッド（１２）の磁化Ｍを示す
Ｍ（［和）の矢印も示されている。操作時には、磁気デ
ィスク又は磁気テープの如き磁気記憶媒体は、上方磁極
先端（２０）と下方ａ極先端（２２）の間に形成された
ギャップ（２４）近くの領域中を移動する０図で示した
方向に導電体（１８）中に電流を流すと、第４図でＨ（
印加）で示した矢印の方向に薄膜ヘッド（１２）に磁場
Ｈが印加されることになる。
この印加磁場は材料の磁化Ｍを、矢印Ｍ（Ｈ和）によっ
て示された方向から、Ｍ（合力）で示された点線矢印で
示された方向へ変化させる。Ｍ（合力）で示された点線
は、容易軸から、導電体＜１８）８通過する電流による
印加磁場Ｈにより上方磁極先端（２０）と下方磁極先端
（２２）との間に形成されたギャップ（２４）の方へ向
いた方向に偏倚されているので、上方磁極先端（２０）
は次第に強くなるＮ極になり、下方磁極先端（２２）は
Ｓ極になるであろう、これによってギャップ（２４）の
回りに、上方磁極先端（２０）から下方磁極先端（２２
）への方向の磁場ベクトルを持つ周辺（ｆｒｉｎｇｅ）
磁場が形成される。
同様にして、導電体（１８）を通る電流を第４図で示し
た方向とは逆にすると、上方磁極先端（２０）はＳ％に
なり、下方磁極先端（２２）はＭ極になる。これは、下
方磁極先端（２２）から上方磁極先端（２０）への方向
の磁場を持つ周辺磁場をギャップ＜２４）の周りに生ず
るであろう、このように導電体（１８）を通る電流の流
れを変調することにより、上方磁極先端（２０）と下方
磁極先端（２２）の磁化を変調することができる。上方
磁極先端（２０）と下方磁極先端（２２）との間のギャ
ップ（２４）は、周辺磁場をギャップ（２４）の領域を
越えて延長させる。この周辺磁場中に磁気ディスク又は
磁気テープの如き磁気記憶媒体を入れると、薄膜ヘッド
（１２）に伴われたその周辺磁場によって媒体に磁場が
印加させることにより情報が記録される。同様に、薄膜
ヘッド（１２）の周辺磁場領域を通過する記憶媒体に付
与されていた磁化模様により、電流が導電体（１８）を
通って流れ、記憶されていた情報を再生することができ
る。
第５区は、第４図の薄膜ヘッド（１２）を示しているが
、そこには上方磁極片（１４）中の磁区の磁化ベクトル
（Ｍ＞の方向を示す矢印（１５Ａ　）、（１５Ｂ）及び
（１５Ｃ）が示されている。第５図の実線矢印（１５Ａ
）は、磁区の磁化容易軸の方向を示している。第５図中
の二つの隣接した磁区を分屋する線（１７）は磁壁を示
している。実線矢印（１５Ａ）は、薄膜へラド（１２）
の緩和状態でのその容易軸に沿った磁化ベクトル＜Ｍ）
の方向を示している。第５図に示された上方磁極片（１
４）の縁に沿った小さな垂直矢印（１５Ｂ）は２閉鎖磁
区中の磁化ベクトルを示している。
閉鎖磁区は、隣接した反対磁区を通る磁場回路を完成す
る。を流を導電体（１８）を通って図示した方向へ流す
と、上方磁極片（１４）中の磁区の磁化ベクトルＭの方
向は、点線矢印（１５Ｃ）によって示されているように
、容易軸から偏倚する。上方磁極先端（２０）と下方磁
極先端（２２）の所に夫々Ｍ極とＳ極とを生じさせるの
はこの偏倚である。もしＨｋが小さくされ、それによっ
て薄膜ヘッド（１２）の透磁率μを増大させると、材料
の磁化Ｍの同じ量の偏倚を起こさせるのに必要な印加磁
場Ｈの強さは小さなり、導電体（１８）を通って中力１
すべき必要な電流は小さくなる。
Ｈｅの値を減少させることにより、薄膜ヘッド（１２）
中の磁壁の飛躍が減少し、生ずるバルクハウゼンノイズ
は最小になる。Ｈｅの値が小さいと、磁化残留状態に影
響を与えるヒステリシスは殆どない、そのため、印加磁
場を全て取り除くと、最低のエネルギー状態を取り易く
なる。
周辺磁場領域を通る磁気記憶媒体に一層強力な磁場を印
加することができるように、磁気ヘッドに大きな飽和磁
化値Ｍｓを持たせることも望ましい、大きな透磁率μ（
これはＭｓに正比例する、上２式１参照）を有する薄膜
ヘッドは、Ｍｉ気記録媒体から情報を読み出した時の感
度も増大しているであろう、感度の増大は、薄膜ヘッド
（１２）の周辺磁場領域を通過する磁気記憶媒体の磁化
の変化が弱くても、導＄体（１８）を通って流れる電流
に比較的大きな変化を生じさせる。
本発明により、大きな飽和磁化Ｍｓ、小さな保磁力Ｈｅ
、小さな磁気異方性Ｈｋ及び大きな透磁率μを有する薄
膜読出し・書込みヘッドが製造される。
第６図は、第４図及び第５図の薄膜磁気ヘッド（１２）
の断面図を示している。薄膜ヘッド（１２）には、ベー
ス又は“フライヤー（ｆｌｙｅｒ）”基体（２５）及び
磁極片又はコア（１３）が含まれている。フライヤー基
体く２５）は、例えばアルシマグ（ＡＬＳＩＭＡＧ＞材
料からなっていてもよい、コア（１３）は磁極片（１４
）及び前方下方磁極片（１６）を有する。上方磁極片（
１４）の一部分及び下方磁極片（１６）の一部分は上方
磁極先端（２０）及び下方磁極先端（２２）を形成し、
それらの間にギャップ（２４）が形成されている。コア
（１３）には、後方上方部分（２６）及び後方上方部分
（２８）も含まれる。コア＜１３）の上方磁極片（１４
）及び下方ｇｉ粂片（１６）及び後方上方部分（２６）
及び下方部分（２８）は、中心領域即ち「バイア（ｖｉ
ａ）」（３０＞（第４図及び第５図では示されていない
）の所で接している。
