JP2002352403A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高保磁力化した記録媒体に対して十分な記録
能力を有する薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 電気めっき法において、めっき電位を成
膜中に変調することにより、結晶粒径が膜厚方向に変調
され、かつ保磁力の低減されためっき磁性薄膜を得るこ
とができ、従来軟磁気特性が得られなかった高飽和磁束
密度を示す組成領域においても、良好な軟磁気特性を有
する磁性膜を作製できる。
能力を有する薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 電気めっき法において、めっき電位を成
膜中に変調することにより、結晶粒径が膜厚方向に変調
され、かつ保磁力の低減されためっき磁性薄膜を得るこ
とができ、従来軟磁気特性が得られなかった高飽和磁束
密度を示す組成領域においても、良好な軟磁気特性を有
する磁性膜を作製できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの
製造方法、薄膜磁気ヘッド及び磁気記録装置に係り、特
に、高記録密度の記録を行うことができる記録・再生分
離型磁気ヘッドの記録部に用いられる誘導型薄膜磁気ヘ
ッドに関する。
製造方法、薄膜磁気ヘッド及び磁気記録装置に係り、特
に、高記録密度の記録を行うことができる記録・再生分
離型磁気ヘッドの記録部に用いられる誘導型薄膜磁気ヘ
ッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の高記録密度化に伴
い、高保磁力化した記録媒体に対して十分な記録能力を
有する薄膜磁気ヘッドが要求されている。そのため、こ
れらの磁気ヘッドは、磁気コア材料として飽和磁束密度
（Ｂｓ）の大きな材料を用いて構成することが必要であ
る。２．０Ｔ以上の高Ｂｓを有し、かつヘッドコア作製
プロセスで用いられる湿式成膜法で作製可能な合金とし
ては、Ｃｏ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅなどの合金が知ら
れている。たとえば、IEEE Trans. Magn., vol.23,p.29
81には、電気めっき法により成膜したＢｓ＝１．９Ｔを
有するＣｏ−Ｆｅ合金に関する記載がある。また、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｆｅによる三元系軟磁性薄膜が、例えば特開平
６−８９４２２号公報、特開平６−３４６２０２号公報
などに記載されて提案されている。特に、特許第２８２
１４５６号では、Ｃｏ：４０〜７０重量パーセント、Ｎ
ｉ：１０〜２０重量パーセント、Ｆｅ：２０〜４０重量
パーセントからなる三元系合金を、応力緩和剤を含まな
いめっき浴から成膜することにより、１．９Ｔ以上とい
う高いＢｓを有する軟磁性薄膜を作製している。さら
に、R. M. Bozorth著"Ferromagnetism"（D. Van Nostra
nd Co. Inc., N. Y., (1951), p. 441）には、スパッタ
リング法で作製したより高いＢｓを有するＦｅ−Ｃｏ合
金の物性に関して記載がある。
い、高保磁力化した記録媒体に対して十分な記録能力を
有する薄膜磁気ヘッドが要求されている。そのため、こ
れらの磁気ヘッドは、磁気コア材料として飽和磁束密度
（Ｂｓ）の大きな材料を用いて構成することが必要であ
る。２．０Ｔ以上の高Ｂｓを有し、かつヘッドコア作製
プロセスで用いられる湿式成膜法で作製可能な合金とし
ては、Ｃｏ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅなどの合金が知ら
れている。たとえば、IEEE Trans. Magn., vol.23,p.29
81には、電気めっき法により成膜したＢｓ＝１．９Ｔを
有するＣｏ−Ｆｅ合金に関する記載がある。また、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｆｅによる三元系軟磁性薄膜が、例えば特開平
６−８９４２２号公報、特開平６−３４６２０２号公報
などに記載されて提案されている。特に、特許第２８２
１４５６号では、Ｃｏ：４０〜７０重量パーセント、Ｎ
ｉ：１０〜２０重量パーセント、Ｆｅ：２０〜４０重量
パーセントからなる三元系合金を、応力緩和剤を含まな
いめっき浴から成膜することにより、１．９Ｔ以上とい
う高いＢｓを有する軟磁性薄膜を作製している。さら
に、R. M. Bozorth著"Ferromagnetism"（D. Van Nostra
nd Co. Inc., N. Y., (1951), p. 441）には、スパッタ
リング法で作製したより高いＢｓを有するＦｅ−Ｃｏ合
金の物性に関して記載がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】高記録密度を有する磁
気ディスク装置を実現するためには、高いＢｓを有する
磁気ヘッドコア材料を用い、また、記録電流による誘導
電流の変化に俊敏に追随するために、コア材料の保磁力
（Ｈｃ）は極力低いことが必要である。さらに、記録ト
ラック幅が狭小化するにつれ、レジストフレームのアス
ペクト比は大きくなる傾向にあることから、レジストフ
レーム内に均一に成膜する為にはめっきに代表される湿
式成膜法を用いて磁気ヘッドコアを作製する必要があ
る。
気ディスク装置を実現するためには、高いＢｓを有する
磁気ヘッドコア材料を用い、また、記録電流による誘導
電流の変化に俊敏に追随するために、コア材料の保磁力
（Ｈｃ）は極力低いことが必要である。さらに、記録ト
ラック幅が狭小化するにつれ、レジストフレームのアス
ペクト比は大きくなる傾向にあることから、レジストフ
レーム内に均一に成膜する為にはめっきに代表される湿
式成膜法を用いて磁気ヘッドコアを作製する必要があ
る。
【０００４】Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅを含む合金において高
いＢｓを有する組成領域は、結晶構造が体心立方（ｂｃ
ｃ）構造を有する領域である。しかしながら、一般にｂ
ｃｃ領域の合金は結晶磁気異方性が大きいこと、結晶粒
径が大きくなりやすいこと、結晶の対称性から結晶粒径
