JP2000276716A - 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法および磁気記憶装置 - Google Patents

磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法および磁気記憶装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、再生ギャップ長が０．１μｍ以下
で、線記録密度として５００ｋＦＣＩ超の高密度記録に
対する分解能を持った再生ＧＭＲヘッドを実現すること
である。さらに、この再生ＧＭＲヘッドを用いた磁気再
生記憶装置を提供することである。 【解決手段】 スライダ上に積層された、対向する2枚
の磁気シールド（２１、２４）と、前記対向する２枚の
磁気シールドの間にあって、媒体磁界を感磁する磁気抵
抗効果を有する中央領域（１０）と、前記中央領域を両
側から挟み込むように形成され、前記中央領域にバイア
ス磁界と電流とを供給する端部領域（電極膜１３、１
４、強磁性層１１、１２）とからなる磁気抵抗効果素子
とからなる磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記中央領
域の少なくとも一端が少なくとも一方の磁気シールドと
直接接触していることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ドである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気抵抗効果を利用
した磁気ヘッドおよび磁気記憶装置に関し、特に、磁気
媒体上に記録された磁化の反転周期が１インチ当たり５
０００００以上の極めて記録密度の高い領域での、磁気
ヘッドおよび磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記憶装置の大容量化に伴って、Ｎｉ
Ｆｅ膜の異方性磁気抵抗効果を応用した磁気抵抗効果型
ヘッド（以下、ＭＲヘッドと記す）が実用化されてい
る。このＭＲヘッドについては、「ＩＥＥＥ Ｔｒａ
ｎｓ．ｏｎ Ｍａｇｎ，．ＭＡＧ７（１９７１） １５
０」において「Ａ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖ
ｉｔｙ Ｒｅａｄｏｕｔ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ」と
して論じられている。
【０００３】近年、磁気記録密度の向上に対応して、Ｍ
Ｒヘッドよりも更に大幅な高出力化が可能な巨大磁気抵
抗効果（以下、ＧＭＲと記す）を用いたＧＭＲヘッドが
注目されている。このＧＭＲに於いて、特に、抵抗の変
化が２枚の隣接する磁性層の磁化方向間の余弦と対応す
る、一般にスピンバルブ効果と呼ばれる磁気抵抗効果は
小さな動作磁界で大きな抵抗変化をすることから、ＭＲ
ヘッドの次世代のＧＭＲヘッドとして期待されている。
このスピンバルブ効果を用いたＧＭＲヘッドについては
「ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｍａｇｎ，．Ｖｏｌ．
３０，Ｎｏ．６（１９９４）３８０１」において「Ｄｅ
ｓｉｇｎ， Ｆａｂｒｉ- ｃａｔｉｏｎ＆Ｔｅｓｔｉｎ
ｇ ｏｆ Ｓｐｉｎ−Ｖａｌｖｅ Ｒｅａｄ Ｈｅａｄ
ｓ ｆｏｒ Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｒｅｃｏｒｄ
ｉｎｇ」として論じられている。
【０００４】磁気記録媒体上の記録密度は、磁気ヘッド
の幅方向、すなわちトラック幅方向をトラック密度、磁
気ヘッドの走行方向を線記録密度、トラック密度と線記
録密度の積を面記録密度と定義する。線記録密度が２０
０ｋＦＣＩ（１インチ当たりの磁化反転数が２００，０
００回）以上の、極めて記録密度の高い領域では、その
高出力性能によりＧＭＲヘッドが使われる。また、この
際の再生ヘッドにおける磁気シールド間の距離、すなわ
ちシールド間ギャップは０．２μｍ程度である。例え
ば、線記録密度が２００ｋＦＣＩの場合、１つの磁化の
反転長は０．１２５μｍであるから、１周期としては
０．２５μｍである。シールド間ギャップ長が０．２μ
ｍであれば、記録の１周期の方がギャップ長よりも長い
ことから、再生ヘッドとしてはこの記録密度に対しては
分解能を持つこととなる。
【０００５】しかしながら、例えば、線記録密度が４０
０ｋＦＣＩの場合、１つの磁化の反転長は０．０６２５
μｍであるから、１周期としては０．１２５μｍとな
り、ギャップ長０．２μｍのヘッドでは検出出来なくな
る。
【０００６】ＧＭＲヘッドを含め、２枚の対向する磁気
シールド間に磁気抵抗効果素子を配置したＭＲヘッドで
は、シールド間ギャップ長は磁気抵抗効果素子の厚さ
と、この磁気抵抗効果素子を磁気シールドから電気的に
絶縁するための絶縁層の膜厚との合計となる。これが、
磁気記憶装置の記録、再生の単位長さとなる。
【０００７】図５に従来用いられているＭＲヘッドの、
磁気媒体との対向面（一般にエアベアリングサーフェイ
ス、ＡＢＳと称す）から見た時の構造を示す。スライダ
となる基体２０上に下側磁気シールド２１が形成され、
電気的な絶縁を行うための絶縁層２２を介してＭＲ素子
が形成される。ＭＲ素子は、媒体からの磁界を感磁する
中央領域１０、および、中央領域に、バイアス磁界を印
加するための強磁性層１１，１２と電流を供給するため
の導電層１３，１４を有する端部領域、から構成され
る。さらに上ギャップ層である絶縁層２３を介して上側
磁気シールド２４が形成される。以上が再生素子部であ
る。
【０００８】ＭＲ磁気ヘッドは再生と記録を異なる個所
で行うことが特徴である。記録素子部においては上側磁
気シールド２４は記録磁極２６の一方と兼用され、記録
ギャップ層２５を介して形成されたもう一方の記録磁極
２６と対をなす。記録磁極２６の一方と兼用の上側磁気
シールド２４と、もう一方の記録磁極２６との間には、
ＡＢＳからやや奥まった位置に、フォトレジストなどの
絶縁体によって絶縁されたコイルが設けられ、このコイ
ルに電流を流した際の発生磁界によって、前記記録磁極
２６が励磁される。
【０００９】再生素子の分解能は、2枚の対向する磁気
シールドの感磁部上下でのシールド間距離で決定され、
シールド間ギャップ、あるいは再生ギャップという。再
生ギャップ長は図５より、ＭＲ素子の中央領域１０の膜
厚、下側の絶縁層２２の膜厚、および上ギャップ層であ
る絶縁層２３の膜厚の和となる。よって、高い分解能を
実現するためにはこれらの膜厚を薄くすることが重要で
ある。
【００１０】次に、磁気抵抗効果型ヘッドの構成要素の
構造について記す。
【００１１】中央領域の構成は、図３に示すように、Ｇ
ＭＲの場合、下地膜３０、反強磁性膜３１、磁化固定膜
３２、導電膜３３、磁化自由膜３４、保護膜３５からな
る。これらの膜厚は、下地膜３ｎｍ、反強磁性膜２０ｎ
ｍ、磁化固定膜３ｎｍ、導電膜２ｎｍ、磁化自由膜４ｎ
ｍ、保護膜３ｎｍで３５ｎｍ程度である。この中で反強
磁性膜の膜厚が他の厚さに対して突出して大きい。これ
は、反強磁性膜は、磁化固定膜の磁化を十分な耐熱性を
持って固定させなければならないために、使用できる材
質が限定されるためである。具体的にはＰｔ−Ｍｎ合金
が使用できるが、この場合、反強磁性膜としての特性を
十分に発揮するためには２０ｎｍ程度の膜厚が必要とな
る。膜厚が薄くても反強磁性を発生する材質は存在す
る。例えばＩｒ−Ｍｎ合金は７ｎｍ程度の薄い膜でも反
強磁性体となる。しかし、Ｉｒ−Ｍｎ合金は耐熱性が低
いため、磁化固定膜の磁化を十分に固定することが出来
ない。中央領域はまた、図４に示す構成も可能であり、
下地膜３０、磁化自由膜３４、導電膜３３、磁化固定膜
３２、反強磁性膜３１、保護膜３５からなり、膜厚も同
の３５ｎｍ程度である。
【００１２】中央領域は、ＭＲヘッドの心臓部であり、
充分な性能を維持するためには、膜の構成及び、膜厚を
大きく変更することは難しい。
【００１３】図５において、下側の絶縁層２２の膜厚は
絶縁膜としての機能を十分に保つことのできる膜厚であ
る必要がある。スパッタ法などによって形成されたアル
ミナ膜は良好な絶縁体となることから、絶縁層２２とし
ては適当である。しかしながら、膜厚を薄くした場合、
ピンホールの発生は避けることができず、十分な絶縁膜
としての機能が劣化する。発明者の実験によれば膜厚が
３０ｎｍを下回るようになると、絶縁性劣化が顕在化す
るため、少なくともこの程度の膜厚が要求される。
【００１４】また、上ギャップ層である絶縁層２３の膜
厚は、ＭＲ素子の中央領域と端部領域の段差を十分に被
服しなければならないことから、下側の絶縁層２２のよ
うに薄くすることは出来ない。特に、端部領域は、電流
を供給する導電膜１３，１４を薄くしすぎると、抵抗が
増大してしまい、Ｓ／Ｎの劣化を招く。導電層１３，１
４として、比抵抗の小さい金を用いた場合でも８０ｎｍ
程度の厚さが必要であり、強磁性膜１１，１２の厚さを
２０ｎｍ程度と薄くしたとしても、合計で１００ｎｍの
膜厚となる。中央領域を前述のように３５ｎｍ程度とし
た場合、中央領域と端部領域との膜厚差は６５ｎｍにも
なる。この段差を被服するために必要な上ギャップ層で
ある絶縁層２３の膜厚は、絶縁性の高いアルミナ膜を用
いた場合でも５０ｎｍは必要である。
【００１５】以上のように、再生ヘッドの分解能を高め
るためには再生ギャップ長を短くすることが必要である
が、ＭＲ素子の中央領域１０の膜厚、下側の絶縁層２２
の膜厚、および上ギャップ層である絶縁層２３の膜厚に
は、上述のように、構造、材料による制約がある。再生
ギャップ長としては０．１１５μｍ程度が限界である。
それは、例えば、中央領域の反強磁性膜の膜厚を２０ｎ
ｍから７ｎｍ程度に薄く出来たとしても、０．１μｍ以
下の再生ギャップ長の実現は困難だからである。
【００１６】以上の理由により、媒体上に記録された磁
化パタンの周期としては０．１μｍ以下、すなわち磁化
の反転長としては０．０５μｍ以下、線記録密度として
は５００ｋＦＣＩを超える高密度記録に対する分解能を
持った再生ヘッド、すなわちＧＭＲヘッドの実現は今ま
で不可能であった。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来の問題を
解決し再生ギャップ長が０．１μｍ以下であり、線記録
密度として５００ｋＦＣＩを超える高密度記録に対する
分解能を持った再生ヘッド、すなわちＧＭＲヘッドを実
現すること、さらに、線記録密度として５００ｋＦＣＩ
を超える高密度記録を実現する磁気記憶装置を実現する
ことを目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、スライダ上に
順に積層された、対向する2枚の磁気シールドと、前記
対向する２枚の磁気シールドの間にあって、媒体磁界を
感磁する磁気抵抗効果を有する中央領域と、前記中央領
域を両側から挟み込むように形成され、前記中央領域に
バイアス磁界と電流とを供給する端部領域を有する磁気
抵抗効果素子とからなる磁気抵抗効果型ヘッドであっ
て、前記中央領域の一端が一方の磁気シールドと直接接
触していることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドであ
る。
【００１９】この時、対向する２枚の磁気シールドの少
なくとも一方の磁気シールドには絶縁体を用いる。ま
た、対向する磁気シールド間の距離は0.1μm以下であ
る。
【００２０】この磁気ヘッドは端部領域が強磁性層を含
んでおり、前記の強磁性層と、少なくとも一方の絶縁体
である磁気シールドとの間に、磁気分離層が介在してい
る。また、この磁気分離層は厚さが１ｎｍ以上、１００
ｎｍ以下である事が好ましい。さらに、好ましくは、２
ｎｍ〜５０ｎｍの厚さであり、最も好ましくは、４ｎｍ
〜１０ｎｍの厚さである。
【００２１】磁気ヘッドが形成されるスライダとしては
非磁性な絶縁物や、軟磁性な絶縁物が用いられる。具体
的には、Ａｌ2Ｏ3とＴｉＣとの複合セラミック、ＮｉＺ
ｎフェライト等が用いられる。
【００２２】もしも、スライダとして非磁性な絶縁物を
用いた場合、もう一方の絶縁体である磁気シールドは軟
磁性フェライトであってもよい。
【００２３】スライダとなる軟磁性基体上に、前記軟磁
性基体を一方の磁気シールドとし、前記磁気シールドと
対向する他方の磁気シールドが形成され、前記対向する
磁気シールドの間にあって、媒体磁界を感磁する磁気抵
抗効果を有する中央領域と、前記中央領域を両側から挟
み込むように形成され、前記中央領域にバイアス磁界と
電流とを供給する端部領域を有する磁気抵抗効果型素子
を有する磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記中央領域
の少なくとも一端が、少なくとも一方の磁気シールドと
直接接触していることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ドである。
【００２４】前記一方の磁気シールドである軟磁性基体
と前記磁気抵抗効果素子の一端が直接接触しており、か
つ、前記他方の磁気シールドが絶縁体である場合には、
前記他方の磁気シールドと前記磁気抵抗効果素子の他端
とが直接接触していてもよい。また、前記の対向する2
枚の磁気シールド間の距離は、高密度記録に対応するた
めに０．１μｍ以下でなければならない。
【００２５】この磁気ヘッドは端部領域が強磁性層を含
み、この強磁性層と前に述べた一方の磁気シールドであ
る軟磁性基体との間に磁気分離層が存在していても良
い。ここで、この磁気分離層の厚さは１ｎｍ以上、１０
０ｎｍ以下である。
【００２６】また、スライダに対向する磁気シールドが
絶縁体である場合に前記強磁性層とスライダと対向した
磁気シールドとの間に、磁気分離層が介在していてもよ
い。この磁気分離層の厚さは１ｎｍ以上、１００ｎｍ以
下である。
【００２７】このようにして形成された磁気ヘッドは、
磁気媒体に記録された磁化パタンの最短反転長が０．０
５μｍ以下である磁気記憶装置の磁気記録再生系として
好適に使用される。
【００２８】本発明では、端部領域は中央領域に電流
を供給する層とバイアス磁界を供給する層の２層で構
成されているが、この端部領域は２層である必要はな
く、中央領域に電流とバイアス磁界を供給することがで
きれば一層でも構わない。
【００２９】
【発明の実施の形態】上述のように磁気シールドが絶縁
体となれば、磁気抵抗効果素子と磁気シールドとの間に
絶縁層を設ける必要がなくなり、再生ギャップを小さく
することが可能となる。そこで、まず、初めに、図２に
示す構成のヘッドを作製した。図２に示すヘッドは、図
５に示す従来のヘッドに対して、下側磁気シールド２１
を絶縁体とし、図５における下側の絶縁層２２を除いた
構造である。また、感磁部である中央領域は図３に示す
ＧＭＲ構造である。この図２のヘッドの再生特性を測定
した。その結果、再生波形はウイグルと呼ばれる波形の
変動やバルクハウゼンノイズの顕著な、極めてノイズの
大きい特性となった。
【００３０】この原因は、中央領域１０のＧＭＲの磁化
自由層（図３の３４）は、端部領域の強磁性層１１，１
２からの磁界によってバイアスされ単磁区化される必要
がある。この単磁区化によって素子の抵抗−磁界特性
（Ｒ−Ｈ特性）はヒステリシスやバルクハウゼンジャン
プのない安定な特性となる。図２のヘッドがウイグルや
バルクハウゼンノイズの顕著であったのは、磁化自由層
が単磁区化がなされていなかったためと考えられる。こ
れは、強磁性層１１，１２からの磁界が磁化自由層３４
に効率良く印加されなかったためと考えられる。
【００３１】従来のヘッド（図５）では、下側磁気シー
ルド２１と強磁性層１１，１２との間には絶縁層２２が
介在していた。この層は、絶縁性を保つとともに下側磁
気シールド２１と強磁性層１１，１２との磁気的に分離
していたと考えられる。その結果、図５のヘッドの磁気
抵抗効果素子では、端部領域の強磁性層１１，１２から
の磁界が磁化自由層３４に効率よく印加され、ヒステリ
シスやバルクハウゼンジャンプのない安定なＲ−Ｈ特性
を持つ素子となっていた。
【００３２】それに対して、図２に示すヘッドでは絶縁
層２２が介在していないために、下側磁気シールド２１
と強磁性層１１，１２との磁気的な分離が充分でないも
のと考えられる。その結果、端部領域の強磁性層１１，
１２からの磁界が、下側磁気シールド２１に多く流れ込
み、磁化自由層３４に効率よく印加されない状況が発生
したと考えられる。その結果、磁化自由層は単磁区化さ
れず、そのＲ−Ｈ特性はヒステリシスやバルクハウゼン
ジャンプの顕著なものとなったと考えられる。
【００３３】以上のように、ヒステリシスやバルクハウ
ゼンジャンプのない安定なＲ−Ｈ特性を実現するために
は、下側磁気シールド２１と強磁性層１１，１２との磁
気的な分離が必要であると考えられた。そこで、有効な
磁気分離を行うために下側磁気シールド２１と強磁性層
１１，１２とをどの程度隔てることが必要なのかを検討
した。
【００３４】その結果、下側磁気シールド２１と強磁性
層１１，１２との間に１ｎｍ以上の距離があれば、ウイ
グルやバルクハウゼンノイズを充分小さく抑えることが
でき、安定な再生特性が得られることが分かった。下側
磁気シールド２１と強磁性層１１，１２との間が１ｎｍ
以下の場合には、ウイグルやバルクハウゼンノイズが顕
在化した。これは磁気的な分離膜を介在させたときに、
その膜厚が１ｎｍ以下となると、膜中にピンホールなど
の欠陥が顕著化し、磁気的な分離が不十分となるためと
考えられた。
【００３５】また、磁気的な分離膜の膜厚の上限として
は、この磁気分離膜を端部領域の電極となる導電層１
３，１４と兼用することが考えられ、その場合には、前
述したように、電極として十分な低抵抗が得られる８０
ｎｍ以上が考えられる。前述したように、導電層をあま
り厚くすると、磁気抵抗効果素子の中央領域の厚さと端
部領域の厚さの差が大きくなる。この段差が大きいほど
これを被覆する絶縁膜の膜厚は厚くならざるを得ない。
さらに、この段差は記録磁極２６と兼用される上側の上
側磁気シールド２４の記録ギャップ層近傍を湾曲させる
原因となる。この湾曲が大きくなると、磁気媒体上に記
録された磁化形状が湾曲することとなり、再生波形の半
値幅を大きくするなど、高密度記録に支障を来たす問題
を発生させることとなる。よって、実質的に磁気的な分
離膜の膜厚の上限としては１００ｎｍ程度が適切であ
る。以上を踏まえて、続いて図１に示す構成のヘッドを
作製した。図１に示すヘッドは、下側磁気シールド２１
が絶縁体であり、図２に示すヘッドに対して、下側の下
側磁気シールド２１と強磁性層１１，１２との間に磁気
分離層２８，２９が介在している。この図１のヘッドの
再生特性を測定した。その結果、ウイグルやバルクハウ
ゼンノイズの十分に小さい安定な特性となった。図１
（ｂ）と図２（ｂ）に、それぞれの磁気ヘッドのＲ−Ｈ
特性図を示した。
【００３６】図２（ａ）のヘッドでは所々で印可磁界に
対して抵抗変化量が不連続に変化している。また、磁界
をある値まで増加して、その後ある値から減少させた場
合で、順方向と逆方向のＲ−Ｈカーブが一致せずヒステ
リシスが発生している。それに対し、図１（ａ）のヘッ
ドにおいては、Ｒ−Ｈカーブの不連続な変化もヒステリ
シスも見られない良好な再生特性を示した。
【００３７】本発明による磁気ヘッドでは、不要な絶縁
膜が取り除かれて、磁気ギャップを狭くすることがで
き、５００ｋＦＣＩ以上の密度で記録された磁気媒体の
再生を行うことが可能となった。
【００３８】
【実施例】以下、図を用いて、本発明の実施例を説明す
る。
【００３９】（実施例１）図１に、本発明によるスピン
バルブＧＭＲ素子を用いた再生、インダクティブ記録複
合ヘッドを媒体対向面（ＡＢＳ）から観察した構造を示
す。スライダとなるＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣセラミックを材料
とするスライダ基体２０上に、ＮｉＺｎフェライト膜か
らなる膜厚１μｍの下シールド層２１形成した後、中央
領域１０を下シールド層２１に接触するように形成し
た。
【００４０】中央領域１０となるスピンバルブパタン
は、図３に示す構成であり、膜厚３ｎｍのＺｒ下地膜３
０、膜厚２０ｎｍのＰｔＭｎ反強磁性膜３１、膜厚３ｎ
ｍのＣｏＦｅ磁化固定膜３２、膜厚２．１ｎｍのＣｕ非
磁性導電膜３３、膜厚０．５ｎｍのＣｏＦｅ膜と膜厚３
ｎｍのＮｉＦｅ膜とからなる磁化自由膜３４、膜厚３ｎ
ｍのＺｒ保護膜３５からなる。中央領域１０の幅を０．
４μｍとし、その端部に中央領域にバイアス磁界を印可
する強磁性層としての永久磁石膜１１，１２を配置し
た。この強磁性層としての永久磁石膜１１、１２はＣｏ
Ｐｔを主成分とし膜厚は２５ｎｍである。この強磁性層
としての永久磁石膜１１，１２と磁気シールド膜の間に
磁気分離膜として膜厚１０ｎｍのＣｒ膜を挿入した。さ
らに膜厚８０ｎｍのＡｕ膜からなる電極膜１３，１４を
配置した。
【００４１】上記の中央領域１０であるＧＭＲ素子上
に、膜厚５５ｎｍのアルミナ膜からなる上ギャップ層で
ある絶縁層２３、記録磁極２６と兼用される膜厚２μｍ
のＮｉＦｅ膜からなる上シールド膜２４を形成し、さら
に膜厚０．１μｍのアルミナ膜からなる記録ギャップ層
２５を介して、膜厚２μｍのＣｏＦｅＮｉ膜からなる記
録磁極２６を形成した。上シールド２４と記録ギャップ
層２５間には図１の奥行き方向に、フォトレジストによ
り絶縁された励磁コイルを形成した。
【００４２】以上のヘッドの再生ギャップ長は０．０８
９６μｍである。この時の製造方法を以下に述べる。
【００４３】スライダとなるＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣウエハ上
に、ＮｉＺｎフェライト膜からなる膜厚１μｍの下シー
ルド層２１を形成する方法はマグネトロンスパッタ法で
ある。ＮｉＺｎフェライトからなるターゲットに１３．
６５ＭＨｚの高周波を印加し、３ｍＴｏｒｒの圧力のＡ
ｒガスを導入し、ターゲットとウエハ間にプラズマを発
生させる。ターゲット表面をＡｒイオンによりスパッタ
し、ウエハ上にＮｉＺｎフェライト膜を堆積させる。こ
の時、膜中の酸素が不足気味になる場合が生じたが、こ
の場合には、Ａｒガスに数％程度酸素を混入させておく
ことによって、膜中の酸素を所望の量とすることができ
た。
【００４４】ＮｉＺｎフェライト膜の形成には蒸着法も
有効である。この場合にも、膜中の酸素量を制御するた
めに、真空中に酸素を導入する方法が可能である。
【００４５】ＮｉＺｎフェライトに限らず、軟磁性を実
現し、且つ、絶縁性の良好な軟磁性フェライト膜であれ
ば、下側磁気シールド２１としては適用可能である。こ
の後、中央領域１０のＧＭＲ素子を形成する方法を述べ
る。
【００４６】まず、としてＧＭＲである中央領域（ス
ピンバルブ膜）１０を成膜する工程である。成膜はマグ
ネトロンスパッタ法を用いているが、高周波（ＲＦ）ス
パッタ法やイオンビームスパッタ法でも可能である。下
シールド層２１側から、膜厚３ｎｍのＺｒ下地膜３０、
膜厚２０ｎｍのＰｔＭｎ反強磁性膜３１、膜厚３ｎｍの
ＣｏＦｅ磁化固定膜３２、膜厚２．１ｎｍのＣｕ非磁性
導電膜３３、膜厚０．５ｎｍのＣｏＦｅ膜と膜厚３ｎｍ
のＮｉＦｅ膜とからなる磁化自由膜３４、膜厚３ｎｍの
Ｚｒ保護膜３５の順に成膜した。
【００４７】次にとして、この中央領域（スピンバル
ブ膜）をパタン化するためのフォトレジストパタンを形
成する工程である。次にとしてフォトレジストパタン
を用いてイオンビームエッチングにより中央領域（スピ
ンバルブ膜）をパタン化する工程である。次にとし
て、端部領域を成膜しリフトオフする工程である。本発
明ではこの工程をより精度の高いものとするために、ス
パッタ粒子の指向性の高い成膜技術として、イオンビー
ムスパッタ法を適用した。
【００４８】イオンビームスパッタの条件としては、Ａ
ｒガス圧力を１×１０-5Ｔｏｒｒ、ターゲット中心とウ
エハ中心との距離を２５ｃｍ、ウエハはウエハの中心を
軸として面内で１０ｒｐｍで回転させた。イオンビーム
スパッタ法では、成膜時のアルゴンなどのガス圧力を、
通常のスパッタ法での数ｍＴｏｒｒに対して、１×１０
-4Ｔｏｒｒ以下と低くできることから、スパッタ粒子の
ガスによる散乱を抑制できること、さらにスパッタ粒子
を発散させる母材であるターゲットと、膜を堆積させる
基板との距離を２０ｃｍ以上と長くすることが容易であ
ることから、飛来方向の揃ったスパッタ粒子を堆積させ
て膜を形成することが可能であった。さらに、成膜時の
基板の温度が低く押さえられるため、フォトレジストマ
スクが熱により変形しない。この方法によって磁気分離
膜として膜厚１０ｎｍのＣｒ膜、強磁性層としての永久
磁石膜１１，１２としてＣｏＰｔ膜を膜厚２５ｎｍ、電
極膜として膜厚８０ｎｍのＡｕ膜を連続的に成膜し、そ
の後フォトレジストパタンをリフトオフした。
【００４９】更に上記の中央領域１０であるＧＭＲ素子
上に、膜厚５５ｎｍのアルミナ膜からなる上ギャップ層
である絶縁層２３をスパッタ法により形成した。次に、
記録磁極２６と兼用される膜厚２μｍのＮｉＦｅ膜から
なる上シールド膜２４を、フォトレジストによりパタン
化した所望の形状にめっきで形成し、さらに膜厚０．１
μｍのアルミナ膜からなる記録ギャップ層２５をスパッ
タ法により形成した。さらにフォトレジストにより絶縁
された励磁コイルを形成した後、膜厚２μｍのＣｏＦｅ
Ｎｉ膜からなる記録磁極２６を、上シールド膜２４と同
様、フォトレジストによりパタン化した所望の形状にめ
っきで形成した。以上により、再生ギャップ長が０．０
８９６μｍのヘッドを作製した。本ヘッドの再生特性を
測定したところ、ウイグルやバルクハウゼンノイズの十
分に小さい安定な特性が実現した。また、再生ギャップ
長が０．０８９６μｍと小さいことから、磁気媒体上に
記録された磁化反転長が０．０５μｍ、１周期で０．１
μｍ、線記録密度で５００ｋＦＣＩの高密度記録に対し
ても分解能を有するヘッドであった。
【００５０】（実施例２）図６に、本発明によるスピン
バルブＧＭＲ素子を用いた再生、インダクティブ記録複
合ヘッドを媒体対向面（ＡＢＳ）から観察した構造を示
す。スライダとなるＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣセラミックを材料
とするスライダ基体２０上に、ＮｉＺｎフェライト膜か
らなる膜厚１μｍの下シールド層２１を形成した後、以
下に示す中央領域１０であるＧＭＲ素子を形成した。
【００５１】中央領域１０となるスピンバルブパタン
は、図３に示す構成であり、膜厚３ｎｍのＺｒ下地膜３
０、膜厚２０ｎｍのＰｔＭｎ反強磁性膜３１、膜厚３ｎ
ｍのＣｏＦｅ磁化固定膜３２、膜厚２．１ｎｍのＣｕ非
磁性導電膜３３、膜厚０．５ｎｍのＣｏＦｅ膜と膜厚３
ｎｍのＮｉＦｅ膜とからなる磁化自由膜３４、膜厚３ｎ
ｍのＺｒ保護膜３５からなる。中央領域１０のパタニン
グされた部分の幅を０．３μｍとし、その端部に中央領
域にバイアス磁界を印可する強磁性層としての永久磁石
膜１１，１２を配置した。中央領域は図３において、少
なくとも保護膜３５、磁化自由層３４までは、前記の
０．３μｍ幅にパタニングし、磁化自由層３４よりも下
の膜（膜３０〜３３）は端部領域と共通した構造であ
り、磁気分離層を兼ねている。強磁性層としての永久磁
石膜１１，１２はＣｏＰｔを主成分とし膜厚は２５ｎｍ
である。さらに膜厚８０ｎｍのＡｕ膜からなる電極膜１
３，１４を配置した。
【００５２】上記の中央領域１０であるＧＭＲ素子上
に、膜厚５０ｎｍのアルミナ膜からなる上ギャップ層で
ある絶縁層２３、記録磁極２６と兼用される膜厚２μｍ
のＮｉＦｅ膜からなる上シールド膜２４を形成し、さら
に膜厚０．１μｍのアルミナ膜からなる記録ギャップ層
２５を介して、膜厚２μｍのＣｏＦｅＮｉ膜からなる記
録磁極２６を形成した。上シールド２４と記録ギャップ
層２５間には図６の奥行き方向に、フォトレジストによ
り絶縁された励磁コイルを形成した。
【００５３】以上のヘッドの再生ギャップ長は０．０８
４６μｍである。本ヘッドの再生特性を測定したとこ
ろ、ウイグルやバルクハウゼンノイズの十分に小さい安
定な特性が実現した。また、再生ギャップ長が０．０８
４６μｍと小さいことから、磁気媒体上に記録された磁
化反転長が０．０５μｍ、１周期で０．１μｍ、線記録
密度で５００ｋＦＣＩの高密度記録に対しても分解能を
有するヘッドであった。
【００５４】（実施例３）図７に、本発明によるスピン
バルブＧＭＲ素子を用いた再生、インダクティブ記録複
合ヘッドを媒体対向面（ＡＢＳ）から観察した構造を示
す。スライダとなるＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣセラミックを材料
とするスライダ基体２０上に、ＣｏＴａＺｒ膜からなる
膜厚１μｍの下シールド層２１、膜厚３０ｎｍのアルミ
ナ膜２２を形成した後、以下に示すように中央領域１０
であるＧＭＲ素子を形成した。
【００５５】中央領域１０となるスピンバルブパタン
は、図４に示す構成であり、膜厚３ｎｍのＺｒ下地膜３
０、膜厚２０ｎｍのＰｔＭｎ反強磁性膜３１、膜厚３ｎ
ｍのＣｏＦｅ磁化固定膜３２、膜厚２．１ｎｍのＣｕ非
磁性導電膜３３、膜厚０．５ｎｍのＣｏＦｅ膜と膜厚３
ｎｍのＮｉＦｅ膜とからなる磁化自由膜３４、膜厚３ｎ
ｍのＺｒ保護膜３５からなる。中央領域１０のパタニン
グされた部分の幅を０．４μｍとし、その端部に中央領
域にバイアス磁界を印可する強磁性層としての永久磁石
膜１１，１２としてＣｏＰｔ膜を膜厚は２５ｎｍ、さら
に膜厚９０ｎｍのＡｕ膜からなる電極膜１３，１４を配
置した。
【００５６】上記の中央領域１０であるＧＭＲ素子上
に、順に膜厚２μｍのＮｉＺｎフェライト膜、および膜
厚０．５μｍのＣｏＦｅＮｉ膜の積層構造からなる上シ
ールド膜２４を形成し、さらに膜厚０．１μｍのアルミ
ナ膜からなる記録ギャップ層２５を介して、膜厚２μｍ
のＣｏＦｅＮｉ膜からなる記録磁極２６を形成した。上
シールド２４と記録ギャップ層２５間には図７の奥行き
方向に、フォトレジストにより絶縁された励磁コイルを
形成した。
【００５７】以上のヘッドの再生ギャップ長は０．０６
４６μｍである。本ヘッドの再生特性を測定したとこ
ろ、ウイグルやバルクハウゼンノイズの十分に小さい安
定な特性が実現した。また、再生ギャップ長が０．０６
４６μｍと小さいことから、磁気媒体上に記録された磁
化反転長が０．０４μｍ、１周期で０．０８μｍ、線記
録密度で６２５ｋＦＣＩの高密度記録に対しても分解能
を有するヘッドであった。
【００５８】（実施例４）図８に、本発明によるスピン
バルブＧＭＲ素子を用いた再生、インダクティブ記録複
合ヘッドを媒体対向面（ＡＢＳ）から観察した構造を示
す。スライダとなるＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣセラミックを材料
とするスライダ基体２０上に、ＮｉＺｎフェライト膜か
らなる膜厚１μｍの下シールド層２１を形成した後、以
下に示すように中央領域１０であるＧＭＲ素子を形成し
た。
【００５９】中央領域１０となるスピンバルブパタン
は、図３に示す構成であり、膜厚３ｎｍのＺｒ下地膜３
０、膜厚２０ｎｍのＰｔＭｎ反強磁性膜３１、膜厚２ｎ
ｍのＣｏＦｅ磁化固定膜３２、膜厚２．１ｎｍのＣｕ非
磁性導電膜３３、膜厚０．５ｎｍのＣｏＦｅ膜と膜厚２
ｎｍのＮｉＦｅ膜とからなる磁化自由膜３４、膜厚２７
ｎｍのＺｒ保護膜３５からなる。保護膜３５が２７ｎｍ
と厚いのは、再生ギャップの中央に磁化自由層３４を配
置するためである。
【００６０】中央領域１０の幅を０．２５μｍとし、そ
の端部に中央領域にバイアス磁界を印可する強磁性層と
しての永久磁石膜１１，１２を配置した。この強磁性層
としての永久磁石膜１１，１２はＣｏＰｔを主成分とし
膜厚は２５ｎｍである。この強磁性層としての永久磁石
膜１１，１２と磁気シールド膜の間に磁気分離膜として
膜厚５ｎｍのＣｒ膜を挿入した。さらに膜厚８０ｎｍの
Ａｕ膜からなる電極膜１３，１４を配置した。
【００６１】上記の中央領域１０であるＧＭＲ素子上
に、順に膜厚２μｍのＮｉＺｎフェライト膜、および膜
厚０．５μｍのＣｏＦｅＮｉ膜の積層構造からなる上シ
ールド膜２４を形成し、さらに膜厚０．１μｍのアルミ
ナ膜からなる記録ギャップ層２５を介して、膜厚２μｍ
のＣｏＦｅＮｉ膜からなる記録磁極２６を形成した。上
シールド２４と記録ギャップ層２５間には図８の奥行き
方向に、フォトレジストにより絶縁された励磁コイルを
形成した。
【００６２】以上のヘッドの再生ギャップ長は０．０５
６６μｍである。本ヘッドの再生特性を測定したとこ
ろ、ウイグルやバルクハウゼンノイズの十分に小さい安
定な特性が実現した。また、再生ギャップ長が０．０５
６６μｍと小さいことから、磁気媒体上に記録された磁
化反転長が０．０３μｍ、１周期で０．０６μｍ、線記
録密度で８３３ｋＦＣＩの高密度記録に対しても分解能
を有するヘッドであった。
【００６３】（実施例５）図９に、本発明によるスピン
バルブＧＭＲ素子を用いた再生、インダクティブ記録複
合ヘッドを媒体対向面（ＡＢＳ）から観察した構造を示
す。スライダとなるＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣセラミックを材料
とするスライダ基体２０上に、ＮｉＺｎフェライト膜か
らなる膜厚１μｍの下シールド層２１を形成した後、以
下に示すように中央領域１０であるＧＭＲ素子を形成し
た。
【００６４】中央領域１０となるスピンバルブパタン
は、図３に示す構成であり、膜厚３ｎｍのＺｒ下地膜３
０、膜厚２０ｎｍのＰｔＭｎ反強磁性膜３１、膜厚２ｎ
ｍのＣｏＦｅ磁化固定膜３２、膜厚２．１ｎｍのＣｕ非
磁性導電膜３３、膜厚０．５ｎｍのＣｏＦｅ膜と膜厚２
ｎｍのＮｉＦｅ膜とからなる磁化自由膜３４、膜厚２７
ｎｍのＺｒ保護膜３５からなる。保護膜３５が２７ｎｍ
と厚いのは、再生ギャップの中央に磁化自由層３４を配
置するためである。
【００６５】中央領域１０のパタニングされた部分の幅
を０．３μｍとし、その端部に中央領域にバイアス磁界
を印可する強磁性層としての永久磁石膜１１，１２を配
置した。中央領域は図３において、少なくとも保護膜３
５、磁化自由層３４までは、前記の０．３μｍ幅にパタ
ニングし、磁化自由層３４よりも下の膜（膜３０〜３
３）は端部領域と共通した構造であり、磁気分離層を兼
ねている。強磁性層としての永久磁石膜１１，１２はＣ
ｏＰｔを主成分とし膜厚は２５ｎｍである。さらに膜厚
８０ｎｍのＡｕ膜からなる電極膜１３，１４を配置し
た。
【００６６】上記の中央領域１０であるＧＭＲ素子上
に、順に膜厚２μｍのＮｉＺｎフェライト膜、および膜
厚０．５μｍのＣｏＦｅＮｉ膜の積層構造からなる上シ
ールド膜２４を形成し、さらに膜厚０．１μｍのアルミ
ナ膜からなる記録ギャップ層２５を介して、膜厚２μｍ
のＣｏＦｅＮｉ膜からなる記録磁極２６を形成した。上
シールド２４と記録ギャップ層２５間には図９の奥行き
方向に、フォトレジストにより絶縁された励磁コイルを
形成した。
【００６７】以上のヘッドの再生ギャップ長は０．０５
６６μｍである。本ヘッドの再生特性を測定したとこ
ろ、ウイグルやバルクハウゼンノイズの十分に小さい安
定な特性が実現した。また、再生ギャップ長が０．０５
６６μｍと小さいことから、磁気媒体上に記録された磁
化反転長が０．０３μｍ、１周期で０．０６μｍ、線記
録密度で８３３ｋＦＣＩの高密度記録に対しても分解能
を有するヘッドであった。
【００６８】（実施例６）図１０に、本発明によるスピ
ンバルブＧＭＲ素子を用いた再生、インダクティブ記録
複合ヘッドを媒体対向面（ＡＢＳ）から観察した構造を
示す。スライダとなる軟磁性ＮｉＺｎフェライト基体３
６上に、以下に示すように中央領域１０であるＧＭＲ素
子を形成した。
【００６９】中央領域１０となるスピンバルブパタン
は、図３に示す構成であり、膜厚３ｎｍのＺｒ下地膜３
０、膜厚２０ｎｍのＰｔＭｎ反強磁性膜３１、膜厚３ｎ
ｍのＣｏＦｅ磁化固定膜３２、膜厚２．１ｎｍのＣｕ非
磁性導電膜３３、膜厚０．５ｎｍのＣｏＦｅ膜と膜厚３
ｎｍのＮｉＦｅ膜とからなる磁化自由膜３４、膜厚３ｎ
ｍのＺｒ保護膜３５からなる。中央領域１０の幅を０．
４μｍとし、その端部に中央領域にバイアス磁界を印可
する強磁性層としての永久磁石膜１１，１２を配置し
た。この強磁性層としての永久磁石膜１１，１２はＣｏ
Ｐｔを主成分とし膜厚は２５ｎｍである。この強磁性層
としての永久磁石膜１１，１２と磁気シールド膜の間に
磁気分離膜として膜厚１０ｎｍのＣｒ膜を挿入した。さ
らに膜厚８０ｎｍのＡｕ膜からなる電極膜１３，１４を
配置した。
【００７０】上記の中央領域１０であるＧＭＲ素子上
に、膜厚５５ｎｍのアルミナ膜からなる上ギャップ層で
ある絶縁層２３、記録磁極２６と兼用される膜厚２μｍ
のＮｉＦｅ膜からなる上シールド膜２４を形成し、さら
に膜厚０．１μｍのアルミナ膜からなる記録ギャップ層
２５を介して、膜厚２μｍのＣｏＦｅＮｉ膜からなる記
録磁極２６を形成した。上シールド２４と記録ギャップ
層２５間には図１０の奥行き方向に、フォトレジストに
より絶縁された励磁コイルを形成した。
【００７１】以上のヘッドの再生ギャップ長は０．０８
９６μｍである。この時の製造方法を以下に述べる。ス
ライダとなる軟磁性ＮｉＺｎフェライト基体３６上に、
直接、中央領域1０であるＧＭＲ素子を形成する方法を
述べる。まず、として中央領域でありＧＭＲ素子であ
るスピンバルブ膜１０を成膜する工程である。成膜はマ
グネトロンスパッタ法を用いているが、高周波（ＲＦ）
スパッタ法やイオンビームスパッタ法でも可能である。
下シールド層２１側から、膜厚３ｎｍのＺｒ下地膜３
０、膜厚２０ｎｍのＰｔＭｎ反強磁性膜３１、膜厚３ｎ
ｍのＣｏＦｅ磁化固定膜３２、膜厚２．１ｎｍのＣｕ非
磁性導電膜３３、膜厚０．５ｎｍのＣｏＦｅ膜と膜厚３
ｎｍのＮｉＦｅ膜とからなる磁化自由膜３４、膜厚３ｎ
ｍのＺｒ保護膜３５の順に成膜した。
【００７２】次にとして、この中央領域（スピンバル
ブ膜）をパタン化するためのフォトレジストパタンを形
成する工程である。次にとしてフォトレジストパタン
を用いてイオンビームエッチングにより中央領域（スピ
ンバルブ膜）をパタン化する工程である。次にとし
て、端部領域を成膜しリフトオフする工程である。本発
明ではこの工程をより精度の高いものとするために、ス
パッタ粒子の指向性の高い成膜技術として、イオンビー
ムスパッタ法を適用した。
【００７３】イオンビームスパッタの条件としては、Ａ
ｒガス圧力を１×１０-5Ｔｏｒｒ、ターゲット中心とウ
エハ中心との距離を２５ｃｍ、ウエハはウエハの中心を
軸として面内で１０ｒｐｍで回転させた。イオンビーム
スパッタ法では、成膜時のアルゴンなどのガス圧力を、
通常のスパッタ法での数ｍＴｏｒｒに対して、１×１０
-4Ｔｏｒｒ以下と低くできることから、スパッタ粒子の
ガスによる散乱を抑制できること、さらにスパッタ粒子
を発散させる母材であるターゲットと、膜を堆積させる
基板との距離を２０ｃｍ以上と長くすることが容易であ
ることから、飛来方向の揃ったスパッタ粒子を堆積させ
て膜を形成することが可能であった。さらに、成膜時の
基板の温度が低く押さえられるため、フォトレジストマ
スクの熱による変形が発生しない。この方法によって磁
気分離膜として膜厚１０ｎｍのＣｒ膜、強磁性層として
の永久磁石膜１１，１２としてＣｏＰｔ膜を膜厚２５ｎ
ｍ、電極膜として膜厚８０ｎｍのＡｕ膜を連続的に成膜
し、その後フォトレジストパタンをリフトオフした。
【００７４】更に上記の中央領域１０であるＧＭＲ素子
上に、膜厚５５ｎｍのアルミナ膜からなる上ギャップ層
である絶縁層２３をスパッタ法により形成した。次に、
記録磁極２６と兼用される膜厚２μｍのＮｉＦｅ膜から
なる上シールド膜２４を、フォトレジストによりパタン
化した所望の形状にめっきで形成し、さらに膜厚０．１
μｍのアルミナ膜からなる記録ギャップ層２５をスパッ
タ法により形成した。さらにフォトレジストにより絶縁
された励磁コイルを形成した後、膜厚２μｍのＣｏＦｅ
Ｎｉ膜からなる記録磁極２６を、上シールド膜２４と同
様、フォトレジストによりパタン化した所望の形状にめ
っきで形成した。以上により、再生ギャップ長が０．０
８９６μｍのヘッドを作製した。
【００７５】本ヘッドの再生特性を測定したところ、ウ
イグルやバルクハウゼンノイズの十分に小さい安定な特
性が実現した。また、再生ギャップ長が０．０８９６μ
ｍと小さいことから、磁気媒体上に記録された磁化反転
長が０．０５μｍ、１周期で０．１μｍ、線記録密度で
５００ｋＦＣＩの高密度記録に対しても分解能を有する
ヘッドであった。
【００７６】（実施例７）図１１に、本発明によるスピ
ンバルブＧＭＲ素子を用いた再生、インダクティブ記録
複合ヘッドを媒体対向面（ＡＢＳ）から観察した構造を
示す。スライダとなる軟磁性ＮｉＺｎフェライト基体３
６上に、以下に示すように中央領域１０であるＧＭＲ素
子を形成した。中央領域１０となるスピンバルブパタン
は、図３に示す構成であり、膜厚３ｎｍのＺｒ下地膜３
０、膜厚２０ｎｍのＰｔＭｎ反強磁性膜３１、膜厚３ｎ
ｍのＣｏＦｅ磁化固定膜３２、膜厚２．１ｎｍのＣｕ非
磁性導電膜３３、膜厚０．５ｎｍのＣｏＦｅ膜と膜厚３
ｎｍのＮｉＦｅ膜とからなる磁化自由膜３４、膜厚３ｎ
ｍのＺｒ保護膜３５からなる。中央領域１０のパタニン
グされた部分の幅を０．３μｍとし、その端部に中央領
域にバイアス磁界を印可する強磁性層としての永久磁石
膜１１，１２を配置した。中央領域は図３において、少
なくとも保護膜３５、磁化自由層３４までは、前記の
０．３μｍ幅にパタニングし、磁化自由層３４よりも下
の膜（膜３０〜３３）は端部領域と共通した構造であ
り、磁気分離層を兼ねている。強磁性層としての永久磁
石膜１１，１２はＣｏＰｔを主成分とし膜厚は２５ｎｍ
である。さらに膜厚８０ｎｍのＡｕ膜からなる電極膜１
３，１４を配置した。
【００７７】上記の中央領域１０であるＧＭＲ素子上
に、膜厚５０ｎｍのアルミナ膜からなる上ギャップ層で
ある絶縁層２３、記録磁極２６と兼用される膜厚２μｍ
のＮｉＦｅ膜からなる上シールド膜２４を形成し、さら
に膜厚０．１μｍのアルミナ膜からなる記録ギャップ層
２５を介して、膜厚２μｍのＣｏＦｅＮｉ膜からなる記
録磁極２６を形成した。上シールド２４と記録ギャップ
層２５間には図１１の奥行き方向に、フォトレジストに
より絶縁された励磁コイルを形成した。
【００７８】以上のヘッドの再生ギャップ長は０．０８
４６μｍである。本ヘッドの再生特性を測定したとこ
ろ、ウイグルやバルクハウゼンノイズの十分に小さい安
定な特性が実現した。また、再生ギャップ長が０．０８
４６μｍと小さいことから、磁気媒体上に記録された磁
化反転長が０．０５μｍ、１周期で０．１μｍ、線記録
密度で５００ｋＦＣＩの高密度記録に対しても分解能を
有するヘッドであった。
【００７９】（実施例８）図１２に、本発明によるスピ
ンバルブＧＭＲ素子を用いた再生、インダクティブ記録
複合ヘッドを媒体対向面（ＡＢＳ）から観察した構造を
示す。スライダとなる軟磁性ＮｉＺｎフェライト基体３
６上に、以下に示す中央領域１０であるＧＭＲ素子を形
成した。
【００８０】中央領域１０となるスピンバルブパタン
は、図３に示す構成であり、膜厚３ｎｍのＺｒ下地膜３
０、膜厚１５ｎｍのＰｔＭｎ反強磁性膜３１、膜厚２ｎ
ｍのＣｏＦｅ磁化固定膜３２、膜厚２．１ｎｍのＣｕ非
磁性導電膜３３、膜厚０．５ｎｍのＣｏＦｅ膜と膜厚２
ｎｍのＮｉＦｅ膜とからなる磁化自由膜３４、膜厚２２
ｎｍのＺｒ保護膜３５からなる。保護膜３５が２２ｎｍ
と厚いのは、再生ギャップの中央に磁化自由層３４を配
置するためである。
【００８１】中央領域１０の幅を０．２５μｍとし、そ
の端部に中央領域にバイアス磁界を印可する強磁性層と
しての永久磁石膜１１，１２を配置した。この強磁性層
としての永久磁石膜１１，１２はＣｏＰｔを主成分とし
膜厚は２５ｎｍである。この強磁性層としての永久磁石
膜１１，１２と磁気シールド膜の間に磁気分離膜として
膜厚５ｎｍのＣｒ膜を挿入した。さらに膜厚８０ｎｍの
Ａｕ膜からなる電極膜１３，１４を配置した。
【００８２】上記の中央領域１０であるＧＭＲ素子上
に、順に膜厚２μｍのＮｉＺｎフェライト膜、および膜
厚０．５μｍのＣｏＦｅＮｉ膜の積層構造からなる上シ
ールド膜２４を形成し、さらに膜厚０．１μｍのアルミ
ナ膜からなる記録ギャップ層２５を介して、膜厚２μｍ
のＣｏＦｅＮｉ膜からなる記録磁極２６を形成した。上
シールド２４と記録ギャップ層２５間には図１２の奥行
き方向に、フォトレジストにより絶縁された励磁コイル
を形成した。
【００８３】以上のヘッドの再生ギャップ長は０．０４
６６μｍである。本ヘッドの再生特性を測定したとこ
ろ、ウイグルやバルクハウゼンノイズの十分に小さい安
定な特性が実現した。また、再生ギャップ長が０．０４
６６μｍと小さいことから、磁気媒体上に記録された磁
化反転長が０．０２５μｍ、１周期で０．０５μｍ、線
記録密度で１０００ｋＦＣＩの高密度記録に対しても分
解能を有するヘッドであった。
【００８４】（実施例９）図１３に、本発明によるスピ
ンバルブＧＭＲ素子を用いた再生、インダクティブ記録
複合ヘッドを媒体対向面（ＡＢＳ）から観察した構造を
示す。スライダとなる軟磁性ＮｉＺｎフェライト基体３
６上に、以下に示すように中央領域１０であるＧＭＲ素
子を形成した。
【００８５】中央領域１０となるスピンバルブパタン
は、図３に示す構成であり、膜厚３ｎｍのＺｒ下地膜３
０、膜厚１５ｎｍのＰｔＭｎ反強磁性膜３１、膜厚２ｎ
ｍのＣｏＦｅ磁化固定膜３２、膜厚２．１ｎｍのＣｕ非
磁性導電膜３３、膜厚０．５ｎｍのＣｏＦｅ膜と膜厚２
ｎｍのＮｉＦｅ膜とからなる磁化自由膜３４、膜厚２２
ｎｍのＺｒ保護膜３５からなる。保護膜３５が２７ｎｍ
と厚いのは、再生ギャップの中央に磁化自由層３４を配
置するためである。
【００８６】中央領域１０のパタニングされた部分の幅
を０．３μｍとし、その端部に中央領域にバイアス磁界
を印可する強磁性層としての永久磁石膜１１，１２を配
置した。中央領域は図３において、少なくとも保護膜３
５、磁化自由層３４までは、前記の０．３μｍ幅にパタ
ニングし、磁化自由層３４よりも下の膜（膜３０〜３
３）は端部領域と共通した構造であり、磁気分離層を兼
ねている。強磁性層としての永久磁石膜１１，１２はＣ
ｏＰｔを主成分とし膜厚は２５ｎｍである。さらに膜厚
８０ｎｍのＡｕ膜からなる電極膜１３，１４を配置し
た。
【００８７】上記の中央領域１０であるＧＭＲ素子上
に、順に膜厚２μｍのＮｉＺｎフェライト膜、および膜
厚０．５μｍのＣｏＦｅＮｉ膜の積層構造からなる上シ
ールド膜２４を形成し、さらに膜厚０．１μｍのアルミ
ナ膜からなる記録ギャップ層２５を介して、膜厚２μｍ
のＣｏＦｅＮｉ膜からなる記録磁極２６を形成した。上
シールド２４と記録ギャップ層２５間には図１３の奥行
き方向に、フォトレジストにより絶縁された励磁コイル
を形成した。
【００８８】以上のヘッドの再生ギャップ長は０．０４
６６μｍである。本ヘッドの再生特性を測定したとこ
ろ、ウイグルやバルクハウゼンノイズの十分に小さい安
定な特性が実現した。また、再生ギャップ長が０．０４
６６μｍと小さいことから、磁気媒体上に記録された磁
化反転長が０．０２５μｍ、１周期で０．０５μｍ、線
記録密度で１０００ｋＦＣＩの高密度記録に対しても分
解能を有するヘッドであった。
【００８９】（実施例１０）本発明により再生ギャップ
長が０．１μｍ以下の高密度ヘッドが実現したことか
ら、線記録密度で５００ｋＦＣＩ以上の高密度記録が実
現する。これは、トラック密度を８０ｋＴＰＩとすると
およそ４０ギガビット／平方インチおよびそれ以上に相
当する。このヘッドを搭載した装置の構成を図１２に示
す。駆動用のモータ101で回転する磁気媒体102の、磁気
記録面に対向して本発明のヘッド103が、サスペンショ
ン104、アーム105により取り付けられ、ヴォイスコイル
モータ(VCM)106でトラッキングされる。記録再生動作
は、ヘッドへの記録再生チャネル107からの信号により
行われ、この記録再生チャネル、ヘッドの位置決めを行
うＶＣＭ、および媒体を回転させる駆動モータは、制御
ユニット108により連動している。
【００９０】以上の磁気記憶装置において、磁気媒体１
０２の保磁力を３５００Ｏｅ以上、媒体とヘッドの磁気
間隙を３０ｎｍ以下とすることによって、およそ４０ギ
ガビット／平方インチおよびそれ以上の記憶装置が実現
する。
【００９１】
【発明の効果】本発明により、再生ギャップ長が０．１
μｍ以下であり、線記録密度として５００ｋＦＣＩを超
える高密度記録に対する分解能を持った再生ＧＭＲヘッ
ドが実現し、さらに、線記録密度として５００ｋＦＣＩ
を超える高密度記録を実現する磁気記憶装置が実現す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）本発明によるヘッド構成を示す。 （Ｂ）図１のヘッドによる抵抗−磁界曲線を示す。
【図２】（Ａ）本発明に至る前の検討段階での構成を示
す。 （Ｂ）図２のヘッドによる抵抗−磁界曲線を示す。
【図３】中央領域（スピンバルブＧＭＲ素子）構成を示
す。
【図４】中央領域（スピンバルブＧＭＲ素子）構成を示
す。
【図５】従来のヘッド構成を示す。
【図６】本発明によるヘッド構成を示す。
【図７】本発明によるヘッド構成を示す。
【図８】本発明によるヘッド構成を示す。
【図９】本発明によるヘッド構成を示す。
【図１０】本発明によるヘッド構成を示す。
【図１１】本発明によるヘッド構成を示す。
【図１２】本発明によるヘッド構成を示す。
【図１３】本発明によるヘッド構成を示す。
【図１４】本発明による磁気記憶装置構成を示す。
【符号の説明】
１０：中央領域 １１、１２：強磁性層 １３、１４：導伝層 ２０：スライダ基体 ２１：下シールド層 ２２：絶縁層 ２３：上ギャップ層 ２４：上シールド膜 ２５：記録ギャップ層 ２６：記録磁極 ２７：オーバーコート層 ２８、２９：磁気分離層 ３０：下地膜 ３１：反強磁性膜 ３２：磁化固定膜 ３３：非磁性導伝膜 ３４：磁化自由膜 ３５：保護膜 ３６：軟磁性フェライト基体 １０１：駆動用モーター １０２：磁気媒体 １０３：本発明の磁気ヘッド １０４：サスペンション １０５：アーム １０６：ボイスコイルモーター １０７：記録再生チャンネル １０８：制御ユニット

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 スライダ上に Ａ）積層された対向する２枚の磁気シールド および該２枚の磁気シールドの間にあって Ｂ）Ｂ−１）媒体磁界を感じする磁気抵抗効果を有する
    中央領域 および Ｂ−２）前記中央領域にバイアス磁界と電流を供給する
    ための一対の対向する端部領域を備えた磁気抵抗効果素
    子を有する磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記中央領
    域が少なくとも一方の前記磁気シールドと直接接触して
    いることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記対向する２枚の磁気シールドの少な
    くとも一方の前記中央領域と接する磁気シールドが絶縁
    体である事を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型
    ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記対向する2枚の磁気シールド間の距
    離が0.1μm以下であることを特徴とする請求項２記載の
    磁気抵抗効果型ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記端部領域が強磁性層を含み、前記強
    磁性層と、前記少なくとも一方の絶縁体である磁気シー
    ルドとの間に、磁気分離層が介在していることを特徴と
    する請求項２または３のどちらかに記載の磁気抵抗効果
    型ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記磁気分離層の厚さが１ｎｍ以上、１
    ００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項４記載の
    磁気抵抗効果型ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記スライダとして、非磁性な絶縁体を
    用いる事を特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記
    載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記スライダとして非磁性な絶縁体を用
    い、少なくとも一方の絶縁体である磁気シールドが軟磁
    性フェライトであることを特徴とする請求項２〜５に記
    載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  8. 【請求項８】 スライダとなる軟磁性基体上に、前記軟
    磁性基体を一方の磁気シールドとし、前記磁気シールド
    と対向する他方の磁気シールドが形成され、前記対向す
    る磁気シールドの間にあって、媒体磁界を感磁する磁気
    抵抗効果を有する中央領域と、前記中央領域を両側から
    挟み込むように形成され、前記中央領域にバイアス磁界
    と電流とを供給する端部領域を有する磁気抵抗効果型素
    子とからなる磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記中央
    領域が、少なくとも一方の磁気シールドと直接接触して
    いることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
  9. 【請求項９】 前記一方の磁気シールドである軟磁性基
    体と前記磁気抵抗効果素子の一端が直接接触しており、
    かつ、前記他方の磁気シールドが絶縁体である場合に
    は、前記他方の磁気シールドと前記磁気抵抗効果素子の
    他端とが直接接触していることを特徴とする請求項８記
    載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  10. 【請求項１０】 前記対向する2枚の磁気シールド間の
    距離が０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項９
    記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  11. 【請求項１１】 前記磁気抵抗効果素子の中央領域にバ
    イアス磁界と電流とを供給する端部領域が強磁性層を含
    み、前記強磁性層と前記一方の磁気シールドである軟磁
    性基体との間に磁気分離層が介在していることを特徴と
    する請求項８〜１０のいずれか一項に記載の磁気抵抗効
    果型ヘッド。
  12. 【請求項１２】 前記磁気分離層の厚さが１ｎｍ以上、
    １００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１１記
    載の磁気抵抗効果型ヘッド。
  13. 【請求項１３】 前記他方の磁気シールドが絶縁体であ
    る場合に前記強磁性層と前記他方の磁気シールドとの間
    に、磁気分離層が介在していることを特徴とする請求項
    ８〜１２のいずれか一項に記載の磁気抵抗効果型ヘッ
    ド。
  14. 【請求項１４】 前記磁気分離層の厚さが１ｎｍ以上、
    １００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１３記載
    の磁気抵抗効果型ヘッド。
  15. 【請求項１５】 磁気媒体に記録された磁化パタンの最
    短反転長が０．０５μｍ以下である磁気記録再生系に使
    用されることを特徴とする、請求項１〜１４に記載の磁
    気抵抗効果型ヘッド。
  16. 【請求項１６】 請求項１５記載の磁気抵抗効果型ヘッ
    ドを磁気再生記録系の構成要素として用いた磁気記憶装
    置。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000276716A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Nec Corp 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法および磁気記憶装置
US6879471B2 (en) * 2003-06-17 2005-04-12 Seagate Technology Llc Recording head design for identifying reader-to-permanent magnet isolation failure
US7270854B2 (en) * 2003-11-19 2007-09-18 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for forming a head having improved spin valve properties
US7652853B2 (en) * 2005-07-28 2010-01-26 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Thin shield structure for reduced protrusion in a magnetoresistive head
KR100832583B1 (ko) * 2007-01-04 2008-05-27 한국과학기술연구원 누설자장을 이용한 스핀 트랜지스터
US8305715B2 (en) * 2007-12-27 2012-11-06 HGST Netherlands, B.V. Magnetoresistance (MR) read elements having an active shield
CN102280574B (zh) * 2011-01-07 2014-04-16 江苏多维科技有限公司 薄膜磁电阻传感元件、多个传感元件的组合及与该组合耦合的电子装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4044392A (en) * 1975-08-14 1977-08-23 International Business Machines Corporation Process for making a read-while-write tape head and the product made thereby
JPS58189819A (ja) 1982-04-30 1983-11-05 Nec Corp 磁気抵抗効果ヘツド
JPS60113313A (ja) * 1983-11-22 1985-06-19 Nec Corp 磁気抵抗効果ヘッド
US4663684A (en) * 1984-01-27 1987-05-05 Hitachi, Ltd. Magnetic transducer using magnetoresistance effect
JP2613239B2 (ja) * 1988-02-26 1997-05-21 株式会社日立製作所 磁気抵抗効果型ヘツド
JPH06274834A (ja) 1993-03-24 1994-09-30 Sumitomo Metal Ind Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JPH0855310A (ja) 1994-08-12 1996-02-27 Sumitomo Metal Ind Ltd 磁気抵抗効果型ヘッド
US5434826A (en) * 1994-09-26 1995-07-18 Read-Rite Corporation Multilayer hard bias films for longitudinal biasing in magnetoresistive transducer
JPH08124122A (ja) 1994-10-25 1996-05-17 Hitachi Ltd 磁気抵抗効果型再生ヘッドおよび磁気記録再生装置
JPH10149513A (ja) * 1996-11-15 1998-06-02 Nec Corp 磁気抵抗効果型複合ヘッド
JP3130811B2 (ja) * 1996-11-28 2001-01-31 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
JPH10162322A (ja) * 1996-11-28 1998-06-19 Nec Corp 磁気抵抗効果型複合ヘッドおよびその製造方法
JPH10283617A (ja) 1997-04-04 1998-10-23 Minebea Co Ltd 垂直磁気記録用複合型ヘッド
JPH10289423A (ja) 1997-04-10 1998-10-27 Minebea Co Ltd 垂直磁気記録用複合型ヘッドの製造方法
JP2000276716A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Nec Corp 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法および磁気記憶装置
US6700752B2 (en) * 2001-04-18 2004-03-02 Seagate Technology Llc Non-magnetic metallic layer in a reader gap of a disc drive

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