第６図の薄膜ヘッド（１２）では、導電体り１８）及び
（３４）によって形成された二つのコア巻線が用いられ
ている。第４図及び第５図では導電体（１８）だけが示
されているが、導電体（１８）及び（３４）はコア（１
３）のバイア（３０）の周りにコイル状に形成されてお
り、包み紙の一部分がコア（１３）の上方磁極片（１４
）と下方磁極片（１６）との間に挟まれており、包み紙
の一部分はコア（１３）の後方上方部分く２６）と下方
部分（２８）との間に挟まれている。コア（１３）は基
体被覆（３６）によって基体（２５）から分離されてい
る。
基体被覆（３６）はアルミナＡ　Ｉ　２０３の如き絶縁
体であるのが典型的である。上方磁極片（１４）と下方
磁極片（１６）との間の領域は絶縁材料（３８）で満た
されている。典型的には絶縁材料（３８）はホトレジス
トである。上方磁極先端（２０）と下方磁極先端（２２
）との間のギャップ（２４）にはアルミナＡ１□Ｏ３が
満たされている。コア（１３）の後方上方部分く２６）
と下方部分（２８）との間にも絶縁材料（３８）が挟ま
れている。
製造中、基本（２５）の全表面に互って薄膜ヘッド（１
２）と同様な多重ヘッドを付着させてもよい、第６図に
示したように薄膜ヘッド（１２）の層を付着させた後、
基体＜２５）Ｃその上にはヘッド（１２）が形成されて
いる〕を、夫々基体（２５）の一部分によって保持され
た多くの個々の薄膜ヘッドとしてさいの目に切る（ｄｉ
ｃｅ）か又は薄片状に切る（ｓｌｉｃｅ）がして、上方
磁極先端（２０）及び下方磁極先端（２２）及びギャッ
プ（２４）を露出させる１次にギャップ〈２４）及び磁
極先端（２０）及び（２２）を、薄膜ヘッド（１２）の
中心の方へ、一般に内側の方向に縁取りし、希望の狭く
なった大きさにしてもよい、その縁取り工程は、ギャッ
プ（２４）の露出部分をダイヤモンドスラリーに当てる
研削工程である。電気接点（図示されていない）を薄膜
ヘッド（１２）の導電体（１８）及び（３４）に適用す
る０次に完成したヘッドを、コンピューターディスクの
如き磁気記憶用媒体にデーターを薯込み及び読み取りす
るのに用いられる成る型の積載固定具（図示されていな
い）に取り付けてもよい。
操作する時、磁気記憶用媒体を、ギャップ（２４）を形
成する上方及び下方磁極先端（２０）及び（２２）の近
くに置く、読出し操作中、移動する記憶媒体による磁場
の変化が、コア（１３）の上方磁極片（１４）と下方磁
極片（１６）によって形成された上方及び下方磁極先端
（２０）及び（２２）に磁場を与える。この印加された
磁場はコア（１３）の上方磁極片（１４）、バイア（３
０）及び下方磁極片（１６）を通って導電体（１８）及
び（３４）の周りに伝達される。これによって導電体く
１８）及び（３４）中に電流が誘導される。この電流は
移動する磁気記憶用媒体によって生ずる磁場に対応する
ものである。書込み操作中、導電体（１８）又は導電体
（３４）に電流を流す、これによってコア（１３）に磁
場を生じ、それが、コア（１３）の上方及び下方磁極先
端（２０）及び（２２）の間に形成されたギャップ（２
４）の所の周辺効果により記憶媒体（図示されていない
）に適用される。
第４図、第５回文び第６図の薄膜磁気ヘッド（１２）を
製造するのに用いられる諸工程は、第７図〜第１２図に
夫々示されている。第７図の断面図には基体〈２５）が
示されている。基本（２５）は薄膜磁気ヘッドの大きさ
に比較して大きいのが典型的であり、ｒウェーハ」と呼
ばれている。製造工程中典型的には基体（２５）の上に
１膜ヘツド（１２）の如き薄膜ヘッドが多数製造される
。しかし、この例ではただ一つの薄膜磁気ヘッド（１２
）が製造される場合を示す、基本（２５）はアルシマグ
の如き導電性材料がら作られているのが典型的である。
第８図に示すように、基体（２５）の全体に互って基体
被覆層（３６）を付着させる。基体被覆（３６）は非導
電性材料であり、典型的にはアルミナＡ　Ｉ　２０　ｓ
からなる。基体被覆（３６）はスパッタリング法により
適用してもよい。
第９図に示すように、磁性材料の薄膜層（５０）を、電
着法を用いて表面全体に適用する。この工程は後で一層
詳細に記述する１層（５０）は、コア（１３）の下方磁
極片（１６）及び後方下方部分（２８）の他、下方磁極
先端（２２）及びバイア（３０）の一部を形成する。
層（５０）は本発明のＣｏＦｅＢコアの一部分を構成す
る。
写真平版法を用いて、第１０図に示した形に絶縁層（３
８）をコア（１３）の層（５０）の上に付着させる。ア
ルミナＡｌ２Ｏ，をギャップ（２４）に付着させる。導
電体（３４）を絶縁層（３８）の上に付着し、コイル状
に形成する。
第１１図で、写真平版マスク及び食刻法を用いて絶縁層
（３８）を少し蓄積する。導電体（１８）を導電体（３
４）と同様に付着し、コイル状に形成する。
第１２図で、絶縁層（３８）を蓄積し、導電体（１８）
及び（３４）を覆う０次に、第１２図に示した構造体の
上に磁性材料の別の層を付着させ、第６図に示したよう
な上方磁極片（１４）、後方上方部分（２６）及びバイ
ア（３０）の一部分を形成する。この層は電着法を用い
て付着させ、ＣｏＦｅＢからなる。
上方磁極片（１４）及び下方磁極片（１６）を電気メッ
キにより基体（２５）の上に付着させる。この電着工程
中回転磁場を印加することにより、磁気異方性Ｈｋを低
