JP2006253252A

JP2006253252A - 磁性膜とその製造方法及びこれを使用した薄膜磁気ヘッドと磁気ディスク装置

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Publication number: JP2006253252A
Application number: JP2005064886A
Authority: JP
Inventors: Kazue Kudo; 一恵工藤; Gen Oikawa; 玄及川; Yoji Maruyama; 洋治丸山; Hiromi Shiina; 宏実椎名
Original assignee: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV
Current assignee: HGST Netherlands BV
Priority date: 2005-03-09
Filing date: 2005-03-09
Publication date: 2006-09-21
Anticipated expiration: 2025-03-09
Also published as: US20060203385A1; JP4523460B2; US7679860B2

Abstract

【課題】従来と比較して、より高い飽和磁束密度を得ることができる磁性膜とその製造方法及びこれを使用した薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅを含有する磁性膜であって、その組成は１０≦Ｃｏ≦４０ｗｔ％、０＜Ｎｉ≦２ｗｔ％、６０≦Ｆｅ≦９０ｗｔ％となっている。この磁性膜は、電気めっきにより形成されるめっき膜であり、膜面に平行な結晶面に対する膜面に垂直な結晶面の面間隔変化量が０．４％以上であり、このため飽和磁束密度（Ｂｓ）が２．４Ｔより大きくなっている。
【選択図】なし

Description

本発明は、高飽和磁束密度の磁性膜とその製造方法及びこれを使用した薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置に関する。

磁気ディスク装置の高記録密度化に伴い、記録媒体の高保磁力化が進行している。これに伴い、記録ヘッドの磁気コア材料として、飽和磁束密度（Ｂｓ）が高く、高保磁力媒体に十分書きこめるだけの強い磁界をだせる材料が要求されている。

高飽和磁束密度（Ｂｓ）を有する材料としては，特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４に記載のように、現在磁気コア材として採用されているＮｉ４５Ｆｅ５５（Ｂｓ：１．６テスラ（Ｔ））と比較して、より高いＢｓを有するＣｏＮｉＦｅ（Ｂｓ＞１．７Ｔ）がある。また、特許文献５には、めっき液組成としてサッカリンナトリウムを添加しない浴を用いることにより、Ｂｓの高いめっき膜を作製する方法が開示されている。さらに、特許文献６にはＣｏ，Ｆｅ２元系合金を用い、高Ｂｓ化を達成している。
特開平６−８９４２２号公報特開平８−２４１５０３号公報特開平６−３４６２０２号公報特開平７−３４８９号公報特許公報第２８２１４５６号特開２００２−２８０２１７号公報

しかし、上記従来の技術においては、高飽和磁束密度（Ｂｓ）を有する材料としてのＣｏＮｉＦｅ系の材料を電気めっきで作製しても、なお十分な高飽和磁束密度を得ることができなかった。

本発明は、上記従来の課題に鑑みなされたものであり、その目的は、従来と比較して、より高い飽和磁束密度を得ることができる磁性膜とその製造方法及びこれを使用した薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅを含有する磁性膜であって、前記磁性膜はめっきにより形成され、その組成は１０≦Ｃｏ≦４０ｗｔ％、０＜Ｎｉ≦２ｗｔ％、６０≦Ｆｅ≦９０ｗｔ％であり、膜面に平行な結晶面に対する膜面に垂直な結晶面の面間隔変化量が０．４％以上であり、飽和磁束密度が２．４テスラより大きいことを特徴とする。

また、上記磁性膜は、体心立方晶単相の膜であり、Ｘ線回折における各回折ピークのピーク強度の和をΣＩ、（２２０）面のピーク強度をＩ（２２０）としたとき、Ｉ（２２０）／ΣＩ≦７であることを特徴とする。

また、上記磁性膜は、結晶粒径が３０ｎｍ未満であることを特徴とする。

また、本発明は、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅを含有する磁性膜の製造方法であって、めっき浴のｐＨが２．０以下かつ最大電流密度が１００ｍＡ／ｃｍ^２より大きい範囲で電気めっきを行い、組成を２０≦Ｃｏ≦４０ｗｔ％、０＜Ｎｉ≦２ｗｔ％、６０≦Ｆｅ≦９０ｗｔ％とし、飽和磁束密度を２．４テスラより大きくすることを特徴とする。

