JP2001256619A - 磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置Info
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- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シールド部にＣｏ系材料を用いて耐圧を確保
しつつ再生出力の変動を抑制することのできる磁気抵抗
効果型ヘッドを提供する。 【解決手段】 下部シールド膜を２層の複合膜とし、下
部シールド膜の下部ギャップ絶縁膜１３に接触する方の
膜１２′を非晶質軟磁性膜とし、下部ギャップ絶縁膜に
接しない方の膜１２を結晶質軟磁性膜とすることによ
り、狭ギャップになっても耐圧に対する歩留まりを低下
させることなく再生出力の変動を抑える。
しつつ再生出力の変動を抑制することのできる磁気抵抗
効果型ヘッドを提供する。 【解決手段】 下部シールド膜を２層の複合膜とし、下
部シールド膜の下部ギャップ絶縁膜１３に接触する方の
膜１２′を非晶質軟磁性膜とし、下部ギャップ絶縁膜に
接しない方の膜１２を結晶質軟磁性膜とすることによ
り、狭ギャップになっても耐圧に対する歩留まりを低下
させることなく再生出力の変動を抑える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高い磁気記録密度
に対応した磁気抵抗効果型ヘッド、及び磁気記録再生装
置に関する。
に対応した磁気抵抗効果型ヘッド、及び磁気記録再生装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在の磁気ディスク装置には、記録を誘
導型薄膜ヘッドで行い、再生を磁気抵抗効果型ヘッドで
行う記録再生分離型ヘッドが用いられている。磁気抵抗
効果型ヘッドは、外部磁界に依存して電気抵抗が変化す
る磁気抵抗効果を利用しており、図２に示すように、基
板２１上に、磁気抵抗効果膜２４、磁区制御膜２５、電
極２６からなる磁気抵抗効果素子と、不要な磁界を遮断
するための上下のシールド膜２２，２８及び磁気抵抗効
果素子とシールド膜２２，２８間を遮断するギャップ絶
縁膜２３，２７を設けた構造を有する。上記ギャップ絶
縁膜２３，２７としては、主にＡｌ2Ｏ3膜、ＳｉＯ2膜
が使われている。一方、下部シールド膜２２としては、
従来、Ｎｉ80Ｆｅ20，Ｎｉ46Ｆｅ54などのＮｉＦｅ系合
金膜、ＦｅＡｌＳｉ系合金膜、ＣｏＴａＺｒ，ＣｏＮｂ
Ｚｒ，ＣｏＭｏＺｒ等のＣｏ系非晶質膜（IEEE Transac
tion on Magnetics, Vol.32, No.1, January 1996, pp.
149-155. HAMAKAWA et al., "spin-valve heads utiliz
ing antiferromagnetic NiOlayers"あるいはIEEE Trans
action on Magnetics, Vol.35, No.2, March 1997,pp.1
49-155. HAMAKAWA et al., "spin-valve heads using C
rMnPt antiferromagnetic films."）などが使われてい
る。
導型薄膜ヘッドで行い、再生を磁気抵抗効果型ヘッドで
行う記録再生分離型ヘッドが用いられている。磁気抵抗
効果型ヘッドは、外部磁界に依存して電気抵抗が変化す
る磁気抵抗効果を利用しており、図２に示すように、基
板２１上に、磁気抵抗効果膜２４、磁区制御膜２５、電
極２６からなる磁気抵抗効果素子と、不要な磁界を遮断
するための上下のシールド膜２２，２８及び磁気抵抗効
果素子とシールド膜２２，２８間を遮断するギャップ絶
縁膜２３，２７を設けた構造を有する。上記ギャップ絶
縁膜２３，２７としては、主にＡｌ2Ｏ3膜、ＳｉＯ2膜
が使われている。一方、下部シールド膜２２としては、
従来、Ｎｉ80Ｆｅ20，Ｎｉ46Ｆｅ54などのＮｉＦｅ系合
金膜、ＦｅＡｌＳｉ系合金膜、ＣｏＴａＺｒ，ＣｏＮｂ
Ｚｒ，ＣｏＭｏＺｒ等のＣｏ系非晶質膜（IEEE Transac
tion on Magnetics, Vol.32, No.1, January 1996, pp.
149-155. HAMAKAWA et al., "spin-valve heads utiliz
ing antiferromagnetic NiOlayers"あるいはIEEE Trans
action on Magnetics, Vol.35, No.2, March 1997,pp.1
49-155. HAMAKAWA et al., "spin-valve heads using C
rMnPt antiferromagnetic films."）などが使われてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】磁気記録密度の高密度
化に伴い、磁気抵抗効果型ヘッドの分解能を高めるた
め、下部シールド膜と上部シールド膜との間隔を狭くす
る必要があり、ギャップ絶縁膜を薄くしなければならな
い。このとき、絶縁耐圧が低いと磁気抵抗効果膜や電極
が、シールド膜と短絡を起こしてしまうという問題があ
る。ギャップ絶縁膜としては、主にＡｌ2Ｏ3膜やＳｉＯ
2膜が知られているが、膜厚が５０ｎｍ以下に薄くなる
と膜の凹凸やピンホールなどの影響が大きくなり、絶縁
耐圧が急激に低下してしまう問題があった。
化に伴い、磁気抵抗効果型ヘッドの分解能を高めるた
め、下部シールド膜と上部シールド膜との間隔を狭くす
る必要があり、ギャップ絶縁膜を薄くしなければならな
い。このとき、絶縁耐圧が低いと磁気抵抗効果膜や電極
が、シールド膜と短絡を起こしてしまうという問題があ
る。ギャップ絶縁膜としては、主にＡｌ2Ｏ3膜やＳｉＯ
2膜が知られているが、膜厚が５０ｎｍ以下に薄くなる
と膜の凹凸やピンホールなどの影響が大きくなり、絶縁
耐圧が急激に低下してしまう問題があった。
【０００４】発明者らの実験によると、この絶縁耐圧が
低下する割合は、特に下部ギャップ絶縁膜に関しては、
下部シールド膜の種類によって変わることが明らかにな
った。すなわち、下部シールド膜の全部がＣｏ系非晶質
軟磁性膜の場合、下部シールド膜がＮｉＦｅ合金やＦｅ
ＡｌＳｉ合金などの結晶質軟軟磁性膜の場合よりも、下
部ギャップ絶縁膜の膜厚が薄いところまで絶縁耐圧が大
きいことが明らかになった。しかしながら、下部シール
ド膜がＣｏ系非晶質軟磁性膜の場合、その後のヘッドプ
ロセスの熱履歴によって、下部シールド膜の磁気異方性
の変化などによる軟磁気特性が劣化し、ヘッドの再生出
力の変動という問題が生じることがあった。本発明は、
このような従来技術の問題点に鑑み、シールド部にＣｏ
系材料を用いて耐圧を確保しつつ再生出力の変動を抑制
することのできる磁気抵抗効果型ヘッドを提供すること
を目的とする。
低下する割合は、特に下部ギャップ絶縁膜に関しては、
下部シールド膜の種類によって変わることが明らかにな
った。すなわち、下部シールド膜の全部がＣｏ系非晶質
軟磁性膜の場合、下部シールド膜がＮｉＦｅ合金やＦｅ
ＡｌＳｉ合金などの結晶質軟軟磁性膜の場合よりも、下
部ギャップ絶縁膜の膜厚が薄いところまで絶縁耐圧が大
きいことが明らかになった。しかしながら、下部シール
ド膜がＣｏ系非晶質軟磁性膜の場合、その後のヘッドプ
ロセスの熱履歴によって、下部シールド膜の磁気異方性
の変化などによる軟磁気特性が劣化し、ヘッドの再生出
力の変動という問題が生じることがあった。本発明は、
このような従来技術の問題点に鑑み、シールド部にＣｏ
系材料を用いて耐圧を確保しつつ再生出力の変動を抑制
することのできる磁気抵抗効果型ヘッドを提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、下部シー
ルド膜、ギャップ絶縁膜材料と耐圧の関係について鋭意
研究を重ねた結果、本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明による磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵抗効
果膜と、磁気抵抗効果膜の両端に接続された一対の電極
と、磁気抵抗効果膜を挟んで形成された上部ギャップ絶
縁膜及び下部ギャップ絶縁膜と、上部ギャップ絶縁膜の
上に形成された上部シールド膜と、下部ギャップ絶縁膜
の下に形成された下部シールド膜とを含む磁気抵抗効果
型ヘッドにおいて、下部シールド膜は、下部ギャップ絶
縁膜に接触する側が非晶質軟磁性膜であり下部ギャップ
絶縁膜に接しない側が結晶質軟磁性膜である２層構造を
有することを特徴とする。
ルド膜、ギャップ絶縁膜材料と耐圧の関係について鋭意
研究を重ねた結果、本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明による磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵抗効
果膜と、磁気抵抗効果膜の両端に接続された一対の電極
と、磁気抵抗効果膜を挟んで形成された上部ギャップ絶
縁膜及び下部ギャップ絶縁膜と、上部ギャップ絶縁膜の
上に形成された上部シールド膜と、下部ギャップ絶縁膜
の下に形成された下部シールド膜とを含む磁気抵抗効果
型ヘッドにおいて、下部シールド膜は、下部ギャップ絶
縁膜に接触する側が非晶質軟磁性膜であり下部ギャップ
絶縁膜に接しない側が結晶質軟磁性膜である２層構造を
有することを特徴とする。
【０００６】このように下部シールド膜を２層からなる
複合膜とし、下部シールド複合膜の下部ギャップ絶縁膜
に接触する方を非晶質軟磁性膜とし、下部ギャップ絶縁
膜に接しない方を結晶質軟磁性膜とすることによって、
下部ギャップ絶縁膜の膜厚を薄くしても、下部シールド
膜と磁気抵抗効果素子との間の耐圧を保ちつつ、再生出
力の変動を抑制した磁気抵抗効果型ヘッドを得ることが
できる。
複合膜とし、下部シールド複合膜の下部ギャップ絶縁膜
に接触する方を非晶質軟磁性膜とし、下部ギャップ絶縁
膜に接しない方を結晶質軟磁性膜とすることによって、
下部ギャップ絶縁膜の膜厚を薄くしても、下部シールド
膜と磁気抵抗効果素子との間の耐圧を保ちつつ、再生出
力の変動を抑制した磁気抵抗効果型ヘッドを得ることが
できる。
【０００７】この時、下部シールド膜の非晶質軟磁性膜
としては、ＣｏＴａＺｒ，ＣｏＮｂＺｒ，ＣｏＭｏＺ
ｒ，ＣｏＴａＨｆ，ＣｏＮｂＨｆ，ＣｏＭｏＺｒなどの
Ｃｏを主成分とする非晶質膜を用いるることが望まし
い。下部シールド膜の結晶質軟磁性膜としては、ＮｉＦ
ｅ合金あるいはＦｅＡｌＳｉ合金膜などのＮｉ及び／又
はＦｅを主成分とする結晶質膜であることが望ましい。
非晶質軟磁性膜の膜厚は、３ｎｍから５００ｎｍである
と効果的である。下部ギャップ絶縁膜は、Ａｌ2Ｏ3，Ｓ
ｉＯ2あるいはこれらの混合物のどの場合でも効果があ
る。また、下部ギャップ絶縁膜の膜厚としては、３０ｎ
ｍ以下の時に効果が顕著である。上記磁気抵抗効果型ヘ
ッドと誘導型薄膜磁気ヘッドを組み合わせることにより
良好な記録再生分離型ヘッドが得られる。
としては、ＣｏＴａＺｒ，ＣｏＮｂＺｒ，ＣｏＭｏＺ
ｒ，ＣｏＴａＨｆ，ＣｏＮｂＨｆ，ＣｏＭｏＺｒなどの
Ｃｏを主成分とする非晶質膜を用いるることが望まし
い。下部シールド膜の結晶質軟磁性膜としては、ＮｉＦ
ｅ合金あるいはＦｅＡｌＳｉ合金膜などのＮｉ及び／又
はＦｅを主成分とする結晶質膜であることが望ましい。
非晶質軟磁性膜の膜厚は、３ｎｍから５００ｎｍである
と効果的である。下部ギャップ絶縁膜は、Ａｌ2Ｏ3，Ｓ
ｉＯ2あるいはこれらの混合物のどの場合でも効果があ
る。また、下部ギャップ絶縁膜の膜厚としては、３０ｎ
ｍ以下の時に効果が顕著である。上記磁気抵抗効果型ヘ
ッドと誘導型薄膜磁気ヘッドを組み合わせることにより
良好な記録再生分離型ヘッドが得られる。
【０００８】本発明による磁気記録再生装置は、磁気記
録媒体と、磁気記録媒体に対してデータの記録及び再生
を行う磁気ヘッドと、磁気ヘッドを支持して磁気記録媒
体上の所望の半径位置に位置決めする機構と、記録信号
や再生信号を処理する記録再生信号処理系とを含む磁気
記録再生装置において、磁気ヘッドとして上述した磁気
抵抗効果型ヘッドと誘導型薄膜ヘッドとを組み合わせた
記録再生分離型ヘッドを搭載したことを特徴とする。
録媒体と、磁気記録媒体に対してデータの記録及び再生
を行う磁気ヘッドと、磁気ヘッドを支持して磁気記録媒
体上の所望の半径位置に位置決めする機構と、記録信号
や再生信号を処理する記録再生信号処理系とを含む磁気
記録再生装置において、磁気ヘッドとして上述した磁気
抵抗効果型ヘッドと誘導型薄膜ヘッドとを組み合わせた
記録再生分離型ヘッドを搭載したことを特徴とする。
【０００９】本発明によると、下部シールド膜の下部ギ
ャップ絶縁膜に接触する方を非晶質軟磁性膜とし、下部
ギャップ絶縁膜に接しない方を結晶質軟磁性膜とするこ
とにより、下部ギャップ絶縁膜の初期成長層が制御さ
れ、膜厚が薄くても高品質になって絶縁破壊を起こしに
くくなるものと考えられ、下部ギャップ絶縁膜厚が３０
ｎｍ以下と薄い場合においても絶縁破壊電圧の急激な低
下は見られず、従来の単層の結晶質軟磁性膜を用いた場
合と比較して、歩留まり率の高い磁気ヘッドを供給でき
る。さらに、この再生用ヘッドと記録用の誘導型磁気ヘ
ッドを組み合わせることにより、高記録密度に対応した
磁気ヘッド及び磁気記録再生装置が得られる。
ャップ絶縁膜に接触する方を非晶質軟磁性膜とし、下部
ギャップ絶縁膜に接しない方を結晶質軟磁性膜とするこ
とにより、下部ギャップ絶縁膜の初期成長層が制御さ
れ、膜厚が薄くても高品質になって絶縁破壊を起こしに
くくなるものと考えられ、下部ギャップ絶縁膜厚が３０
ｎｍ以下と薄い場合においても絶縁破壊電圧の急激な低
下は見られず、従来の単層の結晶質軟磁性膜を用いた場
合と比較して、歩留まり率の高い磁気ヘッドを供給でき
る。さらに、この再生用ヘッドと記録用の誘導型磁気ヘ
ッドを組み合わせることにより、高記録密度に対応した
磁気ヘッド及び磁気記録再生装置が得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。 〔実施例１〕図１に、本発明による磁気抵抗効果型ヘッ
ドの一例の、浮上面側から見た模式図を示す。本発明の
磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等のセ
ラミック基板１１上に、Ｎｉ80Ｆｅ20（ａｔ％）合金膜
からなる第１下部シールド膜１２とＣｏＮｂＺｒ非晶質
からなる第２下部シールド膜１２′、Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ
2の混合物からなる下部ギャップ絶縁膜１３、さらに
は、磁気抵抗効果膜１４、電極１６、磁区制御膜１５か
らなる磁気抵抗効果型素子、Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合
物からなる上部ギャップ絶縁膜１７、Ｎｉ80Ｆｅ20合金
膜からなる上部シールド膜１８を備える。実際の磁気ヘ
ッドでは、さらに記録ギャップ絶縁膜、記録磁極が備え
られるが、ここでは図示を省略する。
施の形態を説明する。 〔実施例１〕図１に、本発明による磁気抵抗効果型ヘッ
ドの一例の、浮上面側から見た模式図を示す。本発明の
磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等のセ
ラミック基板１１上に、Ｎｉ80Ｆｅ20（ａｔ％）合金膜
からなる第１下部シールド膜１２とＣｏＮｂＺｒ非晶質
からなる第２下部シールド膜１２′、Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ
2の混合物からなる下部ギャップ絶縁膜１３、さらに
は、磁気抵抗効果膜１４、電極１６、磁区制御膜１５か
らなる磁気抵抗効果型素子、Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合
物からなる上部ギャップ絶縁膜１７、Ｎｉ80Ｆｅ20合金
膜からなる上部シールド膜１８を備える。実際の磁気ヘ
ッドでは、さらに記録ギャップ絶縁膜、記録磁極が備え
られるが、ここでは図示を省略する。
【００１１】第１下部シールド膜１２の膜厚は２μｍ、
第２下部シールド膜１２′の膜厚はｔｎｍ、下部ギャッ
プ絶縁膜１３の膜厚はｄｎｍ、上部ギャップ絶縁膜１７
の膜厚は２０ｎｍ、上部シールド膜１８の膜厚は３μｍ
としたが、特に第１シールド膜１２、上部ギャップ絶縁
膜１７、上部シールド膜１８の膜厚はこれらの値に限定
されるものではない。第１下部シールド膜１２の成膜方
法としては、スパッタリング法、めっき法のいずれでも
よいが、ここでは高周波マグネトロンスパッタリング法
で形成した。スパッタリングの条件は、到達真空度１×
１０-7Ｔｏｒｒ、Ａｒガス圧３ｍＴｏｒｒ、パワーは３
００Ｗである。Ａｒガスの代わりにＡｒと窒素の混合ガ
スを用いてもよい。第１下部シールド膜１２の成膜後に
はＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）を行っ
て、膜面の平坦性を確保するのが望ましい。ＣＭＰ処理
を行う場合には、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって表
面の凹凸を評価したとき凹凸のトップとボトムとの差が
２ｎｍ以下となる平坦性をもたせるのが好ましい。
第２下部シールド膜１２′の膜厚はｔｎｍ、下部ギャッ
プ絶縁膜１３の膜厚はｄｎｍ、上部ギャップ絶縁膜１７
の膜厚は２０ｎｍ、上部シールド膜１８の膜厚は３μｍ
としたが、特に第１シールド膜１２、上部ギャップ絶縁
膜１７、上部シールド膜１８の膜厚はこれらの値に限定
されるものではない。第１下部シールド膜１２の成膜方
法としては、スパッタリング法、めっき法のいずれでも
よいが、ここでは高周波マグネトロンスパッタリング法
で形成した。スパッタリングの条件は、到達真空度１×
１０-7Ｔｏｒｒ、Ａｒガス圧３ｍＴｏｒｒ、パワーは３
００Ｗである。Ａｒガスの代わりにＡｒと窒素の混合ガ
スを用いてもよい。第１下部シールド膜１２の成膜後に
はＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）を行っ
て、膜面の平坦性を確保するのが望ましい。ＣＭＰ処理
を行う場合には、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって表
面の凹凸を評価したとき凹凸のトップとボトムとの差が
２ｎｍ以下となる平坦性をもたせるのが好ましい。
【００１２】第２下部シールド膜１２′の成膜には高周
波マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッ
タリング法などのスパッタリング法が望ましい。ここで
は高周波マグネトロンスパッタリング法により成膜し
た。条件は、到達真空度１×１０-7Ｔｏｒｒ、Ａｒガス
圧３ｍＴｏｒｒ、パワーは３００Ｗである。基板は水冷
している。下部ギャップ絶縁膜１３は、高周波マグネト
ロンスパッタリング法により、Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の複
合ターゲットを用いて形成した。スパッタリング条件
は、到達真空度１×１０-7Ｔｏｒｒ、スパッタリングガ
スはＡｒとＯ2（１０％）の混合ガスを用い、ガス圧３
ｍＴｏｒｒ、パワーは５００Ｗであった。
波マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッ
タリング法などのスパッタリング法が望ましい。ここで
は高周波マグネトロンスパッタリング法により成膜し
た。条件は、到達真空度１×１０-7Ｔｏｒｒ、Ａｒガス
圧３ｍＴｏｒｒ、パワーは３００Ｗである。基板は水冷
している。下部ギャップ絶縁膜１３は、高周波マグネト
ロンスパッタリング法により、Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の複
合ターゲットを用いて形成した。スパッタリング条件
は、到達真空度１×１０-7Ｔｏｒｒ、スパッタリングガ
スはＡｒとＯ2（１０％）の混合ガスを用い、ガス圧３
ｍＴｏｒｒ、パワーは５００Ｗであった。
【００１３】磁気抵抗効果膜１４としては異方性磁気抵
抗効果を利用した磁気抵抗効果膜あるいは巨大磁気抵抗
効果を利用したスピンバルブ膜のどちらを用いても良
い。ここでは、巨大磁気抵抗効果を用いたスピンバルブ
膜を用いた。スピンバルブ膜の構成は［ＰｔＭｎ（１０
ｎｍ）／Ｃｏ（１ｎｍ）／Ｒｕ（０．７５ｎｍ）／Ｃｏ
（２ｎｍ）／Ｃｕ（２．１ｎｍ）／Ｃｏ（０．５ｎｍ）
／ＮｉＦｅ（３ｎｍ）／Ｔａ（３ｎｍ）］であり、基板
に近い側がＰｔＭｎ、基板から遠い側がＴａである。ス
ピンバルブ膜の成膜は、高周波マグネトロンスパッタリ
ング装置で行った。スパッタリング装置のチャンバー内
の到達真空度は１×１０-7Ｔｏｒｒとし、スパッタリン
グする際にチャンバー内にＡｒガスを導入し、Ａｒガス
圧を１ｍＴｏｒｒから５ｍＴｏｒｒとした。各々の膜を
形成するときは、膜形成前に３０秒から１分間のプレス
パッタリングを行った。パワーは１００Ｗから３００Ｗ
とした。各膜は真空を破らずに連続して形成した。ま
た、基板は特に冷却はしていない。
抗効果を利用した磁気抵抗効果膜あるいは巨大磁気抵抗
効果を利用したスピンバルブ膜のどちらを用いても良
い。ここでは、巨大磁気抵抗効果を用いたスピンバルブ
膜を用いた。スピンバルブ膜の構成は［ＰｔＭｎ（１０
ｎｍ）／Ｃｏ（１ｎｍ）／Ｒｕ（０．７５ｎｍ）／Ｃｏ
（２ｎｍ）／Ｃｕ（２．１ｎｍ）／Ｃｏ（０．５ｎｍ）
／ＮｉＦｅ（３ｎｍ）／Ｔａ（３ｎｍ）］であり、基板
に近い側がＰｔＭｎ、基板から遠い側がＴａである。ス
ピンバルブ膜の成膜は、高周波マグネトロンスパッタリ
ング装置で行った。スパッタリング装置のチャンバー内
の到達真空度は１×１０-7Ｔｏｒｒとし、スパッタリン
グする際にチャンバー内にＡｒガスを導入し、Ａｒガス
圧を１ｍＴｏｒｒから５ｍＴｏｒｒとした。各々の膜を
形成するときは、膜形成前に３０秒から１分間のプレス
パッタリングを行った。パワーは１００Ｗから３００Ｗ
とした。各膜は真空を破らずに連続して形成した。ま
た、基板は特に冷却はしていない。
【００１４】磁区制御膜１５及び電極１６は公知の技術
であるリフトオフ法で形成した。磁区制御膜１５の材料
としては、Ｃｒ（５ｎｍ）の下地を敷いたＣｏＣｒＰｔ
（２０ｎｍ）を用いた。電極材料としては、ＴａＷ（２
０ｎｍ）／Ｔａ（１００ｎｍ）を用いた。磁区制御膜１
５と電極１６は、同一のＤＣスパッタリング装置内で真
空を破らずに連続して成膜した。スパッタリング条件
は、到達真空度１×１０ -7Ｔｏｒｒ、Ａｒ圧力及びパワ
ーは電極、磁区制御膜のいずれを形成する場合にもそれ
ぞれ３ｍＴｏｒｒ、３００Ｗとした。また、上部ギャッ
プ絶縁膜１７の形成は下部ギャップ絶縁膜と同様の方
法、条件で形成した。上部シールド膜１８のＮｉ80Ｆｅ
20については、Ｎｉ80Ｆｅ20をスパッタリングした下地
上に公知の技術であるパドルめっき法で形成した。膜形
成時には１９０Ｏｅの磁界を印加した。
であるリフトオフ法で形成した。磁区制御膜１５の材料
としては、Ｃｒ（５ｎｍ）の下地を敷いたＣｏＣｒＰｔ
（２０ｎｍ）を用いた。電極材料としては、ＴａＷ（２
０ｎｍ）／Ｔａ（１００ｎｍ）を用いた。磁区制御膜１
５と電極１６は、同一のＤＣスパッタリング装置内で真
空を破らずに連続して成膜した。スパッタリング条件
は、到達真空度１×１０ -7Ｔｏｒｒ、Ａｒ圧力及びパワ
ーは電極、磁区制御膜のいずれを形成する場合にもそれ
ぞれ３ｍＴｏｒｒ、３００Ｗとした。また、上部ギャッ
プ絶縁膜１７の形成は下部ギャップ絶縁膜と同様の方
法、条件で形成した。上部シールド膜１８のＮｉ80Ｆｅ
20については、Ｎｉ80Ｆｅ20をスパッタリングした下地
上に公知の技術であるパドルめっき法で形成した。膜形
成時には１９０Ｏｅの磁界を印加した。
【００１５】次に、図１に示した上記の磁気抵抗効果型
ヘッドについて、下部シールド膜１２，１２′と磁気抵
抗効果膜１４との間に電圧を印加し、ヘッドの耐圧を調
べた。比較のために、下部シールド膜がＮｉ80Ｆｅ20合
金膜単層の時の磁気ヘッドの耐圧も調べた。図３に、磁
気抵抗効果型ヘッドに電圧を１０Ｖまで印加したとき
の、素子の歩留率の下部ギャップ絶縁膜厚ｄ依存性を示
す。この時の第２下部シールド膜１２′の膜厚は１０ｎ
ｍとしている。図３に示すように、本発明の磁気抵抗効
果型ヘッドでは、下部シールド膜がＮｉ80Ｆｅ20単層の
磁気ヘッドに対して、電圧を１０Ｖ印加した時に壊れな
い素子の割合が、特に下部ギャップ絶縁膜の膜厚が３０
ｎｍ以下でより大きいことが確認できる。
ヘッドについて、下部シールド膜１２，１２′と磁気抵
抗効果膜１４との間に電圧を印加し、ヘッドの耐圧を調
べた。比較のために、下部シールド膜がＮｉ80Ｆｅ20合
金膜単層の時の磁気ヘッドの耐圧も調べた。図３に、磁
気抵抗効果型ヘッドに電圧を１０Ｖまで印加したとき
の、素子の歩留率の下部ギャップ絶縁膜厚ｄ依存性を示
す。この時の第２下部シールド膜１２′の膜厚は１０ｎ
ｍとしている。図３に示すように、本発明の磁気抵抗効
果型ヘッドでは、下部シールド膜がＮｉ80Ｆｅ20単層の
磁気ヘッドに対して、電圧を１０Ｖ印加した時に壊れな
い素子の割合が、特に下部ギャップ絶縁膜の膜厚が３０
ｎｍ以下でより大きいことが確認できる。
【００１６】図４に、磁気抵抗効果型ヘッドに電圧１０
Ｖまで印加したときの、素子の耐圧歩留率の第２下部シ
ールド膜厚依存性を示す。このときの下部ギャップ絶縁
膜の膜厚は２０ｎｍとしている。図４に示すように、本
発明の磁気抵抗効果型ヘッドでは、第２下部シールド膜
１２′の膜厚が３ｎｍ以上では素子の歩留率は９５％以
上であるが、第２下部シールド膜１２′の膜厚が３ｎｍ
未満では歩留率が急激に低下している。
Ｖまで印加したときの、素子の耐圧歩留率の第２下部シ
ールド膜厚依存性を示す。このときの下部ギャップ絶縁
膜の膜厚は２０ｎｍとしている。図４に示すように、本
発明の磁気抵抗効果型ヘッドでは、第２下部シールド膜
１２′の膜厚が３ｎｍ以上では素子の歩留率は９５％以
上であるが、第２下部シールド膜１２′の膜厚が３ｎｍ
未満では歩留率が急激に低下している。
【００１７】図５に、図１に示した磁気抵抗効果型ヘッ
ドについて、１０００回記録再生を行ったときの再生出
力の変動量（％）の第２下部シールド膜厚依存性を示
す。このときの下部ギャップ絶縁膜厚は２０ｎｍとし
た。図５に示すように、本発明の磁気抵抗効果型ヘッド
では、第２下部シールド膜１２′の膜厚が５００ｎｍ以
下では再生出力の変動量は１０％以下に抑えられている
のに対し、第２下部シールド膜１２′の膜厚が５００ｎ
ｍを超えると急激に出力変動が大きくなった。
ドについて、１０００回記録再生を行ったときの再生出
力の変動量（％）の第２下部シールド膜厚依存性を示
す。このときの下部ギャップ絶縁膜厚は２０ｎｍとし
た。図５に示すように、本発明の磁気抵抗効果型ヘッド
では、第２下部シールド膜１２′の膜厚が５００ｎｍ以
下では再生出力の変動量は１０％以下に抑えられている
のに対し、第２下部シールド膜１２′の膜厚が５００ｎ
ｍを超えると急激に出力変動が大きくなった。
【００１８】表１に、図１に示す磁気抵抗効果型ヘッド
に関して、第２下部シールド膜と下部ギャップ絶縁膜の
組み合わせをいろいろ変えたときの、素子の耐圧歩留率
を示す。このときの下部ギャップ絶縁膜の膜厚は２０ｎ
ｍ、第２下部シールド膜の膜厚は１０ｎｍとしている。
表１に示すように、第２下部シールド膜としては、Ｃｏ
ＴａＺｒ，ＣｏＮｂＺｒ，ＣｏＭｏＺｒ，ＣｏＴａＨ
ｆ，ＣｏＮｂＨｆ，ＣｏＭｏＨｆなどのＣｏ系非晶質膜
について、耐圧向上に関する同様の効果があった。ま
た、Ｃｏ，ＣｏＦｅなどの結晶質膜に対しては、耐圧向
上に関する効果はなかった。下部ギャップ絶縁膜に関し
ては、そのほかにＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2に対しても同様の
効果があった。
に関して、第２下部シールド膜と下部ギャップ絶縁膜の
組み合わせをいろいろ変えたときの、素子の耐圧歩留率
を示す。このときの下部ギャップ絶縁膜の膜厚は２０ｎ
ｍ、第２下部シールド膜の膜厚は１０ｎｍとしている。
表１に示すように、第２下部シールド膜としては、Ｃｏ
ＴａＺｒ，ＣｏＮｂＺｒ，ＣｏＭｏＺｒ，ＣｏＴａＨ
ｆ，ＣｏＮｂＨｆ，ＣｏＭｏＨｆなどのＣｏ系非晶質膜
について、耐圧向上に関する同様の効果があった。ま
た、Ｃｏ，ＣｏＦｅなどの結晶質膜に対しては、耐圧向
上に関する効果はなかった。下部ギャップ絶縁膜に関し
ては、そのほかにＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2に対しても同様の
効果があった。
【００１９】
【表１】
【００２０】このように、下部シールド膜を２層にする
ことによって、第１下部シールド膜１２に関しては磁気
抵抗効果型ヘッドの出力変動を低減する効果、第２下部
シールド膜１２′に関しては下部ギャップ絶縁膜１３の
耐圧を向上する効果の双方の複合効果を得たものと思わ
れる。また、第２下部シールド膜１２′をＣｏ系非晶質
膜にすることによって、Ｃｏとギャップ絶縁膜が反応す
ることでギャップ絶縁膜の初期成長層が緻密になり、ま
た非晶質膜表面の平坦性を反映して高品質なギャップ絶
縁膜ができたためと考えられる。
ことによって、第１下部シールド膜１２に関しては磁気
抵抗効果型ヘッドの出力変動を低減する効果、第２下部
シールド膜１２′に関しては下部ギャップ絶縁膜１３の
耐圧を向上する効果の双方の複合効果を得たものと思わ
れる。また、第２下部シールド膜１２′をＣｏ系非晶質
膜にすることによって、Ｃｏとギャップ絶縁膜が反応す
ることでギャップ絶縁膜の初期成長層が緻密になり、ま
た非晶質膜表面の平坦性を反映して高品質なギャップ絶
縁膜ができたためと考えられる。
【００２１】〔実施例２〕実施例１で作製した磁気抵抗
効果型ヘッドと記録ヘッド（誘導型薄膜ヘッド）を組み
合わせた記録再生分離型磁気ヘッドを作製した。図６
は、本実施例で作製した記録再生分離型ヘッドの一部分
を切断した場合の斜視図である。このヘッドは、基体４
６上に下部シールド膜４２を形成し、下部シールド膜４
２と上部シールド膜４３の間に磁気抵抗効果膜４１を配
置してある。磁気抵抗効果膜４１の両端には磁区制御膜
４８を形成し、また電極４７を形成してある。下部シー
ルド膜４２と上部シールド膜４３の間の部分が再生ヘッ
ドとして機能する部分であり、再生ヘッドの構成は実施
例１と同じ構成とした。記録ヘッドの下部磁極は、再生
ヘッドの上部シールド膜４３と兼用とし、記録ヘッドの
コイル４４及び上部磁極４５は、それぞれ電気めっき法
により作製したＣｕ及び４６ｗｔ％Ｎｉ−Ｆｅ膜を用い
た。記録ヘッドの磁気ギャップ絶縁膜及び保護膜はＡｌ
2Ｏ3膜を用いた。記録ヘッドのトラック幅は０．４μ
ｍ、再生ヘッドのトラック幅は０．３μｍとした。本発
明の磁気ヘッドは、従来の下部シールド膜を用いたもの
と比較して、下部ギャップ絶縁膜が絶縁破壊電圧の高い
磁気ギャップ絶縁膜が得られるため、歩留の高い磁気ヘ
ッドの作製が可能である。また、再生ヘッドのギャップ
長を短くできるため、高記録密度が可能となる。
効果型ヘッドと記録ヘッド（誘導型薄膜ヘッド）を組み
合わせた記録再生分離型磁気ヘッドを作製した。図６
は、本実施例で作製した記録再生分離型ヘッドの一部分
を切断した場合の斜視図である。このヘッドは、基体４
６上に下部シールド膜４２を形成し、下部シールド膜４
２と上部シールド膜４３の間に磁気抵抗効果膜４１を配
置してある。磁気抵抗効果膜４１の両端には磁区制御膜
４８を形成し、また電極４７を形成してある。下部シー
ルド膜４２と上部シールド膜４３の間の部分が再生ヘッ
ドとして機能する部分であり、再生ヘッドの構成は実施
例１と同じ構成とした。記録ヘッドの下部磁極は、再生
ヘッドの上部シールド膜４３と兼用とし、記録ヘッドの
コイル４４及び上部磁極４５は、それぞれ電気めっき法
により作製したＣｕ及び４６ｗｔ％Ｎｉ−Ｆｅ膜を用い
た。記録ヘッドの磁気ギャップ絶縁膜及び保護膜はＡｌ
2Ｏ3膜を用いた。記録ヘッドのトラック幅は０．４μ
ｍ、再生ヘッドのトラック幅は０．３μｍとした。本発
明の磁気ヘッドは、従来の下部シールド膜を用いたもの
と比較して、下部ギャップ絶縁膜が絶縁破壊電圧の高い
磁気ギャップ絶縁膜が得られるため、歩留の高い磁気ヘ
ッドの作製が可能である。また、再生ヘッドのギャップ
長を短くできるため、高記録密度が可能となる。
【００２２】〔実施例３〕本発明の記録再生分離型ヘッ
ドを用い、磁気記録再生装置を作製した。図７に磁気記
録再生装置の構造の概略図を示す。図７（ａ）は磁気記
録再生装置の平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−
Ａ′線に沿った断面図である。磁気記録再生装置は、記
録磁性膜を有して中心軸の回りで回転するディスク状の
磁気記録媒体５１、磁気記録媒体に対してデータの記録
及び再生を行う磁気ヘッド５３、磁気ヘッド５３を支持
して磁気記録媒体上の所望の半径位置に位置決めする機
構、記録信号や再生信号を処理する記録再生信号処理系
５５から主に構成される周知の構造を有する。
ドを用い、磁気記録再生装置を作製した。図７に磁気記
録再生装置の構造の概略図を示す。図７（ａ）は磁気記
録再生装置の平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−
Ａ′線に沿った断面図である。磁気記録再生装置は、記
録磁性膜を有して中心軸の回りで回転するディスク状の
磁気記録媒体５１、磁気記録媒体に対してデータの記録
及び再生を行う磁気ヘッド５３、磁気ヘッド５３を支持
して磁気記録媒体上の所望の半径位置に位置決めする機
構、記録信号や再生信号を処理する記録再生信号処理系
５５から主に構成される周知の構造を有する。
【００２３】磁気記録媒体５１は磁気記録媒体駆動部５
２に固定され、磁気記録媒体駆動部５２によって回転駆
動される。磁気ヘッド５３はアームに支持されたサスペ
ンションに支持されており、アームは磁気ヘッド駆動部
５４に固定されている。磁気ヘッド５３は磁気ヘッド駆
動部５４の回転によって磁気記録媒体５１上の所望の位
置に位置決めされる。記録再生信号処理系５５は、磁気
ヘッド５３に記録電流を流してデータを記録したり、磁
気ヘッド５３より得られる電気信号を処理してデータに
変換する処理を行う。データの記録は、記録電流に応じ
た記録磁界の変化を利用して磁気記録媒体上の磁性膜の
磁化方向を反転することにより行われる。また、データ
の再生は、磁気記録媒体から発生する漏れ磁界を再生ヘ
ッドで検出し、それを電気信号に変換することによって
行われる。
２に固定され、磁気記録媒体駆動部５２によって回転駆
動される。磁気ヘッド５３はアームに支持されたサスペ
ンションに支持されており、アームは磁気ヘッド駆動部
５４に固定されている。磁気ヘッド５３は磁気ヘッド駆
動部５４の回転によって磁気記録媒体５１上の所望の位
置に位置決めされる。記録再生信号処理系５５は、磁気
ヘッド５３に記録電流を流してデータを記録したり、磁
気ヘッド５３より得られる電気信号を処理してデータに
変換する処理を行う。データの記録は、記録電流に応じ
た記録磁界の変化を利用して磁気記録媒体上の磁性膜の
磁化方向を反転することにより行われる。また、データ
の再生は、磁気記録媒体から発生する漏れ磁界を再生ヘ
ッドで検出し、それを電気信号に変換することによって
行われる。
【００２４】磁気記録媒体５１には保磁力４５００Ｏｅ
のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金からなる磁気記録材料を用い
た。磁気ヘッド５３における再生ヘッドには実施例１の
２層下部シールド膜を用いこれにより、従来のＮｉＦｅ
単層下部シールド膜を用いた磁気ヘッドと比較して、再
生ヘッドのギャップ長を７０ｎｍ以下としても十分歩留
率の高い磁気ヘッドの作製が可能であった。このように
再生ヘッドのギャップ長を短くできるため、線記録密度
の高い磁気ディスク装置を作製できる。ここでは、再生
ヘッドのトラック幅０．２８μｍ、再生ヘッドのギャッ
プ長を７０ｎｍ、記録ヘッドのトラック幅を０．３５μ
ｍとし、線記録密度６７ｋＢＰＩ（BitPer Inch）、ト
ラック密度６０ｋＴＰＩ（Track Per Inch）、従って面
記録密度としては４０．２Ｇｂｉｔ／ｉｎ2が実現でき
ている。このように本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは４
０Ｇｂｉｔ／ｉｎ2以上の記録密度を有する磁気記録再
生装置には、必須と考えられる。
のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金からなる磁気記録材料を用い
た。磁気ヘッド５３における再生ヘッドには実施例１の
２層下部シールド膜を用いこれにより、従来のＮｉＦｅ
単層下部シールド膜を用いた磁気ヘッドと比較して、再
生ヘッドのギャップ長を７０ｎｍ以下としても十分歩留
率の高い磁気ヘッドの作製が可能であった。このように
再生ヘッドのギャップ長を短くできるため、線記録密度
の高い磁気ディスク装置を作製できる。ここでは、再生
ヘッドのトラック幅０．２８μｍ、再生ヘッドのギャッ
プ長を７０ｎｍ、記録ヘッドのトラック幅を０．３５μ
ｍとし、線記録密度６７ｋＢＰＩ（BitPer Inch）、ト
ラック密度６０ｋＴＰＩ（Track Per Inch）、従って面
記録密度としては４０．２Ｇｂｉｔ／ｉｎ2が実現でき
ている。このように本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは４
０Ｇｂｉｔ／ｉｎ2以上の記録密度を有する磁気記録再
生装置には、必須と考えられる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によると、狭ギャップになっても
歩留まり率を低下させることなく、再生出力の変動のな
い、高記録密度に対応した磁気ヘッドを提供することが
できる。さらに、上記磁気ヘッドを用いることにより、
高性能な磁気記録再生装置を得ることができる。
歩留まり率を低下させることなく、再生出力の変動のな
い、高記録密度に対応した磁気ヘッドを提供することが
できる。さらに、上記磁気ヘッドを用いることにより、
高性能な磁気記録再生装置を得ることができる。
【図１】本発明による磁気抵抗効果型ヘッドの一例を媒
体対向面から見た断面模式図。
体対向面から見た断面模式図。
【図２】従来の磁気抵抗効果型ヘッドを媒体対抗面から
見た断面模式図。
見た断面模式図。
【図３】ヘッドの耐圧に対する歩留率と下部ギャップ絶
縁膜の関係を示す図。
縁膜の関係を示す図。
【図４】磁気抵抗効果型ヘッドの耐圧歩留率の第２下部
シールド膜厚依存性を示す図。
シールド膜厚依存性を示す図。
【図５】再生出力の変動量（％）の第２下部シールド膜
厚依存性を示す図。
厚依存性を示す図。
【図６】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドと記録ヘッドと
を組み合わせた記録再生分離型ヘッドの斜視図。
を組み合わせた記録再生分離型ヘッドの斜視図。
【図７】本発明の記録再生分離型ヘッドを用いた磁気記
録再生装置の概略図。
録再生装置の概略図。
１１，２１…基板 ２２…下部シールド膜 ４２…下部シールド膜 １２…第１下部シールド膜 １２′ …第２下部シールド膜 １３，２３…下部ギャップ絶縁膜 １４，２４，４１…磁気抵抗効果膜 １６，２６，４７…電極 １５，２５…磁区制御膜 １７，２７…上部ギャップ絶縁膜 １８，２８，４３…上部シールド膜 ４４…コイル ４５…上部磁極 ４６…基体 ５１…磁気記録媒体 ５２…磁気記録媒体駆動部 ５３…磁気ヘッド ５４…磁気ヘッド駆動部 ５５…記録再生信号処理系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｚ (72)発明者 星野 勝美 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 5D033 AA02 BB22 BB43 CA00 5D034 BA02 BB09 BB12 CA00 5E049 AA01 AA07 AC01 AC05 BA12 CB02
Claims (5)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜
の両端に接続された一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜
を挟んで形成された上部ギャップ絶縁膜及び下部ギャッ
プ絶縁膜と、前記上部ギャップ絶縁膜の上に形成された
上部シールド膜と、前記下部ギャップ絶縁膜の下に形成
された下部シールド膜とを含む磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、 前記下部シールド膜は、前記下部ギャップ絶縁膜に接触
する側が非晶質軟磁性膜であり前記下部ギャップ絶縁膜
に接しない側が結晶質軟磁性膜である２層構造を有する
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、前記非晶質軟磁性膜はＣｏを主成分とする非晶
質膜であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の磁気抵抗効果型ヘ
ッドにおいて、前記結晶質軟磁性膜はＮｉ及び／又はＦ
ｅを主成分とする結晶質膜であることを特徴とする磁気
抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】 請求項１，２又は３記載の磁気抵抗効果
型ヘッドにおいて、前記下部ギャップ絶縁膜の膜厚が３
０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項５】 磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に対
してデータの記録及び再生を行う磁気ヘッドと、前記磁
気ヘッドを支持して前記磁気記録媒体上の所望の半径位
置に位置決めする機構と、記録信号や再生信号を処理す
る記録再生信号処理系とを含む磁気記録再生装置におい
て、 前記磁気ヘッドとして、請求項１〜４のいずれか１項記
載の磁気抵抗効果型ヘッドと誘導型薄膜ヘッドとを組み
合わせた記録再生分離型ヘッドを搭載したことを特徴と
する磁気記録再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000069622A JP3946404B2 (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
| US09/662,643 US6515837B1 (en) | 2000-03-14 | 2000-09-15 | Magnetoresistive head and magnetic storage apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000069622A JP3946404B2 (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001256619A true JP2001256619A (ja) | 2001-09-21 |
| JP2001256619A5 JP2001256619A5 (ja) | 2005-04-21 |
| JP3946404B2 JP3946404B2 (ja) | 2007-07-18 |
Family
ID=18588469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000069622A Expired - Fee Related JP3946404B2 (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
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|---|---|
| US (1) | US6515837B1 (ja) |
| JP (1) | JP3946404B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6995957B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-02-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherland B.V. | Magnetoresistive sensor having a high resistance soft magnetic layer between sensor stack and shield |
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|---|---|---|---|---|
| JP2001273611A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| JP3659898B2 (ja) * | 2000-11-27 | 2005-06-15 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US6816345B1 (en) * | 2001-09-24 | 2004-11-09 | Western Digital (Fremont), Inc. | Magnetoresistive sensors having submicron track widths and method of making |
| US6735058B2 (en) * | 2002-02-04 | 2004-05-11 | International Business Machines Corporation | Current-perpendicular-to-plane read head with an amorphous magnetic bottom shield layer and an amorphous nonmagnetic bottom lead layer |
| JP4705478B2 (ja) * | 2006-01-19 | 2011-06-22 | ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ | 磁気ヘッド |
| JP2007242786A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Tdk Corp | Ｃｐｐ型磁気抵抗効果素子 |
| JP2008004161A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Fujitsu Ltd | 金属パターンの製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS61258323A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-15 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘツド |
| US4783711A (en) * | 1985-07-12 | 1988-11-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive sensor having magnetic shields of ferrite |
| JP3294742B2 (ja) * | 1995-09-25 | 2002-06-24 | 株式会社日立製作所 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| JPH10188222A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Read Rite S M I Kk | 複合型薄膜磁気ヘッド |
| US6275360B1 (en) * | 1997-09-29 | 2001-08-14 | Hitachi, Ltd. | Read-write head |
-
2000
- 2000-03-14 JP JP2000069622A patent/JP3946404B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-15 US US09/662,643 patent/US6515837B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6995957B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-02-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherland B.V. | Magnetoresistive sensor having a high resistance soft magnetic layer between sensor stack and shield |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6515837B1 (en) | 2003-02-04 |
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