とＨｃが大きく関係すること、という理由から、磁気ヘ
ッドへの適用に十分な軟磁気特性が得られない。
いＢｓを有する組成領域は、結晶構造が体心立方（ｂｃ
ｃ）構造を有する領域である。しかしながら、一般にｂ
ｃｃ領域の合金は結晶磁気異方性が大きいこと、結晶粒
径が大きくなりやすいこと、結晶の対称性から結晶粒径
とＨｃが大きく関係すること、という理由から、磁気ヘ
ッドへの適用に十分な軟磁気特性が得られない。
【０００５】特開平２−６９９０６号公報には、ｂｃｃ
相のＣｏ−Ｆｅ軟磁性膜をスパッタ法により作製し、Ｈ
ｃ＝２Ｏｅと良好な軟磁気特性が得られたとの記載があ
るが、Ｂｓが１．９Ｔと低いため、高密度記録に対応す
るための記録ヘッド材料としては不充分である。また、
特開平７−３４８９号公報記載のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金
は、０．５Ｏｅ以下の低Ｈｃを有しているが、面心立方
（ｆｃｃ）構造を含む組成であるために高いＢｓを期待
できるものではない。
相のＣｏ−Ｆｅ軟磁性膜をスパッタ法により作製し、Ｈ
ｃ＝２Ｏｅと良好な軟磁気特性が得られたとの記載があ
るが、Ｂｓが１．９Ｔと低いため、高密度記録に対応す
るための記録ヘッド材料としては不充分である。また、
特開平７−３４８９号公報記載のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金
は、０．５Ｏｅ以下の低Ｈｃを有しているが、面心立方
（ｆｃｃ）構造を含む組成であるために高いＢｓを期待
できるものではない。
【０００６】以上の公知例からも明らかなように、記録
ヘッドコアの作製プロセスに適用可能な、高Ｂｓかつ低
Ｈｃを有する材料の選択は困難であった。本発明の目的
は、磁気ディスク装置の高記録密度化に伴い、高保磁力
化した記録媒体に対して十分な記録能力を有する薄膜磁
気ヘッド及びそれを用いた磁気ディスク装置を提供する
ことにある。
ヘッドコアの作製プロセスに適用可能な、高Ｂｓかつ低
Ｈｃを有する材料の選択は困難であった。本発明の目的
は、磁気ディスク装置の高記録密度化に伴い、高保磁力
化した記録媒体に対して十分な記録能力を有する薄膜磁
気ヘッド及びそれを用いた磁気ディスク装置を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】従来、高いＢｓを有し、
実質的に体心立方（ｂｃｃ）構造をとる組成範囲では、
軟磁気特性は不充分であるとの報告が多数ある。本発明
の主旨は、電気めっき法において、通常の５倍以上の高
い電流密度で、めっきの初期段階に高い電位を印加し、
成膜過程で電位を変調させて磁性膜の成膜を行う事によ
って、結晶粒径が膜厚方向に変調されためっき膜を得る
ことができ、その結果Ｈｃの低減が可能となる点にあ
る。本方法によれば、高Ｂｓを有し、なおかつ軟磁気特
性の良好な磁性薄膜を得ることができる。
実質的に体心立方（ｂｃｃ）構造をとる組成範囲では、
軟磁気特性は不充分であるとの報告が多数ある。本発明
の主旨は、電気めっき法において、通常の５倍以上の高
い電流密度で、めっきの初期段階に高い電位を印加し、
成膜過程で電位を変調させて磁性膜の成膜を行う事によ
って、結晶粒径が膜厚方向に変調されためっき膜を得る
ことができ、その結果Ｈｃの低減が可能となる点にあ
る。本方法によれば、高Ｂｓを有し、なおかつ軟磁気特
性の良好な磁性薄膜を得ることができる。
【０００８】高い電流密度でめっきを行うなどの方法
で、物質移動律速の条件下でめっき膜の成膜を行うこと
で、めっき膜の結晶粒が微細化することが一般的に知ら
れているが、一方で結晶粒界が多いため膜断面の耐食性
が劣化するという問題がある。また、結晶粒径の異なる
膜を積層して膜厚方向に結晶粒径の変調を行う場合で
も、めっき中に粒径の異なる層界面が複数生成されるた
め、特にＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜を積層して得られる
多層膜については、同様に膜断面の耐食性が劣化する。
で、物質移動律速の条件下でめっき膜の成膜を行うこと
で、めっき膜の結晶粒が微細化することが一般的に知ら
れているが、一方で結晶粒界が多いため膜断面の耐食性
が劣化するという問題がある。また、結晶粒径の異なる
膜を積層して膜厚方向に結晶粒径の変調を行う場合で
も、めっき中に粒径の異なる層界面が複数生成されるた
め、特にＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜を積層して得られる
多層膜については、同様に膜断面の耐食性が劣化する。
【０００９】そこで、膜厚方向に結晶粒径を変調させ、
めっき初期の微細な結晶粒により軟磁気特性を向上させ
ることで、結晶粒が粗大になりやすくＨｃの大きい、ｂ
ｃｃ相の組成領域のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜のＨｃを低減で
きることが期待され、高いＢｓを保ったまま、良好な軟
磁気特性及び良好な耐食性を有する磁性薄膜を得ること
ができる。
めっき初期の微細な結晶粒により軟磁気特性を向上させ
ることで、結晶粒が粗大になりやすくＨｃの大きい、ｂ
ｃｃ相の組成領域のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜のＨｃを低減で
きることが期待され、高いＢｓを保ったまま、良好な軟
磁気特性及び良好な耐食性を有する磁性薄膜を得ること
ができる。
【００１０】本発明による薄膜磁気ヘッドは、下部磁気
コアと、先端部で磁気ギャップを介して下部磁気コアに
対向し後端部で下部磁気コアと結合した上部磁気コア
と、下部磁気コア及び上部磁気コアによって形成される
磁気回路と磁気的に結合したコイルとを備える薄膜磁気
ヘッドにおいて、下部磁気コア及び／又は上部磁気コア
の少なくとも一部がＣｏ，Ｎｉ及びＦｅを含有し、結晶
粒子の粒径が膜厚方向に変調されているめっき磁性膜か
らなることを特徴とする。ここで、結晶粒径が膜厚方向
に変調された構造とは、めっき膜の基板側から表面方向
に向けて、連続的もしくは段階的に結晶粒径が変化して
いる構造をいう。結晶の形状が変化している構造につい
ても、結晶粒径の変調とみなすことができる。
コアと、先端部で磁気ギャップを介して下部磁気コアに
対向し後端部で下部磁気コアと結合した上部磁気コア
と、下部磁気コア及び上部磁気コアによって形成される
