JPH0845024A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JPH0845024A JPH0845024A JP17705994A JP17705994A JPH0845024A JP H0845024 A JPH0845024 A JP H0845024A JP 17705994 A JP17705994 A JP 17705994A JP 17705994 A JP17705994 A JP 17705994A JP H0845024 A JPH0845024 A JP H0845024A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｉｂ-optの安定化を図り、ＢＥＲの安定した
ＭＲヘッドを提供する 【構成】 ＭＲ素子４をＡＢＳ面に対してその長手方向
が垂直となるように配し、そのＭＲ素子４を下部シール
ド磁性体７と上部シールド磁性体８で挟み込んだ，いわ
ゆる縦型ＭＲヘッドにおいて、各シールド磁性体７，８
に対するＭＲ素子４の透磁率の比を、各シールド磁性体
７，８とＭＲ素子４間に形成される再生用磁気ギャップ
のギャップ長Ｌ1 ，Ｌ2 に応じて定める。
ＭＲヘッドを提供する 【構成】 ＭＲ素子４をＡＢＳ面に対してその長手方向
が垂直となるように配し、そのＭＲ素子４を下部シール
ド磁性体７と上部シールド磁性体８で挟み込んだ，いわ
ゆる縦型ＭＲヘッドにおいて、各シールド磁性体７，８
に対するＭＲ素子４の透磁率の比を、各シールド磁性体
７，８とＭＲ素子４間に形成される再生用磁気ギャップ
のギャップ長Ｌ1 ，Ｌ2 に応じて定める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に書き込まれた記録情報を読み出すのに好適な磁気抵抗
効果型磁気ヘッドに関する。
に書き込まれた記録情報を読み出すのに好適な磁気抵抗
効果型磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスクドライブ装置に搭載され
る磁気ヘッドには、再生ヘッドとして磁気抵抗効果によ
り信号磁界を読み取る磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以
下、ＭＲヘッドという。）が用いられ、記録ヘッドとし
て電磁誘導により信号磁界を書き込むインダクティブヘ
ッドが用いられる。
る磁気ヘッドには、再生ヘッドとして磁気抵抗効果によ
り信号磁界を読み取る磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以
下、ＭＲヘッドという。）が用いられ、記録ヘッドとし
て電磁誘導により信号磁界を書き込むインダクティブヘ
ッドが用いられる。
【０００３】これらＭＲヘッドとインダクティブヘッド
は、通常、スライダと称される基板上に積層形成され、
複合一体化される。すなわち、図７（ａ）に示す如きＡ
ｌ2Ｏ3 −ＴｉＣ系の焼結体からなる基板１０１に、同
図（ｂ）に示すようにスパッタリング、メッキ、フォト
リソグラフィ等の薄膜プロセスを用いてヘッド材料を積
層し、ヘッド素子（ＭＲヘッドとインダクティブヘッド
の複合型磁気ヘッド素子）１０２を複数作製する。
は、通常、スライダと称される基板上に積層形成され、
複合一体化される。すなわち、図７（ａ）に示す如きＡ
ｌ2Ｏ3 −ＴｉＣ系の焼結体からなる基板１０１に、同
図（ｂ）に示すようにスパッタリング、メッキ、フォト
リソグラフィ等の薄膜プロセスを用いてヘッド材料を積
層し、ヘッド素子（ＭＲヘッドとインダクティブヘッド
の複合型磁気ヘッド素子）１０２を複数作製する。
【０００４】そして、図８（ａ）に示すように、各ヘッ
ドチップ毎に切り出し、外形寸法を決定するための加工
を施してスライダ１０３を作製する。しかる後、同図
（ｂ）に示すように、ヘッド端子電極にリード線１０４
をはんだ付けしてサスペンション機構１０５にスライダ
１０３を取り付けて完成する。
ドチップ毎に切り出し、外形寸法を決定するための加工
を施してスライダ１０３を作製する。しかる後、同図
（ｂ）に示すように、ヘッド端子電極にリード線１０４
をはんだ付けしてサスペンション機構１０５にスライダ
１０３を取り付けて完成する。
【０００５】上記ＭＲヘッドとインダクティブヘッドか
らなる複合型磁気ヘッドは、磁気記録媒体との対向面に
対してその長手方向を垂直に配した磁気抵抗効果素子
（以下、ＭＲ素子と称する。）を一対のシールド磁性体
によって挟み込んだ，いわゆるシールド型構成としたＭ
Ｒヘッド上に、上層のシールド磁性体と、この上層シー
ルド磁性体上にヘッド巻線を介して積層される記録コア
とによって閉磁路を構成するインダクティブヘッドが、
同一のスライダ上に積層された構成となっている。
