JPH08321013A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＭＩ素子（磁気インピーダンス効果を利用し
た磁気検出素子）を用いた再生用の磁気ヘッドであっ
て、磁気記録情報の再生と略一様な磁界の検出とを高感
度に行なえる構成を提供する。 【構成】 先端面が媒体摺動面２ａとして形成された非
磁性基板３上に、ＭＩ素子本体として高透磁率磁性膜
５，６が摺動面２ａから離間して配置され、絶縁膜を介
して摺動面側にギャップが形成された閉磁路を構成す
る。高透磁率磁性材からなるリード膜１３，１５が絶縁
膜を介し磁性膜５，６の摺動面側端部に重なって摺動面
まで延びている。磁性膜５，６に導電膜からなる３つの
電極１０〜１２が接続されている。再生時には電極１
０，１２を介し磁性膜５，６の両方に高周波のドライブ
電流が流され、一様磁界の検出時には電極１０，１１を
介して磁性膜５のみにドライブ電流が流される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体に磁気記
録された情報の再生を行なう再生用の磁気ヘッド及びそ
の製造方法に関し、特に磁気インピーダンス効果を利用
した磁気検出素子を用いた再生用の磁気ヘッド及びその
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近のディジタル磁気記録機器は小型化
が進み、例えば、コンピュータの外部記憶装置のハード
ディスクや、ディジタルオーディオのディジタルコンパ
クトカセット（ＤＣＣ）に於いて、従来の誘導型の磁気
ヘッドではトラック幅及び相対速度の減少によるＳ／Ｎ
の低下が生じるため、再生ヘッドに磁気抵抗効果素子
（以下、ＭＲ素子と略す）が使われている。しかしＭＲ
素子は媒体の速度依存性が無く、低速での出力の取り出
しに向いているが、抵抗変化率が数％しかないため、将
来の高密度化の為には更に感度の高い素子の開発が望ま
れている。

【０００３】そこで、最近注目を集めているのが、磁気
インピーダンス効果を利用した磁気検出素子（以下、Ｍ
Ｉ素子という）であり、磁性体に数ＭＨｚ帯域の高周波
電流を流し、その両端の電圧の振幅が数ガウスの微小磁
界で数十％変化する現象を利用したものである。

【０００４】この素子の利点は、磁性体の長さ方向に励
磁しないため反磁界の影響が無く、素子の長さを１ｍｍ
以下程度に短くでき小型化に適していること、また、磁
束検出の分解能が、ＭＲ素子が０．１Ｏｅの低感度に対
して、１０^-5Ｏｅ程度の高感度が得られることである。
また、インピーダンス変化量もＭＲ素子が３％程度に対
しＭＩ素子は数１０％オーダーの変化が得られる。

【０００５】インピーダンスの変化率は、素子本体の磁
性体の比抵抗に関わる渦電流（表皮深さ）、磁性体の厚
さ、そしてドライブ電流の周波数により決まる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、例えばＭＩ
素子本体の磁性体を略長方形の高透磁率磁性膜としてＭ
Ｉ素子の磁路が開いた形態で使用すると、磁気記録媒体
（以下、媒体と略す）の磁気記録による微小磁化の磁界
を検出して磁気記録情報の再生を行なう場合、以下に述
べるような問題が生ずる。

【０００７】すなわち、通常ＭＲ素子は素子本体の磁性
体を数百オングストロームの厚さで機能させるのに対し
ＭＩ素子は渦電流の効果を使うためにミクロンオーダー
の厚さが必要であり、性能上でインピーダンスをある程
度の大きさを得るためには、ＭＩ素子の方が素子本体の
磁性体の長さを必要とする。実際の長さとして、ＭＲ素
子が１００μｍ以下でも機能できるのに対しＭＩ素子は
１００μｍ以下で機能させるのは困難である。

【０００８】しかし、媒体の記録波長が短くなると、媒
体の記録磁化から発生する磁束が出にくくなり、素子本
体が例えば略長方形のＭＩ素子では、媒体からの磁束を
素子本体の奥深くまで導くことが困難となる。このこと
は磁路がオープンの形態では感度の高いＭＩ素子もその
能力が生かせないことを意味する。

【０００９】そこで、ＭＩ素子の能力を生かすための方
法としては、媒体からの磁束が素子本体の磁性体に十分
に印加されるように、閉磁路の構造をとることになる
が、その場合、以下の点を満足する必要がある。

【００１０】１）ＭＩ素子本体の磁性体にはドライブ電
流を流すため、磁気ヘッドの媒体摺動面にＭＩ素子本体
をそのまま露出させると、蒸着媒体の様な金属媒体では
媒体を通じてドライブ電流が流れ出てしまう恐れがあ
る。

【００１１】２）磁気ヘッドの媒体摺動面にＭＩ素子本
体の先端面を露出させる構成では、その先端面の幅と厚
さが磁気ヘッドのトラック幅、磁気ギャップ幅となる
が、その必要とされる寸法はＭＩ素子の特性最適化の為
の断面の寸法と一致しない。

【００１２】例えば短波長磁化の再生では、サブμｍ程
度の厚さが必要になるが、その厚さでは渦電流が稼げず
機能面では数μｍの厚さが要求され、両者を一致させる
ことが困難である。

【００１３】３）生産性に優れていること。

【００１４】そこで本発明の課題は、ＭＩ素子の能力を
生かす閉磁路の構造と、磁路がオープンの構造とを兼ね
備えた磁気ヘッドであって、上記の点を満足し、高感度
で磁気記録情報の再生を行え記録の高密度化に対応でき
るとともに、比較的大きな磁石などによる略一様な磁界
の検出も高感度に行なえる磁気ヘッド及びその製造方法
を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明によれば、磁気インピーダンス効果を利用し
た磁気検出素子を用いた再生用の磁気ヘッドであって、
先端面が磁気記録媒体摺動面として形成された非磁性基
板と、該基板上で前記摺動面から離間して前記摺動面に
対し略垂直に配置され、絶縁膜を介して前記摺動面側に
ギャップが形成された閉磁路を構成する略長方形の２層
の高透磁率磁性膜からなる磁気検出素子本体と、それぞ
れ絶縁膜を介して前記２層の高透磁率磁性膜の前記摺動
面側端部のそれぞれに重なって互いに絶縁膜を挟んで対
向し前記摺動面まで延びる高透磁率磁性材からなる２層
のリード膜と、それぞれ前記２層の高透磁率磁性膜の前
記摺動面側端部と、一方の高透磁率磁性膜の前記摺動面
と反対側の端部に接続された導電膜からなる３つの電極
を有し、前記３つの電極を介して前記２層の高透磁率磁
性膜の両方または一方のみに高周波電流を印加し、外部
磁界による前記２層の高透磁率磁性膜の両方または一方
のみのインピーダンス変化を電気信号に変換して出力を
得るようにした構成を採用した。

【００１６】また、この磁気ヘッドの製造方法であっ
て、非磁性基板上に、前記磁気検出素子本体の２層の高
透磁率磁性膜と２層のリード膜のそれぞれを形成するた
めの高透磁率磁性膜のそれぞれと、前記３つの電極のそ
れぞれを形成するための導電膜のそれぞれと、各膜間の
絶縁を行なう絶縁膜のそれぞれとを積層して成膜する工
程と、該工程後に、前記各膜の積層をエッチングし、前
記磁気検出素子本体、リード膜、電極、絶縁膜からなる
磁気検出素子のパターンを所定間隔で複数形成する工程
と、該工程後に、前記非磁性基板上に他の非磁性基板を
接合し、ヘッドブロックを得る工程と、前記ヘッドブロ
ックを所定間隔で切断して複数の磁気ヘッドを得る工程
とを有する方法を採用した。

【００１７】

【作用】上記本発明の磁気ヘッドの構成において、媒体
の微小磁化の磁界を検出して再生を行なう場合、２層の
高透磁率磁性膜の両方に高周波電流を流す。媒体の微小
磁化の磁界の磁束は媒体摺動面から２層のリード膜を介
して２層の高透磁率磁性膜に印加される。２層の高透磁
率磁性膜は閉磁路を構成しているので、磁束はその閉磁
路を流れ、２層の高透磁率磁性膜に充分に印加される。
そして、その磁束による２層の高透磁率磁性膜の両方の
インピーダンス変化を電気信号に変換して出力を得て再
生を行なうことができる。

【００１８】ここで２層の高透磁率磁性膜は媒体摺動面
から離間しており、媒体摺動面に露出するリード膜は絶
縁膜により高透磁率磁性膜と絶縁されているので、高周
波電流が媒体側に流出することはない。また、上記磁気
ヘッドの構成によれば、磁気検出素子本体の２層の高透
磁率磁性膜と２層のリード膜とは別体であり、それぞれ
の幅、厚さ等を別々に設定できるので、２層の高透磁率
磁性膜は磁気検出素子本体の特性に最適な幅、厚さを自
由に選択でき、リード膜は要求されるトラック幅とギャ
ップ幅に対応して幅、互いの間の距離を最適に選択でき
る。従って、高感度で良好に再生を行なうことができ
る。

【００１９】また、略一様な磁界を検出するときは、２
層の高透磁率磁性膜の一方に高周波電流を流す。一様な
磁界の磁束は２層の高透磁率磁性膜のそれぞれの全長に
わたって充分に印加され、その磁束に応じた前記一方の
高透磁率磁性膜のインピーダンス変化を電気信号に変換
して出力を得ることができる。前記一方の高透磁率磁性
膜の有効長は非磁性基板上で充分に確保できるので、高
感度に検出を行なうことができる。

【００２０】また、上記本発明の製造方法によれば、１
つのヘッドブロックから多数の磁気ヘッドを１度に得る
多数個取りが可能である。

【００２１】

【実施例】以下、図を参照して本発明の実施例を説明す
る。

【００２２】［第１実施例］図１及び図２は本発明の磁
気ヘッドの第１実施例の構造を説明するものである。

【００２３】図１において、１は媒体（磁気テープ）で
あり、２は媒体１に磁気記録された情報の再生を行う本
実施例の磁気ヘッドであり、その先端面が媒体１と摺動
接触する媒体摺動面２ａとして形成されている。

【００２４】磁気ヘッド２は、非磁性基板３，４、ＭＩ
素子本体を構成する２層の高透磁率磁性膜（以下、磁性
膜と略す）５，６、この磁性膜５，６に外部磁界の磁束
を導くリード膜１３，１５、磁性膜５，６に高周波のド
ライブ電流を印加し出力を得るための端子としての電極
１０，１１，１２、及び前記の各膜間の絶縁を行なうた
めの図２に示された絶縁膜７，８，９，１６，１７から
構成される。

【００２５】非磁性基板３，４の先端面が媒体摺動面２
ａとして形成され、非磁性基板３の媒体摺動面２ａに対
し垂直な表面に、図２に示されているように、順に電極
１０，絶縁膜７，磁性膜５，絶縁膜１６と電極１１，リ
ード膜１３，絶縁膜８，リード膜１５，絶縁膜１７，磁
性膜６，絶縁膜９，電極１２が積層され、その上に不図
示の溶着用のガラスを介して非磁性基板４が接合され
る。

【００２６】磁性膜５，６は、高透磁率のＦｅ−Ｃｏ−
Ｂ系アモルファス磁性膜やＦｅ−Ｔａ−Ｎ系、Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｃ系等の微結晶膜として真空成膜技術を使用して形
成され、媒体摺動面２ａに対し垂直な非磁性基板３の表
面において、媒体摺動面２ａからわずかに離間した位置
に設けられ、媒体摺動面２ａに対し垂直に所定の長さＤ
ｓ、Ｄｓ′と幅Ｗｓの長方形で所定の厚さＴｓ，Ｔｓ′
に形成されている。厚さＴｓ、Ｔｓ′はドライブ電流の
最適周波数を決定し、厚くなると周波数特性が悪くなる
ので２０μｍ以下の厚さが望ましい。

【００２７】磁性膜６は磁性膜５より短く形成され、絶
縁膜（非磁性膜）８を挟んで磁性膜５の先端部（媒体摺
動面２ａ側の端部）上に積層され、後端部が絶縁膜８の
後端面に沿って磁性膜５の中間部に接続されている。す
なわち、磁性膜５，６により、絶縁膜８を介して媒体摺
動面２ａ側にギャップが形成された閉磁路が構成されて
いる。また、磁性膜５，６は、磁化容易軸方向が図２
（ｂ）中矢印の通り磁性膜５，６の幅方向、つまり磁性
膜５，６の膜面内で媒体摺動面２ａに平行なトラック幅
方向になるように磁気異方性が付けられている。

【００２８】リード膜１３，１５は、センダスト、パー
マロイ、アモルファス、微結晶膜等の高透磁率磁性膜か
らホームベース形状に形成され、互いに絶縁膜８を挟ん
で対向し、媒体摺動面２ａの縁から図２（ａ）に示す所
定の長さＤｍで形成されており、その後端部の長さＤｇ
の部分が薄い絶縁膜１６，１７を介して磁性膜５，６の
先端部（媒体摺動面２ａ側の端部）にそれぞれ重なり、
磁気的に接続されている。すなわちリード膜１３，１５
により上記の磁性膜５，６の閉磁路のギャップ側が媒体
摺動面２ａまで延長されている。

【００２９】リード膜１３，１５の長さＤｍは後述の理
由により１５０μｍ以下とする。リード膜１３，１５の
磁性膜５，６と重なる接続部の長さＤｇは、接続部の磁
気抵抗を下げるために必要であり、１００μｍ以下に設
定するのが良い。また絶縁膜７，９，１６，１７の厚さ
Ｇｍ，Ｇｍ′も同様の理由で１μｍ以下が望ましい。

【００３０】リード膜１３，１５の媒体摺動面２ａに露
出する先端部間の距離であるギャップ幅Ｇｗは、誘導型
磁気ヘッドの磁気ギャップの幅と同様に周波数特性を決
めるもので、媒体の最短記録ビット長以下１／２以上の
範囲が望ましい。また媒体摺動面２ａに露出する先端の
幅であるトラック幅Ｔｗは再生のトラック幅にあたり磁
性膜５，６の幅Ｗｓより絞り込まれている。

【００３１】一方、電極１０，１１，１２は、Ｃｕ，Ａ
ｕ等の導電膜として形成され、電極１０は絶縁膜７を挟
んで磁性膜５の先端部に接続され、電極１１は磁性膜５
の後端部に接続され、電極１２は絶縁膜９を挟んで磁性
膜６の先端部に接続されている。このように磁性膜５の
先端部と後端部および磁性膜６の後端部から端子の電極
１０，１１，１２が引き出され、３端子構造となってい
る。

【００３２】また、電極１０，１１，１２は磁性膜５，
６と幅が同じで略長方形に形成され、磁性膜５，６に沿
って磁性膜５，６の後端部側に引き出されており、非磁
性基板３より短い非磁性基板４の背後に電極１２の後端
部、電極１１の全部、電極１０の後端部が端子として露
出する。それぞれの露出部分は位置がずれており、面積
を確保できるので、ワイヤー等の接続による端子からの
引き出しは容易に行なえる。

【００３３】このような構成において、媒体に磁気記録
された微小磁化の磁界を検出して磁気記録情報の再生を
行なえるとともに、磁石などによる略一様な磁界を検出
することができる。

【００３４】すなわち、媒体の微小磁化の磁界を検出し
て再生を行なう場合は、電極１０，１２間に高周波のド
ライブ電流を印加することにより磁性膜５，６の両方に
ドライブ電流を流す。媒体の微小磁化の磁界の磁束は媒
体摺動面２ａからリード膜１３，１５を介して磁性膜
５，６に印加され、リード膜１３，１５と磁性膜５，６
により構成される閉磁路を流れ、磁性膜５，６に充分に
印加される。そして、その磁束による磁性膜５，６の両
方のインピーダンス変化により電極１０，１２間の電圧
が変化し、その電気信号が再生出力として取り出され
る。

【００３５】ここで磁性膜５，６は媒体摺動面２ａから
離間しており、媒体摺動面２ａに露出するリード膜１
３，１５は絶縁膜１６，１７により磁性膜５，６と絶縁
されているので、ドライブ電流が媒体側に流出すること
はない。また、磁性膜５，６とリード膜１３，１５とは
別体であり、それぞれの幅、厚さ等を別々に設定できる
ので、磁性膜５，６はＭＩ素子本体の特性に最適な幅、
厚さを自由に選択でき、リード膜１３，１５は要求され
るトラック幅とギャップ幅に対応して先端の幅、互いの
間の距離を最適に選択できる。従って、高感度で良好に
再生を行なうことができる。

【００３６】一方、略一様な磁界を検出するときは、電
極１０，１１間にドライブ電流を流して磁性膜５のみに
ドライブ電流を流す。一様な磁界の磁束は磁性膜５，６
のそれぞれの全長にわたって充分に印加され、その磁束
に応じて磁性膜５のインピーダンスが変化して電極１
０，１１間の電圧が変化し、その電気信号が検出出力と
して取り出される。ここで磁性膜５の有効長は非磁性基
板３上で充分に確保できるので、高感度に検出を行なう
ことができる。

【００３７】このように本実施例の磁気ヘッドでは媒体
の微小磁化の磁界の検出による磁気記録情報の再生と、
磁石などによる略一様な磁界の検出とを高感度に良好に
行なうことができる。

【００３８】ところで上述したリード膜１３，１５の媒
体摺動面２ａに垂直な方向の全長Ｄｍを１５０μｍ以下
とする理由を述べておく。

【００３９】リード膜の全長ＤｍによるＭＩ素子の出力
特性への影響を調べた。ＭＩ素子本体の磁性膜５，６に
はＦｅ−Ｃｏ−Ｂ膜を用い、寸法は幅Ｗｓ＝０．２ｍ
ｍ、長さＤｓ＝１ｍｍ、厚さＴｓ，Ｔｓ′＝５μｍに設
定した。リード膜１３，１５はセンダスト膜とし、磁性
膜５，６の先端部に厚さ０．３μｍの絶縁膜１６，１７
を介して重なるように形成し、厚さを１μｍ、先端のト
ラック幅Ｔｗを６０μｍに選択した。そしてリード膜１
３，１５の磁性膜５，６と重なる接続部の長さＤｇは５
０μｍに固定し、リード膜１３，１５の全長Ｄｍを異な
らせて出力特性への影響を調べた。その方法として、リ
ード膜１３，１５の先端に重なるように微小な長さ１ｍ
ｍの磁石を媒体摺動面２ａに置き、リード膜１３，１５
の長さＤｍを変えたサンプルのそれぞれの出力を測定
し、その磁石の有無による外部磁界の印加の有無での電
極１０，１２間の電圧の変化量を比較した。

【００４０】その結果を図３に示す。ＤｍからＤｇの長
さを引いた値で見て、数値が大きくなると変化量は小さ
くなる傾向が現れているが、Ｄｍ−Ｄｇ＝０を基準に出
力−１ｄＢを許容の目安とするとＤｍ−Ｄｇ＝１００μ
ｍ以下、すなわちＤｍ＝１５０μｍ以下が必要になる。
それ以上は急激な出力低下となり、磁石の磁束が十分に
引き込めなくなりリード膜１３，１５の機能が低下する
ことが判る。このようなことからリード膜１３，１５の
全長Ｄｍを１５０μｍ以下とした。

【００４１】次に、本実施例の磁気ヘッドの製造方法に
ついて、図４〜図７を用いて説明する。

【００４２】まず図４（ａ）に示すように、非磁性材で
ある結晶化ガラス、セラミック等からなる長方形の非磁
性基板３０の表面に平面研磨を行う。この非磁性基板３
０は先述の実施例の磁気ヘッドの非磁性基板３がトラッ
ク幅方向に複数個分連続したものに相当する。

【００４３】次に図４（ｂ）に示すように、先述のＭＩ
素子本体にドライブ電流を印加するための電極１０とな
るＣｕ，Ａｕ膜等の導電膜１００を真空成膜技術により
成膜する。

【００４４】次に図４（ｃ）に示すように、先述の絶縁
膜７となるＳｉＯ₂，ＴｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃等の酸化物の絶
縁膜７０を真空成膜技術により厚さ１μｍ以下で所定幅
に形成する。

【００４５】次に図４（ｄ）に示すように、磁性膜５と
なるアモルファス、又は微結晶膜等の高透磁率磁性膜５
０を図２中の長さＤｓに相当する幅で形成する。この磁
性膜５０は、ＭＩ素子本体として機能させるために、磁
化容易軸を矢印の方向に配向させる必要があり、その配
向は磁場中冷却や成膜時の入射角変更等により行う。

【００４６】次に図４（ｅ）に示すように、前述の磁性
膜５とリード膜１３とを電気的に絶縁するための絶縁膜
１６となるＳｉＯ₂，ＴｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃等の酸化物の絶
縁膜１６０を真空成膜技術により厚さ１μｍ以下で媒体
摺動面側となる図中手前側の側縁に沿って形成する。

【００４７】次に図５（ａ）に示すように、先述の媒体
摺動面から磁性膜５に磁束を導くためのリード膜１３と
なるセンダスト、パーマロイ、アモルファス等の高透磁
率の金属磁性膜１３０を図中手前側の側縁に沿って成膜
する。その幅は前述した図２中のＤｍであり、Ｄｍは前
述した理由によりＭＩ素子本体の磁性膜と重なる接続部
の長さＤｇを１００μｍ以下で例えば５０μｍとして、
１５０μｍ以下とする。

【００４８】次に図５（ｂ）に示すように、先述のギャ
ップ幅Ｇｗを決める絶縁膜８となるＳｉＯ₂，ＴｉＯ₂，
Ｃｒ₂Ｏ₃等の酸化物の絶縁膜８０を真空成膜技術により
図中手前側の側縁に沿って形成する。この酸化物膜８０
の厚さは、再生時の媒体の最短記録ビット長以下、１／
２以上が望ましい。

【００４９】次に図５（ｃ）に示すように、先述のＭＩ
素子本体にドライブ電流を印加するための電極１１とな
るＣｕ，Ａｕ膜等の導電膜１１０を真空成膜技術により
成膜する。

【００５０】次に図５（ｄ）に示すように、先述の媒体
摺動面から磁性膜６に磁束を導くための第２のリード膜
１５となるセンダスト、パーマロイ、アモルファス等の
高透磁率の金属磁性膜１５０を図中手前側の側縁に沿っ
て成膜する。その幅ＤｍおよびＭＩ素子本体の磁性膜と
重なる部分の幅Ｄｇは図５（ａ）の金属磁性膜１３０と
同じとする。

【００５１】次に図５（ｅ）に示すように、磁性膜６と
リード膜１５とを電気的に絶縁するための絶縁膜１７と
なる、ＳｉＯ₂，ＴｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃等の酸化物の絶縁膜
１７０を真空成膜技術により厚さ１μｍ以下で所定幅に
形成する。

【００５２】次に図６（ａ）に示すように、磁性膜６と
なるアモルファス、又は微結晶膜等の高透磁率磁性膜６
０を図２中の長さＤｓ′に相当する幅で奥側の縁が高透
磁率磁性膜５０に接するように形成する。この磁性膜６
０は、ＭＩ素子本体として機能させるために、磁化容易
軸を矢印の方向に配向させる必要があり、その配向は磁
場中冷却や成膜時の入射角変更等により行う。

【００５３】次に図６（ｂ）に示すように、先述の絶縁
膜９となるＳｉＯ₂，ＴｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃等の酸化物の絶
縁膜９０を真空成膜技術により厚さ１μｍ以下で所定幅
に形成する。

【００５４】次に図６（ｃ）に示すように、先述の磁性
膜５，６にドライブ電流を印加するための電極１２とな
るＣｕ，Ａｕ膜等の導電膜１２０を真空成膜技術により
成膜する。

【００５５】この時点での断面は図６（ｄ）の通り、非
磁性基板３０上に下から導電膜１００，絶縁膜７０，磁
性膜５０，絶縁膜１６０，金属磁性膜１３０，導電膜１
１０と絶縁膜８０，金属磁性膜１５０，絶縁膜１７０，
磁性膜６０，絶縁膜９０，導電膜１２０の順に積層され
ている。

【００５６】次の工程では、不図示のレジスト膜を形成
後、図７（ａ）の通り、媒体摺動面におけるトラック幅
ＴｗとＭＩ素子の幅Ｗｓが残るようにして、真空技術の
ドライエッチング又は化学的なウエットエッチング等に
より、上記各膜の積層をエッチングし、前述の磁性膜
５，６、電極１０，１１，１２、リード膜１３，１５、
絶縁膜７，８，９，１６，１７からなるＭＩ素子１８の
パターンをトラック幅方向に所定間隔で複数形成する。

【００５７】その上に露出させるべき電極部を除くよう
に、不図示の低融点ガラス膜を図中前半部に真空成膜技
術で成膜しておき、その上に図７（ｂ）に示すように、
非磁性基板３０と同材質で幅の狭い非磁性基板４０を基
板３０の表面上に重ねガラス接合し、ヘッドブロック２
０を得る。基板４０は勿論、基板４となるものである。

【００５８】そして、図７（ｃ）の通り、ヘッドブロッ
ク２０の媒体摺動面となる手前側の面を円筒研削した
後、点線で示す通りトラック幅となる長手方向に所定間
隔でヘッドブロック２０を切断することにより、本実施
例の磁気ヘッドが一度に多数個得られる。

【００５９】以上のように多数個取りが可能であり、本
実施例の磁気ヘッドを安価に製造することができる。

【００６０】［第２実施例］上記第１実施例では、非磁
性基板３上に磁性膜５，６、絶縁膜７，８，９，１６，
１７、電極１０，１１，１２、リード膜１３，１５から
なるＭＩ素子１８を１個だけ設けた１トラックの磁気ヘ
ッドとしたが、図８に第２実施例として示す通り、非磁
性基板３上にＭＩ素子１８をトラック幅方向に所定間隔
で複数設けてマルチトラックの磁気ヘッドを構成するこ
ともできる。

【００６１】このマルチトラックの磁気ヘッドを製造す
る場合、先述した製造工程の図７（ａ）の工程で形成す
るＭＩ素子１８のトラック幅方向の間隔を図８に示され
る間隔とし、図７（ｃ）の工程でヘッドブロック２０を
切断する長手方向（トラック幅方向）の間隔を複数トラ
ック分に見合った寸法とすればよい。このように容易に
マルチトラックの磁気ヘッドを構成できる。

【００６２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の磁気インピーダンス効果を利用した磁気検出素子を用
いた再生用の磁気ヘッドによれば、先端面が磁気記録媒
体摺動面として形成された非磁性基板と、該基板上で前
記摺動面から離間して前記摺動面に対し略垂直に配置さ
れ、絶縁膜を介して前記摺動面側にギャップが形成され
た閉磁路を構成する略長方形の２層の高透磁率磁性膜か
らなる磁気検出素子本体と、それぞれ絶縁膜を介して前
記２層の高透磁率磁性膜の前記摺動面側端部のそれぞれ
に重なって互いに絶縁膜を挟んで対向し前記摺動面まで
延びる高透磁率磁性材からなる２層のリード膜と、それ
ぞれ前記２層の高透磁率磁性膜の前記摺動面側端部と、
一方の高透磁率磁性膜の前記摺動面と反対側の端部に接
続された導電膜からなる３つの電極を有し、前記３つの
電極を介して前記２層の高透磁率磁性膜の両方または一
方のみに高周波電流を印加し、外部磁界による前記２層
の高透磁率磁性膜の両方または一方のみのインピーダン
ス変化を電気信号に変換して出力を得るようにした構成
を採用したので、２層の高透磁率磁性膜に対する高周波
電流の流し方により、閉磁路で磁気記録媒体の微小磁化
の磁界を検出して再生、またはオープンな磁路で略一様
な磁界の検出を行なうことができる。

【００６３】しかも、再生を行なう場合、高周波電流が
媒体側に流出することはない。また、２層の高透磁率磁
性膜は磁気検出素子本体の特性に最適な幅、厚さを自由
に選択でき、リード膜は要求されるトラック幅とギャッ
プ幅に対応して幅、互いの間の距離を最適に選択でき
る。従って、問題無く高感度で良好に再生を行なうこと
ができる。

【００６４】また、略一様な磁界を検出する場合、検出
に用いる高透磁率磁性膜の有効長は非磁性基板上で充分
に確保できるので、高感度に検出を行なうことができ
る。

【００６５】さらに、本発明の磁気ヘッドの製造方法に
よれば、磁気ヘッドの多数個取りが可能であり、本発明
の磁気ヘッドを安価に製造できるという優れた効果が得
られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の磁気ヘッドの構造を示す
もので、基板を透視した状態で示す斜視図である。

【図２】同磁気ヘッドのＭＩ素子を構成する磁性膜、リ
ード膜、電極、絶縁膜の配置、寸法関係等を示す説明図
である。

【図３】同ＭＩ素子におけるリード膜の長さと出力（電
圧変化量）の関係を示すグラフ図である。

【図４】同磁気ヘッドの製造工程を示す斜視図である。

【図５】同製造工程を示す斜視図である。

【図６】同製造工程を示す斜視図および断面図である。

【図７】同製造工程を示す斜視図である。

【図８】第２実施例の磁気ヘッドの構造を示す斜視図で
ある。

【符号の説明】

１ 磁気記録媒体 ２ 磁気ヘッド ２ａ 媒体摺動面 ３，４ 非磁性基板 ５，６ 高透磁率磁性膜 ７，８，９，１６，１７ 絶縁膜 １０，１１，１２ 電極 １８ ＭＩ素子

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気インピーダンス効果を利用した磁気
   検出素子を用いた再生用の磁気ヘッドであって、 先端面が磁気記録媒体摺動面として形成された非磁性基
   板と、 該基板上で前記摺動面から離間して前記摺動面に対し略
   垂直に配置され、絶縁膜を介して前記摺動面側にギャッ
   プが形成された閉磁路を構成する略長方形の２層の高透
   磁率磁性膜からなる磁気検出素子本体と、 それぞれ絶縁膜を介して前記２層の高透磁率磁性膜の前
   記摺動面側端部のそれぞれに重なって互いに絶縁膜を挟
   んで対向し前記摺動面まで延びる高透磁率磁性材からな
   る２層のリード膜と、 それぞれ前記２層の高透磁率磁性膜の前記摺動面側端部
   と、一方の高透磁率磁性膜の前記摺動面と反対側の端部
   に接続された導電膜からなる３つの電極を有し、 前記３つの電極を介して前記２層の高透磁率磁性膜の両
   方または一方のみに高周波電流を印加し、外部磁界によ
   る前記２層の高透磁率磁性膜の両方または一方のみのイ
   ンピーダンス変化を電気信号に変換して出力を得るよう
   にしたことを特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記２層の高透磁率磁性膜は、磁化容易
   軸方向が膜面内で前記摺動面に略平行となるように磁気
   異方性が付けられていることを特徴とする請求項１に記
   載の磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記高透磁率磁性膜とリード膜間に介在
   する絶縁膜の厚さが１μｍ以下であることを特徴とする
   請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記摺動面に垂直な方向において、前記
   リード膜の全長が１５０μｍ以下であり、前記絶縁膜を
   介して前記高透磁率磁性膜に重なる部分の長さが１００
   μｍ以下であることを特徴とする請求項１から３までの
   いずれか１項に記載の磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 前記２層のリード膜間の距離が磁気記録
   媒体の最短記録ビット長以下１／２以上であることを特
   徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の磁
   気ヘッド。
6. 【請求項６】 請求項１に記載の磁気ヘッドの製造方法
   であって、 非磁性基板上に、前記磁気検出素子本体の２層の高透磁
   率磁性膜と２層のリード膜のそれぞれを形成するための
   高透磁率磁性膜のそれぞれと、前記３つの電極のそれぞ
   れを形成するための導電膜のそれぞれと、各膜間の絶縁
   を行なう絶縁膜のそれぞれとを積層して成膜する工程
   と、 該工程後に、前記各膜の積層をエッチングし、前記磁気
   検出素子本体、リード膜、電極、絶縁膜からなる磁気検
   出素子のパターンを所定間隔で複数形成する工程と、 該工程後に、前記非磁性基板上に他の非磁性基板を接合
   し、ヘッドブロックを得る工程と、 前記ヘッドブロックを所定間隔で切断して複数の磁気ヘ
   ッドを得る工程とを有することを特徴とする磁気ヘッド
   の製造方法。