JPS58189819A - 磁気抵抗効果ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘツドInfo
- Publication number
- JPS58189819A JPS58189819A JP7310982A JP7310982A JPS58189819A JP S58189819 A JPS58189819 A JP S58189819A JP 7310982 A JP7310982 A JP 7310982A JP 7310982 A JP7310982 A JP 7310982A JP S58189819 A JPS58189819 A JP S58189819A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- resistance
- magneto
- thin film
- nonmagnetic
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は磁気記録装置の再生用磁気ヘッドとして使わ
れる強磁性薄膜の磁気抵旌効果を用いた磁気抵抗効果ヘ
ッドに関するものである。
れる強磁性薄膜の磁気抵旌効果を用いた磁気抵抗効果ヘ
ッドに関するものである。
従来の磁気抵抗効果ヘッド社、第１図に断面を示した様
に、磁化情報ｌの書込まれ九磁気記録媒体２に対し高透
磁率磁性体からなるシールド３と４の間に非磁性１−５
を介して磁気抵抗効果素子（以下単にＭＲ素子と略称）
７と、このＭＲ素子７に直流バイアス磁界を印加する直
流バイアス発生源６より構成されているが、このヘッド
の分解能は、シールド３及び４とＲＪＲ素子７との間隔
ｇｌおよびｇｚによって決定され、磁気記録媒体２上の
磁化情＠ｌの持つビット長Ｐより小さくなゆれば有効な
出力とはならないという欠点がありた。
に、磁化情報ｌの書込まれ九磁気記録媒体２に対し高透
磁率磁性体からなるシールド３と４の間に非磁性１−５
を介して磁気抵抗効果素子（以下単にＭＲ素子と略称）
７と、このＭＲ素子７に直流バイアス磁界を印加する直
流バイアス発生源６より構成されているが、このヘッド
の分解能は、シールド３及び４とＲＪＲ素子７との間隔
ｇｌおよびｇｚによって決定され、磁気記録媒体２上の
磁化情＠ｌの持つビット長Ｐより小さくなゆれば有効な
出力とはならないという欠点がありた。
前記間隔ｇ１およびｇ２は、波形歪の関係で轡しい方が
望ましく、かつ直流バイアス発生源６との絶縁を保証す
るＫは高々０．５μｍ位にするのが限度であ抄、これ以
上小さくするのは実際上極めて困難で、結局この値で再
生能力の限界が設定されてしまっていた。
望ましく、かつ直流バイアス発生源６との絶縁を保証す
るＫは高々０．５μｍ位にするのが限度であ抄、これ以
上小さくするのは実際上極めて困難で、結局この値で再
生能力の限界が設定されてしまっていた。
本発明はこのような従来の磁気抵抗効果ヘッドの限界を
破る極めて高密度の記録密度の情報を効率よく検出し得
る磁気抵抗効果ヘッドを提供することを目的とするもの
で強磁性薄膜よ構成る磁気抵抗効果素子と前記強磁性簿
膜の膜面に対し実質的に非磁性層を介すること無く片側
もしくは両側に配置式れた高抵抗＾透磁率磁性体とを有
することを特徴とするもので、これにより、従来の磁気
抵抗効果ヘッドの持っていたＭＲ素子とシールド間間隔
による再生能力限界を無くし極めて高い妃録″ｔ！！１
４で再生のできる磁気ヘッドを実現している。
破る極めて高密度の記録密度の情報を効率よく検出し得
る磁気抵抗効果ヘッドを提供することを目的とするもの
で強磁性薄膜よ構成る磁気抵抗効果素子と前記強磁性簿
膜の膜面に対し実質的に非磁性層を介すること無く片側
もしくは両側に配置式れた高抵抗＾透磁率磁性体とを有
することを特徴とするもので、これにより、従来の磁気
抵抗効果ヘッドの持っていたＭＲ素子とシールド間間隔
による再生能力限界を無くし極めて高い妃録″ｔ！！１
４で再生のできる磁気ヘッドを実現している。
以下、この発明について図面を用い詳細に説明する。！
ｉｇ２図は、この発明による実施例の断面を示したもの
でＭＲ素子１７とその両側に昼抵控、高透磁率磁性体１
３および１４が実質的に非磁性−を介することなく非磁
性接着剤１５によって固定配置されている。ここで“実
質的に非磁性Ｗｔ−介することなく“という意味は、非
磁性層の入ることは極力避けて配置するという意味であ
り、ま九やむを得ず非磁性層が介入したとしても高々５
ｏｏｏＸ以下であることを意味する。同図（ａｌは、Ｍ
Ｒ素子１７が磁化情報１の書込まれた磁気記録媒体２に
対する浮揚面又は摺動面１１に顔を出しているものを、
同図（ｂ）はＭＲ，素子１７が浮揚面又は摺動面１１よ
り凹んでお抄その凹部１９に非磁性接着剤】９が充てん
されている。
ｉｇ２図は、この発明による実施例の断面を示したもの
でＭＲ素子１７とその両側に昼抵控、高透磁率磁性体１
３および１４が実質的に非磁性−を介することなく非磁
性接着剤１５によって固定配置されている。ここで“実
質的に非磁性Ｗｔ−介することなく“という意味は、非
磁性層の入ることは極力避けて配置するという意味であ
り、ま九やむを得ず非磁性層が介入したとしても高々５
ｏｏｏＸ以下であることを意味する。同図（ａｌは、Ｍ
Ｒ素子１７が磁化情報１の書込まれた磁気記録媒体２に
対する浮揚面又は摺動面１１に顔を出しているものを、
同図（ｂ）はＭＲ，素子１７が浮揚面又は摺動面１１よ
り凹んでお抄その凹部１９に非磁性接着剤】９が充てん
されている。
第３図はこの発明による磁気抵抗効果ヘッドの製法の一
例を示したもので、高抵抗高透磁率磁性体より成る基板
１３上にＭ）’ｉＬ素子１７および、とのＭＲ素子と同
一素材で出来た、リー ド部２０および端子部１８を周
知の蒸着もしくはスパッタ法および、露光技術、エツチ
ング技術を用いて形成する。このオまでも磁気抵抗効果
ヘッドとして本発明の効果を持つ再生ヘッドが実現でき
るが、さらにこの上に高抵抗高透磁率磁性体より成る基
板１４上に凸部１２を機械加工により形成し、この凸部
１２がＭＲ素子１７上に重なるように従って実質的に非
磁性層が介入しないように非磁性接着剤（図示せず）で
接着する。図のＡ−Ａ’断面が第２図（ｂ）に対応する
構造となる。なおＭＲ素子１７の効率を高めるために、
ＭＲ素子自身の磁化をセンス電流に対し４５°傾ける手
法を採用する場合には、磁気記録媒体２の磁化情報１の
方向と同方向に磁界を発生する直流バイアス磁界発生源
を外部に設置すればよい。このような直流バイアス磁界
発生源の一例として第３図には、矢印２２の方向に着磁
した永久磁石２１を示し友。
例を示したもので、高抵抗高透磁率磁性体より成る基板
１３上にＭ）’ｉＬ素子１７および、とのＭＲ素子と同
一素材で出来た、リー ド部２０および端子部１８を周
知の蒸着もしくはスパッタ法および、露光技術、エツチ
ング技術を用いて形成する。このオまでも磁気抵抗効果
ヘッドとして本発明の効果を持つ再生ヘッドが実現でき
るが、さらにこの上に高抵抗高透磁率磁性体より成る基
板１４上に凸部１２を機械加工により形成し、この凸部
１２がＭＲ素子１７上に重なるように従って実質的に非
磁性層が介入しないように非磁性接着剤（図示せず）で
接着する。図のＡ−Ａ’断面が第２図（ｂ）に対応する
構造となる。なおＭＲ素子１７の効率を高めるために、
ＭＲ素子自身の磁化をセンス電流に対し４５°傾ける手
法を採用する場合には、磁気記録媒体２の磁化情報１の
方向と同方向に磁界を発生する直流バイアス磁界発生源
を外部に設置すればよい。このような直流バイアス磁界
発生源の一例として第３図には、矢印２２の方向に着磁
した永久磁石２１を示し友。
本発明の各構成要素の具体的組材の一例を次に述べる。
高抵抗高透磁率磁性体１３および１４としてはＮｉ−Ｚ
ｎｎスズイトやＭｎ −Ｚｎｎスズイトが適し、ＭＲ素
子１７およびリード部２ｏ・ｌではＮｉ−Ｆｅもしくは
Ｎｉ−Ｃｏ合金の蒸着Ｍあるいはスパッタ膜が適し、端
子部１８としてはＡｕ。
ｎｎスズイトやＭｎ −Ｚｎｎスズイトが適し、ＭＲ素
子１７およびリード部２ｏ・ｌではＮｉ−Ｆｅもしくは
Ｎｉ−Ｃｏ合金の蒸着Ｍあるいはスパッタ膜が適し、端
子部１８としてはＡｕ。
Ａｌ ％ Ｃｕ等の蒸着膜あるいはスパッタ膜が適し、
非磁性接着剤１５および１９としては低融点ガラスやエ
ポキシ樹脂等が適し、永久磁石２１としては、周知のバ
リウムフェライト、ストロンチウムフェライト、アルニ
コ合金、８ｍ −Ｃｏ合金等が適する。
非磁性接着剤１５および１９としては低融点ガラスやエ
ポキシ樹脂等が適し、永久磁石２１としては、周知のバ
リウムフェライト、ストロンチウムフェライト、アルニ
コ合金、８ｍ −Ｃｏ合金等が適する。
以上の様に本発明によれば、従来の磁気抵抗効果ヘッド
のＭＲ素子とシールド間の間隔を決めていた非磁性層が
無くなったことに相当し、これＫよって前記間隔の持つ
再生効率の限界を破ったことＫなり、極めて高い分解能
が得られることになる。ただし本発明と従来の磁気抵抗
効果ヘッドとで根本的な差を生じるのは、信号磁界の応
答形式で、従来の磁気抵抗効果ヘッドでは、第１図に示
した如くｙ方向の磁界、即ち磁気記録媒体２に垂直な方
向の磁界に応答するのに対し、本発明では磁気記録媒体
２に対し平行な成分（Ｘ方向の成分）に応答することで
、このため直流バイアス磁界発生源の作る磁界も同じく
Ｘ方向に加わるようにしている
のＭＲ素子とシールド間の間隔を決めていた非磁性層が
無くなったことに相当し、これＫよって前記間隔の持つ
再生効率の限界を破ったことＫなり、極めて高い分解能
が得られることになる。ただし本発明と従来の磁気抵抗
効果ヘッドとで根本的な差を生じるのは、信号磁界の応
答形式で、従来の磁気抵抗効果ヘッドでは、第１図に示
した如くｙ方向の磁界、即ち磁気記録媒体２に垂直な方
向の磁界に応答するのに対し、本発明では磁気記録媒体
２に対し平行な成分（Ｘ方向の成分）に応答することで
、このため直流バイアス磁界発生源の作る磁界も同じく
Ｘ方向に加わるようにしている
第１図は従来の磁気抵抗効果ヘッドの断面図、第２図は
本発明による磁気抵抗効果ヘッドの断面図、ｖｇ３図は
本発明による磁気抵抗効果ヘッドの５・・・非磁性層、
６・・直流バイアス発生源７−Ｍ Ｒ素子、１１・・・
浮揚面又は摺動面１２ 凸部、１３．１４ 高抵抗高
透磁率磁性体１５．１９ 非磁性接着剤、１７・ＭＲ素
子１８・一端子部、２０・・・リード部、２１ 永久磁
石２２ 着磁方向 である。 ’Ｉ ｂＴＣ臂１ゾ
本発明による磁気抵抗効果ヘッドの断面図、ｖｇ３図は
本発明による磁気抵抗効果ヘッドの５・・・非磁性層、
６・・直流バイアス発生源７−Ｍ Ｒ素子、１１・・・
浮揚面又は摺動面１２ 凸部、１３．１４ 高抵抗高
透磁率磁性体１５．１９ 非磁性接着剤、１７・ＭＲ素
子１８・一端子部、２０・・・リード部、２１ 永久磁
石２２ 着磁方向 である。 ’Ｉ ｂＴＣ臂１ゾ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、強磁性薄膜より成る磁気抵抗効果素子と、前記強磁
性薄膜の膜面に対し実質的に非磁性層を介すること無く
片側もしくは両側に配置された高抵抗高透磁率磁性体と
を有することを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 ２ 強磁性薄膜および高抵抗高透磁率磁性体に対する直
流バイアス磁界発生源とをあわせ持つことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310982A JPS58189819A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310982A JPS58189819A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58189819A true JPS58189819A (ja) | 1983-11-05 |
Family
ID=13508786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7310982A Pending JPS58189819A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58189819A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05114122A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗効果ヘツド |
| US6754051B2 (en) | 1999-03-24 | 2004-06-22 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
| US8646983B2 (en) | 2008-10-03 | 2014-02-11 | Jtekt Corporation | Rolling bearing |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP7310982A patent/JPS58189819A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05114122A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗効果ヘツド |
| US6754051B2 (en) | 1999-03-24 | 2004-06-22 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
| US7079360B2 (en) | 1999-03-24 | 2006-07-18 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
| US7085109B1 (en) | 1999-03-24 | 2006-08-01 | Tdk Corporation | Spin valve type transducer capable of reducing reproducing gap |
| US8646983B2 (en) | 2008-10-03 | 2014-02-11 | Jtekt Corporation | Rolling bearing |
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