JPS62256989A - コバルト−ニツケル−鉄合金の電気めつき浴組成物 - Google Patents
コバルト−ニツケル−鉄合金の電気めつき浴組成物Info
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、読取及び書込用の薄膜ヘッドに於て用いられ
る、低い保磁力、高い飽和磁化（４πＭｓ）、及び０又
は僅かに負の磁歪（λＳ）を有しているコバルト−ニッ
ケル−鉄（ＣｏＮｉＦｅ）合金の被膜を電気めっきする
ための電気めっき浴組成物に係る。その電気めっき浴組
成物は、薄膜記録ヘッドに於て用いられるＣｏ−Ｎｉ−
Ｆｅ合金を付着する。
る、低い保磁力、高い飽和磁化（４πＭｓ）、及び０又
は僅かに負の磁歪（λＳ）を有しているコバルト−ニッ
ケル−鉄（ＣｏＮｉＦｅ）合金の被膜を電気めっきする
ための電気めっき浴組成物に係る。その電気めっき浴組
成物は、薄膜記録ヘッドに於て用いられるＣｏ−Ｎｉ−
Ｆｅ合金を付着する。
Ｂ、従来技術
２元ＮｉＦｅ合金に於ては、より大きい４πＭｇを得る
ためにＦｅ含有量を増加させると、磁歪が相当に増加し
、より大きいλＳも又、読取の安定性に対して大きな要
因になると考えられる。
ためにＦｅ含有量を増加させると、磁歪が相当に増加し
、より大きいλＳも又、読取の安定性に対して大きな要
因になると考えられる。
この従来技術に於ける問題は、高いＭｓを有する２元Ｎ
ｉＦｅ合金の使用を、書込ヘッドだけに成る程度限定し
ている。４πＭｓが従来の略８１／１９のＮｉＦｅ合金
の数値を超えておりそして零に近い磁歪を有している、
ＣｏＮｉ Ｆｅ合金の種々の組成物が存在することが報
告されているが。
ｉＦｅ合金の使用を、書込ヘッドだけに成る程度限定し
ている。４πＭｓが従来の略８１／１９のＮｉＦｅ合金
の数値を超えておりそして零に近い磁歪を有している、
ＣｏＮｉ Ｆｅ合金の種々の組成物が存在することが報
告されているが。
それらの被膜は真空付着方法を用いて形成された。
米国特許第４２７９７０７号明細書は、現在の薄膜ヘッ
ドに用いられているパーマロイを形成するニッケルー鉄
電気めっき組成物の浴、及び薄膜ヘッドに於ける第２パ
ーマロイ層の如き小さなトポグラフィ上に優れた組成の
均一性を与える動作パラメータに係る。該米国特許明細
書に開示されている技術は、めっきされた４ ５１５５
のＮｉＦｅ合金を形成するために用いられたが、大きな
正の磁歪の値により、その薄膜ヘッドは良好な書込を行
ったが、所望の最適化された読取を行わなかった。
ドに用いられているパーマロイを形成するニッケルー鉄
電気めっき組成物の浴、及び薄膜ヘッドに於ける第２パ
ーマロイ層の如き小さなトポグラフィ上に優れた組成の
均一性を与える動作パラメータに係る。該米国特許明細
書に開示されている技術は、めっきされた４ ５１５５
のＮｉＦｅ合金を形成するために用いられたが、大きな
正の磁歪の値により、その薄膜ヘッドは良好な書込を行
ったが、所望の最適化された読取を行わなかった。
電気めっき浴を含めて、コバルト−ニッケル−鉄合金は
従来技術に於て知られているが、薄膜ヘッドの読取と同
様に、書込にも所望の属性を得るためには、高いコバル
ト含有量が必要であったという、最も重要なことは認識
されていない、従来技術による組成物は、概して、後述
する如く、本発明の開示と異なり、１０パーセントの如
き低レベルのコバルトを有した。そのような従来技術に
よる組成物は１例えば、米国特許第３２９７４１８号、
第３５３３９２２号、第４０３６７０９号、第４２４２
７１０％、及び４４３０１７１号の明細書等に開示され
ている。上記米国特許第３２９７４１８号明細書は、Ｎ
ｉ Ｆ ｅ Ｃｏ薄膜を付着するためのめっき浴組成
物を開示している。その浴組成物は、Ｎｉ、Ｆｅ及びＣ
ｏ化合物の水浴液。
従来技術に於て知られているが、薄膜ヘッドの読取と同
様に、書込にも所望の属性を得るためには、高いコバル
ト含有量が必要であったという、最も重要なことは認識
されていない、従来技術による組成物は、概して、後述
する如く、本発明の開示と異なり、１０パーセントの如
き低レベルのコバルトを有した。そのような従来技術に
よる組成物は１例えば、米国特許第３２９７４１８号、
第３５３３９２２号、第４０３６７０９号、第４２４２
７１０％、及び４４３０１７１号の明細書等に開示され
ている。上記米国特許第３２９７４１８号明細書は、Ｎ
ｉ Ｆ ｅ Ｃｏ薄膜を付着するためのめっき浴組成
物を開示している。その浴組成物は、Ｎｉ、Ｆｅ及びＣ
ｏ化合物の水浴液。
並びにＨ，ＢＯ１、サッカリン、及びラウリル硫酸ナト
リウムを含んでいる。上記米国特許第４２４２７１ｏ号
明細書は、負の磁歪により特徴付けられる均質なＮ ｉ
Ｆ ｅ Ｃｏ薄膜の付着を行うためのめっき浴組成物
を開示している。そのめっき浴組成物は、Ｎｉ、Ｆｅ及
びＣｏ化合物の水浴液〜並びにＨ，Ｂ Ｏ，、ＮａＣＱ
、Ｎａサッカリン、及び湿潤剤を含んでいる。それらの
従来技術に関する文献はいずれも、コバルトを多量に含
む合金の磁性薄膜を形成するために多量のコバルトを使
用することを真に認めておらず、ニッケル濃度の方によ
り大きな関心を持っていた。それらの文献は。
リウムを含んでいる。上記米国特許第４２４２７１ｏ号
明細書は、負の磁歪により特徴付けられる均質なＮ ｉ
Ｆ ｅ Ｃｏ薄膜の付着を行うためのめっき浴組成物
を開示している。そのめっき浴組成物は、Ｎｉ、Ｆｅ及
びＣｏ化合物の水浴液〜並びにＨ，Ｂ Ｏ，、ＮａＣＱ
、Ｎａサッカリン、及び湿潤剤を含んでいる。それらの
従来技術に関する文献はいずれも、コバルトを多量に含
む合金の磁性薄膜を形成するために多量のコバルトを使
用することを真に認めておらず、ニッケル濃度の方によ
り大きな関心を持っていた。それらの文献は。
他の組成物の濃度に関して低いコバルトの濃度により大
きな関心を持っていた。
きな関心を持っていた。
米国特許第３３５０１８０号明細書は、コバルト濃度が
他の組成物に関して比較的低いが、ＦａＮ ｘ Ｃｏ
合金を含む群から磁性材料を選択することができる、積
層化された磁性薄膜素子を開示している。該米国特許明
細書は、Ｎ ｉ Ｆ ｅ Ｃ。
他の組成物に関して比較的低いが、ＦａＮ ｘ Ｃｏ
合金を含む群から磁性材料を選択することができる、積
層化された磁性薄膜素子を開示している。該米国特許明
細書は、Ｎ ｉ Ｆ ｅ Ｃ。
薄膜を付着するためのめっき浴組成物を開示しており、
その浴はＮｉ−Ｆａ及びＣｏ化合物の水浴液、並びにＨ
，ＢＯ３，サッカリン、及びラウリル硫酸ナトリウムを
含んでいる。
その浴はＮｉ−Ｆａ及びＣｏ化合物の水浴液、並びにＨ
，ＢＯ３，サッカリン、及びラウリル硫酸ナトリウムを
含んでいる。
従来技術に関する文献は、コバルトを多量に含む合金の
磁性薄膜を形成するための電気めっき浴組成物を用いる
ことに関心を持っていない。それらの文献はすべて、他
の組成物に関して高い百分率のコバルト材料を開示して
いる本発明と異なり、低い百分率のコバルト材料を用い
たＮ ｉ −Ｆ ａ −ＣＯ材料をめっきする浴の使用
を開示している。
磁性薄膜を形成するための電気めっき浴組成物を用いる
ことに関心を持っていない。それらの文献はすべて、他
の組成物に関して高い百分率のコバルト材料を開示して
いる本発明と異なり、低い百分率のコバルト材料を用い
たＮ ｉ −Ｆ ａ −ＣＯ材料をめっきする浴の使用
を開示している。
販■頗」Ｌ鉦蛙諌げｎ里匹、第３８巻（１９６７年）、
第３４０９頁乃至第３４１０頁に於けるＣ、 Ｈ，Ｔｏ
ｌｍａｎによる論文“Ｎｏｎ−ｍａｇｎｅｔｏｓｔｒｉ
ｃｔｉｖｅ ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｆｅ−
Ｎ１−Ｃ。
第３４０９頁乃至第３４１０頁に於けるＣ、 Ｈ，Ｔｏ
ｌｍａｎによる論文“Ｎｏｎ−ｍａｇｎｅｔｏｓｔｒｉ
ｃｔｉｖｅ ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｆｅ−
Ｎ１−Ｃ。
Ｆｉｌｍｓ”は、第１図に示されている如く、Ｆｅ−Ｎ
ｉ−Ｃｏ系の無磁歪組成物の線をプロットしている。３
つの成分の濃度を示すこの、グラフは従来技術におけろ
コバルト濃度の範囲と本発明に基づくコバルト濃度の範
囲との区別を示している。
ｉ−Ｃｏ系の無磁歪組成物の線をプロットしている。３
つの成分の濃度を示すこの、グラフは従来技術におけろ
コバルト濃度の範囲と本発明に基づくコバルト濃度の範
囲との区別を示している。
Ｃ０発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、薄膜ヘッドに於て用いられる、高い飽
和磁化、実質的に零の磁歪係数、及び低い保磁力を有し
ている、コバルトを多量に含む磁性薄膜を形成するため
の電気めっき浴組成物を設けることにより、従来技術の
欠点を克服することである。
和磁化、実質的に零の磁歪係数、及び低い保磁力を有し
ている、コバルトを多量に含む磁性薄膜を形成するため
の電気めっき浴組成物を設けることにより、従来技術の
欠点を克服することである。
Ｄ０問題点を解決するための手段
本発明は、良好な書込特性のための高い飽和磁化、並び
に良好な読取特性のための実質的に雰の磁歪係数及び低
い保磁力を有している、３膜ヘツド用の、コバルトを多
量に含む磁性薄膜を形成するための電気めっき浴組成物
を提供する。本発明に於けるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金は、
薄膜ヘッドのための改良された磁気特性を与える。その
電気めっき浴組成物及び動作パラメータは又、薄膜ヘツ
ド構造体のトポグラフィ上に優れた組成の均一性を与え
る。
に良好な読取特性のための実質的に雰の磁歪係数及び低
い保磁力を有している、３膜ヘツド用の、コバルトを多
量に含む磁性薄膜を形成するための電気めっき浴組成物
を提供する。本発明に於けるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金は、
薄膜ヘッドのための改良された磁気特性を与える。その
電気めっき浴組成物及び動作パラメータは又、薄膜ヘツ
ド構造体のトポグラフィ上に優れた組成の均一性を与え
る。
本発明の一実施例に従って、高い飽和磁化、実質的に零
の磁歪係数、及び低い保磁力を有している、コバルトを
多量に含む磁性薄膜を形成するためのＣｏＮｉＦｅ電気
めっき浴組成物が得られる。
の磁歪係数、及び低い保磁力を有している、コバルトを
多量に含む磁性薄膜を形成するためのＣｏＮｉＦｅ電気
めっき浴組成物が得られる。
その電気めっき浴組成物は、略８乃至２５ ｇ ／ Ｑ
の濃度のＣＯ＋２イオン、略１．５乃至１２ｇ／Ｑの濃
度のＮｉ＋２イオン、及び略０．５乃至３ｇ／Ｑの濃度
のＦｅ＋２イオンの成分を含む、その浴は又、硼酸又は
同種の組成物、塩化ナトリウム又は同種の組成物、応力
緩和剤、及び湿潤剤を含む。
の濃度のＣＯ＋２イオン、略１．５乃至１２ｇ／Ｑの濃
度のＮｉ＋２イオン、及び略０．５乃至３ｇ／Ｑの濃度
のＦｅ＋２イオンの成分を含む、その浴は又、硼酸又は
同種の組成物、塩化ナトリウム又は同種の組成物、応力
緩和剤、及び湿潤剤を含む。
該組成物は変化することができ、それに応じて、付着組
成物に於ける変化により、磁化、磁歪、及び保磁力に変
動が生じる。用いられるディスチャージ可能なイオンの
濃度も、塩の濃度と同様に変化することができ、その場
合でも、低電流密度で動作して、薄膜ヘッド構造体のト
ポグラフィ上に均一な組成の付着物を生せしめる。その
電気めっき浴の動作パラメータは、約２．５乃至３．５
の範囲のｐＨ１好ましくは約３０’Ｃである２５乃至４
５℃の湿度、及び約３乃至１０ｍＡ／ｃｉ又は同様な範
囲の電流密度である。
成物に於ける変化により、磁化、磁歪、及び保磁力に変
動が生じる。用いられるディスチャージ可能なイオンの
濃度も、塩の濃度と同様に変化することができ、その場
合でも、低電流密度で動作して、薄膜ヘッド構造体のト
ポグラフィ上に均一な組成の付着物を生せしめる。その
電気めっき浴の動作パラメータは、約２．５乃至３．５
の範囲のｐＨ１好ましくは約３０’Ｃである２５乃至４
５℃の湿度、及び約３乃至１０ｍＡ／ｃｉ又は同様な範
囲の電流密度である。
本発明の重要な特徴は、コバルトを多量に含む。
その電気めっき浴組成物が、書込のために必要な高い飽
和磁化、並びに読取の安定性を与える、零又は僅かに負
の磁歪係数、及び良好な読取特性を与える、約２エルス
テツドよりも小さい保磁力を実現することである。
和磁化、並びに読取の安定性を与える、零又は僅かに負
の磁歪係数、及び良好な読取特性を与える、約２エルス
テツドよりも小さい保磁力を実現することである。
Ｅ、実施例
本発明による電気めっき浴組成物は、零又は僅かに負の
磁歪係数とともに高い飽和磁化を有している薄膜ヘッド
を形成するための、コバルトを多量に含む磁性材料を電
気めっきするために、コバルト、ニッケル、及び鉄を用
いている。
磁歪係数とともに高い飽和磁化を有している薄膜ヘッド
を形成するための、コバルトを多量に含む磁性材料を電
気めっきするために、コバルト、ニッケル、及び鉄を用
いている。
コバルト、ニッケル、及び鉄のための、ディスチャージ
可能なイオンを除いた、１つの好ましい基本的な浴組成
物を、次の表１に示す。その浴に於て、同種の組成物を
用いることもできることば勿論である。
可能なイオンを除いた、１つの好ましい基本的な浴組成
物を、次の表１に示す。その浴に於て、同種の組成物を
用いることもできることば勿論である。
Ｈ，Ｂｏ、 ２５ｇＩＱ １０５
０ｇ／ＩｌＮ ａ ＣＱ ２５ｇ＃ｌ
０−１００ｇ／Ｑ応力緩和剤 １
．５ｇ／Ｑ０．５〜４ｇ／Ｑ（ナトリウム・サッカリン
の如き） 湿潤剤 ０．０５ｇ／ｆｌ ０．
０１〜０．２ｇ／Ｑ低い塩の濃度及び低電流で用いられ
る、均一なトポグラフィを与える。ディスチャージ可能
なイオンの濃度は、次の表２に示す如き範囲を有するこ
とができる。
０ｇ／ＩｌＮ ａ ＣＱ ２５ｇ＃ｌ
０−１００ｇ／Ｑ応力緩和剤 １
．５ｇ／Ｑ０．５〜４ｇ／Ｑ（ナトリウム・サッカリン
の如き） 湿潤剤 ０．０５ｇ／ｆｌ ０．
０１〜０．２ｇ／Ｑ低い塩の濃度及び低電流で用いられ
る、均一なトポグラフィを与える。ディスチャージ可能
なイオンの濃度は、次の表２に示す如き範囲を有するこ
とができる。
ＣＯ＋２８〜２５ｇ／ｆｌ ０．１５〜０．４ＭＮｉ
＋２１．５〜１２ｇ／Ｑ０．０３〜０．２ＭＦ ｅ ＋
２０．５−３ｇ／ Ｑ Ｏ，０１−０，０５Ｍ上限の
モル濃度はより高くてもよく、それは電流密度、ｐＨ１
及び得られる合金″の所望の組成に依存する。その電気
めっき組成物の浴が用いられる条件は、２．５乃至３．
５のｐＨ範囲３乃至９ｍＡ／Ａｃｄの電流密度、及び３
０℃の濃度であるが。
＋２１．５〜１２ｇ／Ｑ０．０３〜０．２ＭＦ ｅ ＋
２０．５−３ｇ／ Ｑ Ｏ，０１−０，０５Ｍ上限の
モル濃度はより高くてもよく、それは電流密度、ｐＨ１
及び得られる合金″の所望の組成に依存する。その電気
めっき組成物の浴が用いられる条件は、２．５乃至３．
５のｐＨ範囲３乃至９ｍＡ／Ａｃｄの電流密度、及び３
０℃の濃度であるが。
より高い温度を用いることもできる。その浴の化学のデ
ィスチャージ可能なイオンの組成は、後述する如き達成
可能な結果を得るために、電流密度よりも重要であると
考えられる。曇りのかかった（ｃｌｏｕｄｙ）被膜を防
ぐために、低い塩の濃度に於ては、より低いｐＨが望ま
しい。３元系については、範囲を拡大できる。
ィスチャージ可能なイオンの組成は、後述する如き達成
可能な結果を得るために、電流密度よりも重要であると
考えられる。曇りのかかった（ｃｌｏｕｄｙ）被膜を防
ぐために、低い塩の濃度に於ては、より低いｐＨが望ま
しい。３元系については、範囲を拡大できる。
塩を多量に含む電気めっき浴組成物の成る特定の例を次
の表３に示す。
の表３に示す。
表 ３
組成 重量／Ｑ
Ｃｏ ＳＯ２・７Ｈ２０ＬｏＯｇ／Ｑ
Ｎ Ｉ ＣＱ ２・６Ｈ２０２８ｇＩＱＮ ｉ Ｓ Ｏ
４・７ Ｈ，０１３，４ｇ／１２Ｆ ｅ ＳＯ２・７Ｈ
２０１２ｇ／Ｑ Ｈ，Ｂｏ、 ２５ｇ／Ω ＮａＣｌ２ ２５ｇＩＱ 応力緩和剤 １．４８ ｇ ／ Ｑ湿潤
剤 ０．０５ｇ／１２ＣｏＳＯ４・７
Ｈ２０の塩の濃度は、９０乃至１００ ｇ ／ Ｑ範囲
の如く、変化することができる。
４・７ Ｈ，０１３，４ｇ／１２Ｆ ｅ ＳＯ２・７Ｈ
２０１２ｇ／Ｑ Ｈ，Ｂｏ、 ２５ｇ／Ω ＮａＣｌ２ ２５ｇＩＱ 応力緩和剤 １．４８ ｇ ／ Ｑ湿潤
剤 ０．０５ｇ／１２ＣｏＳＯ４・７
Ｈ２０の塩の濃度は、９０乃至１００ ｇ ／ Ｑ範囲
の如く、変化することができる。
めっきのための条件は、好ましくは、ｐＨ２，５、温度
３０℃、及び３乃至９ ｍ Ａ ／ ａｌである。より
低い塩の１度に於ては、範囲の中程の電流密度を用いる
ことができる。塩の濃度は、その浴が少量の塩を含む浴
であっても、又は多量の塩を含む浴であっても、それに
応じて変化することができる。
３０℃、及び３乃至９ ｍ Ａ ／ ａｌである。より
低い塩の１度に於ては、範囲の中程の電流密度を用いる
ことができる。塩の濃度は、その浴が少量の塩を含む浴
であっても、又は多量の塩を含む浴であっても、それに
応じて変化することができる。
又、ニッケルは、全部塩化物又は硫酸塩のいずれかの塩
により供給することができるが、混合された源が好まし
い。
により供給することができるが、混合された源が好まし
い。
第３図は、浴中のディスチャージ可能なイオンの合計モ
ル濃度のプロットを示し、成る合金組成物に於けるコバ
ルト、ニッケル、及び鉄の合計を表わしている。この図
は、浴中のモル百分率で割った付着物中の重量パーセン
トの比を、洛中のディスチャージ可能なイオンのモル濃
度に対して示している。この測定は、ｐＨ２，５，３０
℃、及び５ ｍ Ａ ／ ｄの電流密度で行われた。そ
の図は、所望の組成の付着物を得るために電気めっき浴
組成物に於ける濃度を決定するための情報を与える。
ル濃度のプロットを示し、成る合金組成物に於けるコバ
ルト、ニッケル、及び鉄の合計を表わしている。この図
は、浴中のモル百分率で割った付着物中の重量パーセン
トの比を、洛中のディスチャージ可能なイオンのモル濃
度に対して示している。この測定は、ｐＨ２，５，３０
℃、及び５ ｍ Ａ ／ ｄの電流密度で行われた。そ
の図は、所望の組成の付着物を得るために電気めっき浴
組成物に於ける濃度を決定するための情報を与える。
第４図は、ｐＨ２，５，３０℃、及び５ｍＡ／ｄに於て
、コバルト、ニッケル、及び鉄の付着物中の重量パーセ
ントを、浴中のモル百分率に対してプロットしている。
、コバルト、ニッケル、及び鉄の付着物中の重量パーセ
ントを、浴中のモル百分率に対してプロットしている。
第５図は、ニッケルが０．１７Ｍに一定に保たれている
電気めっき浴組成物中の鉄とコバルトとの比に対して、
付着物中の鉄とコバルトとの〜比を示している。この測
定は、ｐＨ２，５−３０℃。
電気めっき浴組成物中の鉄とコバルトとの比に対して、
付着物中の鉄とコバルトとの〜比を示している。この測
定は、ｐＨ２，５−３０℃。
及び５ ｍ Ａ ／ ｃｉで行われ、０．０８８乃至０
．３０Ｍのコバルト及びＯ乃至０．０４３Ｍの鉄を含む
浴が用いられ、イオンの合計は０．２６乃至０．５１Ｍ
であった。そのグラフの傾斜は、約４５度である。鉄が
変化すると、コバルトも勿論変化する。コバルト及び鉄
の浴中の比、及び付着物中の比は、５ｍＡ／ａＪに於て
実質的に一定である。
．３０Ｍのコバルト及びＯ乃至０．０４３Ｍの鉄を含む
浴が用いられ、イオンの合計は０．２６乃至０．５１Ｍ
であった。そのグラフの傾斜は、約４５度である。鉄が
変化すると、コバルトも勿論変化する。コバルト及び鉄
の浴中の比、及び付着物中の比は、５ｍＡ／ａＪに於て
実質的に一定である。
第６図は、０．１７Ｍのニッケル、０．３２モルのコバ
ルト、及び０．０４３モルの鉄を含む表３の浴に於ける
電流密度の研究を示している。この測定は、３０℃及び
ｐＨ２，５で行われた。電澹密度が増加される間、コバ
ルトは、約７７％に於て実質的に一定であり、約０．１
％／ ｍ Ａ ／ ａＡで減少するが、鉄の含有量は約
０．３％／ ｍ Ａ ／ ａＪで増加し、ニッケルの含
有量は約０．２％／ ｍ Ａｌ１で減少する。
ルト、及び０．０４３モルの鉄を含む表３の浴に於ける
電流密度の研究を示している。この測定は、３０℃及び
ｐＨ２，５で行われた。電澹密度が増加される間、コバ
ルトは、約７７％に於て実質的に一定であり、約０．１
％／ ｍ Ａ ／ ａＡで減少するが、鉄の含有量は約
０．３％／ ｍ Ａ ／ ａＪで増加し、ニッケルの含
有量は約０．２％／ ｍ Ａｌ１で減少する。
凱生え二Σ
本発明に於ける浴のための好ましい電気めっきのパラメ
ータは、３乃至６ ｍ Ａ ／ ０１１の範囲の電流密
度、２．５乃至３．Ｃ１）範囲の ｐ Ｈ１３０’Ｃ又
は約３０”Ｃの温度であるが、他のパラメータの組合せ
を用いることもできる。ＣｏＮｉＦｅ合金は、薄膜状に
めっきされたとき、Ｆｅの含有量が約６％より多い場合
には、面心立方構造を与え、約６％よりも少ない場合に
は、六方詰込構造を与える。
ータは、３乃至６ ｍ Ａ ／ ０１１の範囲の電流密
度、２．５乃至３．Ｃ１）範囲の ｐ Ｈ１３０’Ｃ又
は約３０”Ｃの温度であるが、他のパラメータの組合せ
を用いることもできる。ＣｏＮｉＦｅ合金は、薄膜状に
めっきされたとき、Ｆｅの含有量が約６％より多い場合
には、面心立方構造を与え、約６％よりも少ない場合に
は、六方詰込構造を与える。
より多量の塩を含む電気めっき浴組成物は、めっき毎に
良好な再現性を与える。
良好な再現性を与える。
ＣｏＮｉＦｅ被膜（約８０：１０：１０の場合）の典型
的磁気特性の一例を次の表に示す。
的磁気特性の一例を次の表に示す。
表−土
厚さ ＝ ２μｍ
４ｇＭ５ ＝ １６にガウス
Ｈｃ ＝ １．５ ０ｅ
Ｈｋ ＝ １０ ０ｅ
透磁率 ＝ １０００
６７５人／分の付着速度を得るためには、ｐ Ｉ（２，
５，３０℃の温度、及び５ ｍ Ａ ／ ｃｎ？の電流
密度が用いられる。Ｈｃは保磁力、Ｈｋは異方性磁界、
及び４πＭｓは飽和磁化である。
５，３０℃の温度、及び５ ｍ Ａ ／ ｃｎ？の電流
密度が用いられる。Ｈｃは保磁力、Ｈｋは異方性磁界、
及び４πＭｓは飽和磁化である。
Ｆ６発明の効果
本発明によれば、薄膜ヘッドに於て用いられる、高い飽
和磁化、実質的に零の磁歪係数、及び低い保磁力を有し
ている、コバルトを多量に含む磁性薄膜を形成するため
の電気めっき浴組成物が得られる。
和磁化、実質的に零の磁歪係数、及び低い保磁力を有し
ている、コバルトを多量に含む磁性薄膜を形成するため
の電気めっき浴組成物が得られる。
第１図は磁歪が零の線を示しているコバルト−ニッケル
−鉄の３元組成図、第２図はコバルト−ニッケル−鉄に
関するガウスで表わされた固有磁束密度Ｂ−Ｈのプロッ
トを示す図、第３図は浴中のモル百分率で割った付着物
中の重量パーセントをコバルト−ニッケル−鉄の浴中の
合計モル濃度に対してプロットしている図、第４図はコ
バルト−ニッケル−鉄の付着物中の重量パーセントをコ
バルト−ニッケル−鉄の洛中のモル百分率に対して示す
図、第５図は付着物中のＦ ｅ ／ Ｃｏの重量パーセ
ントの比を０．１７ＭのＮｉを含む浴中のＦｅ／ＣＯの
モル百分率の比に対してプロットしている図、第６図は
、重量パーセントの組成を電流密度に対してプロットし
ている図である。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人 弁理士 岡 １） 次 生（外１名） 〇−
−鉄の３元組成図、第２図はコバルト−ニッケル−鉄に
関するガウスで表わされた固有磁束密度Ｂ−Ｈのプロッ
トを示す図、第３図は浴中のモル百分率で割った付着物
中の重量パーセントをコバルト−ニッケル−鉄の浴中の
合計モル濃度に対してプロットしている図、第４図はコ
バルト−ニッケル−鉄の付着物中の重量パーセントをコ
バルト−ニッケル−鉄の洛中のモル百分率に対して示す
図、第５図は付着物中のＦ ｅ ／ Ｃｏの重量パーセ
ントの比を０．１７ＭのＮｉを含む浴中のＦｅ／ＣＯの
モル百分率の比に対してプロットしている図、第６図は
、重量パーセントの組成を電流密度に対してプロットし
ている図である。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人 弁理士 岡 １） 次 生（外１名） 〇−
Claims (1)
- ０．１５乃至０．４Ｍの濃度範囲のＣｏ＾＋＾２、０．
０３乃至０．２Ｍの濃度範囲のＮｉ＾＋＾２、及び０．
０１乃至０．０５Ｍの濃度範囲のＦｅ＾＋＾２のディス
チャージ可能なイオンと、ディスチャージ可能なイオン
を含まず、応力緩和剤及び湿潤剤を含んでいる基本的な
浴とを含み、３乃至１０ｍＡ／ｃｍ＾２の電流密度、２
．５乃至３．５のｐＨ、及び３０℃近傍の温度で動作す
る、高い飽和磁化、実質的に零の磁歪係数、及び低い保
磁力を有する磁性薄膜を形成するためのコバルト−ニッ
ケル−鉄合金の電気めっき浴組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/854,451 US4661216A (en) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | Electrodepositing CoNiFe alloys for thin film heads |
| US854451 | 1986-04-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256989A true JPS62256989A (ja) | 1987-11-09 |
| JPS6353277B2 JPS6353277B2 (ja) | 1988-10-21 |
Family
ID=25318730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62064490A Granted JPS62256989A (ja) | 1986-04-21 | 1987-03-20 | コバルト−ニツケル−鉄合金の電気めつき浴組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4661216A (ja) |
| EP (1) | EP0243627B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62256989A (ja) |
| DE (1) | DE3770514D1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6797415B2 (en) | 2000-12-27 | 2004-09-28 | Tdk Corporation | Cobalt-nickel-iron alloy thin film and method of forming the same, and thin-film magnetic head and method of manufacturing the same |
| US7101633B2 (en) | 2002-03-06 | 2006-09-05 | Tdk Corporation | Electroplated magnetic thin film, method of manufacturing the same, electroplating bath and thin film magnetic head |
| JP2006253252A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁性膜とその製造方法及びこれを使用した薄膜磁気ヘッドと磁気ディスク装置 |
| JP2022182186A (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-08 | 石原ケミカル株式会社 | アンダーバリアメタルとソルダー層とを含む構造体 |
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| EP0297776B1 (en) * | 1987-06-30 | 1993-08-04 | Sony Corporation | Soft magnetic thin films |
| US5011581A (en) * | 1988-09-28 | 1991-04-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for producing a thin alloy film having high saturation magnetic flux density |
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| EP0396227B1 (en) * | 1989-05-01 | 1995-05-17 | Quantum Corporation | Magnetic devices with enhanced poles |
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1986
- 1986-04-21 US US06/854,451 patent/US4661216A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-03-10 DE DE8787103378T patent/DE3770514D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-03-10 EP EP87103378A patent/EP0243627B1/en not_active Expired
- 1987-03-20 JP JP62064490A patent/JPS62256989A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0243627B1 (en) | 1991-06-05 |
| EP0243627A1 (en) | 1987-11-04 |
| JPS6353277B2 (ja) | 1988-10-21 |
| US4661216A (en) | 1987-04-28 |
| DE3770514D1 (de) | 1991-07-11 |
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