下することができる。別法として、異方性磁場Ｈｋを低
下させるため、コアを回転磁場中で焼鈍してもよい０本
発明で用いられる磁極片（１４）及び（１６）を付着す
るための電気メッキ浴は、コバルト、鉄及び硼素の溶液
からなる。硼素の添加は、それらの磁極片の保磁力Ｈｅ
を減少する。
上方磁極片（１４）及び下方磁極片（１６）を形成する
膜が厚いほど、保磁力Ｈｅの減少は大きくなる。硼素を
添加しても飽和磁束密度に殆ど影響を与えず、約１９に
ガウスのままである。電着工程中回転磁場を適用するか
又は回転磁場焼鈍を使用することと一緒にした硼素の添
加は、薄膜ヘッド（１２）の磁極片の保磁力Ｈｅを減少
する。好ましい態様として、電気メッキ洛中の硼素の濃
度は、約０．１〜２．０重量％の範囲にある。鉄濃度は
約７．０〜１２．０重量％の範囲で変えてもよく、電気
メッキ浴の残余成分はコバルトである１本発明の薄膜磁
気読出し・書込みヘッドを形成するために適した一つの
電気メッキ浴は次の通りである： 艮ユ １滅　　　　　　　　　　　　　　　　　翼Ｃｏ８０．
７Ｈ−０５０−３００ｇ＃！Ｆｅ５０＜８２０　　　　
　　　　　　　　３　−　１５　　ｇ／ＩＨ３ＢＯｙ　
　　　　　　　　　　　　　　５　−　５０　　ｇ／ｌ
二水和サッすリンナトリ’７３　０．５−　４　　ｇ／
ｌドデシル硫酸ナトリウム　　　０．１−　３　　ｇ＃
！ＤＭＡＢ　　　　　　　　　　溶解Ｄ　Ｍ　Ａ　Ｂ　
２ｇ／５０ｚ１を１−１０滴／ｌ クエン酸ナトリウム　　　　　０．５−　１０　　ｇ／
ＩＤＭＡＢ（ジメチルアミンボラン）は還元剤として働
き、ＣｏＦｅＢ薄膜コアの付着に用いられる解離した硼
素を与える。解離したコバルトイオンは、電気メッキ浴
中５〜１００ｇ＃の範囲でよい、鉄イオンは、電気メッ
キ浴中０，２〜５．０ｇ／ｌ２の範囲でよい、！気メッ
キ中の適当な温度は約３０℃である。
電気メッキ浴に適したｐＨは約３．５である。電気メッ
キ洛中のコバルト、鉄及び硼素の比は、電気メッキされ
た膜中でもほぼ同じになるであろう。
コバルト・鉄・硼素コアの電着中、オン・オフ時間を１
０ｍ５と９０ｍ　Ｓにした６アンペアパルスを用いたパ
ルス電気メッキを用いてもよい、パルス電気メッキは、
コアの厚さが約０．５μを越えて大きくなる時、コバル
ト　鉄・硼素コアの磁気特性を維持するのに役立ち、コ
アが等方性になってそのヒステリシスループを失うのを
防ぐ。薄膜は約５００Å〜約１０μ、好ましくは約ｚｏ
ｏｏλ〜約３μの範囲の厚さに対し有用な磁気特性を示
す。
コアの磁気異方性Ｈｋは二種類の方法によって低下させ
ることが出来ることが発見されている。
上方及び下方電極片（１４）及び（１６）の電着中、回
転磁場を適用してもよい、この磁場はコアの主軸と、主
軸から９０°の方向との間で交替させるべきである。１
サイクル１分の内４０秒間主軸磁場、その１分サイクル
の残りの２０秒間９０°磁場を印加すると、二つの磁場
方向の適切な比率が与えられる。別法として、この回転
磁場はコア材料を加熱する焼鈍工程中に適用してもよい
。
表２は、ニッケル・鉄コア（８２％のニッケルが存在す
る合金を使用）、コバルト・鉄コア（９０％のコバルト
が存在する合金を使用）及び本発明のコバルト・鉄硼素
コア（同じ（９０％のコバルトが存在する合金を使用）
の比較を示している。
表ス この表は、Ｈｅ及びＨｋが本発明のＣｏＦｅＢコアの場
合には減少しているのに対し、μの値はコバルト・鉄コ
アよりも著しく増大していることを示している。
本発明のコバルト・鉄・硼素コアを用いると、薄膜磁気
ヘッドの保磁力Ｈｅは、膜の厚さが増大するに従って、
コバルト・鉄薄膜ヘッドの場合よりも減少する０本発明
のコバルト・鉄・硼素薄膜磁気ヘッドを用いると、その
ヘッドは大きな鉋和磁化４πＭｓ、低い保磁力Ｈｅ、低
い置方性Ｈｋ及び大きな透磁率μを有する０本発明の薄
！ＩＩ磁気読出し・書込みヘッドは、改良された読出し
及び書込み特性を与え、それによって磁気記憶密度を増
大することができる。
本発明を好ましい態様について記述してきたが、本発明
の本質及び範囲から離れることなく形及び詳細な点を変
えることができることは当業者には認められるであろう
０例えば、異なった比率のコバルト、鉄及び硼素をコア
及び電気メッキ浴に用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
第１図は、棒磁石の斜視図である。 第２図は、磁性材料の磁化容易軸に印加した磁場に対す
る磁化のグラフである。 第３図は、磁性材料の磁化困難軸に印加した磁場に対す
る磁化のグラフである。 第４図は、薄膜磁気読出し・書込みヘッドの斜視図であ
る。 第５図は、磁区形状を示す薄膜磁気読出し・書込みヘッ
ドの平面図である。 第６図は、薄膜磁気読出し・書込みヘッドの部分的断面
図である。 第７図は、第６図に示した基体の部分的断面図である。 第８図は、基体被覆層を有する第７図の基体の断面図で
ある。 第９図は、第８図の構造体に磁性コア材料の一部分を付
着させた後の部分的断面図である。 第１０図及び第１１図は、第９図の構造体に導電体を付
着させた後の部分的断面図である。 第１２図は、第１１図の構造体に絶縁層を付着させた後
の部分的断面図である。 ６−棒磁石、８−磁化容易軸、１０−磁化困難軸、１２
