JPH11134616A - 磁気抵抗型読取りセンサ、磁気記憶装置及び磁気抵抗型センサの製造方法 - Google Patents

磁気抵抗型読取りセンサ、磁気記憶装置及び磁気抵抗型センサの製造方法

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JPH11134616A
JPH11134616A JP10198154A JP19815498A JPH11134616A JP H11134616 A JPH11134616 A JP H11134616A JP 10198154 A JP10198154 A JP 10198154A JP 19815498 A JP19815498 A JP 19815498A JP H11134616 A JPH11134616 A JP H11134616A
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JP10198154A
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Marcos M Lederman
マルコス・エム・レダーマン
Daniel A Nepela
ダニエル・エイ・ネペラ
Hua-Ching Tong
フワ−チン・トン
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Read Rite Corp
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 基板１０，１１０，２１０上に形成した磁気
抵抗型読取りセンサは、確定した組成のイリジウムマン
ガンで形成された反強磁性層に交換結合した強磁性層を
備える。非磁性バッファ層としてタンタル層を用いる。
反強磁性層はＩｒxＭｎ100-x（ここで、ｘは１５＜ｘ＜
２３の範囲内）の材料組成で形成される。スピンバルブ
構造の実施例では、タンタル層１２を基板１０上に付着
し、反強磁性層２０を強磁性ピン止め層１８に直接接触
させる。別の実施例では、ＩｒＭｎ層１１６を軟アクテ
ィブ層１１４上に形成する。交換ピン止め作用を用いる
第３実施例では、アクティブ磁気抵抗層上に離隔したＩ
ｒＭｎ領域２２２，２２４を形成し、センサのトラック
幅を画定する。 【効果】 アニール温度の変化に対して交換磁場及び飽
和保磁力が変化しない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁場を感知するた
めの磁気抵抗型（ＭＲ）センサ及びスピンバルブセンサ
に関し、特に、高温の環境下で使用するためのＭＲ読取
りセンサを用いた磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗型（ＭＲ）センサは、読取り素
子の抵抗の変化を検出することにより磁場を検出する。
ＭＲ読取りセンサは、磁気ディスク装置または磁気テー
プ装置に用いられて、磁気媒体上に記録した磁束の変化
の形態で信号を読み取る。通常のＭＲ読取りセンサは、
基板上に薄膜層を付着させた矩形多層構造である。
【０００３】複合ヘッドとして知られている現在公知の
薄膜磁気ヘッドは、信号を記録するための誘導型書込み
素子と、記録した信号を読み取るための磁気抵抗型（Ｍ
Ｒ）センサとを備える。書込み動作は、磁路を形成しか
つ先端ポール領域に非磁性変換ギャップを画定する１対
の磁気書込みポールを用いて誘導的に行われる。前記変
換ギャップは、回転磁気ディスクのような隣接する記録
媒体の表面に近接して配置する。前記ポール間に形成さ
れる電気コイルにより、記録すべき信号情報を表すコイ
ル内の電流に応答して、前記ポールの磁路に磁束の流れ
が生じる。
【０００４】読取り動作は、隣接する磁気媒体上の磁束
の変化に応答して抵抗を変化させるＭＲセンサにより行
われる。ＭＲセンサを通過する感知電流が、磁束の変化
に比例して変化するＭＲセンサの抵抗を感知する。
【０００５】巨大磁気抵抗型（ＧＭＲ）センサと呼ばれ
るデバイスでは、より大きな磁気抵抗が認められてい
る。スピンバルブ構造では、２つの強磁性（ＦＭ）層が
銅層ににより分離されている。２つの強磁性層の一方
は、その磁気モーメントが反強磁性（ＡＦＭ）膜との交
換結合により固定即ちピン止めされている。外部磁場の
印加により、一方のＦＭ層の磁気配向が他方のＦＭ層に
関して変化する。これにより、伝導電子のスピン依存散
乱に変化が生じ、従ってデバイスの電気抵抗が変化す
る。
【０００６】ディスクドライブのような磁気記憶装置
は、環境温度が多分１００℃であるような高温環境下で
使用される場合がより多くなっている。環境温度がピン
止め層のニール温度を超えると、磁気特性が悪影響を受
け、ディスクドライブはエラーや作動不能になり易くな
る。
【０００７】従来、スピンバルブ装置の反強磁性（ＡＦ
Ｍ）層に選択される材料は鉄マンガン（ＦｅＭｎ）合金
であった。ハシモト（Hashimoto）他の米国特許第5,55
2,949号：1996年９月３日発行：発明の名称「Magnetore
sistance Effect Element With Improved Antiferromag
netic Layer」の明細書では、イリジウムマンガン（Ｉ
ｒＭｎ）を選択して、製造工程で使用される酸の腐食作
用を減少させている。
【０００８】このハシモト他の米国特許では、交換結合
膜からなるＭＲ素子が基板上に形成されている。交換結
合膜は、ＩｒＭｎで形成されたＡＦＭ層と、少なくとも
部分的にＡＦＭ層に積層されたＦＭ層とからなる。電極
によりＦＭ層に電流が供給される。ＡＦＭはＩｒ100-Z
ＭｎZからなり、そのイリジウムの組成は２４≦ｚ≦７
５の範囲内である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このハ
シモト他の米国特許におけるイリジウムマンガンの組成
はブロッキング温度（ニール温度）が高くないので、高
温では所望の磁気特性が失われる。
【０００１０】そこで、高い動作温度で磁気特性を失わ
ないＡＦＭ材料で製造されたスピンバルブセンサが要望
されている。
【０００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、磁気抵
抗型センサデバイスは、基板上に付着させたタンタル
（Ｔａ）のような金属の非磁性バッファ層を有するよう
に形成する。パーマロイ（ＮｉＦｅ）膜をテクスチャリ
ングのためにＴａ層上に直接付着させ、かつ次に該Ｎｉ
Ｆｅ膜上にＩｒＭｎを付着させる。このＡＦＭ層はＩｒ
xＭｎ100-xからなり、ｘは１５＜ｘ＜２３の範囲内であ
る。磁気抵抗センサ層には電極が結合される。
【０００１２】本発明の一実施例によれば、前記非磁性
バッファ層は約５０Åの膜厚を有し、かつ前記ＩｒＭｎ
・ＡＦＭ層は約１００Åの膜厚を有する。
【０００１３】Ｔａバッファ層を用いた本発明のデバイ
スは、２９５℃程度の高温の影響を受けない。Ｔａバッ
ファ層を用いない場合には、温度が２００℃に上がる
と、デバイスの磁気特性が低下することになる。
【０００１４】
【発明の実施の形態】本発明によるスピンバルブ構造の
実施例では、図１に示すように、バッファ層として機能
するＴａ層１２が基板１０上に形成されている。次に、
ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、Ｃｏ、またはこれらのいずれかの
組合せからなるＦＭ自由層１４がバッファ層１２上に形
成され、その上に銅スペーサ１６が設けられている。次
に、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、Ｃｏ、またはこれらのいずれ
かの組合せで形成することができるＦＭピン止め層１８
を銅スペーサ１６の上に付着させる。
【０００１５】本発明によれば、イリジウムマンガン
（ＩｒＭｎ）からなるＡＦＭ層２０をピン止め層１８上
に付着させる。ピン止め層１８はＡＦＭ層２０に交換結
合されている。電極２２、２４を設けて、前記スピンバ
ルブ構造を感知回路２６に接続する。
【０００１６】ＩｒＭｎをＮｉＦｅ上に付着させて使用
し、かつＮｉＦｅについてＴａバッファ層を用いること
により、非常に安定した膜を有する高交換・高ブロッキ
ング温度のデバイスが実現される。本発明に従って、Ａ
ＦＭ層２０はＩｒxＭｎ100-xからなり、かつｘは１５＜
ｘ＜２３の範囲内にあり、Ｔａバッファ層１２がスピン
バルブセンサのＮｉＦｅ・ＦＭ自由層１４の下側に設け
られている。本発明に従って所望の磁気特性が得られる
範囲は、Ｉｒ15Ｍｎ85乃至Ｉｒ23Ｍｎ77であり、Ｉｒ20
Ｍｎ80が好ましい組成である。本明細書中に記載するよ
うにＴａバッファ層を用いた構造は、Ｔａバッファ層を
使用しない構造について見られるようなアニール温度の
変化に伴うＨｅまたはＨｃの変化を生じない。
【０００１７】本発明の好適な実施例では、ＡＦＭ層２
０の膜厚が約１００Å、Ｔａバッファ層の膜厚が約５０
Å、ＮｉＦｅ自由層１４の膜厚が約５０Åである。
【０００１８】図２は、本発明により形成された軟隣接
層（ＳＡＬ）型のＭＲセンサを示している。図示される
センサは、ディスク装置のような磁気媒体から見上げた
場合を示している。このＭＲセンサは、例えばＲＦ（無
線周波数）スパッタリングまたはＤＣ（直流）スパッタ
リングのような公知技術を用いて製造される。
【０００１９】基板１１０は、多層膜構造Ｔａ／ＮｉＦ
ｅＸ／ＩｒＭｎ／Ｔａ／ＮｉＦｅＸを順に付着させて準
備する。ここで、Ｘはロジウム（Ｒｈ）、タンタル（Ｔ
ａ）またはレニウム（Ｒｅ）である。前記センサのエン
ド領域は、フォトリソグラフィとサブトラクティブ法に
よるイオンミリングまたはエッチングとにより画定され
る。前記エンド領域間に中央アクティブ領域１００が画
定される。導電リード１２４、１２６を形成して、前記
ＭＲセンサを信号感知回路１２２に接続する。
【０００２０】第１ＮｉＦｅＸ層１１４は、軟隣接層即
ち軟アクティブ層（ＳＡＬ）として機能する。Ｔａバッ
ファ層１１２は基板１１０とＮｉＦｅＸ・ＳＡＬ層１１
４間に形成される。ＳＡＬ層１１４上に形成したＩｒＭ
ｎ層１１６はＡＦＭであり、高いブロッキング温度を有
する。ＡＦＭ層１１６がＩｒxＭｎ100-xからなり、ｘが
１５＜ｘ＜２３の範囲内にあると好都合である。本発明
に従って所望の磁気特性が得られる範囲は、Ｉｒ15Ｍｎ
85乃至Ｉｒ23Ｍｎ77であり、Ｉｒ20Ｍｎ80が好ましい組
成である。
【０００２１】Ｔａ層１１８がＩｒＭｎ層１１６上に形
成され、ＮｉＦｅからなるＭＲ層１２０がＴａ層１１８
上に形成される。前記センサデバイスは、導電リード１
２４、１２６により感知回路１２２に接続される。
【０００２２】本実施例では、基板１１０とＳＡＬ層１
１４間のＴａバッファ層１１２の膜厚が約５０Åであ
る。ＡＦＭ安定化層１１６の膜厚は約８０Å、Ｔａバッ
ファ層１１８の膜厚は約２０Åである。
【０００２３】本実施例において、ＡＦＭ層１１６はＩ
ｒxＭｎ100-xからなり、かつｘは１５＜ｘ＜２３の範囲
内にあるとともに、Ｔａバッファ層１１８がＩｒＭｎ層
１１６とＮｉＦｅ層１２０間に設けられている。本発明
に従って所望の磁気特性が得られる範囲は、Ｉｒ15Ｍｎ
85乃至Ｉｒ23Ｍｎ77であり、Ｉｒ20Ｍｎ80が好ましい組
成である。
【０００２４】図３は、本発明によるＭＲ読取りセンサ
の別の実施例を示しており、ＭＲ層が交換ピン止めされ
ている。この実施例では、離隔されたＡＦＭ領域２２
２、２２４に確定された組成のＩｒＭｎを用いる。この
構造は、ＳＡＬ２１４を付着させた基板２１０について
形成される。
【０００２５】Ｔａ層２１８をＳＡＬ２１４上に形成
し、かつ好適にはＮｉＦｅからなるＦＭ層２２０をＴａ
層２１８上に付着させる。離隔したＩｒＭｎ領域２２
２、２２４は、導電リード２２８、２３０により感知回
路２２６に接続されている。本実施例においても、上述
した好適な組成と同じ組成のＩｒＭｎを用いると好都合
である。
【０００２６】ＩｒＭｎは、ＦｅＭｎよりニール温度即
ちブロッキング温度が高いので、高温の環境下で有利で
ある。Ｔａバッファ層を有しないＩｒＭｎは不安定であ
り、その交換磁場及び飽和保磁力が、製造時にアニール
工程での温度の循環に対して好ましくない変化を生じ
る。
【０００２７】Ｉｒ20Ｍｎ80を有するように製造したデ
バイスのテスト結果は、１９０℃のブロッキング温度及
び良好な磁気特性を示している。膜質は、Ｔａバッファ
層を基板上に用いた場合にのみ良好である。Ｔａ下地層
を用いない場合には、飽和保磁力Ｈｃ及び交換磁場Ｈｅ
がアニール温度で変化する。
【０００２８】図４は、Ｔａバッファ層を有する場合及
び有しない場合で、ＩｒＭｎを組み込んだ異なるアーキ
テクチャの厚さ１１０ÅのＮｉＦｅ膜についてアニール
温度の関数として交換磁場（Ｈｅ）及び飽和保磁力（Ｈ
ｃ）をエルステッド（Ｏｅ）単位で示している。使用し
たアーキテクチャは次の通りである。
【０００２９】（１）膜厚５０ÅＴａ層の上に膜厚１４
５ÅのＩｒＭｎを付着し、その上に膜厚１１０ÅのＮｉ
Ｆｅ層を付着して、積層構造を形成する（Ｔａ５０／Ｉ
ｒＭｎ１４５／ＮｉＦｅ１１０）。 （２）Ｔａバッファ層を有しない構造において、膜厚１
１０ÅのＮｉＦｅ層を付着し、かつその上に膜厚１４５
ÅのＩｒＭｎ層を付着する（ＮｉＦｅ１１０／ＩｒＭｎ
１４５）。 （３）膜厚５０ÅＴａ層の上に膜厚１１０ÅのＮｉＦｅ
層を付着し、かつその上に膜厚１４５ÅのＩｒＭｎ層を
付着する（Ｔａ５０／ＮｉＦｅ１１０／ＩｒＭｎ１４
５）。 （４）膜厚５０ÅＴａ層の上に膜厚１１０ÅのＮｉＦｅ
層を付着し、かつその上に膜厚１４５ÅのＩｒＭｎ層を
付着し、その上に膜厚５０ÅのＴａ層を付着する（Ｔａ
５０／ＮｉＦｅ１１０／ＩｒＭｎ１４５／Ｔａ５０）。
【０００３０】前記スピンバルブセンサの最下ＮｉＦｅ
層はＴａバッファ層上に付着しなければならず、そうで
ない場合には、Ｈｃ及びＨｅが、上述した（２）の場合
について図示されるようにアニール温度とともに変化す
る。図示されるようにバッファ層を有しないＩｒＭｎ組
成は不安定であり、即ちその交換磁場（Ｈｃ）及び飽和
保磁力（Ｈｃ）が、製造時にアニール工程での温度の循
環と共に変化する。
【０００３１】図４の結果から、ＮｉＦｅをＩｒＭｎ上
に付着した上記（１）の場合に、交換磁場が非常に小さ
いことが分かる。ＩｒＭｎをＮｉＦｅ上に付着した上記
（３）及び（４）の場合には、ＩｒＭｎ層上にＴａスペ
ーサ層を追加したことにより、交換磁場が非常に良好で
ある。
【発明の効果】本発明によれば、ＭＲ読取りセンサにお
いて、基板上に付着させた非磁性バッファ層上に形成し
た強磁性層がＩｒXＭｎ100-x（１５＜ｘ＜２３）から形
成されることにより、製造時にアニール温度の変化に対
して交換磁場及び飽和保磁力が変化せず、高温の環境下
でも所定の磁気特性を維持し得る高性能・高品質の読取
りセンサを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を実施したスピンバルブセンサの構造を
示す図である。
【図２】本発明を実施したＭＲ読取りヘッドセンサの構
造を示す図である。
【図３】縦交換バイアスを与えたＭＲヘッドの構成を示
す図である。
【図４】ＩｒＭｎを組み込んだ異なるアーキテクチャの
膜厚１１０ÅのＮｉＦｅ膜についてアニール温度の関数
として表示した交換磁場Ｈｅ及び飽和保磁力Ｈｃを示す
図である。
【符号の説明】
１０ 基板 １２ Ｔａバッファ層 １４ ＦＭ自由層 １６ 銅スペーサ １８ ＦＭピン止め層 ２０ ＡＦＭ層 ２２、２４ 電極 ２６ 感知回路 １００ 中央アクティブ領域 １１０ 基板 １１２ Ｔａバッファ層 １１４ 第１ＮｉＦｅＸ・ＳＡＬ層 １１６ ＩｒＭｎ・ＡＦＭ層 １１８ Ｔａバッファ層 １２０ ＮｉＦｅ・ＭＲ層 １２２ 信号感知回路 １２４、１２６ 導電リード ２１０ 基板 ２１４ ＳＡＬ ２１８ Ｔａ層 ２２０ ＦＭ層 ２２２、２２４ ＩｒＭｎ・ＡＦＭ領域 ２２６ 感知回路 ２２８、２３０ 導電リード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダニエル・エイ・ネペラ アメリカ合衆国・カルフォルニア州・ 95123，サン・ノゼ，＃147，ブロッサム・ リバー・ウェイ・1009 (72)発明者 フワ−チン・トン アメリカ合衆国・カルフォルニア州・ 95120，サン・ノゼ，ジョスリン・ドライ ブ・7184

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板と、 前記基板上に付着させた非磁性バッファ層からなる変換
    デバイスと、 前記バッファ層上に形成した少なくとも１つの強磁性層
    と、 前記強磁性層に交換結合した反強磁性層と、 前記変換デバイスに結合した感知回路とからなり、 前記強磁性層がＩｒXＭｎ100-xからなり、ｘが１５＜ｘ
    ＜２３の範囲内にあることを特徴とする磁気抵抗型読取
    りセンサ。
  2. 【請求項２】 前記強磁性層の少なくとも一部分に前
    記反強磁性層が積層されていることを特徴とする請求項
    １に記載の磁気抵抗型読取りセンサ。
  3. 【請求項３】 前記非磁性バッファ層が約５０Åの膜
    厚を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗
    型読取りセンサ。
  4. 【請求項４】 前記反強磁性層が約８０〜１００Åの
    膜厚を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気抵
    抗型読取りセンサ。
  5. 【請求項５】 前記反強磁性層がＩｒ20Ｍｎ80からな
    ることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗型読取り
    センサ。
  6. 【請求項６】 前記非磁性バッファ層がタンタルであ
    ることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗型読取り
    センサ。
  7. 【請求項７】 基板と、 前記基板上に付着させたタンタル層からなる変換デバイ
    スと、 前記タンタル層の上に形成した強磁性自由層と、 前記強磁性自由層の上に付着させた銅スペーサと、 前記銅スペーサ上に付着させた強磁性ピン止め層と、 ＩｒxＭｎ100-x（ここで、ｘは１５＜ｘ＜２３の範囲
    内）からなり、前記ピン止め強磁性層の上に付着させた
    反強磁性層と、 前記変換デバイスに結合した感知回路とからなることを
    特徴とする磁気抵抗型読取りセンサ。
  8. 【請求項８】 基板と、 前記基板上に付着した第１タンタル層からなる変換デバ
    イスと、 前記第１タンタル層の上に付着した軟隣接層と、 ＩｒxＭｎ100-x（ここで、ｘは１５＜ｘ＜２３の範囲
    内）からなり、前記軟隣接層の上に付着させた反強磁性
    層と、 前記反強磁性層上に形成した第２タンタル層と、 前記第２タンタル層上に付着させた強磁性磁気抵抗層
    と、 前記変換デバイスに結合した感知回路とからなることを
    特徴とする磁気抵抗型読取りセンサ。
  9. 【請求項９】 基板と、 前記基板上に付着した第１タンタル層からなり、エンド
    領域により制限された中央アクティブ領域を有する変換
    デバイスと、 前記基板上に付着させた軟アクティブ層と、 前記軟アクティブ層上に形成したタンタル層と、 前記タンタル層上に付着した強磁性層と、 前記強磁性層上に配置した前記エンド領域に付着させた
    ＩｒxＭｎ100-x（ここで、ｘは１５＜ｘ＜２３の範囲
    内）からなり、互いに離隔配置された第１及び第２反強
    磁性層と、 前記変換デバイスに結合した感知回路とからなることを
    特徴する磁気抵抗型読取りセンサ。
  10. 【請求項１０】 データを記録するための磁気記憶装置
    であって、 磁気記憶媒体と、 基板と、 前記基板上に付着させた非磁性バッファ層を有する変換
    デバイスとからなり、 前記変換デバイスが、 前記バッファ層上に形成した少なくとも１つの強磁性層
    と、 前記強磁性層に交換結合した反強磁性層と、 前記磁気記録媒体上に記録されたデータ信号を表す磁場
    に応答した抵抗の変化を検出するために前記変換デバイ
    スに結合された感知手段と、 前記感知手段と前記変換デバイスとの間に結合された導
    電リードとからなり、 前記反強磁性層がＩｒxＭｎ100-xからなり、ｘが１５＜
    ｘ＜２３の範囲内にあることを特徴とする磁気記憶装
    置。
  11. 【請求項１１】 前記非磁性バッファ層が約５０Åの膜
    厚を有することを特徴とする請求項１０に記載の磁気記
    憶装置。
  12. 【請求項１２】 前記反強磁性層が約１００Åの膜厚を
    有することを特徴とする請求項１０に記載の磁気記憶装
    置。
  13. 【請求項１３】 前記反強磁性層がＩｒ20Ｍｎ80からな
    ることを特徴とする請求項１０に記載の磁気記憶装置。
  14. 【請求項１４】 前記非磁性バッファ層がタンタルであ
    ることを特徴とする請求項１０に記載の磁気記憶装置。
  15. 【請求項１５】 Ａ．基板上に非磁性バッファ層を付着
    させる過程と、 Ｂ．前記非磁性バッファ層上に強磁性材料層を付着させ
    る過程と、 Ｃ．ＩｒxＭｎ100-x（ここで、ｘは１５＜ｘ＜２３の範
    囲）からなる反強磁性層を前記強磁性材料層上に付着さ
    せる過程とからなることを特徴とする磁気抵抗型センサ
    の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記非磁性バッファ層を約５０Åの膜
    厚に付着させることを特徴とする請求項１５に記載の磁
    気抵抗型センサ製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記反強磁性層を約８０〜１００Åの
    膜厚に付着させることを特徴とする請求項１５に記載の
    磁気抵抗型センサ製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記反強磁性層がＩｒ20Ｍｎ80からな
    ることを特徴とする請求項１５に記載の磁気抵抗型セン
    サ製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記非磁性バッファ層がタンタルであ
    ることを特徴とする請求項１５に記載の磁気抵抗型セン
    サ製造方法。
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Families Citing this family (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6166891A (en) * 1997-06-30 2000-12-26 Read-Rite Corporation Magnetoresistive sensor for high temperature environment using iridium manganese
JPH11274600A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Fujitsu Ltd 磁気抵抗素子の製造方法
JP4207140B2 (ja) * 2000-04-06 2009-01-14 富士電機デバイステクノロジー株式会社 垂直磁気記録媒体およびその製造方法
WO2001099099A2 (en) * 2000-06-21 2001-12-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magnetic multilayer structure with improved magnetic field range
US6740398B2 (en) 2001-01-24 2004-05-25 Seagate Technology Llc Magnetic films including iridium, manganese and nitrogen
US6760198B2 (en) * 2001-06-27 2004-07-06 International Business Machines Corporation Magnetic multilayered films with reduced magnetostriction
US8689430B1 (en) 2006-11-29 2014-04-08 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a perpendicular magnetic recording (PMR)head
US8404128B1 (en) 2009-02-23 2013-03-26 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a perpendicular magnetic recording head
US8400731B1 (en) 2009-04-19 2013-03-19 Western Digital (Fremont), Llc Write head with variable side shield gaps
US8611055B1 (en) 2009-07-31 2013-12-17 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic etch-stop layer for magnetoresistive read heads
US9202480B2 (en) 2009-10-14 2015-12-01 Western Digital (Fremont), LLC. Double patterning hard mask for damascene perpendicular magnetic recording (PMR) writer
US8441896B2 (en) 2010-06-25 2013-05-14 Western Digital (Fremont), Llc Energy assisted magnetic recording head having laser integrated mounted to slider
US8997832B1 (en) 2010-11-23 2015-04-07 Western Digital (Fremont), Llc Method of fabricating micrometer scale components
US8441756B1 (en) 2010-12-16 2013-05-14 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing an antiferromagnetically coupled writer
US9123359B1 (en) 2010-12-22 2015-09-01 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording transducer with sputtered antiferromagnetic coupling trilayer between plated ferromagnetic shields and method of fabrication
US8456961B1 (en) 2011-03-22 2013-06-04 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for mounting and aligning a laser in an electrically assisted magnetic recording assembly
US8419954B1 (en) 2011-10-31 2013-04-16 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a side shield for a magnetic recording transducer
US8451563B1 (en) 2011-12-20 2013-05-28 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a side shield for a magnetic recording transducer using an air bridge
US8760823B1 (en) 2011-12-20 2014-06-24 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a read transducer having soft and hard magnetic bias structures
US9093639B2 (en) 2012-02-21 2015-07-28 Western Digital (Fremont), Llc Methods for manufacturing a magnetoresistive structure utilizing heating and cooling
US9349392B1 (en) 2012-05-24 2016-05-24 Western Digital (Fremont), Llc Methods for improving adhesion on dielectric substrates
US8724259B1 (en) 2012-06-11 2014-05-13 Western Digital (Fremont), Llc Conformal high moment side shield seed layer for perpendicular magnetic recording writer
US8711528B1 (en) 2012-06-29 2014-04-29 Western Digital (Fremont), Llc Tunnel magnetoresistance read head with narrow shield-to-shield spacing
US9269382B1 (en) 2012-06-29 2016-02-23 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a read transducer having improved pinning of the pinned layer at higher recording densities
US9213322B1 (en) 2012-08-16 2015-12-15 Western Digital (Fremont), Llc Methods for providing run to run process control using a dynamic tuner
US8984740B1 (en) 2012-11-30 2015-03-24 Western Digital (Fremont), Llc Process for providing a magnetic recording transducer having a smooth magnetic seed layer
US9053719B2 (en) 2012-11-30 2015-06-09 Western Digital (Fremont), Llc Magnetoresistive sensor for a magnetic storage system read head, and fabrication method thereof
US8980109B1 (en) 2012-12-11 2015-03-17 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a magnetic recording transducer using a combined main pole and side shield CMP for a wraparound shield scheme
US8760818B1 (en) 2013-01-09 2014-06-24 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for providing magnetic storage elements with high magneto-resistance using heusler alloys
US9042208B1 (en) 2013-03-11 2015-05-26 Western Digital Technologies, Inc. Disk drive measuring fly height by applying a bias voltage to an electrically insulated write component of a head
US8883017B1 (en) 2013-03-12 2014-11-11 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a read transducer having seamless interfaces
US9336814B1 (en) 2013-03-12 2016-05-10 Western Digital (Fremont), Llc Inverse tapered waveguide for use in a heat assisted magnetic recording head
US9013836B1 (en) 2013-04-02 2015-04-21 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing an antiferromagnetically coupled return pole
US9111564B1 (en) 2013-04-02 2015-08-18 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording writer having a main pole with multiple flare angles
US9104107B1 (en) 2013-04-03 2015-08-11 Western Digital (Fremont), Llc DUV photoresist process
US8993217B1 (en) 2013-04-04 2015-03-31 Western Digital (Fremont), Llc Double exposure technique for high resolution disk imaging
US9245545B1 (en) 2013-04-12 2016-01-26 Wester Digital (Fremont), Llc Short yoke length coils for magnetic heads in disk drives
US9070381B1 (en) 2013-04-12 2015-06-30 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording read transducer having a laminated free layer
US9064527B1 (en) 2013-04-12 2015-06-23 Western Digital (Fremont), Llc High order tapered waveguide for use in a heat assisted magnetic recording head
US9431047B1 (en) 2013-05-01 2016-08-30 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing an improved AFM reader shield
US9064528B1 (en) 2013-05-17 2015-06-23 Western Digital Technologies, Inc. Interferometric waveguide usable in shingled heat assisted magnetic recording in the absence of a near-field transducer
US9431039B1 (en) 2013-05-21 2016-08-30 Western Digital (Fremont), Llc Multiple sensor array usable in two-dimensional magnetic recording
US9263067B1 (en) 2013-05-29 2016-02-16 Western Digital (Fremont), Llc Process for making PMR writer with constant side wall angle
US9361913B1 (en) 2013-06-03 2016-06-07 Western Digital (Fremont), Llc Recording read heads with a multi-layer AFM layer methods and apparatuses
US9406331B1 (en) 2013-06-17 2016-08-02 Western Digital (Fremont), Llc Method for making ultra-narrow read sensor and read transducer device resulting therefrom
US9287494B1 (en) 2013-06-28 2016-03-15 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic tunnel junction (MTJ) with a magnesium oxide tunnel barrier
US9318130B1 (en) 2013-07-02 2016-04-19 Western Digital (Fremont), Llc Method to fabricate tunneling magnetic recording heads with extended pinned layer
US8947985B1 (en) 2013-07-16 2015-02-03 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording transducers having a recessed pole
US8923102B1 (en) 2013-07-16 2014-12-30 Western Digital (Fremont), Llc Optical grating coupling for interferometric waveguides in heat assisted magnetic recording heads
US9275657B1 (en) 2013-08-14 2016-03-01 Western Digital (Fremont), Llc Process for making PMR writer with non-conformal side gaps
US9431032B1 (en) 2013-08-14 2016-08-30 Western Digital (Fremont), Llc Electrical connection arrangement for a multiple sensor array usable in two-dimensional magnetic recording
US9042051B2 (en) 2013-08-15 2015-05-26 Western Digital (Fremont), Llc Gradient write gap for perpendicular magnetic recording writer
US9343098B1 (en) 2013-08-23 2016-05-17 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a heat assisted magnetic recording transducer having protective pads
US9343086B1 (en) 2013-09-11 2016-05-17 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording write transducer having an improved sidewall angle profile
US9441938B1 (en) 2013-10-08 2016-09-13 Western Digital (Fremont), Llc Test structures for measuring near field transducer disc length
US9042058B1 (en) 2013-10-17 2015-05-26 Western Digital Technologies, Inc. Shield designed for middle shields in a multiple sensor array
US9349394B1 (en) 2013-10-18 2016-05-24 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer having a gradient side gap
US9007719B1 (en) 2013-10-23 2015-04-14 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for using double mask techniques to achieve very small features
US9214172B2 (en) 2013-10-23 2015-12-15 Western Digital (Fremont), Llc Method of manufacturing a magnetic read head
US8988812B1 (en) 2013-11-27 2015-03-24 Western Digital (Fremont), Llc Multi-sensor array configuration for a two-dimensional magnetic recording (TDMR) operation
US9194692B1 (en) 2013-12-06 2015-11-24 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for using white light interferometry to measure undercut of a bi-layer structure
US9280990B1 (en) 2013-12-11 2016-03-08 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer using multiple etches
US9001628B1 (en) 2013-12-16 2015-04-07 Western Digital (Fremont), Llc Assistant waveguides for evaluating main waveguide coupling efficiency and diode laser alignment tolerances for hard disk
US9082423B1 (en) 2013-12-18 2015-07-14 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording write transducer having an improved trailing surface profile
US8917581B1 (en) 2013-12-18 2014-12-23 Western Digital Technologies, Inc. Self-anneal process for a near field transducer and chimney in a hard disk drive assembly
US8971160B1 (en) 2013-12-19 2015-03-03 Western Digital (Fremont), Llc Near field transducer with high refractive index pin for heat assisted magnetic recording
US9147408B1 (en) 2013-12-19 2015-09-29 Western Digital (Fremont), Llc Heated AFM layer deposition and cooling process for TMR magnetic recording sensor with high pinning field
US8970988B1 (en) 2013-12-31 2015-03-03 Western Digital (Fremont), Llc Electric gaps and method for making electric gaps for multiple sensor arrays
US9305583B1 (en) 2014-02-18 2016-04-05 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer using multiple etches of damascene materials
US9183854B2 (en) 2014-02-24 2015-11-10 Western Digital (Fremont), Llc Method to make interferometric taper waveguide for HAMR light delivery
US9142233B1 (en) 2014-02-28 2015-09-22 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording writer having a recessed pole
US8988825B1 (en) 2014-02-28 2015-03-24 Western Digital (Fremont, LLC Method for fabricating a magnetic writer having half-side shields
US9396743B1 (en) 2014-02-28 2016-07-19 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for controlling soft bias thickness for tunnel magnetoresistance readers
US9202493B1 (en) 2014-02-28 2015-12-01 Western Digital (Fremont), Llc Method of making an ultra-sharp tip mode converter for a HAMR head
US9001467B1 (en) 2014-03-05 2015-04-07 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating side shields in a magnetic writer
US9153255B1 (en) 2014-03-05 2015-10-06 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer having an asymmetric gap and shields
US9135930B1 (en) 2014-03-06 2015-09-15 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic write pole using vacuum deposition
US9934811B1 (en) 2014-03-07 2018-04-03 Western Digital (Fremont), Llc Methods for controlling stray fields of magnetic features using magneto-elastic anisotropy
US9190085B1 (en) 2014-03-12 2015-11-17 Western Digital (Fremont), Llc Waveguide with reflective grating for localized energy intensity
US9111558B1 (en) 2014-03-14 2015-08-18 Western Digital (Fremont), Llc System and method of diffractive focusing of light in a waveguide
US9135937B1 (en) 2014-05-09 2015-09-15 Western Digital (Fremont), Llc Current modulation on laser diode for energy assisted magnetic recording transducer
US8958272B1 (en) 2014-06-10 2015-02-17 Western Digital (Fremont), Llc Interfering near field transducer for energy assisted magnetic recording
US8976635B1 (en) 2014-06-10 2015-03-10 Western Digital (Fremont), Llc Near field transducer driven by a transverse electric waveguide for energy assisted magnetic recording
US9007879B1 (en) 2014-06-10 2015-04-14 Western Digital (Fremont), Llc Interfering near field transducer having a wide metal bar feature for energy assisted magnetic recording
US8953422B1 (en) 2014-06-10 2015-02-10 Western Digital (Fremont), Llc Near field transducer using dielectric waveguide core with fine ridge feature
US9508363B1 (en) 2014-06-17 2016-11-29 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic write pole having a leading edge bevel
US9361914B1 (en) 2014-06-18 2016-06-07 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic sensor with thin capping layer
US9214169B1 (en) 2014-06-20 2015-12-15 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording read transducer having a laminated free layer
US9053735B1 (en) 2014-06-20 2015-06-09 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer using a full-film metal planarization
US9042052B1 (en) 2014-06-23 2015-05-26 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic writer having a partially shunted coil
US9230565B1 (en) 2014-06-24 2016-01-05 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic shield for magnetic recording head
US9190079B1 (en) 2014-09-22 2015-11-17 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic write pole having engineered radius of curvature and chisel angle profiles
US9007725B1 (en) 2014-10-07 2015-04-14 Western Digital (Fremont), Llc Sensor with positive coupling between dual ferromagnetic free layer laminates
US9087527B1 (en) 2014-10-28 2015-07-21 Western Digital (Fremont), Llc Apparatus and method for middle shield connection in magnetic recording transducers
US9786301B1 (en) 2014-12-02 2017-10-10 Western Digital (Fremont), Llc Apparatuses and methods for providing thin shields in a multiple sensor array
US9721595B1 (en) 2014-12-04 2017-08-01 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a storage device
US9111550B1 (en) 2014-12-04 2015-08-18 Western Digital (Fremont), Llc Write transducer having a magnetic buffer layer spaced between a side shield and a write pole by non-magnetic layers
US9236560B1 (en) 2014-12-08 2016-01-12 Western Digital (Fremont), Llc Spin transfer torque tunneling magnetoresistive device having a laminated free layer with perpendicular magnetic anisotropy
US9881638B1 (en) 2014-12-17 2018-01-30 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a near-field transducer (NFT) for a heat assisted magnetic recording (HAMR) device
US9286919B1 (en) 2014-12-17 2016-03-15 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic writer having a dual side gap
US9214165B1 (en) 2014-12-18 2015-12-15 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic writer having a gradient in saturation magnetization of the shields
US9741366B1 (en) 2014-12-18 2017-08-22 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer having a gradient in saturation magnetization of the shields
US10074387B1 (en) 2014-12-21 2018-09-11 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a read transducer having symmetric antiferromagnetically coupled shields
US9343087B1 (en) 2014-12-21 2016-05-17 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer having half shields
US9437251B1 (en) 2014-12-22 2016-09-06 Western Digital (Fremont), Llc Apparatus and method having TDMR reader to reader shunts
US9449625B1 (en) 2014-12-24 2016-09-20 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording head having a plurality of diffusion barrier layers
US9123374B1 (en) 2015-02-12 2015-09-01 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording writer having an integrated polarization rotation plate
US9312064B1 (en) 2015-03-02 2016-04-12 Western Digital (Fremont), Llc Method to fabricate a magnetic head including ion milling of read gap using dual layer hard mask
US9443541B1 (en) 2015-03-24 2016-09-13 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic writer having a gradient in saturation magnetization of the shields and return pole
US9431031B1 (en) 2015-03-24 2016-08-30 Western Digital (Fremont), Llc System and method for magnetic transducers having multiple sensors and AFC shields
US9449621B1 (en) 2015-03-26 2016-09-20 Western Digital (Fremont), Llc Dual free layer magnetic reader having a rear bias structure having a high aspect ratio
US9384763B1 (en) 2015-03-26 2016-07-05 Western Digital (Fremont), Llc Dual free layer magnetic reader having a rear bias structure including a soft bias layer
US9245562B1 (en) 2015-03-30 2016-01-26 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording writer with a composite main pole
US9147404B1 (en) 2015-03-31 2015-09-29 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a read transducer having a dual free layer
US9263071B1 (en) 2015-03-31 2016-02-16 Western Digital (Fremont), Llc Flat NFT for heat assisted magnetic recording
US9508372B1 (en) 2015-06-03 2016-11-29 Western Digital (Fremont), Llc Shingle magnetic writer having a low sidewall angle pole
US9508365B1 (en) 2015-06-24 2016-11-29 Western Digital (Fremont), LLC. Magnetic reader having a crystal decoupling structure
US9530443B1 (en) 2015-06-25 2016-12-27 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic recording device having a high aspect ratio structure
US9842615B1 (en) 2015-06-26 2017-12-12 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic reader having a nonmagnetic insertion layer for the pinning layer
US9646639B2 (en) 2015-06-26 2017-05-09 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording writer having integrated polarization rotation waveguides
US9431038B1 (en) 2015-06-29 2016-08-30 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic write pole having an improved sidewall angle profile
US9666214B1 (en) 2015-09-23 2017-05-30 Western Digital (Fremont), Llc Free layer magnetic reader that may have a reduced shield-to-shield spacing
US9472216B1 (en) 2015-09-23 2016-10-18 Western Digital (Fremont), Llc Differential dual free layer magnetic reader
US9384765B1 (en) 2015-09-24 2016-07-05 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a HAMR writer having improved optical efficiency
US9424866B1 (en) 2015-09-24 2016-08-23 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording write apparatus having a dielectric gap
US9595273B1 (en) 2015-09-30 2017-03-14 Western Digital (Fremont), Llc Shingle magnetic writer having nonconformal shields
US9484051B1 (en) 2015-11-09 2016-11-01 The Provost, Fellows, Foundation Scholars and the other members of Board, of the College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin Method and system for reducing undesirable reflections in a HAMR write apparatus
US9953670B1 (en) 2015-11-10 2018-04-24 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a HAMR writer including a multi-mode interference device
US10037770B1 (en) 2015-11-12 2018-07-31 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a magnetic recording write apparatus having a seamless pole
US9812155B1 (en) 2015-11-23 2017-11-07 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for fabricating high junction angle read sensors
US9564150B1 (en) 2015-11-24 2017-02-07 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic read apparatus having an improved read sensor isolation circuit
US9799351B1 (en) 2015-11-30 2017-10-24 Western Digital (Fremont), Llc Short yoke length writer having assist coils
US9754611B1 (en) 2015-11-30 2017-09-05 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording write apparatus having a stepped conformal trailing shield
US9740805B1 (en) 2015-12-01 2017-08-22 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for detecting hotspots for photolithographically-defined devices
US9858951B1 (en) 2015-12-01 2018-01-02 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a multilayer AFM layer in a read sensor
US9767831B1 (en) 2015-12-01 2017-09-19 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic writer having convex trailing surface pole and conformal write gap

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5287237A (en) * 1990-03-16 1994-02-15 Hitachi, Ltd. Antiferromagnetic film superior in corrosion resistance, magnetoresistance-effect element and magnetoresistance-effect head including such thin film
US5315468A (en) * 1992-07-28 1994-05-24 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor having antiferromagnetic layer for exchange bias
JP2725977B2 (ja) * 1992-08-28 1998-03-11 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 磁気抵抗センサ及びその製造方法、磁気記憶システム
US5552949A (en) * 1993-03-03 1996-09-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element with improved antiferromagnetic layer
JP3274318B2 (ja) * 1995-07-19 2002-04-15 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド
US5768067A (en) * 1995-09-19 1998-06-16 Alps Electric Co., Ltd. Magnetoresistive head using exchange anisotropic magnetic field with an antiferromagnetic layer
JP3255872B2 (ja) * 1997-04-17 2002-02-12 アルプス電気株式会社 スピンバルブ型薄膜素子及びその製造方法
US6166891A (en) * 1997-06-30 2000-12-26 Read-Rite Corporation Magnetoresistive sensor for high temperature environment using iridium manganese
JP3269999B2 (ja) * 1997-12-09 2002-04-02 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6185078B1 (en) * 1998-08-21 2001-02-06 International Business Machines Corporation Spin valve read head with antiferromagnetic oxide film as longitudinal bias layer and portion of first read gap
US6181534B1 (en) * 1998-11-09 2001-01-30 International Business Machines Corporation Antiparallel (AP) pinned spin valve sensor with specular reflection of conduction electrons
US6252750B1 (en) * 1999-07-23 2001-06-26 International Business Machines Corporation Read head with file resettable double antiparallel (AP) pinned spin valve sensor
US6262869B1 (en) * 1999-08-02 2001-07-17 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with encapsulated keeper layer and method of making
US6259586B1 (en) * 1999-09-02 2001-07-10 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction sensor with AP-coupled free layer

Also Published As

Publication number Publication date
US6166891A (en) 2000-12-26
US6424507B1 (en) 2002-07-23

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