JP2901549B2 - Ｎｉ−Ｆｅ合金電気めっき方法およびＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜 - Google Patents
Ｎｉ−Ｆｅ合金電気めっき方法およびＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｎｉ−Ｆｅ合金電
気めっき方法およびＮｉ−Ｆｅ合金めっき膜に関する。
気めっき方法およびＮｉ−Ｆｅ合金めっき膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁気記録用薄膜ヘッドのコア
部には、ＮｉおよびＦｅの合計重量に対するＦｅの重量
比が約１８％の、Ｎｉ−Ｆｅ合金（以下、パーマロイと
略す）等の軟磁性材料が使用されている。
部には、ＮｉおよびＦｅの合計重量に対するＦｅの重量
比が約１８％の、Ｎｉ−Ｆｅ合金（以下、パーマロイと
略す）等の軟磁性材料が使用されている。
【０００３】これらの軟磁性材料は、透磁率が高く、保
磁力および異方性磁界が小さいことから、磁気記録用ヘ
ッドの材料としては、理想的な特性を有している。
磁力および異方性磁界が小さいことから、磁気記録用ヘ
ッドの材料としては、理想的な特性を有している。
【０００４】しかし、より高密度記録に対応するため、
高飽和磁束密度の特性を有する材料が求められている。
この例として、ＮｉおよびＦｅの合計の重量に対するＦ
ｅの重量の比が、約５５％のＮｉ−Ｆｅ合金（以下、４
５Ｎｉ−Ｆｅと略す）が挙げられる。このＮｉ−Ｆｅ合
金膜を形成する方法として、従来は、パーマロイめっき
浴でＦｅイオンのみを増加し、パーマロイめっき膜形成
と同様のめっき方法で形成していた。
高飽和磁束密度の特性を有する材料が求められている。
この例として、ＮｉおよびＦｅの合計の重量に対するＦ
ｅの重量の比が、約５５％のＮｉ−Ｆｅ合金（以下、４
５Ｎｉ−Ｆｅと略す）が挙げられる。このＮｉ−Ｆｅ合
金膜を形成する方法として、従来は、パーマロイめっき
浴でＦｅイオンのみを増加し、パーマロイめっき膜形成
と同様のめっき方法で形成していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の方法で
形成された４５Ｎｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜は、高飽和
磁束密度の特性を持つ反面、飽和磁歪値が、１×１０-5
〜２×１０-5程度と、パーマロイの飽和磁歪値−２×１
０-6〜−３×１０-6と比較して一桁高い値を示してお
り、磁化すると外形が変形し易い性質を有する。その理
由は、比較的低温でめっき膜が形成されるので、めっき
膜の結晶構造は極めて微細となり、結晶の成長も低い温
度で容易にでき、その結晶構造が（１１１）配向とな
り、それに伴って、磁気特性が劣化するからである。
形成された４５Ｎｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜は、高飽和
磁束密度の特性を持つ反面、飽和磁歪値が、１×１０-5
〜２×１０-5程度と、パーマロイの飽和磁歪値−２×１
０-6〜−３×１０-6と比較して一桁高い値を示してお
り、磁化すると外形が変形し易い性質を有する。その理
由は、比較的低温でめっき膜が形成されるので、めっき
膜の結晶構造は極めて微細となり、結晶の成長も低い温
度で容易にでき、その結晶構造が（１１１）配向とな
り、それに伴って、磁気特性が劣化するからである。
【０００６】従って、従来の方法で形成される４５Ｎｉ
−Ｆｅ合金電気めっき膜は、飽和磁歪値が大きいため、
磁気記録用ヘッドの材料として不適である。
−Ｆｅ合金電気めっき膜は、飽和磁歪値が大きいため、
磁気記録用ヘッドの材料として不適である。
【０００７】本発明は、上記問題点を解決しようとする
ものであり、その目的とするところは、特に、磁気記録
用ヘッドで使用される軟磁性材料として有用な、飽和磁
歪値の低いＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜を提供すること
にある。
ものであり、その目的とするところは、特に、磁気記録
用ヘッドで使用される軟磁性材料として有用な、飽和磁
歪値の低いＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜を提供すること
にある。
【０００８】さらに、上記Ｎｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜
を形成する方法を提供することにある。
を形成する方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、ＮｉイオンおよびＦｅイオンを含むめ
っき浴中に、基板を浸漬して一定の電流密度で電気分解
を行うことによって、前記基板上にめっきを行う、Ｎｉ
−Ｆｅ合金電気めっき方法において、Ｎｉ−Ｆｅの全重
量に対するＦｅの重量の比が、５５±１％であり、前記
電流密度を、１．０〜５．０ｍＡ／ｃｍ2 （ＯＮ／ＯＦ
Ｆ＝２／１秒パルス）として、前記電気分解を行うこと
によって、その結晶構造が（１００）配向となるＮｉ−
Ｆｅ合金電気めっき膜を形成した。
に、本発明では、ＮｉイオンおよびＦｅイオンを含むめ
っき浴中に、基板を浸漬して一定の電流密度で電気分解
を行うことによって、前記基板上にめっきを行う、Ｎｉ
−Ｆｅ合金電気めっき方法において、Ｎｉ−Ｆｅの全重
量に対するＦｅの重量の比が、５５±１％であり、前記
電流密度を、１．０〜５．０ｍＡ／ｃｍ2 （ＯＮ／ＯＦ
Ｆ＝２／１秒パルス）として、前記電気分解を行うこと
によって、その結晶構造が（１００）配向となるＮｉ−
Ｆｅ合金電気めっき膜を形成した。
【００１０】また、Ｎｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜の飽和
磁歪値が、６．６×１０ -6 以下であれば好ましく、磁気
記録用ヘッドとしては充分である。
磁歪値が、６．６×１０ -6 以下であれば好ましく、磁気
記録用ヘッドとしては充分である。
【００１１】さらに、Ｎｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜の厚
さが、１μｍ〜５μｍであるのが好ましい。
さが、１μｍ〜５μｍであるのが好ましい。
【００１２】めっき条件としては、上記の電流密度１．
０〜５．０ｍＡ／ｃｍ 2 であれば、（１００）配向のめ
っき膜を形成できるが、特に、３．５ｍＡ／ｃｍ 2 であ
ることが好ましい。
０〜５．０ｍＡ／ｃｍ 2 であれば、（１００）配向のめ
っき膜を形成できるが、特に、３．５ｍＡ／ｃｍ 2 であ
ることが好ましい。
【００１３】また、めっき浴の組成が、硫酸ニッケル，
硫酸第一鉄，ホウ酸，サッカリン，ラウリル硫酸ナトリ
ウムであるのが好ましい。
硫酸第一鉄，ホウ酸，サッカリン，ラウリル硫酸ナトリ
ウムであるのが好ましい。
【００１４】本発明のＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき方法に
よれば、めっき膜の結晶構造が変化することを利用し、
電流密度を１．０〜５．０ｍＡ／ｃｍ2 の範囲に調整す
ることにより、Ｎｉ−Ｆｅ電気めっき膜の結晶構造が
（１００）配向となる。これにより、飽和磁歪値が充分
に小さく、磁気記録用ヘッドで使用される軟磁性材料と
して有用なＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜が形成される。
よれば、めっき膜の結晶構造が変化することを利用し、
電流密度を１．０〜５．０ｍＡ／ｃｍ2 の範囲に調整す
ることにより、Ｎｉ−Ｆｅ電気めっき膜の結晶構造が
（１００）配向となる。これにより、飽和磁歪値が充分
に小さく、磁気記録用ヘッドで使用される軟磁性材料と
して有用なＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜が形成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明によるＮｉ−Ｆｅ合金電気
めっき方法およびＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜の実施例
について、図面を参照にして説明する。
めっき方法およびＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜の実施例
について、図面を参照にして説明する。
【００１６】まず、本発明のＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき
膜を形成する過程を説明すると、ガラス基板上に、薄膜
磁気記録用ヘッドで使用される軟磁性材料めっきの下地
として、パーマロイ合金をスパッタリングで１０００Å
の厚さに形成する。パーマロイ合金を使用する理由は、
その磁歪定数がほぼ零付近にあることと、異方性磁界が
低く、保持力が低いことから透磁率が高いことによっ
て、薄膜磁気記録用ヘッドの材料として適しているから
である。次に、めっき槽内で電気めっきを行い、めっき
膜を形成する。その際、めっき浴の組成およびめっき条
件は、以下の通りである。
膜を形成する過程を説明すると、ガラス基板上に、薄膜
磁気記録用ヘッドで使用される軟磁性材料めっきの下地
として、パーマロイ合金をスパッタリングで１０００Å
の厚さに形成する。パーマロイ合金を使用する理由は、
その磁歪定数がほぼ零付近にあることと、異方性磁界が
低く、保持力が低いことから透磁率が高いことによっ
て、薄膜磁気記録用ヘッドの材料として適しているから
である。次に、めっき槽内で電気めっきを行い、めっき
膜を形成する。その際、めっき浴の組成およびめっき条
件は、以下の通りである。
【００１７】［めっき浴組成］ 硫酸ニッケル ９０ｇ／ｌ（リットル） 硫酸第一鉄 １０ｇ／ｌ ホウ酸 ２５ｇ／ｌ サッカリン １．５ｇ／ｌ ラウリル硫酸ナトリウム ０．１ｇ／ｌ ここで、ホウ酸はｐＨ緩衝剤，サッカリンは応力緩和
剤，ラウリル硫酸ナトリウムは界面活性剤として使用す
る。
剤，ラウリル硫酸ナトリウムは界面活性剤として使用す
る。
【００１８】［めっき条件］ 電流密度 ３．５ｍＡ／ｃｍ2 （ＯＮ／ＯＦＦ＝２／１
秒パルス） 通電時間 ６０分間 電流密度は、従来の方法と比較して、小さくしている
が、これは、電流密度を大きくするにつれて、全重量に
対するＦｅの重量の比が大きくなり、結晶構造が、（１
００）配向から（１１１）配向となるからである。
秒パルス） 通電時間 ６０分間 電流密度は、従来の方法と比較して、小さくしている
が、これは、電流密度を大きくするにつれて、全重量に
対するＦｅの重量の比が大きくなり、結晶構造が、（１
００）配向から（１１１）配向となるからである。
【００１９】実際に、このＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜
を分析した結果、ＮｉおよびＦｅの合計重量に対するＦ
ｅの重量比は５５％であり、膜厚は２μｍであった。ま
た、Ｎｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜について、結晶構造を
Ｘ線回折装置により調査した。その結果、形成されたＮ
ｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜は、（１１１）配向のピーク
強度Ｉ2 （Ｘ線ビームのピーク強度を示す。以下同様）
＝５５２ｃｐｓ（サイクル／秒）に対し、（１００）配
向のピーク強度Ｉ2 ＝５８０ｃｐｓとなり、ピーク強度
比Ｉ2 ／Ｉ1 ＝１０５％となった。（１００）配向と
（１１１）配向がランダムに配列したランダム配向時に
おけるピーク強度比Ｉ2 ／Ｉ1 ＝８０％なので、このＮ
ｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜の結晶構造は、（１００）配
向であることが確認できた。さらに、この試料のＮｉ−
Ｆｅ合金電気めっき膜の飽和磁歪値を飽和磁歪測定器に
より測定したところ、２．５×１０-6であり、６．６×
１０ -6以下であった。
を分析した結果、ＮｉおよびＦｅの合計重量に対するＦ
ｅの重量比は５５％であり、膜厚は２μｍであった。ま
た、Ｎｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜について、結晶構造を
Ｘ線回折装置により調査した。その結果、形成されたＮ
ｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜は、（１１１）配向のピーク
強度Ｉ2 （Ｘ線ビームのピーク強度を示す。以下同様）
＝５５２ｃｐｓ（サイクル／秒）に対し、（１００）配
向のピーク強度Ｉ2 ＝５８０ｃｐｓとなり、ピーク強度
比Ｉ2 ／Ｉ1 ＝１０５％となった。（１００）配向と
（１１１）配向がランダムに配列したランダム配向時に
おけるピーク強度比Ｉ2 ／Ｉ1 ＝８０％なので、このＮ
ｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜の結晶構造は、（１００）配
向であることが確認できた。さらに、この試料のＮｉ−
Ｆｅ合金電気めっき膜の飽和磁歪値を飽和磁歪測定器に
より測定したところ、２．５×１０-6であり、６．６×
１０ -6以下であった。
【００２０】上述した実施例では、電流密度３．５ｍＡ
／ｃｍ2 で行ったが、さらに、電流密度を変えて実験を
行い、その結晶構造をＸ線回折装置により調査してピー
ク強度比を求めて、電流密度とピーク強度比との関係を
示したものが図１である。従って、図１は、本発明によ
るＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜を形成するときの電流密
度と、形成されためっき膜のピーク強度比との関係を示
すグラフである。図中、電流密度（ｍＡ／ｃｍ2 ）を横
軸で示し、（１００）配向のピーク強度をＩ1,（１１
１）配向のピーク強度をＩ2 としたとき、その強度比Ｉ
2 ／Ｉ1 を％で示したものを縦軸に示している。そし
て、ランダム配向時の強度比Ｉ2 ／Ｉ1 が８０％である
ので、８０％以上を（１００）配向、８０％以下を（１
１１）配向とする。曲線は、曲線１の（１００）配向領
域から、境界点２を通過して、曲線３の（１１１）配向
領域に移っている。
／ｃｍ2 で行ったが、さらに、電流密度を変えて実験を
行い、その結晶構造をＸ線回折装置により調査してピー
ク強度比を求めて、電流密度とピーク強度比との関係を
示したものが図１である。従って、図１は、本発明によ
るＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜を形成するときの電流密
度と、形成されためっき膜のピーク強度比との関係を示
すグラフである。図中、電流密度（ｍＡ／ｃｍ2 ）を横
軸で示し、（１００）配向のピーク強度をＩ1,（１１
１）配向のピーク強度をＩ2 としたとき、その強度比Ｉ
2 ／Ｉ1 を％で示したものを縦軸に示している。そし
て、ランダム配向時の強度比Ｉ2 ／Ｉ1 が８０％である
ので、８０％以上を（１００）配向、８０％以下を（１
１１）配向とする。曲線は、曲線１の（１００）配向領
域から、境界点２を通過して、曲線３の（１１１）配向
領域に移っている。
【００２１】図１のデータによると、４５Ｎｉ−Ｆｅ合
金の電気めっき膜の結晶構造は、電流密度により変化し
て、電流密度５．０ｍＡ以下の範囲では（１００）配向
となっている。一方、電流密度５．０ｍＡ／ｃｍ2 以上
の範囲では（１１１）配向となっている。この結果、電
流密度は、５．０ｍＡ／ｃｍ2 以下でなくてはならな
い。しかし、電流密度１．０ｍＡ／ｃｍ2 以下の範囲で
は、Ｎｉ−Ｆｅ合金の電気めっき膜の成膜に要する時間
が、非常に長くなり量産には適さない。従って、電流密
度の範囲は、１．０ｍＡ／ｃｍ2 〜５．０ｍＡ／ｃｍ2
が最適であるという結果となった。
金の電気めっき膜の結晶構造は、電流密度により変化し
て、電流密度５．０ｍＡ以下の範囲では（１００）配向
となっている。一方、電流密度５．０ｍＡ／ｃｍ2 以上
の範囲では（１１１）配向となっている。この結果、電
流密度は、５．０ｍＡ／ｃｍ2 以下でなくてはならな
い。しかし、電流密度１．０ｍＡ／ｃｍ2 以下の範囲で
は、Ｎｉ−Ｆｅ合金の電気めっき膜の成膜に要する時間
が、非常に長くなり量産には適さない。従って、電流密
度の範囲は、１．０ｍＡ／ｃｍ2 〜５．０ｍＡ／ｃｍ2
が最適であるという結果となった。
【００２２】次に、電流密度を変化させて形成しためっ
き膜の飽和磁歪値を測定した結果、図２のような電流密
度と飽和磁歪値との関係を示すグラフができた。図２に
よると、電流密度５．０ｍＡ／ｃｍ2 以下の範囲では、
飽和磁歪値が６．６×１０-6以下となっている。一方、
電流密度５．０ｍＡ以上の範囲では、６．６×１０-6以
上である。
き膜の飽和磁歪値を測定した結果、図２のような電流密
度と飽和磁歪値との関係を示すグラフができた。図２に
よると、電流密度５．０ｍＡ／ｃｍ2 以下の範囲では、
飽和磁歪値が６．６×１０-6以下となっている。一方、
電流密度５．０ｍＡ以上の範囲では、６．６×１０-6以
上である。
【００２３】この磁歪値は、磁化に伴う、強磁性体の長
さの変化、より一般的には、強磁性体のひずみがその磁
化の方向と大きさに依存するもので、これが大きくなる
原因は、結晶磁気異方性エネルギーが結晶格子の歪みに
依存することによる。結晶の変形（例えばのび）に伴う
異方性エネルギーの低下が弾性エネルギーの増加よりも
大きいと、歪んだ状態の方が優先的に実現する。ニッケ
ルの場合、磁化に平行な方向の格子間隔が垂直なそれよ
りも大きい。従って、軟磁性材料では、格子のひずみに
よって生じる磁気異方性を小さくするために、磁歪値を
なるべく小さくしなければならない。
さの変化、より一般的には、強磁性体のひずみがその磁
化の方向と大きさに依存するもので、これが大きくなる
原因は、結晶磁気異方性エネルギーが結晶格子の歪みに
依存することによる。結晶の変形（例えばのび）に伴う
異方性エネルギーの低下が弾性エネルギーの増加よりも
大きいと、歪んだ状態の方が優先的に実現する。ニッケ
ルの場合、磁化に平行な方向の格子間隔が垂直なそれよ
りも大きい。従って、軟磁性材料では、格子のひずみに
よって生じる磁気異方性を小さくするために、磁歪値を
なるべく小さくしなければならない。
【００２４】以上の結果によって、Ｎｉ−Ｆｅ合金電気
めっき膜において、結晶構造が（１００）配向、飽和磁
歪値が６．６×１０-6以下のものを形成するためには、
電流密度が、５．０ｍＡ／ｃｍ2 以下の範囲であること
が解った。そして、時間的，経済的な面から、電流密度
１．０ｍＡ／ｃｍ2 が電流密度の下限となる。このよう
にして形成した結晶構造が（１００）配向、飽和磁歪値
が６．６×１０-6以下のＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜
は、磁気特性に優れ、磁気記録ヘッドの材料として適し
ている。
めっき膜において、結晶構造が（１００）配向、飽和磁
歪値が６．６×１０-6以下のものを形成するためには、
電流密度が、５．０ｍＡ／ｃｍ2 以下の範囲であること
が解った。そして、時間的，経済的な面から、電流密度
１．０ｍＡ／ｃｍ2 が電流密度の下限となる。このよう
にして形成した結晶構造が（１００）配向、飽和磁歪値
が６．６×１０-6以下のＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜
は、磁気特性に優れ、磁気記録ヘッドの材料として適し
ている。
【００２５】
【発明の効果】本発明のＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき方法
で形成されるＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜の結晶構造
は、（１００）配向となる。従って、飽和磁歪値が充分
小さいＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜形成方法およびＮｉ
−Ｆｅ合金電気めっき膜を提供することができる。
で形成されるＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜の結晶構造
は、（１００）配向となる。従って、飽和磁歪値が充分
小さいＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜形成方法およびＮｉ
−Ｆｅ合金電気めっき膜を提供することができる。
【図１】本発明のＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき方法におけ
る、電流密度と、形成されたＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき
膜のピーク強度比との関係を示すグラフである。
る、電流密度と、形成されたＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき
膜のピーク強度比との関係を示すグラフである。
【図２】本発明のＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき方法におけ
る、電流密度と、形成されたＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき
膜の飽和磁歪値との関係を示すグラフである。
る、電流密度と、形成されたＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき
膜の飽和磁歪値との関係を示すグラフである。
１ （１００）配向領域 ２ 境界点 ３ （１１１）配向領域 ４ （１００）配向領域 ５ 境界点 ６ （１１１）配向領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C25D 3/00 - 3/64 H01F 41/26
Claims (6)
- 【請求項１】ＮｉイオンおよびＦｅイオンを含むめっき
浴中に、基板を浸漬して一定の電流密度で電気分解を行
うことによって、前記基板上にめっきを行う、Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金電気めっき方法において、Ｎｉ−Ｆｅの全重量に対するＦｅの重量の比が、５５±
１％であり、 前記電流密度を、１．０〜５．０ｍＡ／ｃ
ｍ2 （ＯＮ／ＯＦＦ＝２／１秒パルス）として、前記電
気分解を行うことによって、その結晶構造が（１００）
配向となるＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜を形成する、Ｎ
ｉ−Ｆｅ合金電気めっき方法。 - 【請求項２】前記Ｎｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜の飽和磁
歪値が、６．６×１０-6以下であることを特徴とする、
請求項１に記載のＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき方法。 - 【請求項３】前記Ｎｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜の厚さ
が、１μｍ〜５μｍであることを特徴とする、請求項１
または２に記載のＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき方法。 - 【請求項４】前記電流密度が、３．５ｍＡ／ｃｍ2 であ
ることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の
Ｎｉ−Ｆｅ合金電気めっき方法。 - 【請求項５】前記めっき浴の組成が、硫酸ニッケル，硫
酸第一鉄，ホウ酸，サッカリン，ラウリル硫酸ナトリウ
ムであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに
記載のＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき方法。 - 【請求項６】ＮｉイオンおよびＦｅイオンを含むめっき
浴中に、基板を浸漬して、一定の電流密度で電気分解を
行うことによって、前記基板上にめっきされるＮｉ−Ｆ
ｅ合金電気めっき膜において、Ｎｉ−Ｆｅの全重量に対するＦｅの重量の比が、５５±
１％であり、 前記電流密度を、１．０〜５．０ｍＡ／ｃ
ｍ2 （ＯＮ／ＯＦＦ＝２／１秒パルス）として、前記電
気分解を行うことによって、その結晶構造が（１００）
配向となることを特徴とするＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき
膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19995496A JP2901549B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | Ｎｉ−Ｆｅ合金電気めっき方法およびＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19995496A JP2901549B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | Ｎｉ−Ｆｅ合金電気めっき方法およびＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1046383A JPH1046383A (ja) | 1998-02-17 |
| JP2901549B2 true JP2901549B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=16416370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19995496A Expired - Lifetime JP2901549B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | Ｎｉ−Ｆｅ合金電気めっき方法およびＮｉ−Ｆｅ合金電気めっき膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2901549B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3842490B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2006-11-08 | アルプス電気株式会社 | 記録用薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| KR100858507B1 (ko) | 2007-04-02 | 2008-09-12 | 충남대학교산학협력단 | 연자성 니켈-철 퍼말로이의 제조 방법 및 그에 의해 제조된연자성 퍼말로이 박막 |
| JP2010150622A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi Ltd | めっき液，凸状金属構造体を有する導電体基板、及び、その製造方法 |
-
1996
- 1996-07-30 JP JP19995496A patent/JP2901549B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1046383A (ja) | 1998-02-17 |
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