JPS6176642A - Ｃｏ―Ｎｉ―Ｆｅ合金の電気めっき浴及び電気めっき方法 - Google Patents
Ｃｏ―Ｎｉ―Ｆｅ合金の電気めっき浴及び電気めっき方法Info
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- JPS6176642A JPS6176642A JP59199870A JP19987084A JPS6176642A JP S6176642 A JPS6176642 A JP S6176642A JP 59199870 A JP59199870 A JP 59199870A JP 19987084 A JP19987084 A JP 19987084A JP S6176642 A JPS6176642 A JP S6176642A
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、たとえば薄膜磁気ヘッドに代表される磁電変
換器用の磁気コア材に適した高磁束密度でかつ高透磁率
を有するＣｏ−Ｎ１−ｒｅの三元系およびその製造方法
に関するものである。
換器用の磁気コア材に適した高磁束密度でかつ高透磁率
を有するＣｏ−Ｎ１−ｒｅの三元系およびその製造方法
に関するものである。
従来、薄膜磁気ヘッドに代表される磁電変換器用の磁気
コア材には約８０重ｉ％のニッケルと２０Ｍ１−％の鉄
とから成る２元合金（パーマロイ）が使用されている。
コア材には約８０重ｉ％のニッケルと２０Ｍ１−％の鉄
とから成る２元合金（パーマロイ）が使用されている。
この材料は、磁歪定数がほぼ零付近の組成であり、高周
波領域での透磁率が高く、ＪＪ！ｉ電変換器に要求され
る高速スイッチング動作に優れているという特徴を有す
るところから一役に直円されて来ているっ しかしながら、磁気記録の分野では益々高記録密度化が
要求され、上記パーマロイ合金では飽和磁束密度の点で
限界に来ており、さらに飽和磁束密度の高い材料の要求
が高まっている。上記パーマロイ合金より飽和磁束密度
の高い材料を薄膜磁気ヘッドのコア材に適用できれば、
１）記録密度の向上、２）ヘッドの信頼性向上、３）周
波数特性の向上の３つが期待できる。
波領域での透磁率が高く、ＪＪ！ｉ電変換器に要求され
る高速スイッチング動作に優れているという特徴を有す
るところから一役に直円されて来ているっ しかしながら、磁気記録の分野では益々高記録密度化が
要求され、上記パーマロイ合金では飽和磁束密度の点で
限界に来ており、さらに飽和磁束密度の高い材料の要求
が高まっている。上記パーマロイ合金より飽和磁束密度
の高い材料を薄膜磁気ヘッドのコア材に適用できれば、
１）記録密度の向上、２）ヘッドの信頼性向上、３）周
波数特性の向上の３つが期待できる。
ところで、上記した従来のパーマロイの磁気特性、特に
飽和磁束密度を向上させる方法としてはパーマロイの基
本組成であるＮ１−Ｆｅ２元系合金に第３元素としてＣ
ｏを添加することが試みられ、これらに関する技術は多
くの公知文献に開示されている。たとえば、１３ｒａｄ
ｌｙはＮｉ−Ｃｏ−Ｆｅ３元系合金薄膜の磁気的性質に
ついて述べて２す、薄膜の磁歪定数が零になると単なる
Ｎ ｉ −Ｆｅ２元パーマロイ薄膜に比べてより大きな
飽和磁束密度を示す。またＣＯの添加量を重量比で１０
チ以上にすると異方性磁界が１０Ｑｅ以上になり、かえ
って透磁率は小さくなることを開示している（ Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ。
飽和磁束密度を向上させる方法としてはパーマロイの基
本組成であるＮ１−Ｆｅ２元系合金に第３元素としてＣ
ｏを添加することが試みられ、これらに関する技術は多
くの公知文献に開示されている。たとえば、１３ｒａｄ
ｌｙはＮｉ−Ｃｏ−Ｆｅ３元系合金薄膜の磁気的性質に
ついて述べて２す、薄膜の磁歪定数が零になると単なる
Ｎ ｉ −Ｆｅ２元パーマロイ薄膜に比べてより大きな
飽和磁束密度を示す。またＣＯの添加量を重量比で１０
チ以上にすると異方性磁界が１０Ｑｅ以上になり、かえ