磁気回路と磁気的に結合したコイルとを備える薄膜磁気
ヘッドにおいて、下部磁気コア及び／又は上部磁気コア
の少なくとも一部がＣｏ，Ｎｉ及びＦｅを含有し、結晶
粒子の粒径が膜厚方向に変調されているめっき磁性膜か
らなることを特徴とする。ここで、結晶粒径が膜厚方向
に変調された構造とは、めっき膜の基板側から表面方向
に向けて、連続的もしくは段階的に結晶粒径が変化して
いる構造をいう。結晶の形状が変化している構造につい
ても、結晶粒径の変調とみなすことができる。
【００１１】めっき磁性膜はＦｅ：２５重量パーセント
以上、Ｃｏ：８０重量パーセント以下、Ｎｉ：２０重量
パーセント以下からなり、磁性膜の結晶構造は実質的に
体心立方構造である。図１に示したＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁
性膜の組成とＢｓの関係から分かるように、この組成領
域の磁性膜は２．０Ｔより大きい飽和磁束密度を有す
る。
以上、Ｃｏ：８０重量パーセント以下、Ｎｉ：２０重量
パーセント以下からなり、磁性膜の結晶構造は実質的に
体心立方構造である。図１に示したＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁
性膜の組成とＢｓの関係から分かるように、この組成領
域の磁性膜は２．０Ｔより大きい飽和磁束密度を有す
る。
【００１２】めっき磁性膜は、Ｃｏ，Ｎｉ及びＦｅを含
有するスパッタ膜からなるめっき下地膜上に形成するこ
とができる。このような下地膜上にめっき磁性膜を形成
することで磁気コアの磁気特性を向上させることができ
る。めっき磁性膜中の硫黄含有量は０．１重量パーセン
ト以下であるのが好ましい。硫黄含有量が０．１重量パ
ーセントを越えるとＢｓが低下する。
有するスパッタ膜からなるめっき下地膜上に形成するこ
とができる。このような下地膜上にめっき磁性膜を形成
することで磁気コアの磁気特性を向上させることができ
る。めっき磁性膜中の硫黄含有量は０．１重量パーセン
ト以下であるのが好ましい。硫黄含有量が０．１重量パ
ーセントを越えるとＢｓが低下する。
【００１３】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、基板上に下部磁気コアを形成する工程と、コイルを
形成する工程と、先端部で磁気ギャップ膜を介して下部
磁気コアと対向し、後端部で下部磁気コアと結合し、下
部磁気コアとともにコイルと磁気的に結合する上部磁気
コアを形成する工程とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、下部磁気コアを形成する工程及び／又は上部
磁気コアを形成する工程では、Ｃｏ，Ｎｉ及びＦｅを含
有するめっき磁性膜を、その結晶粒径を膜厚方向に変調
させて形成することを特徴とする。
は、基板上に下部磁気コアを形成する工程と、コイルを
形成する工程と、先端部で磁気ギャップ膜を介して下部
磁気コアと対向し、後端部で下部磁気コアと結合し、下
部磁気コアとともにコイルと磁気的に結合する上部磁気
コアを形成する工程とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、下部磁気コアを形成する工程及び／又は上部
磁気コアを形成する工程では、Ｃｏ，Ｎｉ及びＦｅを含
有するめっき磁性膜を、その結晶粒径を膜厚方向に変調
させて形成することを特徴とする。
【００１４】めっき磁性膜は、電流値もしくは電位が連
続的、段階的さらに周期的に変調する電気めっきにより
成膜することができる。めっき電流を直流電流とする場
合には、めっき電流密度を５０〜１０００Ａ／ｍ2と
し、通常の磁性膜めっき条件よりも５倍以上高いめっき
電流条件で成膜する。特にめっき初期過程においてめっ
き電位を高くし、その後電位を小さくするように変調さ
せることにより、膜厚方向に結晶粒径を変調させた構造
を得ることができる。ただし、これはその手段の一例で
あり、その他の手法により結晶粒径を変調させても本発
明の主旨に反するものではない。
続的、段階的さらに周期的に変調する電気めっきにより
成膜することができる。めっき電流を直流電流とする場
合には、めっき電流密度を５０〜１０００Ａ／ｍ2と
し、通常の磁性膜めっき条件よりも５倍以上高いめっき
電流条件で成膜する。特にめっき初期過程においてめっ
き電位を高くし、その後電位を小さくするように変調さ
せることにより、膜厚方向に結晶粒径を変調させた構造
を得ることができる。ただし、これはその手段の一例で
あり、その他の手法により結晶粒径を変調させても本発
明の主旨に反するものではない。
【００１５】電気めっきのめっき浴には、応力緩和剤と
してサッカリンナトリウムを含有させることができる。
サッカリンナトリウムは高いＢｓを保ったままめっき膜
の応力を緩和する効果があり、高い物理的安定性が得ら
れる。本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子を
再生素子に用い、記録用素子に誘導型磁気ヘッドを用い
た、記録再生分離型薄膜磁気ヘッドの記録用誘導型磁気
ヘッドとして用いると最適である。
してサッカリンナトリウムを含有させることができる。
サッカリンナトリウムは高いＢｓを保ったままめっき膜
の応力を緩和する効果があり、高い物理的安定性が得ら
れる。本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子を
再生素子に用い、記録用素子に誘導型磁気ヘッドを用い
た、記録再生分離型薄膜磁気ヘッドの記録用誘導型磁気
ヘッドとして用いると最適である。
【００１６】本発明によると、めっき成膜過程で電位を
変調させた電気めっきにより磁性膜を成膜し、磁性膜の
結晶粒径を膜厚方向に変調することによって、ｂｃｃ組
成領域のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜のＨｃを低減するこ
とができる。また、このめっき磁性膜を用いて磁気ヘッ
ドを作製することで、高記録密度を有する磁気ディスク
装置を得ることができる。
変調させた電気めっきにより磁性膜を成膜し、磁性膜の
結晶粒径を膜厚方向に変調することによって、ｂｃｃ組
成領域のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜のＨｃを低減するこ
とができる。また、このめっき磁性膜を用いて磁気ヘッ
