JP2545596B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/245—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for controlling the reluctance of the magnetic circuit in a head with single gap, for co-operation with one track
- G11B5/2452—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for controlling the reluctance of the magnetic circuit in a head with single gap, for co-operation with one track where the dimensions of the effective gap are controlled
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気デイスク装置等に用いられる薄膜磁気
ヘツドに関する。
ヘツドに関する。
従来のこの種の薄膜磁気ヘツドの構造を第６図、第７
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
図において、１は非磁性体（ガラス、セラミツクス
等）で形成された基板、2,3は磁性体（パーマロイ、セ
ンダスト、アモルフアス合金等）で形成された上・下部
磁性層、４は非磁性体（SiO2、Al2O3あるいは樹脂等）
で形成された磁気絶縁層、５は非磁性体（SiO2、Al2O3
あるいは樹脂等）で形成された保護層、６は導電体
（金、銀、銅、アルミニウム等）からなる導電コイルで
ある。その形成方法は、基板１上に下部磁性層３をスパ
ツタ等の方法で形成後、磁気絶縁層４をスパツタ等で下
部磁性層３上で形成すると共に導電コイル６を磁気絶縁
層４内に形成し、さらに、上部磁性層２、保護層５を順
次スパツタ等の方法で形成することにより、ギヤツプ面
７上でギヤツプＧを形成して薄膜磁気ヘツドを構成して
いる。
等）で形成された基板、2,3は磁性体（パーマロイ、セ
ンダスト、アモルフアス合金等）で形成された上・下部
磁性層、４は非磁性体（SiO2、Al2O3あるいは樹脂等）
で形成された磁気絶縁層、５は非磁性体（SiO2、Al2O3
あるいは樹脂等）で形成された保護層、６は導電体
（金、銀、銅、アルミニウム等）からなる導電コイルで
ある。その形成方法は、基板１上に下部磁性層３をスパ
ツタ等の方法で形成後、磁気絶縁層４をスパツタ等で下
部磁性層３上で形成すると共に導電コイル６を磁気絶縁
層４内に形成し、さらに、上部磁性層２、保護層５を順
次スパツタ等の方法で形成することにより、ギヤツプ面
７上でギヤツプＧを形成して薄膜磁気ヘツドを構成して
いる。
上記構成の薄膜磁気ヘツドの動作は、磁気記録媒体
（図示せず）に信号を記録する場合、導電コイル６に信
号電流を印加することにより、上・下部磁性層2,3を磁
化し、薄膜磁気ヘツドのギヤツプ面７上のギヤツプＧに
おいて磁束を薄膜磁気ヘツド外部に飛ばし、ギヤツプ面
７に隣接する磁気記録媒体（図示せず）に信号を磁極の
変化として記録する。逆に磁気記録媒体に記録された信
号を再生する場合は、前記磁気記録媒体上に磁極の変化
として記録された信号を、ギヤツプＧぜ検出することに
より、上・下部磁性層2,3内の磁界が変化し、この磁界
の変化による電磁誘導により、上・下部磁性層2,3に挾
まれた導電コイル６に電流が発生し、この電流が信号と
して薄膜磁気ヘツドの外部へ送られる。
（図示せず）に信号を記録する場合、導電コイル６に信
号電流を印加することにより、上・下部磁性層2,3を磁
化し、薄膜磁気ヘツドのギヤツプ面７上のギヤツプＧに
おいて磁束を薄膜磁気ヘツド外部に飛ばし、ギヤツプ面
７に隣接する磁気記録媒体（図示せず）に信号を磁極の
変化として記録する。逆に磁気記録媒体に記録された信
号を再生する場合は、前記磁気記録媒体上に磁極の変化
として記録された信号を、ギヤツプＧぜ検出することに
より、上・下部磁性層2,3内の磁界が変化し、この磁界
の変化による電磁誘導により、上・下部磁性層2,3に挾
まれた導電コイル６に電流が発生し、この電流が信号と
して薄膜磁気ヘツドの外部へ送られる。
上記の薄膜磁気ヘツドにおいては、磁気記録媒体への
信号の記録および再生を同一のギヤツプＧで行つてい
た。しかしながら、記録動作に適したギヤツプＧの間隔
（ギヤツプ幅）と、再生に適したギヤツプ幅とは、互い
に相反する関係にある。つまり、再生時のギヤツプ幅
は、磁気記録媒体上の信号の記録波長に対して狭ければ
狭いほど再生時の高周波損失が小さくなり再生効率がよ
くなるが、逆に記録時においては、記録波長に対して狭
ければ狭いほど、記録時のギヤツプ損失が大きくなり、
記録効率が低下するというジレンマがあつた。このた
め、実際の薄膜磁気ヘツドにおいては、再生効率および
記録効率それぞれの低下を最少に抑えるようなギヤツプ
幅に設定せざるを得ず、薄膜磁気ヘツドの動作効率の低
下を余儀なくされ、高分解能化を図る上で大きな障害と
なつていた。
信号の記録および再生を同一のギヤツプＧで行つてい
た。しかしながら、記録動作に適したギヤツプＧの間隔
（ギヤツプ幅）と、再生に適したギヤツプ幅とは、互い
に相反する関係にある。つまり、再生時のギヤツプ幅
は、磁気記録媒体上の信号の記録波長に対して狭ければ
狭いほど再生時の高周波損失が小さくなり再生効率がよ
くなるが、逆に記録時においては、記録波長に対して狭
ければ狭いほど、記録時のギヤツプ損失が大きくなり、
記録効率が低下するというジレンマがあつた。このた
め、実際の薄膜磁気ヘツドにおいては、再生効率および
記録効率それぞれの低下を最少に抑えるようなギヤツプ
幅に設定せざるを得ず、薄膜磁気ヘツドの動作効率の低
下を余儀なくされ、高分解能化を図る上で大きな障害と
なつていた。
本発明はこのような点に鑑みて創案されたものであ
り、２種類のギヤツプを形成することにより、動作効率
特に再生時の動作効率がよく、高分解能な薄膜磁気ヘツ
ドを提供することを目的としている。
り、２種類のギヤツプを形成することにより、動作効率
特に再生時の動作効率がよく、高分解能な薄膜磁気ヘツ
ドを提供することを目的としている。
したがつて本発明においては、磁性体からなる上・下
部磁性層2,3に挾まれた、非磁性体からなる磁気絶縁層
４内に、前記上・下部磁性層2,3の一方に沿つて、前記
上・下部磁性層2,3よりも薄く、中間磁性層10を形成
し、該中間磁性層10と前記上・下部磁性層2,3の一方と
の間の少なくともギヤツプ面７近傍に、中間磁気絶縁層
11を形成したことを特徴とする。
部磁性層2,3に挾まれた、非磁性体からなる磁気絶縁層
４内に、前記上・下部磁性層2,3の一方に沿つて、前記
上・下部磁性層2,3よりも薄く、中間磁性層10を形成
し、該中間磁性層10と前記上・下部磁性層2,3の一方と
の間の少なくともギヤツプ面７近傍に、中間磁気絶縁層
11を形成したことを特徴とする。
さらに、中間磁性層10のギヤツプ面７におけるトラツ
ク幅TRを、前記上・下部磁性層2,3のギヤツプ面７にお
けるトラツク幅TWとりも狭く形成したことを特徴とす
る。
ク幅TRを、前記上・下部磁性層2,3のギヤツプ面７にお
けるトラツク幅TWとりも狭く形成したことを特徴とす
る。
上・下部磁性層2,3で記録用ギヤツプGWを形成し、中
間磁性層10と下部磁性層３で再生用ギヤツプGRを形成し
ているため、再生用ギヤツプGRを、記録用ギヤツプGWと
は独立して設定することができる。このため、再生用ギ
ヤツプGRを狭く、また再生用ギヤツプGRを構成する中間
磁性膜10を狭く形成することにより、従来例と比べて薄
膜磁気ヘツドの記録時の動作効率（記録効率）をほとん
ど変えることなく、再生時の動作効率（再生効率）を高
めることができ、また微弱な信号検出が容易になり、分
解能が高くなる。
間磁性層10と下部磁性層３で再生用ギヤツプGRを形成し
ているため、再生用ギヤツプGRを、記録用ギヤツプGWと
は独立して設定することができる。このため、再生用ギ
ヤツプGRを狭く、また再生用ギヤツプGRを構成する中間
磁性膜10を狭く形成することにより、従来例と比べて薄
膜磁気ヘツドの記録時の動作効率（記録効率）をほとん
ど変えることなく、再生時の動作効率（再生効率）を高
めることができ、また微弱な信号検出が容易になり、分
解能が高くなる。
さらに、再生時に作用する中間磁性層10を、上・下部
磁性層2,3とは独立して設定できるため、中間磁性層10
のトラツク幅（再生トラツク幅）TWを、上・下部磁性層
2,3のトラツク幅（記録トラツク幅）TRよりも狭く設定
することにより、再生用のオフ・トラツク・マージンを
増加させることができる。
磁性層2,3とは独立して設定できるため、中間磁性層10
のトラツク幅（再生トラツク幅）TWを、上・下部磁性層
2,3のトラツク幅（記録トラツク幅）TRよりも狭く設定
することにより、再生用のオフ・トラツク・マージンを
増加させることができる。
本発明の実施例を第１図、第２図を用いて説明する。
なお、従来例と同じ構成には同一番号を付して説明を省
略する。
なお、従来例と同じ構成には同一番号を付して説明を省
略する。
本実施例において、10は磁性体（パーマロイ、センダ
スト、アモルフアス合金等）からなる中間磁性層、11は
非磁性体（SiO2、Al2O3あるいは樹脂等）からなる中間
磁気絶縁層である。そして、従来例と同様にして形成さ
れた磁気絶縁層４上に中間磁性層10をスパツタ等の方法
により上・下部磁性層2,3よりも薄く形成し、次に中間
磁気絶縁層11をスパツタ等の方法で中間磁性層10のギヤ
ツプ面近傍に選択的に形成し、その後上部磁性層２、保
護層５を従来例と同様に形成して薄膜磁気ヘツドを構成
している。
スト、アモルフアス合金等）からなる中間磁性層、11は
非磁性体（SiO2、Al2O3あるいは樹脂等）からなる中間
磁気絶縁層である。そして、従来例と同様にして形成さ
れた磁気絶縁層４上に中間磁性層10をスパツタ等の方法
により上・下部磁性層2,3よりも薄く形成し、次に中間
磁気絶縁層11をスパツタ等の方法で中間磁性層10のギヤ
ツプ面近傍に選択的に形成し、その後上部磁性層２、保
護層５を従来例と同様に形成して薄膜磁気ヘツドを構成
している。
上記構成においては、上部磁性層２と下部磁性層３に
より記録用ギヤツプGWが形成され、中間磁性層10と下部
磁性層３で再生用ギヤツプGRのギヤツプ幅Ｒが、前記記
録用ギヤツプGWのギヤツプ幅Ｗよりも狭く形成されてい
る。ここで、再生用ギヤツプGRのギヤツプ幅Ｒは、再生
時のギヤツプ損失が少ないように、磁気記録媒体上の記
録波長に比べ十分狭く、また記録用ギヤツプGWのギヤツ
プ幅Ｗは再生時のギヤツプ損失が大きく、信号の検出が
出来ないようなギヤツプ幅に設定される。この記録用ギ
ヤツプGWのギヤツプ幅Ｗは、例えば以下のように決定さ
れる。
より記録用ギヤツプGWが形成され、中間磁性層10と下部
磁性層３で再生用ギヤツプGRのギヤツプ幅Ｒが、前記記
録用ギヤツプGWのギヤツプ幅Ｗよりも狭く形成されてい
る。ここで、再生用ギヤツプGRのギヤツプ幅Ｒは、再生
時のギヤツプ損失が少ないように、磁気記録媒体上の記
録波長に比べ十分狭く、また記録用ギヤツプGWのギヤツ
プ幅Ｗは再生時のギヤツプ損失が大きく、信号の検出が
出来ないようなギヤツプ幅に設定される。この記録用ギ
ヤツプGWのギヤツプ幅Ｗは、例えば以下のように決定さ
れる。
まず、再生時におけるギヤツプ損失Lgは、おおまかに
以下の式で表わされる。
以下の式で表わされる。
g:ギヤツプ幅 λ：磁気記録媒体上の記録波長 この（１）式を図示したものが第５図である。第５図
からわかるように、ある記録波長における再生時のギヤ
ツプ損失が極大となるギヤツプ幅が存在する。第５図に
おいては、ギヤツプ幅が記録波長と同一もしくはその倍
数でギヤツプ損失が極大となつており、記録用ギヤツプ
GWのギヤツプ幅Ｗをこの条件に設定する。
からわかるように、ある記録波長における再生時のギヤ
ツプ損失が極大となるギヤツプ幅が存在する。第５図に
おいては、ギヤツプ幅が記録波長と同一もしくはその倍
数でギヤツプ損失が極大となつており、記録用ギヤツプ
GWのギヤツプ幅Ｗをこの条件に設定する。
以上の設定により、再生時において、再生用ギヤツプ
GRは、ギヤツプ幅Ｒが記録波長に対して十分狭く形成さ
れているため、再生時のギヤツプ損失が小さく、信号を
効率よく検出でき、また中間磁性層10が薄く形成されて
いるため、磁気記録媒体上の微弱、微小な磁極の変化で
も、中間磁性層10内の磁界が変化しやくなり、信号検出
の感度がよくなる。また、この時記録用ギヤツプGWは、
再生時のギヤツプ損失が大きいため、信号検出しない。
GRは、ギヤツプ幅Ｒが記録波長に対して十分狭く形成さ
れているため、再生時のギヤツプ損失が小さく、信号を
効率よく検出でき、また中間磁性層10が薄く形成されて
いるため、磁気記録媒体上の微弱、微小な磁極の変化で
も、中間磁性層10内の磁界が変化しやくなり、信号検出
の感度がよくなる。また、この時記録用ギヤツプGWは、
再生時のギヤツプ損失が大きいため、信号検出しない。
次に記録時においては、薄膜磁気ヘツド内の導電コイ
ル６を流れる信号電流により、上・下部および中間磁性
層2,3,10がそれぞれ磁化される。しかしながら中間磁性
層10は、上・下部磁性層2,3よりも飽和磁束量が少なく
なるよう薄く形成されているため、中間磁性層10は磁束
が飽和し、見かけ上磁気絶縁層４と同一となり、再生用
ギヤツプGRは無効となる。そして上・下部磁性層2,3に
よる記録用ギヤツプGWにおいて、磁気記録媒体上へ信号
を記録する。なお記録時のギヤツプ損失は、記録波長に
対して同一程度の適度なギヤツプ幅をもつ限り、再生時
のギヤツプ損失ほど急激な変化はなく、記録時のギヤツ
プ損失は従来例と比べてあまり変化しない。
ル６を流れる信号電流により、上・下部および中間磁性
層2,3,10がそれぞれ磁化される。しかしながら中間磁性
層10は、上・下部磁性層2,3よりも飽和磁束量が少なく
なるよう薄く形成されているため、中間磁性層10は磁束
が飽和し、見かけ上磁気絶縁層４と同一となり、再生用
ギヤツプGRは無効となる。そして上・下部磁性層2,3に
よる記録用ギヤツプGWにおいて、磁気記録媒体上へ信号
を記録する。なお記録時のギヤツプ損失は、記録波長に
対して同一程度の適度なギヤツプ幅をもつ限り、再生時
のギヤツプ損失ほど急激な変化はなく、記録時のギヤツ
プ損失は従来例と比べてあまり変化しない。
さらに第３図は、本発明の請求項（２）を示す第２の
実施例である。この特徴は、本発明の請求項（１）にお
ける中間磁性層10の、ギヤツプ面７における左右方向の
幅（再生トラツク幅）TRを、上・下部磁性層2,3の左右
方向の幅（記録トラツク幅）TWに比べて狭く形成したこ
とにある。前記請求項（１）の発明によれば、再生用に
使われる中間磁性層10を、上・下部磁性層2,3とは独立
して形成しているため、第３図に示すように、中間磁性
層10の再生トラツク幅TRを、上・下部磁性層2,3による
記録トラツク幅TWよりも狭く形成することにより、磁気
記録媒体上の記録信号のトラツク幅に対して、再生時の
薄膜磁気ヘツドの左右方向のズレの余裕（オフ・トラツ
ク・マージン）を増加させることができる。
実施例である。この特徴は、本発明の請求項（１）にお
ける中間磁性層10の、ギヤツプ面７における左右方向の
幅（再生トラツク幅）TRを、上・下部磁性層2,3の左右
方向の幅（記録トラツク幅）TWに比べて狭く形成したこ
とにある。前記請求項（１）の発明によれば、再生用に
使われる中間磁性層10を、上・下部磁性層2,3とは独立
して形成しているため、第３図に示すように、中間磁性
層10の再生トラツク幅TRを、上・下部磁性層2,3による
記録トラツク幅TWよりも狭く形成することにより、磁気
記録媒体上の記録信号のトラツク幅に対して、再生時の
薄膜磁気ヘツドの左右方向のズレの余裕（オフ・トラツ
ク・マージン）を増加させることができる。
なお、上記実施例における（１）式は、本発明の議論
を容易にするために用いた簡単化された式であり、薄膜
磁気ヘツドの特性を決定付けるものではなく、本発明を
限定するものではない。
を容易にするために用いた簡単化された式であり、薄膜
磁気ヘツドの特性を決定付けるものではなく、本発明を
限定するものではない。
また、上記実施例において中間磁気絶縁層11を、上部
磁性層２と中間磁性層10とのギヤツプ面７近傍にのみ形
成しているが、第４図に示すように、上部磁性層２と中
間磁性層10との間全面に中間磁気絶縁層11を形成しても
よく、また中間磁性層10を上・下部磁性層2,3の材質に
比べて飽和磁束密度の低い材質を使うことにより、記録
時の中間磁性層10の働きをより確実に無効にできるよう
にしてもよい。
磁性層２と中間磁性層10とのギヤツプ面７近傍にのみ形
成しているが、第４図に示すように、上部磁性層２と中
間磁性層10との間全面に中間磁気絶縁層11を形成しても
よく、また中間磁性層10を上・下部磁性層2,3の材質に
比べて飽和磁束密度の低い材質を使うことにより、記録
時の中間磁性層10の働きをより確実に無効にできるよう
にしてもよい。
また、本発明の第２の実施例における中間磁性層10の
左右方向の幅は、少なくともギヤツプ面７において、上
・下部磁性層2,3の幅よりも狭ければよく、また中間磁
性層10全体が、上・下部磁性層2,3の左右方向の幅より
も狭く形成されてもよい。
左右方向の幅は、少なくともギヤツプ面７において、上
・下部磁性層2,3の幅よりも狭ければよく、また中間磁
性層10全体が、上・下部磁性層2,3の左右方向の幅より
も狭く形成されてもよい。
本発明における薄膜磁気ヘツドは叙上の通り、上・下
部磁性層2,3により記録用ギヤツプGWを、下部・中間磁
性層3,10で再生用ギヤツプGRを形成しているため、記録
効率をほとんど変えずに再生効率だけを飛躍的に上げる
ことができ、また、中間磁性層10を上・下部磁性層2,3
よりも薄く形成することにより、磁気記録媒体上の信号
検出の感度が良くなり、高分解能にも対応できる。
部磁性層2,3により記録用ギヤツプGWを、下部・中間磁
性層3,10で再生用ギヤツプGRを形成しているため、記録
効率をほとんど変えずに再生効率だけを飛躍的に上げる
ことができ、また、中間磁性層10を上・下部磁性層2,3
よりも薄く形成することにより、磁気記録媒体上の信号
検出の感度が良くなり、高分解能にも対応できる。
また、中間磁性層10を上・下部磁性層2,3とは独立し
て形成するため、中間磁性層10の再生トラツク幅TRを、
上・下部磁性層2,3の記録トラツク幅TWよりも狭く形成
することにより、再生時のオフ・トラツク・マージンを
増加させることができる。
て形成するため、中間磁性層10の再生トラツク幅TRを、
上・下部磁性層2,3の記録トラツク幅TWよりも狭く形成
することにより、再生時のオフ・トラツク・マージンを
増加させることができる。
第１図〜第４図は、本発明の実施例を示し、第１図は請
求項第１の薄膜磁気ヘツドの概略構成図、第２図はこの
薄膜磁気ヘツドのギヤツプ面における要部拡大図、第３
図は、本発明における請求項第２の実施例のギヤツプ面
における要部拡大図、第４図は本発明の他の実施例の概
略構成図である。第５図は、記録波長に対するギヤツプ
幅とギヤツプ損失の関係を示す図、第６図，第７図は従
来例を示し、第６図は薄膜磁気ヘツドの概略構成図、第
７図はギヤツプ面における要部拡大図である。 １…基板、2,3…上・下部磁性層、４…磁気絶縁層、５
…保護層、６…導電コイル、７…ギヤツプ面、10…中間
磁性層、11…中間磁気絶縁層、G,GW，GR…ギヤツプ。
求項第１の薄膜磁気ヘツドの概略構成図、第２図はこの
薄膜磁気ヘツドのギヤツプ面における要部拡大図、第３
図は、本発明における請求項第２の実施例のギヤツプ面
における要部拡大図、第４図は本発明の他の実施例の概
略構成図である。第５図は、記録波長に対するギヤツプ
幅とギヤツプ損失の関係を示す図、第６図，第７図は従
来例を示し、第６図は薄膜磁気ヘツドの概略構成図、第
７図はギヤツプ面における要部拡大図である。 １…基板、2,3…上・下部磁性層、４…磁気絶縁層、５
…保護層、６…導電コイル、７…ギヤツプ面、10…中間
磁性層、11…中間磁気絶縁層、G,GW，GR…ギヤツプ。
Claims (2)
- 【請求項１】磁性体からなる二層の磁性層によつて挾ま
れた、非磁性体からなる磁気絶縁層内に、 前記二層の磁性層の一方に沿つて、前記磁性層よりも薄
く中間磁性層を形成し、該中間磁性層と前記磁性層の一
方との間の少なくともギヤツプ面近傍に中間磁気絶縁層
を形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘツド。 - 【請求項２】該中間磁性層のギヤツプ面におけるトラツ
ク幅を、前記二層の磁性層のギヤツプ面におけるトラツ
ク幅よりも狭く形成したことを特徴とする請求項（１）
記載の薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325507A JP2545596B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 薄膜磁気ヘッド |
| US07/398,359 US5014149A (en) | 1988-12-23 | 1989-08-25 | Thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325507A JP2545596B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02172009A JPH02172009A (ja) | 1990-07-03 |
| JP2545596B2 true JP2545596B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=18177647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63325507A Expired - Fee Related JP2545596B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5014149A (ja) |
