JPH08263811A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH08263811A JPH08263811A JP6465895A JP6465895A JPH08263811A JP H08263811 A JPH08263811 A JP H08263811A JP 6465895 A JP6465895 A JP 6465895A JP 6465895 A JP6465895 A JP 6465895A JP H08263811 A JPH08263811 A JP H08263811A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＩ（磁気インピーダンス）素子を用いた再
生感度の優れた磁気ヘッドを提供する。 【構成】 ＭＩ素子１０は高透磁率磁性膜から形成さ
れ、基板３の表面上で磁気ヘッドの媒体摺動面２ａから
離間して摺動面２ａに対し略垂直に設けられる。またＭ
Ｉ素子１０に対し磁気記録媒体１からの磁束を導く高透
磁率磁性膜からなるリード膜１２が設けられる。リード
膜１２は、絶縁膜を介してＭＩ素子１０の摺動面２ａ側
の端部と重なって媒体摺動面２ａまで延びるように形成
されている。絶縁膜の介在により、ＭＩ素子１０のドラ
イブ電流が媒体１側に流出することがなく、問題なく再
生を行なえるうえに、ＭＩ素子１０は、要求される記録
密度によるトラック幅とギャップ幅に左右されず、最適
な寸法を選択でき、最適な特性を得ることができ、高感
度で良好に再生を行なうことができる。
生感度の優れた磁気ヘッドを提供する。 【構成】 ＭＩ素子１０は高透磁率磁性膜から形成さ
れ、基板３の表面上で磁気ヘッドの媒体摺動面２ａから
離間して摺動面２ａに対し略垂直に設けられる。またＭ
Ｉ素子１０に対し磁気記録媒体１からの磁束を導く高透
磁率磁性膜からなるリード膜１２が設けられる。リード
膜１２は、絶縁膜を介してＭＩ素子１０の摺動面２ａ側
の端部と重なって媒体摺動面２ａまで延びるように形成
されている。絶縁膜の介在により、ＭＩ素子１０のドラ
イブ電流が媒体１側に流出することがなく、問題なく再
生を行なえるうえに、ＭＩ素子１０は、要求される記録
密度によるトラック幅とギャップ幅に左右されず、最適
な寸法を選択でき、最適な特性を得ることができ、高感
度で良好に再生を行なうことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体に対して情
報の磁気記録または再生を行なう磁気ヘッド及びその製
造方法に関し、特に磁気インピーダンス素子を用いた磁
気ヘッド及びその製造方法に関するものである。
報の磁気記録または再生を行なう磁気ヘッド及びその製
造方法に関し、特に磁気インピーダンス素子を用いた磁
気ヘッド及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近のディジタル磁気記録機器は小型化
が進み、例えば、コンピュータの外部記憶装置のハード
ディスクやディジタルオーディオのディジタルコンパク
トカセット（ＤＣＣ）に於いて、従来の誘導型の磁気ヘ
ッドではトラック幅及び相対速度の減少によるＳ／Ｎの
低下が生じるため、再生ヘッドに磁気抵抗効果（以下、
ＭＲと略す）素子が使われている。ＭＲ素子は媒体の速
度依存性が無く、低速での出力の取り出しに向いている
が、抵抗変化率が数％しかないため、将来の高密度化の
為には更に感度の高い素子の開発が望まれている。
が進み、例えば、コンピュータの外部記憶装置のハード
ディスクやディジタルオーディオのディジタルコンパク
トカセット（ＤＣＣ）に於いて、従来の誘導型の磁気ヘ
ッドではトラック幅及び相対速度の減少によるＳ／Ｎの
低下が生じるため、再生ヘッドに磁気抵抗効果（以下、
ＭＲと略す）素子が使われている。ＭＲ素子は媒体の速
度依存性が無く、低速での出力の取り出しに向いている
が、抵抗変化率が数％しかないため、将来の高密度化の
為には更に感度の高い素子の開発が望まれている。
【０００３】そこで、最近注目を集めているのが、磁気
インピーダンス（以下、ＭＩと略す）素子であり、磁性
体にＭＨｚ帯域の高周波電流を流し、その両端の電圧の
振幅が数ガウスの微小磁界で数十％変化する現象を利用
したものである。
インピーダンス（以下、ＭＩと略す）素子であり、磁性
体にＭＨｚ帯域の高周波電流を流し、その両端の電圧の
振幅が数ガウスの微小磁界で数十％変化する現象を利用
したものである。
【０００４】ＭＩ素子の利点は、磁性体の長さ方向に励
磁しないため反磁界の影響が無く素子の長さを１ｍｍ以
下程度に短くでき小型化に適していること、また、磁束
検出の分解能が、ＭＲ素子が０．１Ｏｅの低感度に対し
て、１０-5Ｏｅ程度の高感度が得られることである。
磁しないため反磁界の影響が無く素子の長さを１ｍｍ以
下程度に短くでき小型化に適していること、また、磁束
検出の分解能が、ＭＲ素子が０．１Ｏｅの低感度に対し
て、１０-5Ｏｅ程度の高感度が得られることである。
【０００５】ＭＩ素子の動作原理を説明する。図６
（ａ）に示すように磁性体１０１に高周波電流Ｉａｃを
流すと幅方向の磁壁１０２の振動が渦電流制動の為抑制
されている状態から、外部磁界Ｈexによる磁化ベクトル
１０３の磁性体１０１長手方向への回転ψにより幅方向
の透磁率が増加し、インピーダンスの変化（両端電圧Ｖ
の変化）として検出される。図６（ｂ）は、外部磁界に
対する磁性体１０１の両端電圧Ｖの変化の様子を示すグ
ラフであり、数１０％という大きな変化が得られる。
（ａ）に示すように磁性体１０１に高周波電流Ｉａｃを
流すと幅方向の磁壁１０２の振動が渦電流制動の為抑制
されている状態から、外部磁界Ｈexによる磁化ベクトル
１０３の磁性体１０１長手方向への回転ψにより幅方向
の透磁率が増加し、インピーダンスの変化（両端電圧Ｖ
の変化）として検出される。図６（ｂ）は、外部磁界に
対する磁性体１０１の両端電圧Ｖの変化の様子を示すグ
ラフであり、数１０％という大きな変化が得られる。
【０００６】インピーダンスの変化率は、磁性体の比抵
抗に関わる渦電流（表皮深さ）、磁性体の厚さ、そして
ドライブ電流の周波数により決まる。
抗に関わる渦電流（表皮深さ）、磁性体の厚さ、そして
ドライブ電流の周波数により決まる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
優れたＭＩ素子を用いて磁気ヘッドを構成するために
は、以下の点が問題になる。
優れたＭＩ素子を用いて磁気ヘッドを構成するために
は、以下の点が問題になる。
【０００８】１）ＭＩ素子にはドライブ電流を流すた
め、磁気ヘッドの磁気記録媒体（以下、媒体と略す）摺
動面にＭＩ素子をそのまま露出させると、蒸着媒体の様
な金属媒体では媒体を通じてドライブ電流が流れ出して
しまう恐れがある。
め、磁気ヘッドの磁気記録媒体（以下、媒体と略す）摺
動面にＭＩ素子をそのまま露出させると、蒸着媒体の様
な金属媒体では媒体を通じてドライブ電流が流れ出して
しまう恐れがある。
【０００９】２）磁気ヘッドの媒体摺動面にＭＩ素子の
先端面を露出させる構成では、その先端面の幅と厚さが
磁気ヘッドのトラック幅、磁気ギャツプ幅に対応する
が、その必要とされる寸法はＭＩ素子の特性最適化の為
の断面の寸法と一致しない。例えば短波長磁化の再生で
は、サブμｍ程度の厚さが必要となるが、その厚さでは
渦電流が稼げず機能面では数μｍの厚さが要求され、両
者を一致させることが困難である。
先端面を露出させる構成では、その先端面の幅と厚さが
磁気ヘッドのトラック幅、磁気ギャツプ幅に対応する
が、その必要とされる寸法はＭＩ素子の特性最適化の為
の断面の寸法と一致しない。例えば短波長磁化の再生で
は、サブμｍ程度の厚さが必要となるが、その厚さでは
渦電流が稼げず機能面では数μｍの厚さが要求され、両
者を一致させることが困難である。
【００１０】そこで、本発明の課題は、上記問題を克服
し、ＭＩ素子を用いた再生感度の優れた磁気ヘッド及び
その製造方法を提供することにある。
し、ＭＩ素子を用いた再生感度の優れた磁気ヘッド及び
その製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明によれば、ＭＩ素子を用いた磁気ヘッドにお
いて、前記ＭＩ素子を高透磁率磁性膜から形成し、磁気
ヘッドの磁気記録媒体摺動面から離間して前記媒体摺動
面に対し略垂直に設けるとともに、前記ＭＩ素子に対し
磁気記録媒体からの磁束を導く高透磁率磁性膜からなる
リード膜を、絶縁膜を介して前記ＭＩ素子の前記媒体摺
動面側の端部と重なって前記媒体摺動面まで延びるよう
に設けた構成を採用した。
め、本発明によれば、ＭＩ素子を用いた磁気ヘッドにお
いて、前記ＭＩ素子を高透磁率磁性膜から形成し、磁気
ヘッドの磁気記録媒体摺動面から離間して前記媒体摺動
面に対し略垂直に設けるとともに、前記ＭＩ素子に対し
磁気記録媒体からの磁束を導く高透磁率磁性膜からなる
リード膜を、絶縁膜を介して前記ＭＩ素子の前記媒体摺
動面側の端部と重なって前記媒体摺動面まで延びるよう
に設けた構成を採用した。
【００１２】また、前記磁気ヘッドの製造方法であっ
て、基板上に、前記リード膜となる高透磁率磁性膜、前
記絶縁膜となる酸化物膜、前記ＭＩ素子となる高透磁率
磁性膜、前記電極となる導電膜を積層して成膜する工程
と、該工程後に前記各膜をエッチングして前記リード
膜、絶縁膜、ＭＩ素子、電極のパターンを所定間隔で複
数形成する工程と、該工程後に、前記基板上に他の基板
を接合してヘッドブロックを得る工程と、前記ヘッドブ
ロックを所定間隔で切断して複数の磁気ヘッドを得る工
程とを有する方法を採用した。
て、基板上に、前記リード膜となる高透磁率磁性膜、前
記絶縁膜となる酸化物膜、前記ＭＩ素子となる高透磁率
磁性膜、前記電極となる導電膜を積層して成膜する工程
と、該工程後に前記各膜をエッチングして前記リード
膜、絶縁膜、ＭＩ素子、電極のパターンを所定間隔で複
数形成する工程と、該工程後に、前記基板上に他の基板
を接合してヘッドブロックを得る工程と、前記ヘッドブ
ロックを所定間隔で切断して複数の磁気ヘッドを得る工
程とを有する方法を採用した。
【００１３】
【作用】上記本発明の磁気ヘッドの構成によれば、リー
ド膜を介して媒体からの磁束をＭＩ素子に導き、再生を
行なうことができる。リード膜とＭＩ素子間に絶縁膜が
介在しているので、ＭＩ素子のドライブ電流が媒体側に
流出することはない。また、要求されるトラック幅とギ
ャップ幅に対応して、媒体摺動面に露出するリード膜の
先端面の幅と厚さを自由に選択でき、ＭＩ素子は、要求
されるトラック幅とギャップ幅に左右されず、最適な
幅、厚さを選択できる。
ド膜を介して媒体からの磁束をＭＩ素子に導き、再生を
行なうことができる。リード膜とＭＩ素子間に絶縁膜が
介在しているので、ＭＩ素子のドライブ電流が媒体側に
流出することはない。また、要求されるトラック幅とギ
ャップ幅に対応して、媒体摺動面に露出するリード膜の
先端面の幅と厚さを自由に選択でき、ＭＩ素子は、要求
されるトラック幅とギャップ幅に左右されず、最適な
幅、厚さを選択できる。
【００１４】また上記本発明の製造方法によれば、１つ
のヘッドブロックから多数の磁気ヘッドを１度に得る多
数個取りが可能である。
のヘッドブロックから多数の磁気ヘッドを１度に得る多
数個取りが可能である。
【００１５】
【実施例】以下、図を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１６】［第１実施例］図１及び図２は本発明の磁
気ヘッドの第１実施例の構造を説明するものである。
気ヘッドの第１実施例の構造を説明するものである。
【００１７】図１において、１は媒体（磁気テープ）で
あり、２は媒体１に磁気記録された情報の再生を行なう
本実施例の磁気ヘッドであり、その先端面が媒体１と摺
動接触する媒体摺動面２ａとして形成されている。
あり、２は媒体１に磁気記録された情報の再生を行なう
本実施例の磁気ヘッドであり、その先端面が媒体１と摺
動接触する媒体摺動面２ａとして形成されている。
【００１８】磁気ヘッド２は、非磁性材からなる基板
３，４と、それぞれ薄膜として形成されたＭＩ素子１
０，絶縁膜１１（図２（ａ）参照），リード膜１２，電
極１３，１４から構成される。ＭＩ素子１０，絶縁膜１
１，リード膜１２，電極１３，１４は基板３の表面に形
成され、その上に不図示の溶着用のガラスを介して基板
４が接合されている。
３，４と、それぞれ薄膜として形成されたＭＩ素子１
０，絶縁膜１１（図２（ａ）参照），リード膜１２，電
極１３，１４から構成される。ＭＩ素子１０，絶縁膜１
１，リード膜１２，電極１３，１４は基板３の表面に形
成され、その上に不図示の溶着用のガラスを介して基板
４が接合されている。
【００１９】ＭＩ素子１０は、高透磁率のＦｅ−Ｃｏ−
Ｂ系アモルファス磁性膜やＦｅ−Ｔａ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ
−Ｃ等の微結晶磁性膜として形成され、媒体摺動面２ａ
に対し垂直な基板３の表面において媒体摺動面からわず
かに離間した位置に設けられ、媒体摺動面２ａに対し垂
直に所定の長さＤｓと幅Ｗｓで形成されている。ＭＩ素
子１０の磁化容易軸は、図２（ｂ）中矢印Ｅの通り、Ｍ
Ｉ素子１０の幅方向（トラック幅方向）に付けられてい
る。ＭＩ素子１０の磁性膜の厚さＴｓは、ドライブ電流
の最適周波数を決定し、厚くなると周波数特性が悪くな
るので２０μｍ以下の厚さが望ましい。
Ｂ系アモルファス磁性膜やＦｅ−Ｔａ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ
−Ｃ等の微結晶磁性膜として形成され、媒体摺動面２ａ
に対し垂直な基板３の表面において媒体摺動面からわず
かに離間した位置に設けられ、媒体摺動面２ａに対し垂
直に所定の長さＤｓと幅Ｗｓで形成されている。ＭＩ素
子１０の磁化容易軸は、図２（ｂ）中矢印Ｅの通り、Ｍ
Ｉ素子１０の幅方向（トラック幅方向）に付けられてい
る。ＭＩ素子１０の磁性膜の厚さＴｓは、ドライブ電流
の最適周波数を決定し、厚くなると周波数特性が悪くな
るので２０μｍ以下の厚さが望ましい。
【００２０】リード膜１２は、媒体１の記録磁化の磁束
をＭＩ素子１０に導くものであり、センダスト、パーマ
ロイ、アモルファス、微結晶膜等の高透磁率磁性膜から
形成されている。リード膜１２は、基板３の表面におい
て媒体摺動面２ａ側の端縁から図２（ａ）に示す所定の
長さＤｍで形成されており、その後端部の幅Ｄｇの部分
に薄い絶縁膜１１を介してＭＩ素子１０の先端部（媒体
摺動面側の端部）が重なり、磁気的に接続されている。
長さＤｍは後述の理由により１５０μｍ以下とする。Ｍ
Ｉ素子１０とリード膜１２との接続部の幅Ｄｇは、接続
部の磁気抵抗を下げるために必要であり、０から１００
μｍの間で設定するのが良い。また、絶縁膜１１の厚さ
Ｇｍも同様の理由で１μｍ以下が望ましい。
をＭＩ素子１０に導くものであり、センダスト、パーマ
ロイ、アモルファス、微結晶膜等の高透磁率磁性膜から
形成されている。リード膜１２は、基板３の表面におい
て媒体摺動面２ａ側の端縁から図２（ａ）に示す所定の
長さＤｍで形成されており、その後端部の幅Ｄｇの部分
に薄い絶縁膜１１を介してＭＩ素子１０の先端部（媒体
摺動面側の端部）が重なり、磁気的に接続されている。
長さＤｍは後述の理由により１５０μｍ以下とする。Ｍ
Ｉ素子１０とリード膜１２との接続部の幅Ｄｇは、接続
部の磁気抵抗を下げるために必要であり、０から１００
μｍの間で設定するのが良い。また、絶縁膜１１の厚さ
Ｇｍも同様の理由で１μｍ以下が望ましい。
【００２１】リード膜１２の媒体摺動面２ａに露出する
厚さＴｍは、誘導型磁気ヘッドである磁気ギャップと同
様に周波数特性を決めるもので、媒体の最短記録ビット
長以下１／２以上の範囲が好ましい。また、リード膜１
２の後部の幅はＭＩ素子１０の幅Ｗｓと同じだが、媒体
摺動面２ａに露出する先端の幅Ｔｗは、再生のトラック
幅にあたり、ＭＩ素子１０の幅Ｗｓより絞り込まれてい
る。
厚さＴｍは、誘導型磁気ヘッドである磁気ギャップと同
様に周波数特性を決めるもので、媒体の最短記録ビット
長以下１／２以上の範囲が好ましい。また、リード膜１
２の後部の幅はＭＩ素子１０の幅Ｗｓと同じだが、媒体
摺動面２ａに露出する先端の幅Ｔｗは、再生のトラック
幅にあたり、ＭＩ素子１０の幅Ｗｓより絞り込まれてい
る。
【００２２】電極１３，１４は、ＭＩ素子１０にドライ
ブ電流を流すための電極であり、Ｃｕ，Ａｕ等の導電膜
として形成され、ＭＩ素子１０の媒体摺動面に垂直な長
手方向の両端部上に積層され、ＭＩ素子１０の両端に電
気的に接続されている。
ブ電流を流すための電極であり、Ｃｕ，Ａｕ等の導電膜
として形成され、ＭＩ素子１０の媒体摺動面に垂直な長
手方向の両端部上に積層され、ＭＩ素子１０の両端に電
気的に接続されている。
【００２３】このような構成において、再生時には、電
極１３，１４を介してＭＩ素子１０にドライブ電流が印
加され、ＭＩ素子１０と磁気的に接続され媒体摺動面２
ａまで延びるリード膜１２を介して媒体１の記録磁化に
よる磁束が媒体摺動面２ａからＭＩ素子１０に印加さ
れ、その磁束に応じてＭＩ素子１０のインピーダンスが
変化し、それによるＭＩ素子１０の両端電圧の変化が再
生出力として電極１３，１４から取り出される。
極１３，１４を介してＭＩ素子１０にドライブ電流が印
加され、ＭＩ素子１０と磁気的に接続され媒体摺動面２
ａまで延びるリード膜１２を介して媒体１の記録磁化に
よる磁束が媒体摺動面２ａからＭＩ素子１０に印加さ
れ、その磁束に応じてＭＩ素子１０のインピーダンスが
変化し、それによるＭＩ素子１０の両端電圧の変化が再
生出力として電極１３，１４から取り出される。
【００２４】次に図３（ａ）〜（ｉ）を用いて、本実施
例の磁気ヘッドの製造方法について説明する。
例の磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【００２５】まず、図３（ａ）に示すように、非磁性材
である結晶化ガラス、セラミックス等からなる基板３０
の表面に平面研磨を行う。この基板３０は先述の実施例
の磁気ヘッドの基板３がトラック幅方向に複数個分連続
したものに相当する。
である結晶化ガラス、セラミックス等からなる基板３０
の表面に平面研磨を行う。この基板３０は先述の実施例
の磁気ヘッドの基板３がトラック幅方向に複数個分連続
したものに相当する。
【００２６】次に、図３（ｂ）に示すように、先述の媒
体摺動面からＭＩ素子に磁束を導くためのリード膜とな
るセンダスト、パーマロイ、アモルファス等の高透磁率
の金属磁性膜１２０を基板３０の表面の長手方向の一方
の側縁に沿って成膜する。その厚さは、再生時の最短ビ
ット長以下１／２以上が望ましい。また、長さＤｍは、
後述する理由により、できるだけ短くするのが良く、Ｍ
Ｉ素子の磁性膜と重なる部分の幅Ｄｇを除く寸法を長く
ても１００μｍ以下には抑えたい。幅Ｄｇを上述のよう
に１００μｍ以下で例えば５０μｍとして長さＤｍは１
５０μｍ以下とする。
体摺動面からＭＩ素子に磁束を導くためのリード膜とな
るセンダスト、パーマロイ、アモルファス等の高透磁率
の金属磁性膜１２０を基板３０の表面の長手方向の一方
の側縁に沿って成膜する。その厚さは、再生時の最短ビ
ット長以下１／２以上が望ましい。また、長さＤｍは、
後述する理由により、できるだけ短くするのが良く、Ｍ
Ｉ素子の磁性膜と重なる部分の幅Ｄｇを除く寸法を長く
ても１００μｍ以下には抑えたい。幅Ｄｇを上述のよう
に１００μｍ以下で例えば５０μｍとして長さＤｍは１
５０μｍ以下とする。
【００２７】次に、金属磁性膜１２０のＭＩ素子との接
続部分の表面に先述の絶縁膜１１となるＳｉＯ2、Ｔｉ
Ｏ2、Ｃｒ2Ｏ3等の酸化物膜１１０（図３（ｅ）を参
照）を真空成膜技術により厚さ１μｍ以下で形成した後
に、図３（ｃ）のように、ＭＩ素子１０となるアモルフ
ァス、又はアモルファスから微結晶を生成させた微結晶
膜等の高透磁率磁性膜１００を金属磁性膜１２０と絶縁
膜を介して幅Ｄｇ分重なるように真空成膜技術により形
成する。
続部分の表面に先述の絶縁膜１１となるＳｉＯ2、Ｔｉ
Ｏ2、Ｃｒ2Ｏ3等の酸化物膜１１０（図３（ｅ）を参
照）を真空成膜技術により厚さ１μｍ以下で形成した後
に、図３（ｃ）のように、ＭＩ素子１０となるアモルフ
ァス、又はアモルファスから微結晶を生成させた微結晶
膜等の高透磁率磁性膜１００を金属磁性膜１２０と絶縁
膜を介して幅Ｄｇ分重なるように真空成膜技術により形
成する。
【００２８】この磁性膜１００はＭＩ素子として機能さ
せるために、磁化容易軸を矢印の方向に配向させる必要
があり、その配向は磁場中冷却や成膜時の入射角変更等
により行う。
せるために、磁化容易軸を矢印の方向に配向させる必要
があり、その配向は磁場中冷却や成膜時の入射角変更等
により行う。
【００２９】次に、図３（ｄ）のように磁性膜１２０の
後側縁部上に幅Ｄｂの電極１３となるＣｕ、Ａｕ膜等の
導電膜１３０を真空成膜技術により成膜する。
後側縁部上に幅Ｄｂの電極１３となるＣｕ、Ａｕ膜等の
導電膜１３０を真空成膜技術により成膜する。
【００３０】この時点での断面構造は図３（ｅ）に示す
通りであり、磁性膜１２０、絶縁膜１１０、磁性膜１０
０、導電膜１３０の順に積層されている。
通りであり、磁性膜１２０、絶縁膜１１０、磁性膜１０
０、導電膜１３０の順に積層されている。
【００３１】次の工程では、不図示のレジスト膜を形成
後、図３（ｆ）の通り、媒体摺動面におけるトラック幅
ＴｗとＭＩ素子の幅Ｗｓが残るようにして、真空技術の
ドライエッチング又は化学的なウェットエッチング等に
より、ＭＩ素子１０，絶縁膜１１，リード膜１２，電極
１３のパターンをトラック幅方向に所定間隔で複数形成
する。
後、図３（ｆ）の通り、媒体摺動面におけるトラック幅
ＴｗとＭＩ素子の幅Ｗｓが残るようにして、真空技術の
ドライエッチング又は化学的なウェットエッチング等に
より、ＭＩ素子１０，絶縁膜１１，リード膜１２，電極
１３のパターンをトラック幅方向に所定間隔で複数形成
する。
【００３２】次に、図３（ｇ）の通り、電極１３と対の
電極１４となる導電膜１４０をＭＩ素子１０の媒体摺動
面側先端部上にＣｕ、Ａｕ等から真空成膜技術により形
成する。
電極１４となる導電膜１４０をＭＩ素子１０の媒体摺動
面側先端部上にＣｕ、Ａｕ等から真空成膜技術により形
成する。
【００３３】次に、全体の表面に酸化防止のために、Ｓ
ｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3等の不図示の酸化物膜を形成
後、その上に不図示の低融点ガラス層を真空成膜技術で
成膜しておき、図３（ｈ）のように基板３０と同質の基
板４０を基板３０の表面上に重ねガラス接合し、ヘッド
ブロック５０を得る。基板４０は勿論、基板４となるも
のである。
ｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3等の不図示の酸化物膜を形成
後、その上に不図示の低融点ガラス層を真空成膜技術で
成膜しておき、図３（ｈ）のように基板３０と同質の基
板４０を基板３０の表面上に重ねガラス接合し、ヘッド
ブロック５０を得る。基板４０は勿論、基板４となるも
のである。
【００３４】そして、図３（ｉ）の通り、ヘッドブロッ
ク５０の媒体摺動面となる面に円筒研削をした後、点線
で示すとおりトラック幅方向となる長手方向に所定間隔
でヘッドブロック５０を切断することにより、本実施例
の磁気ヘッドが１度に多数個得られる。
ク５０の媒体摺動面となる面に円筒研削をした後、点線
で示すとおりトラック幅方向となる長手方向に所定間隔
でヘッドブロック５０を切断することにより、本実施例
の磁気ヘッドが１度に多数個得られる。
【００３５】次に、本実施例の磁気ヘッドの特性に関し
てリード膜１２の寸法Ｄｍについて調べた結果を述べ
る。
てリード膜１２の寸法Ｄｍについて調べた結果を述べ
る。
【００３６】ＭＩ素子１０にはＦｅ−Ｃｏ−Ｂ膜を用
い、寸法はＷｓ＝０．２ｍｍ、Ｄｓ＝１ｍｍ、Ｔｓ＝５
μｍに設定した。リード膜１２はセンダスト膜とし、Ｍ
Ｉ素子１０の下に厚さ０．３μｍの絶縁膜１１を挟んで
配置し、厚さＴｍを１μｍ、先端幅Ｔｗを６０μｍに選
択し、リード膜の長さＤｍの影響を調べた。なお、磁気
的接続部の長さＤｇは５０μｍとした。
い、寸法はＷｓ＝０．２ｍｍ、Ｄｓ＝１ｍｍ、Ｔｓ＝５
μｍに設定した。リード膜１２はセンダスト膜とし、Ｍ
Ｉ素子１０の下に厚さ０．３μｍの絶縁膜１１を挟んで
配置し、厚さＴｍを１μｍ、先端幅Ｔｗを６０μｍに選
択し、リード膜の長さＤｍの影響を調べた。なお、磁気
的接続部の長さＤｇは５０μｍとした。
【００３７】そして、リード膜１２先端部に微少な長さ
１ｍｍの磁石を置き、リード膜１２の長さＤｍを変えた
サンプルのそれぞれの出力を測定し、外部磁界の印加の
有無での両端電圧の変化量を比較した。
１ｍｍの磁石を置き、リード膜１２の長さＤｍを変えた
サンプルのそれぞれの出力を測定し、外部磁界の印加の
有無での両端電圧の変化量を比較した。
【００３８】その結果を図４に示す。ＤｍからＤｇの長
さを引いた値で見て、数値が大きくなると変化量は小さ
くなる傾向が現れているが、Ｄｍ−Ｄｇ＝０を基準に出
力−１ｄＢを許容の目安とするとＤｍ−Ｄｇ＝１００μ
ｍ以下、すなわちＤｍ＝１５０μｍ以下が必要となる。
それ以上は急激な出力低下となり、磁石の磁束が十分に
引き込めなくなりリード膜の機能が低下することが判
る。
さを引いた値で見て、数値が大きくなると変化量は小さ
くなる傾向が現れているが、Ｄｍ−Ｄｇ＝０を基準に出
力−１ｄＢを許容の目安とするとＤｍ−Ｄｇ＝１００μ
ｍ以下、すなわちＤｍ＝１５０μｍ以下が必要となる。
それ以上は急激な出力低下となり、磁石の磁束が十分に
引き込めなくなりリード膜の機能が低下することが判
る。
【００３９】［他の実施例］上記第１実施例では、ＭＩ
素子１０，絶縁膜１１，リード膜１２，電極１３，１４
からなるヘッド素子を１個だけ設けた１トラックのヘッ
ドとしたが、図５に示すとおり、基板３上に前記ヘッド
素子をトラック幅方向に所定間隔で複数設けてマルチト
ラックのヘッドを構成することもできる。この場合、電
極１４は各ヘッド素子に共通のものとして連続して形成
される。
素子１０，絶縁膜１１，リード膜１２，電極１３，１４
からなるヘッド素子を１個だけ設けた１トラックのヘッ
ドとしたが、図５に示すとおり、基板３上に前記ヘッド
素子をトラック幅方向に所定間隔で複数設けてマルチト
ラックのヘッドを構成することもできる。この場合、電
極１４は各ヘッド素子に共通のものとして連続して形成
される。
【００４０】このマルチトラックヘッドを製造する場
合、先述した製造工程の図３（ｉ）の工程でヘッドブロ
ック５０を切断する長手方向（トラック幅方向）の間隔
を複数トラック分に見合った寸法とすればよい。
合、先述した製造工程の図３（ｉ）の工程でヘッドブロ
ック５０を切断する長手方向（トラック幅方向）の間隔
を複数トラック分に見合った寸法とすればよい。
【００４１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ＭＩ素子を用いた磁気ヘッドにおいて、媒体
摺動面から離間して設けたＭＩ素子の媒体摺動面側の端
部と重なって媒体摺動面まで延びるように設けたリード
膜によって媒体からの磁束をＭＩ素子に導く構成を採用
したので、ＭＩ素子のドライブ電流が媒体側に流出する
ことがなく、問題なく再生を行なえるうえに、ＭＩ素子
は、要求される記録密度によるトラック幅とギャップ幅
に左右されず、最適な寸法を選択でき、最適な特性を得
ることができ、高感度で良好に再生を行なうことができ
る。
によれば、ＭＩ素子を用いた磁気ヘッドにおいて、媒体
摺動面から離間して設けたＭＩ素子の媒体摺動面側の端
部と重なって媒体摺動面まで延びるように設けたリード
膜によって媒体からの磁束をＭＩ素子に導く構成を採用
したので、ＭＩ素子のドライブ電流が媒体側に流出する
ことがなく、問題なく再生を行なえるうえに、ＭＩ素子
は、要求される記録密度によるトラック幅とギャップ幅
に左右されず、最適な寸法を選択でき、最適な特性を得
ることができ、高感度で良好に再生を行なうことができ
る。
【００４２】また本発明の製造方法によれば、磁気ヘッ
ドの多数個取りが可能であり、本発明の磁気ヘッドを安
価に製造できるという優れた効果が得られる。
ドの多数個取りが可能であり、本発明の磁気ヘッドを安
価に製造できるという優れた効果が得られる。
【図１】本発明による磁気ヘッドの第１実施例の構造を
示すもので、基板を透視した状態で示す斜視図である。
示すもので、基板を透視した状態で示す斜視図である。
【図２】同ヘッドを構成するＭＩ素子、絶縁膜、リード
膜、電極の配置、寸法関係を示す説明図である。
膜、電極の配置、寸法関係を示す説明図である。
【図３】同ヘッドの製造工程を示す説明図である。
【図４】図２中の寸法Ｄｍ−Ｄｇの大きさによるヘッド
の出力特性を示すグラフ図である。
の出力特性を示すグラフ図である。
【図５】他の実施例のヘッドの構造を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】ＭＩ素子の動作原理を説明する説明図である。
１ 磁気記録媒体 ２ 磁気ヘッド ２ａ 媒体摺動面 ３，４ 基板 １０ ＭＩ素子 １１ 絶縁膜 １２ リード膜 １３，１４ 電極
Claims (6)
- 【請求項１】 磁気インピーダンス素子を用いた磁気ヘ
ッドにおいて、 前記磁気インピーダンス素子を高透磁率磁性膜から形成
し、磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面から離間して前記
媒体摺動面に対し略垂直に設けるとともに、 前記インピーダンス素子に対し磁気記録媒体からの磁束
を導く高透磁率磁性膜からなるリード膜を、絶縁膜を介
して前記インピーダンス素子の前記媒体摺動面側の端部
と重なって前記媒体摺動面まで延びるように設けたこと
を特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記絶縁膜の厚さが１μｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記リード膜の長さが１５０μｍ以下で
あり、且つ前記絶縁膜を介して前記磁気インピーダンス
素子と重なる部分の幅が１００μｍ以下であることを特
徴とする請求項１または２に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記リード膜の厚さが最短記録ビット長
以下１／２以上であることを特徴とする請求項１から３
までのいずれか１項に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項５】 基板上に、高透磁率磁性膜からなる前記
リード膜、前記絶縁膜、高透磁率磁性膜からなる磁気イ
ンピーダンス素子、導電膜からなる電極が順に積層され
て構成されていることを特徴とする請求項１から４まで
のいずれか１項に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項６】 請求項１に記載の磁気ヘッドの製造方法
であって、 基板上に、前記リード膜となる高透磁率磁性膜、前記絶
縁膜となる酸化物膜、前記磁気インピーダンス素子とな
る高透磁率磁性膜、前記電極となる導電膜を積層して成
膜する工程と、 該工程後に前記各膜をエッチングして前記リード膜、絶
縁膜、磁気インピーダンス素子、電極のパターンを所定
間隔で複数形成する工程と、 該工程後に、前記基板上に他の基板を接合してヘッドブ
ロックを得る工程と、 前記ヘッドブロックを所定間隔で切断して複数の磁気ヘ
ッドを得る工程とを有することを特徴とする磁気ヘッド
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6465895A JPH08263811A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6465895A JPH08263811A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08263811A true JPH08263811A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13264546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6465895A Pending JPH08263811A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08263811A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0881503A2 (en) * | 1997-05-26 | 1998-12-02 | Alps Electric Co., Ltd. | Magneto-impedance effect element and magnetic head, electronic compass and autocanceller using the element |
| EP1045375A2 (en) * | 1999-04-15 | 2000-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic reproduction device, magnetic head using the device and method for producing the magnetic head |
| US6232775B1 (en) | 1997-12-26 | 2001-05-15 | Alps Electric Co., Ltd | Magneto-impedance element, and azimuth sensor, autocanceler and magnetic head using the same |
-
1995
- 1995-03-24 JP JP6465895A patent/JPH08263811A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0881503A2 (en) * | 1997-05-26 | 1998-12-02 | Alps Electric Co., Ltd. | Magneto-impedance effect element and magnetic head, electronic compass and autocanceller using the element |
| EP0881503A3 (en) * | 1997-05-26 | 2001-05-23 | Alps Electric Co., Ltd. | Magneto-impedance effect element and magnetic head, electronic compass and autocanceller using the element |
| US6232775B1 (en) | 1997-12-26 | 2001-05-15 | Alps Electric Co., Ltd | Magneto-impedance element, and azimuth sensor, autocanceler and magnetic head using the same |
| EP1045375A2 (en) * | 1999-04-15 | 2000-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic reproduction device, magnetic head using the device and method for producing the magnetic head |
| EP1045375A3 (en) * | 1999-04-15 | 2006-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic reproduction device, magnetic head using the device and method for producing the magnetic head |
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