JPH0830925A

JPH0830925A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH0830925A
Application number: JP16394794A
Authority: JP
Inventors: Mineo Yorizumi; 美根生頼住; Shuichi Haga; 秀一芳賀; Nobuhiro Sugawara; 伸浩菅原; Junichi Sugawara; 淳一菅原
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-07-15
Filing date: 1994-07-15
Publication date: 1996-02-02

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、磁気抵抗効果素子膜の先端部のト
ラック幅を狭くしても、磁気的安定性を劣化させること
がなく、しかも、再生信号出力を低下させることのない
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
する。【構成】磁気記録媒体との対向面に対して長手方向が
垂直となるように配された磁気抵抗効果素子２５と、上
記磁気記録媒体との対向面に臨み、磁気抵抗効果素子２
５の先端側２５ｄに積層される先端電極２７Ａと、磁気
抵抗効果素子２５の後端側２５ｄに積層される後端電極
２７Ｂとを備えてなり、上記磁気抵抗効果素子２５は、
金属人工格子多層膜とされると共に、磁気記録媒体との
対向面側における先端部２５ｄの素子幅に対して後端部
２５ｅの素子幅を広くした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドに関し、特に磁気記録媒体との対向面に対して
磁気抵抗効果素子が垂直に配されてなる，いわゆる縦型
構造を持つ磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスクドライブ装置等において
再生用磁気ヘッドとして用いられている磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッド（以下、「ＭＲヘッド」と称する。）
は、例えば図４に示すように、基板２２上に磁気抵抗効
果素子（以下、「ＭＲ素子」と称する。）２５をその長
手方向を媒体対向面ａと垂直方向に配し、ＭＲ素子２５
の両端から電極を取り出すとともに、該ＭＲ素子２５の
上下に絶縁層２４ｂを介してシールド磁性体２３，２９
を配して構成されている。

【０００３】このＭＲ２５素子には、電極２７Ａ，２７
Ｂが積層されるようにして接続されており、これにより
ＭＲ素子２５にセンス電流を流すことが可能なようにな
されている。

【０００４】また、上記ＭＲ素子２５は、図５に示すよ
うに、磁壁が発生しないように、ＭＲ素子膜を磁気的絶
縁中間膜２５ａを介して２層の磁性体膜２５ｂ，２５ｃ
で構成されている。このような２層化により、磁壁移動
によるバルクハイゼンノイズの発生を回避するようにな
されている。

【０００５】さらに、上記ＭＲヘッド２１には、検出信
号の直線性を高める為に、バイアス磁界を与えるバイア
ス導体２８がＭＲ素子２５と直交させて配置されてい
る。

【０００６】そして、このような従来のＭＲヘッドによ
って情報の再生を行う際には、ＭＲ素子２５にセンス電
流を供給する。この場合、ＭＲ素子２５にバイアス導体
２８からのバイアス磁界を印加して所定の磁化を与えて
おく。

【０００７】この状態で上記ＭＲ素子２５が磁気記録媒
体からの磁束を受けると、その磁束によってＭＲ素子２
５の磁化の向きが回転し、ＭＲ素子２５内部に流れるセ
ンス電流の向きに対して磁束量に応じた角度をもつよう
になる。そのため、ＭＲ素子２５の電気抵抗値が変化
し、この変化量に応じた電圧変化がＭＲ素子２５の両端
の先端電極２７Ａ、後端電極２７Ｂ間に生じる。そし
て、この電圧の変化を検出することによって情報の再生
を行う。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、高密
度磁気記録におけるＭＲヘッドは、記録密度を高めるこ
とが要請されているが、記録密度を高めるためには、磁
気記録媒体上の記録トラックの幅を狭くする方法と、記
録信号の波長を狭く、つまり、線記録密度を高くする方
法がある。

【０００９】しかしながら、上記構成の従来のＭＲヘッ
ドにおいて、前者の磁気記録媒体上の記録トラックの幅
を狭くする方法を使用すると、ＭＲ素子２５の幅を狭く
する必要があることから、該素子２５の磁気的安定性が
劣化し、バルクハウゼンノイズが発生する現象がみられ
た。

【００１０】また、上記構成の従来のＭＲヘッド２１に
おいて、後者の線記録密度を高くする方法を使用する
と、信号波長が狭くなるために、磁気ギャップを狭く、
又、記録媒体の厚さを薄くする必要があり、信号磁界強
度が小さくなって、ヘッドの再生信号出力が小さくなる
問題があった。

【００１１】そこで本発明は、高密度記録に対応し、Ｍ
Ｒ素子膜の先端部のトラック幅を狭くしても磁気的安定
性を劣化させることがなく、しかも、再生信号出力を低
下させることのないＭＲヘッドを提供することを目的と
する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、磁気記録媒体
との対向面に対して長手方向が垂直となるように配され
た磁気抵抗効果素子と、上記磁気記録媒体との対向面に
臨み、磁気抵抗効果素子の先端側に積層される先端電極
と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電
極とを備えてなり、上記磁気抵抗効果素子は、金属人工
格子多層膜とされると共に、磁気記録媒体との対向面側
における先端部の素子幅に対して後端部の素子幅が広い
ことを特徴とする。

【００１３】また、本発明は、磁気記録媒体との対向面
に対して長手方向が垂直となるように配された磁気抵抗
効果素子と、上記磁気記録媒体との対向面に臨み、磁気
抵抗効果素子の先端側に積層される先端電極と、上記磁
気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極と、上記
磁気抵抗効果素子に対して先端電極と後端電極が形成さ
れる側に設けられる上部シールド磁性体と、上記磁気抵
抗効果素子に対して先端電極と後端電極が形成される側
とは反対側に設けられる下部シールド磁性体と、上記磁
気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイアス導体
とを備えてなり、上記磁気抵抗効果素子は、金属人工格
子多層膜とされると共に、磁気記録媒体との対向面側に
おける先端部の素子幅に対して後端部の素子幅が広いこ
とを特徴とする。

【００１４】また、上記磁気抵抗効果素子の先端部が凸
状であることを特徴とする。

【００１５】さらに、上記磁気抵抗効果素子の先端部の
素子幅が再生トラック幅であることを特徴とする。

【００１６】

【作用】本発明においては、ＭＲ素子を金属人工格子多
層膜で構成したことから、再生トラック幅に相当するＭ
Ｒ素子膜の先端部の素子幅を狭くしても、金属人工格子
多層膜のいわゆる「反強磁性交換相互作用」によりバル
クハウゼンノイズに寄与する磁区が存在せず、磁気的安
定性が劣化することがない。また、信号磁界波長を狭く
した場合の信号出力の低下は、金属人工格子多層膜の高
い磁気抵抗効果率で改善される。

【００１７】また、本発明においては、ＭＲ素子の平面
形状における上記後端部の素子幅を上記先端部の素子幅
よりも広く形成したことから、上記金属人工格子多層膜
による高抵抗値を低抵抗化することが可能となる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を用い
て詳細に説明する。

【００１９】図１は、本発明に係る第１の実施例に係る
ＭＲヘッド２１を示す断面図である。

【００２０】本実施例の磁気ヘッド２１は、図１に示す
ように、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）等からなる下部シー
ルド磁性体２３と上部シールド磁性体２９がヘッド摺動
面ｙに臨む再生ギャップを構成するように対向して配さ
れ、これら下部シールド磁性体２３と上部シールド磁性
体２９との間にＭＲ素子２５がその一端を媒体対向面ｙ
に臨ませるように配され構成されている。

【００２１】これら下部シールド磁性体２３及び上部シ
ールド磁性体２９とＭＲ素子２５間には、それぞれ絶縁
層２４ａ，２４ｂが介在され、磁気的に分離されてい
る。

【００２２】また、上記上部シールド磁性体２９は、媒
体対向面ｙ付近で屈曲した形状となされており、該上部
シールド磁性体２９と下部シールド磁性体２３間の距離
が媒体対向面ｙ側において狭まるようになされ、上部シ
ールド磁性体２９と下部シールド磁性体２３の先端部間
に再生用ギャップが形成されている。

【００２３】一方、下部シールド磁性体２３は、Ａｌ₂
０₃−Ｔｉｃ等の非磁性材料からなるスライダーと称さ
れる基板２２上に配置されている。上記ＭＲ素子２５の
媒体対向面ｙと反対側には、後端電極２７ＢがＭＲ素子
２５上に積層されるように接続されている。

【００２４】上記ＭＲ素子２５は、その長手方向が磁気
記録媒体、例えば磁気ディスクＤとの対向する媒体対向
面ｙに対し垂直となるように形成されている。そして、
このＭＲ素子２５の先端部２５ｄ上と後端部２５ｅ上に
は電極２７Ａ，２７Ｂが形成されている。このＭＲ素子
２５には、低い磁界で高い磁気抵抗変化率を示す金属人
工多層膜（Ｇｉａｎｔ−ＭＲ膜）が用いられている。金
属人工多層膜は、図３に示すように、膜厚の薄い磁性金
属層５１と非磁性層５０をスパッタリング等の手段によ
って、交互に何層にも積層することにより形成される。

【００２５】上記要件を満たす金属人工多層膜として
は、例えばＦｅ−ＮｉとＣｕとの組み合わせ、Ｆｅ−Ｃ
ｒとＣｕとの組み合わせ、ＣｏとＣｕとの組み合わせ、
Ｆｅ−Ｎｉ−ＣｏとＣｕの組み合わせのものが挙げられ
る。本実施例では、磁性金属層５１としてＦｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ、非磁性層５０としてＣｕを用い、磁性金属層５１
の膜厚を１．１ｎｍ、非磁性層８ｂの膜厚を２．２ｎｍ
としてこれらを交互にスパッタリングして、Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ層とＣｕ層の１組を１層としてそのトータル層数
が９層となるようにした。なお、磁性金属層５１と非磁
性層５０を成膜する手法としては、ＤＣマグネトロンス
パッタ装置を用いた高周波スパッタリング法又はイオン
ビームスパッタリング法が使用できる。

【００２６】本実施例においては、ＭＲ素子２５をこの
金属人工多層膜という超薄膜で構成されているものを用
いることにより、いわゆる「反強磁性交換相互作用」に
よる無磁界時の高抵抗の影響による発熱や消費電力の問
題を回避することが可能となる。

【００２７】そして、上記ＭＲ素子２５の形状は、図２
に示すように、平面形状において、トラック幅を形成す
る先端部２５ｄが凸状に形成されて、該凸状の先端部２
５ｄよりも後端部２５ｅの方が幅広とされたパターンと
して形成されてなる。このように、平面形状においてト
ラック幅を形成する先端部２５ｄを狭くし、後端部２５
ｅを広くする構造とすることにより、ＭＲ素子２５の抵
抗値を低く制御することができる。

【００２８】さらに、上記した先端電極２７Ａは、媒体
対向面ｙ上にその一部が露呈されることとなるため、こ
れを構成する材料としては、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃ
ｕ等の如き電導性を有し且つ非磁性の金属材料を用いる
ことが好ましい。

【００２９】一方、上記後端電極２７Ｂは、ＭＲ素子２
５の後端部２５ｅに積層されてなる。これを構成する材
料としては、先端電極２７Ａと同様、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｃｒ、Ｃｕ等の非磁性の金属材料が用いられる。

【００３０】また、上記ＭＲ素子２５の感磁部上には、
ＭＲ素子２５と直交して横切るように設けられ該ＭＲ素
子２５に所定の向きのバイアス磁界を与えるバイアス導
体２８が設けられている。このＭＲ素子２５とバイアス
導体２８との間には、やはりこれらの間の絶縁性を回避
するための絶縁膜２４ｃが介在されている。なお、この
バイアス導体２８には、例えば、電導性の良いＡｕ，Ｃ
ｕ等を用いる。

【００３１】また、ＭＲ素子２５に流すセンス電流ｉ
は、磁気ディスクＤからの信号磁界と同方向に流される
ようになされている。また、先端電極２７Ａと上部シー
ルド磁性体２９とは電気的に接続するも、ＭＲ素子２５
と上部シールド磁性体２９とは磁気的に絶縁されてい
る。したがって、先端電極２７Ａと上部シールド磁性体
２９との接続は、非磁性金属の先端電極２７Ａを用いて
行うようになされている。これにより、ＭＲ素子２５か
らみて上部シールド磁性体２９と先端電極２７Ａは同一
電極部となり、ＭＲ素子２５の先端部が電気的に安定す
る。

【００３２】すなわち、先端電極２７Ａと上部シールド
磁性体２９を電気的に導通させ媒体対向面ｙのＭＲ素子
２５の電位を略アース電位にして電気的信頼性を高める
構造とされている。したがって、製造プロセス中、或い
は、動作中における先端電極２７Ａと上部シールド磁性
体２９との不安定なノイズの発生も解消される。

【００３３】かかる構成の薄膜ヘッド２１によれば、動
作中、もしくは立ち上げ時、停止時ＭＲヘッド２５が帯
電した磁気ディスクＤの面に接触しても、ほとんどの電
荷は大面積、大容量の支持基板２２を通して接地電位に
排出され、しかも接地電位がＭＲ素子２５と独立である
ため、電荷がＭＲ素子２５の回路に流れ込んで破損した
りノイズ要因となることがない。

【００３４】次に、本実施例に係るＭＲヘッド２１によ
って情報の再生を行う場合と、その結果得られた実験結
果について説明する。

【００３５】まず、図１に示すように、アンプ部３５内
の定電流源３６によってＭＲ素子２５の電気抵抗変化を
先端電極２７Ａと後端電極２７Ｂとの間の電圧変化に変
換し、この電圧変化をアンプ部３５内の増幅器３７を介
して出力部３８より薄膜ヘッド２１の出力信号として取
り出す。すなわち、上記ＭＲ素子２５が磁気記録媒体か
らの漏洩磁束を受けると、その磁束によってＭＲ素子２
５の磁化の向きが回転し、ＭＲ素子２５内部に流れるセ
ンス電流ｉの向きに対して磁束量に応じた角度をもつよ
うになる。そのため、ＭＲ素子２５の電気抵抗値が変化
し、この変化量に応じた電圧変化がＭＲ素子２５の両端
の電極２７Ａ，２７Ｂで生じる。この電圧変化をアンプ
部３５内の増幅器３７を介して出力部３８より薄膜ヘッ
ド１の出力信号として取り出すようになす。

【００３６】このようにして、本実施例について情報の
再生を行った結果については、まず、本実施例に係るＭ
Ｒ素子２５は、図２に示すように、その平面形状におい
てトラック幅を形成する先端部２５ｄを狭くし、後端側
２５ｅを広くする構造となされている。この点、従来の
ＭＲヘッド２１に係るＭＲ素子の平面形状は、図６に示
すように、略長方形パターンとして形成されていた。そ
こで、これら両者のＭＲ素子２５の電気抵抗値を比較し
た。

【００３７】なお、情報の再生を行った結果について
は、ＭＲ素子２５の平面形状が、上記のような凸状のも
のに限らず、後端側２５ｂから先端部２５ａが向かって
徐々に幅狭のテーパ形状のものも併せて測定した。

【００３８】これらＭＲ素子膜の平面形状とその具体的
設定寸法を表１に示す。この表１中、「Ａ」が従来のＭ
Ｒ素子で、「Ｂ」が上記ＭＲ素子２５の平面形状を後端
部２５ｅから先端部２５ｄに向かって徐々に幅狭のテー
パ形状になるように形成してなるＭＲ素子で、「Ｃ」が
本実施例に係るＭＲ素子である。

【００３９】

【表１】

【００４０】そして、上記各ＭＲ素子における電気抵抗
値を表２に示す。なお、この表２における「パーマロイ
／膜厚＝２５×２ｎｍ」とは、図５に示す従来のもの
で、磁気的絶縁中間膜２５ａの膜厚が２ｎｍで、この磁
気的絶縁中間膜２５ａを介して上下に積層される２層の
磁性体膜２５ｂ，２５ｃの膜厚が２５ｎｍであることを
示す。

【００４１】

【表２】

【００４２】上記表２から明らかなように、ＭＲ素子２
５の平面形状においてトラック幅を形成する先端側２５
ｄを狭くし、後端側２５ｅを広くする構造となされてな
る「Ｂ」及び「Ｃ」のＭＲ素子２５の電気抵抗値が低い
ことがわかる。したがって、ＭＲ素子２５を金属人工格
子多層膜（Ｇｉａｎｔ−ＭＲ膜）のように超薄膜で構成
すると、金属人工格子多層膜による「反強磁性交換相互
作用」による無磁界時の高抵抗の影響による発熱や消費
電力の問題を回避することが可能となる。

【００４３】そして、ＭＲ素子２５の平面形状は、
「Ｂ」の場合よりも、本実施例の「Ｃ」の場合の方が電
気抵抗値が低いことがわかる。したがって、ＭＲ素子２
５の平面形状は、上記ＭＲ素子２５の先端部２５ｄを凸
状に形成することが好ましい。次に、本実施例に係るＭ
Ｒヘッドと従来のＭＲヘッドにおけるトラック幅とバル
クハウゼンノイズの発生状態を比較した。表３に、ＭＲ
素子としてパーマロイを用いたＭＲヘッドと比較して金
属人工格子多層膜（Ｇｉａｎｔ−ＭＲ膜）をＭＲ素子と
して用いたＭＲヘッドのトラック幅とバルクハウゼンノ
イズ（表３中、「Ｂ．Ｎ」は、バルクハウゼンノイズを
表す。）の発生状態を示した。

【００４４】

【表３】

【００４５】表３から明らかなように、本実施例に係る
ＭＲ素子２５を金属人工格子多層膜（Ｇｉａｎｔ−ＭＲ
膜）により構成した場合は、いわゆる「反強磁性交換相
互作用」により１μｍという狭トラック幅においても磁
区の発生によるバルクハウゼンノイズがなく安定動作が
実現することがわかる。

【００４６】また、本実施例に係るＭＲヘッド２１によ
れば、ＭＲ素子２５の先端部２５ａの電極２７Ａと上部
シールド磁性体２９とは電気的に接続するようにしてな
るので、ＭＲ素子２５からみて上部シールド磁性体２９
とは同一の電極部となる。これにより、先端電極２７Ａ
の金属層からＭＲ素子２５の電極を引き出す場合でも、
或いは、上部シールド磁性体２９から同じくＭＲ素子２
５の電極を引き出す場合でも上部シールド磁性体２９と
先端電極２７Ａは常に同電位に近くになり、電気的にＭ
Ｒ素子２５の先端部が安定する。したがって、従来のＭ
Ｒ素子２５の先端電極２７Ａと上部シールド磁性体２９
間の絶縁層２４ｃが薄いために生じ易いＭＲ素子２５の
先端部が安定する。

【００４７】また、従来のＭＲ素子２５の先端部２５ａ
の電気的不安定性さが解消され、再生時の特性が安定
し、非定常的なノイズも解消することができる。さら
に、磁気記録媒体からの磁気信号が、ＭＲ素子２５に入
り込み磁気抵抗効果を生ずる際に、金属人工多層膜によ
る大きい磁気抵抗効果により、磁気媒体からの信号磁界
を一層高効率の再生出力として得ることができる。表４
にＭＲ素子としてパーマロイを用いたＭＲヘッド２１と
比較して、本実施例に係るＭＲヘッド２１の再生出力の
トラック幅依存性を示した。

【００４８】

【表４】

【００４９】上記表４は、ヘッド数が１０個の平均値
で、再生出力の比較を示したものである（ＴAA（μＶｐ
−ｐ））。また、Ｉｓ：５〜１２ｍＡ，Ｉｂ：１５〜２
３ｍＡ，フライングハイト（ＦＨ）：０．１０μｍ，磁
気記録媒体：２５０ＧａｕｓｓμｍＡ，周波数：１．３
３ＭＨ_Zの測定条件で測定した結果である。

【００５０】表４から金属人工格子多層膜の大きい磁気
抵抗効果により磁気媒体からの信号磁界をより高効率の
再生出力が得られることがわかる。

【００５１】最後に、本実施例のＭＲヘッドの製作を工
程順に説明すると、支持基体２２上に下部シールド磁性
体２３、絶縁層２４ａ、ＭＲ素子２５及び絶縁層２４ａ
を順次形成した後、絶縁層２４ｂをパターニングし、次
いで絶縁層２４ｂ上にバイアス導体２８と、ＭＲ素子２
５の先端部２５ｄと後端部２５ｅに接続する先端電極２
７Ａ及び後端電極２７Ｂを同じ導電材で同時に形成す
る。

【００５２】次に、上記絶縁層２４ａ上にスパッタ装置
により、バイアス導体２８及び後端電極２７Ｂを絶縁層
２４ｃで被覆する。そして、上部シールド磁性体２９を
形成し、その後、鎖線位置（図１中、矢印ｙで示す。）
まで研磨して媒体対向面ａを形成して、ＭＲヘッド２１
を構成する。

【００５３】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、上記ＭＲ素子を金属人工格子多層膜で構成す
るとともに、このように構成されたＭＲ素子の平面形状
における上記後端部の素子幅を上記先端部の素子幅より
も広く形成したことから、ＭＲの先端のトラック幅を狭
くしても、再生信号の向上を図ることができるととも
に、上記金属人工格子多層膜のいわゆる「反強磁性交換
相互作用」により、磁区の発生によるバルクハウゼンノ
イズを回避し、磁気的安定性が図られる。また、信号磁
界波長を狭くした場合の信号出力の低下は、金属人工格
子多層膜の高い磁気抵抗効果率で改善される。

【００５４】さらに、ＭＲ素子の平面形状における上記
後端部の素子幅を上記先端部の素子幅よりも広く形成し
たことから、上記金属人工格子多層膜による高抵抗値を
低抵抗にして、発熱や消費電力の低減を実現することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＭＲヘッドの一実施例の概略構成
を示す断面図である。

【図２】上記ＭＲヘッドのＭＲ素子膜を示す斜視図であ
る。

【図３】上記ＭＲヘッドに係る金属人工多層膜を用いた
ＭＲ素子を示す要部拡大断面図である。

【図４】従来のＭＲヘッドを示す断面図である。

【図５】上記ＭＲヘッドのＭＲ素子を示す要部拡大断面
図である。

【図６】上記のＭＲヘッドのＭＲ素子膜を示す斜視図で
ある。

【符号の説明】

２１ＭＲヘッド２２支持基体２３，２９シールド磁性体２４ａ，２４ｂ，２４ｃ絶縁層２５ｄＭＲ素子の先端部２５ｅＭＲ素子の後端部２７Ａ，２７Ｂ電極２８バイアス導体５０非磁性膜５１磁性膜Ｄ磁気ディスクａ，ｙ媒体対向面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者菅原淳一東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録媒体との対向面に対して長手方
向が垂直となるように配された磁気抵抗効果素子と、上記磁気記録媒体との対向面に臨み、磁気抵抗効果素子
の先端側に積層される先端電極と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極と
を備えてなり、上記磁気抵抗効果素子は、金属人工格子多層膜とされる
と共に、磁気記録媒体との対向面側における先端部の素
子幅に対して後端部の素子幅が広いことを特徴とする磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】磁気記録媒体との対向面に対して長手方
向が垂直となるように配された磁気抵抗効果素子と、上記磁気記録媒体との対向面に臨み、磁気抵抗効果素子
の先端側に積層される先端電極と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、上記磁気抵抗効果素子に対して先端電極と後端電極が形
成される側に設けられる上部シールド磁性体と、上記磁気抵抗効果素子に対して先端電極と後端電極が形
成される側とは反対側に設けられる下部シールド磁性体
と、上記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイア
ス導体とを備えてなり、上記磁気抵抗効果素子は、金属人工格子多層膜とされる
と共に、磁気記録媒体との対向面側における先端部の素
子幅に対して後端部の素子幅が広いことを特徴とする磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】磁気抵抗効果素子の先端部が凸状である
ことを特徴とする請求項１又は２記載の磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】磁気抵抗効果素子の先端部の素子幅が再
生トラック幅であることを特徴とする請求項１又は２記
載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。