また、本発明は、薄膜磁気ヘッドであって、上記磁性膜を、磁気ギャップ近傍に有することを特徴とする。ここで、上記磁性膜の膜厚は０．５μｍ未満であるのが好適である。

また、上記薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気ギャップ膜が非磁性金属により構成され、前記磁気ギャップ膜は、前記磁性膜のめっき下地膜を兼ねていることを特徴とする。

また、本発明は、磁気ディスク装置であって、上記薄膜磁気ヘッドを搭載したことを特徴とする。

以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、実施形態という）について説明する。

本発明にかかる磁性膜は、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅを含有する磁性膜であって、その組成は１０≦Ｃｏ≦４０ｗｔ％、０＜Ｎｉ≦２ｗｔ％、６０≦Ｆｅ≦９０ｗｔ％となっている。この磁性膜は、電気めっきにより形成されるめっき膜であり、膜面に平行な結晶面に対する膜面に垂直な結晶面の面間隔変化量が０．４％以上であり、このため飽和磁束密度（Ｂｓ）が２．４Ｔより大きくなっている。ここで、面間隔変化量は、膜面に垂直な結晶面の面間隔と膜面に平行な結晶面の面間隔との差を膜面に平行な結晶面の面間隔で除した値で定義される。

また、本発明にかかる磁性膜は、体心立方構造の結晶（体心立方晶）の単相の膜であり、Ｘ線回折における各回折ピークのピーク強度の和をΣＩ、（２２０）面のピーク強度をＩ（２２０）としたとき、Ｉ（２２０）／ΣＩ≦７であり、結晶粒径が３０ｎｍ未満であるのが、Ｂｓ向上の点から好適である。

図１（ａ）〜（ｄ）には、本発明にかかる上記磁性膜を使用した薄膜磁気ヘッドの製造工程が示される。なお、図１には記録ヘッドを示し、再生ヘッドは省略している。図１（ａ）において、まず、基板１０上に４６ＮｉＦｅ膜１２を形成し、所望の形状にパターニングする。この際、先に、レジストを用いて、所望の形状を形成し、そこにめっきをしてもかまわない。さらに絶縁膜をスパッタし、表面をＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing）で平坦化する。その後、到達真空度５×１０^−５Ｐａ以上の圧力でＡｒガスをスパッタ室内に導入し、ＣｏＮｉＦｅ合金ターゲットを用いてＤＣまたはＲＦスパッタ法によりＣｏＮｉＦｅ下地膜１４を形成する。このとき、ＣｏＮｉＦｅ下地膜１４の下に密着層として非磁性金属を５ｎｍ程度形成してもよい。

次に、レジストフレームを用いて所望の形状を作製し、下記表１に示すめっき条件で、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅをイオンとして含み、さらに応力緩和剤としてサッカリンナトリウムを１．５ｇ／ｌ含んだめっき液を用いて、ＣｏＮｉＦｅめっき膜１６をＣｏＮｉＦｅ下地膜１４上に、電気めっき法で成膜する。このときのめっき液のｐＨは、２．０未満であり、好ましくは、１．５≦ｐＨ≦１．９の範囲で行うのがよい。また、電気メッキに使用する電流は、直流及びパルス電流のいずれであってもよい。このようにして形成したＣｏＮｉＦｅめっき膜１６の組成は、ほぼＣｏが３０ｗｔ％、Ｎｉが１ｗｔ％、Ｆｅが６９ｗｔ％となる。このＣｏＮｉＦｅめっき膜１６が、本発明にかかる磁性膜である。以上により、下部磁気コア２２が形成される。また、４６ＮｉＦｅ膜１２上に、先に、本発明のめっき膜よりＢｓの低いめっき膜を形成し、このめっき膜上に本発明のＣｏＮｉＦｅめっき膜１６を作製してもよい。

また、上記ＣｏＮｉＦｅめっき膜１６のＢ−Ｈループは図２（ａ）に示すようになり、これを熱処理すると図２（ｂ）に示すように、保磁力及び異方性磁界が小さくなる。なお、図２（ａ）、（ｂ）において、横軸は膜に印加する磁界Ｈであり、縦軸は磁束密度Ｂである。また、図２（ｂ）に示された結果は、２５０℃で３時間熱処理した後の膜のものである。

