JPH05114122A - 磁気抵抗効果ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘツドInfo
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- JPH05114122A JPH05114122A JP30258591A JP30258591A JPH05114122A JP H05114122 A JPH05114122 A JP H05114122A JP 30258591 A JP30258591 A JP 30258591A JP 30258591 A JP30258591 A JP 30258591A JP H05114122 A JPH05114122 A JP H05114122A
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- head
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ディスク等の磁気記録装置に使用される
磁気抵抗効果ヘッドに関し、狭ギャップ長にかかわらず
再生出力の向上を図る。 【構成】 MR素子1の両側に非磁性材4,5を介して
軟磁性材2,3を配したシ−ルド型MRヘッドであり、
MR素子と軟磁性材とを、媒体対向面側において所定の
ギャップ長G,G’を有して対向配置する。後方部にお
いては、磁気抵抗素子と軟磁性材とを、ギャップ長より
も狭い間隔で互いに接近させるか、磁気的に接合させ
る。更に磁気抵抗効果素子の奥行き方向においては、M
R素子と軟磁性材とをギャップ長よりも広い間隔で対向
配置する。そして、MR素子の中央付近の非磁性材に凸
部6,7を形成し、この凸部にMR素子にバイアス磁界
を印加するためのバイアス導体10を配する。
磁気抵抗効果ヘッドに関し、狭ギャップ長にかかわらず
再生出力の向上を図る。 【構成】 MR素子1の両側に非磁性材4,5を介して
軟磁性材2,3を配したシ−ルド型MRヘッドであり、
MR素子と軟磁性材とを、媒体対向面側において所定の
ギャップ長G,G’を有して対向配置する。後方部にお
いては、磁気抵抗素子と軟磁性材とを、ギャップ長より
も狭い間隔で互いに接近させるか、磁気的に接合させ
る。更に磁気抵抗効果素子の奥行き方向においては、M
R素子と軟磁性材とをギャップ長よりも広い間隔で対向
配置する。そして、MR素子の中央付近の非磁性材に凸
部6,7を形成し、この凸部にMR素子にバイアス磁界
を印加するためのバイアス導体10を配する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク等磁気記録
装置に使用される磁気抵抗効果ヘッドに係わり、特に高
分解能で高出力の得られる磁気抵抗効果ヘッドに関す
る。
装置に使用される磁気抵抗効果ヘッドに係わり、特に高
分解能で高出力の得られる磁気抵抗効果ヘッドに関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年においては、磁気ディスク装置の大
容量化に伴い、高密度に対応したヘッドが望まれてい
る。この磁気記録の高密度化は、線記録密度とトラック
密度の向上により達成される。しかし、従来のインダク
ティブヘッドではギャップ損失による出力低下(これは
線記録密度を制限する要因となる)、狭トラックによる
出力低下とクロスト−クノイズ(これはトラック密度を
制限する要因となる)の問題から磁気記録の高密度化に
は限界が予想されている。これらの問題はいずれも再生
特性に係わることから、磁気記録における更なる高密度
化を成し得るためには、高分解能でかつ狭トラックにお
いても高出力の得られる再生専用ヘッドの開発が必要で
ある。そのような再生ヘッドとしては磁気抵抗効果ヘッ
ド(以下MRヘッドとも記す)が有望である。MRヘッ
ドには磁気抵抗効果素子(以下MR素子とも記す)の両
側に軟磁性材(シ−ルド)を配したシ−ルド型MRヘッ
ドや、MR素子に媒体から漏洩した磁束を導くための軟
磁性材からなるヨ−クを有するヨ−ク型MRヘッドがあ
る。
容量化に伴い、高密度に対応したヘッドが望まれてい
る。この磁気記録の高密度化は、線記録密度とトラック
密度の向上により達成される。しかし、従来のインダク
ティブヘッドではギャップ損失による出力低下(これは
線記録密度を制限する要因となる)、狭トラックによる
出力低下とクロスト−クノイズ(これはトラック密度を
制限する要因となる)の問題から磁気記録の高密度化に
は限界が予想されている。これらの問題はいずれも再生
特性に係わることから、磁気記録における更なる高密度
化を成し得るためには、高分解能でかつ狭トラックにお
いても高出力の得られる再生専用ヘッドの開発が必要で
ある。そのような再生ヘッドとしては磁気抵抗効果ヘッ
ド(以下MRヘッドとも記す)が有望である。MRヘッ
ドには磁気抵抗効果素子(以下MR素子とも記す)の両
側に軟磁性材(シ−ルド)を配したシ−ルド型MRヘッ
ドや、MR素子に媒体から漏洩した磁束を導くための軟
磁性材からなるヨ−クを有するヨ−ク型MRヘッドがあ
る。
【0003】図6(A)は、その従来のシ−ルド型MR
ヘッドの磁気抵抗効果素子(以下MR素子とも記す)の
概略平面図を示し、図6(B)は、そのZ−Z断面図を
夫々示す。同図に示すようにシ−ルド型MRヘッドは、
MR素子1、軟磁性材(シ−ルド材)2,3、非磁性絶
縁層4,5、リ−ド線11及びバイアス導体14等より
構成されるている。高密度化の観点からすれば、ヘッド
構造的にはシ−ルド型MRヘッドの方が有利であり、M
R素子とシ−ルド間隔(シ−ルドギャップ長)を狭くす
ることにより、より高密度化が実現できる。
ヘッドの磁気抵抗効果素子(以下MR素子とも記す)の
概略平面図を示し、図6(B)は、そのZ−Z断面図を
夫々示す。同図に示すようにシ−ルド型MRヘッドは、
MR素子1、軟磁性材(シ−ルド材)2,3、非磁性絶
縁層4,5、リ−ド線11及びバイアス導体14等より
構成されるている。高密度化の観点からすれば、ヘッド
構造的にはシ−ルド型MRヘッドの方が有利であり、M
R素子とシ−ルド間隔(シ−ルドギャップ長)を狭くす
ることにより、より高密度化が実現できる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図6のような
ヘッド構造では、MR素子1に流入した磁束の多くは隣
接する軟磁性材(シ−ルド材)2,3に漏れ、MR素子
内の磁界分布は図7に示すようにMR素子1の先端部で
強く、後方に行くにしたがって急激に減衰してしまう。
結局、再生出力に寄与するのは素子先端部だけとなる。
特に、シ−ルドギャップ長G及びG’が狭くなればなる
程この傾向は強くなり、素子の利用効率は下がり再生出
力は低下する。
ヘッド構造では、MR素子1に流入した磁束の多くは隣
接する軟磁性材(シ−ルド材)2,3に漏れ、MR素子
内の磁界分布は図7に示すようにMR素子1の先端部で
強く、後方に行くにしたがって急激に減衰してしまう。
結局、再生出力に寄与するのは素子先端部だけとなる。
特に、シ−ルドギャップ長G及びG’が狭くなればなる
程この傾向は強くなり、素子の利用効率は下がり再生出
力は低下する。
【0005】このように、高密度化のためにはシ−ルド
ギャップ長G、G’を狭くしなければならないが、シ−
ルドギャップ長が狭くなると再生出力が低下してしま
い、結局再生出力との兼ね合いからシ−ルドギャップ長
は制限を受けてしまっていた。また、シ−ルドギャップ
長が狭くなるとMR素子1とシ−ルド材2,3との絶縁
を確保することが難しくなる他、MR素子1にセンス電
流を供給するためのリ−ド線11及びMR素子1にバイ
アス磁界を印加するためのバイアス導体14の存在はシ
−ルドギャップ長を狭くすることを妨げていた。このよ
うな理由から、現状シ−ルドギャップ長は0.3μm程
度に抑えられ、線記録密度も130KFCI程度に止ま
っていた。そこで、本発明が解決しようとする課題は、
上記問題を解決し、高密度記録再生に好適な高分解能で
高出力の得られるMRヘッドを提供しようとするもので
ある。
ギャップ長G、G’を狭くしなければならないが、シ−
ルドギャップ長が狭くなると再生出力が低下してしま
い、結局再生出力との兼ね合いからシ−ルドギャップ長
は制限を受けてしまっていた。また、シ−ルドギャップ
長が狭くなるとMR素子1とシ−ルド材2,3との絶縁
を確保することが難しくなる他、MR素子1にセンス電
流を供給するためのリ−ド線11及びMR素子1にバイ
アス磁界を印加するためのバイアス導体14の存在はシ
−ルドギャップ長を狭くすることを妨げていた。このよ
うな理由から、現状シ−ルドギャップ長は0.3μm程
度に抑えられ、線記録密度も130KFCI程度に止ま
っていた。そこで、本発明が解決しようとする課題は、
上記問題を解決し、高密度記録再生に好適な高分解能で
高出力の得られるMRヘッドを提供しようとするもので
ある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果ヘ
ッドは、以上のような課題を解決するものであり、以下
の1)〜5)の構成より成る。即ち、 1)磁気抵抗効果素子の両側に非磁性絶縁層を介して軟
磁性材を配したシ−ルド型磁気抵抗効果ヘッドにおい
て、媒体対向面側の前方部において、前記磁気抵抗効果
素子と前記軟磁性材とにより所定の間隙を有してギャッ
プを形成し、後方部において、前記磁気抵抗効果素子と
前記軟磁性材とが、前記ギャップよりも狭い間隔で互い
に接近、又は磁気的に接合され、前記磁気抵抗効果素子
の奥行き方向において、前記磁気抵抗効果素子と前記軟
磁性材とが前記間隔よりも広い間隔で対向し、前記軟磁
性材の前記磁気抵抗効果素子の奥行き方向の中央部近傍
に凸部を形成し、この凸部に前記磁気抵抗効果素子にバ
イアス磁界を印加するためのバイアス手段を設けて成る
構成としたことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 2)軟磁性材の少なくとも一方が、磁気抵抗効果素子よ
りも高い比抵抗を有する軟磁性材であることを特徴とす
る請求項1記載の磁気抵抗効果ヘッド。 3)バイアス手段の少なくとも一つは導体であり、この
導体が高比抵抗の軟磁性材に設けられた溝に埋設されて
いることを特徴とする請求項1又は2記載の磁気抵抗効
果ヘッド。 4)磁気抵抗効果素子の長辺に信号磁界を作用させる構
成に成し、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給す
るためのリ−ド線接続部が、非磁性絶縁層の凸部に設け
られていることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効
果ヘッド。 5)磁気抵抗効果素子の短辺に信号磁界を作用させる構
成に成し、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給す
るためのリ−ド線のうち媒体対向面側のリ−ド線が、軟
磁性材の少なくとも一方に接するように成したことを特
徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果ヘッド。
ッドは、以上のような課題を解決するものであり、以下
の1)〜5)の構成より成る。即ち、 1)磁気抵抗効果素子の両側に非磁性絶縁層を介して軟
磁性材を配したシ−ルド型磁気抵抗効果ヘッドにおい
て、媒体対向面側の前方部において、前記磁気抵抗効果
素子と前記軟磁性材とにより所定の間隙を有してギャッ
プを形成し、後方部において、前記磁気抵抗効果素子と
前記軟磁性材とが、前記ギャップよりも狭い間隔で互い
に接近、又は磁気的に接合され、前記磁気抵抗効果素子
の奥行き方向において、前記磁気抵抗効果素子と前記軟
磁性材とが前記間隔よりも広い間隔で対向し、前記軟磁
性材の前記磁気抵抗効果素子の奥行き方向の中央部近傍
に凸部を形成し、この凸部に前記磁気抵抗効果素子にバ
イアス磁界を印加するためのバイアス手段を設けて成る
構成としたことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 2)軟磁性材の少なくとも一方が、磁気抵抗効果素子よ
りも高い比抵抗を有する軟磁性材であることを特徴とす
る請求項1記載の磁気抵抗効果ヘッド。 3)バイアス手段の少なくとも一つは導体であり、この
導体が高比抵抗の軟磁性材に設けられた溝に埋設されて
いることを特徴とする請求項1又は2記載の磁気抵抗効
果ヘッド。 4)磁気抵抗効果素子の長辺に信号磁界を作用させる構
成に成し、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給す
るためのリ−ド線接続部が、非磁性絶縁層の凸部に設け
られていることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効
果ヘッド。 5)磁気抵抗効果素子の短辺に信号磁界を作用させる構
成に成し、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給す
るためのリ−ド線のうち媒体対向面側のリ−ド線が、軟
磁性材の少なくとも一方に接するように成したことを特
徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【0007】
【作用】磁気抵抗効果素子の両側に非磁性絶縁層を介し
て軟磁性材を配したシ−ルド型MRヘッドであり、磁気
抵抗効果素子と前記軟磁性材とを、媒体対向面側におい
て所定の間隙を有してギャップを形成する。後方部にお
いては、前記磁気抵抗素子と前記軟磁性材とを、前記ギ
ャップよりも狭い間隔で互いに接近させるか、または磁
気的に接合させる。更に磁気抵抗効果素子の奥行き方向
においては、前記磁気抵抗効果素子と前記軟磁性材とを
前記ギャップよりも広い間隔で対向配置し、前記磁気抵
抗効果素子の中央付近の非磁性絶縁層に凸部を形成す
る。そして、この凸部に前記磁気抵抗効果素子にバイア
ス磁界を印加するためのバイアス手段を配するようにし
て、磁気抵抗効果素子に流入した磁束の多くを隣接した
シ−ルド材に漏らすことなく、磁気抵抗効果素子の後端
部まで強い磁界強度で作用させ、狭ギャップ長にかかわ
らず再生出力の向上を図る。
て軟磁性材を配したシ−ルド型MRヘッドであり、磁気
抵抗効果素子と前記軟磁性材とを、媒体対向面側におい
て所定の間隙を有してギャップを形成する。後方部にお
いては、前記磁気抵抗素子と前記軟磁性材とを、前記ギ
ャップよりも狭い間隔で互いに接近させるか、または磁
気的に接合させる。更に磁気抵抗効果素子の奥行き方向
においては、前記磁気抵抗効果素子と前記軟磁性材とを
前記ギャップよりも広い間隔で対向配置し、前記磁気抵
抗効果素子の中央付近の非磁性絶縁層に凸部を形成す
る。そして、この凸部に前記磁気抵抗効果素子にバイア
ス磁界を印加するためのバイアス手段を配するようにし
て、磁気抵抗効果素子に流入した磁束の多くを隣接した
シ−ルド材に漏らすことなく、磁気抵抗効果素子の後端
部まで強い磁界強度で作用させ、狭ギャップ長にかかわ
らず再生出力の向上を図る。
【0008】また、前記軟磁性材の少なくとも一方を磁
気抵抗効果素子よりも高い抵抗を有する軟磁性材とする
ことにより、軟磁性材と磁気抵抗効果素子の絶縁を気に
することなくシ−ルドギャップ長を狭くすることが出来
る。
気抵抗効果素子よりも高い抵抗を有する軟磁性材とする
ことにより、軟磁性材と磁気抵抗効果素子の絶縁を気に
することなくシ−ルドギャップ長を狭くすることが出来
る。
【0009】更に、前記磁気抵抗効果素子にバイアス磁
界を印加するためのバイアス手段を、前記高抵抗の軟磁
性材に設けた溝に埋設するように成すことにより、前記
高抵抗の軟磁性材の表面を平坦化でき薄い絶縁層でも容
易に絶縁を確保でき狭ギャップ化が容易になる。
界を印加するためのバイアス手段を、前記高抵抗の軟磁
性材に設けた溝に埋設するように成すことにより、前記
高抵抗の軟磁性材の表面を平坦化でき薄い絶縁層でも容
易に絶縁を確保でき狭ギャップ化が容易になる。
【0010】更にまた、磁気抵抗効果素子の長辺に信号
磁界を作用させるように成したMRヘッドであって、前
記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するための電極
接続部を、ヘッドの媒体対向面より後方であり前記非磁
性絶縁層の前記凸部に設けることにより、前記磁気抵抗
効果素子にセンス電流を供給するための電極部の存在を
気にすることなくシ−ルドギャップ長を狭くすることが
できる。
磁界を作用させるように成したMRヘッドであって、前
記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するための電極
接続部を、ヘッドの媒体対向面より後方であり前記非磁
性絶縁層の前記凸部に設けることにより、前記磁気抵抗
効果素子にセンス電流を供給するための電極部の存在を
気にすることなくシ−ルドギャップ長を狭くすることが
できる。
【0011】また、磁気抵抗効果素子の短辺に信号磁界
を作用させるように成したMRヘッドであって、前記磁
気抵抗効果素子にセンス電流を供給するための電極のう
ち、媒体摺動面側の電極を前記軟磁性材に接触させシ−
ルドギャップ長を前記媒体摺動面側の電極の厚みでもっ
て規制するように成せば、前記磁気抵抗効果素子と前記
軟磁性材との絶縁の問題は全く無視してシ−ルドギャッ
プ長を狭くすることができる。
を作用させるように成したMRヘッドであって、前記磁
気抵抗効果素子にセンス電流を供給するための電極のう
ち、媒体摺動面側の電極を前記軟磁性材に接触させシ−
ルドギャップ長を前記媒体摺動面側の電極の厚みでもっ
て規制するように成せば、前記磁気抵抗効果素子と前記
軟磁性材との絶縁の問題は全く無視してシ−ルドギャッ
プ長を狭くすることができる。
【0012】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図を用いて説明す
る。図1は、本発明の第1実施例に係るMRヘッドの要
部拡大断面図で、図2はMR素子内の素子高さ方向の信
号磁界の磁界分布を示したものである。尚、前記従来例
と同一構成要素には同一符号を付す。同図に示すヘッド
は、MR素子1の両側に非磁性絶縁層4,5を介して軟
磁性材2,3が配されたシ−ルド型MRヘッドの構造で
あり、媒体対向面8側においてMR素子1と軟磁性材2
及び3は各々所定のギャップ長G,G’(以下シ−ルド
ギャップ長とも称する)を有して対向し、かつ後方部に
おいてはMR素子1と軟磁性材2及び3は前記シ−ルド
ギャップ長G,G’よりも狭い間隔で互いに接近する
か、または磁気的に接合させたものである。
る。図1は、本発明の第1実施例に係るMRヘッドの要
部拡大断面図で、図2はMR素子内の素子高さ方向の信
号磁界の磁界分布を示したものである。尚、前記従来例
と同一構成要素には同一符号を付す。同図に示すヘッド
は、MR素子1の両側に非磁性絶縁層4,5を介して軟
磁性材2,3が配されたシ−ルド型MRヘッドの構造で
あり、媒体対向面8側においてMR素子1と軟磁性材2
及び3は各々所定のギャップ長G,G’(以下シ−ルド
ギャップ長とも称する)を有して対向し、かつ後方部に
おいてはMR素子1と軟磁性材2及び3は前記シ−ルド
ギャップ長G,G’よりも狭い間隔で互いに接近する
か、または磁気的に接合させたものである。
【0013】更に、MR素子の奥行き方向であって、M
R素子1の中央付近に前記非磁性絶縁層4,5に凸部
6,7を設けて、MR素子1と軟磁性材2,3の間隔が
シ−ルドギャップ長G,G’よりも広くなるように成
し、前記非磁性絶縁層4、又は5の凸部6、又は7にM
R素子1にバイアス磁界を印加するためのバイアス手段
(図示せず)が配されている。
R素子1の中央付近に前記非磁性絶縁層4,5に凸部
6,7を設けて、MR素子1と軟磁性材2,3の間隔が
シ−ルドギャップ長G,G’よりも広くなるように成
し、前記非磁性絶縁層4、又は5の凸部6、又は7にM
R素子1にバイアス磁界を印加するためのバイアス手段
(図示せず)が配されている。
【0014】このようなヘッド構成にすることにより、
MR素子1と軟磁性材2、3との間の磁気抵抗がMR素
子1の中央部よりも後端部で小さく、媒体から漏洩しM
R素子1の先端部に流入した磁束の多くは、MR素子の
中央部から隣接する軟磁性材2、3に漏れることなくM
R素子1の後端部まで有効に作用することになり高出力
を得ることができる。このことは、図2に示したように
MR素子1内の素子高さ方向の信号磁界の磁界分布から
も明らかである。
MR素子1と軟磁性材2、3との間の磁気抵抗がMR素
子1の中央部よりも後端部で小さく、媒体から漏洩しM
R素子1の先端部に流入した磁束の多くは、MR素子の
中央部から隣接する軟磁性材2、3に漏れることなくM
R素子1の後端部まで有効に作用することになり高出力
を得ることができる。このことは、図2に示したように
MR素子1内の素子高さ方向の信号磁界の磁界分布から
も明らかである。
【0015】図1の本発明のMRヘッドにおいて、軟磁
性材2又は3の少なくとも一方、例えば軟磁性材2をM
R素子1よりも高い比抵抗を有する軟磁性材、例えば強
磁性酸化物磁性材とすることによりMR素子1と軟磁性
材2間の電気的な絶縁性は問題にする必要性がなくな
り、非磁性絶縁層5は可能な限り薄くできシ−ルドギャ
ップ長Gを狭くすることができる。
性材2又は3の少なくとも一方、例えば軟磁性材2をM
R素子1よりも高い比抵抗を有する軟磁性材、例えば強
磁性酸化物磁性材とすることによりMR素子1と軟磁性
材2間の電気的な絶縁性は問題にする必要性がなくな
り、非磁性絶縁層5は可能な限り薄くできシ−ルドギャ
ップ長Gを狭くすることができる。
【0016】また、軟磁性材2を高比抵抗の軟磁性材と
し、該軟磁性材に設けられた溝9にMR素子1にバイア
ス磁界を印加するためのバイアス手段の一つである導体
10を埋設することにより軟磁性材2の表面は平坦化で
き、その上に被着される非磁性絶縁層5は極薄い膜であ
っても容易に電気的絶縁性は確保でき、シ−ルドギャッ
プ長Gは狭くすることができる。
し、該軟磁性材に設けられた溝9にMR素子1にバイア
ス磁界を印加するためのバイアス手段の一つである導体
10を埋設することにより軟磁性材2の表面は平坦化で
き、その上に被着される非磁性絶縁層5は極薄い膜であ
っても容易に電気的絶縁性は確保でき、シ−ルドギャッ
プ長Gは狭くすることができる。
【0017】図3は第2実施例を示し、MR素子1の長
辺に信号磁界が作用するように成したMRヘッドであ
る。図3(A)は該MRヘッドのMR素子部を抜き出し
た概略平面図で、図3(B)は図3(A)のX−X断面
図である。この実施例によるヘッドはMR素子1と該M
R素子1にセンス電流を供給するためのリ−ド線11と
の接続部12を、MRヘッドの媒体対向面8よりも後退
した位置であって、非磁性絶縁層4の凸部6に対応した
部分に設けたものである。こうすることにより、リ−ド
線11に影響されないでシ−ルドギャップ長G’を狭く
することができる。本実施例の場合、特に狭トラックの
MRヘッドにおいても安定してシ−ルドギャップ長G’
の狭ギャップ化を可能にするものである。
辺に信号磁界が作用するように成したMRヘッドであ
る。図3(A)は該MRヘッドのMR素子部を抜き出し
た概略平面図で、図3(B)は図3(A)のX−X断面
図である。この実施例によるヘッドはMR素子1と該M
R素子1にセンス電流を供給するためのリ−ド線11と
の接続部12を、MRヘッドの媒体対向面8よりも後退
した位置であって、非磁性絶縁層4の凸部6に対応した
部分に設けたものである。こうすることにより、リ−ド
線11に影響されないでシ−ルドギャップ長G’を狭く
することができる。本実施例の場合、特に狭トラックの
MRヘッドにおいても安定してシ−ルドギャップ長G’
の狭ギャップ化を可能にするものである。
【0018】図4は第3実施例を示し、MR素子1の短
辺に信号磁界が作用するように成したMRヘッドであ
る。図4(A)は該MRヘッドのMR素子部を抜き出し
た概略平面図で、図4(B)は、図4(A)のY−Y断
面図である。この実施例においては、MR素子1と該M
R素子にセンス電流を供給するためのリ−ド線11の媒
体対向面8側に位置するリ−ド線13を軟磁性材3に接
触させたものであり、前記リ−ド線13の膜厚でもって
シ−ルドギャップ長G’を規制するように成したもので
ある。本実施例によれば、リ−ド線13と軟磁性材3と
は意識的に接触させているから、あえて両者間の絶縁を
考える必要はなくシ−ルドギャップ長G’の狭ギャップ
化に対してはリ−ド線13の膜厚を薄くするだけでよい
から、シ−ルドギャップ長G’を容易に狭くすることが
できる。またMR素子にセンス電流を供給するのに、軟
磁性材3を通して媒体対向面側リ−ド線13に導く構成
としてもよい。
辺に信号磁界が作用するように成したMRヘッドであ
る。図4(A)は該MRヘッドのMR素子部を抜き出し
た概略平面図で、図4(B)は、図4(A)のY−Y断
面図である。この実施例においては、MR素子1と該M
R素子にセンス電流を供給するためのリ−ド線11の媒
体対向面8側に位置するリ−ド線13を軟磁性材3に接
触させたものであり、前記リ−ド線13の膜厚でもって
シ−ルドギャップ長G’を規制するように成したもので
ある。本実施例によれば、リ−ド線13と軟磁性材3と
は意識的に接触させているから、あえて両者間の絶縁を
考える必要はなくシ−ルドギャップ長G’の狭ギャップ
化に対してはリ−ド線13の膜厚を薄くするだけでよい
から、シ−ルドギャップ長G’を容易に狭くすることが
できる。またMR素子にセンス電流を供給するのに、軟
磁性材3を通して媒体対向面側リ−ド線13に導く構成
としてもよい。
【0019】図5により以上説明した本実施例に係るM
Rヘッドと従来のシ−ルド型MRヘッドとの記録密度特
性の比較を示した。同図において明らかなように、シ−
ルドギャップ長G、G’が0.3μmの本実施例のヘッ
ドと従来例を比較すると、本実施例のヘッドはD50=1
20KFCIの従来例のシ−ルド型MRヘッドの線記録
密度を維持したまま高出力化が図られることが分かる。
また、シ−ルドギャップ長G、G’が0.1μmの本実
施例のヘッドとシ−ルドギャップ長G、G’が0.3μ
mの従来例のシ−ルド型MRヘッドの記録密度特性を比
較すると、本実施例のMRヘッドは狭ギャップでありな
がらその再生出力は従来のシ−ルド型MRヘッドとほぼ
同等であるばかりでなく、線記録密度はD50=180K
FCIと高密度記録再生を可能にしている。
Rヘッドと従来のシ−ルド型MRヘッドとの記録密度特
性の比較を示した。同図において明らかなように、シ−
ルドギャップ長G、G’が0.3μmの本実施例のヘッ
ドと従来例を比較すると、本実施例のヘッドはD50=1
20KFCIの従来例のシ−ルド型MRヘッドの線記録
密度を維持したまま高出力化が図られることが分かる。
また、シ−ルドギャップ長G、G’が0.1μmの本実
施例のヘッドとシ−ルドギャップ長G、G’が0.3μ
mの従来例のシ−ルド型MRヘッドの記録密度特性を比
較すると、本実施例のMRヘッドは狭ギャップでありな
がらその再生出力は従来のシ−ルド型MRヘッドとほぼ
同等であるばかりでなく、線記録密度はD50=180K
FCIと高密度記録再生を可能にしている。
【0020】
【発明の効果】請求項1記載の磁気抵抗効果ヘッドによ
れば、抵抗効果素子に流入した磁束の多くを隣接したシ
−ルド材に漏らすことなく、磁気抵抗効果素子の後端部
まで強い磁界強度で作用させ、狭ギャップ長にかかわら
ず再生出力の向上化を図ることができる。請求項2記載
の磁気抵抗効果ヘッドによれば、請求項1記載の磁気抵
抗効果ヘッドの効果に加えて、軟磁性材と磁気抵抗効果
素子の絶縁を気にすることなくシ−ルドギャップ長を狭
くすることが出来る。請求項3記載の磁気抵抗効果ヘッ
ドによれば、請求項1又は2記載の磁気抵抗効果ヘッド
の効果に加えて、高抵抗の軟磁性材の表面を平坦化でき
薄い絶縁層でも容易に絶縁を確保でき狭ギャップ化が容
易になる。請求項4記載の磁気抵抗効果ヘッドによれ
ば、請求項1記載の磁気抵抗効果ヘッドの効果に加え
て、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するため
の電極部の存在を気にすることなくシ−ルドギャップ長
を狭くすることができる。請求項5記載の磁気抵抗効果
ヘッドによれば、磁気抵抗効果素子と軟磁性材との絶縁
の問題は全く無視してシ−ルドギャップ長を狭くするこ
とができる。
れば、抵抗効果素子に流入した磁束の多くを隣接したシ
−ルド材に漏らすことなく、磁気抵抗効果素子の後端部
まで強い磁界強度で作用させ、狭ギャップ長にかかわら
ず再生出力の向上化を図ることができる。請求項2記載
の磁気抵抗効果ヘッドによれば、請求項1記載の磁気抵
抗効果ヘッドの効果に加えて、軟磁性材と磁気抵抗効果
素子の絶縁を気にすることなくシ−ルドギャップ長を狭
くすることが出来る。請求項3記載の磁気抵抗効果ヘッ
ドによれば、請求項1又は2記載の磁気抵抗効果ヘッド
の効果に加えて、高抵抗の軟磁性材の表面を平坦化でき
薄い絶縁層でも容易に絶縁を確保でき狭ギャップ化が容
易になる。請求項4記載の磁気抵抗効果ヘッドによれ
ば、請求項1記載の磁気抵抗効果ヘッドの効果に加え
て、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するため
の電極部の存在を気にすることなくシ−ルドギャップ長
を狭くすることができる。請求項5記載の磁気抵抗効果
ヘッドによれば、磁気抵抗効果素子と軟磁性材との絶縁
の問題は全く無視してシ−ルドギャップ長を狭くするこ
とができる。
【図1】本発明の第1実施例に係るMRヘッドの要部拡
大断面図である。
大断面図である。
【図2】MR素子内の素子高さ方向の信号磁界の磁界分
布を示した図である。
布を示した図である。
【図3】(A)はMRヘッドのMR素子部を抜き出した
概略平面図である。 (B)は図3(A)のX−X断面図である。
概略平面図である。 (B)は図3(A)のX−X断面図である。
【図4】(A)はMRヘッドのMR素子部を抜き出した
概略平面図である。 (B)は、図4(A)のY−Y断面図である。
概略平面図である。 (B)は、図4(A)のY−Y断面図である。
【図5】本実施例に係るMRヘッドと従来のシ−ルド型
MRヘッドとの記録密度特性の比較図である。
MRヘッドとの記録密度特性の比較図である。
【図6】従来のヘッド構造を示す図である。
【図7】従来ヘッドのMR素子内の磁界分布を示す図で
ある。
ある。
【符号の説明】 1 MR素子 2,3 軟磁性材 4,5 非磁性材 6,7 凸部 8 媒体対抗面 9 溝 10 導体 13 リ−ド線 14 バイアス導体 G,G’ ギャップ長
Claims (5)
- 【請求項1】 磁気抵抗効果素子の両側に非磁性絶縁層
を介して軟磁性材を配したシ−ルド型磁気抵抗効果ヘッ
ドにおいて、 媒体対向面側の前方部において、前記磁気抵抗効果素子
と前記軟磁性材とにより所定の間隙を有してギャップを
形成し、 後方部において、前記磁気抵抗効果素子と前記軟磁性材
とが、前記ギャップよりも狭い間隔で互いに接近、又は
磁気的に接合され、 前記磁気抵抗効果素子の奥行き方向において、前記磁気
抵抗効果素子と前記軟磁性材とが前記間隔よりも広い間
隔で対向し、前記軟磁性材の前記磁気抵抗効果素子の奥
行き方向の中央部近傍に凸部を形成し、この凸部に前記
磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するためのバイ
アス手段を設けて成る構成としたことを特徴とする磁気
抵抗効果ヘッド。 - 【請求項2】 軟磁性材の少なくとも一方が、磁気抵抗
効果素子よりも高い比抵抗を有する軟磁性材であること
を特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項3】 バイアス手段の少なくとも一つは導体で
あり、この導体が高比抵抗の軟磁性材に設けられた溝に
埋設されていることを特徴とする請求項1又は2記載の
磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項4】 磁気抵抗効果素子の長辺に信号磁界を作
用させる構成に成し、前記磁気抵抗効果素子にセンス電
流を供給するためのリ−ド線接続部が、非磁性絶縁層の
凸部に設けられていることを特徴とする請求項1記載の
磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項5】 磁気抵抗効果素子の短辺に信号磁界を作
用させる構成に成し、前記磁気抵抗効果素子にセンス電
流を供給するためのリ−ド線のうち媒体対向面側のリ−
ド線が、軟磁性材の少なくとも一方に接するように成し
たことを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3302585A JP2697422B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3302585A JP2697422B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05114122A true JPH05114122A (ja) | 1993-05-07 |
JP2697422B2 JP2697422B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=17910754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3302585A Expired - Lifetime JP2697422B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2697422B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58189819A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘツド |
JPS6113415A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Nec Kansai Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
JPS6258411A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
-
1991
- 1991-10-22 JP JP3302585A patent/JP2697422B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58189819A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘツド |
JPS6113415A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Nec Kansai Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
JPS6258411A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2697422B2 (ja) | 1998-01-14 |
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