って透磁率は小さくなることを開示している（ Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ。
Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ ｔｏ Ｖｏｌ 、 ３３ （１
９６２）ｐｐ、 １０５１〜１０５７参照〕。
９６２）ｐｐ、 １０５１〜１０５７参照〕。
また、Ｔｏｌｍａｎは磁歪定数が零近くになるＮｉ−Ｃ
ｏ−Ｆｅ３元系合金薄膜において、一方向の外部磁界を
印加しながら薄膜を作製するとｐｅ−Ｎｉ系にＣｏを添
加することにより異方性磁界および保磁力が大きくなる
ことを文献（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ ｐ
ｈｙｓｉｃｓ、 Ｖｏｌ、 ３８ （１９６７）ｐｐ、
３４０９〜３４１０ ）に開示している。
ｏ−Ｆｅ３元系合金薄膜において、一方向の外部磁界を
印加しながら薄膜を作製するとｐｅ−Ｎｉ系にＣｏを添
加することにより異方性磁界および保磁力が大きくなる
ことを文献（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ ｐ
ｈｙｓｉｃｓ、 Ｖｏｌ、 ３８ （１９６７）ｐｐ、
３４０９〜３４１０ ）に開示している。
また、磁歪定数が零近くになる組成（Ｎｉ：０〜８ＯＮ
量チ、Ｃｏ ：０〜９０Ｍ量％およびＦｅ：０〜２０重
量％の組成範囲内）では飽和磁束密度がパーマロイより
大きくなることが文献（Ｂｏｚｏｒｔｈ 著、Ｖａｎ
Ｎｏ５ｔｒａｎｄ社刊、” Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔ
ｉｓｍ″第４刷、ｐ１６５）に明らかにされている。
量チ、Ｃｏ ：０〜９０Ｍ量％およびＦｅ：０〜２０重
量％の組成範囲内）では飽和磁束密度がパーマロイより
大きくなることが文献（Ｂｏｚｏｒｔｈ 著、Ｖａｎ
Ｎｏ５ｔｒａｎｄ社刊、” Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔ
ｉｓｍ″第４刷、ｐ１６５）に明らかにされている。
さらに、ＳａｋａｋｉｍａはＣｏ基合金膜を作製した後
、回転磁界中で熱処理を施すことにより透磁率を高める
ことができることも文献（ＩｇＥＥ’ｌ’ｒａｎｓａｃ
ｔ １ｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔ ｉｃｓ 、 Ｖｏ
ｌ 、 ＭＡＧ −１９、（１９８３）ｐｐ、１３１〜
１３５）で明らかにしている。
、回転磁界中で熱処理を施すことにより透磁率を高める
ことができることも文献（ＩｇＥＥ’ｌ’ｒａｎｓａｃ
ｔ １ｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔ ｉｃｓ 、 Ｖｏ
ｌ 、 ＭＡＧ −１９、（１９８３）ｐｐ、１３１〜
１３５）で明らかにしている。
しかし、これに関する公知技術においては、非晶質のＣ
ｏ基合金膜について示唆しているが、結晶質の合金膜に
ついて回転磁界中での熱処理効果についてはなんら開示
されていない。
ｏ基合金膜について示唆しているが、結晶質の合金膜に
ついて回転磁界中での熱処理効果についてはなんら開示
されていない。
以上のように公知技術から見てＮｉ−Ｆｅ２元パーマロ
イの飽和磁束密度を高めるためのＣＯ添加量は異方性磁
界及び保磁力の増大を考えれば高嵩１０ ％量％以下と
予想され、その場合飽和磁束密度は高々１．２テスラ程
度であり、記録密度の向上、磁気ヘッドコアの信頼性、
周波数特性の向上を図るには不十分であるという問題点
を有していた。
イの飽和磁束密度を高めるためのＣＯ添加量は異方性磁
界及び保磁力の増大を考えれば高嵩１０ ％量％以下と
予想され、その場合飽和磁束密度は高々１．２テスラ程
度であり、記録密度の向上、磁気ヘッドコアの信頼性、
周波数特性の向上を図るには不十分であるという問題点
を有していた。
本発明の目的は、高い飽和磁束密度を有し、かつ低い異
方性磁界を有すると共に、高周波領域で高い透磁率を示
し、磁気ヘッドに便う磁気コア材料として好適なＣｏ基
