JPH08329422A - 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH08329422A JPH08329422A JP13457595A JP13457595A JPH08329422A JP H08329422 A JPH08329422 A JP H08329422A JP 13457595 A JP13457595 A JP 13457595A JP 13457595 A JP13457595 A JP 13457595A JP H08329422 A JPH08329422 A JP H08329422A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 再生感度を低下させることなくバルクハウゼ
ンノイズの発生を抑制し、磁気抵抗効果素子部とシール
ド部との間の絶縁性も確保した磁気抵抗効果型ヘッドを
提供する。 【構成】 本発明による磁気抵抗効果型ヘッドは、通電
手段が付設された磁気抵抗効果膜の下層に磁気分離膜を
介して軟磁性膜が配され、前記磁気抵抗効果膜の通電方
向両端部に隣接して永久磁石膜が配された磁気抵抗効果
型ヘッドにおいて、前記軟磁性膜が前記永久磁石膜の下
層にまで延在していることを特徴とするものである。
ンノイズの発生を抑制し、磁気抵抗効果素子部とシール
ド部との間の絶縁性も確保した磁気抵抗効果型ヘッドを
提供する。 【構成】 本発明による磁気抵抗効果型ヘッドは、通電
手段が付設された磁気抵抗効果膜の下層に磁気分離膜を
介して軟磁性膜が配され、前記磁気抵抗効果膜の通電方
向両端部に隣接して永久磁石膜が配された磁気抵抗効果
型ヘッドにおいて、前記軟磁性膜が前記永久磁石膜の下
層にまで延在していることを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果により磁
気的信号を電気的信号に変換する磁気抵抗効果型ヘッド
に関するものであり、特に、磁気ディスク装置等の小型
で大容量の磁気記録装置に使用される磁気抵抗効果型ヘ
ッドに関するものである。
気的信号を電気的信号に変換する磁気抵抗効果型ヘッド
に関するものであり、特に、磁気ディスク装置等の小型
で大容量の磁気記録装置に使用される磁気抵抗効果型ヘ
ッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果により磁気的信号を電気的
信号に変換する磁気抵抗効果型ヘッドは、コンピュータ
の外部記憶装置としてのＨＤＤ（ハード・ディスク・ド
ライブ）等における再生専用の磁気ヘッドとして注目さ
れている。
信号に変換する磁気抵抗効果型ヘッドは、コンピュータ
の外部記憶装置としてのＨＤＤ（ハード・ディスク・ド
ライブ）等における再生専用の磁気ヘッドとして注目さ
れている。
【０００３】斯かる磁気抵抗効果型ヘッドにおける磁気
抵抗効果素子部の構成の一例として、図５に示すような
断面構成、すなわち、通電手段としての電極層６が付設
された磁気抵抗効果膜１の下層に磁気分離膜２１を介し
て軟磁性膜３が配され、前記磁気抵抗効果膜の通電方向
（矢印Ｃで示す方向）の両端部に隣接して永久磁石膜５
が配された磁気抵抗効果素子部の構成が、米国特許第５
０１８０３７号に記載されている。なお、図５に符号７
で示した層は下部シールド層（図示せず）との間のギャ
ップスペーサ層である。
抵抗効果素子部の構成の一例として、図５に示すような
断面構成、すなわち、通電手段としての電極層６が付設
された磁気抵抗効果膜１の下層に磁気分離膜２１を介し
て軟磁性膜３が配され、前記磁気抵抗効果膜の通電方向
（矢印Ｃで示す方向）の両端部に隣接して永久磁石膜５
が配された磁気抵抗効果素子部の構成が、米国特許第５
０１８０３７号に記載されている。なお、図５に符号７
で示した層は下部シールド層（図示せず）との間のギャ
ップスペーサ層である。
【０００４】前記軟磁性膜３は、磁気抵抗効果膜の通電
により発生する磁界によって磁化され、該磁化に起因す
るバイアス磁界を磁気抵抗効果膜に付与するという作用
効果を奏するものであり、前記磁気分離膜２１は、磁気