−薄膜ヘッド、　１３−コア、１４−上方磁極片、１６
−下方磁極片、　２０−上方磁極先端、２２−下方磁極
先端、２４−ギャップ、　２０−基体、１８．３４−導
電体、　　３０−バイア、３６−基体被覆３８−絶縁材
料。

Claims (40)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基体、前記基体によって支持された硼素含有金属
    合金の薄膜磁性コアで、情報を読出し及び書込みするた
    めの読出し・書込みギャップを有する磁性コア、及び前
    記磁性コア内を通って伸びるコイル、を具えた薄膜磁気
    読出し・書込みヘッド。
  2. （２）磁性コアが複数の薄膜鉄合金層を有し、各薄膜鉄
    合金層が約５００Å〜約１０μの範囲の厚さを有する請
    求項１に記載の薄膜磁気読出し・書込みヘッド。
  3. （３）磁性コアがコバルト、鉄及び硼素を含む請求項２
    に記載の薄膜磁気読出し・書込みヘッド。
  4. （４）磁性コアが重量％で約０．１％〜約２．０％の硼
    素、約７．０％〜約１２．０％の鉄及び残余のコバルト
    を含む請求項３に記載の薄膜磁気読出し・書込みヘッド
    。
  5. （５）磁性コアが電着法により付着されている請求項１
    に記載の薄膜磁気読出し・書込みヘッド。
  6. （６）磁性コアの付着中その磁性コアに回転磁場が印加
    される請求項５に記載の薄膜磁気読出し・書込みヘッド
    。
  7. （７）回転磁場が主軸角度と、その主軸角度から約９０
    ゜の垂直角度との間で回転する請求項６に記載の薄膜磁
    気読出し・書込みヘッド。
  8. （８）磁性コアが、約０．１重量％〜約２．０重量％の
    硼素濃度を有する電気メッキ浴から付着される請求項５
    に記載の薄膜磁気読出し・書込みヘッド。
  9. （９）電気メッキ浴が約７．０重量％〜約１２．０重量
    ％の鉄を含む請求項８に記載の薄膜磁気読出し・書込み
    ヘッド。
  10. （１０）磁性コアが回転磁場中で焼鈍される請求項１に
    記載の薄膜磁気読出し・書込みヘッド。
  11. （１１）回転磁場が主軸角度と、その主軸角度から約９
    ０゜の垂直角度との間で回転する請求項１０に記載の薄
    膜磁気読出し・書込みヘッド。
  12. （１２）薄膜磁性コアが、 該薄膜磁性コアと基体との間に挟まれた分離層、前記分
    離層の上に付着された約５００Å〜約１０μの範囲の厚
    さを有する第一磁性層、及び前記第一磁性層の上に付着
    された約５００Å〜約１０μの範囲の厚さを有する第二
    磁性層、 を具え、然も、前記第一及び第二磁性層が、該第一及び
    第二磁性層がバイアで電気的に接続されている第一領域
    と、該第一及び第二磁性層が分離され、コイルが中に配
    置されている第二領域と、該第一及び第二磁性層が分離
    され、読出し・書込みギャップを形成する第三領域とを
    有する請求項１に記載の薄膜磁気読出し・書込みヘッド
    。
  13. （１３）第三領域の読出し・書込みギャップがアルミナ
    からなる請求項１２に記載の薄膜磁気読出し・書込みヘ
    ッド。
  14. （１４）薄膜磁性コア及び基体を有する薄膜磁気読出し
    ・書込みヘッドの製造方法において、硼素を含む磁性金
    属合金の複数の層を付着させ、基体上に薄膜磁性コアを
    形成することからなる改良方法。
  15. （１５）金属合金が鉄を含み、各層が約５００Å〜約１
    ０μの範囲の厚さを有する請求項１４に記載の方法。
  16. （１６）複数の層の付着が、 分離層の上に約５００Å〜約１０μの範囲の厚さを有す
    る磁性金属合金の第一磁性層を付着させ、前記第一磁性
    層の一部分の上にギャップ材料を付着させ、 前記第一磁性層の一部分の上に絶縁層を付着させ、そし
    て前記絶縁層の上に約５００Å〜約１０μの範囲の厚さ
    を有する磁性合金の第二磁性層を付着させる、ことから
    なり、然も、前記第一及び第二磁性層の一部分は電気的
    に接触してバイアを形成し、前記第一及び第二磁性層の
    一部分は、磁気読出し・書込みギャップを形成する前記
    ギャップ材料によって分離されている請求項１４に記載
    の方法。
  17. （１７）絶縁層を付着させる間に、コイルの形に形成さ
    れた導電体を、導電体保持領域中の絶縁層中に付着させ
    ることを更に含む請求項１６に記載の方法。
  18. （１８）層の付着が電着により行われる請求項１４に記
    載の方法。
  19. （１９）電着中層に回転磁場を印加する請求項１８に記
    載の方法。
  20. （２０）回転磁場が、主軸角度と、その主軸角度から約
    ９０゜の垂直角度との間で変化する請求項１９に記載の
    方法。
  21. （２１）コアを焼鈍する間、コアに回転磁場を印加する
    請求項１８に記載の方法。
  22. （２２）回転磁場が、主軸角度と、その主軸角度から約
    ９０゜の垂直角度との間で変化する請求項２１に記載の
    方法。
  23. （２３）電着が、約０．１重量％〜約２．０重量％の硼