| JP (1) | JP2545596B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2702647B1 (fr) * | 1993-03-18 | 1995-05-05 | Baudet Jacques | Procédé de micro-anastomose de vaisseaux sanguins et pince automatique pour sa mise en Óoeuvre. |
| US5729413A (en) * | 1995-12-20 | 1998-03-17 | Ampex Corporation | Two-gap magnetic read/write head |
| JP3305244B2 (ja) * | 1997-12-10 | 2002-07-22 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US6833976B2 (en) * | 2002-05-15 | 2004-12-21 | International Business Machine Corporation | Thin film magnetic recording inductive write head with laminated write gap |
| US20110075299A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Olson Trevor W | Magnetic write heads for hard disk drives and method of forming same |
| US8724258B2 (en) * | 2009-09-30 | 2014-05-13 | HGST Netherlands B.V. | Slanted bump design for magnetic shields in perpendicular write heads and method of making same |
| US8449752B2 (en) * | 2009-09-30 | 2013-05-28 | HGST Netherlands B.V. | Trailing plated step |
| US20120262824A1 (en) | 2011-04-14 | 2012-10-18 | International Business Machines Corporation | Magnetic write head with structured trailing pole |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4644432A (en) * | 1985-01-28 | 1987-02-17 | International Business Machines | Three pole single element magnetic read/write head |
| US4897749A (en) * | 1988-03-16 | 1990-01-30 | Magnetic Peripherals Inc. | Combination probe and ring head for vertical recording |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP63325507A patent/JP2545596B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-08-25 US US07/398,359 patent/US5014149A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02172009A (ja) | 1990-07-03 |
| US5014149A (en) | 1991-05-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |