JPH1140422A - 高比抵抗軟磁性合金薄膜およびその製造方法 - Google Patents
高比抵抗軟磁性合金薄膜およびその製造方法Info
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- JPH1140422A JPH1140422A JP19730997A JP19730997A JPH1140422A JP H1140422 A JPH1140422 A JP H1140422A JP 19730997 A JP19730997 A JP 19730997A JP 19730997 A JP19730997 A JP 19730997A JP H1140422 A JPH1140422 A JP H1140422A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】めっき法によって成膜でき、飽和磁束密度が高
く、軟磁気特性に優れ、かつ高比抵抗を有する軟磁性薄
膜およびその製造方法を提供する。 【解決手段】（１）Co、 Ni、 FeおよびＰを含有し、そ
れぞれの含有量がCo：55原子%以上、Ni： 20原子%以
上、Fe：２原子%から10原子%まで、P：1原子%から 7原
子%までである軟磁性合金薄膜。（２）２価のCoイオ
ン、２価のNiイオンおよび２価のFeイオンを含む硫酸塩
および塩酸塩の一方または双方を含み、さらに濃度が0.
005ｇ／リットル以上で0.1ｇ／リットル以下となるように次亜リ
ン酸ナトリウムが添加されためっき浴を使用して電気め
っきする上記（１）の軟磁性合金薄膜の製造方法。
く、軟磁気特性に優れ、かつ高比抵抗を有する軟磁性薄
膜およびその製造方法を提供する。 【解決手段】（１）Co、 Ni、 FeおよびＰを含有し、そ
れぞれの含有量がCo：55原子%以上、Ni： 20原子%以
上、Fe：２原子%から10原子%まで、P：1原子%から 7原
子%までである軟磁性合金薄膜。（２）２価のCoイオ
ン、２価のNiイオンおよび２価のFeイオンを含む硫酸塩
および塩酸塩の一方または双方を含み、さらに濃度が0.
005ｇ／リットル以上で0.1ｇ／リットル以下となるように次亜リ
ン酸ナトリウムが添加されためっき浴を使用して電気め
っきする上記（１）の軟磁性合金薄膜の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、高密度の磁気記
録に適した薄膜磁気ヘッドの磁性体として主に用いられ
るめっき薄膜であって、飽和磁束密度が高く、比抵抗が
高く、保磁力が低く、かつ磁歪定数が極めて低い薄膜お
よびその製造方法に関する。
録に適した薄膜磁気ヘッドの磁性体として主に用いられ
るめっき薄膜であって、飽和磁束密度が高く、比抵抗が
高く、保磁力が低く、かつ磁歪定数が極めて低い薄膜お
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、めっき薄膜は、装飾、防食用に限
らず、機能性薄膜として電子部品等に幅広く使用されて
いる。例えば、コンピューター用外部記憶装置であるハ
ードディスクドライブの薄膜磁気ヘッドには、磁性体と
してめっき法により製造されたパーマロイ薄膜が用いら
れている。パーマロイ（商品名）は典型的な軟磁性薄膜
材料であり、特にNi 82 原子％と Fe 18原子% からなる
合金は０または負の磁歪定数を有する点が特色である。
らず、機能性薄膜として電子部品等に幅広く使用されて
いる。例えば、コンピューター用外部記憶装置であるハ
ードディスクドライブの薄膜磁気ヘッドには、磁性体と
してめっき法により製造されたパーマロイ薄膜が用いら
れている。パーマロイ（商品名）は典型的な軟磁性薄膜
材料であり、特にNi 82 原子％と Fe 18原子% からなる
合金は０または負の磁歪定数を有する点が特色である。
【０００３】ハードディスクドライブについては年々大
容量化および小型化に対する要求が強くなってきてお
り、それに伴って記録の高密度化が進み、ヘッドの磁性
体として高い飽和磁束密度を有する材料が要求されてき
ている。しかし、パーマロイ膜でより高い飽和磁束密度
を得るためにFe含有量を増加させると、磁歪定数が増加
するために磁区構造が不安定となる。したがって、パー
マロイ膜では高飽和磁束密度化に限界がある。
容量化および小型化に対する要求が強くなってきてお
り、それに伴って記録の高密度化が進み、ヘッドの磁性
体として高い飽和磁束密度を有する材料が要求されてき
ている。しかし、パーマロイ膜でより高い飽和磁束密度
を得るためにFe含有量を増加させると、磁歪定数が増加
するために磁区構造が不安定となる。したがって、パー
マロイ膜では高飽和磁束密度化に限界がある。
【０００４】図１はCo−Ni−Fe三元系合金での飽和磁束
密度の分布を示す図である。この図に示された中で符号
Aで示す領域は、飽和磁束密度も高く、かつ磁歪定数も
小さいため、薄膜磁気ヘッドの磁性体材料として有望で
あることが予想される。米国特許第4,661,216号には磁
歪定数が０で、飽和磁束密度の高いCo−Ni−Fe三元系合
金めっき薄膜について記載されている。しかし、上記図
１のAの組成領域のCo−Ni−Fe三元系合金のめっき薄膜
では、実効比抵抗の値が約10μΩ・cmと低いために、高
周波領域での書き込み特性および読み込み特性はともに
不安定である。
密度の分布を示す図である。この図に示された中で符号
Aで示す領域は、飽和磁束密度も高く、かつ磁歪定数も
小さいため、薄膜磁気ヘッドの磁性体材料として有望で
あることが予想される。米国特許第4,661,216号には磁
歪定数が０で、飽和磁束密度の高いCo−Ni−Fe三元系合
金めっき薄膜について記載されている。しかし、上記図
１のAの組成領域のCo−Ni−Fe三元系合金のめっき薄膜
では、実効比抵抗の値が約10μΩ・cmと低いために、高
周波領域での書き込み特性および読み込み特性はともに
不安定である。
【０００５】高周波特性に優れた比抵抗の大きい磁性薄
膜としてヘテロアモルファス二相構造を有する軟磁性膜
が特開昭63-119209号公報に、またへテロアモルファス
二相構造を有する軟磁性層と非磁性層を積層した積層軟
磁性膜が特開平1-175707号公報にそれぞれ開示されてい
る。しかし、これらの膜はその複雑な構造のためにめっ
き法で成膜することは事実上不可能であり、スパッタリ
ング法などのドライプロセスを用いて成膜しなければな
らない。ドライプロセスでは高真空を必要とするために
めっき法に比べて生産効率が悪い。さらに微細素子形成
にはミリングプロセスを用いなければならず、工程が複
雑になる。
膜としてヘテロアモルファス二相構造を有する軟磁性膜
が特開昭63-119209号公報に、またへテロアモルファス
二相構造を有する軟磁性層と非磁性層を積層した積層軟
磁性膜が特開平1-175707号公報にそれぞれ開示されてい
る。しかし、これらの膜はその複雑な構造のためにめっ
き法で成膜することは事実上不可能であり、スパッタリ
ング法などのドライプロセスを用いて成膜しなければな
らない。ドライプロセスでは高真空を必要とするために
めっき法に比べて生産効率が悪い。さらに微細素子形成
にはミリングプロセスを用いなければならず、工程が複
雑になる。
【０００６】特開平4-99302号公報および同4-99303号公
報には、Co−Feの二元系合金にPをを添加してアモルフ
ァス化させる軟磁性薄膜が開示され、これはめっき法で
成膜できるものである。しかし、その薄膜はNiを含有し
ないために耐食性が悪い。
報には、Co−Feの二元系合金にPをを添加してアモルフ
ァス化させる軟磁性薄膜が開示され、これはめっき法で
成膜できるものである。しかし、その薄膜はNiを含有し
ないために耐食性が悪い。
【０００７】さらに、特開平5-21106号公報には、Feま
たはFe−CoにPとB、N、Cのいずれかを添加した軟磁性薄
膜が提案されている。しかし、この薄膜もNiを含有しな
いために耐食性が乏しく、しかもドライプロセスで成膜
されるものであって、前述の問題点は解消されていな
い。
たはFe−CoにPとB、N、Cのいずれかを添加した軟磁性薄
膜が提案されている。しかし、この薄膜もNiを含有しな
いために耐食性が乏しく、しかもドライプロセスで成膜
されるものであって、前述の問題点は解消されていな
い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のとおり、生産性
に優れるめっき法によって製造することができ、比抵抗
が高く、しかも高飽和磁束密度を有する軟磁性合金薄膜
は、未だ開発されていない。
に優れるめっき法によって製造することができ、比抵抗
が高く、しかも高飽和磁束密度を有する軟磁性合金薄膜
は、未だ開発されていない。
【０００９】本発明の一つの目的は、高密度磁気記録に
適した薄膜磁気ヘッドの磁性体として主に用いられる磁
性合金薄膜であって、めっき法によって成膜でき、飽和
磁束密度が高く、軟磁気特性に優れ、かつ高比抵抗を有
し、書き込みおよび読み取り性能に優れた薄膜を提供す
ることにある。
適した薄膜磁気ヘッドの磁性体として主に用いられる磁
性合金薄膜であって、めっき法によって成膜でき、飽和
磁束密度が高く、軟磁気特性に優れ、かつ高比抵抗を有
し、書き込みおよび読み取り性能に優れた薄膜を提供す
ることにある。
【００１０】本発明のもう一つの目的は、めっき法によ
る上記の薄膜の製造方法を提供することにある。
る上記の薄膜の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は下記（１）の軟
磁性合金薄膜と（２）のその製造方法を要旨とする。
磁性合金薄膜と（２）のその製造方法を要旨とする。
【００１２】（１） Co、 Ni、 FeおよびＰを含有し、
それぞれの含有量が下記のとおりである軟磁性合金薄
膜。
それぞれの含有量が下記のとおりである軟磁性合金薄
膜。
【００１３】Co： 55原子%以上 Ni： 20原子%以上 Fe：２原子%から10原子%まで P：1原子%から 7原子%まで （２） ２価のCoイオン、２価のNiイオンおよび２価の
Feイオンを含む硫酸塩および塩酸塩の一方または双方を
含み、さらに濃度が0.005ｇ／リットル以上で0.1ｇ／リットル以
下となるように次亜リン酸ナトリウムが添加されためっ
き浴を使用して電気めっきすることを特徴とする上記
（１）の軟磁性合金薄膜の製造方法。
Feイオンを含む硫酸塩および塩酸塩の一方または双方を
含み、さらに濃度が0.005ｇ／リットル以上で0.1ｇ／リットル以
下となるように次亜リン酸ナトリウムが添加されためっ
き浴を使用して電気めっきすることを特徴とする上記
（１）の軟磁性合金薄膜の製造方法。
【００１４】上記(1)の軟磁性合金薄膜はめっき薄膜で
あるのが望ましい。前記のように、Co−Ni−Fe三元系合
金めっき薄膜では、飽和磁束密度が高いものの比抵抗が
小さい。そこで飽和磁束密度が高く、かつ高い比抵抗を
有する磁性薄膜を得るために、本発明者は、種々の添加
成分について検討し、上記のように特定組成範囲のCo−
Ni−Fe三元系合金に適正量のPを含有させることによっ
て、目的の軟磁性薄膜が得られることを確認した。
あるのが望ましい。前記のように、Co−Ni−Fe三元系合
金めっき薄膜では、飽和磁束密度が高いものの比抵抗が
小さい。そこで飽和磁束密度が高く、かつ高い比抵抗を
有する磁性薄膜を得るために、本発明者は、種々の添加
成分について検討し、上記のように特定組成範囲のCo−
Ni−Fe三元系合金に適正量のPを含有させることによっ
て、目的の軟磁性薄膜が得られることを確認した。
【００１５】本発明の軟磁性合金薄膜は、化学組成を上
記のように調整しためっき浴を使用して、電気めっき法
によって製造することができる。
記のように調整しためっき浴を使用して、電気めっき法
によって製造することができる。
【００１６】
１．本発明の軟磁性合金薄膜について 高密度記録に対応できる薄膜磁気ヘッドの磁性体材料に
必要不可欠な特性として高周波応答性がある。薄膜磁気
ヘッドの磁化応答の周波数が増加するにつれて、つまり
薄膜磁気ヘッド磁性体の単位時間あたりの磁化変化が増
加するにつれて、磁性体内部に流れる渦電流が増大す
る。この渦電流はレンツの法則に従って磁束変化を妨げ
るような磁束を生じる。その結果、信号が高周波となる
につれて磁化変化が抑制される。
必要不可欠な特性として高周波応答性がある。薄膜磁気
ヘッドの磁化応答の周波数が増加するにつれて、つまり
薄膜磁気ヘッド磁性体の単位時間あたりの磁化変化が増
加するにつれて、磁性体内部に流れる渦電流が増大す
る。この渦電流はレンツの法則に従って磁束変化を妨げ
るような磁束を生じる。その結果、信号が高周波となる
につれて磁化変化が抑制される。
【００１７】磁性体内部に流れる渦電流は、磁性体の比
抵抗に逆比例する。従って、磁性体中に不純物を導入し
て磁性体の比抵抗を増大させれば渦電流が減少し、渦電
流による磁化変化の抑制は小さくなる。即ち、高周波応
答性が改善される。
抵抗に逆比例する。従って、磁性体中に不純物を導入し
て磁性体の比抵抗を増大させれば渦電流が減少し、渦電
流による磁化変化の抑制は小さくなる。即ち、高周波応
答性が改善される。
【００１８】本発明において、Co−Ni−Fe三元系合金め
っき膜中にＰを含有させるのは比抵抗の増加を利用する
ためである。まず、Co、NiおよびFeの含有量を前記のよ
うに定めた理由を説明する。
っき膜中にＰを含有させるのは比抵抗の増加を利用する
ためである。まず、Co、NiおよびFeの含有量を前記のよ
うに定めた理由を説明する。
【００１９】CoおよびNiの含有量について：Coは、薄膜
に高い飽和磁束密度を持たせるために、55原子％以上の
含有量が必要である。また、薄膜の耐食性を確保するに
は、20原子％以上のNiが必要である。
に高い飽和磁束密度を持たせるために、55原子％以上の
含有量が必要である。また、薄膜の耐食性を確保するに
は、20原子％以上のNiが必要である。
【００２０】Feの含有量について：飽和磁化の高いFeの
含有量を増加させれば、高い飽和磁束密度の薄膜を得る
ことができる。従って、本発明ではFeの含有量を２原子
％以上とした。飽和磁束密度をより高い範囲にするには
Fe含有量を５原子％以上にすることが望ましい。しか
し、Feは一方で薄膜の磁歪常数を大きくする。従って、
その含有量は10原子％までにとどめるべきである。
含有量を増加させれば、高い飽和磁束密度の薄膜を得る
ことができる。従って、本発明ではFeの含有量を２原子
％以上とした。飽和磁束密度をより高い範囲にするには
Fe含有量を５原子％以上にすることが望ましい。しか
し、Feは一方で薄膜の磁歪常数を大きくする。従って、
その含有量は10原子％までにとどめるべきである。
【００２１】Pの含有量について：本発明の軟磁性薄膜
は、上記のCo、NiおよびFeに加えて、１原子％から７原
子.％までのＰを含む。薄膜の比抵抗を大きくするにはP
の含有量は高い方が望ましい。しかし、Pの添加によっ
て飽和磁束密度は低下する。上記の１〜７原子％という
のは、高飽和磁束密度と高比抵抗とがバランスよく得ら
れる最適範囲である。Pが１原子％よりも少ないと高い
比抵抗値が得られず、高周波特性が改善されない。一
方、７原子％よりも多いと飽和磁束密度が低下し、記録
の高密度化が困難になる。
は、上記のCo、NiおよびFeに加えて、１原子％から７原
子.％までのＰを含む。薄膜の比抵抗を大きくするにはP
の含有量は高い方が望ましい。しかし、Pの添加によっ
て飽和磁束密度は低下する。上記の１〜７原子％という
のは、高飽和磁束密度と高比抵抗とがバランスよく得ら
れる最適範囲である。Pが１原子％よりも少ないと高い
比抵抗値が得られず、高周波特性が改善されない。一
方、７原子％よりも多いと飽和磁束密度が低下し、記録
の高密度化が困難になる。
【００２２】本発明の軟磁性薄膜の基本成分はこれまで
に述べた４成分である。即ち、本発明の軟磁性薄膜は、
実質的にCo、Ni、FeおよびPからなるものである。ただ
し、通常この種の磁性薄膜に含有されるS、Cu、Crのよ
うな不純物の存在は許容される。その含有量は合計で0.
1原子％程度までに抑えるのが望ましい。
に述べた４成分である。即ち、本発明の軟磁性薄膜は、
実質的にCo、Ni、FeおよびPからなるものである。ただ
し、通常この種の磁性薄膜に含有されるS、Cu、Crのよ
うな不純物の存在は許容される。その含有量は合計で0.
1原子％程度までに抑えるのが望ましい。
【００２３】２．本発明の軟磁性薄膜の製造方法につい
て 本発明の軟磁性薄膜は、めっき法に限らずスパッタリン
グ等によっても製造することができる。しかし、前述の
理由で、めっき法で製造するのが望ましい。この方法で
用いるめっき浴はFe、CoおよびNiのそれぞれ２価のイオ
ンを硫酸塩および／または塩酸塩として含み、さらに浴
中に次亜リン酸ナトリウムを含む。
て 本発明の軟磁性薄膜は、めっき法に限らずスパッタリン
グ等によっても製造することができる。しかし、前述の
理由で、めっき法で製造するのが望ましい。この方法で
用いるめっき浴はFe、CoおよびNiのそれぞれ２価のイオ
ンを硫酸塩および／または塩酸塩として含み、さらに浴
中に次亜リン酸ナトリウムを含む。
【００２４】めっき浴中のCo、NiおよびFeイオンの含有
量は、製造しようとする軟磁性薄膜の組成に応じて調整
する。例えば、磁歪定数が小さい膜を得るためには、膜
中のFe濃度は低い方がよいので、前述の含有量の範囲で
Feが低めの範囲を狙うならば、めっき浴中のFeイオン濃
度は低めに設定する。
量は、製造しようとする軟磁性薄膜の組成に応じて調整
する。例えば、磁歪定数が小さい膜を得るためには、膜
中のFe濃度は低い方がよいので、前述の含有量の範囲で
Feが低めの範囲を狙うならば、めっき浴中のFeイオン濃
度は低めに設定する。
【００２５】本発明で定める0.005g／リットル〜0.1g／
リットルという浴中の次亜リン酸濃度は、電気めっき法
によって成膜した軟磁性薄膜中のPの含有量が１原子％
から７原子％の範囲になる範囲である。この範囲内で次
亜リン酸濃度は軟磁性薄膜に含有させようとするPの量
に応じて調整すればよい。既に述べたように、高い比抵
抗を得るためには薄膜中のPを高めにするのが望ましい
ので、めっき浴中の次亜リン酸濃度は高い方が望まし
い。他方、高い飽和磁束密度を確保するには、薄膜中の
Pの量は低い方がよい。従って、浴中の次亜リン酸濃度
は低い方が望ましい。
リットルという浴中の次亜リン酸濃度は、電気めっき法
によって成膜した軟磁性薄膜中のPの含有量が１原子％
から７原子％の範囲になる範囲である。この範囲内で次
亜リン酸濃度は軟磁性薄膜に含有させようとするPの量
に応じて調整すればよい。既に述べたように、高い比抵
抗を得るためには薄膜中のPを高めにするのが望ましい
ので、めっき浴中の次亜リン酸濃度は高い方が望まし
い。他方、高い飽和磁束密度を確保するには、薄膜中の
Pの量は低い方がよい。従って、浴中の次亜リン酸濃度
は低い方が望ましい。
【００２６】なお、より高い飽和磁束密度を得るために
はめっき浴のｐＨは、２以上４以下であることが望まし
い。ｐＨが４を超えるとFe2+の酸化がおこる。また２よ
りも低いと被めっき物の表面で水素が発生し、めっき膜
厚の制御が困難になるとともに、表面の荒れためっき膜
となる。
はめっき浴のｐＨは、２以上４以下であることが望まし
い。ｐＨが４を超えるとFe2+の酸化がおこる。また２よ
りも低いと被めっき物の表面で水素が発生し、めっき膜
厚の制御が困難になるとともに、表面の荒れためっき膜
となる。
【００２７】さらに、優れた軟磁気特性の薄膜を得るた
めには、めっき成膜中に磁場を印加することが推奨され
る。その場合50ガウス以上の磁場を印加するのが望まし
い。また滑らかな表面を得るためには、めっき時の電流
密度は6.0mA／cm2以下であるのが望ましい。
めには、めっき成膜中に磁場を印加することが推奨され
る。その場合50ガウス以上の磁場を印加するのが望まし
い。また滑らかな表面を得るためには、めっき時の電流
密度は6.0mA／cm2以下であるのが望ましい。
【００２８】
【実施例】図２の（A）は、試験に用いたパドル撹拌型
めっき槽の概略平面図、（B）はその一部縦断面図であ
る。この装置を用いてめっき薄膜の製造試験を行った。
めっき槽１はアクリル樹脂製で、被めっき材であるウェ
ハーを設置したカソード２が下部に、アノード３が上部
に配置されている。パドル４は攪拌モーター５によって
めっき槽１内を往復運動する。磁場はパドル運動と垂直
方向に印加し、その磁場強度は500ガウスとした。
めっき槽の概略平面図、（B）はその一部縦断面図であ
る。この装置を用いてめっき薄膜の製造試験を行った。
めっき槽１はアクリル樹脂製で、被めっき材であるウェ
ハーを設置したカソード２が下部に、アノード３が上部
に配置されている。パドル４は攪拌モーター５によって
めっき槽１内を往復運動する。磁場はパドル運動と垂直
方向に印加し、その磁場強度は500ガウスとした。
【００２９】めっき液はめっきタンク内およびその流路
で温度、pHおよび濃度が管理されており、図示しないポ
ンプにより供給され、オーバーフローした液が回収され
て再びめっきタンクに戻る。流量は流量調整バルブで調
整される。ウェハーはガラス基板として、使用に際して
スパッタ法により下地膜としてパーマロイ合金膜（厚さ
1000 ）を形成させた。
で温度、pHおよび濃度が管理されており、図示しないポ
ンプにより供給され、オーバーフローした液が回収され
て再びめっきタンクに戻る。流量は流量調整バルブで調
整される。ウェハーはガラス基板として、使用に際して
スパッタ法により下地膜としてパーマロイ合金膜（厚さ
1000 ）を形成させた。
【００３０】めっき液は,Co、NiおよびFeの組成比を調
整するために、 硫酸コバルト七水和物 0.004〜0.007mol／リットル 塩化コバルト六水和物 0.004〜0.007mol／リットル 硫酸ニッケル六水和物 0.100〜0.150mol／リットル 塩化ニッケル六水和物 0.100〜0.150mol／リットル 硫酸鉄七水和物 0.005〜0.015mol／リットル の範囲で変化させ、さらにPの含有量を変化させるため
に、表１に示す種々の量の次亜リン酸ナトリウムを加え
た。その他、ｐＨ緩衝剤としてホウ酸を10mol／リットル、め
っき薄膜の応力緩衝剤としてサッカリンナトリウムを1.
5g／リットル、めっき膜の界面活性剤としてドデシル硫酸ナ
トリウムを0.1g／リットル、ｐＨ調整剤として塩酸を添加し
た。めっき液のｐＨは3.0とした。めっき液の温度は電
子恒温装置により35±0.1℃に設定し、めっき槽へのめ
っき液供給流量は毎分４リットルとした。電流密度は3.2mA
／cm2とした。
整するために、 硫酸コバルト七水和物 0.004〜0.007mol／リットル 塩化コバルト六水和物 0.004〜0.007mol／リットル 硫酸ニッケル六水和物 0.100〜0.150mol／リットル 塩化ニッケル六水和物 0.100〜0.150mol／リットル 硫酸鉄七水和物 0.005〜0.015mol／リットル の範囲で変化させ、さらにPの含有量を変化させるため
に、表１に示す種々の量の次亜リン酸ナトリウムを加え
た。その他、ｐＨ緩衝剤としてホウ酸を10mol／リットル、め
っき薄膜の応力緩衝剤としてサッカリンナトリウムを1.
5g／リットル、めっき膜の界面活性剤としてドデシル硫酸ナ
トリウムを0.1g／リットル、ｐＨ調整剤として塩酸を添加し
た。めっき液のｐＨは3.0とした。めっき液の温度は電
子恒温装置により35±0.1℃に設定し、めっき槽へのめ
っき液供給流量は毎分４リットルとした。電流密度は3.2mA
／cm2とした。
【００３１】以上の試験条件で得られためっき膜につい
ては、エネルギー分散型Ｘ線分析法(EDS)で組成分析
を、４端子法を使用した電気抵抗測定により比抵抗を、
振動型試料測定装置(VSM)で飽和磁束密度と保磁力を、
磁歪測定装置で磁歪を、それぞれ測定した。
ては、エネルギー分散型Ｘ線分析法(EDS)で組成分析
を、４端子法を使用した電気抵抗測定により比抵抗を、
振動型試料測定装置(VSM)で飽和磁束密度と保磁力を、
磁歪測定装置で磁歪を、それぞれ測定した。
【００３２】表１にめっき浴中の次亜リン酸ナトリウム
の濃度、生成しためっき膜の組成および磁気特性の測定
結果を示す。
の濃度、生成しためっき膜の組成および磁気特性の測定
結果を示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１に示すとおり、めっき浴中への次亜リ
ン酸ナトリウムの添加がないとめっき膜の比抵抗は20μ
Ωcm以下であり、高い比抵抗が得られない。一方、次亜
リン酸ナトリウムの濃度を0.5g／リットルとすると、めっき
膜のPの含有量が過剰になって飽和磁束密度が１T以下と
なり実用材料としての価値がなくなる。また、Feの含有
量が10原子％を超えるめっき膜は磁歪が著しく大きいと
いう欠点がある。
ン酸ナトリウムの添加がないとめっき膜の比抵抗は20μ
Ωcm以下であり、高い比抵抗が得られない。一方、次亜
リン酸ナトリウムの濃度を0.5g／リットルとすると、めっき
膜のPの含有量が過剰になって飽和磁束密度が１T以下と
なり実用材料としての価値がなくなる。また、Feの含有
量が10原子％を超えるめっき膜は磁歪が著しく大きいと
いう欠点がある。
【００３５】
【発明の効果】本発明の薄膜は、飽和磁束密度が高く、
軟磁気特性に優れ、かつ比抵抗が大きく、書き込みおよ
び読み取り性能に優れた薄膜磁気ヘッドの磁性体として
適している。この薄膜は、本発明の電気めっき法によっ
て効率よく製造することができる。
軟磁気特性に優れ、かつ比抵抗が大きく、書き込みおよ
び読み取り性能に優れた薄膜磁気ヘッドの磁性体として
適している。この薄膜は、本発明の電気めっき法によっ
て効率よく製造することができる。
【図１】Co−Ni−Fe三元系合金での飽和磁束密度の分布
を示す図である。
を示す図である。
【図２】実施例で用いたパドル撹拌型めっき槽の概要を
説明する図で、(A)は平面図、(B)は一部断面図である。
説明する図で、(A)は平面図、(B)は一部断面図である。
１：めっき槽、 ２：カソード、 ３：アノード、４：
パドル、 ５：攪拌用モーター
パドル、 ５：攪拌用モーター
Claims (2)
- 【請求項１】Co、 Ni、 FeおよびＰを含有し、それぞれ
の含有量が下記のとおりである軟磁性合金薄膜。 Co： 55原子%以上 Ni： 20原子%以上 Fe：２原子%から10原子%まで P：1原子%から 7原子%まで - 【請求項２】２価のCoイオン、２価のNiイオンおよび２
価のFeイオンを含む硫酸塩および塩酸塩の一方または双
方を含み、さらに濃度が0.005ｇ／リットル以上で0.1ｇ／リッ
トル以下となるように次亜リン酸ナトリウムが添加された
めっき浴を使用して電気めっきすることを特徴とする請
求項１記載の軟磁性合金薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19730997A JPH1140422A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 高比抵抗軟磁性合金薄膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19730997A JPH1140422A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 高比抵抗軟磁性合金薄膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140422A true JPH1140422A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16372322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19730997A Pending JPH1140422A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 高比抵抗軟磁性合金薄膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1140422A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100640221B1 (ko) | 2005-03-08 | 2006-10-31 | 한국과학기술연구원 | 전기도금된 고특성 ＣｏＦｅＮｉ연자성합금 박막 및 그 제조방법 |
-
1997
- 1997-07-23 JP JP19730997A patent/JPH1140422A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100640221B1 (ko) | 2005-03-08 | 2006-10-31 | 한국과학기술연구원 | 전기도금된 고특성 ＣｏＦｅＮｉ연자성합금 박막 및 그 제조방법 |
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