    素を含む電気メッキ浴で行われる請求項１８に記載の方
    法。
  24. （２４）電気メッキ浴が、約７．０重量％〜約１２．０
    重量％の鉄及び残余のコバルトを含む請求項２３に記載
    の方法。
  25. （２５）磁性金属合金が次のもの： ａ、ＣｏＳＯ＿４７Ｈ＿２Ｏ５０〜３００ｇ／ｌ ｂ、ＦｅＳＯ＿４６Ｈ＿２Ｏ３〜１５ｇ／ｌ ｃ、Ｈ＿３ＢＯ＿３５〜５０ｇ／ｌ ｄ、二水和サッカリンナトリウム０．５〜４ｇ／ｌ ｅ、クエン酸ナトリウム０．５〜１０ｇ／ｌ ｆ、ＤＭＡＢ　ＤＭＡＢ２ｇ／ｍｌを１〜１０滴／ｌ ｇ、ドデシル　ナトリウムサルフェート０．１〜３ｇ／
    ｌ を含む電気メッキ浴により付着される請求項１４に記載
    の方法
  26. （２６）浴が約３．５のｐＨを有する請求項２５に記載
    の方法。
  27. （２７）磁性金属合金が次のもの： ａ、５〜１００ｇ／ｌの濃度のＣｏ＾＋＾２イオン； ｂ、０．２〜５ｇ／ｌの濃度のＦｅ＾＋＾２イオン； ｃ、溶解ＤＭＡＢ２ｇ／５０ｍｌの１〜１０滴／ｌの濃
    度のＤＭＡＢ； ｄ、５〜５０ｇ／ｌの濃度のＨ＿３ＢＯ＿３； ｅ、０．５〜４ｇ／ｌの濃度のサッカリン； ｆ、０．５〜１０ｇ／ｌの濃度のクエン酸ナトリウム； ｇ、０．１〜３ｇ／ｌの濃度のドデシルナトリウムサル
    フェート。 を含む電気メッキ浴により付着される請求項１４に記載
    の方法
  28. （２８）浴が約３．５のｐＨを有する請求項２７に記載
    の方法。
  29. （２９）基体の上に薄膜磁気読出し・書込みヘッドを形
    成する方法において、 電着法を用いて前記基体の上に第一磁性層を回転磁場を
    印加しながら付着させ、 前記第一磁性層の一部分の上にギャップ材料を付着させ
    、 前記第一磁性層の一部分の上に絶縁材料を付着させ、そ
    して電着法を用いて、前記絶縁層の上及び前記ギャップ
    材料の上に第二磁性層を回転磁場を印加しながら付着さ
    せる、 ことからなる磁性読出し・書込みヘッドの形成方法。
  30. （３０）回転磁場が、主軸角度と、その主軸角度から約
    ９０゜の角度との間で回転する請求項２９に記載の方法
    。
  31. （３１）回転磁場が、主軸角度と、その主軸角度から約
    ９０゜の角度との間で約１ヘルツの周波数で回転する請
    求項３０に記載の方法。
  32. （３２）回転磁場が回転サイクルを有し、前記回転磁場
    が前記サイクルの約２／３については主軸角度にあり、
    前記サイクルの約１／３については前記主軸角度から約
    ９０゜の角度にある請求項３０に記載の方法。
  33. （３３）第一及び第二磁性層の少なくとも一方がＣｏＦ
    ｅＢ合金である請求項２９に記載の方法。
  34. （３４）ＣｏＦｅＢ合金が約０．１重量％〜約２．０重
    量％の硼素を含む請求項３３に記載の方法。
  35. （３５）ＣｏＦｅＢ合金が約７．０重量％〜約１２．０
    重量％の鉄を含む請求項３４に記載の方法。
  36. （３６）第一及び第二磁性層の少なくとも一方が硼素を
    含む磁性金属合金である請求項２９に記載の方法。
  37. （３７）磁性薄膜を製造するための電気メッキ浴組成物
    において： ａ、ＣｏＳＯ＿４７Ｈ＿２Ｏ５０〜３００ｇ／ｌｂ、Ｆ
    ｅＳＯ＿４６Ｈ＿２Ｏ３〜１５ｇ／ｌｃ、Ｈ＿３ＢＯ＿
    ３５〜５０ｇ／ｌ ｄ、二水和サッカリン ナトリウム０．５〜４ｇ／ｌ ｅ、クエン酸ナトリウム０．５〜１０ｇ／ｌ ｆ、ＤＭＢＤＭＢ２ｇ／５０ｍｌを１〜１０滴／ｌ ｇ、ドデシルナトリウムサルフェート０．１〜３ｇ／ｌ からなる浴組成物。
  38. （３８）洛組成物が約３．５のｐＨを有する請求項３７
    に記載の浴組成物。
  39. （３９）磁性薄膜を製造するための電気メッキ浴組成物
    において： ａ、５〜１００ｇ／ｌの濃度のＣｏ＾２＾＋イオン；ｂ
    、０．２〜５ｇ／ｌの濃度のＦｅ＾＋＾２イオン；ｃ、
    溶解ＤＭＡＢ２ｇ／ｍｌの１〜１０滴／ｌの濃度のＤＭ
    ＡＢ； ｄ、５〜５０ｇ／ｌの濃度のＨ＿３ＢＯ＿３；ｅ、０．
    ５〜４ｇ／ｌの濃度のサッカリン；ｆ、０．５〜１０ｇ
    ／ｌの濃度のクエン酸ナトリウム；及び ｇ、０．１〜３ｇ／ｌの濃度のドデシルナトリウムサル
    フェート； からなる浴組成物。
  40. （４０）浴組成物が約３．５のｐＨを有する請求項３９
    に記載の方法。
JP2107736A 1989-10-20 1990-04-25 薄膜磁気読出し・書込みヘッド Pending JPH04129009A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US42573589A 1989-10-20 1989-10-20
US425735 1989-10-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04129009A true JPH04129009A (ja) 1992-04-30

Family

ID=23687810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2107736A Pending JPH04129009A (ja) 1989-10-20 1990-04-25 薄膜磁気読出し・書込みヘッド

Country Status (6)

Country Link
US (2) US5168410A (ja)
EP (1) EP0426326B1 (ja)
JP (1) JPH04129009A (ja)
DE (1) DE69031453T2 (ja)
HK (1) HK1003039A1 (ja)
SG (1) SG48895A1 (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04310608A (ja) * 1991-04-09 1992-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US5404635A (en) * 1992-05-21 1995-04-11 Das Devices, Inc. Method of making a narrow track thin film head
JPH07254116A (ja) * 1994-03-16 1995-10-03 Fuji Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッドの熱処理方法
US5600519A (en) * 1995-03-06 1997-02-04 International Business Machines Corporation Controlled saturation thin film magnetic write head
US5889403A (en) * 1995-03-31 1999-03-30 Canon Denshi Kabushiki Kaisha Magnetic detecting element utilizing magnetic impedance effect
US5883762A (en) * 1997-03-13 1999-03-16 Calhoun; Robert B. Electroplating apparatus and process for reducing oxidation of oxidizable plating anions and cations
JP3049315B1 (ja) * 1999-02-19 2000-06-05 名古屋大学長 磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法
US6898053B1 (en) 1999-10-26 2005-05-24 Seagate Technology Llc Perpendicular recording head with trackwidth defined by plating thickness
US6560069B1 (en) 1999-11-29 2003-05-06 Seagate Technology, Llc Perpendicular recording head defining the trackwidth by material deposition thickness
US6693768B1 (en) 2000-03-15 2004-02-17 Seagate Technology Llc Perpendicular magnetic recording head having a flux focusing main pole
US6855240B2 (en) * 2000-08-09 2005-02-15 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. CoFe alloy film and process of making same
US6687085B2 (en) 2001-07-17 2004-02-03 Seagate Technology Llc Perpendicular write head with high magnetization pole material and method of fabricating the write head
US6876507B2 (en) * 2002-01-18 2005-04-05 International Business Machines Corporation High-saturation thin-film write head for high-coercivity magnetic data storage media
WO2004077413A1 (ja) * 2003-02-19 2004-09-10 Neomax Co., Ltd. 磁場中熱処理装置
US7102854B2 (en) * 2003-10-03 2006-09-05 Seagate Technology Llc Transducing head with reduced side writing
US7135103B2 (en) * 2003-10-20 2006-11-14 Waseda University Preparation of soft magnetic thin film