ドを作製することで、高記録密度を有する磁気ディスク
装置を得ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。 〔実施例１〕表１に、本発明で使用した電気めっき浴組
成の一例を示す。電気めっき浴は、Ｃｏ、Ｎｉ、及びＦ
ｅそれぞれのイオン源としてのＣｏＳＯ4・７Ｈ2Ｏ、Ｎ
ｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ、ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ、及びＦｅＳＯ
4・５Ｈ2Ｏと、電解質としての塩化ナトリウム、ｐＨ緩
衝剤としてのほう酸、及び応力緩和剤としてのサッカリ
ンナトリウムを含む。電解質はめっき浴の導電性を高め
るものであり、ｐＨ緩衝剤はめっき工程での浴自身のｐ
Ｈ変動を抑えるものである。これらは同様の作用を持つ
他の物質、たとえば電解質には硫酸アンモニウムなどを
用いてもよい。また、めっきで一般に用いられるラウリ
ル硫酸ナトリウムなどの光沢剤を適宜含んでもよい。
施の形態を説明する。 〔実施例１〕表１に、本発明で使用した電気めっき浴組
成の一例を示す。電気めっき浴は、Ｃｏ、Ｎｉ、及びＦ
ｅそれぞれのイオン源としてのＣｏＳＯ4・７Ｈ2Ｏ、Ｎ
ｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ、ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ、及びＦｅＳＯ
4・５Ｈ2Ｏと、電解質としての塩化ナトリウム、ｐＨ緩
衝剤としてのほう酸、及び応力緩和剤としてのサッカリ
ンナトリウムを含む。電解質はめっき浴の導電性を高め
るものであり、ｐＨ緩衝剤はめっき工程での浴自身のｐ
Ｈ変動を抑えるものである。これらは同様の作用を持つ
他の物質、たとえば電解質には硫酸アンモニウムなどを
用いてもよい。また、めっきで一般に用いられるラウリ
ル硫酸ナトリウムなどの光沢剤を適宜含んでもよい。
【００１８】
【表１】
【００１９】本実施例では、ほう酸及び塩化ナトリウム
の濃度を一定とし、めっき膜組成に直接関与するＣｏイ
オン量を３．５ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌ、Ｎｉイオン量を
８．０ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌ、Ｆｅイオン量を０．３ｇ／
Ｌ〜３．０ｇ／Ｌの範囲で変えて検討した。めっき電流
には直流電流を用い、電流密度は５０〜１０００Ａ／ｍ
2の範囲で変え、特にめっき初期に高い電位を印加して
検討した。電流波形は直流だけでなく、電流のオンとオ
フ、もしくはめっき電流の変調を行わせるようなパルス
波形を用いてもよい。またｐＨを２．８〜３．８の範囲
で変えて検討した。
の濃度を一定とし、めっき膜組成に直接関与するＣｏイ
オン量を３．５ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌ、Ｎｉイオン量を
８．０ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌ、Ｆｅイオン量を０．３ｇ／
Ｌ〜３．０ｇ／Ｌの範囲で変えて検討した。めっき電流
には直流電流を用い、電流密度は５０〜１０００Ａ／ｍ
2の範囲で変え、特にめっき初期に高い電位を印加して
検討した。電流波形は直流だけでなく、電流のオンとオ
フ、もしくはめっき電流の変調を行わせるようなパルス
波形を用いてもよい。またｐＨを２．８〜３．８の範囲
で変えて検討した。
【００２０】めっき基板には、下地膜としてＣｏ−Ｎｉ
−Ｆｅ（１００ｎｍ）／ＮｉＣｒ（５ｎｍ）膜を形成し
たガラス基板を用いた。めっき基板の作製は、ガラス基
板上にＮｉＣｒをターゲットとしてスパッタ法でＮｉＣ
ｒ膜を５ｎｍ形成し、その上にＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅをター
ゲットとしてスパッタ法でＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜を１００
ｎｍ形成することで行った。基板はめっき膜応力に充分
耐えうる物質であればガラス基板に限らず、任意の材料
を用いてもよい。また、ＮｉＣｒ層はめっき下地膜の密
着力を向上させる目的で形成しており、同様な材料で代
用可能である。なお、めっき膜成膜時に、異方性付与の
ため基板面内方向に約２４ｋＡ／ｍ（３００Ｏｅ）の外
部磁界を印加した。
−Ｆｅ（１００ｎｍ）／ＮｉＣｒ（５ｎｍ）膜を形成し
たガラス基板を用いた。めっき基板の作製は、ガラス基
板上にＮｉＣｒをターゲットとしてスパッタ法でＮｉＣ
ｒ膜を５ｎｍ形成し、その上にＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅをター
ゲットとしてスパッタ法でＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜を１００
ｎｍ形成することで行った。基板はめっき膜応力に充分
耐えうる物質であればガラス基板に限らず、任意の材料
を用いてもよい。また、ＮｉＣｒ層はめっき下地膜の密
着力を向上させる目的で形成しており、同様な材料で代
用可能である。なお、めっき膜成膜時に、異方性付与の
ため基板面内方向に約２４ｋＡ／ｍ（３００Ｏｅ）の外
部磁界を印加した。
【００２１】以下、これらの膜の作製条件について詳細
に説明する。表１に示すめっき浴を用い、電流密度を変
化させてＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜の成膜を行った。Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜の膜厚は１．０μｍとした。図
２は、電流密度によるめっき膜組成の変化挙動について
示しており、以下これについて説明する。電流密度５０
〜５００Ａ／ｍ2の範囲では、電流密度の増加によりＣ
ｏは５重量パーセント減少、Ｎｉは６重量パーセント増
加した。Ｆｅは３００Ａ／ｍ2にピークをもち、７重量
パーセントの変化幅であった。したがって、単一浴から
電流密度を変化させても組成変動はほとんど起こらな
い。
に説明する。表１に示すめっき浴を用い、電流密度を変
化させてＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜の成膜を行った。Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜の膜厚は１．０μｍとした。図
２は、電流密度によるめっき膜組成の変化挙動について
示しており、以下これについて説明する。電流密度５０
〜５００Ａ／ｍ2の範囲では、電流密度の増加によりＣ
ｏは５重量パーセント減少、Ｎｉは６重量パーセント増
加した。Ｆｅは３００Ａ／ｍ2にピークをもち、７重量
パーセントの変化幅であった。したがって、単一浴から
電流密度を変化させても組成変動はほとんど起こらな
い。
【００２２】電流密度を変化させて成膜しためっき膜の
うち、概ねＣｏ：５８〜６０重量パーセント、Ｎｉ：８
〜１０重量パーセント、Ｆｅ：３０〜３２重量パーセン
トの組成範囲のめっき膜について、透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）を用いて膜表面近傍及び断面方向の結晶粒径
観察を行い、電流密度による結晶粒径変化を確認した。
ここで結晶粒径は、ＴＥＭ像の撮影範囲に含まれる結晶
粒径を測定し、その平均値を算出したものを表すことと
する。
うち、概ねＣｏ：５８〜６０重量パーセント、Ｎｉ：８
〜１０重量パーセント、Ｆｅ：３０〜３２重量パーセン
トの組成範囲のめっき膜について、透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）を用いて膜表面近傍及び断面方向の結晶粒径
観察を行い、電流密度による結晶粒径変化を確認した。
ここで結晶粒径は、ＴＥＭ像の撮影範囲に含まれる結晶
粒径を測定し、その平均値を算出したものを表すことと
する。
【００２３】図３は異なる電流密度で作製しためっき膜
の表面近傍のＴＥＭ像を示し、図４は電流密度４５０Ａ
／ｍ2でめっきした時のめっき膜／基板界面付近の断面
ＴＥＭ像を示す。これらのめっき膜の磁化困難軸保磁力
（Ｈｃｈ）と膜表面近傍の結晶粒径との関係を図５に示
し、以下、これについて説明する。図３、図５から分か
るように、電流密度が５０Ａ／ｍ2から４５０Ａ／ｍ2へ
と増加するに伴って結晶粒径は１２０ｎｍから８０ｎｍ
と減少している。一方、基板とめっき膜の界面の結晶粒
径はいずれの電流密度で作製しためっき膜においても２
０ｎｍ程度と非常に微細である。また、図４から分かる
ように、めっき膜の成長に伴って結晶粒が大きくなって
おり、結晶粒径は膜厚方向に変調されている。
の表面近傍のＴＥＭ像を示し、図４は電流密度４５０Ａ
／ｍ2でめっきした時のめっき膜／基板界面付近の断面
ＴＥＭ像を示す。これらのめっき膜の磁化困難軸保磁力
（Ｈｃｈ）と膜表面近傍の結晶粒径との関係を図５に示
し、以下、これについて説明する。図３、図５から分か
るように、電流密度が５０Ａ／ｍ2から４５０Ａ／ｍ2へ
と増加するに伴って結晶粒径は１２０ｎｍから８０ｎｍ
と減少している。一方、基板とめっき膜の界面の結晶粒
径はいずれの電流密度で作製しためっき膜においても２
０ｎｍ程度と非常に微細である。また、図４から分かる
ように、めっき膜の成長に伴って結晶粒が大きくなって
おり、結晶粒径は膜厚方向に変調されている。
【００２４】また表面近傍の結晶粒径の減少に伴ってＨ
ｃｈも３０Ｏｅから１５Ｏｅへと減少している。電位を
成膜中に変化させずに作製しためっき膜のＨｃｈを、本
発明のめっき膜と比較する。電流密度の増加によってＨ
ｃｈが減少する傾向は電位を変調させた場合と同様であ
るが、その変化幅は小さく、電流密度５０Ａ／ｍ2から
４５０Ａ／ｍ2まで変化させても５Ｏｅ程度しか変化し
ていない。したがって、本発明のめっき膜製造方法によ
り、表面近傍の結晶粒径が適切な程度に微細化され、Ｈ
ｃｈが低減していることは明らかである。Ｂｓについて
は、本実施例で示したいずれのめっき膜においても２．
０Ｔであることを振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により確
認している。また、これらのめっき膜について耐食性試
験を行い、従来知られている磁極材料と比較したとこ
ろ、４６パーマロイ（Ｎｉ46Ｆｅ54）とほぼ同等の耐食
性を有していることを確認している。
ｃｈも３０Ｏｅから１５Ｏｅへと減少している。電位を
成膜中に変化させずに作製しためっき膜のＨｃｈを、本
発明のめっき膜と比較する。電流密度の増加によってＨ
ｃｈが減少する傾向は電位を変調させた場合と同様であ
るが、その変化幅は小さく、電流密度５０Ａ／ｍ2から
４５０Ａ／ｍ2まで変化させても５Ｏｅ程度しか変化し
ていない。したがって、本発明のめっき膜製造方法によ
り、表面近傍の結晶粒径が適切な程度に微細化され、Ｈ
ｃｈが低減していることは明らかである。Ｂｓについて
は、本実施例で示したいずれのめっき膜においても２．
０Ｔであることを振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により確
認している。また、これらのめっき膜について耐食性試
験を行い、従来知られている磁極材料と比較したとこ
ろ、４６パーマロイ（Ｎｉ46Ｆｅ54）とほぼ同等の耐食
性を有していることを確認している。
【００２５】さらに、これらのめっき膜についてＸ線回
折分析（ＸＲＤ）を行ったところ、電流密度の大小にか
かわらず、本条件で作製したいずれのめっき膜も体心立
方格子（ｂｃｃ）相の（１１０）面のピークが非常に強
く、結晶構造は実質的にｂｃｃである。ｂｃｃ構造を有
する磁性膜は結晶磁気異方性エネルギーが大きいため、
軟磁気特性に与える異方性の寄与は結晶粒径が大きくな
ると顕著になる。したがってめっき時に高電流密度を印
加することによりめっき初期膜の結晶粒径が微細化し、
さらに膜厚方向に変調された結果、Ｈｃの低減が可能と
なったものと考えられる。
折分析（ＸＲＤ）を行ったところ、電流密度の大小にか
かわらず、本条件で作製したいずれのめっき膜も体心立
方格子（ｂｃｃ）相の（１１０）面のピークが非常に強
く、結晶構造は実質的にｂｃｃである。ｂｃｃ構造を有
する磁性膜は結晶磁気異方性エネルギーが大きいため、
軟磁気特性に与える異方性の寄与は結晶粒径が大きくな
ると顕著になる。したがってめっき時に高電流密度を印
加することによりめっき初期膜の結晶粒径が微細化し、
さらに膜厚方向に変調された結果、Ｈｃの低減が可能と
なったものと考えられる。