次に、図１（ｂ）において、ＣｏＮｉＦｅめっき膜１６上に磁気ギャップ膜１８を形成する。磁気ギャップ膜１８としては、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｐｔ、ＮｉＰ等の非磁性膜を用いる。

次に、図１（ｃ）において、磁気ギャップ膜１８上に、上部磁気コアを形成するためのレジストフレーム２０を形成し、これを所望の形状にパターニングした後、ＣｏＮｉＦｅめっき膜１６、４６ＮｉＦｅ膜１２を順次めっき法にて成膜する。このとき、ＣｏＮｉＦｅめっき膜１６の膜厚は０．５μｍ以下であることが好ましい。また、磁気ギャップ膜１８がＣｏＮｉＦｅめっき膜１６のめっき下地膜を兼ねている。なお、上部磁気コアを形成するためのＣｏＮｉＦｅめっき膜１６も、図１（ａ）の場合と同様にして形成する。このＣｏＮｉＦｅめっき膜１６が、本発明にかかる磁性膜である。また、ここでは上部磁気コア及び下部磁気コア２２の一部に４６ＮｉＦｅ膜１２を用いたが、１０≦Ｎｉ≦８０、２０≦Ｆｅ≦９０の組成のＦｅＮｉ膜を用いてもよい。

次に、図１（ｄ）において、レジストフレーム２０を除去し、さらに上部、下部磁気コアを所定のトラック幅に加工するため、トリミング工程を行う。これにより、上部磁気コア２４が形成される。

以上に述べた図１（ａ）〜図１（ｄ）の工程により、本発明にかかる磁性膜を磁気ギャップ近傍に有する薄膜磁気ヘッドが製造される。

図３には、本発明により得られる磁性膜のＣｏ、Ｎｉ及びＦｅの組成範囲を表す３元系図が示される。図３に示した組成範囲において、４０ｗｔ％＜Ｃｏ、Ｆｅ＜６０ｗｔ％および、Ｃｏ＜１０ｗｔ％、９０ｗｔ％＜Ｆｅ、２ｗｔ％＜Ｎｉでは、保磁力が大きくなり、軟磁性膜としての特性が劣化する。また、２ｗｔ％＜Ｎｉでは、Ｂｓ＜２．３Ｔとなってしまう。また、Ｎｉ＝０ｗｔ％では、例えば、腐食電位を測定すると、Ｎｉが１ｗｔ％含まれた膜と比較して、自然浸漬電位が卑となる、すなわち、耐食性が劣ってしまうため、０ｗｔ％＜Ｎｉが必要である。

そこで、図３に示す組成範囲すなわち１０≦Ｃｏ≦４０ｗｔ％、０＜Ｎｉ≦２ｗｔ％、６０≦Ｆｅ≦９０ｗｔ％のＣｏＮｉＦｅ膜を形成する必要があるが、このための電気めっきの条件は、表２に示した範囲の条件が好適である。なお、表２に示された条件の範囲には、表１の条件も含まれている。

上述のように、本発明では、ＣｏＮｉＦｅめっき膜１６を成膜するに際し、めっき浴中に応力緩和剤としてサッカリンナトリウムを含んだめっき浴から膜形成することを特徴とする。このようなめっき条件でめっきを行うことにより、３μｍ以上の厚膜化も可能である。また、図４に示すように、サッカリンナトリウムを０．５ｇ／ｌ程度めっき液に添加すると、膜の応力を約２００Ｍｐａ程度まで低減できる。しかし、２．５ｇ／ｌ以上添加しても応力はほとんど変化しない。また、めっき液中のサッカリンナトリウムが過剰になると、膜中のＳ量が増加し耐食性が劣化してしまうため、サッカリンナトリウムの添加量は０．５〜２．０ｇ／ｌが最適である。

上記図１（ｄ）に示すように、下部磁気コア２２は、基板１０上に４６ＮｉＦｅ膜１２、ＣｏＮｉＦｅ下地膜１４、ＣｏＮｉＦｅめっき膜１６が順次に形成されたものである。また、上部磁気コア２４は、磁気ギャップ膜１８を介して下部磁気コア２２と対向して設けられており、磁気ギャップ１８膜上にＣｏＮｉＦｅめっき膜１６、４６ＮｉＦｅ膜１２が順次に形成されたものである。

つまり、下部磁気コア２２は、ＣｏＮｉＦｅ下地膜１４と、この上に形成されたＣｏＮｉＦｅめっき膜１６とを有し、上部磁気コア２４は、下地膜を兼ねた磁気ギャップ膜１８と、この上に形成されたＣｏＮｉＦｅめっき膜１６とを有する。また、ＣｏＮｉＦｅめっき膜１６は、その組成が、１０≦Ｃｏ≦４０ｗｔ％、０＜Ｎｉ≦２ｗｔ％、６０≦Ｆｅ≦９０ｗｔ％の範囲であるＣｏＮｉＦｅを含有することが良い。上記組成範囲にすることにより、高記録密度に対応できる磁界を発生することができる。

図５には、図１（ｄ）に示した上部磁気コア２４及び下部磁気コア２２の一部において、上述したＣｏＮｉＦｅ下地膜１４及びＣｏＮｉＦｅめっき膜１６を使用した記録再生分離型の薄膜磁気ヘッドの断面図が示される。

図５に示された薄膜磁気ヘッドを作製するには、まず、非磁性基板２６上に下部磁気シールド膜２８、下部磁気ギャップ膜（図示せず）を形成し、この上に再生用素子３０としてＭＲまたはＧＭＲセンサを形成する。次に、磁区制御層３２、電極膜３４を形成し、再生ヘッドとする。その後、上部磁気ギャップ膜、上部磁気シールド膜（図示せず）を形成する。

次に、上述した上部磁気ギャップ膜の上に記録ヘッドの下部磁気コアを形成する。下部磁気コアは、４６ＮｉＦｅ膜１２をめっき法で形成し、さらにＣｏＮｉＦｅ下地膜１４をスパッタリングで１００ｎｍ形成後、ｐＨ＜２．０のめっき浴で、ＣｏＮｉＦｅめっき膜１６を所定の厚さまでめっきして形成する。ここで、電流を印加するためのコイル３６を同一面内に形成し、面内の平坦性を上げるために、絶縁膜をＣｏＮｉＦｅめっき膜１６のめっき膜厚さより厚く製膜し、ケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）工程を行う。

次に、磁気ギャップ膜１８を形成する。その後、上部磁気コアを形成するためのレジストフレームを作製し、ＣｏＮｉＦｅめっき膜１６、４６ＮｉＦｅ膜１２を順次めっき法にて成膜する。レジストフレームを除去し、さらに上部、下部磁気コアを所定のトラック幅に加工するため、トリミング工程を行う。その後、記録電流を印加するためのコイル３６及び有機絶縁層３８を形成し、４６ＮｉＦｅ膜１２をフレームめっきする。

以上のようにして作製された薄膜磁気ヘッドは、良好な記録特性を示し、例えば保磁力４０００Ｏｅ（３１８３００Ａ／ｍ）以上の高保磁力媒体にも十分記録可能であることを、本発明者等は確認した。

図６には、上記薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の構成が示される。図６において、情報を記録する磁気ディスク４０と、磁気ディスク４０を回転させるモーター４２と、磁気ディスク４０に情報を書き込みまたは磁気ディスク４０から情報を読み出す磁気ヘッド４４と、磁気ディスク４０を目標位置に位置決めするアクチュエータ４６、及びボイスコイルモータ４８とを備える。また、磁気ヘッド４４が取り付けられ、磁気ディスク４０とのサブミクロンスペースを安定に維持するためのばね５０と、ばね５０が固定され、前記アクチュエータ４６およびボイスコイルモータ４８により駆動されるガイドアーム５２を備えている。さらに、図示していないが、磁気ディスク回転制御系、ヘッド位置決め制御系、記録／再生信号処理系も備えられている。

図７には、主磁極にＣｏＮｉＦｅめっき膜１６を使用した垂直磁気記録型の薄膜磁気ヘッドの断面図が示される。図７において、下部磁気シールド膜２８の上部に、再生用素子３０としてのＧＭＲセンサ及び電極膜３４が形成されている。また、その上部には、上部磁気シールド膜５４及びリターンポール５６が形成され、さらにその上部に、絶縁膜５８を介して主磁極としてのＣｏＮｉＦｅめっき膜１６が形成されている。また、ＣｏＮｉＦｅめっき膜１６の上には、ヨーク部６０が形成され、絶縁膜５８の一部には、コイル３６及びバックギャップ６２が形成されている。

図７に示された垂直磁気記録型の薄膜磁気ヘッドでは、主磁極としてのＣｏＮｉＦｅめっき膜１６を形成したあとにヨーク部６０を作製してもよく、先にヨーク部６０を作製し、ＣＭＰにより平坦化後にＣｏＮｉＦｅめっき膜１６を形成してもよい。このようにして作製した薄膜磁気ヘッドは、１５０Ｇｂ／ｉｎ^２（２３．３Ｇｂ／ｃｍ^２）の記録密度を達成できることを確認した。

次に、本発明の実施例を以下に説明する。なお、以下の実施例は本発明の一例であり、本発明は本実施例に限定されるものではない。

・電気メッキに使用する最大電流密度と磁性膜の飽和磁束密度との関係の測定
上述した表１の条件で、最大電流密度だけを変化させて電気めっきを行い、形成した磁性膜（ＣｏＮｉＦｅめっき膜）の飽和磁束密度を測定した。その結果を図８に示す。

なお、飽和磁束密度は、印加磁界１Ｋｏｅ（７９ＫＡ／ｍ）での磁化量を測定し、単位体積あたりの磁化量に換算してある。

図８に示されるように、最大電流密度が１００ｍＡ／ｃｍ^２より大きい範囲で磁性膜の飽和磁束密度が２．４Ｔを超えることがわかる。従って、本発明にかかる磁性膜を電気めっきで形成する場合には、最大電流密度を１００ｍＡ／ｃｍ^２より大きい値に設定するのが好適である。

・磁性膜を構成する結晶の面間隔変化量の測定
磁性膜の形成：
以下、３種類の最大電流密度で本発明にかかる磁性膜を形成した。
条件１：１１５ｍＡ／ｃｍ^２
条件２：１３０ｍＡ／ｃｍ^２
条件３：１５０ｍＡ／ｃｍ^２

また、比較例として以下の最大電流密度で磁性膜を形成した。
条件４：９ｍＡ／ｃｍ^２

測定方法：
上記４種類の磁性膜の各々について、広角Ｘ線回折２θ／θスキャンにおいて、十分な強度で検出されるｂｃｃ（２２０）ピークを用い、θ軸に０ｄｅｇ、１０ｄｅｇ、２０ｄｅｇ、３０ｄｅｇ、４０ｄｅｇのオフセット（ψ）を与えた状態で、２θ／θスキャンを行い、試料面に平行な結晶面（ψ＝０ｄｅｇ）から１０度間隔で４０度傾いた結晶面（ψ＝４０ｄｅｇ）までの面間隔ｄの測定を行う。

ピークの回折角度と面間隔ｄを求めた後、ｄ vs sin（ψ）^２のプロットを行う。その結果を図９に示す。この結果をａ＋ｂｘで直線に近似し、試料表面に垂直な面（ψ＝９０ｄｅｇ）の面間隔を外挿する。なお、
試料表面に垂直な面では、ｓｉｎ（ψ）^２＝1
試料表面に平行な面では、ｓｉｎ（ψ）^２＝0
である。

以上の結果から、面間隔変化量（歪量）を以下の式により算出する。

図９に示された結果に基づき、上記式から面間隔変化量を求めると、本発明にかかる磁性膜では、いずれも０．４％以上であった。

・薄膜磁気ヘッドのオーバーライトの測定
実施例２で形成した４種類の磁性膜を上部磁気コア及び下部磁気コアに使用して作製した薄膜磁気ヘッドのオーバーライトを測定して比較した。この結果を図１０に示す。

図１０では、縦軸がオーバーライト（ｄＢ）であり、横軸がハードディスクに記録した際の磁気的な記録幅（ＰＴｗｗ＿ＭＤ（μｍ））である。図１０に示されるように、本発明にかかる磁性膜を使用した薄膜磁気ヘッドでは、従来の磁性膜を使用した薄膜磁気ヘッドに比べ、２−５ｄＢオーバーライトが向上するのがわかる。

