JP2003059717A - 軟磁性膜と薄膜磁気ヘッドとこれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高飽和磁束密度Ｂｓを有するＦｅＣｏＮｉメ
ッキ膜における応力が大きいという課題を従来における
ような硫黄Ｓの添加を行わずして、応力の低減化を図っ
て、膜厚の大なるメッキ膜を実現する。 【解決手段】 本発明による軟磁性膜１は、ＦｅＣｏＮ
ｉを主成分とする複数の軟磁性薄膜層を主層２とし、こ
れら軟磁性薄膜層間に配置されたＦｅＮｉもしくはＦｅ
ＣｏＮｉを主成分とする副層３との積層膜構成とする。
このようにして、副層３による中間層の存在によって応
力の低減化を図ることができ、膜厚の大きい磁性薄膜の
形成、またこの応力の低減化から、その成膜における電
気メッキの通電電流を大とすることができて、成膜時間
の短縮化を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、軟磁性膜と薄膜磁
気ヘッドとこれらの製造方法、特に新規な構成を採る軟
磁性膜と、この軟磁性膜を薄膜磁気コアとする薄膜磁気
ヘッドと、これらの製造方法に係わる。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスクの急速な磁気記録
密度の向上に伴い、記録媒体は高保磁力Ｈｃ化が進み、
それに対応して飽和磁束密度Ｂｓの高い磁気ヘッド用コ
ア材料が必要とされている。現在、ハードディスク用磁
気ヘッド材料としては、パーマロイ（Ｆｅ₂₀Ｎｉ₈₀) ま
たは、このパーマロイより飽和磁束密度Ｂｓが高いＦｅ
₅₅Ｎｉ₄₅メッキ材料が知られている。これら磁気ヘッド
材料の飽和磁束密度Ｂｓは、Ｆｅ₂₀Ｎｉ₈₀が１．０
〔Ｔ〕、Ｆｅ₅₅Ｎｉ₄₅が１．５〜１．６〔Ｔ〕程度であ
って、現在開発されている１００ないしは２００Ｇｂ／
inch² という高記録密度の記録媒体に対する磁気ヘッド
への適応は困難である。

【０００３】一方、メッキなどの湿式法によらないスパ
ッタ等の乾式法による軟磁性材料においても、全元素の
中で、最も高い飽和磁束密度Ｂｓを有するＦｅが注目さ
れ、Ｆｅ基軟磁性材料の研究が盛んに行われているとこ
ろである。例えばＦｅＮ／Ｔａ(Young K.Kim and Charl
es Partee,IEEE Trans．Magn.,33,2815(1997) 参照) ，
ＦｅＣｏＡｌ−Ｏ( 大沼、小林、増本、藤森、日本応用
磁気会誌.,22,441(1998)参照) や、最近ではＦｅの結晶
格子中に、炭素Ｃが入り込んだ構造を持ち、飽和磁束密
度Ｂｓが２．０〔Ｔ〕を超えるＦｅＣ磁性材料の開発も
行われている。

【０００４】しかし、これらスパッタ材料は厚膜化が困
難である。また、耐熱性が低い等の問題点も存在する。
これらのことから、また、装置コストの面でもメッキに
よる磁性膜が有利とされる。

【０００５】近年、電気メッキにおいては、ＦｅＣｏＮ
ｉ軟磁性メッキ材料が報告され、サッカリン、チオ尿素
を添加剤として用い、膜中にＳ（硫黄）を混入させるこ
とで、Ｆｅ₁₅Ｃｏ₇₃Ｎｉ₁₂の組成において、Ｂｓが１．
７〔Ｔ〕、Ｈｃが０．９〔Ｏｅ〕、磁歪λｓが４．４×
１０^-6の特性を有する軟磁性薄膜の作製が可能であるこ
とが報告された（中村、高井、林、逢坂、表面技術、4
7, 934(1996))。このＦｅＣｏＮｉメッキ材料は、Ｆｅ
Ｎｉ材料よりも、例えば磁気ヘッド材として、より強磁
界発生が可能であることから、すぐれたオーバーライト
特性を有する磁気ヘッドを構成する磁気ヘッド材料であ
り、更に、これはパーマロイメッキの既存技術を応用し
た簡便な手法で成膜が行うことができると考えられてい
て、いわゆる次世代の磁気ヘッド材料として注目を集め
ている。

【０００６】このＦｅＣｏＮｉ合金の飽和磁束密度Ｂｓ
は、主にＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ各金属の組成比で決まり、そ
の結晶構造はＮｉの多い領域でｆｃｃ構造、Ｎｉの少な
い領域でｂｃｃ構造を採る。基本的にＦｅＣｏＮｉ合金
はＦｅ含有量が多く、Ｎｉ含有量が少ないほどＢｓが高
くなる。したがって、高いＢｓを有するＦｅＣｏＮｉ合
金を得るには、膜厚中のＦｅ量を増加させ、Ｎｉ量を低
減させることになるが、このＦｅ量を極端に多くしてＮ
ｉを少なくすると、保磁力が増大し、軟磁気特性が失わ
れてしまう。

【０００７】このことから、ｆｃｃ−ｂｃｃ混相領域に
おいて結晶粒径が微細化され、低保磁力のメッキ膜が得
られるということ（T.Osaka,M.Hayashi,Y.Ohashi,M.Sat
o and K.Yamada,Nature.,392,396(1998)) と低磁歪が好
ましいなどの磁気ヘッド材料に必要なパラメータを考慮
すると、２０≦Ｆｅ≦３０，１０≦Ｎｉ≦２０の領域
で、低保磁力，低磁歪でかつ高い飽和磁束密度Ｂｓが得
られ、この領域が磁気ヘッド材料として最も適している
と考えられる。

【０００８】一方、最近において、このＦｅＣｏＮｉ三
元系合金は、サッカリン、チオ尿素等の硫黄Ｓを含有す
る添加剤を用いない系において、結晶構造の相境界と磁
歪ゼロラインが、Ｆｅ含有量が多い領域、すなわち高飽
和磁束密度Ｂｓ側にシフトしていることが確認された。
例えば、Ｆｅ₂₃Ｃｏ₆₅Ｎｉ₁₂ の組成において、Ｂｓが
２．１ [Ｔ] 、Ｈｃが１．２ [Oe] 、λｓが１．８×１
０^-6という、すぐれた磁気特性を有し、また、膜中にＳ
を含まないため、パーマロイより高い耐食性を持つ高Ｂ
ｓのＦｅＣｏＮｉメッキ材料が報告された（T.Osaka,M.
Hayashi,Y.Ohashi,M.Sato and K.Yamada,Nature.,387,7
96(1998)) 。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに、硫黄Ｓを含有する添加剤を用いないＦｅＣｏＮｉ
メッキ膜は、飽和磁束密度Ｂｓは高いものの、応力緩和
の効果がある硫黄Ｓが膜中に存在していないため、膜厚
化が困難であり、この膜厚を例えば１μｍ以上にする
と、応力が大きくなって剥離の問題が生じる。したがっ
て、ＦｅＣｏＮｉにおける厚膜の成膜を短時間で行うこ
とができるというメッキの利点が失われる。また、薄膜
磁気ヘッドへの適用は、実用的でないと考えられる。