【００２６】以上の検討から、高い電流密度を印加して
めっきを行うことによりめっき膜の結晶粒径の制御が可
能となり、その結果、従来軟磁気特性を得ることが難し
い合金組成領域においても良好な軟磁気特性を得ること
が可能となった。これは以下のような理由によるものと
考えられる。
めっきを行うことによりめっき膜の結晶粒径の制御が可
能となり、その結果、従来軟磁気特性を得ることが難し
い合金組成領域においても良好な軟磁気特性を得ること
が可能となった。これは以下のような理由によるものと
考えられる。
【００２７】薄膜の成膜過程においては結晶核生成過程
と結晶成長過程が存在するが、結晶粒径を微細化するた
めには核生成過程を支配的にする必要がある。電気めっ
き法においては、成膜時の過電圧が大きく影響してお
り、過電圧が大きいほど結晶核生成は支配的になりやす
い。
と結晶成長過程が存在するが、結晶粒径を微細化するた
めには核生成過程を支配的にする必要がある。電気めっ
き法においては、成膜時の過電圧が大きく影響してお
り、過電圧が大きいほど結晶核生成は支配的になりやす
い。
【００２８】過電圧を制御する手法としては、本発明に
記載したように高い電流密度を印加し、めっき初期の電
位を高くする方法の他に、めっき液濃度や電流波形も大
きく影響する。たとえば電解質濃度を薄くすることによ
ってめっき浴の抵抗が増加することから、めっき電流値
を一定にした場合にめっき浴濃度によって成膜時の電位
が高い電位側に変化し、結晶核生成の割合を高めること
ができる。したがって結晶粒径を更に微細化することが
期待できる。また電流波形にパルス電流を用いた場合
は、核生成と核成長の比率を変化させることができ、結
晶粒径の微細化だけでなく、図６の右上の模式図に示す
ように成膜途中に結晶粒径を変調させる手段としても有
効である。
記載したように高い電流密度を印加し、めっき初期の電
位を高くする方法の他に、めっき液濃度や電流波形も大
きく影響する。たとえば電解質濃度を薄くすることによ
ってめっき浴の抵抗が増加することから、めっき電流値
を一定にした場合にめっき浴濃度によって成膜時の電位
が高い電位側に変化し、結晶核生成の割合を高めること
ができる。したがって結晶粒径を更に微細化することが
期待できる。また電流波形にパルス電流を用いた場合
は、核生成と核成長の比率を変化させることができ、結
晶粒径の微細化だけでなく、図６の右上の模式図に示す
ように成膜途中に結晶粒径を変調させる手段としても有
効である。
【００２９】膜厚方向に結晶粒径が変調された構造の例
を図６に示す。本実施例のように結晶粒径が連続的に大
きくなるもの、段階的に大きくなるもの、また結晶粒が
膜厚方向に延びた形状としても、本発明と同様の効果が
得られる。
を図６に示す。本実施例のように結晶粒径が連続的に大
きくなるもの、段階的に大きくなるもの、また結晶粒が
膜厚方向に延びた形状としても、本発明と同様の効果が
得られる。
【００３０】〔実施例２〕図７は、本発明の実施例１に
より製造された磁気ヘッドの構成を示す斜視図及び断面
図である（但し、図の拡大倍率は均一では無い）。図７
に示す磁気ヘッドは記録・再生分離型薄膜磁気ヘッドで
ある。
より製造された磁気ヘッドの構成を示す斜視図及び断面
図である（但し、図の拡大倍率は均一では無い）。図７
に示す磁気ヘッドは記録・再生分離型薄膜磁気ヘッドで
ある。
【００３１】薄膜磁気ヘッドの作製工程について以下図
面を用いて説明する。基板上に下部シールド７を形成
し、その上に磁気抵抗効果素子３および電極４を成膜
し、再生用ヘッドを形成する。このヘッドに重ねられて
配置される上部シールドを兼ねる下部磁気コア８を作製
した後に磁気ギャップを形成し、上部コア先端部５、コ
イル１をそれぞれ形成した後に、下部磁気コア８と接続
される上部磁気コア後端部６を形成することにより記録
ヘッドを作製する。
面を用いて説明する。基板上に下部シールド７を形成
し、その上に磁気抵抗効果素子３および電極４を成膜
し、再生用ヘッドを形成する。このヘッドに重ねられて
配置される上部シールドを兼ねる下部磁気コア８を作製
した後に磁気ギャップを形成し、上部コア先端部５、コ
イル１をそれぞれ形成した後に、下部磁気コア８と接続
される上部磁気コア後端部６を形成することにより記録
ヘッドを作製する。
【００３２】この工程のうち、記録用ヘッドを構成する
上部磁気コア先端部５と上部コア後端部６とは、前述し
た本発明の実施例１のめっき浴を用いて、フレームめっ
き法により形成され、形成後、記録トラック幅方向への
印加磁界を１６０ｋＡ／ｍ（２ｋＯｅ）として、処理温
度を２３０℃とした条件で、１時間の熱処理を施した。
なお、形成した上部磁気コアは磁気ヘッドの製造プロセ
スにおいて腐食が見られず、良好な耐食性を有してい
た。
上部磁気コア先端部５と上部コア後端部６とは、前述し
た本発明の実施例１のめっき浴を用いて、フレームめっ
き法により形成され、形成後、記録トラック幅方向への
印加磁界を１６０ｋＡ／ｍ（２ｋＯｅ）として、処理温
度を２３０℃とした条件で、１時間の熱処理を施した。
なお、形成した上部磁気コアは磁気ヘッドの製造プロセ
スにおいて腐食が見られず、良好な耐食性を有してい
た。
【００３３】このようにして製造された磁気ヘッドを磁
気ディスク装置に組み込んで記録性能を評価した結果、
良好なオーバーライト特性を得た。なお、磁気ディスク
装置の詳細構造についての説明は省略するが、従来と同
様の構造を有する磁気ディスク装置の記録・再生分離型
磁気ヘッドの記録用の薄膜磁気ヘッドとして、本実施例
により製造した薄膜磁気ヘッドを組み込んで磁気ディス
ク装置を構成した。
気ディスク装置に組み込んで記録性能を評価した結果、
良好なオーバーライト特性を得た。なお、磁気ディスク
装置の詳細構造についての説明は省略するが、従来と同
様の構造を有する磁気ディスク装置の記録・再生分離型
磁気ヘッドの記録用の薄膜磁気ヘッドとして、本実施例
により製造した薄膜磁気ヘッドを組み込んで磁気ディス
ク装置を構成した。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、従来法で作製した
２．０Ｔ以上という高いＢｓを有するＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
軟磁性材料膜は、Ｈｃが大きいため良好な軟磁気特性を
得ることが困難であったが、本発明によれば２．０Ｔ以
上のＢｓを保ったままＨｃを１５Ｏｅまで低減すること
が可能となった。本手法はさらに高いＢｓを有するＣｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ合金組成にも応用することができ、該軟磁
性材料膜を磁気コアに使用した薄膜磁気ヘッドを搭載す
ることで、１００Ｇｂ／ｉｎ2以上の面記録密度を有す
る磁気ディスク装置を作製できる。
２．０Ｔ以上という高いＢｓを有するＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
軟磁性材料膜は、Ｈｃが大きいため良好な軟磁気特性を
得ることが困難であったが、本発明によれば２．０Ｔ以
上のＢｓを保ったままＨｃを１５Ｏｅまで低減すること
が可能となった。本手法はさらに高いＢｓを有するＣｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ合金組成にも応用することができ、該軟磁
性材料膜を磁気コアに使用した薄膜磁気ヘッドを搭載す
ることで、１００Ｇｂ／ｉｎ2以上の面記録密度を有す
る磁気ディスク装置を作製できる。
【図１】Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ磁性膜の組成とＢｓの関係を
示す図。
示す図。
【図２】単一浴から作製した電流密度による膜組成変化
挙動を示す図。
挙動を示す図。
【図３】異なる電流密度で作製しためっき膜のＴＥＭ
像。
像。
【図４】本発明の手法により作製しためっき磁性膜の断
面ＴＥＭ像。
面ＴＥＭ像。
【図５】困難軸保磁力と膜表面近傍の結晶粒径の電流密
度依存性を示す図。
度依存性を示す図。
【図６】膜厚方向に結晶粒径が変調された構造の模式
図。
図。
【図７】本発明の実施の形態における面内記録型磁気ヘ
ッドの概略図。
ッドの概略図。
【符号の説明】 １…導体コイル、2…絶縁膜、３…巨大磁気抵抗効果
膜、４…電極、５…上部磁気コアの先端部、６…上部磁
気コアの後端部、７…下部シールド、８…下部磁気コア
兼上部シールド
膜、４…電極、５…上部磁気コアの先端部、６…上部磁
気コアの後端部、７…下部シールド、８…下部磁気コア
兼上部シールド
フロントページの続き (72)発明者 星屋 裕之 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 4K023 AB19 BA06 CB09 DA02 DA07 4K024 AA14 AB02 AB15 BA15 BB14 CA01 CA02 CA06 DA09 5D033 BA03 BA07 CA01 DA04 DA31 5E049 AA04 BA12 FC10
Claims (7)
- 【請求項１】 下部磁気コアと、先端部で磁気ギャップ
を介して前記下部磁気コアに対向し後端部で前記下部磁
気コアと結合した上部磁気コアと、前記下部磁気コア及
び上部磁気コアによって形成される磁気回路と磁気的に
結合したコイルとを備える薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記下部磁気コア及び／又は上部磁気コアの少なくとも一
部がＣｏ，Ｎｉ及びＦｅを含有し、結晶粒子の粒径が特
に磁性膜の基体側で小さく、磁性膜の表面側で大きい、
膜厚方向に変調された結晶粒子の粒径変調構造を有する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記めっき磁性膜はＦｅ：２５重量パーセント以
上、Ｃｏ：８０重量パーセント以下、Ｎｉ：２０重量パ
ーセント以下からなり、該磁性膜の結晶構造が実質的に
体心立方構造であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記めっき磁性膜の飽和磁束密度が２．０Ｔよ
り大きいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 基板上に下部磁気コアを形成する工程
と、コイルを形成する工程と、先端部で磁気ギャップ膜
を介して下部磁気コアと対向し、後端部で下部磁気コア
と結合し、前記下部磁気コアとともに前記コイルと磁気
的に結合する上部磁気コアを形成する工程とを含む薄膜
磁気ヘッドの製造方法において、前記下部磁気コアを形
成する工程及び／又は上部磁気コアを形成する工程で
は、Ｃｏ，Ｎｉ及びＦｅを含有するめっき磁性膜を、そ
の結晶粒径が特に磁性膜の基体側で小さく、磁性膜の表
面側で大きい、膜厚方向に変調された結晶粒子の粒径変
調構造を有して形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、前記めっき磁性膜の形成に当たり、めっき
電流の平均電流密度を５０〜１０００Ａ／ｍ 2とするこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】 請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、前記めっき磁性膜形成の特に初期過程にお
いてめっき電位が高いことを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項７】 請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、前記めっき磁性膜の形成に当たり、めっき
電流の電流値及び／または電位を連続的、段階的あるい
は周期的に変調することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001155855A JP2002352403A (ja) | 2001-05-24 | 2001-05-24 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US10/153,618 US6794063B2 (en) | 2001-05-24 | 2002-05-24 | Thin film magnetic head and method of fabricating the head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001155855A JP2002352403A (ja) | 2001-05-24 | 2001-05-24 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002352403A true JP2002352403A (ja) | 2002-12-06 |
Family
ID=18999967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001155855A Pending JP2002352403A (ja) | 2001-05-24 | 2001-05-24 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (2)
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|---|---|
| US (1) | US6794063B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002352403A (ja) |
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| JP2006253252A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁性膜とその製造方法及びこれを使用した薄膜磁気ヘッドと磁気ディスク装置 |
| JPWO2016178372A1 (ja) * | 2015-05-07 | 2018-03-29 | 株式会社日立製作所 | 耐食皮膜を有する積層体とその製造方法 |
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| US7672091B2 (en) | 2006-03-15 | 2010-03-02 | Seagate Technology Llc | Reset device for biasing element in a magnetic sensor |
| US9005420B2 (en) * | 2007-12-20 | 2015-04-14 | Integran Technologies Inc. | Variable property electrodepositing of metallic structures |
| US7933096B2 (en) * | 2007-12-26 | 2011-04-26 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Layered return poles for magnetic write heads |
Family Cites Families (8)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0269906A (ja) | 1988-09-06 | 1990-03-08 | Toshiba Corp | 強磁性膜 |
| JPH0689422A (ja) | 1992-09-08 | 1994-03-29 | Fujitsu Ltd | コバルト−鉄−ニッケル磁性膜の製造方法 |
| JP3229718B2 (ja) | 1993-06-11 | 2001-11-19 | ティーディーケイ株式会社 | 軟磁性合金、軟磁性薄膜および多層膜 |
| JP3750872B2 (ja) | 1993-07-14 | 2006-03-01 | 株式会社小松製作所 | 車両用エンジンの過給装置およびその制御方法 |
| JP2821456B1 (ja) * | 1997-07-03 | 1998-11-05 | 学校法人早稲田大学 | コバルト・鉄・ニッケル磁性薄膜とその製造方法，及びそれを用いた複合型薄膜磁気ヘッドと磁気記憶装置 |
| JP2000187808A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性膜及びその製造方法、ならびにこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド |
| JP2000322707A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Nec Corp | 高飽和磁束密度を有するＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ磁性膜、およびこれを磁極に用いた複合型薄膜磁気ヘッド、並びに磁気記憶装置 |
| US6776891B2 (en) * | 2001-05-18 | 2004-08-17 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing an ultra high saturation moment soft magnetic thin film |
-
2001
- 2001-05-24 JP JP2001155855A patent/JP2002352403A/ja active Pending
-
2002
- 2002-05-24 US US10/153,618 patent/US6794063B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006253252A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁性膜とその製造方法及びこれを使用した薄膜磁気ヘッドと磁気ディスク装置 |
| JP4523460B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2010-08-11 | ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ | 磁性膜とその製造方法及びこれを使用した薄膜磁気ヘッドと磁気ディスク装置 |
| JPWO2016178372A1 (ja) * | 2015-05-07 | 2018-03-29 | 株式会社日立製作所 | 耐食皮膜を有する積層体とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6794063B2 (en) | 2004-09-21 |
| US20020192503A1 (en) | 2002-12-19 |
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