JP3473684B2 - 磁気ヘッドおよびその製造方法、それを用いる磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気ヘッドおよびその製造方法、それを用いる磁気記録再生装置Info
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記憶装置に用
いる磁気ヘッド、その製造方法、ならびに係る磁気ヘッ
ドを利用する磁気記憶装置に関する。より具体的には、
新規な構成の磁気記録用ヘッドを具える巨大磁気抵抗効
果型の磁気ヘッドに関する。
いる磁気ヘッド、その製造方法、ならびに係る磁気ヘッ
ドを利用する磁気記憶装置に関する。より具体的には、
新規な構成の磁気記録用ヘッドを具える巨大磁気抵抗効
果型の磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記憶装置の小型化および大容量化に
伴って、磁気媒体上に記録される１ビット当りの体積が
急速に小さくなって来ている。この微小なビットから発
生する磁気信号を大きな再生出力として検出できるの
が、磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）
である。このＭＲヘッドについては、アイ イー イー
イー トランザクションズ オン マグネチックス（IE
EE Transactions on Magnetics） MAG7 (1971) 150 に
おいて、「A Magnetoresistivity Readout Transduce
r」として論じられている。更に最近では、この従来の
ＭＲヘッドよりも、大幅な高出力化を実現できる巨大磁
気抵抗効果（以下、ＧＭＲ効果と略す）を用いる巨大磁
気抵抗効果型ヘッド（以下、ＧＭＲ効果型ヘッドと略
す）が実用化されてきている。
伴って、磁気媒体上に記録される１ビット当りの体積が
急速に小さくなって来ている。この微小なビットから発
生する磁気信号を大きな再生出力として検出できるの
が、磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）
である。このＭＲヘッドについては、アイ イー イー
イー トランザクションズ オン マグネチックス（IE
EE Transactions on Magnetics） MAG7 (1971) 150 に
おいて、「A Magnetoresistivity Readout Transduce
r」として論じられている。更に最近では、この従来の
ＭＲヘッドよりも、大幅な高出力化を実現できる巨大磁
気抵抗効果（以下、ＧＭＲ効果と略す）を用いる巨大磁
気抵抗効果型ヘッド（以下、ＧＭＲ効果型ヘッドと略
す）が実用化されてきている。
【０００３】このＧＭＲ効果は、磁気抵抗変化を与える
機構の差異により、幾つかに分類がなされる。そのう
ち、スピンバルブ効果と一般に呼ばれる磁気抵抗効果
は、抵抗の変化が２枚の隣接する磁性層の磁化方向間の
余弦と対応するので、小さな動作磁界で大きな抵抗変化
を起こすことができる。この利点から、スピンバルブ効
果を用いるＧＭＲ効果型ヘッドが、現在開発が進められ
ているＧＭＲ効果型ヘッドの本命となっている。
機構の差異により、幾つかに分類がなされる。そのう
ち、スピンバルブ効果と一般に呼ばれる磁気抵抗効果
は、抵抗の変化が２枚の隣接する磁性層の磁化方向間の
余弦と対応するので、小さな動作磁界で大きな抵抗変化
を起こすことができる。この利点から、スピンバルブ効
果を用いるＧＭＲ効果型ヘッドが、現在開発が進められ
ているＧＭＲ効果型ヘッドの本命となっている。
【０００４】このスピンバルブ効果を用いるＧＭＲ効果
型ヘッドについて、アイ イー イー イー トランザ
クションズ オン マグネチックス（IEEE Transaction
s onMagnetics） Vol.30, No.6 (1994) 3801 におい
て、「Design, Fabrication &Testing of Spin-Valve R
ead Heads for High Density Recording」として論じら
れている。この文献に開示されるＧＭＲヘッドにおい
て、スピンバルブ効果を発生させる２枚の磁性層の内、
一方の磁性層は、この磁性層に反強磁性膜を積層した構
造とされている。その結果、両者間で発生する交換結合
磁界によって、ヘッド感磁部に進入する媒体磁界の方向
に実質的に揃うように磁化が固定され、磁化固定層とな
っている。もう一方の磁性層は、この磁化固定層とＣｕ
等の導電層とを介して隣接しており、媒体磁界に対して
自由に磁化方向を変えることができる磁化自由層となっ
ている。以下では、主にこのスピンバルブ効果を用いる
ＧＭＲ効果型ヘッドに関して記述するので、スピンバル
ブ効果を用いるＧＭＲ効果型ヘッドを「ＧＭＲヘッド」
と称する。
型ヘッドについて、アイ イー イー イー トランザ
クションズ オン マグネチックス（IEEE Transaction
s onMagnetics） Vol.30, No.6 (1994) 3801 におい
て、「Design, Fabrication &Testing of Spin-Valve R
ead Heads for High Density Recording」として論じら
れている。この文献に開示されるＧＭＲヘッドにおい
て、スピンバルブ効果を発生させる２枚の磁性層の内、
一方の磁性層は、この磁性層に反強磁性膜を積層した構
造とされている。その結果、両者間で発生する交換結合
磁界によって、ヘッド感磁部に進入する媒体磁界の方向
に実質的に揃うように磁化が固定され、磁化固定層とな
っている。もう一方の磁性層は、この磁化固定層とＣｕ
等の導電層とを介して隣接しており、媒体磁界に対して
自由に磁化方向を変えることができる磁化自由層となっ
ている。以下では、主にこのスピンバルブ効果を用いる
ＧＭＲ効果型ヘッドに関して記述するので、スピンバル
ブ効果を用いるＧＭＲ効果型ヘッドを「ＧＭＲヘッド」
と称する。
【０００５】図４は、ＧＭＲヘッドの構造の一例を示す
図であり、ＧＭＲヘッドを媒体と対向する面であるエア
ベアリング サーフェイス（ＡＢＳ）から見た図を示
す。また、図３は、図４中に線ＡＢで示す断面におけ
る、ＧＭＲヘッドの内部構成を示す断面図である。再生
と書き込み用素子が複合された構成となっている。再生
用ＧＭＲ素子は、スライダとなるセラミック１上に、積
層された下シールド２及び上シールド６の間に、絶縁体
から成る磁気分離層３が設けられている。その中央領域
４には、ＧＭＲ効果を発生させるスピンバルブ積層構造
体が配置され、この中央領域４の両端に、スピンバルブ
積層構造体に電流とバイアス磁界とを供給するための端
部領域５が形成されている。
図であり、ＧＭＲヘッドを媒体と対向する面であるエア
ベアリング サーフェイス（ＡＢＳ）から見た図を示
す。また、図３は、図４中に線ＡＢで示す断面におけ
る、ＧＭＲヘッドの内部構成を示す断面図である。再生
と書き込み用素子が複合された構成となっている。再生
用ＧＭＲ素子は、スライダとなるセラミック１上に、積
層された下シールド２及び上シールド６の間に、絶縁体
から成る磁気分離層３が設けられている。その中央領域
４には、ＧＭＲ効果を発生させるスピンバルブ積層構造
体が配置され、この中央領域４の両端に、スピンバルブ
積層構造体に電流とバイアス磁界とを供給するための端
部領域５が形成されている。
【０００６】さらに、上シールド６を第一の磁極６と
し、この第一の磁極６の前記再生用ＧＭＲ素子と反対側
の面（上面）に、磁気ギャップ７を介して、第二の磁極
１１（以後、上磁極と呼ぶ）が第一の磁極６と平行に積
層されている。図３に示すように、第一の磁極６、第二
の磁極１１の少し奥には、絶縁体８および絶縁体１０で
挟まれたコイル９を配置する。このコイル９からの発生
磁界によって磁化された第一の磁極磁極６、第二の磁極
１１間の磁気ギャップ７から漏れる磁束によって媒体へ
の書き込み・記録を行う。このインダクティブによる記
録ヘッド（以下、ＩＤヘッドと称す）と上記のＧＭＲに
よる再生ヘッドは、一体に積層された構造を形成する。
実用的なＧＭＲヘッドは、基本的に、図４に示すような
ＩＤヘッドと再生ヘッドが複合された構造をとる。
し、この第一の磁極６の前記再生用ＧＭＲ素子と反対側
の面（上面）に、磁気ギャップ７を介して、第二の磁極
１１（以後、上磁極と呼ぶ）が第一の磁極６と平行に積
層されている。図３に示すように、第一の磁極６、第二
の磁極１１の少し奥には、絶縁体８および絶縁体１０で
挟まれたコイル９を配置する。このコイル９からの発生
磁界によって磁化された第一の磁極磁極６、第二の磁極
１１間の磁気ギャップ７から漏れる磁束によって媒体へ
の書き込み・記録を行う。このインダクティブによる記
録ヘッド（以下、ＩＤヘッドと称す）と上記のＧＭＲに
よる再生ヘッドは、一体に積層された構造を形成する。
実用的なＧＭＲヘッドは、基本的に、図４に示すような
ＩＤヘッドと再生ヘッドが複合された構造をとる。
【０００７】一方、従来型の磁気異方性を用いるＭＲヘ
ッドにおいても、高密度化を目標とした改善・改良が進
められ、１平方インチ当たり３ギガビット程度までの高
密度化に対応できるまでに至っている。それに伴い、次
世代のＧＭＲヘッドに要望される記録密度は、１平方イ
ンチ当たり３ギガビット以上の高密度記録領域となって
いる。従って、実用上意味のあるＧＭＲヘッドは、１平
方インチ当たり３ギガビット以上の高密度記録・再生を
実現する必要がある。このＧＭＲヘッドを用いて構築さ
れる磁気記憶装置は、１平方インチ当たり３ギガビット
以上の高密度記録・再生装置となる。
ッドにおいても、高密度化を目標とした改善・改良が進
められ、１平方インチ当たり３ギガビット程度までの高
密度化に対応できるまでに至っている。それに伴い、次
世代のＧＭＲヘッドに要望される記録密度は、１平方イ
ンチ当たり３ギガビット以上の高密度記録領域となって
いる。従って、実用上意味のあるＧＭＲヘッドは、１平
方インチ当たり３ギガビット以上の高密度記録・再生を
実現する必要がある。このＧＭＲヘッドを用いて構築さ
れる磁気記憶装置は、１平方インチ当たり３ギガビット
以上の高密度記録・再生装置となる。
【０００８】また、ＧＭＲヘッドに限らず、再生用ヘッ
ドの高出力化とともに、磁気媒体への記録機能を担うＩ
Ｄヘッドに対しても、常に高密度な記録性能の向上が求
められている。特に、上記のような高密度な記録を行う
場合、磁気媒体の高保磁力化がさらに求められる。すな
わち、記録密度の向上を図るに際し、媒体上に記録され
る磁化の遷移長を小さくするため、また、１ビット当り
の磁化長が短くなっても磁化を安定に保持するため、磁
気媒体の更なる高保磁力化で求められる。従来より、高
密度記録に適した高保磁力媒体に記録を行えるように、
ＩＤヘッド自体の記録磁界を増大させるための開発が精
力的に進められている。
ドの高出力化とともに、磁気媒体への記録機能を担うＩ
Ｄヘッドに対しても、常に高密度な記録性能の向上が求
められている。特に、上記のような高密度な記録を行う
場合、磁気媒体の高保磁力化がさらに求められる。すな
わち、記録密度の向上を図るに際し、媒体上に記録され
る磁化の遷移長を小さくするため、また、１ビット当り
の磁化長が短くなっても磁化を安定に保持するため、磁
気媒体の更なる高保磁力化で求められる。従来より、高
密度記録に適した高保磁力媒体に記録を行えるように、
ＩＤヘッド自体の記録磁界を増大させるための開発が精
力的に進められている。
【０００９】従来、ＩＤヘッドの磁気コアには、Ｎｉの
含有率が８０％程度のＮｉ−Ｆｅ（以下、８０ＮｉＦｅ
と略す）のめっき膜が使用されてきた。この８０ＮｉＦ
ｅ材料は、１Ｔ（テスラ）程度の飽和磁化（Ｂｓ）を持
ち、１平方インチ当たり３ギガビットの記録を行えるこ
とが、アイ イー イー イー トランザクションズオ
ン マグネチックス（IEEE Transactions on Magnetic
s） Vol.32, No.1 (1996) pp.7-12 に、「3 Gb/in2 rec
ording demonstration with dual element heads & thi
n film disks」として、報じられている。
含有率が８０％程度のＮｉ−Ｆｅ（以下、８０ＮｉＦｅ
と略す）のめっき膜が使用されてきた。この８０ＮｉＦ
ｅ材料は、１Ｔ（テスラ）程度の飽和磁化（Ｂｓ）を持
ち、１平方インチ当たり３ギガビットの記録を行えるこ
とが、アイ イー イー イー トランザクションズオ
ン マグネチックス（IEEE Transactions on Magnetic
s） Vol.32, No.1 (1996) pp.7-12 に、「3 Gb/in2 rec
ording demonstration with dual element heads & thi
n film disks」として、報じられている。
【００１０】しかしながら、１平方インチ当たり5ギガ
ビット以上の記録を行うためには、８０ＮｉＦｅに代え
て、例えば、Ｎｉの含有率が４５％程度のＮｉ−Ｆｅ
（以下、４５ＮｉＦｅと略す）のめっき膜を利用するこ
とが有用であることが、アイイー イー イー トラン
ザクションズ オン マグネチックス（IEEE Transacti
ons on Magnetics） Vol.33, No.5 (1997) pp.2866-287
1の、「5 Gb/in2 recording demonstration with conve
ntional AMR dual element heads & thin filmdisks」
に提案されている。この４５ＮｉＦｅ材料は、最大で
１．６Ｔ程度の飽和磁化を持つ。さらには、この４５Ｎ
ｉＦｅ材料を利用すると、１平方インチ当たり１２ギガ
ビット程度の記録も可能となることが、アイ イー イ
ー イートランザクションズ オン マグネチックス
（IEEE Transactions on Magnetics） Vol.32, No.1 (1
996) pp.7-12」の「12 Gb/in2 recording demonstration
with SV read heads & conventional narrow pole-tip
write」において、述べられている。これらに加えて、
Ｂｓが１．６Ｔ程度のＮｉＦｅめっき膜を用いた例とし
ては、特開平８−２１２５１２号公報や特開平１１−１
６１２０号公報などが挙げられる。
ビット以上の記録を行うためには、８０ＮｉＦｅに代え
て、例えば、Ｎｉの含有率が４５％程度のＮｉ−Ｆｅ
（以下、４５ＮｉＦｅと略す）のめっき膜を利用するこ
とが有用であることが、アイイー イー イー トラン
ザクションズ オン マグネチックス（IEEE Transacti
ons on Magnetics） Vol.33, No.5 (1997) pp.2866-287
1の、「5 Gb/in2 recording demonstration with conve
ntional AMR dual element heads & thin filmdisks」
に提案されている。この４５ＮｉＦｅ材料は、最大で
１．６Ｔ程度の飽和磁化を持つ。さらには、この４５Ｎ
ｉＦｅ材料を利用すると、１平方インチ当たり１２ギガ
ビット程度の記録も可能となることが、アイ イー イ
ー イートランザクションズ オン マグネチックス
（IEEE Transactions on Magnetics） Vol.32, No.1 (1
996) pp.7-12」の「12 Gb/in2 recording demonstration
with SV read heads & conventional narrow pole-tip
write」において、述べられている。これらに加えて、
Ｂｓが１．６Ｔ程度のＮｉＦｅめっき膜を用いた例とし
ては、特開平８−２１２５１２号公報や特開平１１−１
６１２０号公報などが挙げられる。
【００１１】前記のＮｉＦｅめっき膜以外に、スパッタ
法により形成された高Ｂｓ材料を用いた例もあり、具体
的には、特開平１０−１６２３２２号公報などに、Ｃｏ
ＴａＺｒスパッタ膜に代表される、Ｃｏ系の非晶質材料
を用いた提案がある。Ｃｏ系非晶質膜では、１．５Ｔ程
度までの高Ｂｓが可能である。さらに、特開平７−２６
２５１９号公報には、窒化第２鉄などの高Ｂｓ材料の適
用が開示されている。鉄−窒素系材料では、１．９Ｔ程
度の高Ｂｓの達成も可能と思われる。
法により形成された高Ｂｓ材料を用いた例もあり、具体
的には、特開平１０−１６２３２２号公報などに、Ｃｏ
ＴａＺｒスパッタ膜に代表される、Ｃｏ系の非晶質材料
を用いた提案がある。Ｃｏ系非晶質膜では、１．５Ｔ程
度までの高Ｂｓが可能である。さらに、特開平７−２６
２５１９号公報には、窒化第２鉄などの高Ｂｓ材料の適
用が開示されている。鉄−窒素系材料では、１．９Ｔ程
度の高Ｂｓの達成も可能と思われる。
【００１２】磁気ヘッドのＩＤヘッドを製造する工程
で、利用されるＮｉＦｅなどの磁性材料からなる所定形
状の磁極を形成する場合、磁性材料の積層にめっき法を
利用することが多い。すなわち、めっき法を利用する
と、予め磁極の形状を貫いたフォトレジスト枠を形成
し、この枠内にめっき膜を成長させることで所望のパタ
ンを得ることができるので、製造工程の簡便性に優れて
いる。また、それに付随して、低コスト性の点でも利点
があり、めっきで膜形成が可能なＮｉＦｅ材料などを利
用する際、薄膜磁気ヘッドにおける標準的な製造方法に
なっている。
で、利用されるＮｉＦｅなどの磁性材料からなる所定形
状の磁極を形成する場合、磁性材料の積層にめっき法を
利用することが多い。すなわち、めっき法を利用する
と、予め磁極の形状を貫いたフォトレジスト枠を形成
し、この枠内にめっき膜を成長させることで所望のパタ
ンを得ることができるので、製造工程の簡便性に優れて
いる。また、それに付随して、低コスト性の点でも利点
があり、めっきで膜形成が可能なＮｉＦｅ材料などを利
用する際、薄膜磁気ヘッドにおける標準的な製造方法に
なっている。
【００１３】一方、スパッタ法により形成する磁性材料
を用いる場合、所望の磁極パタンを形成する際、予め成
膜した磁性膜上にフォトレジストマスクを磁極形状に形
成し、イオンビームを用いてエッチングして、磁極パタ
ンを形成する手法を用いることになる。この方法は、第
１に、高価なイオンビームエッチング装置を用いる点、
第２に、数μｍという厚い磁極膜をパタニングするため
には長い加工時間が必要となる点、第３に、媒体への記
録幅を決定する磁極先端部を狭幅に形成することは必ず
しも容易ではない点、このような難点を有している。
を用いる場合、所望の磁極パタンを形成する際、予め成
膜した磁性膜上にフォトレジストマスクを磁極形状に形
成し、イオンビームを用いてエッチングして、磁極パタ
ンを形成する手法を用いることになる。この方法は、第
１に、高価なイオンビームエッチング装置を用いる点、
第２に、数μｍという厚い磁極膜をパタニングするため
には長い加工時間が必要となる点、第３に、媒体への記
録幅を決定する磁極先端部を狭幅に形成することは必ず
しも容易ではない点、このような難点を有している。
【００１４】例えば、上磁極１１は、コイル９およびそ
の上下の絶縁層による大きな段差が形成されている箇所
でパターニングがなされるが、段差の大きな箇所におい
て、イオンビームエッチングにより良好な形状に加工を
施すことは、技術的な困難さが多いものである。この困
難さを回避するため、特開平７−２６２５１９号公報で
は、コイルおよび絶縁層による大きな段差を形成する前
に、磁極先端部のみを形成し、この部分に鉄-窒素スパ
ッタ膜を導入する方法を開示している。しかしながら、
磁極先端部の成形加工自体は、イオンビームエッチング
を利用するため、製造装置の点では、決して安価な製造
方法を提供するものではない。これまで説明したよう
に、スパッタ膜を磁極に適用する場合、所定の磁極パタ
ーンを得るには、複雑な工程を伴い、また、コスト上昇
の要因ともなっている。
の上下の絶縁層による大きな段差が形成されている箇所
でパターニングがなされるが、段差の大きな箇所におい
て、イオンビームエッチングにより良好な形状に加工を
施すことは、技術的な困難さが多いものである。この困
難さを回避するため、特開平７−２６２５１９号公報で
は、コイルおよび絶縁層による大きな段差を形成する前
に、磁極先端部のみを形成し、この部分に鉄-窒素スパ
ッタ膜を導入する方法を開示している。しかしながら、
磁極先端部の成形加工自体は、イオンビームエッチング
を利用するため、製造装置の点では、決して安価な製造
方法を提供するものではない。これまで説明したよう
に、スパッタ膜を磁極に適用する場合、所定の磁極パタ
ーンを得るには、複雑な工程を伴い、また、コスト上昇
の要因ともなっている。
【００１５】従来のＮｉＦｅと同様に磁性材料の積層に
めっき法を利用することでき、しかも、４５Ｎｉ−Ｆｅ
で得られている１．６Ｔを超える高いＢｓが得られる材
料系の探索も進められている。その一つとして、Ｃｏ−
Ｆｅ−Ｎｉ系材料は、めっき膜で１．６Ｔを超える高Ｂ
ｓを実現する材料系として有望とされている。例えば、
次ぎに述べるように、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系材料自体、実
際にめっき膜において、１．６Ｔを超える高Ｂｓを達成
することが可能であり、そのめっき膜形成手段も提案さ
れている。
めっき法を利用することでき、しかも、４５Ｎｉ−Ｆｅ
で得られている１．６Ｔを超える高いＢｓが得られる材
料系の探索も進められている。その一つとして、Ｃｏ−
Ｆｅ−Ｎｉ系材料は、めっき膜で１．６Ｔを超える高Ｂ
ｓを実現する材料系として有望とされている。例えば、
次ぎに述べるように、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系材料自体、実
際にめっき膜において、１．６Ｔを超える高Ｂｓを達成
することが可能であり、そのめっき膜形成手段も提案さ
れている。
【００１６】特公昭６３−５３２７７号公報には、その
第１図にジャーナル オブ アプライド フィジックス
（Journal of Applied Physics） Vol.38, (1967) pp3
409-3410から引用する、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ３元組成にお
ける無磁歪組成物の線、具体的には、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ
めっき膜における磁歪λｓ＝０の線が示されている。ま
た、同公報の第２図には、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ３元組成に
おける固有磁束密度のプロットが記載され、この図か
ら、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉめっき膜におけるＢｓが直ぐに算
出できる。この２つの図から、Ｃｏ８０％−Ｆｅ１０％
−Ｎｉ１０％付近において、磁歪λｓが実質的にゼロと
なり、そのＢｓは１．６Ｔ程度となることが判る。この
特公昭６３−５３２７７号公報には、前記組成のＣｏ−
Ｆｅ−Ｎｉめっきを行う際、利用される電気めっき浴組
成物とめっき条件の一例が提案されている。
第１図にジャーナル オブ アプライド フィジックス
（Journal of Applied Physics） Vol.38, (1967) pp3
409-3410から引用する、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ３元組成にお
ける無磁歪組成物の線、具体的には、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ
めっき膜における磁歪λｓ＝０の線が示されている。ま
た、同公報の第２図には、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ３元組成に
おける固有磁束密度のプロットが記載され、この図か
ら、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉめっき膜におけるＢｓが直ぐに算
出できる。この２つの図から、Ｃｏ８０％−Ｆｅ１０％
−Ｎｉ１０％付近において、磁歪λｓが実質的にゼロと
なり、そのＢｓは１．６Ｔ程度となることが判る。この
特公昭６３−５３２７７号公報には、前記組成のＣｏ−
Ｆｅ−Ｎｉめっきを行う際、利用される電気めっき浴組
成物とめっき条件の一例が提案されている。
【００１７】特開平６−３４６２０２号公報には、前記
特公昭６３−５３２７７号公報において提案されるＣｏ
８０％−Ｆｅ１０％−Ｎｉ１０％付近において、低磁歪
と高Ｂｓとの両立を図る改良手段が記載され、すなわ
ち、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉめっき膜の結晶性の調整を行って
いる。結晶性の調整を進めた結果、λｓ＜５×１０-6で
Ｂｓが１．７Ｔ程度のＣｏＦｅＮｉめっき膜を得てい
る。また、特開平７−３４８９号公報でも、Ｃｏ８０％
−Ｆｅ１０％−Ｎｉ１０％付近において、やはり結晶性
の調整により低保磁力を得るとともに、Ｂｓが１．３Ｔ
〜２Ｔの範囲のめっき膜を得た旨が記載されている。な
お、２Ｔもの高Ｂｓが得られた具体的な組成自体は、詳
細に記載はなされていない。
特公昭６３−５３２７７号公報において提案されるＣｏ
８０％−Ｆｅ１０％−Ｎｉ１０％付近において、低磁歪
と高Ｂｓとの両立を図る改良手段が記載され、すなわ
ち、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉめっき膜の結晶性の調整を行って
いる。結晶性の調整を進めた結果、λｓ＜５×１０-6で
Ｂｓが１．７Ｔ程度のＣｏＦｅＮｉめっき膜を得てい
る。また、特開平７−３４８９号公報でも、Ｃｏ８０％
−Ｆｅ１０％−Ｎｉ１０％付近において、やはり結晶性
の調整により低保磁力を得るとともに、Ｂｓが１．３Ｔ
〜２Ｔの範囲のめっき膜を得た旨が記載されている。な
お、２Ｔもの高Ｂｓが得られた具体的な組成自体は、詳
細に記載はなされていない。
【００１８】特許第２８２１４５６号では、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｆｅめっき膜をサッカリンなどの添加剤の無いめっき
浴組成物を用いて成膜し、めっき膜中のイオウ含有率を
０．１％以下に抑えた高純度なめっき膜を得ている。こ
の高純度なめっき膜では、特公昭６３−５３２７７号公
報に記載される方法で作製するめっき膜と比較して、結
晶系ｆｃｃとｂｃｃの混晶組成が、よりＦｅ組成の多い
領域に移動するとともに、この組成で磁歪が実用水準に
まで低減している。加えて、Ｂｓも１．９Ｔ〜２．２Ｔ
の範囲と極めて高く、磁化率２．５ Ｏｅ以下という良
好な軟磁気特性を示すＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜が得ら
れることが開示されている。
−Ｆｅめっき膜をサッカリンなどの添加剤の無いめっき
浴組成物を用いて成膜し、めっき膜中のイオウ含有率を
０．１％以下に抑えた高純度なめっき膜を得ている。こ
の高純度なめっき膜では、特公昭６３−５３２７７号公
報に記載される方法で作製するめっき膜と比較して、結
晶系ｆｃｃとｂｃｃの混晶組成が、よりＦｅ組成の多い
領域に移動するとともに、この組成で磁歪が実用水準に
まで低減している。加えて、Ｂｓも１．９Ｔ〜２．２Ｔ
の範囲と極めて高く、磁化率２．５ Ｏｅ以下という良
好な軟磁気特性を示すＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜が得ら
れることが開示されている。
【００１９】以上に紹介したように、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
系のめっき膜は、その結晶性やめっき膜中への混入物含
有量などによって、磁気ヘッドの磁極材料としての実用
的な軟磁気特性を実現する組成が大きく変化する。そし
て、特許第２８２１４５６号公報などに開示されるよう
に、結晶性やめっき膜中への混入物含有量を調整するこ
とにより、極めて大きなＢｓを持ち、かつ良好な軟磁性
を実現することも可能な材料であることが判明してい
る。
系のめっき膜は、その結晶性やめっき膜中への混入物含
有量などによって、磁気ヘッドの磁極材料としての実用
的な軟磁気特性を実現する組成が大きく変化する。そし
て、特許第２８２１４５６号公報などに開示されるよう
に、結晶性やめっき膜中への混入物含有量を調整するこ
とにより、極めて大きなＢｓを持ち、かつ良好な軟磁性
を実現することも可能な材料であることが判明してい
る。
【００２０】めっき法では、めっき膜を形成する際、基
板上にスパッタや蒸着などの物理的気層形成法により導
電性の膜をシードレイヤーとして成膜し、めっき浴中で
このシードレイヤー膜に電流を流して目的とする膜の形
成を行う。従来、ＮｉＦｅ系めっき膜の場合、シードレ
イヤーにもＮｉＦｅ膜を用いている。
板上にスパッタや蒸着などの物理的気層形成法により導
電性の膜をシードレイヤーとして成膜し、めっき浴中で
このシードレイヤー膜に電流を流して目的とする膜の形
成を行う。従来、ＮｉＦｅ系めっき膜の場合、シードレ
イヤーにもＮｉＦｅ膜を用いている。
【００２１】一方、上磁極にＢｓが１Ｔ以上の磁性材料
を用いた場合でも、Ｂｓが１Ｔ以下の磁性材料からなる
シードレイヤーが下層に配置されていると、下層シード
レイヤーのＢｓも１Ｔ以上とする場合と比べ、記録磁界
の立ち上がりが遅くなり、記録磁界も弱くなるという問
題が生じる。従って、上磁極自体の大きなＢｓの利点を
十分に発揮させるには、下層に設けるシードレイヤーも
１Ｔ以上の大きなＢｓを持つ磁性材料を使う必要があ
る。このようなシードレイヤーに適する大きなＢｓを持
つ磁性材料として、飽和磁束密度１．６Ｔ〜２Ｔを持つ
物理的気相成長法により成膜したＣｏＮｉＦｅ膜やＣｏ
ＮｉＦｅＸ膜（Ｘは、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐ
ｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔから選択される少なくとも１種類
の元素）がある。
を用いた場合でも、Ｂｓが１Ｔ以下の磁性材料からなる
シードレイヤーが下層に配置されていると、下層シード
レイヤーのＢｓも１Ｔ以上とする場合と比べ、記録磁界
の立ち上がりが遅くなり、記録磁界も弱くなるという問
題が生じる。従って、上磁極自体の大きなＢｓの利点を
十分に発揮させるには、下層に設けるシードレイヤーも
１Ｔ以上の大きなＢｓを持つ磁性材料を使う必要があ
る。このようなシードレイヤーに適する大きなＢｓを持
つ磁性材料として、飽和磁束密度１．６Ｔ〜２Ｔを持つ
物理的気相成長法により成膜したＣｏＮｉＦｅ膜やＣｏ
ＮｉＦｅＸ膜（Ｘは、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐ
ｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔから選択される少なくとも１種類
の元素）がある。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、この物
理的気相成長法により成膜したＣｏＮｉＦｅ膜やＣｏＮ
ｉＦｅＸ膜をシードレイヤーに用い、その上にめっきに
より所望組成のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜、例えば、Ｂ
ｓを１．９Ｔ〜２．２Ｔの範囲に選択したＣｏ−Ｎｉ−
Ｆｅめっき膜を形成すると、下層に設けるシードレイヤ
ー自体も１．６Ｔ〜２Ｔの大きなＢｓを持ち、上磁極に
用いる前記めっき膜自体の大きなＢｓの利点を十分に発
揮させることができることを見出した。しかしながら、
実際に、物理的気層成長法により成膜したＣｏＮｉＦｅ
膜あるいはＣｏＮｉＦｅＸ膜を高Ｂｓめっき膜のシード
レイヤーとして用いて、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜を成
膜する際、しばしば、次に述べる幾つかの不具合が生じ
ることを本発明者らは見出した。
理的気相成長法により成膜したＣｏＮｉＦｅ膜やＣｏＮ
ｉＦｅＸ膜をシードレイヤーに用い、その上にめっきに
より所望組成のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜、例えば、Ｂ
ｓを１．９Ｔ〜２．２Ｔの範囲に選択したＣｏ−Ｎｉ−
Ｆｅめっき膜を形成すると、下層に設けるシードレイヤ
ー自体も１．６Ｔ〜２Ｔの大きなＢｓを持ち、上磁極に
用いる前記めっき膜自体の大きなＢｓの利点を十分に発
揮させることができることを見出した。しかしながら、
実際に、物理的気層成長法により成膜したＣｏＮｉＦｅ
膜あるいはＣｏＮｉＦｅＸ膜を高Ｂｓめっき膜のシード
レイヤーとして用いて、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜を成
膜する際、しばしば、次に述べる幾つかの不具合が生じ
ることを本発明者らは見出した。
【００２３】まず、Ｃｏ８０％−Ｆｅ１０％−Ｎｉ１０
％付近の組成を持つめっき膜を成膜する際、シードレイ
ヤーに用いる物理的気層成長法により成膜したＣｏＮｉ
Ｆｅ膜あるいはＣｏＮｉＦｅＸ膜が用いるめっき液中に
溶解する。それに伴い、シードレイヤー近くのめっき液
組成がずれ、目的とする高Ｂｓのめっき膜が成膜できな
いことである。極端な場合には、フレームレジスト窓部
分のシードレイヤーが部分的に失しなわれ、めっき膜の
形成も起こらなくなる。
％付近の組成を持つめっき膜を成膜する際、シードレイ
ヤーに用いる物理的気層成長法により成膜したＣｏＮｉ
Ｆｅ膜あるいはＣｏＮｉＦｅＸ膜が用いるめっき液中に
溶解する。それに伴い、シードレイヤー近くのめっき液
組成がずれ、目的とする高Ｂｓのめっき膜が成膜できな
いことである。極端な場合には、フレームレジスト窓部
分のシードレイヤーが部分的に失しなわれ、めっき膜の
形成も起こらなくなる。
【００２４】加えて、めっき中にこのシードレイヤーの
一部が溶解し、フレームレジストの間に隙間が生ずるこ
ともある。その際、フレームレジスト下にめっき液が回
り込み、めっき膜形状の異常を引き起こす。すなわち、
所望とする形状と異なる上磁極となってしまう。
一部が溶解し、フレームレジストの間に隙間が生ずるこ
ともある。その際、フレームレジスト下にめっき液が回
り込み、めっき膜形状の異常を引き起こす。すなわち、
所望とする形状と異なる上磁極となってしまう。
【００２５】いずれの場合も、得られるＣｏ−Ｎｉ−Ｆ
ｅめっき膜は所望の特性を示さず、高密度な記録性能を
持べきＩＤヘッドの信頼性低下、生産性の低下の要因と
もなっていた。従って、シードレイヤーに用いる物理的
気層成長法により成膜したＣｏＮｉＦｅ膜あるいはＣｏ
ＮｉＦｅＸ膜のめっき浴への溶解を防止し、所望の組成
と形状を持つＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜を形成する方法
の提案が望まれる。
ｅめっき膜は所望の特性を示さず、高密度な記録性能を
持べきＩＤヘッドの信頼性低下、生産性の低下の要因と
もなっていた。従って、シードレイヤーに用いる物理的
気層成長法により成膜したＣｏＮｉＦｅ膜あるいはＣｏ
ＮｉＦｅＸ膜のめっき浴への溶解を防止し、所望の組成
と形状を持つＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅめっき膜を形成する方法
の提案が望まれる。
【００２６】本発明は、上記の課題を解決するもので、
本発明の目的は、物理的気層成長法により成膜したＣｏ
ＮｉＦｅ膜あるいはＣｏＮｉＦｅＸ膜などをシードレイ
ヤーに用いる際に生ずる上記の不具合を回避でき、磁気
媒体への記録に用いるＩＤヘッド自体、高い信頼性と生
産性を示す、新規な上磁極の構成を採用する高密度記録
に適する磁気ヘッドを提供することにある。本発明は、
さらには、係る上磁極の構成を高い再現性で作製でき
る、磁気ヘッドの製造方法、ならびに、前記高密度記録
に適する磁気ヘッドを用いる磁気記録装置の提供をその
目的とする。
本発明の目的は、物理的気層成長法により成膜したＣｏ
ＮｉＦｅ膜あるいはＣｏＮｉＦｅＸ膜などをシードレイ
ヤーに用いる際に生ずる上記の不具合を回避でき、磁気
媒体への記録に用いるＩＤヘッド自体、高い信頼性と生
産性を示す、新規な上磁極の構成を採用する高密度記録
に適する磁気ヘッドを提供することにある。本発明は、
さらには、係る上磁極の構成を高い再現性で作製でき
る、磁気ヘッドの製造方法、ならびに、前記高密度記録
に適する磁気ヘッドを用いる磁気記録装置の提供をその
目的とする。
【００２７】加えて、本発明は、ＧＭＲヘッドに限ら
ず、再生用ヘッドの高出力化とともに、さらに高密度な
記録性能を達成できるＩＤヘッドに適する上磁極（記録
用磁気コア）の構成と、それを採用する磁気ヘッドの提
供を目的とする。
ず、再生用ヘッドの高出力化とともに、さらに高密度な
記録性能を達成できるＩＤヘッドに適する上磁極（記録
用磁気コア）の構成と、それを採用する磁気ヘッドの提
供を目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するため、鋭意研究を進めたところ、例えば、
図４に示す構成の磁気ヘッドなどにおいて、磁気記録に
用いるＩＤヘッドを構成する上磁極（第二の磁気コア）
を、下磁極（第一の磁気コア）との間に設ける磁気ギャ
ップ（記録ギャップ）を形成する電気絶縁層に対して、
最も近接する第１の磁性層、その上に積層される第２の
磁性層、さらに、前記第２の磁性層上にフレームレジス
トを用いて所望形状にフレームめっきで形成される第３
の磁性層からなる積層型磁気コアとする。その際、前記
第２の磁性層を第３の磁性層のめっき中に実質的に溶解
しない磁性材料を選択すると、めっき中に、第１の磁性
層ならびに第２の磁性層が溶解することはなく、更に
は、フレームレジスト下へのめっき液の回り込みに起因
する、めっき膜形状の異常も有効に防止されることを見
出した。加えて、前記積層型磁気コアの構成を採用する
と、記録に用いる前記磁気ギャップ間から洩れる磁束密
度は、主に第１の磁性層の飽和磁束密度Ｂｓに依存し、
また、第３の磁性層に大きな飽和磁束密度Ｂｓを有する
磁性材料を用いると、この第１の磁性層のＢｓならびに
第３の磁性層のＢｓに応じて、高くなることを見出し
た。仮に、第２の磁性層自体の飽和磁束密度Ｂｓが、前
記第１の磁性層のＢｓならびに第３の磁性層のＢｓより
小さなものであっても、前記磁気ギャップ間から洩れる
磁束密度は、この第１の磁性層のＢｓならびに第３の磁
性層のＢｓに応じて、高くなることを見出した。本発明
は、係る知見に基づき、完成されたものである。
題を解決するため、鋭意研究を進めたところ、例えば、
図４に示す構成の磁気ヘッドなどにおいて、磁気記録に
用いるＩＤヘッドを構成する上磁極（第二の磁気コア）
を、下磁極（第一の磁気コア）との間に設ける磁気ギャ
ップ（記録ギャップ）を形成する電気絶縁層に対して、
最も近接する第１の磁性層、その上に積層される第２の
磁性層、さらに、前記第２の磁性層上にフレームレジス
トを用いて所望形状にフレームめっきで形成される第３
の磁性層からなる積層型磁気コアとする。その際、前記
第２の磁性層を第３の磁性層のめっき中に実質的に溶解
しない磁性材料を選択すると、めっき中に、第１の磁性
層ならびに第２の磁性層が溶解することはなく、更に
は、フレームレジスト下へのめっき液の回り込みに起因
する、めっき膜形状の異常も有効に防止されることを見
出した。加えて、前記積層型磁気コアの構成を採用する
と、記録に用いる前記磁気ギャップ間から洩れる磁束密
度は、主に第１の磁性層の飽和磁束密度Ｂｓに依存し、
また、第３の磁性層に大きな飽和磁束密度Ｂｓを有する
磁性材料を用いると、この第１の磁性層のＢｓならびに
第３の磁性層のＢｓに応じて、高くなることを見出し
た。仮に、第２の磁性層自体の飽和磁束密度Ｂｓが、前
記第１の磁性層のＢｓならびに第３の磁性層のＢｓより
小さなものであっても、前記磁気ギャップ間から洩れる
磁束密度は、この第１の磁性層のＢｓならびに第３の磁
性層のＢｓに応じて、高くなることを見出した。本発明
は、係る知見に基づき、完成されたものである。
【００２９】すなわち、本発明の磁気ヘッドは、磁気媒
体上への記録に用いるインダクティブヘッド型記録ヘッ
ドを具える磁気ヘッドであって、前記インダクティブヘ
ッド型記録ヘッドは、第一の磁気コアと第二の磁気コア
との間に非磁性非導電性材料層からなる磁気ギャップ層
を設け、前記第一の磁気コアならびに第二の磁気コアと
電気的に絶縁されてなる励磁用コイルを具え、前記励磁
用コイルにより励磁される磁気コアからの磁束の一部
が、前記磁気ギャップ層から洩れる構成をとり、この洩
れる磁束により磁気媒体上への記録がなされる構造であ
り、前記第二の磁気コアが、三種の磁性層が積層されて
なる積層型磁気コアの構成であり、前記磁気ギャップ層
に対して、最も近接して配置される第１の磁性層、前記
第１の磁性層上に積層される第２の磁性層、ならびに前
記第２の磁性層上に所望形状にフレームめっきで形成さ
れる第３の磁性層からなり、前記第２の磁性層に、前記
第３の磁性層のめっき中に実質的に溶解しない磁性材料
を選択することを特徴とする磁気ヘッドである。
体上への記録に用いるインダクティブヘッド型記録ヘッ
ドを具える磁気ヘッドであって、前記インダクティブヘ
ッド型記録ヘッドは、第一の磁気コアと第二の磁気コア
との間に非磁性非導電性材料層からなる磁気ギャップ層
を設け、前記第一の磁気コアならびに第二の磁気コアと
電気的に絶縁されてなる励磁用コイルを具え、前記励磁
用コイルにより励磁される磁気コアからの磁束の一部
が、前記磁気ギャップ層から洩れる構成をとり、この洩
れる磁束により磁気媒体上への記録がなされる構造であ
り、前記第二の磁気コアが、三種の磁性層が積層されて
なる積層型磁気コアの構成であり、前記磁気ギャップ層
に対して、最も近接して配置される第１の磁性層、前記
第１の磁性層上に積層される第２の磁性層、ならびに前
記第２の磁性層上に所望形状にフレームめっきで形成さ
れる第３の磁性層からなり、前記第２の磁性層に、前記
第３の磁性層のめっき中に実質的に溶解しない磁性材料
を選択することを特徴とする磁気ヘッドである。
【００３０】その際、前記第３の磁性層を、ＣｏＮｉＦ
ｅ系磁性材料からなる層を少なくとも一層含む構成とす
ると好ましい。あるいは、ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料から
なる層を含む前記第３の磁性層を、ＣｏＮｉＦｅ系磁性
材料からなる層に加え、ＮｉＦｅ系磁性材料からなる層
を含み、両者が積層されてなる構造を有し、前記ＣｏＮ
ｉＦｅ系磁性材料からなる層の少なくとも一層が、前記
第２の磁性層と接するように配置されるている構成をと
ってもよい。
ｅ系磁性材料からなる層を少なくとも一層含む構成とす
ると好ましい。あるいは、ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料から
なる層を含む前記第３の磁性層を、ＣｏＮｉＦｅ系磁性
材料からなる層に加え、ＮｉＦｅ系磁性材料からなる層
を含み、両者が積層されてなる構造を有し、前記ＣｏＮ
ｉＦｅ系磁性材料からなる層の少なくとも一層が、前記
第２の磁性層と接するように配置されるている構成をと
ってもよい。
【００３１】加えて、前記第１の磁性層を、ＣｏＮｉＦ
ｅ系磁性材料からなる層とする、あるいは、ＣｏＮｉＦ
ｅＸ（ＸはＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，
Ｉｒ，Ｐｔから選択される少なくとも１種類の元素を表
す）を主成分とする磁性材料からなる層とする構成をと
ると、さらに好ましい。
ｅ系磁性材料からなる層とする、あるいは、ＣｏＮｉＦ
ｅＸ（ＸはＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，
Ｉｒ，Ｐｔから選択される少なくとも１種類の元素を表
す）を主成分とする磁性材料からなる層とする構成をと
ると、さらに好ましい。
【００３２】なお、本発明の磁気ヘッドにおいては、前
記第１の磁性層に対して、その下地層として、非磁性材
料からなる層を設けてもよい。前記下地層は、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｃｒ、ＴｉＷ、ＴａＮ、ＴｉＮ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｎからなる群から選択する非磁性材料の薄膜を少なくと
も１層含む構成をとると好ましい。また、前記下地層
は、その厚さを１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲に選択すると
よい。
記第１の磁性層に対して、その下地層として、非磁性材
料からなる層を設けてもよい。前記下地層は、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｃｒ、ＴｉＷ、ＴａＮ、ＴｉＮ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｎからなる群から選択する非磁性材料の薄膜を少なくと
も１層含む構成をとると好ましい。また、前記下地層
は、その厚さを１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲に選択すると
よい。
【００３３】一方、本発明の磁気ヘッドにおいて、例え
ば、前記第３の磁性層が、ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料を含
む際には、前記第２の磁性層に、ＮｉＦｅ系合金磁性材
料からなる層を用いると好ましい。また、前記第２の磁
性層は、その膜厚を５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に選択す
ると、より好ましい。
ば、前記第３の磁性層が、ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料を含
む際には、前記第２の磁性層に、ＮｉＦｅ系合金磁性材
料からなる層を用いると好ましい。また、前記第２の磁
性層は、その膜厚を５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に選択す
ると、より好ましい。
【００３４】本発明の磁気ヘッドは、前記インダクティ
ブヘッド型記録ヘッドに加え、磁気媒体上の記録を読み
取る際に用いる磁気抵抗効果型読み取りヘッドをも具え
る磁気ヘッドとすることができる。前記磁気抵抗効果型
読み取りヘッドは、対向する第１の磁気シールドと第２
の磁気シールドとその間を隔てる電気絶縁層を具え、前
記対向する磁気シールドの一つが、前記インダクティブ
ヘッド型記録ヘッドの第二の磁気コアと一体に形成され
る構成をとることもできる。また、前記対向する磁気シ
ールドの一つを、前記インダクティブヘッド型記録ヘッ
ドの第一の磁気コアとして利用する構成とすることもで
きる。
ブヘッド型記録ヘッドに加え、磁気媒体上の記録を読み
取る際に用いる磁気抵抗効果型読み取りヘッドをも具え
る磁気ヘッドとすることができる。前記磁気抵抗効果型
読み取りヘッドは、対向する第１の磁気シールドと第２
の磁気シールドとその間を隔てる電気絶縁層を具え、前
記対向する磁気シールドの一つが、前記インダクティブ
ヘッド型記録ヘッドの第二の磁気コアと一体に形成され
る構成をとることもできる。また、前記対向する磁気シ
ールドの一つを、前記インダクティブヘッド型記録ヘッ
ドの第一の磁気コアとして利用する構成とすることもで
きる。
【００３５】また、本発明の磁気記録・再生装置は、上
述してきた本発明の磁気ヘッドを搭載する装置である。
述してきた本発明の磁気ヘッドを搭載する装置である。
【００３６】一方、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、
上述した構成の本発明の磁気ヘッドを製造する方法であ
って、前記インダクティブヘッド型記録ヘッドを構成す
る第二の磁気コアを作製するに際し、前記第一の磁気コ
アを構成する第１の磁性層、前記第１の磁性層上に積層
される第２の磁性層、ならびに前記第２の磁性層上に所
望形状にフレームめっきで形成される第３の磁性層を作
製する工程が、前記第１の磁性層を物理的気相成長法を
用いて形成する工程、前記第２の磁性層を物理的気相成
長法を用いて形成する工程、前記第２の磁性層上に所望
形状のレジストフレームを形成する工程、ならびに、前
記所望形状のレジストフレームを用いて、フレームめっ
きで形成される第３の磁性層を少なくとも前記第２の磁
性層に電流を流して電気めっき法により形成する工程を
含むことを特徴とする。
上述した構成の本発明の磁気ヘッドを製造する方法であ
って、前記インダクティブヘッド型記録ヘッドを構成す
る第二の磁気コアを作製するに際し、前記第一の磁気コ
アを構成する第１の磁性層、前記第１の磁性層上に積層
される第２の磁性層、ならびに前記第２の磁性層上に所
望形状にフレームめっきで形成される第３の磁性層を作
製する工程が、前記第１の磁性層を物理的気相成長法を
用いて形成する工程、前記第２の磁性層を物理的気相成
長法を用いて形成する工程、前記第２の磁性層上に所望
形状のレジストフレームを形成する工程、ならびに、前
記所望形状のレジストフレームを用いて、フレームめっ
きで形成される第３の磁性層を少なくとも前記第２の磁
性層に電流を流して電気めっき法により形成する工程を
含むことを特徴とする。
【００３７】
【発明の実施の形態】本発明の磁気ヘッドは、高密度な
記録性能を達成できるＩＤヘッドの作製にＣｏＦｅＮｉ
めっき膜を利用するものである。より具体的には、種々
の磁気抵抗効果素子を利用する再生用ヘッドと、読み取
り用のＩＤヘッドとを具える複合型磁気ヘッドの形態を
とると好ましく、係る複合型磁気ヘッドに適合するＩＤ
ヘッドにおいて、一方の磁気コア（上磁極）にＣｏＦｅ
Ｎｉめっき膜を利用するものである。
記録性能を達成できるＩＤヘッドの作製にＣｏＦｅＮｉ
めっき膜を利用するものである。より具体的には、種々
の磁気抵抗効果素子を利用する再生用ヘッドと、読み取
り用のＩＤヘッドとを具える複合型磁気ヘッドの形態を
とると好ましく、係る複合型磁気ヘッドに適合するＩＤ
ヘッドにおいて、一方の磁気コア（上磁極）にＣｏＦｅ
Ｎｉめっき膜を利用するものである。
【００３８】本発明の磁気ヘッドの構成を、以下に図を
参照しつつより詳しく説明する。図２は、本発明の磁気
ヘッドの一構成例を模式的に示す図である。この構成例
は、再生用ヘッドと読み取り用のＩＤヘッドとが一体に
構成される複合型磁気ヘッドであり、図２は、複合型磁
気ヘッドが配置されるＡＢＳ面から見た図である。図１
は、図２において直線ＡＢで示す面における断面の構造
を模式的に示す図（部分図）である。
参照しつつより詳しく説明する。図２は、本発明の磁気
ヘッドの一構成例を模式的に示す図である。この構成例
は、再生用ヘッドと読み取り用のＩＤヘッドとが一体に
構成される複合型磁気ヘッドであり、図２は、複合型磁
気ヘッドが配置されるＡＢＳ面から見た図である。図１
は、図２において直線ＡＢで示す面における断面の構造
を模式的に示す図（部分図）である。
【００３９】図２に示す構成において、再生ヘッド部
は、基体１上に、下磁気シールド２と上磁気シールド６
が磁気分離層３を介して対向して配置されている。前記
磁気分離層３内の、素子中央に磁気抵抗効果によって再
生する磁気抵抗効果素子が配置されている。前記２枚の
磁気シールドと磁気抵抗効果素子の間には、電気絶縁層
が設けられ、両者を電気的に分離している。磁気抵抗効
果素子の中央領域４が、磁気媒体上の記録（磁化）を検
出する部位であり、その左右の磁気抵抗素子の端部領域
５には、前記中央領域に印加するバイアス磁界、電流を
供給する手段が設けられる。
は、基体１上に、下磁気シールド２と上磁気シールド６
が磁気分離層３を介して対向して配置されている。前記
磁気分離層３内の、素子中央に磁気抵抗効果によって再
生する磁気抵抗効果素子が配置されている。前記２枚の
磁気シールドと磁気抵抗効果素子の間には、電気絶縁層
が設けられ、両者を電気的に分離している。磁気抵抗効
果素子の中央領域４が、磁気媒体上の記録（磁化）を検
出する部位であり、その左右の磁気抵抗素子の端部領域
５には、前記中央領域に印加するバイアス磁界、電流を
供給する手段が設けられる。
【００４０】一方、記録用ヘッドは、ＩＤヘッドの構成
をとっている。磁気コアは、記録ギャップ７を間に挟
み、第一の磁気コア（下磁極）６と第二の磁気コア（上
磁極）１１を有している。前記第二の磁気コア（上磁
極）１１を励磁するため、コイル６がその周囲に設けら
れている。なお、コイル９は、他との電気的な絶縁を図
るため、絶縁層８上に形成され、また、絶縁層１０によ
り被覆されている。図３に示す従来構造の磁気ヘッドと
同様に、コイル９は、例えば、銅メッキなどで形成さ
れ、励磁電流を供給する電極を設ける。また、記録ギャ
ップ７は、非磁性非導電性材料膜で形成される。上記部
分は、本質的に図３および図４に示す従来構造の磁気ヘ
ッドと同じ部分構成を採用することができる。
をとっている。磁気コアは、記録ギャップ７を間に挟
み、第一の磁気コア（下磁極）６と第二の磁気コア（上
磁極）１１を有している。前記第二の磁気コア（上磁
極）１１を励磁するため、コイル６がその周囲に設けら
れている。なお、コイル９は、他との電気的な絶縁を図
るため、絶縁層８上に形成され、また、絶縁層１０によ
り被覆されている。図３に示す従来構造の磁気ヘッドと
同様に、コイル９は、例えば、銅メッキなどで形成さ
れ、励磁電流を供給する電極を設ける。また、記録ギャ
ップ７は、非磁性非導電性材料膜で形成される。上記部
分は、本質的に図３および図４に示す従来構造の磁気ヘ
ッドと同じ部分構成を採用することができる。
【００４１】図２に示す構成例でも、第一の磁気コア
（下磁極）６と上磁気シールド６は、同じ磁性体膜を利
用する複合型素子となっている。一方、前記第二の磁気
コア（上磁極）１１は、第１の磁性層１３、第２の磁性
層１４、ならびに電気メッキで作製する第３の磁性層か
ら構成される。また、前記第１の磁性層１３の下地に
は、薄膜の下地層１２が設けられ、前記絶縁層８、絶縁
層１０、記録ギャップ７とその上に形成される前記第二
の磁気コア（上磁極）１１との密着性を向上させる役割
を果たしている。
（下磁極）６と上磁気シールド６は、同じ磁性体膜を利
用する複合型素子となっている。一方、前記第二の磁気
コア（上磁極）１１は、第１の磁性層１３、第２の磁性
層１４、ならびに電気メッキで作製する第３の磁性層か
ら構成される。また、前記第１の磁性層１３の下地に
は、薄膜の下地層１２が設けられ、前記絶縁層８、絶縁
層１０、記録ギャップ７とその上に形成される前記第二
の磁気コア（上磁極）１１との密着性を向上させる役割
を果たしている。
【００４２】前記第１の磁性層１３と第２の磁性層１４
は、第３の磁性層１１を電気めっき法で形成する際、電
流を流す層に利用され、導電性を有する磁性材料から構
成される。第２の磁性層１４は、第３の磁性層１１を電
気めっき法で形成する際、めっき液と直に接触するが、
本発明においては、このめっき工程において、実質的に
溶解しない磁性材料を選択する。第１の磁性層１３は、
第２の磁性層１４により覆われ、めっき液と実質的に接
触しない構成とされている。第３の磁性層１１は、前記
第２の磁性層１４上に所望形状のレジストフレームを形
成し、フレームめっきで所定の厚さ・形状に形成され
る。
は、第３の磁性層１１を電気めっき法で形成する際、電
流を流す層に利用され、導電性を有する磁性材料から構
成される。第２の磁性層１４は、第３の磁性層１１を電
気めっき法で形成する際、めっき液と直に接触するが、
本発明においては、このめっき工程において、実質的に
溶解しない磁性材料を選択する。第１の磁性層１３は、
第２の磁性層１４により覆われ、めっき液と実質的に接
触しない構成とされている。第３の磁性層１１は、前記
第２の磁性層１４上に所望形状のレジストフレームを形
成し、フレームめっきで所定の厚さ・形状に形成され
る。
【００４３】本発明の磁気ヘッドにおいて、好ましく
は、第１の磁性膜１３は、予め所定の膜厚に形成されて
いる下地層１２上に、スパッタ法や蒸着法などの物理的
気相成長法を用いて所定の膜厚積層する。次いで、第２
の磁性膜を、前記第１の磁性膜１３上を被覆するよう
に、所定の膜厚形成する。前記第１の磁性膜１３は、前
記物理的気相成長法により形成でき、また高いＢｓを示
す磁性材料を用いると好ましく、例えば、ＣｏＮｉＦｅ
系磁性材料からなる層とする、あるいは、ＣｏＮｉＦｅ
Ｘ（ＸはＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉ
ｒ，Ｐｔから選択される少なくとも１種類の元素を表
す）を主成分とする磁性材料からなる層とするとより好
ましい。また、第３の磁性層１１は、前記第１の磁性膜
１３と同じく、高いＢｓを示す磁性材料を用いると好ま
しく、具体的には、ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料を含む層と
すると好ましい。第３の磁性層１１は、ＣｏＮｉＦｅ系
磁性材料からなる層と、他の磁性材料からなる層、例え
ば、ＮｉＦｅ系磁性材料からなる層とが積層された積層
構造を採ってもよいが、その際には、ＣｏＮｉＦｅ系磁
性材料からなる層が、第２の磁性層１４と接する構成と
するのが好ましい。
は、第１の磁性膜１３は、予め所定の膜厚に形成されて
いる下地層１２上に、スパッタ法や蒸着法などの物理的
気相成長法を用いて所定の膜厚積層する。次いで、第２
の磁性膜を、前記第１の磁性膜１３上を被覆するよう
に、所定の膜厚形成する。前記第１の磁性膜１３は、前
記物理的気相成長法により形成でき、また高いＢｓを示
す磁性材料を用いると好ましく、例えば、ＣｏＮｉＦｅ
系磁性材料からなる層とする、あるいは、ＣｏＮｉＦｅ
Ｘ（ＸはＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉ
ｒ，Ｐｔから選択される少なくとも１種類の元素を表
す）を主成分とする磁性材料からなる層とするとより好
ましい。また、第３の磁性層１１は、前記第１の磁性膜
１３と同じく、高いＢｓを示す磁性材料を用いると好ま
しく、具体的には、ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料を含む層と
すると好ましい。第３の磁性層１１は、ＣｏＮｉＦｅ系
磁性材料からなる層と、他の磁性材料からなる層、例え
ば、ＮｉＦｅ系磁性材料からなる層とが積層された積層
構造を採ってもよいが、その際には、ＣｏＮｉＦｅ系磁
性材料からなる層が、第２の磁性層１４と接する構成と
するのが好ましい。
【００４４】第２の磁性層１４は、前記第３の磁性層１
１を電気めっきで作製する際に、めっき液に実質的に溶
解しない磁性材料で構成されるが、例えば、第３の磁性
層１１に含まれる、ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料からなる層
を形成する際には、ＮｉＦｅ系磁性材料を用いると好ま
しい。この第２の磁性層１４は、前記物理的気相成長法
により形成する第１の磁性層１３を被覆して、第３の磁
性層１１を電気めっき法で形成する際、そのめっき液に
前記第１の磁性層１３を構成する磁性材料が溶解するこ
とがないようにする役割を持つ。従って、均一な被覆が
達成されるに必要な膜厚でよく、通常、第２の磁性層１
４の膜厚は、５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に選択すると好
ましい。また、第２の磁性層１４も、第１の磁性層１３
と同じく、スパッタ法や蒸着法などの物理的気相成長法
を用いて所定の膜厚積層するとよい。
１を電気めっきで作製する際に、めっき液に実質的に溶
解しない磁性材料で構成されるが、例えば、第３の磁性
層１１に含まれる、ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料からなる層
を形成する際には、ＮｉＦｅ系磁性材料を用いると好ま
しい。この第２の磁性層１４は、前記物理的気相成長法
により形成する第１の磁性層１３を被覆して、第３の磁
性層１１を電気めっき法で形成する際、そのめっき液に
前記第１の磁性層１３を構成する磁性材料が溶解するこ
とがないようにする役割を持つ。従って、均一な被覆が
達成されるに必要な膜厚でよく、通常、第２の磁性層１
４の膜厚は、５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に選択すると好
ましい。また、第２の磁性層１４も、第１の磁性層１３
と同じく、スパッタ法や蒸着法などの物理的気相成長法
を用いて所定の膜厚積層するとよい。
【００４５】下地層１２には、非磁性材料からなる薄膜
が利用される。例えば、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、ＴｉＷ、Ｔ
ａＮ、ＴｉＮ、Ｍｏ、Ｓｉ、ＳｉＮからなる群から選択
する非磁性材料を用いると好ましい。また、下地層１２
は、主に第１の磁性層１３の密着性を補う目的で挿入さ
れるものであり、その厚さを１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲
に選択するとよい。第１の磁性層１３と同じく、前記の
非磁性材料をスパッタ法や蒸着法などの物理的気相成長
法を用いて所定の膜厚積層するとよい。下地層１２は、
第１の磁性層１３と密着性に富むので、前記第１の磁性
層１３の膜剥がれよりめっき液が染み込み、前記第１の
磁性層１３を構成する磁性材料がめっき液に溶解する現
象がないようにする役割をも持つ。なお、第１の磁性層
１３自体が密着性よく形成できる際には、下地層１２は
省くことができる。なお、第１の磁性層１３は、少なく
とも絶縁層８、絶縁層１０、記録ギャップ７の材質が異
なる三種の構成要素上に形成する際には、下地層１２を
設けるとより好ましい。
が利用される。例えば、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、ＴｉＷ、Ｔ
ａＮ、ＴｉＮ、Ｍｏ、Ｓｉ、ＳｉＮからなる群から選択
する非磁性材料を用いると好ましい。また、下地層１２
は、主に第１の磁性層１３の密着性を補う目的で挿入さ
れるものであり、その厚さを１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲
に選択するとよい。第１の磁性層１３と同じく、前記の
非磁性材料をスパッタ法や蒸着法などの物理的気相成長
法を用いて所定の膜厚積層するとよい。下地層１２は、
第１の磁性層１３と密着性に富むので、前記第１の磁性
層１３の膜剥がれよりめっき液が染み込み、前記第１の
磁性層１３を構成する磁性材料がめっき液に溶解する現
象がないようにする役割をも持つ。なお、第１の磁性層
１３自体が密着性よく形成できる際には、下地層１２は
省くことができる。なお、第１の磁性層１３は、少なく
とも絶縁層８、絶縁層１０、記録ギャップ７の材質が異
なる三種の構成要素上に形成する際には、下地層１２を
設けるとより好ましい。
【００４６】本発明の磁気ヘッドは、めっき液に対する
耐性の強い磁性材料からなる第２の磁性層１４でめっき
液に対する耐性の弱い第１の磁性層１３を覆うことによ
って、第３の磁性層１１を電気めっき法で形成する際
に、第２の導電層１４が第１の導電層１１に対する保護
膜として働き、第１の導電層１３がめっき液中に溶解す
るのを防ぐ。従って、第１の磁性層１３と第３の磁性層
１１の磁性材料組成を互いに任意に選択することがで
き、特に、膜厚の厚い第３の磁性層１１をフレームめっ
きにより、均一な組成で、かつ、フレームレジスト下へ
のめっき液の回り込みなどに由来する形状異常のないＩ
Ｄヘッドが得られる。
耐性の強い磁性材料からなる第２の磁性層１４でめっき
液に対する耐性の弱い第１の磁性層１３を覆うことによ
って、第３の磁性層１１を電気めっき法で形成する際
に、第２の導電層１４が第１の導電層１１に対する保護
膜として働き、第１の導電層１３がめっき液中に溶解す
るのを防ぐ。従って、第１の磁性層１３と第３の磁性層
１１の磁性材料組成を互いに任意に選択することがで
き、特に、膜厚の厚い第３の磁性層１１をフレームめっ
きにより、均一な組成で、かつ、フレームレジスト下へ
のめっき液の回り込みなどに由来する形状異常のないＩ
Ｄヘッドが得られる。
【００４７】また、本発明の磁気ヘッドでは、第一の磁
気コア（下磁極）に利用される上磁気シールド６は、記
録ギャップ７と接する部分には、第二の磁気コア（上磁
極）１１の第３の磁性層に利用される磁性材料と同じ材
料層を用いる構造をとると好ましい。例えば、前記第３
の磁性層１１にＣｏＮｉＦｅ系磁性材料からなる層を利
用する際には、第一の磁気コア（下磁極）６の記録ギャ
ップ７と接する部分には、ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料から
なる層を設けるとよい。
気コア（下磁極）に利用される上磁気シールド６は、記
録ギャップ７と接する部分には、第二の磁気コア（上磁
極）１１の第３の磁性層に利用される磁性材料と同じ材
料層を用いる構造をとると好ましい。例えば、前記第３
の磁性層１１にＣｏＮｉＦｅ系磁性材料からなる層を利
用する際には、第一の磁気コア（下磁極）６の記録ギャ
ップ７と接する部分には、ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料から
なる層を設けるとよい。
【００４８】図２ならびに図１に示す本発明の磁気ヘッ
ドは、上述する記録ヘッド部にあたるＩＤヘッド構成を
除き、図４なたびに図３に示す従来の磁気ヘッドと実質
的に同じ構成をとることができる。具体的には、再生ヘ
ッド部にあたる磁気抵抗効果素子部とその上下に配置さ
れる磁気シールドは、従来の磁気ヘッドに採用されるス
ピンバルブ効果と呼ばれるＧＭＲ効果を利用する磁気抵
抗効果素子を採用することができる。例えば、利用され
る磁性材料を除き、特開平１０−１６２３２２号公報な
どに記載される磁気抵抗効果素子等の製造方法に準じ
て、本発明の磁気ヘッドにおいても、前記従来の磁気ヘ
ッドと実質的に共通する構成要素部分を作製するとよ
い。加えて、上で規定する第二の磁気コア（上磁極）１
１の部分を除き、磁気ヘッドを構成する各部の形状サイ
ズなども、特開平１０−１６２３２２号公報などに記載
される磁気ヘッドの形状に準じて適宜選択することがで
きる。また、本発明の磁気ヘッドにおいて、その特徴を
なす、第２の磁性層上に電解めっき法で形成される第３
の磁性層、例えば、ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料のめっき工
程も、特開平６−３４６２０２号公報や特公昭６３−５
３２７７号公報などに開示される手法に準じて適宜実施
することができる。
ドは、上述する記録ヘッド部にあたるＩＤヘッド構成を
除き、図４なたびに図３に示す従来の磁気ヘッドと実質
的に同じ構成をとることができる。具体的には、再生ヘ
ッド部にあたる磁気抵抗効果素子部とその上下に配置さ
れる磁気シールドは、従来の磁気ヘッドに採用されるス
ピンバルブ効果と呼ばれるＧＭＲ効果を利用する磁気抵
抗効果素子を採用することができる。例えば、利用され
る磁性材料を除き、特開平１０−１６２３２２号公報な
どに記載される磁気抵抗効果素子等の製造方法に準じ
て、本発明の磁気ヘッドにおいても、前記従来の磁気ヘ
ッドと実質的に共通する構成要素部分を作製するとよ
い。加えて、上で規定する第二の磁気コア（上磁極）１
１の部分を除き、磁気ヘッドを構成する各部の形状サイ
ズなども、特開平１０−１６２３２２号公報などに記載
される磁気ヘッドの形状に準じて適宜選択することがで
きる。また、本発明の磁気ヘッドにおいて、その特徴を
なす、第２の磁性層上に電解めっき法で形成される第３
の磁性層、例えば、ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料のめっき工
程も、特開平６−３４６２０２号公報や特公昭６３−５
３２７７号公報などに開示される手法に準じて適宜実施
することができる。
【００４９】そして、以上に説明した本発明の磁気ヘッ
ドを搭載した磁気記録再生装置は、記録用ヘッド自体の
記録磁界を高くでき、例えば、磁気媒体の保磁力が３５
００Ｏｅ以上であり、１平方インチ当りの記録密度を１
０ギガビット以上とすることも可能である。
ドを搭載した磁気記録再生装置は、記録用ヘッド自体の
記録磁界を高くでき、例えば、磁気媒体の保磁力が３５
００Ｏｅ以上であり、１平方インチ当りの記録密度を１
０ギガビット以上とすることも可能である。
【００５０】
【実施例】以下、具体例を挙げて、本発明の磁気ヘッド
をさらに詳しく説明する。かかる説明では、複数の図面
を参照するが、全図において、同一部分（対応部分）に
は同一符号を付すこととし、それに伴い重複する説明を
省略する。なお、以下に説明する実施例は、本発明の好
ましい実施の形態の一例を示すが、本発明はこれに限定
されるものではない。
をさらに詳しく説明する。かかる説明では、複数の図面
を参照するが、全図において、同一部分（対応部分）に
は同一符号を付すこととし、それに伴い重複する説明を
省略する。なお、以下に説明する実施例は、本発明の好
ましい実施の形態の一例を示すが、本発明はこれに限定
されるものではない。
【００５１】（実施例１）図１および図２は、本発明の
第一の実施例に用いる磁気ヘッドの構成を示す。図２
は、磁気ヘッドをＡＢＳから見た図であり、図１は、図
２中に直線ＡＢで示す、ＡＢＳと垂直な断面における構
成を示す断面図である。以下、これらの図面に基づき説
明する。
第一の実施例に用いる磁気ヘッドの構成を示す。図２
は、磁気ヘッドをＡＢＳから見た図であり、図１は、図
２中に直線ＡＢで示す、ＡＢＳと垂直な断面における構
成を示す断面図である。以下、これらの図面に基づき説
明する。
【００５２】スライダとなる基体１はアルミナとチタン
カーバイドとからなる複合セラミックである。この基体
１上に、再生機能を有するＭＲヘッドが形成されてい
る。ＭＲヘッドは、パタン化されたＣｏＺｒＴａ膜から
なる下シールド２と、Ｎｉの含有率が８０％程度のＮｉ
Ｆｅ膜からなる上シールド６と、これらの間に、アルミ
ナからなる磁気分離層３を介した磁気抵抗効果素子４と
からなる。下シールド２の厚さは１μｍ、上シールド６
の厚さは３μｍである。また、下シールド２と上シール
ド６の間のギャップは０．１３μｍである。
カーバイドとからなる複合セラミックである。この基体
１上に、再生機能を有するＭＲヘッドが形成されてい
る。ＭＲヘッドは、パタン化されたＣｏＺｒＴａ膜から
なる下シールド２と、Ｎｉの含有率が８０％程度のＮｉ
Ｆｅ膜からなる上シールド６と、これらの間に、アルミ
ナからなる磁気分離層３を介した磁気抵抗効果素子４と
からなる。下シールド２の厚さは１μｍ、上シールド６
の厚さは３μｍである。また、下シールド２と上シール
ド６の間のギャップは０．１３μｍである。
【００５３】このギャップ間に配置される磁気抵抗効果
素子は、図２に示すように、記録媒体からの磁界を感磁
する中央領域４と、この中央領域にバイアス磁界と電流
とを供給する機能を有する端部領域５とからなる。この
中央領域４は、一般にスピンバルブ効果と呼ばれるＧＭ
Ｒ効果を有する積層構造体からなる。具体的には、下シ
ールド２側から、下地Ｚｒ膜（膜厚３ｎｍ）、ＰｔＭｎ
膜（膜厚２０ｎｍ）、ＣｏＦｅ膜（膜厚２ｎｍ）、Ｃｕ
膜（膜厚２．１ｎｍ）、ＣｏＦｅ膜（膜厚０．５ｎ
ｍ）、ＮｉＦｅ膜（膜厚２ｎｍ）、Ｚｒ膜（膜厚３ｎ
ｍ）の積層構造体である。中央領域４の幅は、０．５μ
ｍであり、再生トラック幅を規定している。
素子は、図２に示すように、記録媒体からの磁界を感磁
する中央領域４と、この中央領域にバイアス磁界と電流
とを供給する機能を有する端部領域５とからなる。この
中央領域４は、一般にスピンバルブ効果と呼ばれるＧＭ
Ｒ効果を有する積層構造体からなる。具体的には、下シ
ールド２側から、下地Ｚｒ膜（膜厚３ｎｍ）、ＰｔＭｎ
膜（膜厚２０ｎｍ）、ＣｏＦｅ膜（膜厚２ｎｍ）、Ｃｕ
膜（膜厚２．１ｎｍ）、ＣｏＦｅ膜（膜厚０．５ｎ
ｍ）、ＮｉＦｅ膜（膜厚２ｎｍ）、Ｚｒ膜（膜厚３ｎ
ｍ）の積層構造体である。中央領域４の幅は、０．５μ
ｍであり、再生トラック幅を規定している。
【００５４】また、端部領域５は、バイアス磁界を与え
る永久磁石膜としてのＣｏＰｔ膜（膜厚２０ｎｍ）、電
流を供給する電極膜としてのＡｕ膜（膜厚５０ｎｍ）が
積層される構造をとる。
る永久磁石膜としてのＣｏＰｔ膜（膜厚２０ｎｍ）、電
流を供給する電極膜としてのＡｕ膜（膜厚５０ｎｍ）が
積層される構造をとる。
【００５５】前記ＧＭＲヘッド上に、Ｔｉからなる非磁
性膜（膜厚３ｎｍ）およびＮｉＦｅからなる導電層（膜
厚１００ｎｍ）を介して、ＮｉＦｅ膜２．０μｍとサッ
カリンを添加していないめっき液を用いるＣｏＮｉＦｅ
膜０．５μｍの複合膜からなる上シールド６が形成され
ている。このＴｉの非磁性層を介することにより上シー
ルト゛６と磁気分離層３の密着力が向上し、上シールト
゛６を構成する、サッカリンを含まないめっき液を用い
るＣｏＮｉＦｅ膜の応力によって膜はがれが生じるのを
防ぐことができる。非磁性層は、その膜厚を２ｎｍ以上
とすると密着力は良好であるが、非磁性層の膜厚は再生
ギャップ長を広くするため、１０ｎｍを上限とする。
性膜（膜厚３ｎｍ）およびＮｉＦｅからなる導電層（膜
厚１００ｎｍ）を介して、ＮｉＦｅ膜２．０μｍとサッ
カリンを添加していないめっき液を用いるＣｏＮｉＦｅ
膜０．５μｍの複合膜からなる上シールド６が形成され
ている。このＴｉの非磁性層を介することにより上シー
ルト゛６と磁気分離層３の密着力が向上し、上シールト
゛６を構成する、サッカリンを含まないめっき液を用い
るＣｏＮｉＦｅ膜の応力によって膜はがれが生じるのを
防ぐことができる。非磁性層は、その膜厚を２ｎｍ以上
とすると密着力は良好であるが、非磁性層の膜厚は再生
ギャップ長を広くするため、１０ｎｍを上限とする。
【００５６】前記の再生ヘッド部と複合させて、前記上
シールド６を第一の磁極（下磁極）として利用する記録
機能を有するＩＤヘッドが形成されている。ＩＤヘッド
は、上シールド６を第一の磁極（下磁極）とし、第一の
磁極６上に、膜厚０．１８μｍのアルミナによる記録ギ
ャップ（磁気ギャップ）７を介して、配置する非磁性絶
縁体８によってゼロ・スロート・ハイトを規定する。本
実施例では、この非磁性絶縁体８はフォトレジストから
なる。
シールド６を第一の磁極（下磁極）として利用する記録
機能を有するＩＤヘッドが形成されている。ＩＤヘッド
は、上シールド６を第一の磁極（下磁極）とし、第一の
磁極６上に、膜厚０．１８μｍのアルミナによる記録ギ
ャップ（磁気ギャップ）７を介して、配置する非磁性絶
縁体８によってゼロ・スロート・ハイトを規定する。本
実施例では、この非磁性絶縁体８はフォトレジストから
なる。
【００５７】次いで、非磁性絶縁体８上にＣｕめっき膜
からなるコイル９が形成される。さらに、非磁性絶縁体
１０を非磁性絶縁体８の外周部を覆うように形成する。
この非磁性絶縁体８および非磁性絶縁体１０により、コ
イル９は絶縁される。本実施例では、この非磁性絶縁体
１０はフォトレジストからなる。
からなるコイル９が形成される。さらに、非磁性絶縁体
１０を非磁性絶縁体８の外周部を覆うように形成する。
この非磁性絶縁体８および非磁性絶縁体１０により、コ
イル９は絶縁される。本実施例では、この非磁性絶縁体
１０はフォトレジストからなる。
【００５８】この上に、めっきのシードレイヤーとして
利用する、下地層（密着層）１２としてＴｉ膜１０ｎ
ｍ、ＣｏＮｉＦｅ膜１００ｎｍからなる第１の磁性層１
３およびＮｉＦｅ膜１０ｎｍからなる第２の磁性層１４
をスパッタにより順次、成膜する。第２の磁性層１４の
膜厚が薄くなると第１の磁性層１３に対する被覆性が悪
くなる。すなわち、第２の磁性層１４の膜厚は、通常５
ｎｍ以上必要である。また、第２の磁性層１４の膜厚が
あまり厚くなると記録磁界勾配が緩くなり、磁気ヘッド
の書き込み能力が低下する。そのため、第２の磁性層の
膜厚は、１００ｎｍ以下に選択するのが好ましい。
利用する、下地層（密着層）１２としてＴｉ膜１０ｎ
ｍ、ＣｏＮｉＦｅ膜１００ｎｍからなる第１の磁性層１
３およびＮｉＦｅ膜１０ｎｍからなる第２の磁性層１４
をスパッタにより順次、成膜する。第２の磁性層１４の
膜厚が薄くなると第１の磁性層１３に対する被覆性が悪
くなる。すなわち、第２の磁性層１４の膜厚は、通常５
ｎｍ以上必要である。また、第２の磁性層１４の膜厚が
あまり厚くなると記録磁界勾配が緩くなり、磁気ヘッド
の書き込み能力が低下する。そのため、第２の磁性層の
膜厚は、１００ｎｍ以下に選択するのが好ましい。
【００５９】さらに、フレームレジストを利用して、第
２の磁性層１４上に電解めっき法によって、第３の磁性
層１１としてＣｏＮｉＦｅ膜０．５μｍおよびＮｉＦｅ
膜２．８μｍからなる上磁極１１を形成する。第１の磁
性層１３にＣｏＮｉＦｅ膜などを採用することにより得
られる実効的な書き込み能力の向上をさらに高める、維
持するためには、第３の磁性層１１に含まれるＣｏＮｉ
Ｆｅめっき膜などＣｏＮｉＦｅ系磁性材料の膜厚を、
０．１μｍ以上とするとよい。
２の磁性層１４上に電解めっき法によって、第３の磁性
層１１としてＣｏＮｉＦｅ膜０．５μｍおよびＮｉＦｅ
膜２．８μｍからなる上磁極１１を形成する。第１の磁
性層１３にＣｏＮｉＦｅ膜などを採用することにより得
られる実効的な書き込み能力の向上をさらに高める、維
持するためには、第３の磁性層１１に含まれるＣｏＮｉ
Ｆｅめっき膜などＣｏＮｉＦｅ系磁性材料の膜厚を、
０．１μｍ以上とするとよい。
【００６０】このように第１の磁性層１３上に第２の磁
性層１４を成膜する事により、第３の磁性層１１用のめ
っき液に対する耐性の低い第１の磁性層１３ＣｏＮｉＦ
ｅ膜を、めっき液に対する耐性の高いＮｉＦｅ膜で保護
することができる。この被覆効果によって、めっき中に
第１の磁性層１３のＣｏＮｉＦｅ膜が溶解するのを防止
しできる。また、フレームレジストの下にめっき液が染
み込むことによる、上磁極１１の形状異常を防止するこ
とができる。
性層１４を成膜する事により、第３の磁性層１１用のめ
っき液に対する耐性の低い第１の磁性層１３ＣｏＮｉＦ
ｅ膜を、めっき液に対する耐性の高いＮｉＦｅ膜で保護
することができる。この被覆効果によって、めっき中に
第１の磁性層１３のＣｏＮｉＦｅ膜が溶解するのを防止
しできる。また、フレームレジストの下にめっき液が染
み込むことによる、上磁極１１の形状異常を防止するこ
とができる。
【００６１】本実施例の磁気ヘッドを搭載した磁気記憶
再生装置の構成を図６に示す。駆動用のモータ３０によ
り回転される、磁気媒体３１の磁気記憶面に対向して本
発明の磁気ヘッド３２が、サスペンション３３、アーム
３４により取り付けられる。磁気ヘッドは、ヴォイスコ
イルモータ（ＶＣＭ）３５でトラッキングされる。磁気
ヘッド自体は、図５に示すようにスライダ２０、電極２
２、記録・再生素子２１が配置されている。記録・再生
動作は、磁気ヘッド３２への記録・再生チャネル３６か
らの信号により行われる。この記録・再生チャネル３
６、磁気ヘッドの位置決めを行うＶＣＭ３５、および磁
気媒体３１を回転させる駆動モータ３０は、制御ユニッ
ト３７により連動している。
再生装置の構成を図６に示す。駆動用のモータ３０によ
り回転される、磁気媒体３１の磁気記憶面に対向して本
発明の磁気ヘッド３２が、サスペンション３３、アーム
３４により取り付けられる。磁気ヘッドは、ヴォイスコ
イルモータ（ＶＣＭ）３５でトラッキングされる。磁気
ヘッド自体は、図５に示すようにスライダ２０、電極２
２、記録・再生素子２１が配置されている。記録・再生
動作は、磁気ヘッド３２への記録・再生チャネル３６か
らの信号により行われる。この記録・再生チャネル３
６、磁気ヘッドの位置決めを行うＶＣＭ３５、および磁
気媒体３１を回転させる駆動モータ３０は、制御ユニッ
ト３７により連動している。
【００６２】以上に説明した磁気記憶再生装置において
は、磁気媒体３１の保磁力を３５００ Ｏｅ以上、媒体
３１と磁気ヘッド３２の磁気間隙を３５ｎｍとすること
によって、およそ１０ギガビット／平方インチあるい
は、それ以上の記録密度を有する磁気記憶再生装置を実
現することができる。
は、磁気媒体３１の保磁力を３５００ Ｏｅ以上、媒体
３１と磁気ヘッド３２の磁気間隙を３５ｎｍとすること
によって、およそ１０ギガビット／平方インチあるい
は、それ以上の記録密度を有する磁気記憶再生装置を実
現することができる。
【００６３】
【発明の効果】本発明の磁気ヘッドは、記録に用いるＩ
Ｄヘッドを構成する上磁極を、第１の磁性層、第２の磁
性層、ならびに前記第２の磁性層上に電解めっき法で形
成する第３の磁性層からなる積層構造とすることによっ
て、高Ｂｓの磁性体材料をシードレイヤーに用いて、フ
レームめっきで磁気コアを形成する際に、前記高Ｂｓの
磁性体材料がめっき液に溶解するなどの不具合が発生す
ることを防止できる。それに伴い、この上磁極は、下地
とするシードレイヤー自体も高Ｂｓの磁性体材料を導入
した構造となり、高い記録磁界を達成できる。従って、
本発明の磁気ヘッドは、１平方インチあたり１０ギガビ
ット以上の高密度記録・再生を実現するに足りる性能を
有する、スピンバルブ効果を用いたＧＭＲヘッド型再生
ヘッド部と、ＩＤヘッド型の記録ヘッド部を具えた複合
型磁気ヘッドとなる。また、本発明の磁気ヘッドの製造
方法は、前記するＩＤヘッドを構成する上磁極の作製に
フレームめっき法を利用するので、高い作業性と再現性
を達成でき、また製造コストの上昇を抑えることができ
る。さらには、本発明の磁気ヘッドを搭載する磁気記録
再生装置は、１平方インチあたり１０ギガビット以上の
高密度記録・再生を実用上意味のある製造コスト範囲で
実現するものとなる。
Ｄヘッドを構成する上磁極を、第１の磁性層、第２の磁
性層、ならびに前記第２の磁性層上に電解めっき法で形
成する第３の磁性層からなる積層構造とすることによっ
て、高Ｂｓの磁性体材料をシードレイヤーに用いて、フ
レームめっきで磁気コアを形成する際に、前記高Ｂｓの
磁性体材料がめっき液に溶解するなどの不具合が発生す
ることを防止できる。それに伴い、この上磁極は、下地
とするシードレイヤー自体も高Ｂｓの磁性体材料を導入
した構造となり、高い記録磁界を達成できる。従って、
本発明の磁気ヘッドは、１平方インチあたり１０ギガビ
ット以上の高密度記録・再生を実現するに足りる性能を
有する、スピンバルブ効果を用いたＧＭＲヘッド型再生
ヘッド部と、ＩＤヘッド型の記録ヘッド部を具えた複合
型磁気ヘッドとなる。また、本発明の磁気ヘッドの製造
方法は、前記するＩＤヘッドを構成する上磁極の作製に
フレームめっき法を利用するので、高い作業性と再現性
を達成でき、また製造コストの上昇を抑えることができ
る。さらには、本発明の磁気ヘッドを搭載する磁気記録
再生装置は、１平方インチあたり１０ギガビット以上の
高密度記録・再生を実用上意味のある製造コスト範囲で
実現するものとなる。
【図１】本発明の磁気ヘッドの断面構造を模式的に示す
図である。
図である。
【図２】本発明の磁気ヘッドを構成するスピンバルブ効
果を用いたＧＭＲヘッド型再生ヘッド部とＩＤヘッド型
の記録ヘッド部の配置を模式的に示す図である。
果を用いたＧＭＲヘッド型再生ヘッド部とＩＤヘッド型
の記録ヘッド部の配置を模式的に示す図である。
【図３】従来の磁気ヘッドの断面構造を模式的に示す図
である。
である。
【図４】従来の磁気ヘッドを構成するスピンバルブ効果
を用いたＧＭＲヘッド型再生ヘッド部とＩＤヘッド型の
記録ヘッド部の配置を模式的に示す図である。
を用いたＧＭＲヘッド型再生ヘッド部とＩＤヘッド型の
記録ヘッド部の配置を模式的に示す図である。
【図５】スライダ上における本発明の磁気ヘッド素子部
と付設する電極の配置を示す図である。
と付設する電極の配置を示す図である。
【図６】本発明の磁気ヘッドを搭載する磁気記録再生装
置の構成を示す概略図である。
置の構成を示す概略図である。
１ 基体（スライダ）
２ 下磁気シールド（下シールド）
３ 磁気分離層
４ 磁気抵抗効果素子の中央領域
５ 磁気抵抗効果素子の端部領域
６ 上磁気シールド（上シールド：下磁極）
７ 記録ギャップ（磁気ギャップ）
８ 絶縁層
９ コイル
１０ 絶縁層
１１ 第二の磁気コア（上磁極）
１２ 下地層
１３ 第１の磁性層
１４ 第２の磁性層
２０ スライダ
２１ 磁気ヘッド素子部（記録・再生素子）
２２ 電極
３０ 駆動用モータ
３１ 磁気媒体（磁気ディスク）
３２ スライダヘッド（磁気ヘッド）
３３ サスペンション
３４ アーム
３５ ヴォイスコイルモータ（ＶＣＭ）
３６ 記録・再生チャンネル
３７ 制御ユニット
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 斎藤 美紀子
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 斉藤 信作
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 鳥羽 環
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 野中 義弘
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/31
G11B 5/39
Claims (9)
- 【請求項１】 磁気媒体上への記録に用いるインダクテ
ィブヘッド型記録ヘッドを具える磁気ヘッドであって、 前記インダクティブヘッド型記録ヘッドは、第一の磁気
コアと第二の磁気コアとの間に非磁性非導電性材料層か
らなる磁気ギャップ層を設け、前記第一の磁気コアなら
びに第二の磁気コアと電気的に絶縁されてなる励磁用コ
イルを具え、前記励磁用コイルにより励磁される磁気コ
アからの磁束の一部が、前記磁気ギャップ層から洩れる
構成をとり、この洩れる磁束により磁気媒体上への記録
がなされる構造であり、 前記第二の磁気コアが、三種の磁性層が積層されてなる
積層型磁気コアの構成であり、前記磁気ギャップ層に対
して、最も近接して配置される第１の磁性層、前記第１
の磁性層上に積層される第２の磁性層、ならびに前記第
２の磁性層上に所望形状にフレームめっきで形成される
第３の磁性層からなり、 前記三種の磁性層が積層されてなる積層型磁気コアの構
成は、 前記第１の磁性層を、ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料からなる
層、あるいはＣｏＮｉＦｅＸ（Ｘは、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，
Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔから選択される少
なくとも１種類の元素を表す）を主成分とする磁性材料
からなる層とし、 前記第２の磁性層を、ＮｉＦｅ系合金磁性材料からなる
層とし、 前記第３の磁性層を、ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料からなる
層を少なくとも一層含む構成とすることを特徴とする磁
気ヘッド。 - 【請求項２】 ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料からなる層を含
む前記第３の磁性層を、ＣｏＮｉＦｅ系磁性材料からな
る層に加え、ＮｉＦｅ系磁性材料からなる層を含み、両
者が積層されてなる構造を有し、前記ＣｏＮｉＦｅ系磁
性材料からなる層の少なくとも一層が、前記第２の磁性
層と接するように配置されている構成をとることを特徴
とする請求項１に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記第１の磁性層に対して、その下地層
として、非磁性材料からなる層を設けることを特徴とす
る請求項１また２に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記下地層は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ
Ｗ、ＴａＮ、ＴｉＮ、Ｍｏ、Ｓｉ、ＳｉＮからなる群か
ら選択する非磁性材料の薄膜を少なくとも１層含む構成
をとることを特徴とする請求項３に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記下地層は、その厚さを１０ｎｍ〜５
０ｎｍの範囲に選択することを特徴とする請求項３また
は４に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記第２の磁性層は、その膜厚を５ｎｍ
〜１００ｎｍの範囲に選択することを特徴とする請求項
１〜５のいずれか一項に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記インダクティブヘッド型記録ヘッド
に加え、磁気媒体上の記録を読み取る際に用いる磁気抵
抗効果型読み取りヘッドをも具え、 前記磁気抵抗効果型読み取りヘッドは、対向する第１の
磁気シールドと第２の磁気シールドとその間を隔てる電
気絶縁層を具え、前記対向する磁気シールドの一つが、
前記インダクティブヘッド型記録ヘッドの第一の磁気コ
アと一体に形成される構成をとることを特徴とする請求
項１〜６のいずれか一項に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか一項に記載の磁
気ヘッドを搭載することを特徴とする磁気記録・再生装
置。 - 【請求項９】 請求項１〜７のいずれか一項に記載の磁
気ヘッドを製造する方法であって、 前記インダクティブヘッド型記録ヘッドを構成する第二
の磁気コアを作製するに際し、 前記第二の磁気コアを構成する第１の磁性層、前記第１
の磁性層上に積層される第２の磁性層、ならびに前記第
２の磁性層上に所望形状にフレームめっきで形成される
第３の磁性層を作製する工程が、 前記第１の磁性層を物理的気相成長法を用いて形成する
工程、 前記第２の磁性層を物理的気相成長法を用いて形成する
工程、 前記第２の磁性層上に所望形状のレジストフレームを形
成する工程、 ならびに、前記所望形状のレジストフレームを用いて、
フレームめっきで形成される第３の磁性層を少なくとも
前記第２の磁性層に電流を流して電気めっき法により形
成する工程を含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31706799A JP3473684B2 (ja) | 1999-11-08 | 1999-11-08 | 磁気ヘッドおよびその製造方法、それを用いる磁気記録再生装置 |
| US09/707,805 US6466416B1 (en) | 1999-08-11 | 2000-11-07 | Magnetic head, method for making the same and magnetic recording/reproducing device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31706799A JP3473684B2 (ja) | 1999-11-08 | 1999-11-08 | 磁気ヘッドおよびその製造方法、それを用いる磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001134907A JP2001134907A (ja) | 2001-05-18 |
| JP3473684B2 true JP3473684B2 (ja) | 2003-12-08 |
Family
ID=18084066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31706799A Expired - Lifetime JP3473684B2 (ja) | 1999-08-11 | 1999-11-08 | 磁気ヘッドおよびその製造方法、それを用いる磁気記録再生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6466416B1 (ja) |
| JP (1) | JP3473684B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US6791794B2 (en) * | 2000-09-28 | 2004-09-14 | Nec Corporation | Magnetic head having an antistripping layer for preventing a magnetic layer from stripping |
| CN1197053C (zh) * | 1999-12-28 | 2005-04-13 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 在媒体相对面上设置有凸部的磁头滑动块和其制造方法 |
| JP2002183909A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-28 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッドとそれを搭載した磁気ディスク装置 |
| JP3362034B2 (ja) * | 2001-01-16 | 2003-01-07 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US6654203B2 (en) | 2001-04-25 | 2003-11-25 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same, head gimbal assembly and hard disk drive |
| US7199972B2 (en) * | 2001-08-31 | 2007-04-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Narrow write head pole tip fabricated by sidewall processing |
| US7085100B2 (en) * | 2002-03-19 | 2006-08-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head having a bilayer pole tip |
| SG115532A1 (en) * | 2002-04-03 | 2005-10-28 | Seagate Technology Llc | Perpendicular writer pole having a nonmagnetic seedlayer |
| JP2004247001A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Hitachi Ltd | 記録再生分離型磁気ヘッド |
| US8434220B2 (en) * | 2007-06-27 | 2013-05-07 | Rf Micro Devices, Inc. | Heat sink formed with conformal shield |
| US8959762B2 (en) | 2005-08-08 | 2015-02-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Method of manufacturing an electronic module |
| US8053872B1 (en) | 2007-06-25 | 2011-11-08 | Rf Micro Devices, Inc. | Integrated shield for a no-lead semiconductor device package |
| US8062930B1 (en) * | 2005-08-08 | 2011-11-22 | Rf Micro Devices, Inc. | Sub-module conformal electromagnetic interference shield |
| US7834622B2 (en) * | 2007-10-18 | 2010-11-16 | Baker Hughes Incorporated | Configurable magnet assembly for using in NMR well logging instrument |
| US8274758B2 (en) * | 2008-06-12 | 2012-09-25 | Headway Technologies, Inc. | Composite writer shield for improving writer performance |
| US8808524B2 (en) * | 2009-01-27 | 2014-08-19 | Seagate Technology Llc | Direct electrodeposition of magnetic recording head features |
| US8449948B2 (en) * | 2009-09-10 | 2013-05-28 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for corrosion protection of layers in a structure of a magnetic recording transducer |
| US9137934B2 (en) | 2010-08-18 | 2015-09-15 | Rf Micro Devices, Inc. | Compartmentalized shielding of selected components |
| US8835226B2 (en) | 2011-02-25 | 2014-09-16 | Rf Micro Devices, Inc. | Connection using conductive vias |
| US9627230B2 (en) | 2011-02-28 | 2017-04-18 | Qorvo Us, Inc. | Methods of forming a microshield on standard QFN package |
| US9807890B2 (en) | 2013-05-31 | 2017-10-31 | Qorvo Us, Inc. | Electronic modules having grounded electromagnetic shields |
| US9135930B1 (en) | 2014-03-06 | 2015-09-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic write pole using vacuum deposition |
| US11127689B2 (en) | 2018-06-01 | 2021-09-21 | Qorvo Us, Inc. | Segmented shielding using wirebonds |
| US11219144B2 (en) | 2018-06-28 | 2022-01-04 | Qorvo Us, Inc. | Electromagnetic shields for sub-modules |
| US11114363B2 (en) | 2018-12-20 | 2021-09-07 | Qorvo Us, Inc. | Electronic package arrangements and related methods |
| US11515282B2 (en) | 2019-05-21 | 2022-11-29 | Qorvo Us, Inc. | Electromagnetic shields with bonding wires for sub-modules |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3201892B2 (ja) | 1993-04-23 | 2001-08-27 | ティーディーケイ株式会社 | 軟磁性薄膜とそれを用いた磁気インダクティブｍｒヘッド |
| JP3229718B2 (ja) | 1993-06-11 | 2001-11-19 | ティーディーケイ株式会社 | 軟磁性合金、軟磁性薄膜および多層膜 |
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| JPH10162322A (ja) | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Nec Corp | 磁気抵抗効果型複合ヘッドおよびその製造方法 |
| JPH1116120A (ja) | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
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-
1999
- 1999-11-08 JP JP31706799A patent/JP3473684B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-11-07 US US09/707,805 patent/US6466416B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001134907A (ja) | 2001-05-18 |
| US6466416B1 (en) | 2002-10-15 |
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