US8177955B2 (en) * 2004-06-03 2012-05-15 Headway Technologies, Inc. Electrodeposition of FeCoNiV films with high resistivity and high saturation magnetization for magnetic head fabrication
JP2007123473A (ja) * 2005-10-27 2007-05-17 Alps Electric Co Ltd 軟磁性膜及びその製造方法、ならびに前記軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US8497538B2 (en) 2006-05-31 2013-07-30 Everspin Technologies, Inc. MRAM synthetic antiferromagnet structure
US20090046397A1 (en) * 2007-08-15 2009-02-19 Freescale Semiconductor, Inc. Methods and apparatus for a synthetic anti-ferromagnet structure with improved thermal stability

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS519570B1 (ja) * 1970-10-05 1976-03-27
JPS5194211A (ja) * 1975-02-15 1976-08-18
US4165525A (en) * 1978-02-15 1979-08-21 U.S. Philips Corporation Magnetic head having a core provided on a substrate by means of thin-film technology
US4201837A (en) * 1978-11-16 1980-05-06 General Electric Company Bonded amorphous metal electromagnetic components
US4242710A (en) * 1979-01-29 1980-12-30 International Business Machines Corporation Thin film head having negative magnetostriction
JPS5694518A (en) * 1979-12-28 1981-07-31 Tohoku Metal Ind Ltd Magnetic head and its manufacture
JPS5719361A (en) * 1980-07-11 1982-02-01 Hitachi Ltd Amorphous alloy for core of magnetic head and magnetic head for video using it
US4440609A (en) * 1980-12-31 1984-04-03 International Business Machines Corporation Method of electrodepositing a low coercine force, corrosion-resistant alloy of nickel, iron and boron
JPS57155707A (en) * 1981-03-20 1982-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Amorphous alloy thin film magnetic core and its manufacture
JPS57155339A (en) * 1981-03-20 1982-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Magnetic head and production thereof
JPS58144448A (ja) * 1982-02-19 1983-08-27 Hitachi Ltd 非晶質磁性合金
JPH061729B2 (ja) * 1983-01-17 1994-01-05 株式会社日立製作所 磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘッド
JPS59231722A (ja) * 1983-06-13 1984-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPS6074104A (ja) * 1983-09-29 1985-04-26 Alps Electric Co Ltd デジタル用磁気ヘツド
JPS6176642A (ja) * 1984-09-25 1986-04-19 Hitachi Ltd Ｃｏ―Ｎｉ―Ｆｅ合金の電気めっき浴及び電気めっき方法
NL8403595A (nl) * 1984-11-27 1986-06-16 Philips Nv Magneetkop met kerndelen van amorf ferromagnetisch metaal.
JPS62120454A (ja) * 1985-11-20 1987-06-01 Canon Electronics Inc 非晶質合金
US4661216A (en) * 1986-04-21 1987-04-28 International Business Machines Corporation Electrodepositing CoNiFe alloys for thin film heads
KR960004065B1 (ko) * 1986-05-30 1996-03-26 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 자성체막 및 이것을 사용한 자기 헤드
EP0303324A1 (en) * 1987-08-10 1989-02-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magnetic material, method of manufacturing this material and a magnetic head provided with this material
US5011581A (en) * 1988-09-28 1991-04-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Process for producing a thin alloy film having high saturation magnetic flux density

Also Published As

Publication number Publication date
DE69031453D1 (de) 1997-10-23
EP0426326B1 (en) 1997-09-17
HK1003039A1 (en) 1998-09-30
EP0426326A2 (en) 1991-05-08
US5168410A (en) 1992-12-01
SG48895A1 (en) 1998-05-18
US5372698A (en) 1994-12-13
DE69031453T2 (de) 1998-01-29
EP0426326A3 (en) 1993-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04129009A (ja) 薄膜磁気読出し・書込みヘッド
US4242710A (en) Thin film head having negative magnetostriction
Andricacos et al. Future directions in electroplated materials for thin-film recording heads
US5763108A (en) High saturtion magnetization material and magnetic head fabricated therefrom
US4780781A (en) Thin film magnetic head having magnetic film of Co-Ni-Fe alloy
Takai et al. Electrochemical preparation of soft magnetic CoNiFeS film with high saturation magnetic flux density and high resistivity
US6063512A (en) Soft magnetic thin film having Co, Ni and Fe as main ingredients, method of manufacturing the same and magnetic head and magnetic storage unit using the soft magnetic thin film
US4661216A (en) Electrodepositing CoNiFe alloys for thin film heads
US8568909B2 (en) Electrodeposition of FeCoNiV films with high resistivity and high saturation magnetization
JP2000322707A (ja) 高飽和磁束密度を有するＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ磁性膜、およびこれを磁極に用いた複合型薄膜磁気ヘッド、並びに磁気記憶装置
US5575897A (en) Method of manufacturing soft-magnetic multilayer thin film including re-dissolution effect magnetically isolating layer
JP2002183909A (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッドとそれを搭載した磁気ディスク装置
JP3211815B2 (ja) 軟質磁性薄膜及びその製造方法
US6797415B2 (en) Cobalt-nickel-iron alloy thin film and method of forming the same, and thin-film magnetic head and method of manufacturing the same
JPH0553852B2 (ja)
JP3396455B2 (ja) 軟磁性膜及びその製造方法、ならびにこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド
US7001499B2 (en) Method for electroplating a body-centered cubic nickel-iron alloy thin film with a high saturation flux density
JPH0689422A (ja) コバルト−鉄−ニッケル磁性膜の製造方法
KR100475756B1 (ko) 자성 박막의 제조 방법 및 자성 박막을 제조하기 위한 전해 도금 장치
JP2007220777A (ja) 軟磁性薄膜およびその製造方法並びに磁気ヘッド
JPH04229607A (ja) 軟磁性薄膜およびその製造方法
JPH11186034A (ja) 磁性膜及びその製造方法
JP2003022909A (ja) 磁性薄膜とその製造方法、及びそれを用いた磁気ヘッド
Yokoshima Magnetic Heads
JPH03283013A (ja) 軟磁性薄膜成膜方法