らなる複合型磁気ヘッドは、磁気記録媒体との対向面に
対してその長手方向を垂直に配した磁気抵抗効果素子
（以下、ＭＲ素子と称する。）を一対のシールド磁性体
によって挟み込んだ，いわゆるシールド型構成としたＭ
Ｒヘッド上に、上層のシールド磁性体と、この上層シー
ルド磁性体上にヘッド巻線を介して積層される記録コア
とによって閉磁路を構成するインダクティブヘッドが、
同一のスライダ上に積層された構成となっている。
【０００６】すなわち、この複合型磁気ヘッドでは、Ｍ
Ｒ素子を挟み込む一対のシールド磁性体が、再生時に媒
体からの磁界を選択的にＭＲ素子に引き込むための磁気
シールドコアとして機能し、その一方の上層シールド磁
性体とヘッド巻線を挟み込む記録コアが、記録時の誘導
磁気コアとしての機能を持った、つまり記録ギャップと
再生ギャップを別個に持った２ギャップタイプのヘッド
構成となっている。
Ｒ素子を挟み込む一対のシールド磁性体が、再生時に媒
体からの磁界を選択的にＭＲ素子に引き込むための磁気
シールドコアとして機能し、その一方の上層シールド磁
性体とヘッド巻線を挟み込む記録コアが、記録時の誘導
磁気コアとしての機能を持った、つまり記録ギャップと
再生ギャップを別個に持った２ギャップタイプのヘッド
構成となっている。
【０００７】このように作製された複合型磁気ヘッド
は、ドライブ装置に搭載され、磁気記録媒体との対向面
（以下、ＡＢＳ面という。）で媒体と摺動しデータの記
録と再生を行う。再生には、いわゆる電流バイアス方式
を用いるため、媒体からの磁界の変化を検出するセンス
電流をＭＲ素子にＡＢＳ面と垂直方向に流し、且つＭＲ
素子の磁化状態を外部の磁界変化に対して抵抗変化を起
こし易い状態に合わせこむためにバイアス導体にバイア
ス電流を通電する。
は、ドライブ装置に搭載され、磁気記録媒体との対向面
（以下、ＡＢＳ面という。）で媒体と摺動しデータの記
録と再生を行う。再生には、いわゆる電流バイアス方式
を用いるため、媒体からの磁界の変化を検出するセンス
電流をＭＲ素子にＡＢＳ面と垂直方向に流し、且つＭＲ
素子の磁化状態を外部の磁界変化に対して抵抗変化を起
こし易い状態に合わせこむためにバイアス導体にバイア
ス電流を通電する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、個々のヘッ
ドは、バイアス電流の最適値（以下、これをＩｂ-optと
いう。）を持っている。このＩｂ-optの決め方には、再
生波形の上下非対称性を最も小さいＩｂを選定する方法
と、再生出力の２次高調波歪（以下、ＳＨＤという。）
が最も小さくなるＩｂを選定する方法とがあるが、これ
らのうちヘッドの周波数特性や測定周波数によらずにＩ
ｂ-optを選定できるＳＨＤを用いている。ＳＨＤという
のは、再生信号の基本波成分とヘッドの非線形応答によ
り生じる２次高調波成分との振幅比である。ドライブ装
置に搭載された状態では、上記センス電流・バイアス電
流をそれぞれある所定値、流して再生信号を得る。
ドは、バイアス電流の最適値（以下、これをＩｂ-optと
いう。）を持っている。このＩｂ-optの決め方には、再
生波形の上下非対称性を最も小さいＩｂを選定する方法
と、再生出力の２次高調波歪（以下、ＳＨＤという。）
が最も小さくなるＩｂを選定する方法とがあるが、これ
らのうちヘッドの周波数特性や測定周波数によらずにＩ
ｂ-optを選定できるＳＨＤを用いている。ＳＨＤという
のは、再生信号の基本波成分とヘッドの非線形応答によ
り生じる２次高調波成分との振幅比である。ドライブ装
置に搭載された状態では、上記センス電流・バイアス電
流をそれぞれある所定値、流して再生信号を得る。
【０００９】ところが、上述したように個々のＭＲヘッ
ドでは、Ｉｂ-optが微妙に違っており、個々のヘッドに
対して一定の使用バイアス電流（以下、Ｉｂ-useとい
う。）を流した場合、Ｉｂ-useと各々のＩｂ-optのずれ
量が異なる。また、再生ギャップ長が狭くなると、Ｉｂ
-optはシールド磁性体の透磁率に敏感にきいてくるの
で、狭ギャップ化が進につれＩｂ-useはＩｂ-optに一致
し難くなる。
ドでは、Ｉｂ-optが微妙に違っており、個々のヘッドに
対して一定の使用バイアス電流（以下、Ｉｂ-useとい
う。）を流した場合、Ｉｂ-useと各々のＩｂ-optのずれ
量が異なる。また、再生ギャップ長が狭くなると、Ｉｂ
-optはシールド磁性体の透磁率に敏感にきいてくるの
で、狭ギャップ化が進につれＩｂ-useはＩｂ-optに一致
し難くなる。
【００１０】上記バイアス電流が変わるとＳＨＤが変わ
り、またＩｂ-useとＩｂ-optがかけ離れ程、ＳＨＤは大
きくなる。図９にビットエラーレート（以下、ＢＥＲと
いう。）とＳＨＤの関係における計算値を示すが、ＳＨ
Ｄが大きくなると（−１０ｄＢに向かう方向）ＢＥＲは
劣化する。このＢＥＲが悪化すると、読み取りエラーが
頻発し、再生信号の信頼性が失われる。また、再生信号
の信頼性を確保するために、使用周波数を下げれば、結
果的に線方向の記録密度は下がってしまう。
り、またＩｂ-useとＩｂ-optがかけ離れ程、ＳＨＤは大
きくなる。図９にビットエラーレート（以下、ＢＥＲと
いう。）とＳＨＤの関係における計算値を示すが、ＳＨ
Ｄが大きくなると（−１０ｄＢに向かう方向）ＢＥＲは
劣化する。このＢＥＲが悪化すると、読み取りエラーが
頻発し、再生信号の信頼性が失われる。また、再生信号
の信頼性を確保するために、使用周波数を下げれば、結
果的に線方向の記録密度は下がってしまう。
【００１１】そこで本発明は、上述の従来の有する技術
的な課題に鑑みて提案されたものであって、再生ギャッ
プ長の狭ギャップ化にも対応してＩｂ-optの安定化を図
り、ＢＥＲの安定したＭＲヘッドを提供することを目的
とする。
的な課題に鑑みて提案されたものであって、再生ギャッ
プ長の狭ギャップ化にも対応してＩｂ-optの安定化を図
り、ＢＥＲの安定したＭＲヘッドを提供することを目的
とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、ＡＢＳ面に一側縁が臨むと共に、この
ＡＢＳ面に対してその長手方向が垂直となるように配さ
れるＭＲ素子と、上記ＡＢＳ面に一側縁が臨み、ＭＲ素
子の先端側に積層される先端電極と、上記ＭＲ素子の後
端側に積層される後端電極と、上記ＭＲ素子にバイアス
磁界を印加するバイアス導体と、これら先端電極と後端
電極が積層されたＭＲ素子及びバイアス導体を上下方向
より挟み込む上部シールド磁性体と下部シールド磁性体
とを備えた，いわゆる縦型ＭＲヘッドである。
めに、本発明は、ＡＢＳ面に一側縁が臨むと共に、この
ＡＢＳ面に対してその長手方向が垂直となるように配さ
れるＭＲ素子と、上記ＡＢＳ面に一側縁が臨み、ＭＲ素
子の先端側に積層される先端電極と、上記ＭＲ素子の後
端側に積層される後端電極と、上記ＭＲ素子にバイアス
磁界を印加するバイアス導体と、これら先端電極と後端
電極が積層されたＭＲ素子及びバイアス導体を上下方向
より挟み込む上部シールド磁性体と下部シールド磁性体
とを備えた，いわゆる縦型ＭＲヘッドである。
【００１３】このＭＲヘッドにおける各シールド磁性体
に対するＭＲ素子の透磁率の比を、ＭＲ素子における各
シールド磁性体とＭＲ素子間の膜厚方向における対向距
離であるギャップ長に応じて定めることにより、上述の
課題を解決する。
に対するＭＲ素子の透磁率の比を、ＭＲ素子における各
シールド磁性体とＭＲ素子間の膜厚方向における対向距
離であるギャップ長に応じて定めることにより、上述の
課題を解決する。
【００１４】すなわち、上部シールド磁性体に対するＭ
Ｒ素子の透磁率の比をα、下部シールド磁性体に対する
ＭＲ素子の透磁率の比をβ、ギャップ長をＬとしたとき
に、Ｌ≧０．４５（単位：μｍ）である場合には、０．
１＜α≦１．０、且つ０．１＜β≦１．０とする。
Ｒ素子の透磁率の比をα、下部シールド磁性体に対する
ＭＲ素子の透磁率の比をβ、ギャップ長をＬとしたとき
に、Ｌ≧０．４５（単位：μｍ）である場合には、０．
１＜α≦１．０、且つ０．１＜β≦１．０とする。
【００１５】また、０．１５≦Ｌ＜０．４５（単位：μ
ｍ）である場合には、０．２＜α≦１．０、且つ０．１
＜β≦１．０とする。
ｍ）である場合には、０．２＜α≦１．０、且つ０．１
＜β≦１．０とする。
【００１６】さらに、０．０５≦Ｌ＜０．１５（単位：
μｍ）である場合には、０．５＜α≦１．０、且つ０．
２＜β≦１．０とする。
μｍ）である場合には、０．５＜α≦１．０、且つ０．
２＜β≦１．０とする。
【００１７】
【作用】本発明においては、ＭＲ素子を挟んでその上下
に設けられる各シールド磁性体に対するＭＲ素子の透磁
率の比を、該ＭＲ素子における各シールド磁性体とＭＲ
素子間の膜厚方向における対向距離であるギャップ長に
応じて定めているので、狭ギャップ化してもＩｂ-optが
安定なものとなり、ＢＥＲの安定化が図られる。
に設けられる各シールド磁性体に対するＭＲ素子の透磁
率の比を、該ＭＲ素子における各シールド磁性体とＭＲ
素子間の膜厚方向における対向距離であるギャップ長に
応じて定めているので、狭ギャップ化してもＩｂ-optが
安定なものとなり、ＢＥＲの安定化が図られる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１９】本実施例は、ＭＲヘッドとインダクティブ
ヘッドを同一のスライダー上に積層形成した，いわゆる
記録再生一体型の複合型磁気ヘッドの例である。
ヘッドを同一のスライダー上に積層形成した，いわゆる
記録再生一体型の複合型磁気ヘッドの例である。
【００２０】複合型磁気ヘッドは、図１ないし図３に示
すように、ハードディスクとの媒体対向面となるＡＢＳ
面１に再生用磁気ギャップｇ1 を臨ませるＭＲヘッド
と、このＡＢＳ面１に記録用磁気ギャップｇ2 を臨ませ
るインダクティブヘッドをＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板等か
らなるスライダー２の一側面上に積層形成した，いわゆ
る３ポールタイプのヘッド構成とされている。
すように、ハードディスクとの媒体対向面となるＡＢＳ
面１に再生用磁気ギャップｇ1 を臨ませるＭＲヘッド
と、このＡＢＳ面１に記録用磁気ギャップｇ2 を臨ませ
るインダクティブヘッドをＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板等か
らなるスライダー２の一側面上に積層形成した，いわゆ
る３ポールタイプのヘッド構成とされている。
【００２１】ＭＲヘッドは、図２に示すように、先端部
と後端部にそれぞれ図示しない定電流源からのセンス電
流を通ずるための一対の電極３ａ，３ｂ（以下、ＡＢＳ
面１側に設けられる電極３ａを先端電極３ａ、後端側に
設けられる電極３ｂを後端電極３ｂという。）が積層さ
れたＭＲ素子４と、このＭＲ素子４に所要の向きの磁界
状態を与えるバイアス導体５とからなる。
と後端部にそれぞれ図示しない定電流源からのセンス電
流を通ずるための一対の電極３ａ，３ｂ（以下、ＡＢＳ
面１側に設けられる電極３ａを先端電極３ａ、後端側に
設けられる電極３ｂを後端電極３ｂという。）が積層さ
れたＭＲ素子４と、このＭＲ素子４に所要の向きの磁界
状態を与えるバイアス導体５とからなる。
【００２２】ＭＲ素子４は、その長手方向が上記ＡＢＳ
面１に対して垂直となるように設けられると共に、その
一端縁が上記ＡＢＳ面１に臨むようになされている。ま
た、このＭＲ素子４は、例えばＡｌ2 Ｏ3 等よりなる非
磁性膜を介して静磁的に結合する一対のＭＲ薄膜を積層
した積層膜構成とされ、バルクハウゼンノイズの発生が
回避されるようになっている。なお、ＭＲ薄膜は、例え
ばパーマロイ等の強磁性体薄膜からなり、その膜厚が数
百オングストローム程度とされる。
面１に対して垂直となるように設けられると共に、その
一端縁が上記ＡＢＳ面１に臨むようになされている。ま
た、このＭＲ素子４は、例えばＡｌ2 Ｏ3 等よりなる非
磁性膜を介して静磁的に結合する一対のＭＲ薄膜を積層
した積層膜構成とされ、バルクハウゼンノイズの発生が
回避されるようになっている。なお、ＭＲ薄膜は、例え
ばパーマロイ等の強磁性体薄膜からなり、その膜厚が数
百オングストローム程度とされる。
【００２３】先端電極３ａは、その一側縁がＡＢＳ面１
に臨むようにしてＭＲ素子４の先端部に積層されてい
る。かかる先端電極３ａは、後述の後端電極３ｂとの間
に電流を流してＭＲ素子４にセンス電流を通電する電極
としての機能を有する他、再生用磁気ギャップｇ1 の上
層ギャップ膜としても機能するようになっている。
に臨むようにしてＭＲ素子４の先端部に積層されてい
る。かかる先端電極３ａは、後述の後端電極３ｂとの間
に電流を流してＭＲ素子４にセンス電流を通電する電極
としての機能を有する他、再生用磁気ギャップｇ1 の上
層ギャップ膜としても機能するようになっている。
【００２４】一方、後端電極３ｂは、ＭＲ素子４の後端
部にその一部が直接積層してバック側に延在して設けら
れ、当該ＭＲ素子４と電気的に接続するようになされて
いる。
部にその一部が直接積層してバック側に延在して設けら
れ、当該ＭＲ素子４と電気的に接続するようになされて
いる。
【００２５】上記バイアス導体５は、ＭＲ素子４上に設
けられた絶縁層６上に、このＭＲ素子４に対して略直交
する方向（図２の紙面に対して垂直な方向）、つまりＭ
Ｒ素子４を横切る形で設けられている。そして、このバ
イアス導体５の両端部には、直流電源からのバイアス電
流が通電されるようになされている。したがって、この
両端子部より供給される直流電流はトラック幅方向に流
れ、その結果発生するバイアス磁界がＭＲ素子４の長手
方向に印加されることになる。
けられた絶縁層６上に、このＭＲ素子４に対して略直交
する方向（図２の紙面に対して垂直な方向）、つまりＭ
Ｒ素子４を横切る形で設けられている。そして、このバ
イアス導体５の両端部には、直流電源からのバイアス電
流が通電されるようになされている。したがって、この
両端子部より供給される直流電流はトラック幅方向に流
れ、その結果発生するバイアス磁界がＭＲ素子４の長手
方向に印加されることになる。
【００２６】そして、かかるＭＲヘッドにおいては、上
記ＭＲ素子４を絶縁層６を介してパーマロイ（Ｎｉ−Ｆ
ｅ）等の磁性体からなる下部シールド磁性体７と上部シ
ールド磁性体８とで挟み込んだ，いわゆるシールド型構
成とされている。
記ＭＲ素子４を絶縁層６を介してパーマロイ（Ｎｉ−Ｆ
ｅ）等の磁性体からなる下部シールド磁性体７と上部シ
ールド磁性体８とで挟み込んだ，いわゆるシールド型構
成とされている。
【００２７】ＭＲ素子４の下側に設けられる下部シール
ド磁性体７は、上記スライダ２上に上記ＡＢＳ面１にそ
の一端を臨ませるようにして、このＡＢＳ面１に対して
垂直にバック側へ延在するようにして設けられている。
そして、この下部シールド磁性体７とＭＲ素子４との間
には、再生用磁気ギャップｇ1 の下層ギャップ膜として
機能する絶縁膜９が設けられている。
ド磁性体７は、上記スライダ２上に上記ＡＢＳ面１にそ
の一端を臨ませるようにして、このＡＢＳ面１に対して
垂直にバック側へ延在するようにして設けられている。
そして、この下部シールド磁性体７とＭＲ素子４との間
には、再生用磁気ギャップｇ1 の下層ギャップ膜として
機能する絶縁膜９が設けられている。
【００２８】一方、これに対向して設けられる他方の上
部シールド磁性体８は、先の下部シールド磁性体７と同
様に上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるようにして、
その先端部に再生用磁気ギャップｇ1 を構成すると共
に、このＡＢＳ面１に対して垂直にバック側へ延在して
設けられている。なお、この上部シールド磁性体８の先
端側には、先端電極３ａが接触するようになっている。
部シールド磁性体８は、先の下部シールド磁性体７と同
様に上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるようにして、
その先端部に再生用磁気ギャップｇ1 を構成すると共
に、このＡＢＳ面１に対して垂直にバック側へ延在して
設けられている。なお、この上部シールド磁性体８の先
端側には、先端電極３ａが接触するようになっている。
【００２９】一方、インダクティブヘッドは、上記ＭＲ
素子４のシールドコアとして機能する上部シールド磁性
体８を一方の記録コアとし、この上部シールド磁性体８
に対向して積層される記録コア１０とによって上記ＡＢ
Ｓ面１に臨んでその前方端部間に記録用磁気ギャップｇ
2 を構成するようになっている。
素子４のシールドコアとして機能する上部シールド磁性
体８を一方の記録コアとし、この上部シールド磁性体８
に対向して積層される記録コア１０とによって上記ＡＢ
Ｓ面１に臨んでその前方端部間に記録用磁気ギャップｇ
2 を構成するようになっている。
【００３０】すなわち、上部シールド磁性体８に対向し
て積層される記録コア１０は、上記ＡＢＳ面１に臨む前
方端部でこの上部シールド磁性体８側に屈曲され、その
間隙が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャップｇ2
を構成するようになっている。なお、記録コア９は、後
方端部で上記上部シールド磁性体８と磁気的に接触する
ようになっている。
て積層される記録コア１０は、上記ＡＢＳ面１に臨む前
方端部でこの上部シールド磁性体８側に屈曲され、その
間隙が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャップｇ2
を構成するようになっている。なお、記録コア９は、後
方端部で上記上部シールド磁性体８と磁気的に接触する
ようになっている。
【００３１】そして、上記記録コア１０と上部シールド
磁性体８の接続部である磁気的結合部１１には、この磁
気的結合部１１を取り囲むようにしてスパイラル状のヘ
ッド巻線１２が設けられている。ヘッド巻線１２は、記
録コア１０と上部シールド磁性体８間の絶縁性を確保す
るために、絶縁層１３によって埋め込まれている。
磁性体８の接続部である磁気的結合部１１には、この磁
気的結合部１１を取り囲むようにしてスパイラル状のヘ
ッド巻線１２が設けられている。ヘッド巻線１２は、記
録コア１０と上部シールド磁性体８間の絶縁性を確保す
るために、絶縁層１３によって埋め込まれている。
【００３２】なお、記録コア１０の上には、上記スライ
ダー２上に積層されるＭＲヘッドとインダクティブヘッ
ドを保護するための保護層１４が形成されている。
ダー２上に積層されるＭＲヘッドとインダクティブヘッ
ドを保護するための保護層１４が形成されている。
【００３３】そして特に本実施例では、Ｉｂ-optのばら
つきを抑えることによりＳＨＤを安定化させるため、各
シールド磁性体７，８に対するＭＲ素子４の透磁率の比
を、ＡＢＳ面１における各シールド磁性体７，８とＭＲ
素子４間の膜厚方向における対向距離である再生ギャッ
プ長（図３中、Ｌ1 ，Ｌ2 で示す。）に応じて定めてい
る。なお、通常、Ｌ1 とＬ2 は、同じ長さとされる。
つきを抑えることによりＳＨＤを安定化させるため、各
シールド磁性体７，８に対するＭＲ素子４の透磁率の比
を、ＡＢＳ面１における各シールド磁性体７，８とＭＲ
素子４間の膜厚方向における対向距離である再生ギャッ
プ長（図３中、Ｌ1 ，Ｌ2 で示す。）に応じて定めてい
る。なお、通常、Ｌ1 とＬ2 は、同じ長さとされる。
【００３４】本実施例の縦型ＭＲヘッドでは、先端電極
３ａはＭＲ素子４の感磁部として動作せず、該感磁部へ
の磁気を引き込むガイドの役割をしているため、ＭＲ素
子４の透磁率は少なくとも下部シールド磁性体７と上部
シールド磁性体８と同じか、或いはそれ以上必要であ
る。そこで、先ず、ＭＲ素子４の透磁率≧シールド磁性
体７，８の透磁率となるように、 α≦１、β≦１・・・・・とする。
３ａはＭＲ素子４の感磁部として動作せず、該感磁部へ
の磁気を引き込むガイドの役割をしているため、ＭＲ素
子４の透磁率は少なくとも下部シールド磁性体７と上部
シールド磁性体８と同じか、或いはそれ以上必要であ
る。そこで、先ず、ＭＲ素子４の透磁率≧シールド磁性
体７，８の透磁率となるように、 α≦１、β≦１・・・・・とする。
【００３５】〔但し、αは上部シールド磁性体８に対す
るＭＲ素子４の透磁率の比、すなわち、α＝上部シール
ド磁性体８の透磁率／ＭＲ素子４の透磁率、βは下部シ
ールド磁性体７に対するＭＲ素子４の透磁率の比、すな
わち、β＝下部シールド磁性体７の透磁率／ＭＲ素子４
の透磁率〕 また、図６にα＝０．１として計算した孤立再生波形を
示す。上部シールド磁性体８の透磁率は、波形ピークの
右肩部分のベースラインへの戻りかたに関係している
が、α＝０．１にしたことによってピークの右肩部分の
ベースラインへの戻りかたが緩慢になってしまい、明ら
かにＰＷ５０を劣化させてしまうことが判る。また、β
＝０．１にして同様に孤立波形を計算すれば、今度は左
肩が広がってＰＷ５０を劣化させてしまうと考えられ
る。少なくともこれらの状態では、実用的に使用不可能
であるので、αとβの下限を α＞０．１、β＞０．１・・・・・とする。
るＭＲ素子４の透磁率の比、すなわち、α＝上部シール
ド磁性体８の透磁率／ＭＲ素子４の透磁率、βは下部シ
ールド磁性体７に対するＭＲ素子４の透磁率の比、すな
わち、β＝下部シールド磁性体７の透磁率／ＭＲ素子４
の透磁率〕 また、図６にα＝０．１として計算した孤立再生波形を
示す。上部シールド磁性体８の透磁率は、波形ピークの
右肩部分のベースラインへの戻りかたに関係している
が、α＝０．１にしたことによってピークの右肩部分の
ベースラインへの戻りかたが緩慢になってしまい、明ら
かにＰＷ５０を劣化させてしまうことが判る。また、β
＝０．１にして同様に孤立波形を計算すれば、今度は左
肩が広がってＰＷ５０を劣化させてしまうと考えられ
る。少なくともこれらの状態では、実用的に使用不可能
であるので、αとβの下限を α＞０．１、β＞０．１・・・・・とする。
【００３６】図５では、α＝１、β＝１の場合のＩｂ
-optを１００％として、下部シールド磁性体７と上部シ
ールド磁性体８の透磁率が劣化すると、Ｉｂ-optがどれ
だけ変化しているかを示している。また、以下に示す理
由から、ドライブ装置に搭載された状態で使う定バイア
ス電流（以下、Ｉｂ-constという。）をＩｂ-opt±１５
％内に抑える必要があるので、Ｉｂ-constを図５中の１
１５％ラインに設定する。そして、Ｉｂ-optのずれの許
容範囲を図５中の１００％〜１３０％にする。
-optを１００％として、下部シールド磁性体７と上部シ
ールド磁性体８の透磁率が劣化すると、Ｉｂ-optがどれ
だけ変化しているかを示している。また、以下に示す理
由から、ドライブ装置に搭載された状態で使う定バイア
ス電流（以下、Ｉｂ-constという。）をＩｂ-opt±１５
％内に抑える必要があるので、Ｉｂ-constを図５中の１
１５％ラインに設定する。そして、Ｉｂ-optのずれの許
容範囲を図５中の１００％〜１３０％にする。
【００３７】Ｉｂ-constをＩｂ-opt±１５％とするの
は、次のことに基づく。すなわち、図９に示すように、
ＳＨＤが大きくなるとＢＥＲも劣化するが、特にＳＨＤ
＞−２０ｄＢの領域での劣化が著しく、これは信号のＳ
／Ｎ比によらずに同様の傾向を示している。そこで、実
用的なＢＥＲ（１０-6以下）が得られる条件のもとで、
ＢＥＲ劣化を２倍以内に抑えるためには、ＳＨＤを−２
５ｄＢ以下に抑える必要がある。図４に実測によるＭＲ
ヘッドのＳＨＤとバイアス電流の関係を示す。ＳＨＤが
最小な点でのバイアス電流がＩｂ-optである。バイアス
電流が変化しＩｂ-optから離れるに従ってＳＨＤは劣化
していく。このデータでは、Ｉｂ-opt±２０％近傍内の
ＩｂならばＳＨＤは−２５ｄＢ以下になっている。実用
的には、Ｉｂ-opt±１５％程度にすればＳＨＤ≦−２５
ｄＢ以下を確保できる。従って、実用的なＢＥＲ（１０
-6以下）を得るために、Ｉｂ-optに対するＩｂ-useのず
れの許容範囲はＩｂ-opt±１５％になるようにすればよ
い。
は、次のことに基づく。すなわち、図９に示すように、
ＳＨＤが大きくなるとＢＥＲも劣化するが、特にＳＨＤ
＞−２０ｄＢの領域での劣化が著しく、これは信号のＳ
／Ｎ比によらずに同様の傾向を示している。そこで、実
用的なＢＥＲ（１０-6以下）が得られる条件のもとで、
ＢＥＲ劣化を２倍以内に抑えるためには、ＳＨＤを−２
５ｄＢ以下に抑える必要がある。図４に実測によるＭＲ
ヘッドのＳＨＤとバイアス電流の関係を示す。ＳＨＤが
最小な点でのバイアス電流がＩｂ-optである。バイアス
電流が変化しＩｂ-optから離れるに従ってＳＨＤは劣化
していく。このデータでは、Ｉｂ-opt±２０％近傍内の
ＩｂならばＳＨＤは−２５ｄＢ以下になっている。実用
的には、Ｉｂ-opt±１５％程度にすればＳＨＤ≦−２５
ｄＢ以下を確保できる。従って、実用的なＢＥＲ（１０
-6以下）を得るために、Ｉｂ-optに対するＩｂ-useのず
れの許容範囲はＩｂ-opt±１５％になるようにすればよ
い。
【００３８】そして、再生ギャップ長Ｌ1 ，Ｌ2 が狭く
なるにつれ、透磁率の変化に対してＩｂ-optは敏感にな
るので、この再生ギャップ長Ｌ1 ，Ｌ2 の範囲で場合分
けを行い、前記及びを考慮すると、次のようにな
る。
なるにつれ、透磁率の変化に対してＩｂ-optは敏感にな
るので、この再生ギャップ長Ｌ1 ，Ｌ2 の範囲で場合分
けを行い、前記及びを考慮すると、次のようにな
る。
【００３９】Ａ）Ｌ1 ，Ｌ2 ≧０．４５（単位：μｍ）
の場合、 ０．１＜α≦１．０、且つ、０．１＜β≦１．０ Ｂ）０．１５≦Ｌ1 ，Ｌ2 ＜０．４５（単位：μｍ）の
場合、 ０．２＜α≦１．０、且つ、０．１＜β≦１．０ Ｃ）０．０５≦Ｌ1 ，Ｌ2 ＜０．１５（単位：μｍ）の
場合、 ０．５＜α≦１．０、且つ、０．２＜β≦１．０ 上述のような観点から、シールド磁性体７，８に対する
ＭＲ素子４の透磁率の比を、再生用磁気ギャップｇ1 の
ギャップ長Ｌ1 ，Ｌ2 に応じて定めているので、最適バ
イアス電流のばらつきが抑えられ、狭ギャップ化にも対
応してＩｂ-optが安定なものとなり、ＢＥＲの安定化が
図れる。
の場合、 ０．１＜α≦１．０、且つ、０．１＜β≦１．０ Ｂ）０．１５≦Ｌ1 ，Ｌ2 ＜０．４５（単位：μｍ）の
場合、 ０．２＜α≦１．０、且つ、０．１＜β≦１．０ Ｃ）０．０５≦Ｌ1 ，Ｌ2 ＜０．１５（単位：μｍ）の
場合、 ０．５＜α≦１．０、且つ、０．２＜β≦１．０ 上述のような観点から、シールド磁性体７，８に対する
ＭＲ素子４の透磁率の比を、再生用磁気ギャップｇ1 の
ギャップ長Ｌ1 ，Ｌ2 に応じて定めているので、最適バ
イアス電流のばらつきが抑えられ、狭ギャップ化にも対
応してＩｂ-optが安定なものとなり、ＢＥＲの安定化が
図れる。
【００４０】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明のＭＲヘッドによれば、ＭＲ素子を挟んで上下に設け
られる各シールド磁性体に対するＭＲ素子の透磁率の比
を、再生用磁気ギャップのギャップ長に応じて定めてい
るので、例え狭ギャップ化されてもＩｂ-optが安定し、
ＢＥＲの安定化が図れ、再生信号の信頼性が向上する。
また、ＢＥＲからみたＭＲヘッドの歩留りが向上する。
明のＭＲヘッドによれば、ＭＲ素子を挟んで上下に設け
られる各シールド磁性体に対するＭＲ素子の透磁率の比
を、再生用磁気ギャップのギャップ長に応じて定めてい
るので、例え狭ギャップ化されてもＩｂ-optが安定し、
ＢＥＲの安定化が図れ、再生信号の信頼性が向上する。
また、ＢＥＲからみたＭＲヘッドの歩留りが向上する。
【図１】複合型磁気ヘッドの平面図である。
【図２】複合型磁気ヘッドの拡大縦断面図である。
【図３】複合型磁気ヘッドの拡大横断面図である。
【図４】ＳＨＤとバイアス電流の関係を示す特性図であ
る。
る。
【図５】最適バイアス電流のシールド磁性体に対するＭ
Ｒ素子の透磁率依存性を示す特性図である。
Ｒ素子の透磁率依存性を示す特性図である。
【図６】孤立再生波形の計算結果を示す特性図である。
【図７】従来の複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示す
もので、（ａ）は基板作製工程を示す斜視図であり、
（ｂ）はヘッド素子形成工程を示す斜視図である。
もので、（ａ）は基板作製工程を示す斜視図であり、
（ｂ）はヘッド素子形成工程を示す斜視図である。
【図８】従来の複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示す
もので、（ａ）はヘッドチップ切り出し工程を示す斜視
図であり、（ｂ）はサスペンション取り付け工程を示す
斜視図である。
もので、（ａ）はヘッドチップ切り出し工程を示す斜視
図であり、（ｂ）はサスペンション取り付け工程を示す
斜視図である。
【図９】Ｓ／Ｎを変えたときのＢＥＲのＳＨＤ依存性を
示す特性図である。
示す特性図である。
１・・・ＡＢＳ面 ２・・・スライダー ３ａ・・・先端電極 ３ｂ・・・後端電極 ４・・・ＭＲ素子 ５・・・バイアス導体 ７・・・下部シールド磁性体 ８・・・上部シールド磁性体 １０・・・記録コア １１・・・磁気的結合部 １２・・・ヘッド巻線
Claims (4)
- 【請求項１】 磁気記録媒体との対向面に一側縁が臨む
と共に、この媒体対向面に対してその長手方向が垂直と
なるように配される磁気抵抗効果素子と、 上記媒体対向面に一側縁が臨み、磁気抵抗効果素子の先
端側に積層される先端電極と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、 上記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイア
ス導体と、 これら先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素
子及びバイアス導体を上下方向より挟み込む上部シール
ド磁性体と下部シールド磁性体とを備え、 各シールド磁性体に対する磁気抵抗効果素子の透磁率の
比が、媒体対向面における各シールド磁性体と磁気抵抗
効果素子間の膜厚方向での対向距離であるギャップ長に
応じて定められていることを特徴とする磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。 - 【請求項２】 上部シールド磁性体に対する磁気抵抗効
果素子の透磁率の比をα、下部シールド磁性体に対する
磁気抵抗効果素子の透磁率の比をβ、ギャップ長をＬと
したときに、Ｌ≧０．４５（単位：μｍ）の場合、 ０．１＜α≦１．０ 且つ ０．１＜β≦１．０である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド。 - 【請求項３】 上部シールド磁性体に対する磁気抵抗効
果素子の透磁率の比をα、下部シールド磁性体に対する
磁気抵抗効果素子の透磁率の比をβ、ギャップ長をＬと
したときに、０．１５≦Ｌ＜０．４５（単位：μｍ）の
場合、 ０．２＜α≦１．０ 且つ ０．１＜β≦１．０である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド。 - 【請求項４】 上部シールド磁性体に対する磁気抵抗効
果素子の透磁率の比をα、下部シールド磁性体に対する
磁気抵抗効果素子の透磁率の比をβ、ギャップ長をＬと
したときに、０．０５≦Ｌ＜０．１５（単位：μｍ）の
場合、 ０．５＜α≦１．０ 且つ ０．２＜β≦１．０である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17705994A JPH0845024A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17705994A JPH0845024A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845024A true JPH0845024A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16024413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17705994A Withdrawn JPH0845024A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845024A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08180329A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Nec Corp | 磁気ヘッド |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP17705994A patent/JPH0845024A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08180329A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Nec Corp | 磁気ヘッド |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |