JP2002183909A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッドとそれを搭載した磁気ディスク装置 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッドとそれを搭載した磁気ディスク装置

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JP2002183909A
JP2002183909A JP2000377989A JP2000377989A JP2002183909A JP 2002183909 A JP2002183909 A JP 2002183909A JP 2000377989 A JP2000377989 A JP 2000377989A JP 2000377989 A JP2000377989 A JP 2000377989A JP 2002183909 A JP2002183909 A JP 2002183909A
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玄 及川
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 強い記録磁界を発生させる記録ヘッドを実現
するための磁極の材料、構造及び製法を提供する。 【解決手段】Co、Ni及びFeを含有するスパッタ磁性膜に
よるめっき下地膜３上に、Co、Ni及びFeを含有するめっ
き磁性膜４を形成した磁極層を用いた薄膜磁気ヘッドと
する。また、40≦Co≦70wt％、10≦Ni≦25wt％、10≦Fe
≦30wt％であり、かつ、X線回折におけるピーク強度比
がI(200)/I(111)≧0.5、かつI(110)／I（111）≧1であ
るCoNiFe磁性膜を磁極層に用いた薄膜磁気ヘッドとす
る。（面心立方晶fcc（111）面、fcc（200）面、及び体
心立方晶bcc(110)面のピーク強度をそれぞれI(111)，I
(200)，I(110)とする）。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等の記録・再生に用いられる薄膜磁気ヘッド及びその製
造方法さらにはそれを搭載した磁気ディスク装置及びデ
ィスクアレイ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の高記録密度化に伴
い、記録媒体の高保磁力化が進み、記録ヘッドの磁気コ
ア材料としては高保磁力媒体に十分書きこめるだけの磁
界がだせる飽和磁束密度(Bs)の高い材料が要求されてい
る。高飽和磁束密度を有する材料としては，特開平6-89
422号、特開平8-241503号や特開平6-346202号、特開平7
-3489号に記載のように、現在磁気コア材として採用さ
れているNi45Fe55（Bs:1.6T）より高いBsを有するCoNiF
e（Bs＞1.7T）がある。また，特許公報第2821456号には
めっき液組成としてサッカリンナトリウムを添加しない
浴を用いてさらにBsの高いめっき膜を作製する方法が開
示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】高記録密度の磁気ディ
スク装置を実現するためには、高保磁力媒体に十分書き
こめるだけの磁界がだせる飽和磁束密度(Bs)の高い材料
を用い、より強い磁界を発生させるために磁気コアを安
定にかつ膜厚を厚く形成可能な製膜技術が必要である。
【０００４】特許公報第２８２１４５６号に記載のある
ように、応力緩和剤を含まない浴から作製したＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｆｅ軟磁性材料膜は、Ｂｓが１．９Ｔ以上、Ｈｃｈ
が2.5Oe以下という特性を有するものであるが、めっき
膜の応力が大きいため、膜厚2.0μｍ以上の膜に剥離が
生じ、成膜が困難である。
【０００５】また、特開平６−３４６２０２号公報に記
載のあるように、応力緩和剤を含む浴から作製したＣｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ軟磁性材料膜では、Ｈｃｈ＝0.4 Oe程度と
いう、保磁力の低い膜が得られているが、X線回折にお
けるfcc（111）面、fcc（200）面、bcc(110)面のピーク
強度を、それぞれI(111)，I(200)，I(110)とすると、ピ
ーク強度比が0.1≦I(200)/I(111)≦0.2と実質的に面心
立方晶とし、かつ膜作成後に熱処理を施さなければこの
ような膜を得ることができなかった。また、このような
面心立方晶にごく微量の体心立方晶を含む領域では、膜
組成がずれると膜の表面形状に凹凸が増え、白濁してし
まい、光沢膜が得られなくなってしまうという問題があ
った。
【０００６】以上の公知例からも明らかなように、高飽
和磁束密度を有し、かつ、高記録密度に対応する十分な
磁界が発生できる磁気ヘッドを安定して量産するのは困
難であった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
ために、本発明では Co、Ni及びFeを含有する磁性膜を
スパッタ法により形成してめっき下地膜とし、該めっき
下地膜上にCo、Ni及びFeを含有する磁性膜を電気めっき
法により形成して磁極層を作成ことを特徴とする。ま
た、前記めっき膜及び前記めっき下地膜であるスパッタ
膜中にCo、Ni、Feがそれぞれ40≦Co≦70wt％、10≦Ni≦
25wt％、10≦Fe≦30wt％含まれることを特徴とする。ま
た、めっき下地膜であるスパッタ膜はX線回折においてb
ccのみが観測され、かつ、前記めっき膜のX線回折にお
けるfcc（111）面、fcc（200）面、bcc(110)面のピーク
強度を、それぞれI(111)，I(200)，I(110)とすると、ピ
ーク強度比がI(200)/I(111)≧0.5、かつI(110)／I（11
1）≧1であることを特徴とする。
【０００８】ピーク強度比I(200)/I(111)、I(110)/I(11
1)が小さいということは、面心立方晶fcc(111)面に強く
配向していることを意味し、特開平6-34620号公報や特
許公報第2821456号に記載の実質的にfccである膜はこれ
に属する。しかし、本発明では面心立方晶相と体心立方
晶相の構成比（磁性膜中における体心立方晶相、面心立
方晶の占める比率）が40≦体心立方晶相≦80％、20％≦
面心立方晶≦60％、ただし、面心立方晶相+体心立方晶
相＝100％である軟磁性薄膜を用いたことを特徴とする
ので、ピーク強度比はI(200)/I(111)≧0.5、かつI(110)
／I（111）≧1であればよい。また、本発明のように体
心立方晶相が多く膜に含まれることにより、膜組成のず
れが生じても膜の表面形状には影響なく、光沢ある膜を
安定して作製することができる。
【０００９】また、めっき下地膜にもCoNiFe膜を用いる
ことにより、めっき膜の結晶性が良好になり、本発明の
ような配向性の制御も容易になる。また、CoNiFe膜を記
録ヘッドの上部磁極の一部または全部に用いる場合、下
地膜は下部磁極との磁気ギャップ側に位置するため、た
とえばパーマロイ膜などを下地膜に用いるとめっき膜よ
りも飽和磁束密度が小さくなり、書きこみ磁界が低減し
てしまうのに対し、本発明のようにCoNiFe膜を用いれ
ば、めっき膜と同等以上の飽和磁束密度を有するため、
ヘッドの特性は良好となる。さらに、異種金属が積層さ
れることにより、電池反応が生じ、CoNiFeめっき膜が腐
食するおそれもあるが、本発明のように下地膜にもCoNi
Fe膜を用いればそのような腐食も生じない。また、本発
明のCoNiFe磁性薄膜はめっき浴中に応力緩和剤としてサ
ッカリンナトリウムを含んだめっき浴から作製してサッ
カリンナトリウムを含んだCoNiFe磁性めっき膜とするこ
とを特徴とし、浴温度25℃〜35℃、電流密度3〜12ｍA/
ｃｍ２、ｐH3.2〜4.0の範囲で電気めっきを行うことを
特徴とする。このようなめっき条件でめっきを行うこと
により、3μｍ以上の厚膜化も可能である。
【００１０】さらに、本発明により得られる軟磁性膜の
磁気特性は、飽和磁束密度Bsが17500ガウス≦Bs＜20000
ガウスであり、困難軸方向の保磁力HchがHch＜1.5Oeで
あることを特徴とし、下地膜の飽和磁束密度がめっき膜
のBsよりも大きいことを特徴とする。特開平7-3489では
ピーク強度比がI(200)/I(111)＞0.2で保磁力が大きくな
るという記載があるが、本研究では保磁力Hch＜1.5Oeを
達成しており、実用上問題はない。
【００１１】また、磁気抵抗効果素子を再生素子に用
い、記録用素子に誘導型磁気ヘッドを用いた、記録再生
分離型薄膜磁気ヘッドにおいて、記録ヘッドの下部およ
び上部磁気コアの一部または全部に前記CoNiFe軟磁性膜
を用いることにより、保磁力4000 Oe以上の記録媒体に
記録が可能である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明を実施例を用いて詳
細に説明する図1は本発明の第１の実施の形態におけ
る、薄膜磁気ヘッドの記録ヘッドの磁極層のプロセスフ
ローを示す。(a)再生ヘッドが形成された基板1上に46Ni
Fe膜2を作製後、到達真空度5×10-5Pa以上で、Arガスを
スパッタ室内に導入し、ＣｏＮｉＦｅ合金ターゲットを
用いてＤＣまたはRFスパッタ法によりめっき下地膜CoNi
Fe膜3を100nm形成する。このとき、密着層として非磁性
金属を5nm程度形成してもよい。Co,Ni,Feをイオンとし
て含み、さらに応力緩和剤としてサッカリンナトリウム
を1.5ｇ/ｌ含んだめっき液を用い、この上に表1に示す
条件でCoNiFe膜4を電気めっき法で作製する。(b)さらに
この上に磁気ギャップ膜5を形成する。磁気ギャップ膜
としては、Al2O3,SiO2などの絶縁膜を単層または積層し
て用いる。この上にめっき下地膜としてCoNiFe膜3を前
述と同様にスパッタ法により形成する。(c) 上部磁気コ
アを形成するためのレジストフレーム5を作製し、これ
を所望の形状にパターニング後、CoNiFe膜4、46NiFe膜6
を順次めっき法にて作製する。なお、ここでは上部及び
下部磁極の一部に46NiFe膜を用いたが、すべて本発明に
よるCoNiFe膜を用いてもかまわない。
【００１３】表１ めっき浴温度 30℃ ｐH 3.5 電流密度 6mA/cm2 Co++ 5 ｇ/ｌ Ni++ 15ｇ/ｌ Fe++ 2ｇ/ｌサッカリンナトリウム 1.5ｇ/ｌ (d)レジスト、下地膜を除去し、さらに上部、下部磁気
コアを所定のトラック幅に加工するため、トリミング工
程を行う。
【００１４】なお、表１にめっき条件を示したが、表２
に示す範囲において、図2に示す組成範囲すなわち40≦C
o≦70wt％、10≦Ni≦25wt％、10≦Fe≦30wt％のCoNiFe
膜を作製することができ、本発明の目的を達成できる。
【００１５】表2 めっき浴温度 25〜35℃ ｐH 3.2〜4.0 電流密度 3〜12mA/cm2 Co++ 2〜20 ｇ/ｌ Ni++ 5〜30ｇ/ｌ Fe++ 1〜4ｇ/ｌサッカリンナトリウム 0.5〜2.0ｇ/ｌ また、サッカリンナトリウムは図3に示すように、0.5ｇ
/ｌ程度めっき液に添加すれば、膜の応力は約200Mpa程
度まで低減できる。しかし、2.5ｇ/ｌ以上添加しても応
力はほとんど変化しない。また、膜中のS量が増加し耐
食性が劣化してしまうため、添加量は0.5〜2.0ｇ/ｌが
最適である。
【００１６】図4にCoNiFe膜のX線回折パターンを示す。
(a)はスパッタ法により作製したCoNiFe膜、(b)は本発明
により、(a)の下地膜上に電気めっき法により作製したC
oNiFe膜、(c)は従来法により作製したCoNiFe膜である。
スパッタ法により作製したCoNiFe膜は、体心立方晶相の
み観測される。さらに、この膜の上に作製したCoNiFeめ
っき膜は面心立方晶相と体心立方晶相が観測され、面心
立方晶fcc（111）面、fcc（200）面、及び体心立方晶bc
c(110)面のピーク強度を、それぞれI(111)，I(200)，I
(110)とすると、ピーク強度比はI(200)/I(111)＝1.62、
I(110)／I（111）＝4.9である。さらに、ピーク分割に
より構成比を求めると、体心立方晶相が53％、面心立方
晶相が47％であった。これに対し、従来法で作製した膜
はほとんど面心立法晶相であり、ごくわずかの体心立方
晶相が観測された。なお、X線回折のピーク強度比はI(2
00)/I(111)≧0.5、かつI(110)／I（111）≧1であれば、
本発明の目的を達成できる。また、面心立方晶相と体心
立方晶相の構成比が40≦体心立方晶相≦80％、20％≦面
心立方晶≦60％、ただし、面心立方晶相+体心立方晶相
＝100であれば同様に本発明の目的を達成できる。
【００１７】図5は本発明により作製したCoNiFe膜のB-H
曲線を示している。前記磁性膜の磁気特性は、飽和磁束
密度Bsが18200ガウスであり、困難軸方向の保磁力Hchが
0.7 Oeである。Bsは17500ガウス≦Bs＜20000ガウス、Hc
h＜1.5Oeであれば、本発明の目的を達成する。
【００１８】図6は本発明により作製したCoNiFe膜を記
録ヘッドの上部、下部磁気コアの一部に使用した、記録
再生分離型薄膜磁気ヘッドの断面図を示す。非磁性基板
上に下部シールド膜、下部磁気ギャップ膜を形成しこの
上に再生用素子としてMRまたはGMRセンサを形成する。
磁区制御層、電極膜を形成後、上部磁気ギャップ膜、上
部磁気シールド膜を形成する。さらに再生素子と記録素
子の磁気ギャップ膜を形成し、その上に下部磁気コアを
形成する。下部磁気コアとして46NiFe膜をめっき法で形
成し、さらにCoNiFe膜をスパッタリングで100nm形成
後、めっき法でCoNiFe膜を所定の厚さまでめっきした。
つづいて磁気ギャップ膜を形成する。記録電流を印加す
るためのコイル、及び有機絶縁層を形成後、CoNiFe膜を
スパッタリングで100nm形成後、上部磁気コアを形成す
るためのレジストフレームを作製し、CoNiFe膜、46NiFe
膜を順次めっき法にて作製する。レジスト、下地膜を除
去し、さらに上部、下部磁気コアを所定のトラック幅に
加工するため、トリミング工程を行う。さらにコイル、
及び有機絶縁層を形成し、46NiFe膜をフレームめっきす
る。このようにして作製した記録再生分離型薄膜磁気ヘ
ッドは良好な記録特性を示し、高保磁力媒体にも十分記
録可能であることを確認した。
【００１９】の添加量は0.5〜2ｇ/ｌとするのがよい。
【００２０】図7は本発明により作製した薄膜磁気ヘッ
ドを搭載した磁気ディスク装置の構成図である。磁気デ
ィスク装置は情報を記録する磁気ディスクと磁気ディス
クを回転させるモーターと磁気ディスクに情報を書き込
みまたは磁気ディスクから情報を読み出す磁気ヘッドと
磁気ディスクの目標位置に決めるアクチュエータ及びボ
イスコイルモータとを備えている。また、磁気ヘッドが
取り付けられ、磁気ディスクとのサブミクロンスペース
を安定に維持するためのばねとばねが固定され、前記ア
クチュエータおよびボイスコイルモータにより駆動され
るガイドアームを備えている。さらに、図示していない
が、磁気ディスク回転制御系、ヘッド位置決め制御系、
記録/再生信号処理系とからなる。この構成により、高
記録密度の磁気ディスク装置が実現できる。
【００２１】
【発明の効果】本発明における磁気ヘッド構成とするこ
とにより、強い記録磁界を発生させることができ、高記
録密度対応の薄膜磁気ヘッドの供給が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】薄膜磁気ヘッドの記録ヘッドの磁極層のプロセ
スフローを示す図。
【図２】本発明により得られるCoNiFe膜の組成範囲を示
す３元系図。
【図３】サッカリンナトリウムの添加量とCoNiFe膜の膜
応力の関係を示す図。
【図４】CoNiFe膜のX線回折パターンを示す図。
【図５】本発明によるCoNiFe膜のB-H曲線。
【図６】本発明により作製したCoNiFe膜を記録ヘッドの
上部、下部磁気コアの一部に使用した、記録再生分離型
薄膜磁気ヘッドの断面図を示す図。
【図７】本発明の実施の形態における磁気ディスク装置
の構成を示す斜視図。
【符号の説明】
１…磁気ディスク、２…支持体、３…磁気ヘッド、４…
磁化信号、５…巨大磁気抵抗効果膜、６…電極、７…磁
気コア、８…絶縁膜、９…導体コイル、１０…下部シ−
ルド、11…上部シ−ルド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｈ０１Ｆ 41/18 (72)発明者 芳田 伸雄 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 府山 盛明 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 斉木 教行 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 及川 玄 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 川辺 隆 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 森尻 誠 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 Ｆターム(参考） 4K023 AB19 CB07 CB12 CB21 DA02 4K024 AA15 AB02 BB14 BC10 CA03 CA04 CA06 GA16 4K029 BA24 BB02 BC06 BD11 CA05 DC04 5D033 BA01 BA03 BA07 BA08 DA03 DA04 DA31 5E049 AA04 AA09 AC05 BA12 GC01 LC01

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】Co、Ni及びFeを含有する磁性膜をスパッタ
    法により形成し、該磁性膜上にCo、Ni及びFeを含有する
    磁性膜を電気めっき法により形成して磁極層を作成する
    ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項２】40≦Co≦70wt％、10≦Ni≦25wt％、10≦Fe
    ≦30wt％の組成からなるCo、Ni及びFeを含有する磁性膜
    をスパッタ法により形成し、該磁性膜上に40≦Co≦70wt
    ％、10≦Ni≦25wt％、10≦Fe≦30wt％の組成からなるC
    o、Ni及びFeを含有す磁性膜を電気めっき法により形成
    して磁極層を作成することを特徴とする薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  3. 【請求項３】前記スパッタ法により形成された磁性膜は
    主として体心立方晶相からなり、前記電気めっき法によ
    り形成された磁性膜はX線回折における面心立方晶fcc
    （111）面、fcc（200）面、及び体心立方晶bcc(110)面
    のピーク強度を、それぞれI(111)，I(200)，I(110)とす
    ると、ピーク強度比がI(200)/I(111)≧0.5、かつI(110)
    ／I（111）≧1であることを特徴とする請求項１または
    ２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  4. 【請求項４】前記電気めっき法により形成された磁性膜
    は、面心立方晶相と体心立方晶相の構成比が40≦体心立
    方晶相≦80％、20％≦面心立方晶≦60％、且つ、面心立
    方晶相+体心立方晶相＝100％であることを特徴とする請
    求項１乃至３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  5. 【請求項５】前記電気めっき法により形成された磁性膜
    は、サッカリンナトリウムを含有することを特徴とする
    請求項１乃至４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  6. 【請求項６】前記電気めっき法により形成された磁性膜
    は、0.5〜2ｇ/ｌのサッカリンナトリウムを含むめっき
    浴から形成されることを特徴とする請求項５記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  7. 【請求項７】前記電気めっき法により形成された磁性膜
    は、めっき浴温度25℃〜35℃、電流密度3〜12ｍA/ｃｍ
    ２、ｐH3.2〜4.0の範囲で電気めっきを行うことにより
    形成されることを特徴とする請求項１乃至６記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  8. 【請求項８】前記電気めっき法により形成された磁性膜
    の飽和磁束密度（Bs）は、前記スパッタ法により形成さ
    れた磁性膜の飽和磁束密度よりも大きいことを特徴とす
    る請求項１乃至７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  9. 【請求項９】Co,Ni及びFeを主成分とし、各元素の含有
    量がそれぞれ、40≦Co≦70wt％、10≦Ni≦25wt％、10≦
    Fe≦30wt％であり、かつ、X線回折における面心立方晶f
    cc（111）面、fcc（200）面、及び体心立方晶bcc(110)
    面のピーク強度を、それぞれI(111)，I(200)，I(110)と
    すると、ピーク強度比がI(200)/I(111)≧0.5、かつI(11
    0)／I（111）≧1である磁性層を有する磁極層を備えた
    ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  10. 【請求項１０】40wt%≦Co≦70wt％、10≦Ni≦25wt％、1
    0≦Fe≦30wt％の組成からなるCo,Ni及びFeを含有し、面
    心立方晶相と体心立方晶相とから構成され、該面心立方
    晶相と体心立方晶相の構成比が40％≦体心立方晶相≦80
    ％、20％≦面心立方晶≦60％である磁性膜を有する磁極
    層を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】前記磁性膜は、サッカリンナトリウムを
    含有することを特徴とする請求項９乃至１０記載の薄膜
    磁気ヘッド。
  12. 【請求項１２】前記磁性膜の磁気特性は、飽和磁束密度
    Bsが17500ガウス≦Bs＜20000ガウスであり、困難軸方向
    の保磁力HchがHch＜1.5Oeであることを特徴とする請求
    項９乃至１１記載の薄膜磁気ヘッド。
  13. 【請求項１３】磁気抵抗効果素子を用いた再生ヘッド
    と、ギャップを介した一対の磁極を用いた記録ヘッドと
    を備えた磁気ヘッドにおいて、前記磁極の少なくとも一
    部に、40wt%≦Co≦70wt％、10wt%≦Ni≦25wt％、10wt%
    ≦Fe≦30wt％の組成からなるCo,Ni及びFeを含有し、か
    つ、X線回折におけるfcc（111）面、fcc（200）面、bcc
    (110)面のピーク強度を、それぞれI(111)，I(200)，I(1
    10)とすると、ピーク強度比がI(200)/I(111)≧0.5、か
    つI(110)／I（111）≧1である磁性膜を有することを特
    徴とする磁気ヘッド。
  14. 【請求項１４】保磁力4000 Oe以上の磁気記録媒体と、
    磁気抵抗効果素子を用いた再生ヘッドと、ギャップを介
    した一対の磁極を用いた記録ヘッドとを備え、前記磁極
    の少なくとも一部に、40wt%≦Co≦70wt％、10wt%≦Ni≦
    25wt％、10wt%≦Fe≦30wt％の組成からなるCo,Ni及びFe
    を含有し、かつ、X線回折におけるfcc（111）面、fcc
    （200）面、bcc(110)面のピーク強度を、それぞれI(11
    1)，I(200)，I(110)とすると、ピーク強度比がI(200)/I
    (111)≧0.5、かつI(110)／I（111）≧1である磁性膜を
    有する磁気ヘッドとを具備することを特徴とする磁気記
    録装置。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003198002A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果膜および強磁性積層構造体
US6778358B1 (en) 2002-05-01 2004-08-17 Western Digital (Fremont), Inc. Magnetically soft, high saturation magnetization laminates of iron-cobalt-nitrogen and iron-nickel
US7522377B1 (en) * 2002-05-01 2009-04-21 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic write head with high moment magnetic thin film formed over seed layer
US7688545B1 (en) * 2002-09-11 2010-03-30 Seagate Technology Llc Recording head writer with high magnetic moment material at the writer gap and associated process
JP4183554B2 (ja) * 2002-09-12 2008-11-19 Ｔｄｋ株式会社 軟磁性膜の製造方法と薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP4047115B2 (ja) * 2002-09-13 2008-02-13 アルプス電気株式会社 軟磁性膜及びこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、ならびに、前記軟磁性膜の製造方法
JP4523460B2 (ja) * 2005-03-09 2010-08-11 ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ 磁性膜とその製造方法及びこれを使用した薄膜磁気ヘッドと磁気ディスク装置
JP4759455B2 (ja) * 2006-06-19 2011-08-31 ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ 磁気シールド及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド
JP2007335790A (ja) * 2006-06-19 2007-12-27 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁性膜及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド
JP2009151834A (ja) * 2007-12-18 2009-07-09 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US8449948B2 (en) * 2009-09-10 2013-05-28 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for corrosion protection of layers in a structure of a magnetic recording transducer
US9135930B1 (en) 2014-03-06 2015-09-15 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic write pole using vacuum deposition
CN108806726B (zh) * 2018-05-04 2019-11-15 佛山科学技术学院 一种智能磁敏设备存储方法及装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5982624A (ja) * 1982-10-13 1984-05-12 Toray Ind Inc 薄膜型磁気記録媒体
JPH0689422A (ja) 1992-09-08 1994-03-29 Fujitsu Ltd コバルト−鉄−ニッケル磁性膜の製造方法
JP3201892B2 (ja) 1993-04-23 2001-08-27 ティーディーケイ株式会社 軟磁性薄膜とそれを用いた磁気インダクティブｍｒヘッド
JP3229718B2 (ja) 1993-06-11 2001-11-19 ティーディーケイ株式会社 軟磁性合金、軟磁性薄膜および多層膜
JPH08212512A (ja) * 1995-02-03 1996-08-20 Hitachi Ltd 磁気記憶装置及びそれに用いる薄膜磁気ヘッドとその製造方法
JPH08241503A (ja) 1995-03-03 1996-09-17 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JPH09320885A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Read Rite S M I Kk 磁性薄膜および磁性薄膜の製造方法
EP0831541A3 (en) * 1996-09-19 1999-05-06 TDK Corporation Ferromagnetic tunnel junction, magnetoresistive element and magnetic head
JP2821456B1 (ja) * 1997-07-03 1998-11-05 学校法人早稲田大学 コバルト・鉄・ニッケル磁性薄膜とその製造方法，及びそれを用いた複合型薄膜磁気ヘッドと磁気記憶装置
US6239948B1 (en) * 1999-07-23 2001-05-29 Headway Technologies, Inc. Non-magnetic nickel containing conductor alloys for magnetic transducer element fabrication
JP3473684B2 (ja) * 1999-11-08 2003-12-08 日本電気株式会社 磁気ヘッドおよびその製造方法、それを用いる磁気記録再生装置
JP3623417B2 (ja) 1999-12-03 2005-02-23 アルプス電気株式会社 スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド

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