のＣｏ−Ｎ１−ｐｅ３元系合金薄膜およびその製造方法
を提供することにある。
方性磁界を有すると共に、高周波領域で高い透磁率を示
し、磁気ヘッドに便う磁気コア材料として好適なＣｏ基
のＣｏ−Ｎ１−ｐｅ３元系合金薄膜およびその製造方法
を提供することにある。
本発明は、磁気ひずみが＋２Ｘ１０−６〜−２×１０−
６の範囲の値を示すと共に一軸異方性を有しかつ異方性
磁界が１００ｅ以下で、しかも飽和磁束密度が１．３テ
スラ以上であるＣｏ−Ｎ１−ｐｅ３元系合金薄膜に係る
。このＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系合金薄膜は重量比でＣｏ
： ６０〜９０％、Ｎｉ：１０〜３０％およびＦｅ：
３〜１０％の化学組成から成シ、飽和磁束密度が１．３
〜Ｌ、７テスラと高いために高い記録密度、高いヘッド
の信頼性およびよい周波数特性が要求される磁気記録用
薄膜ヘッドの磁気コアに用いるのに適したものである。
６の範囲の値を示すと共に一軸異方性を有しかつ異方性
磁界が１００ｅ以下で、しかも飽和磁束密度が１．３テ
スラ以上であるＣｏ−Ｎ１−ｐｅ３元系合金薄膜に係る
。このＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系合金薄膜は重量比でＣｏ
： ６０〜９０％、Ｎｉ：１０〜３０％およびＦｅ：
３〜１０％の化学組成から成シ、飽和磁束密度が１．３
〜Ｌ、７テスラと高いために高い記録密度、高いヘッド
の信頼性およびよい周波数特性が要求される磁気記録用
薄膜ヘッドの磁気コアに用いるのに適したものである。
さらに、本発明は、基板上に互に直交する方向に所定の
周波数で、繰返して外部磁界を父互に印加しながら基板
上にＣｏ−Ｎ１−Ｆｅ３元系合金を堆積する薄膜の製造
方法を含むものである。
周波数で、繰返して外部磁界を父互に印加しながら基板
上にＣｏ−Ｎ１−Ｆｅ３元系合金を堆積する薄膜の製造
方法を含むものである。
通常、磁電変換器用素子、特に薄膜磁気ヘッド用の磁気
コア等は複雑な形状をしている上に５〜２０μｍ程度の
段差部を有している。従って、コア部の場合によって磁
性膜の内部応力が異っているために磁性膜の磁気特性を
十分に確保するためＫは磁性膜の磁歪定数を出来る限シ
小さくしてお〈ことが必要でめシ、望ましくは１ｉ歪定
数を±２ＸＩＯ−’の以内のイ・ｕ凹円に納めることが
必要である。
コア等は複雑な形状をしている上に５〜２０μｍ程度の
段差部を有している。従って、コア部の場合によって磁
性膜の内部応力が異っているために磁性膜の磁気特性を
十分に確保するためＫは磁性膜の磁歪定数を出来る限シ
小さくしてお〈ことが必要でめシ、望ましくは１ｉ歪定
数を±２ＸＩＯ−’の以内のイ・ｕ凹円に納めることが
必要である。
そこで、Ｃｏ−Ｎ１−Ｆｅａ元系合金薄膜について出色
定んシを＋２Ｘ１０−６〜−２Ｘｌ ０−’の範囲内に
維持することができると共に、飽和磁束密度１．３テス
ラ以上、異方性磁界１００ｅ以下になる合金組成はＣｏ
： ６０〜９０ ＭｔＣ％、Ｎ１：１５〜３０ ｐ’
；量％およびＦｅ：３〜１０重量％の・陀囲であること
を見出した。
定んシを＋２Ｘ１０−６〜−２Ｘｌ ０−’の範囲内に
維持することができると共に、飽和磁束密度１．３テス
ラ以上、異方性磁界１００ｅ以下になる合金組成はＣｏ
： ６０〜９０ ＭｔＣ％、Ｎ１：１５〜３０ ｐ’
；量％およびＦｅ：３〜１０重量％の・陀囲であること
を見出した。
上記Ｃｏ−Ｎｉ−１’６３元系合金薄膜の組成範囲をこ
のように限定した現出は、Ｃｏは６０重量％以下では胞
オｌ］Ｍ束密度が１．３テスラ以下となシ高飽和１１及
東曽度としての性能を発揮せずまた９０：・Δ量予以上
ｔ７（なると保磁力が大きく高透磁率化が勘侍できない
。
のように限定した現出は、Ｃｏは６０重量％以下では胞
オｌ］Ｍ束密度が１．３テスラ以下となシ高飽和１１及
東曽度としての性能を発揮せずまた９０：・Δ量予以上
ｔ７（なると保磁力が大きく高透磁率化が勘侍できない
。
Ｎ１はＣＯと相俟って飽和磁束密度に関係し、３０重Ｍ
＝％より多くなると１．３テスラ以下となり、１５上示
チ以下になると（ｄ歪定数が正側に移行し＋２．０ｘｌ
Ｏ−’より高くなり好ましくない。また、Ｎｉを上記の
範囲内に収め高飽和磁束密度を確保した上で、３重量％
よ多少ないと破歪定数は一２８ＩＯ−’よシ低く負側に
太きくずれ、１００重量％り多くなると＋２ Ｘ １０
−’より高くなり正側に太きくずれてくるためである。
＝％より多くなると１．３テスラ以下となり、１５上示
チ以下になると（ｄ歪定数が正側に移行し＋２．０ｘｌ
Ｏ−’より高くなり好ましくない。また、Ｎｉを上記の
範囲内に収め高飽和磁束密度を確保した上で、３重量％
よ多少ないと破歪定数は一２８ＩＯ−’よシ低く負側に
太きくずれ、１００重量％り多くなると＋２ Ｘ １０
−’より高くなり正側に太きくずれてくるためである。
また、その他Ｃｏが９０ｕ量％以上になると異方性磁界
が著しく犬きくなシ、直交スイッチング磁界による低減
効果が低く異方性磁界が１０エルステット以下になりに
くいことと、Ｆｅが３重量％以下になると保磁力が大き
くなり高透磁率化が期待できない。
が著しく犬きくなシ、直交スイッチング磁界による低減
効果が低く異方性磁界が１０エルステット以下になりに
くいことと、Ｆｅが３重量％以下になると保磁力が大き
くなり高透磁率化が期待できない。
このような磁気特性を有するＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系合
金の薄膜を衾造するには基板面に平行に直交する方向に
所定の周波数の外部磁界を加えながらＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
３元系合金を堆積するようにすればよい。
金の薄膜を衾造するには基板面に平行に直交する方向に
所定の周波数の外部磁界を加えながらＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
３元系合金を堆積するようにすればよい。
本発明の実施に当っては、主としてめっき法による堆積
方法が採用された、ｃｏの源には水和さｎた硫酸コバル
トを２０〜７０ｇ／ｌ、Ｎｉの源には水和された塩化ニ
ッケルあるいは水和された硫酸ニッケル及びそれらの共
存で１０〜９０ ｇ／を及びＦｅＯ源には水和された硫
酸第一鉄を１〜５ｇ／ｌの譲度のものが使用された。そ
の他、めき中のｐＨ緩衝剤として適量の硼酸、めっき膜
の応力緩和剤として適量の丈ツカリンナトリウム及び界
面活性剤として適量のラウリル硫酸ナトリウムが添加さ
れた。
方法が採用された、ｃｏの源には水和さｎた硫酸コバル
トを２０〜７０ｇ／ｌ、Ｎｉの源には水和された塩化ニ
ッケルあるいは水和された硫酸ニッケル及びそれらの共
存で１０〜９０ ｇ／を及びＦｅＯ源には水和された硫
酸第一鉄を１〜５ｇ／ｌの譲度のものが使用された。そ
の他、めき中のｐＨ緩衝剤として適量の硼酸、めっき膜
の応力緩和剤として適量の丈ツカリンナトリウム及び界
面活性剤として適量のラウリル硫酸ナトリウムが添加さ
れた。
めっき浴の温度は２５〜３５Ｃに設定され、めっき電流
密度は１０〜３０ ｍ Ａ ／ｃｙｄに変化された。
密度は１０〜３０ ｍ Ａ ／ｃｙｄに変化された。
ｐ Ｈは２．５〜３．５に設定された。
また、Ｃｏ−Ｎ１−Ｆｅ３元系薄膜はめっきの間中基板
を挾んで平行に互に直交するように設置されたヘルムホ
ルツコイ／Ｌ［ｊ））ｌ〜ｌ０Ｈ２Ｏ繰返し周阪数によ
）それぞれ３００ｅ〜６００ｅの直交スイッチング磁界
が印加された。
を挾んで平行に互に直交するように設置されたヘルムホ
ルツコイ／Ｌ［ｊ））ｌ〜ｌ０Ｈ２Ｏ繰返し周阪数によ
）それぞれ３００ｅ〜６００ｅの直交スイッチング磁界
が印加された。
このような範囲の条件下でめっきされたＱｏ−Ｎｉ−Ｆ
ｅａ元系合金薄膜は一軸異方性を示し、その異方性磁界
は１００ｅ以下と良好な磁性薄膜を得ることができる。
ｅａ元系合金薄膜は一軸異方性を示し、その異方性磁界
は１００ｅ以下と良好な磁性薄膜を得ることができる。
ところで、めっきに際し、他の外部磁界下及び一方向の
外部磁界下では一軸異方性を有する膜を得ることは可能
であるが、異方性磁界が２００ｅ以上と大きくなシ好ま
しくない。本発明のようにめっき膜堆積用の基板上に直
交する方向に互に所定の周波数で繰シ返して外部磁界を
印加すると、−軸異方性を示すと共に、異方性磁界の小
さな磁性薄膜を得ることができる。さらに、繰）返し周
波数及び直交するＸ−Ｙ方向の磁界印加時間の比を適当
に選ぶことによって磁性膜の異方性磁界を１００ｅ以下
にすることができる。
外部磁界下では一軸異方性を有する膜を得ることは可能
であるが、異方性磁界が２００ｅ以上と大きくなシ好ま
しくない。本発明のようにめっき膜堆積用の基板上に直
交する方向に互に所定の周波数で繰シ返して外部磁界を
印加すると、−軸異方性を示すと共に、異方性磁界の小
さな磁性薄膜を得ることができる。さらに、繰）返し周
波数及び直交するＸ−Ｙ方向の磁界印加時間の比を適当
に選ぶことによって磁性膜の異方性磁界を１００ｅ以下
にすることができる。
基板は通常のガラス基板であり、寸法は直径３インチ、
厚さ０．５ｍである。まず基板をトリクレンの煮沸超音
波洗浄により十分洗浄したあとに、０．１μｍ厚さのパ
ーマロイがスパッタリング法あるいは真空蒸着法によシ
施され、めっき用の下地基板とした。
厚さ０．５ｍである。まず基板をトリクレンの煮沸超音
波洗浄により十分洗浄したあとに、０．１μｍ厚さのパ
ーマロイがスパッタリング法あるいは真空蒸着法によシ
施され、めっき用の下地基板とした。
〔実施例−１〕
下地膜を施した基板はめつき槽中の治具に取付けられ、
糟は次のような組成のＣｏ−Ｎｉ−１；’ｅ電気めっき
浴で満され循環、攪拌された。
糟は次のような組成のＣｏ−Ｎｉ−１；’ｅ電気めっき
浴で満され循環、攪拌された。
ＣＯＳ ０４ ・７Ｈ２０： ４５ｇ／ＩＮ Ｉ Ｃｔ
２ ・６Ｈ２０： ６０ ｇ／ｌＮｉＳＯ４・６Ｈ２０
： ２５ ｇ／ｌＦ ｅ ８０４ ・７Ｈ２０： ２．
Ｏｇ／ を硼酸 ：２５ｇ／ｌ ゝ サッカリンナトリウム ：１．５ｇ／／。
２ ・６Ｈ２０： ６０ ｇ／ｌＮｉＳＯ４・６Ｈ２０
： ２５ ｇ／ｌＦ ｅ ８０４ ・７Ｈ２０： ２．
Ｏｇ／ を硼酸 ：２５ｇ／ｌ ゝ サッカリンナトリウム ：１．５ｇ／／。
ラウリル硫酸ナトリウム ：ｏ、１５ｇ／ｌ陽極（Ｎ
ｉ）と陰極（基板）との間に１７ｍＡ／ｃｎｌに制御さ
れためつき電流が流された。浴温は３０Ｃ，Ｉ）Ｈは３
．０に制御された。めっきの間中繰シ返し周波数５Ｈｚ
、Ｘ方向（磁化容易軸方向）及びＹ方向（磁化困難軸方
向）の印加磁界３００ｅ、Ｘ方向とＹ方向の繰り返しの
パルス幅比を６：４の比率の直交スイッチング磁界が印
加された。
ｉ）と陰極（基板）との間に１７ｍＡ／ｃｎｌに制御さ
れためつき電流が流された。浴温は３０Ｃ，Ｉ）Ｈは３
．０に制御された。めっきの間中繰シ返し周波数５Ｈｚ
、Ｘ方向（磁化容易軸方向）及びＹ方向（磁化困難軸方
向）の印加磁界３００ｅ、Ｘ方向とＹ方向の繰り返しの
パルス幅比を６：４の比率の直交スイッチング磁界が印
加された。
なお、比較のために直交スイッチング磁界でな〈従来通
用されている一方向の磁界中でめっきした膜についても
評価した。膜厚は１．５μｍであった。
用されている一方向の磁界中でめっきした膜についても
評価した。膜厚は１．５μｍであった。
このようにして得られた本発明の磁性薄膜及び従来の方
法でめっきされた磁性薄膜のＢ−Ｈ曲線を第１図及び第
２図に示す。図においてｌは磁化容易軸方向のＢ−Ｈ曲
線、２は磁化困難軸方向のＢ−Ｈ曲線を示す。また、そ
の他の磁気特性および膜組成は第１表に示す通りである
。
法でめっきされた磁性薄膜のＢ−Ｈ曲線を第１図及び第
２図に示す。図においてｌは磁化容易軸方向のＢ−Ｈ曲
線、２は磁化困難軸方向のＢ−Ｈ曲線を示す。また、そ
の他の磁気特性および膜組成は第１表に示す通りである
。
以上の結果から明らかなように、本発明による磁性薄膜
は一軸異方性を示すと共に、異方性磁界が小さく、その
上、飽和磁束密度が１．５テスラと非常に高〈従来の２
元系パーマロイに比べ１．５倍にも達している。また、
従来法による磁性薄膜では飽和磁束密度は同じ１．５テ
スラを示すが異方性磁界は約２００６と本発明による磁
性薄膜の値に比べ約３倍と太きくなることがわかった。
は一軸異方性を示すと共に、異方性磁界が小さく、その
上、飽和磁束密度が１．５テスラと非常に高〈従来の２
元系パーマロイに比べ１．５倍にも達している。また、
従来法による磁性薄膜では飽和磁束密度は同じ１．５テ
スラを示すが異方性磁界は約２００６と本発明による磁
性薄膜の値に比べ約３倍と太きくなることがわかった。
〔実施例−２〕
実施例−１で示した基板を同じめっき槽に取付は下記に
示すＣｏ−Ｎｉ−、［ｉ’ｅ［気めっき浴中に浸した。
示すＣｏ−Ｎｉ−、［ｉ’ｅ［気めっき浴中に浸した。
浴の循環、４ｉ拌の中で電気めっきを施した。
ＣＯ３Ｏ４・７Ｈ２０：３５ｇ／１
ＮｉＣ１ｚ −６Ｈｚ Ｏ：８５ｇ／ｌＦ’ｅＳＯ４・
６ＨｚＯ：２．Ｏｇ／を硼酸 ：２５ｇ１Ｌ サッカリンナトリウム ：１．５ｇ／ｌラウリル硫酸ナ
トリウム ：０．１ｇ／を陽極（Ｎｉ）と陰極（基板）
との間にｌｏｍＡ／ｌｒＡに制御されためつき電流が流
された。浴温は３０Ｃ，ｐＨは３．０に宙り１卸された
。めっきの１ｉｆＪ中繰返し周波’ｄ Ｉ Ｈ２、Ｘ方
向及びＹ方向の印加磁界４５０ｅ、Ｘ方向とＹ方向の繰
返しのパルス幅比を５：５の比率の直交スイッチング磁
界が印加された。膜厚は２．５μｍであった。このよう
にして得られた本発明の１滋注膜のＢ−）Ｉ［１１１１
線は第１図とほぼ回し形であり異方性磁界は９０ｅ、［
化困難軸方向の保磁力は０．９０ ｅであった。その他
の磁気特性及び膜組成を第２表に示す。
６ＨｚＯ：２．Ｏｇ／を硼酸 ：２５ｇ１Ｌ サッカリンナトリウム ：１．５ｇ／ｌラウリル硫酸ナ
トリウム ：０．１ｇ／を陽極（Ｎｉ）と陰極（基板）
との間にｌｏｍＡ／ｌｒＡに制御されためつき電流が流
された。浴温は３０Ｃ，ｐＨは３．０に宙り１卸された
。めっきの１ｉｆＪ中繰返し周波’ｄ Ｉ Ｈ２、Ｘ方
向及びＹ方向の印加磁界４５０ｅ、Ｘ方向とＹ方向の繰
返しのパルス幅比を５：５の比率の直交スイッチング磁
界が印加された。膜厚は２．５μｍであった。このよう
にして得られた本発明の１滋注膜のＢ−）Ｉ［１１１１
線は第１図とほぼ回し形であり異方性磁界は９０ｅ、［
化困難軸方向の保磁力は０．９０ ｅであった。その他
の磁気特性及び膜組成を第２表に示す。
〔実施例−３〕
実施例−１で示したものと同様の基板をめつき槽中の治
具に取シ付は下記に示すＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ電気めっき浴
中に浸した。浴の循環、攪拌を行なった中で電気めっき
を施した。
具に取シ付は下記に示すＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ電気めっき浴
中に浸した。浴の循環、攪拌を行なった中で電気めっき
を施した。
ＣＯ３Ｏ４１１７Ｈｘ Ｏ：５５ｇ／ＩＮ：Ｃ１２・６
Ｈ２０： ６０ｇ／１ ＮｊＳＯ４・６Ｈ２０： ２５ ｇ／１Ｆｅ８０４’７
Ｈ２０： ２．５ｇ／を硼酸 ： ２５ ｇ／ｌ サッカリンナトリウム ：１．５ｇ／ｌラウリル硫酸ナ
トリウム ：ｏ、１ｇ／ｌ陽極（Ｎｉ）と函極（基板）
との間に１５ｍＡ／ｃｎｌに制御されためつき電流が流
された。浴温は３０Ｃ，Ｉ）Ｈは３、Ｏに制御された。
Ｈ２０： ６０ｇ／１ ＮｊＳＯ４・６Ｈ２０： ２５ ｇ／１Ｆｅ８０４’７
Ｈ２０： ２．５ｇ／を硼酸 ： ２５ ｇ／ｌ サッカリンナトリウム ：１．５ｇ／ｌラウリル硫酸ナ
トリウム ：ｏ、１ｇ／ｌ陽極（Ｎｉ）と函極（基板）
との間に１５ｍＡ／ｃｎｌに制御されためつき電流が流
された。浴温は３０Ｃ，Ｉ）Ｈは３、Ｏに制御された。
めっきの間中繰返し周波１３Ｈｚ、Ｘ方向及びＹ方向の
印加磁界４００ｅ、Ｘ方向とＹ方向の繰返し周波数のパ
ルス幅比を６＝４の比率の直交スイッチング磁界が印加
された。ｌ拠厚は１．５μｍであった。
印加磁界４００ｅ、Ｘ方向とＹ方向の繰返し周波数のパ
ルス幅比を６＝４の比率の直交スイッチング磁界が印加
された。ｌ拠厚は１．５μｍであった。
このようにして得られた本発明の磁性膜のＢ−１１曲線
は第１図に示したものとほぼ同じ形であシ異方性磁界６
Ｑｅ１困難軸方向の保磁力は１０ｅであった。磁気特性
をまとめて第３表に示す。
は第１図に示したものとほぼ同じ形であシ異方性磁界６
Ｑｅ１困難軸方向の保磁力は１０ｅであった。磁気特性
をまとめて第３表に示す。
第３表
以上の結果から明らかなように、本発明による磁性薄膜
は一軸異方性を示すと共に、異方性磁界が小さく、かつ
、飽和磁束密度が１．５テスラ以上と高いために高透磁
率化が期待できる。従来法の一方向の磁界中でめっきを
施した磁性膜は異方性磁界が約３倍以上と太きいために
透磁率が低く薄膜磁気ヘッド等の素子とした場合読み出
し電圧が不十分であった。
は一軸異方性を示すと共に、異方性磁界が小さく、かつ
、飽和磁束密度が１．５テスラ以上と高いために高透磁
率化が期待できる。従来法の一方向の磁界中でめっきを
施した磁性膜は異方性磁界が約３倍以上と太きいために
透磁率が低く薄膜磁気ヘッド等の素子とした場合読み出
し電圧が不十分であった。
以上の説明においては合金膜を形成する方法として電気
めっき法をｖ７！Ｉに説明したが、本発明においてはこ
の方法に限定されるものでなく、同一膜組成を得る方法
としてスパッタリング法あるいは真空蒸着法等のいずれ
の方法も有効であることはもちろんである。
めっき法をｖ７！Ｉに説明したが、本発明においてはこ
の方法に限定されるものでなく、同一膜組成を得る方法
としてスパッタリング法あるいは真空蒸着法等のいずれ
の方法も有効であることはもちろんである。
以上の説明から明らかなように、本発明によるＣｏ−Ｎ
１−ｐｅの三元系合金薄膜およびその製造方法によれば
、従来薄膜磁気ヘッドのコア材に用いられているパーマ
ロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）よシ大きな飽和磁束密度とほぼ
同等の異方性磁界、磁歪定数を有するために、磁気記録
用の薄膜磁気ヘッドのコア材料に適用でき、高密度記録
化に適する。
１−ｐｅの三元系合金薄膜およびその製造方法によれば
、従来薄膜磁気ヘッドのコア材に用いられているパーマ
ロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）よシ大きな飽和磁束密度とほぼ
同等の異方性磁界、磁歪定数を有するために、磁気記録
用の薄膜磁気ヘッドのコア材料に適用でき、高密度記録
化に適する。
第１図は本発明による（’ｏ−Ｎ１−ｐ’ｅ３元系合釜
ｊ模の８−１−１曲線の一例を示す図、第２図は従来法
による合釡膜のＢ−Ｈｌｉｔｌ、ｌを示す図である。
ｊ模の８−１−１曲線の一例を示す図、第２図は従来法
による合釡膜のＢ−Ｈｌｉｔｌ、ｌを示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、重量化でＣｏ：６０〜９０％、Ｎｉ：１０〜３０％
、Ｆｅ：３〜１０％からなるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ三元合金
の薄膜において、膜の磁歪定数が＋２×１０＾−＾６〜
−２×１０＾−＾６の範囲で一軸異方性を示し、かつ異
方性磁界が１０エルステット以下で飽和磁束密度が１．
３テスラ以上であることを特徴とするＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
三元系合金薄膜。 ２、３〜２０ｇ／ｌのＣｏ＾＋＾＋イオン濃度、１０〜
３０ｇ／ｌのＮｉ＾＋＾＋イオン濃度、０．２〜１．０
ｇ／ｌのＦｅ＾＋＾＋イオン濃度、２．５〜３．５のｐ
Ｈを有し、２０〜３５℃の温度に保持されためつき浴を
使用し、６〜２５ｍＡ／ｃｍ＾２のめつき電流密度で電
気めつきを施し、めつきの間中にめつき面で互に直交す
る方向に所定の周波数で外部磁界を交互に印加しながら
めつきすることを特徴とするＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ三元系合
金薄膜の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59199870A JPS6176642A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | Ｃｏ―Ｎｉ―Ｆｅ合金の電気めっき浴及び電気めっき方法 |
| US06/779,469 US4780781A (en) | 1984-09-25 | 1985-09-24 | Thin film magnetic head having magnetic film of Co-Ni-Fe alloy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59199870A JPS6176642A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | Ｃｏ―Ｎｉ―Ｆｅ合金の電気めっき浴及び電気めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6176642A true JPS6176642A (ja) | 1986-04-19 |
| JPH0443989B2 JPH0443989B2 (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=16415000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59199870A Granted JPS6176642A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | Ｃｏ―Ｎｉ―Ｆｅ合金の電気めっき浴及び電気めっき方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4780781A (ja) |
| JP (1) | JPS6176642A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS62256989A (ja) * | 1986-04-21 | 1987-11-09 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | コバルト−ニツケル−鉄合金の電気めつき浴組成物 |
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| JP2006210744A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性膜及びそれを用いた磁気ヘッド |
| JP2006253252A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁性膜とその製造方法及びこれを使用した薄膜磁気ヘッドと磁気ディスク装置 |
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| JPS6455716A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Hitachi Ltd | Thin film magnetic head and its manufacture |
| JPH0744110B2 (ja) * | 1988-09-02 | 1995-05-15 | 松下電器産業株式会社 | 高飽和磁束密度軟磁性膜及び磁気ヘッド |
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-
1984
- 1984-09-25 JP JP59199870A patent/JPS6176642A/ja active Granted
-
1985
- 1985-09-24 US US06/779,469 patent/US4780781A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0443989B2 (ja) | 1992-07-20 |
| US4780781A (en) | 1988-10-25 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |