JPH06338033A - 複合型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH06338033A JPH06338033A JP12432793A JP12432793A JPH06338033A JP H06338033 A JPH06338033 A JP H06338033A JP 12432793 A JP12432793 A JP 12432793A JP 12432793 A JP12432793 A JP 12432793A JP H06338033 A JPH06338033 A JP H06338033A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気媒体と対向する面を所望の加工量まで効
率良く、しかも高精度に加工することが出来る複合型薄
膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 下部磁性コア層１０、コイル層１２、ギャッ
プスペーサ層１３、及び上部磁性コア層１４が絶縁層を
介して形成されているインダクティブヘッド部と、磁界
の変化に応じて抵抗が変化するＭＲ素子層５、及び該Ｍ
Ｒ素子層に電流を供給し前記抵抗の変化を検出するため
の電極層６を備える磁気抵抗効果型ヘッド部とが一体に
形成された複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記インダ
クティブヘッド部及び前記磁気抵抗効果型ヘッド部にお
ける磁気媒体と対向する面１６の加工量を検出するため
のギャップデプスマーカを、前記電極層６と同時に形成
された第１のギャップデプスマーカ層７と、前記下部磁
性コア層１０と同時に形成され上記第１のギャップデプ
スマーカ層７よりも膜厚が大きい第２のギャップデプス
マーカ層１１とにより構成する。
率良く、しかも高精度に加工することが出来る複合型薄
膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 下部磁性コア層１０、コイル層１２、ギャッ
プスペーサ層１３、及び上部磁性コア層１４が絶縁層を
介して形成されているインダクティブヘッド部と、磁界
の変化に応じて抵抗が変化するＭＲ素子層５、及び該Ｍ
Ｒ素子層に電流を供給し前記抵抗の変化を検出するため
の電極層６を備える磁気抵抗効果型ヘッド部とが一体に
形成された複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記インダ
クティブヘッド部及び前記磁気抵抗効果型ヘッド部にお
ける磁気媒体と対向する面１６の加工量を検出するため
のギャップデプスマーカを、前記電極層６と同時に形成
された第１のギャップデプスマーカ層７と、前記下部磁
性コア層１０と同時に形成され上記第１のギャップデプ
スマーカ層７よりも膜厚が大きい第２のギャップデプス
マーカ層１１とにより構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コイル層を備えたイン
ダクティブヘッド部と、磁気抵抗効果型素子（以下、Ｍ
Ｒ素子という）を備えた磁気抵抗効果型ヘッド部（以
下、ＭＲヘッド部という）とが一体に形成された複合型
薄膜磁気ヘッドに関する。
ダクティブヘッド部と、磁気抵抗効果型素子（以下、Ｍ
Ｒ素子という）を備えた磁気抵抗効果型ヘッド部（以
下、ＭＲヘッド部という）とが一体に形成された複合型
薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置やＶＴＲ等の
各種信号記録再生装置の高密度記録化、小型化に対応す
るために、再生出力特性の優れたＭＲヘッドが開発され
ている。
各種信号記録再生装置の高密度記録化、小型化に対応す
るために、再生出力特性の優れたＭＲヘッドが開発され
ている。
【０００３】ＭＲヘッドは、電流の方向と磁化の方向と
の為す角度によって抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子
（以下、ＭＲ素子という）、及び該磁気抵抗効果型素子
に電流を供給し前記抵抗の変化を検出するための電極層
を備え、信号磁界の変化を抵抗変化として検出するもの
であり、高い再生感度を有し再生出力が媒体−ヘッド間
の相対速度に依存しないため、磁気記録再生装置の小
型、高密度記録化に対して有利である。
の為す角度によって抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子
（以下、ＭＲ素子という）、及び該磁気抵抗効果型素子
に電流を供給し前記抵抗の変化を検出するための電極層
を備え、信号磁界の変化を抵抗変化として検出するもの
であり、高い再生感度を有し再生出力が媒体−ヘッド間
の相対速度に依存しないため、磁気記録再生装置の小
型、高密度記録化に対して有利である。
【０００４】一方、基板上に薄膜堆積法及びフォトリソ
グラフィ技術を用いて磁性コア層や導体コイル層及び電
極層等を絶縁層を介して形成した薄膜磁気ヘッド（イン
ダクティブヘッド）は、従来の磁気コアと巻線よりなる
バルクタイプの磁気ヘッドに比べて小型化、高密度記録
化に適している。
グラフィ技術を用いて磁性コア層や導体コイル層及び電
極層等を絶縁層を介して形成した薄膜磁気ヘッド（イン
ダクティブヘッド）は、従来の磁気コアと巻線よりなる
バルクタイプの磁気ヘッドに比べて小型化、高密度記録
化に適している。
【０００５】ところで、ＭＲヘッドは再生専用の磁気ヘ
ッドであるため、記録と再生の両方を行うために、例え
ば、特開昭６２−２９１７１３号公報等にはＭＲヘッド
部とインダクティブヘッド部とが一体に形成された複合
型薄膜磁気ヘッドが提案されている。
ッドであるため、記録と再生の両方を行うために、例え
ば、特開昭６２−２９１７１３号公報等にはＭＲヘッド
部とインダクティブヘッド部とが一体に形成された複合
型薄膜磁気ヘッドが提案されている。
【０００６】従来、このような複合型薄膜磁気ヘッドで
は、磁気媒体と対向する面に研削や研磨により所定の深
さまで加工を施す場合、その加工量はその加工面、即ち
磁気媒体と対向する面に現れるギャップデプスマーカを
光学的に観察しながら調整されている。
は、磁気媒体と対向する面に研削や研磨により所定の深
さまで加工を施す場合、その加工量はその加工面、即ち
磁気媒体と対向する面に現れるギャップデプスマーカを
光学的に観察しながら調整されている。
【０００７】しかしながら、このような複合型薄膜磁気
ヘッドでは、上述したギャップデプスマーカはインダク
ティブヘッド部の磁性コア層と同時に成膜等により堆積
形成されるため、該ギャップデプスマーカの厚みは磁性
コア層と同様に数μｍオーダと厚くなっている。このた
め、図５に示すように、ギャップデプスマーカ１自体が
成膜パターン時の先太り等による寸法変化により、上部
と下部とでは大きさが異なり、矢印Ａ方向に加工を行う
場合、ギャップデプスマーカ１の下部が検出され地点
と、更にギャップデプスマーカ１の上部から下部までの
厚み全体が検出される地点とでは、加工量に大きな差ａ
が生じ、高精度に加工量を制御することが出来ないとい
う問題がある。
ヘッドでは、上述したギャップデプスマーカはインダク
ティブヘッド部の磁性コア層と同時に成膜等により堆積
形成されるため、該ギャップデプスマーカの厚みは磁性
コア層と同様に数μｍオーダと厚くなっている。このた
め、図５に示すように、ギャップデプスマーカ１自体が
成膜パターン時の先太り等による寸法変化により、上部
と下部とでは大きさが異なり、矢印Ａ方向に加工を行う
場合、ギャップデプスマーカ１の下部が検出され地点
と、更にギャップデプスマーカ１の上部から下部までの
厚み全体が検出される地点とでは、加工量に大きな差ａ
が生じ、高精度に加工量を制御することが出来ないとい
う問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来例の
欠点に鑑み為されたものであり、媒体と対向する面の加
工を高精度に行うことが出来る複合型薄膜磁気ヘッドを
提供することを目的とするものである。
欠点に鑑み為されたものであり、媒体と対向する面の加
工を高精度に行うことが出来る複合型薄膜磁気ヘッドを
提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の複合型薄膜磁気
ヘッドは、インダクティブヘッド部及び磁気抵抗効果型
ヘッド部における磁気媒体と対向する面の加工量を検出
するためのギャップデプスマーカを、第１のギャップデ
プスマーカと、該第１のギャップデプスマーカよりも膜
厚が大きい第２のギャップデプスマーカとにより構成し
たことを特徴とする。
ヘッドは、インダクティブヘッド部及び磁気抵抗効果型
ヘッド部における磁気媒体と対向する面の加工量を検出
するためのギャップデプスマーカを、第１のギャップデ
プスマーカと、該第１のギャップデプスマーカよりも膜
厚が大きい第２のギャップデプスマーカとにより構成し
たことを特徴とする。
【００１０】更に、本発明の複合型薄膜磁気ヘッドは、
前記第１のギャップデプスマーカが前記磁気抵抗効果型
ヘッド部の電極層と同時に形成されたものであることを
特徴とする。
前記第１のギャップデプスマーカが前記磁気抵抗効果型
ヘッド部の電極層と同時に形成されたものであることを
特徴とする。
【００１１】更に、本発明の複合型薄膜磁気ヘッドは、
前記第２のギャップデプスマーカが前記インダクティブ
ヘッド部の下部磁性コア層と同時に形成されたものであ
ることを特徴とする。
前記第２のギャップデプスマーカが前記インダクティブ
ヘッド部の下部磁性コア層と同時に形成されたものであ
ることを特徴とする。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、膜厚が小さい第１のギャッ
プデプスマーカは成膜パターン時の先太り等による寸法
変化が小さく、上部と下部とは殆ど同じ大きさとなるた
め、膜厚が大きく容易に観察することが出来る第２のギ
ャップデプスマーカにより所望の加工量の近くまで効率
良く加工することが出来、寸法変化の小さい第１のギャ
ップデプスマーカにより所望の加工量まで高精度な加工
を行うことが出来る。
プデプスマーカは成膜パターン時の先太り等による寸法
変化が小さく、上部と下部とは殆ど同じ大きさとなるた
め、膜厚が大きく容易に観察することが出来る第２のギ
ャップデプスマーカにより所望の加工量の近くまで効率
良く加工することが出来、寸法変化の小さい第１のギャ
ップデプスマーカにより所望の加工量まで高精度な加工
を行うことが出来る。
【００１３】更に、前記磁気抵抗効果型ヘッド部の電極
層は膜厚が小さいため、上記第１のギャップデプスマー
カは前記電極層と同時に効率良く形成することが可能で
ある。
層は膜厚が小さいため、上記第１のギャップデプスマー
カは前記電極層と同時に効率良く形成することが可能で
ある。
【００１４】更に、前記インダクティブヘッド部の下部
磁性層は膜厚が大きいため、上記第２のギャップデプス
マーカは前記下部磁性層と同時に効率良く形成すること
が可能である。
磁性層は膜厚が大きいため、上記第２のギャップデプス
マーカは前記下部磁性層と同時に効率良く形成すること
が可能である。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
【００１６】図１は本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの
分解斜視図、図２は上記複合型薄膜磁気ヘッドの外観斜
視図である。
分解斜視図、図２は上記複合型薄膜磁気ヘッドの外観斜
視図である。
【００１７】図中、２はＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等よりなる非
磁性基板、３は非磁性基板２上に形成されたＡｌ2Ｏ3等
よりなる絶縁層、４は絶縁層３上に形成されたＮｉＦｅ
等よりなる下部シールド層、５は下部シールド層４上に
絶縁層を介して形成されたＮｉＦｅ等よりなるＭＲ素子
層、６はＭＲ素子層５上及び絶縁層上に形成されたＣ
ｕ、Ａｕ等よりなる電極層、７は絶縁層上に前記電極層
６と同時に同材料を成膜することにより形成された第１
のギャップデプスマーカ層、８は電極層６の上方に形成
されたシャントバイアス層、絶縁層を介して形成された
ＮｉＦｅ等よりなる上部シールド層であり、これらによ
りＭＲヘッド部が形成されている。
磁性基板、３は非磁性基板２上に形成されたＡｌ2Ｏ3等
よりなる絶縁層、４は絶縁層３上に形成されたＮｉＦｅ
等よりなる下部シールド層、５は下部シールド層４上に
絶縁層を介して形成されたＮｉＦｅ等よりなるＭＲ素子
層、６はＭＲ素子層５上及び絶縁層上に形成されたＣ
ｕ、Ａｕ等よりなる電極層、７は絶縁層上に前記電極層
６と同時に同材料を成膜することにより形成された第１
のギャップデプスマーカ層、８は電極層６の上方に形成
されたシャントバイアス層、絶縁層を介して形成された
ＮｉＦｅ等よりなる上部シールド層であり、これらによ
りＭＲヘッド部が形成されている。
【００１８】９は上述のＭＲヘッド部と、以下に説明す
るインダクティブヘッド部とを分離し、インダクティブ
ヘッド部が形成される面を平坦化するＳｉＯ2等よりな
る分離層である。
るインダクティブヘッド部とを分離し、インダクティブ
ヘッド部が形成される面を平坦化するＳｉＯ2等よりな
る分離層である。
【００１９】１０は分離層９上に形成されたＮｉＦｅ等
よりなる下部磁性コア層、１１は分離層１０上に前記下
部磁性コア層１０と同時に同材料を成膜することにより
形成された第２のギャップデプスマーカ層、１２は下部
磁性コア層１０上に絶縁層を介して形成されたＣｕ等よ
りなるコイル層、１３は下部磁性コア層１０上に形成さ
れたＳｉＯ2等よりなるギャップスペーサ層、１４は下
部磁性コア層の上方にコイル層１２、ギャップスペーサ
層１３、絶縁層を介して形成されたＮｉＦｅ等よりなる
上部磁性コア層であり、これらによりインダクティブヘ
ッド部が形成されている。前記インダクティブヘッド部
の上部にはＡｌ2Ｏ3等よりなる保護層１５が形成されて
いる。
よりなる下部磁性コア層、１１は分離層１０上に前記下
部磁性コア層１０と同時に同材料を成膜することにより
形成された第２のギャップデプスマーカ層、１２は下部
磁性コア層１０上に絶縁層を介して形成されたＣｕ等よ
りなるコイル層、１３は下部磁性コア層１０上に形成さ
れたＳｉＯ2等よりなるギャップスペーサ層、１４は下
部磁性コア層の上方にコイル層１２、ギャップスペーサ
層１３、絶縁層を介して形成されたＮｉＦｅ等よりなる
上部磁性コア層であり、これらによりインダクティブヘ
ッド部が形成されている。前記インダクティブヘッド部
の上部にはＡｌ2Ｏ3等よりなる保護層１５が形成されて
いる。
【００２０】前記第１のギャップデプスマーカ層７は前
述したように電極層６と同時に形成されるため、その膜
厚は該電極層６と等しく、０．３μｍ以下である。ま
た、前記第２のギャップデプスマーカ層１１は下部磁性
コア層１０と同時に形成されるため、その膜厚は該下部
磁性コア層１０と等しく、１〜３μｍである。前記第
１、第２のギャップデプスマーカ層７、１１は同形状で
あり、上方から観た形状は図３に示すように夫々の歯の
長さが異なる櫛歯状をしている。また、前記第１、第２
のギャップデプスマーカ層７、１１は両者が重なる位置
に形成されている。
述したように電極層６と同時に形成されるため、その膜
厚は該電極層６と等しく、０．３μｍ以下である。ま
た、前記第２のギャップデプスマーカ層１１は下部磁性
コア層１０と同時に形成されるため、その膜厚は該下部
磁性コア層１０と等しく、１〜３μｍである。前記第
１、第２のギャップデプスマーカ層７、１１は同形状で
あり、上方から観た形状は図３に示すように夫々の歯の
長さが異なる櫛歯状をしている。また、前記第１、第２
のギャップデプスマーカ層７、１１は両者が重なる位置
に形成されている。
【００２１】上述のような本実施例の複合型薄膜磁気ヘ
ッドでは、磁気媒体と対向する面１６を研削、あるいは
研磨等により加工する場合、その加工量は前記磁気媒体
と対向する面１１に露出する前記第１、第２のギャップ
デプスマーカ層７、１１の歯の本数を光学的に観察する
ことにより制御される。具体的には、まず、膜厚が大き
い第２のギャップデプスマーカ層１１を観察することに
より、所望の加工量の近くまで加工を行い、次いで、膜
厚が小さい第１のギャップデプスマーカ層７を観察する
ことにより、所望の加工量まで緻密な加工を行う。
ッドでは、磁気媒体と対向する面１６を研削、あるいは
研磨等により加工する場合、その加工量は前記磁気媒体
と対向する面１１に露出する前記第１、第２のギャップ
デプスマーカ層７、１１の歯の本数を光学的に観察する
ことにより制御される。具体的には、まず、膜厚が大き
い第２のギャップデプスマーカ層１１を観察することに
より、所望の加工量の近くまで加工を行い、次いで、膜
厚が小さい第１のギャップデプスマーカ層７を観察する
ことにより、所望の加工量まで緻密な加工を行う。
【００２２】このような加工方法によれば、前記第２の
ギャップデプスマーカ層１１は膜厚が大きいため観察し
易く、所望の加工量の近くまでは高速に効率良く加工す
ることが出来る。そして、第１のギャップデプスマーカ
層７は、図４に示すように、膜厚が小さいため、第２の
ギャップデプスマーカ層１１に比べて、成膜パターン時
の先太り等による寸法変化が小さく、上部と下部とは殆
ど同じ大きさである。このため、第１のギャップデプス
マーカ層７においては、下部が検出される地点と、下部
から上部までの厚さ全体が検出される地点とでは加工量
の差ｂが小さく、所望の加工量近傍では、第１のギャッ
プデプスマーカ層７を観察しながら高精度の加工を行う
ことが出来る。
ギャップデプスマーカ層１１は膜厚が大きいため観察し
易く、所望の加工量の近くまでは高速に効率良く加工す
ることが出来る。そして、第１のギャップデプスマーカ
層７は、図４に示すように、膜厚が小さいため、第２の
ギャップデプスマーカ層１１に比べて、成膜パターン時
の先太り等による寸法変化が小さく、上部と下部とは殆
ど同じ大きさである。このため、第１のギャップデプス
マーカ層７においては、下部が検出される地点と、下部
から上部までの厚さ全体が検出される地点とでは加工量
の差ｂが小さく、所望の加工量近傍では、第１のギャッ
プデプスマーカ層７を観察しながら高精度の加工を行う
ことが出来る。
【００２３】以上のように、本実施例の複合型薄膜磁気
ヘッドでは、第２のギャップデプスマーカ層１１を観察
することにより所望の加工量の近くまで効率良く加工す
ることが出来、第１のギャップデプスマーカ層７を観察
することにより所望の加工量まで高精度に加工すること
が出来る。
ヘッドでは、第２のギャップデプスマーカ層１１を観察
することにより所望の加工量の近くまで効率良く加工す
ることが出来、第１のギャップデプスマーカ層７を観察
することにより所望の加工量まで高精度に加工すること
が出来る。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、磁気媒体と対向する面
を所望の加工量まで効率良く、しかも高精度に加工する
ことが出来る複合型薄膜磁気ヘッドを提供し得る。
を所望の加工量まで効率良く、しかも高精度に加工する
ことが出来る複合型薄膜磁気ヘッドを提供し得る。
【図１】本発明の複合型薄膜磁気ヘッドの分解斜視図で
ある。
ある。
【図２】本発明の複合型薄膜磁気ヘッドの外観斜視図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第１、第２のギャップデプスマーカ層
の上面図である。
の上面図である。
【図４】本発明の第１のギャップデプスマーカ層及び第
２のギャップデプスマーカ層における上部と下部との加
工量の差を示す図である。
２のギャップデプスマーカ層における上部と下部との加
工量の差を示す図である。
【図５】従来のギャップデプスマーカの上部と下部とで
の加工量の差を示す図である。
の加工量の差を示す図である。
５ ＭＲ素子層 ６ 電極層 ７ 第１のギャップデプスマーカ層 １０ 下部磁性コア層 １１ 第２のギャップデプスマーカ層 １２ コイル層 １３ ギャップスペーサ層 １４ 上部磁性コア層 １６ 磁気媒体と対向する面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 的野 直人 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 下部磁性コア層、導体コイル層、ギャッ
プスペーサ層、及び上部磁性コア層が絶縁層を介して形
成されているインダクティブヘッド部と、磁界の変化に
応じて抵抗が変化する磁気抵抗効果型素子、及び該磁気
抵抗効果型素子に電流を供給し前記抵抗の変化を検出す
るための電極層を備える磁気抵抗効果型ヘッド部とが一
体に形成された複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記イ
ンダクティブヘッド部及び前記磁気抵抗効果型ヘッド部
における磁気媒体と対向する面の加工量を検出するため
のギャップデプスマーカを、第１のギャップデプスマー
カと、該第１のギャップデプスマーカよりも膜厚が大き
い第２のギャップデプスマーカとにより構成したことを
特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記第１のギャップデプスマーカが前記
磁気抵抗効果型ヘッド部の上記電極層と同時に形成され
たものであることを特徴とする請求項１記載の複合型薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記第２のギャップデプスマーカが前記
インダクティブヘッド部の上記下部磁性コア層と同時に
形成されたものであることを特徴とする請求項１、また
は２記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12432793A JP2902900B2 (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12432793A JP2902900B2 (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338033A true JPH06338033A (ja) | 1994-12-06 |
| JP2902900B2 JP2902900B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=14882599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12432793A Expired - Fee Related JP2902900B2 (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2902900B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1993
- 1993-05-26 JP JP12432793A patent/JP2902900B2/ja not_active Expired - Fee Related
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