【００１０】また、ＦｅＣｏＮｉ系において、前述した
高飽和磁束密度Ｂｓを有し、低保磁力を示す２０≦Ｆｅ
≦３０、１０≦Ｎｉ≦２０の組成領域では、粗大粒子析
出が起こり易いという問題がある。したがって、生産性
を高めるために成膜速度を上げるように、高電流密度、
高ｐＨの条件でメッキを行う場合、粗大粒子析出が生
じ、平滑なメッキ膜が得られないという問題がある。

【００１１】本発明においては、上述したＦｅＣｏＮｉ
系で、２０≦Ｆｅ≦３０、１０≦Ｎｉ≦２０の組成領域
とされて、高い飽和磁束密度Ｂｓを有し、低保磁力を有
するすなわち軟磁性を有する磁性体を用いる場合におい
ても、硫黄（Ｓ）の添加を回避、あるいは極く微量にと
どめることによって、磁歪のゼロラインを高いＦｅ含有
領域、すなわち、高い飽和磁束密度Ｂｓが得られる領域
での磁歪の低減化を図ると共に、耐食性の向上、すなわ
ち信頼性の向上を図ることができるようにし、しかも、
応力緩和の低下による厚膜化の阻害を回避することがで
き、更に粗大粒子の発生を効果的に抑制することができ
る軟磁性膜を提供するものである。

【００１２】更に、本発明による薄膜磁気ヘッドは、上
述した特性を有する軟磁性膜によって薄膜磁気ヘッドを
構成することによって、例えば高密度化を図るために、
高抗磁力（高保磁力）を有する記録磁気記録媒体に対し
て、すぐれたオーバーライト特性を有する電磁変換特性
にすぐれ、信頼性の高い、薄膜磁気ヘッドを提供するも
のである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明による
軟磁性膜は、それぞれＦｅＣｏＮｉを主成分とする軟磁
性薄膜層による複数の主層と、これら主層間に配置され
たＦｅＮｉ副層との積層膜構成とする。あるいは、本発
明による軟磁性膜は、それぞれＦｅＣｏＮｉを主成分と
する軟磁性薄膜層による複数の主層と、これら主層間に
配置され、これら主層の軟磁性薄膜層とは異なる組成比
を有するＦｅＣｏＮｉを主成分とする副層との積層膜構
成とする。る。

【００１４】また、本発明による薄膜磁気ヘッドは、軟
磁性膜を、少なくとも一部の磁路として有する薄膜磁気
ヘッドであって、その軟磁性膜を、上述した本発明によ
る各軟磁性膜構成とする。

【００１５】そして、また、本発明による軟磁性膜の製
造方法は、上述した各本発明による軟磁性膜の製造方法
であって、その軟磁性薄膜によるＦｅＣｏＮｉを主成分
とする主層を電気メッキによって成膜し、ＦｅＮｉ主成
分とする副層を電気メッキ法、スパッタ法、イオンプレ
ーティング法、蒸着法、気相成長法等任意の方法によっ
て形成する。

【００１６】また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、上述した各本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法であって、その軟磁性薄膜によるＦｅＣｏＮｉを主
成分とする主層を電気メッキによって成膜し、同様にＦ
ｅＣｏＮｉを主成分とするものの、その組成比は、主層
のそれとは異なる組成を有する副層を、主層を成膜する
メッキ浴と同一メッキ浴を用い、メッキ条件を変更する
ことによって形成する。

【００１７】上述した本発明による軟磁性膜によれば、
高い飽和磁束密度Ｂｓを有し、低保磁力すなわち軟磁性
を有する組成によるＦｅＣｏＮｉ系において、硫黄
（Ｓ）の添加を回避、あるいは極く微量にとどめる構成
としても、高飽和磁束密度、磁歪の低減化、耐食性の向
上を図り、実質的膜厚を大とすることができ、しかも応
力による問題が解決され、更に、粗大粒子の発生が回避
された。これは、ＦｅＣｏＮｉ系の軟磁性薄膜による複
数の主層間に副層を介在させた構成としたことにより、
膜厚方向に軟磁性膜が分断されて結晶粒径の成長を抑え
る効果を生じることができること、応力の緩和が図られ
ることによると考えられる。このように、本発明によれ
ば、すぐれた軟磁性、高い飽和磁束密度を有し、かつ十
分厚い軟磁性膜が構成される。

【００１８】そして本発明による磁気ヘッドは、この構
成による軟磁性膜によって薄膜磁路を構成ものであり、
これによって、電磁変換特性にすぐれ、ノイズの低減
化、信頼性の高い磁気ヘッドが構成される。

【００１９】そして、本発明製造方法によれば、粗大粒
子析出を抑制する効果を得ることができることによっ
て、通常においては、粗大粒子析出が生じやすい高電流
密度の電気メッキによってＦｅＣｏＮｉの主層を形成す
ることができることから、高速メッキが可能になるもの
である。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明は、図１に概略断面図を示
すように、軟磁性膜１を、それぞれＦｅＣｏＮｉを主成
分とする軟磁性薄膜層による複数の主層２と、これら主
層２間に配置されたＦｅＮｉもしくはＦｅＣｏＮｉを主
成分とする副層３との繰り返し積層による積層膜構成に
よって構成する。

【００２１】主層２は、ぞれその厚さｔ₁ が０．１μｍ
≦ｔ₁ ≦１．８μｍとされ、その組成は、前述した高飽
和磁束密度Ｂｓを有し、保磁力が小さい、すなわちＦｅ
_X1Ｃｏ_y1Ｎｉ_z1（ｘ₁ , ｙ₁ , ｚ₁ は、それぞれ原子
％）において、 ２０≦ｘ₁ ≦３０ ５０≦ｙ₁ ≦７０ １０≦ｚ₁ ≦２０ ｘ₁ ＋ｙ₁ ＋ｚ₁ ＝１００ とする。この主層２の特性は、Ｂｓ≧１．８〔Ｔ〕、保
磁力Ｈｃ＜５〔Ｏｅ〕であることが望ましい。

【００２２】副層３は、ＦｅＮｉを主成分とする構成に
おいては、その厚さｔ₂ が０．１μｍ≦ｔ₂ ≦１．０μ
ｍとされ、組成がＦｅ_X2Ｎｉ_z2（ｘ₂ ，ｚ₂ は、それぞ
れ原子％）において、 １５≦ｘ₂ ≦６０ ４０≦ｚ₂ ≦８５ ｘ₂ ＋ｚ₂ ＝１００ に選定される。

【００２３】また、副層３を、ＦｅＣｏＮｉを主成分と
する構成とする場合においては、その厚さｔ₃ が０．１
μｍ≦ｔ₃ ≦１．０μｍとされ、組成がＦｅ_X3Ｃｏ_y3Ｎ
ｉ_z3( ｘ₃ ，ｙ₃,ｚ₃ は、それぞれ原子％）において、 １０≦ｘ₃ ≦２０ ５０≦ｙ₃ ≦７５ １５≦ｚ₃ ≦３０ ｘ₃ ＋ｙ₃ ＋ｚ₃ ＝１００ に選定される。

【００２４】そして、上述した主層２の総厚をＴ₁ と
し、ＦｅＮｉ副層３の総厚をＴ₂ とし、ＦｅＣｏＮｉ副
層３の総厚をＴ₃ とするとき、 Ｔ₂ ／（Ｔ₁ ＋Ｔ₂ ）≦０．３、 Ｔ₃ ／（Ｔ₁ ＋Ｔ₃ ）≦０．３に選定する。

【００２５】このように、主層２と副層３との繰り返し
積層によって構成された軟磁性膜１の磁気的特性は、Ｂ
ｓ＞１．７〔Ｔ〕、Ｈｃ＜３〔Ｏｅ〕が望ましく、この
軟磁性膜１の膜厚Ｔｓ（すなわち、Ｔ₁ ＋Ｔ₂ あるいは
Ｔ₁ ＋Ｔ₃ ）は、Ｔｓ≦７μｍとされる。

【００２６】この構成において、主層２のＦｅＣｏＮｉ
の各組成ｘ₁ ，ｙ₁ ，ｚ₁ の組成範囲の選定は、高い飽
和磁束密度Ｂｓが得られる組成として知られている範囲
に選定したものである。そして、ＦｅＮｉ副層３におけ
るｘ₂ およびｚ₂ の組成は、ＦｅＮｉ合金ではＦｅの組
成が小さ過ぎると、飽和磁束密度Ｂｓが低く、軟磁性膜
１においてＢｓの低下を来し、目的とするＢｓ＞１．７
〔Ｔ〕が得難くなる。例えばＦｅが１５原子％のＦｅ₁₅
Ｎｉ₈₅におけるＢｓは１．０〔Ｔ〕以下となる。また、
Ｆｅが６０原子％以上となると高いＢｓは得られるもの
の、保磁力および磁歪が磁気ヘッドの薄膜コアへの適応
において好ましくなくなる。また、ＦｅＣｏＮｉ副層３
においてはは、上述した高いＢｓを示すＦｅＣｏＮｉ組
成領域（特に、Ｆｅ組成が大きく、Ｎｉ組成が小さい領
域）では、粗大粒子析出のための平滑な膜が得難く、こ
のような組成の膜を副層として用いることが好ましくな
いことからＦｅを２０原子％以下とし、また著しいＢｓ
低下を回避する上で、１０原子％とするものである。

【００２７】また、上述したように、主層２の膜厚ｔ₁
を０．１μｍ≦ｔ₁ ≦１．８μｍ（好ましくは０．１μ
ｍ≦ｔ₁ ≦１．５μｍ）に選定する理由は、ＦｅＣｏＮ
ｉ主層の膜厚が余り薄いと、特に０．１μｍ未満では、
透磁率が充分得られなくなること、また、余り厚くなる
と、特に１．８μｍを超えると、高飽和磁束密度を示す
ＦｅＣｏＮｉの組成領域において、粗大粒子析出が起こ
り易くなって表面性の劣化、高周波透磁率の低下を来た
し、磁気ヘッド磁性膜として加工性に問題が生じたり、
高周波特性が低くなることを認めたことによる。特に、
前述したように、硫黄を含まない高ＢｓのＦｅＣｏＮｉ
においては、膜厚ｔ₁ が１．８を超えると剥離が生じ
る。

【００２８】また、副層３の厚さｔ₂ およびｔ₃ を、
０．１μｍ≦ｔ₂ ，ｔ₃ ≦１．０μｍに選定し、かつ軟
磁性膜１の膜厚Ｔｓ（すなわちＴ₁ ＋Ｔ₂ あるいはＴ₁
＋Ｔ₃）に対する各ＦｅＮｉおよびＦｅＣｏＮｉ副層３
の総厚Ｔ₂ およびＴ₃ の各比、（Ｔ₂ ／（Ｔ₁ ＋Ｔ₂ ）
およびＴ₃ ／（Ｔ₁ ＋Ｔ₃ ）をそれぞれ０．３以下に選
定する理由は、まず、副層の厚さｔ₂ およびｔ₃ の膜厚
が０．１μｍ以下では、この副層３を設けることによる
応力の緩和等の効果が生じにくくなること、また、これ
ら膜厚ｔ₂ およびｔ₃ が、１．０μｍを超えても、この
副層３の介在による効果が増加することはなく、かえっ
て軟磁性膜１における飽和磁束密度Ｂｓを低下させると
いう不都合が生じてくるものであり、特に、最終的に得
る飽和磁束密度Ｂｓを１．７〔Ｔ〕以上とするために
は、軟磁性膜１における副層３の占める膜厚総和が、
０．３を超えると、軟磁性膜１における飽和磁束密度Ｂ
ｓが低下してくることを認めたことに因る。

【００２９】そして、本発明による軟磁性膜の製造方法
は、上述した構成による主層２と副層３の繰り返し積層
成膜工程を採る。そして、主層２は、電気メッキによっ
て成膜し、副層３は、これが主層２と組成比を異にする
ものの、同一組成元素による場合、すなわち主層２およ
び副層３が、共にＦｅＣｏＮｉを主成分とする場合にお
いては、同一メッキ浴を用いて電気メッキによって連続
的に積層成膜することができる。また、副層３が、Ｆｅ
Ｎｉを主成分とする場合においては、電気メッキ法、ス
パッタ法、イオンプレーティング法、蒸着法、気相成長
法等によって成膜する。

【００３０】また、主層２は、ＦｅＣｏＮｉを主成分と
し、副層３は、ＦｅＣｏＮｉもしくはＦｅＮｉを主成分
とするが、これにＳ、Ｃ、Ｎ等を添加することができ
る。しかしながら、この場合においても、その添加量
は、飽和磁束密度Ｂｓが大幅に低下することがない程度
の原子数濃度が１原子％以下とすることが望ましい。

【００３１】また、本発明による磁気ヘッドは、例えば
図２にその一例の概略断面図を示すように、前方面１２
すなわち磁気記録媒体１１との対向ないしは対接面に臨
んで磁気ギャップｇを形成する磁路１３においてその少
なくとも一部が軟磁性膜によって構成される薄膜磁気ヘ
ッド１０にあって、その軟磁性膜を、上述した本発明に
よる軟磁性膜１によって構成する。

【００３２】また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、上述した本発明による薄膜磁気ヘッドの軟磁性
膜１の製造工程が、上述した本発明による軟磁性膜の製
造方法によるものである。

【００３３】次に、本発明による軟磁性膜１の製造方法
の実施形態を説明する。主層２を構成するＦｅＣｏＮ
ｉ、更に或る場合は、副層３を構成するＦｅＣｏＮｉを
電気メッキする。

【００３４】〔導電性下地層〕まず、これら電気メッキ
を行う面、すなわち図１で示す軟磁性膜１を形成する基
体４の軟磁性膜形成面４ｓが、非導電性もしくは導電性
に劣る場合は、軟磁性膜形成面４ｓに導電性下地層５を
形成する。この導電性下地層５は、基体４を構成する例
えばガラス基板、Ｓｉウェハー等の表面、ＳｉＯ₂ 、Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ 等の絶縁層による軟磁性膜形成面４ｓに、金属
層、例えば厚さ１０ｎｍ〜２０ｎｍのＣｒ層と、厚さ５
５ｎｍ〜２００ｎｍのＣｕ層との積層構造、あるいは厚
さ１０ｎｍ程度のＴａと厚さ５５ｎｍのＦｅＮｉとの積
層構造の導電層をそれぞれ例えばＤＣ（直流）マグネト
ロンスパッタよって形成する。この導電性下地層５は、
軟磁性膜１のメッキにおいて、低電流密度のメッキがな
される場合、軟磁性膜１が、下地層５の金属の結晶配向
に応じて同一配向がなされるエピタキシャル成長が起こ
ることから、下地層５はその配向に考慮が必要となる
が、比較的高電流密度によるメッキがなされる場合いお
いては、下地層５の配向は問題とならない。

【００３５】〔メッキ浴〕ＦｅＣｏＮｉメッキ浴は、金
属塩として、例えばスルファミン酸塩、硫酸塩、塩酸塩
を用い、添加剤として、サッカリン酸ナトリウム、ホウ
酸、アスコルビン酸、酒石酸、塩化アンモニウム、塩化
ナトリウム、アウリル硫酸ナトリウム等を添加した水溶
液系の浴を用いることができる。

【００３６】〔アノード〕メッキにおけるアノードは、
不溶性のＴｉ上にＰｔを被覆したアノード、あるいは例
えばＮｉ、ＦｅＮｉ、ＦｅＣｏＮｉによる可溶性のアノ
ードを用いることができる。この可溶性アノードを用い
るときは、メッキ中のＦｅ（II）の酸化（生成物はＦｅ
(III) による浴の消耗を抑制することができるととも
に、浴中に連続的に金属を供給することができる。

【００３７】〔成膜条件〕 温度：温度は、室温から５０℃程度が望ましい。比較的
高温にすると膜質および表面性にすぐれた平滑な膜が得
られ易くなるが、浴の消耗が激しくなることから、室温
より幾分高い温度とすることが望ましい。この浴の消耗
は、主にＦｅ(II)の酸化が起こり易くＦｅ(III) になっ
てしまうことに因る。 ｐＨ：ｐＨは、２〜４程度が望ましい。ｐＨが低くなる
と金属析出と競合する水素発生が優先的に起こり、成膜
速度が極端に低下する。逆に、ｐＨが高い場合、水素発
生が抑制され、電流効率が高くなるが、膜質および表面
性にすぐれた平滑な膜が得られにくくなる。 電流密度：電流密度は、パルス電解の場合は、２０〜２
５０〔ｍＡ／ｃｍ² 〕、直流電解の場合は、３〜４０
〔ｍＡ／ｃｍ² 〕が望ましい。金属析出の、電流の集中
する箇所におけるバリを防ぐため、一時的に逆電流を流
す、いわゆるＰＲパルス電解を用いることができる。 撹拌：撹拌は、一般的に用いられているパドル撹拌法を
用いることができる。しかしながら、超音波撹拌、回転
撹拌等の定常的で効率の良い撹拌を行うことができる周
知の手法を用いることができる。尚、軟磁性膜１に一軸
異方性を付与することが望まれる場合においては、磁場
中メッキを行うことができる。また、組成分布、膜厚分
布向上のためメッキ浴中に補助電極を用いて、メッキ浴
中に、本来の電流線とは異なる電流線を形成して被メッ
キ体（基体４）とアノード間の電流線の制御を行うこと
ができる。

【００３８】〔第１の実施形態〕この実施形態において
は、主層２および副層３が、互いに組成を異にするＦｅ
ＣｏＮｉによって同一メッキ浴によって電解メッキを行
って軟磁性膜１を成膜した場合である。このメッキは、
図３および図４に示すように、メッキ槽３０が設けら
れ、このメッキ槽３０内で、メッキ処理がなされる。こ
のメッキ槽３０のメッキ浴は、例えば図４に示すよう
に、メッキ液採取弁３１によって制御され供給されたメ
ッキ液がポンプ３２によってフィルタ３３および流量計
３４を通じて所要の流量をもって供給される。またこの
メッキ槽３０からのメッキ液が所要量フィルタ３３によ
って浄化されて循環される。

【００３９】メッキ槽３０は、例えば図４に示すよう
に、メッキ液供給口３５とメッキ液導出口３６とを有す
る。メッキ槽３０内のメッキ浴中には、軟磁性膜１を形
成する基体４を固定保持するカソードとなる基体固定治
具３７が配置され、基体４の配置部に対向してアノード
３８が配置される。また、メッキ槽３０内にはメッキ浴
を所要の温度に加温するヒータ３９と、メッキ浴の撹拌
手段４０例えばスキージが配置される。そして、カソー
ド３７およびアノード３８間に電源４１が接続される。

【００４０】メッキ浴としては、溶解度の高いスルファ
ミン酸塩を採用し、高濃度スルファミン酸浴において、
成膜速度が速い、結晶粒径の微細化が図られるなど、様
々な利点を発揮するパルス電解によった。アノード３８
は、例えばＮｉ電極、あるいはＰｔメッキが施されたＴ
ｉ電極を用いることができる。

【００４１】そのメッキ時の通電態様を、図５Ａ〜Ｃ、
図６ＡおよびＢに例示する。各図において、縦軸は通電
電流密度ｊを示し、横軸は時間経過Ｔを示す。第１の通
電態様においては、例えば図５Ａに示すように、電流密
度ｊｐ₁ を所要のｔonの区間通電するパルス通電を、所
要の休止区間ｔoff の間隔をもって必要数繰り返し行っ
て主層２をメッキし、その後、電流密度ｊｐ₁ に比して
低い所要の電流密度ｊｐ₂ のパルス通電を同様に例えば
繰り返し行って副層３を形成する。この作業を繰り返し
行うことによって所要層数の主層２と副層３が繰り返し
積層された軟磁性膜１を成膜する。

【００４２】また、例えば図５Ｂに示すように、例えば
副層３のメッキにおいては、電流密度ｊｐ₂ による直流
通電を行うことによって形成することもできる。また、
例えば図５Ｃに示すように、それぞれ電流密度ｊｐ₁ お
よびｊｐ₂ のパルス幅ｔon₁ およびｔon₂ による各１パ
ルス毎に、主層２および副層３を繰り返しメッキするこ
ともできる。あるいは、例えば図６Ａに示すように、各
電流密度ｊｐ₁ およびｊｐ₂ によるパルスを連続させた
パルス形状として主層２および副層３の形成を行い、所
要区間で例えば塩の拡散を生じさせる休止区間ｔoff を
設ける態様を採ることもできる。更にあるいは、例えば
図６Ｂに示すように、休止区間ｔoff を設けることな
く、区間ｔon₁ およびｔon₂ によって主層２および副層
３を繰り返しメッキすることもできる。そのほか、上述
した２種の電流密度ｊｐ₁ およびｊｐ₂ のみによること
なく、種々の３種以上の電流密度の組み合わせによるメ
ッキを行って２種以上の組成の例えば主層２の形成を行
うこともできる。

【００４３】次に、メッキ浴組成および成膜条件を、表
１に例示する。

【００４４】

【表１】

【００４５】この場合のＦｅＣｏＮｉメッキ膜は、Ｆｅ
_X Ｃｏ_y Ｎｉ_z （ｘ，ｙ，ｚは、原子％、でｘ＋ｙ＋ｚ
＝１００）において、２０≦ｘ≦３０、１０≦ｚ≦２０
近傍特に２１≦ｘ≦２６、１０≦ｙ≦１４の組成領域
で、飽和磁束密度Ｂｓ＞１．８〔Ｔ〕、保磁力Ｈｃ＜３
〔Ｏｅ〕の軟磁気特性を示し、また低磁歪を示した。し
たがって、このようにして得られる磁性膜は、例えば磁
気ヘッド材料として好適な特性を示す。

【００４６】ところが、この組成領域のＦｅＣｏＮｉの
メッキ膜においては、粒径が５０ｎｍ以上の粗大粒子の
析出が起こり易く、磁気ヘッドへの適用には困難とな
る。この粗大粒子は、パターン近傍や、下地基体４例え
ばウェハー周辺部等の電解集中、すなわち電流線の集中
が著しい箇所において顕著に観察される。しかしなが
ら、このＦｅＣｏＮｉメッキの膜厚を１μｍ以下とする
ときは、結晶粒の成長を防ぐことができ、粗大粒子析出
が極めて起こりにくくなることを究明した。

【００４７】これについて説明する。図７ＡおよびＢ
は、軟磁性膜の形成面４ｓ上に、所定のパターンに軟磁
性膜を形成するように、開口２１Ｗが形成されたメッキ
マスクのレジスト膜２１を形成し、上述した実施形態に
基いてＦｅＣｏＮｉによる軟磁性膜２０を形成した場合
のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真に基く概略断面図を示
したものである。図７Ａは、その軟磁性膜２０の膜厚を
１μｍ以下とした場合であり、図７Ｂは、膜厚を２．０
μｍとした場合である。その膜厚を大とした場合には、
図７Ｂに示すように、粗大粒子２０Ｇが特にパターン縁
部に顕著に発生している。

【００４８】一方、Ｆｅ_X Ｃｏ_y Ｎｉ_z において、ｘ＜
２０、ｚ≧１４の場合、その飽和磁束密度Ｂｓは、１．
８〔Ｔ〕未満という、さほど高くない値となるが、膜質
および平滑性にすぐれた膜が得られ易い。

【００４９】この実施形態においては、粗大粒子析出が
起こり易いが、飽和磁束密度Ｂｓが１．８〔Ｔ〕以上の
ＦｅＣｏＮｉより成る２層以上の主層２間に、上述した
Ｂｓが１．８〔Ｔ〕未満の副層３を介在させた図１で示
した積層構造によって軟磁性膜１を構成する。

【００５０】この構成による軟磁性膜１は、低保磁力、
高飽和磁束密度Ｂｓを保持して、かつ低応力、粗大粒子
の析出の回避が図られ、２μｍ以上の膜厚を有する軟磁
性膜１を、すぐれた膜質および平滑性をもって形成する
ことができた。そして、粗大粒子の析出が効果的に回避
されることから、その膜作製における成膜速度、すなわ
ちメッキ速度を高めることができた。

【００５１】すなわち、本発明構成による軟磁性膜は、
硫黄Ｓの無添加、あるいは極めて微量の添加のみを行う
構成とした応力の緩和効果が損なわれるものであるが、
本発明構成では、低応力、粗大粒子の析出の回避が図ら
れ、２μｍ以上の膜厚を有する軟磁性膜１を、すぐれた
膜質および平滑性をもって形成することができた。これ
は、その主層２間に、他の組成による副層３を介在させ
た構成として主層２の分断がなされたことによって粗大
粒子の析出の抑制、応力の緩和が図られたと考えられる
ものである。

【００５２】また、上述した組成比を異にするＦｅＣｏ
Ｎｉによる主層２および副層３は、同一メッキ浴を用い
て、メッキ条件例えば電流密度を選定することによって
構成することができる。すなわち、この系におけるメッ
キ膜中の各金属Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉの濃度と電流密度
との関係をそれぞれ図８Ａ、ＢおよびＣに示す。これよ
り、飽和磁束密度Ｂｓに大きな影響を与えるＦｅ、Ｎｉ
の組成が、電流密度に大きく依存していることが分か
る。そして、パルス電解は、低電流から瞬間的な大電流
まで幅広く電流密度を用いることができるため、単に電
流密度を変化させるだけで大きく組成が異なるＦｅＣｏ
Ｎｉ膜を同一メッキ浴によって成膜可能であることが分
かる。

【００５３】したがって、金属塩の濃度が比較的高いメ
ッキ浴において、パルス電解を用いて成膜を行った場
合、浴の組成、ｐＨ、温度などの他の組成に影響を与え
るパラメータを変えることなく、電流密度だけを変える
だけで同一浴において、上述主層２および副層３の繰り
返し積層膜を連続的に成膜することができることが分か
る。

【００５４】因みに、ＦｅＣｏＮｉメッキにおいて、一
般的に用いられている硫酸浴による直流電解メッキで
は、電流密度の範囲がある程度制限されるため、電流密
度を変えても組成はそれほど変化しないという報告（Yo
ung K.Kim and Charles Partee,IEEE Trans ．Magn.,3
3,2815(1997))があるが、実際には、表２に示すよう
に、電流密度をきわめて小さくすると、組成が大きく変
化する。

【００５５】

【表２】

【００５６】このように直流メッキにおいても、同一の
メッキ浴による異組成のＦｅＣｏＮｉメッキ膜の作製が
可能であることが確認でき、直流電解だけでも積層膜の
作製が可能であることが分かる。尚、これらパルス電
流、直流電流を組み合わせることによっても積層膜の作
製が可能であり、電流密度を様々に変化させて、組成の
異なる３種類以上のＦｅＣｏＮｉ膜を積層成膜すること
もできる。

【００５７】〔第２の実施形態〕この実施形態において
は、主層２を、ＦｅＣｏＮｉによる構成とし、副層３を
ＦｅＮｉとした。これらは、格子定数が極めて近いもの
であることから、これらＦｅＣｏＮｉとＦｅＮｉとの積
層成膜は良好に行うことができる。しかしながら、この
ように、副層３をＦｅＮｉによって構成する場合は、主
層２のＦｅＣｏＮｉと、このＦｅＮｉと同一メッキ浴に
よって構成することはできない。

【００５８】次に、本発明による軟磁性膜の実施例を挙
げて説明する。 〔実施例１〕この実施例においては、図５Ａで説明した
通電態様によって、２層の主層２間に副層３が介在され
た軟磁性膜を成膜した場合である。主層２は、Ｆｅ₂₅Ｃ
ｏ₆₃Ｎｉ₁₂によってそれぞれ厚さ０．９μｍとした場合
で、副層３は、Ｆｅ₁₈Ｃｏ₆₄Ｎｉ₁₈によって厚さ０．１
とした場合である。この構成による軟磁性膜を試料１と
する。

【００５９】〔実施例２〕この実施例においては、主層
２を実施例１と同様の組成および厚さとした場合である
が、副層３をＦｅ₅₅Ｎｉ₄₅によって形成した。この場合
においても２層の主層２間に副層３が介在された軟磁性
膜を成膜した場合である。この構成による軟磁性膜を試
料２とする。

【００６０】〔比較例１〕この例では、厚さ２．０μｍ
のＦｅ₂₅Ｃｏ₆₃Ｎｉ₁₂単一構造のメッキ層とした。この
軟磁性膜を試料３とする。

【００６１】〔比較例２〕この例では、厚さ０．９のＦ
ｅ₃₁Ｃｏ₅₉Ｎｉ₁₀による２層の主層２間にＦｅ₅₅Ｎｉ₄₅
による副層３が介在された軟磁性膜を構成した場合であ
る。この軟磁性膜をを試料４とする。

【００６２】〔比較例３〕この例では、Ｆｅ₃₁Ｃｏ₅₉Ｎ
ｉ₁₀の軟磁性膜の単一構造のメッキ層とした。この構成
の軟磁性膜を試料５とする。

【００６３】これら各試料１〜５の、磁気的特性すなわ
ち飽和磁束密度Ｂｓおよび保磁力Ｈｃの測定結果を表３
に示す

【００６４】

【表３】

【００６５】表３により明らかなように、本発明による
試料１および２は、高いＢｓを有し、しかもＨｃが格段
に低減化され、軟磁性を示す。

【００６６】上述したように、本発明による軟磁性膜
は、高飽和磁束密度Ｂｓを有するものの、応力が大きい
ことによって大きな膜厚とすることに問題のあったＦｅ
ＣｏＮｉメッキ膜を、その高飽和磁束密度Ｂｓを保持し
たままで、十分大なる膜厚をもって成膜することができ
るものである。

【００６７】そして、前述したように、本発明による薄
膜磁気ヘッドは、磁路の少なくとも一部を薄膜コアによ
って構成する場合において、その薄膜コアを本発明によ
る軟磁性膜によって構成する。図２においては、再生感
度にすぐれた磁気抵抗効果型磁気ヘッドによる再生磁気
ヘッド５６上に、記録磁気ヘッドとしての本発明による
薄膜磁気ヘッド１０を一体に構成して記録再生磁気ヘッ
ドを構成した場合の一例の概略断面図である。

【００６８】この場合、例えば磁気シールド基板５１上
に、第１の電極層５２が形成され、この上に、例えば面
垂直電流型のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子によ
る磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）５３が形成される。こ
のＭＲ素子５３の周囲には絶縁層５４が埋め込まれる。
ＭＲ素子５３上には、第２の電極層５５が形成され、こ
れら電極５２および５５間にＭＲ素子５３に対し、その
膜面と交叉する方向にセンス電流の通電がなされる。こ
のようにして、磁気抵抗効果型再生ヘッド５６が形成さ
れる。

【００６９】ＭＲ素子５３は、例えば図示のように、前
方面１２に直接臨んで配置され、この前方面１２から、
磁気記録媒体１１上の記録磁区からの情報磁界を導入し
て、この情報信号の再生を行うようにする。あるいは図
示しないがＭＲ素子５３を前方面１２より後退した位置
に配置し、このＭＲ素子５３と磁気的に結合する磁束ガ
イド（図示せず）を設けてこの磁束ガイドの前方端を前
方面１２に臨ませてこれに上述した磁気記録媒体からの
情報磁界をＭＲ素子に導入して再生を行う。

【００７０】第２の電極層５５は、例えば磁気シールド
兼電極層によって構成し、更に本発明による薄膜磁気ヘ
ッド１０を構成する下層コアを構成する磁性層とするこ
ともできるが、図２で示した例においては、第２の電極
層５５上に、薄膜磁気ヘッドを構成する下層コア層５６
を設けた場合である。

【００７１】そして、下層コア層５６上に、薄膜磁気ヘ
ッドの磁気ギャップｇを前方端において形成する例えば
ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 等の非磁性層５７が形成され、こ
の上に例えば薄膜導電層によるコイル５８が形成され
る。

【００７２】コイル５８上には絶縁層５９が被覆され、
この上に、コイル５８の中心部で下層コア層５６と磁気
的に結合させた上層コア層６０が形成される。これら下
層コア層５６および上層コア６０の前方端は、前方面１
２に非磁性層５７を介して臨み磁気ギャップｇが形成さ
れる。そして、上層コア層６０上には保護層６１が被覆
される。この構成において、例えば上層コア層６０、お
よび／または下層コア層５６が薄膜コアによって構成さ
れるものであり、本発明においては、これら薄膜コアを
上述した本発明による軟磁性膜１によって構成する。

【００７３】この構成による薄膜磁気ヘッド１０は、そ
の薄膜コアが、前述したように、磁気特性にすぐれたす
なわち高飽和磁束密度を有し、保磁力が低く、また十分
厚い膜厚を有し、磁歪、粗大粒子のない薄膜磁性膜によ
って構成されることから、高周波特性にすぐれ、ノイズ
が小さく、電磁変換特性にすぐれた、信頼性の高い薄膜
磁気ヘッドを構成することができる。

【００７４】尚、本発明による軟磁性膜１の膜構成、本
発明による薄膜磁気ヘッドは、上述した例に限定される
ものではなく、本発明構成において、種々の変形変更を
行うことができることはいうまでもない。

【００７５】

【発明の効果】上述したように、本発明による軟磁性膜
は、高い飽和磁束密度Ｂｓを有し、低保磁力を有するす
なわち軟磁性を有し、また磁歪が小さく、耐蝕性にすぐ
れ、磁気的特性、信頼性にすぐれた、十分膜厚が大き
い、軟磁性膜とすることができるものである。

【００７６】本発明による薄膜磁気ヘッドは、上述した
特性を有する軟磁性膜によって薄膜磁気ヘッドを構成す
ることによって、例えば高密度化を図るために、高抗磁
力（高保磁力）を有する記録磁気記録媒体に対して、す
ぐれたオーバーライト特性を有する電磁変換特性にすぐ
れ、ノイズの小さい、信頼性の高い、薄膜磁気ヘッドを
構成することができるものである。

【００７７】そして、本発明方法によれば、粗大粒子析
出を抑制する効果を得ることができることによって、通
常においては、粗大粒子析出が生じやすい高電流密度の
電気メッキによってＦｅＣｏＮｉの主層を形成すること
ができることから、高速メッキが可能になるものであ
る。

【００７８】また、ＦｅＣｏＮｉによる主層２と副層３
とを用いることによって同一メッキ浴を用いることがで
きることから、多層の主層２および副層３の積層を連続
作業で行うことができ、生産性の向上を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による軟磁性薄膜の一例の概略断面図で
ある。

【図２】本発明による薄膜磁気ヘッドの一例の概略断面
図である。

【図３】メッキ装置の構成図である。

【図４】メッキ槽の一例の概略断面図である。

【図５】Ａ、ＢおよびＣは、それぞれメッキ電流の例を
示すパルス図である。

【図６】ＡおよびＢは、それぞれメッキ電流の例を示す
パルス図である。

【図７】ＡおよびＢは、本発明の説明に供する軟磁性薄
膜の成膜状態の電子顕微鏡写真に基く断面図である。

【図８】Ａ、ＢおよびＣは、それぞれＦｅＣｏＮｉのメ
ッキの電流密度と各Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉの原子濃度の
測定曲線図である。

【符号の説明】

１，２０・・・軟磁性薄膜、２・・・主層、３・・・副
層、４・・・基体、４ｓ・・・軟磁性薄膜の形成面、１
０・・・薄膜磁気ヘッド、１１・・・磁気記録媒体、１
２・・・前方面、１３・・・磁路、ｇ・・・磁気ギャッ
プ、３０・・・メッキ槽、３１・・・メッキ液採取弁、
３２・・・ポンプ、３３・・・フィルタ、３４・・・液
流量計、３５・・・メッキ液供給口、３６・・・メッキ
液導出口、３７・・・基体固定治具、３８・・・アノー
ド、３９・・・ヒータ、４０・・・撹拌手段、４１・・
・電源、５１・・・磁気シールド基板、５２・・・第１
の電極層、５３・・・ＭＲ素子、５４・・・絶縁層、５
５・・・第２の電極層、５６・・・下層コア層、５７・
・・非磁性層、５８・・・コイル、５９・・・絶縁層、
６０・・・上層コア層、６１・・・保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D033 AA01 BA01 BA03 BA08 DA02 DA03 DA04 DA31 5E049 AA04 AA07 CB01 DB12 GC01 HC05 LC01

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 それぞれＦｅＣｏＮｉを主成分とする軟
   磁性薄膜層による複数の主層と、 これら主層間にＦｅＮｉ副層が配置された積層膜構成と
   されたことを特徴とする軟磁性膜。
2. 【請求項２】 上記複数の主層を構成する軟磁性薄膜層
   は、 それぞれその厚さｔ₁ が０．１μｍ≦ｔ₁ ≦１．８μｍ
   であり、組成がＦｅ_X1Ｃｏ_y1Ｎｉ_z1（ｘ₁ , ｙ₁ , ｚ₁
   は、それぞれ原子％）であり、 ２０≦ｘ₁ ≦３０ ５０≦ｙ₁ ≦７０ １０≦ｚ₁ ≦２０ ｘ₁ ＋ｙ₁ ＋ｚ₁ ＝１００ に選定され、 上記副層は、その厚さｔ₂ が０．１μｍ≦ｔ₂ ≦１．０
   μｍであり、組成がＦｅ_X2Ｎｉ_z2（ｘ₂ ，ｚ₂ は、それ
   ぞれ原子％）とされ、 １５≦ｘ₂ ≦６０ ４０≦ｚ₂ ≦８５ ｘ₂ ＋ｚ₂ ＝１００ に選定され、 上記主層の総厚をＴ₁ とし、上記副層の総厚をＴ₂ とす
   るとき、 Ｔ₂ ／（Ｔ₁ ＋Ｔ₂ ）≦０．３ に選定されることを特徴とする請求項１に記載の軟磁性
   膜。
3. 【請求項３】 それぞれＦｅＣｏＮｉを主成分とする軟
   磁性薄膜層による複数の主層と、 これら主層間に配置され、これら主層を構成する軟磁性
   薄膜層とは異なる組成比を有するＦｅＣｏＮｉを主成分
   とする副層との積層膜構成とされたことを特徴とする軟
   磁性膜。
4. 【請求項４】 上記複数の主層を構成する軟磁性薄膜層
   は、 それぞれその厚さｔ₁ が０．１μｍ≦ｔ₁ ≦１．８μｍ
   であり、組成がＦｅ_X1Ｃｏ_y1Ｎｉ_z1（ｘ₁ , ｙ₁ , ｚ₁
   は、それぞれ原子％）であり、 ２０≦ｘ₁ ≦３０ ５０≦ｙ₁ ≦７０ １０≦ｚ₁ ≦２０ ｘ₁ ＋ｙ₁ ＋ｚ₁ ＝１００ に選定され、 上記副層は、その厚さｔ₃ が０．１μｍ≦ｔ₃ ≦１．０
   μｍであり、組成がＦｅ_X3Ｃｏ_y3 Ｎｉ_z3（ｘ₃ ，ｙ₃,
   ｚ₃ は、それぞれ原子％）とされ、 １０≦ｘ₃ ≦２０ ５０≦ｙ₃ ≦７５ １５≦ｚ₃ ≦３０ ｘ₃ ＋ｙ₃ ＋ｚ₃ ＝１００ に選定され、 上記主層の総厚をＴ₁ とし、上記副層の総厚をＴ₃ とす
   るとき、 Ｔ₃ ／（Ｔ₁ ＋Ｔ₃ ）≦０．３ に選定されることを特徴とする請求項３に記載の軟磁性
   膜。
5. 【請求項５】 軟磁性膜を少なくとも一部の磁路として
   有する薄膜磁気ヘッドにあって、 上記軟磁性膜が、それぞれＦｅＣｏＮｉを主成分とする
   軟磁性薄膜層による複数の主層と、これら主層間に配置
   されたＦｅＮｉ副層との積層膜構成とされたことを特徴
   とする薄膜磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 上記複数の主層を構成する軟磁性薄膜層
   が、 それぞれその厚さｔ₁ が０．１μｍ≦ｔ₁ ≦１．８μｍ
   であり、組成がＦｅ_X1Ｃｏ_y1Ｎｉ_z1（ｘ₁ , ｙ₁ , ｚ₁
   は、それぞれ原子％）であり、 ２０≦ｘ₁ ≦３０ ５０≦ｙ₁ ≦７０ １０≦ｚ₁ ≦２０ ｘ₁ ＋ｙ₁ ＋ｚ₁ ＝１００ に選定され、 上記副層が、その厚さｔ₂ が０．１μｍ≦ｔ₂ ≦１．０
   μｍであり、組成がＦｅ_X2Ｎｉ_z2（ｘ₂ ，ｚ₂ は、それ
   ぞれ原子％）とされ、 １５≦ｘ₂ ≦６０ ４０≦ｚ₂ ≦８５ ｘ₂ ＋ｚ₂ ＝１００ に選定され、 上記主層の総厚をＴ₁ とし、上記副層の総厚をＴ₂ とす
   るとき、 Ｔ₂ ／（Ｔ₁ ＋Ｔ₂ ）≦０．３ に選定されることを特徴とする請求項５に記載の薄膜磁
   気ヘッド。
7. 【請求項７】 軟磁性膜を少なくとも一部の磁路として
   有する薄膜磁気ヘッドにあって、 上記軟磁性膜が、それぞれＦｅＣｏＮｉを主成分とする
   軟磁性薄膜層による複数の主層と、これら主層間に配置
   され、これら軟磁性薄膜層とは異なる組成比を有するＦ
   ｅＣｏＮｉを主成分とする副層との積層膜構成とされた
   ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 上記複数の主層を構成する軟磁性薄膜層
   が、 それぞれその厚さｔ₁ が０．１μｍ≦ｔ₁ ≦１．８μｍ
   であり、組成がＦｅ_X1Ｃｏ_y1Ｎｉ_z1（ｘ₁ , ｙ₁ , ｚ₁
   は、それぞれ原子％）であり、 ２０≦ｘ₁ ≦３０ ５０≦ｙ₁ ≦７０ １０≦ｚ₁ ≦２０ ｘ₁ ＋ｙ₁ ＋ｚ₁ ＝１００ に選定され、 上記副層は、その厚さｔ₂ が０．１μｍ≦ｔ₃ ≦１．０
   μｍであり、組成がＦｅ_X3Ｃｏ_y3Ｎｉ_z3( ｘ₃ ，ｙ₃,ｚ
   ₃ は、それぞれ原子％）とされ、 １０≦ｘ₃ ≦２０ ５０≦ｙ₃ ≦７５ １５≦ｚ₃ ≦３０ ｘ₃ ＋ｙ₃ ＋ｚ₃ ＝１００ に選定され、 上記主層の総厚をＴ₁ とし、上記副層の総厚をＴ₃ とす
   るとき、 Ｔ₃ ／（Ｔ₁ ＋Ｔ₃ ）≦０．３ に選定されることを特徴とする請求項７に記載の薄膜磁
   気ヘッド。
9. 【請求項９】 それぞれ厚さｔ₁ が０．１μｍ≦ｔ₁ ≦
   １．８μｍであり、組成がＦｅ_X1Ｃｏ_y1Ｎｉ_z1（ｘ₁ ,
   ｙ₁ , ｚ₁ は、それぞれ原子％）で、 ２０≦ｘ₁ ≦３０ ５０≦ｙ₁ ≦７０ １０≦ｚ₁ ≦２０ ｘ₁ ＋ｙ₁ ＋ｚ₁ ＝１００ に選定されたそれぞれ軟磁性薄膜層による複数の主層
   と、 これら主層間に介在され、厚さｔ₂ が０．１μｍ≦ｔ₂
   ≦１．０μｍであり、組成がＦｅ_X2Ｎｉ_z2（ｘ₂ ，ｚ₂
   は、それぞれ原子％）で、 １５≦ｘ₂ ≦６０ ４０≦ｚ₂ ≦８５ ｘ₂ ＋ｚ₂ ＝１００ に選定された副層とを交互に、 かつ、上記主層の総厚をＴ₁ とし、上記副層の総厚をＴ
   ₂ とするとき、Ｔ₂ ／（Ｔ₁ ＋Ｔ₂ ）≦０．３となる成
   膜を行う工程を有し、 上記主層を構成する軟磁性薄膜層は、電気メッキ法によ
   って成膜し、 上記副層は、電気メッキ法、スパッタ法、イオンプレー
   ティング法、蒸着法、気相成長法のいずれかによって成
   膜することを特徴とする軟磁性膜の製造方法。
10. 【請求項１０】 それぞれ厚さｔ₁ が０．１μｍ≦ｔ₁
    ≦１．８μｍであり、組成がＦｅ_X1Ｃｏ_y1Ｎｉ
    _z1（ｘ₁ , ｙ₁ , ｚ₁ は、それぞれ原子％）で、 ２０≦ｘ₁ ≦３０ ５０≦ｙ₁ ≦７０ １０≦ｚ₁ ≦２０ ｘ₁ ＋ｙ₁ ＋ｚ₁ ＝１００ に選定されたそれぞれ軟磁性薄膜層による複数の主層
    と、 これら主層間に介在され、厚さｔ₃ が０．１μｍ≦ｔ₃
    ≦１．０μｍであり、組成がＦｅ_X3Ｃｏ_y3Ｎｉ_z3(
    ｘ₃ ，ｙ₃,ｚ₃ は、それぞれ原子％）とされ、 １０≦ｘ₃ ≦２０ ５０≦ｙ₃ ≦７５ １５≦ｚ₃ ≦３０ ｘ₃ ＋ｙ₃ ＋ｚ₃ ＝１００ に選定された副層とを交互に、 かつ、上記主層の総厚をＴ₁ とし、上記副層の総厚をＴ
    ₃ とするとき、Ｔ₃ ／（Ｔ₁ ＋Ｔ₃ ）≦０．３となる成
    膜を行う工程を有し、 上記主層を構成する軟磁性薄膜層は、電気メッキ法によ
    って成膜し、 上記副層は、上記軟磁性薄膜層の電気メッキ浴と同一の
    メッキ浴によってメッキ条件を変更する電気メッキ法に
    よって成膜することを特徴とする軟磁性膜の製造方法。
11. 【請求項１１】 軟磁性膜による磁路を有する薄膜磁気
    ヘッドの製造方法にあって、 上記軟磁性膜が、それぞれ厚さｔ₁ が０．１μｍ≦ｔ₁
    ≦１．８μｍであり、組成がＦｅ_X1Ｃｏ_y1Ｎｉ
    _z1（ｘ₁ , ｙ₁ , ｚ₁ は、それぞれ原子％）で、 ２０≦ｘ₁ ≦３０ ５０≦ｙ₁ ≦７０ １０≦ｚ₁ ≦２０ ｘ₁ ＋ｙ₁ ＋ｚ₁ ＝１００ に選定されたそれぞれ軟磁性薄膜層による複数の主層
    と、 これら主層間に介在され、厚さｔ₂ が０．１μｍ≦ｔ₂
    ≦１．０μｍであり、組成がＦｅ_X2Ｎｉ_z2（ｘ₂ ，ｚ₂
    は、それぞれ原子％）で、 １５≦ｘ₂ ≦６０ ４０≦ｚ₂ ≦８５ ｘ₂ ＋ｚ₂ ＝１００ に選定された副層とを交互に、 かつ、上記主層の総厚をＴ₁ とし、上記副層の総厚をＴ
    ₂ とするとき、Ｔ₂ ／（Ｔ₁ ＋Ｔ₂ ）≦０．３となる成
    膜を行う工程を有し、 上記主層を構成する軟磁性薄膜層は、電気メッキ法によ
    って成膜し、 上記副層は、電気メッキ法、スパッタ法、イオンプレー
    ティング法、蒸着法、気相成長法のいずれかによって成
    膜することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
12. 【請求項１２】 軟磁性膜を少なくとも一部の磁路とし
    て有する薄膜磁気ヘッドの製造方法にあって、 それぞれ厚さｔ₁ が０．１μｍ≦ｔ₁ ≦１．８μｍであ
    り、組成がＦｅ_X1Ｃｏ _y1Ｎｉ_z1（ｘ₁ , ｙ₁ , ｚ₁ は、
    それぞれ原子％）で、 ２０≦ｘ₁ ≦３０ ５０≦ｙ₁ ≦７０ １０≦ｚ₁ ≦２０ ｘ₁ ＋ｙ₁ ＋ｚ₁ ＝１００ に選定された軟磁性薄膜層による複数の主層と、 これら主層間に介在され、厚さｔ₃ が０．１μｍ≦ｔ₃
    ≦１．０μｍであり、組成がＦｅ_X3Ｃｏ_y3Ｎｉ_z3(
    ｘ₃ ，ｙ₃,ｚ₃ は、それぞれ原子％）とされ、 １０≦ｘ₃ ≦２０ ５０≦ｙ₃ ≦７５ １５≦ｚ₃ ≦３０ ｘ₃ ＋ｙ₃ ＋ｚ₃ ＝１００ に選定された副層とを交互に、 かつ、上記主層の総厚をＴ₁ とし、上記副層の総厚をＴ
    ₃ とするとき、Ｔ₃ ／（Ｔ₁ ＋Ｔ₃ ）≦０．３となる成
    膜を行う工程を有し、 上記主層を構成する軟磁性薄膜層は、電気メッキ法によ
    って成膜し、 上記副層は、上記軟磁性薄膜層の電気メッキ浴と同一の
    メッキ浴によってメッキ条件を変更する電気メッキ法に
    よって成膜することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
    方法。