・磁性膜のＩ（２２０）／ΣＩの測定
図１１には、実施例２で形成した４種類の磁性膜の広角Ｘ線回折２θ／θスキャン結果が示される。この結果より、（２２０）ピークの積分強度をＩ（２２０）、積分強度の総和をΣＩとしたときの積分強度比Ｉ（２２０）／ΣＩを求めた結果を表３に示す。

表３に示されるように、本発明による磁性膜は、Ｉ（２２０）／ΣＩ≦７であることがわかる。

本発明にかかる磁性膜を使用した薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図である。本発明にかかる磁性膜のＢ−Ｈループを示す図である。本発明により得られる磁性膜のＣｏ、Ｎｉ及びＦｅの組成範囲を表す３元系図である。サッカリンナトリウムの添加量とＣｏＮｉＦｅ膜の膜応力の関係を示す図である。本発明にかかる磁性膜を使用した薄膜磁気ヘッドの断面図である。本発明にかかる薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の構成図である。本発明にかかる磁性膜を使用した垂直磁気記録型の薄膜磁気ヘッドの断面図である。電気メッキに使用する最大電流密度と磁性膜の飽和磁束密度との関係を示す図である。本発明にかかる磁性膜の面間隔変化量を測定するための、Ｘ線回折のピーク回折角度と面間隔とのプロット結果を示す図である。薄膜磁気ヘッドのオーバーライトの測定結果を示す図である。本発明にかかる磁性膜の広角Ｘ線回折２θ／θスキャン結果を示す図である。

符号の説明

１０基板、１２４６ＮｉＦｅ膜、１４ＣｏＮｉＦｅ下地膜、１６ＣｏＮｉＦｅめっき膜、１８磁気ギャップ膜、２０レジストフレーム、２２下部磁気コア、２４上部磁気コア、２６非磁性基板、２８下部磁気シールド膜、３０再生用素子、３２磁区制御層、３４電極膜、３６コイル、３８有機絶縁層、４０磁気ディスク、４２モーター、４４磁気ヘッド、４６アクチュエータ、４８ボイスコイルモータ、５０ばね、５２ガイドアーム、５４上部磁気シールド膜、５６リターンポール、５８絶縁膜、６０ヨーク部、６２バックギャップ。

Claims

Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅを含有する磁性膜であって、
前記磁性膜はめっきにより形成され、その組成は１０≦Ｃｏ≦４０ｗｔ％、０＜Ｎｉ≦２ｗｔ％、６０≦Ｆｅ≦９０ｗｔ％であり、膜面に平行な結晶面に対する膜面に垂直な結晶面の面間隔変化量が０．４％以上であり、飽和磁束密度が２．４テスラより大きいことを特徴とする磁性膜。
請求項１記載の磁性膜は、体心立方晶単相の膜であり、Ｘ線回折における各回折ピークのピーク強度の和をΣＩ、（２２０）面のピーク強度をＩ（２２０）としたとき、Ｉ（２２０）／ΣＩ≦７であることを特徴とする磁性膜。
請求項１記載の磁性膜は、結晶粒径が３０ｎｍ未満であることを特徴とする磁性膜。
Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅを含有する磁性膜の製造方法であって、
めっき浴のｐＨが２．０以下かつ最大電流密度が１００ｍＡ／ｃｍ^２より大きい範囲で電気めっきを行い、
組成を１０≦Ｃｏ≦４０ｗｔ％、０＜Ｎｉ≦２ｗｔ％、６０≦Ｆｅ≦９０ｗｔ％とし、飽和磁束密度を２．４テスラより大きくすることを特徴とする磁性膜の製造方法。
請求項１から請求項３のいずれか一項記載の磁性膜を、磁気ギャップ近傍に有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
請求項５記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁性膜の膜厚が０．５μｍ未満であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
請求項５記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気ギャップ膜が非磁性金属により構成され、前記磁気ギャップ膜は、前記磁性膜のめっき下地膜を兼ねていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
請求項５記載の薄膜磁気ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気ディスク装置。