抵抗効果膜と軟磁性膜との間に介在して前記バイアス磁
界の強さを調整するという作用効果を奏するものであ
り、前記永久磁石膜５は、磁気抵抗効果膜の通電方向に
沿って着磁され、磁気抵抗効果膜及び軟磁性膜を単磁区
化して、磁気抵抗効果膜内及び軟磁性膜内の磁壁移動に
起因するバルクハウゼンノイズを抑制するという作用効
果を奏するものである。
により発生する磁界によって磁化され、該磁化に起因す
るバイアス磁界を磁気抵抗効果膜に付与するという作用
効果を奏するものであり、前記磁気分離膜２１は、磁気
抵抗効果膜と軟磁性膜との間に介在して前記バイアス磁
界の強さを調整するという作用効果を奏するものであ
り、前記永久磁石膜５は、磁気抵抗効果膜の通電方向に
沿って着磁され、磁気抵抗効果膜及び軟磁性膜を単磁区
化して、磁気抵抗効果膜内及び軟磁性膜内の磁壁移動に
起因するバルクハウゼンノイズを抑制するという作用効
果を奏するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、前記図５に
示したような磁気抵抗効果素子部の構成においては、永
久磁石膜から発生する磁界が磁気抵抗効果膜と軟磁性膜
に対してほぼ同じ強さで作用するため、該磁界を磁気抵
抗効果膜の単磁区化に好適な強さに設定すると軟磁性膜
がその方向に磁化されすぎ、前記バイアス磁界が弱くな
って磁気抵抗効果型ヘッドとしての再生感度が低下する
という問題がある。
示したような磁気抵抗効果素子部の構成においては、永
久磁石膜から発生する磁界が磁気抵抗効果膜と軟磁性膜
に対してほぼ同じ強さで作用するため、該磁界を磁気抵
抗効果膜の単磁区化に好適な強さに設定すると軟磁性膜
がその方向に磁化されすぎ、前記バイアス磁界が弱くな
って磁気抵抗効果型ヘッドとしての再生感度が低下する
という問題がある。
【０００６】これを防ぐために永久磁石膜の着磁を弱く
すると、磁気抵抗効果膜及び軟磁性膜の磁区制御が不十
分となり、バルクハウゼンノイズが発生しやすくなる。
すると、磁気抵抗効果膜及び軟磁性膜の磁区制御が不十
分となり、バルクハウゼンノイズが発生しやすくなる。
【０００７】更に、磁気記録の高密度化に対応するため
には、前記磁気抵抗効果素子部の上層及び下層にギャッ
プスペーサ層を介してシールド層を設け、ギャップスペ
ーサ層の厚さを記録波長の短小化に応じて薄くする必要
があるが、前記図５に示したような磁気抵抗効果素子部
の構成では、磁気抵抗効果膜の平面形状を規制するため
のイオンビームエッチング工程におけるオーバーエッチ
ングにより、永久磁石膜の直下層となる部分のギャップ
スペーサ層が更に薄くなり、下部シールド層と永久磁石
膜、ひいては磁気抵抗効果膜との間でショート不良が発
生するという問題もある。
には、前記磁気抵抗効果素子部の上層及び下層にギャッ
プスペーサ層を介してシールド層を設け、ギャップスペ
ーサ層の厚さを記録波長の短小化に応じて薄くする必要
があるが、前記図５に示したような磁気抵抗効果素子部
の構成では、磁気抵抗効果膜の平面形状を規制するため
のイオンビームエッチング工程におけるオーバーエッチ
ングにより、永久磁石膜の直下層となる部分のギャップ
スペーサ層が更に薄くなり、下部シールド層と永久磁石
膜、ひいては磁気抵抗効果膜との間でショート不良が発
生するという問題もある。
【０００８】本発明は、上述のような従来技術の問題点
を解決するものである。
を解決するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による磁気抵抗効
果型ヘッドは、通電手段が付設された磁気抵抗効果膜の
下層に磁気分離膜を介して軟磁性膜が配され、前記磁気
抵抗効果膜の通電方向両端部に隣接して永久磁石膜が配
された磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記軟磁性膜が
前記永久磁石膜の下層にまで延在していることを特徴と
するものである。
果型ヘッドは、通電手段が付設された磁気抵抗効果膜の
下層に磁気分離膜を介して軟磁性膜が配され、前記磁気
抵抗効果膜の通電方向両端部に隣接して永久磁石膜が配
された磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記軟磁性膜が
前記永久磁石膜の下層にまで延在していることを特徴と
するものである。
【００１０】又、本発明による磁気抵抗効果型ヘッドの
製造方法は、通電手段が付設された磁気抵抗効果膜の下
層に磁気磁気分離膜を介して軟磁性膜が配され、前記磁
気抵抗効果膜の通電方向両端部に隣接して永久磁石膜が
配された磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、軟
磁性膜、磁気磁気分離膜及び磁気抵抗効果膜となる３層
膜を被着形成した後、磁気抵抗効果膜の平面形状を規定
するレジストパターンに従って前記３層膜をエッチング
する際に、前記磁気分離膜の途中又は前記軟磁性膜の途
中までエッチングしたところでエッチングを中断し、該
エッチング中断部の上層に永久磁石膜を被着形成するこ
とを特徴とするものである。
製造方法は、通電手段が付設された磁気抵抗効果膜の下
層に磁気磁気分離膜を介して軟磁性膜が配され、前記磁
気抵抗効果膜の通電方向両端部に隣接して永久磁石膜が
配された磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、軟
磁性膜、磁気磁気分離膜及び磁気抵抗効果膜となる３層
膜を被着形成した後、磁気抵抗効果膜の平面形状を規定
するレジストパターンに従って前記３層膜をエッチング
する際に、前記磁気分離膜の途中又は前記軟磁性膜の途
中までエッチングしたところでエッチングを中断し、該
エッチング中断部の上層に永久磁石膜を被着形成するこ
とを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】上記本発明の構成によれば、永久磁石膜から発
生する磁界が磁気抵抗効果膜には強く、軟磁性膜には弱
く作用するので、該磁界を磁気抵抗効果膜の単磁区化に
好適な強さに設定しても軟磁性膜がその方向に磁化され
すぎることがない。
生する磁界が磁気抵抗効果膜には強く、軟磁性膜には弱
く作用するので、該磁界を磁気抵抗効果膜の単磁区化に
好適な強さに設定しても軟磁性膜がその方向に磁化され
すぎることがない。
【００１２】又、上記本発明の製法によれば、磁気抵抗
効果膜の平面形状を規制するためのエッチングが下部シ
ールド層上のギャップスペーサ層にまで達することがな
いので、該ギャップスペーサ層の一部が更に薄くなるこ
とによるショート不良が抑制される。
効果膜の平面形状を規制するためのエッチングが下部シ
ールド層上のギャップスペーサ層にまで達することがな
いので、該ギャップスペーサ層の一部が更に薄くなるこ
とによるショート不良が抑制される。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１４】本発明第１実施例による磁気抵抗効果型ヘ
ッドの磁気抵抗効果素子部は、図１に断面を示すよう
に、厚さ約３００ÅのＮｉＦｅ合金等からなる磁気抵抗
効果膜１の下層に厚さ約１５０ÅのＴａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔ
ｉ等からなる磁気分離膜２１を介して厚さ約２５０Åの
ＮｉＦｅＲｈ合金等からなる軟磁性膜３が配され、前記
磁気抵抗効果膜の通電方向（矢印Ｃで示す方向）の両端
部に隣接して厚さ約８００ÅのＣｏＰｔ合金、ＣｏＰｔ
Ｃｒ合金等からなる永久磁石膜５が配され、前記軟磁性
膜３が前記永久磁石膜５の下層にまで延在していること
を特徴とするものである。なお、図１に符号６で示した
層は磁気抵抗効果膜に対する通電手段としての電極層、
符号７で示した層は下部シールド層（図示せず）との間
のギャップスペーサ層である。
ッドの磁気抵抗効果素子部は、図１に断面を示すよう
に、厚さ約３００ÅのＮｉＦｅ合金等からなる磁気抵抗
効果膜１の下層に厚さ約１５０ÅのＴａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔ
ｉ等からなる磁気分離膜２１を介して厚さ約２５０Åの
ＮｉＦｅＲｈ合金等からなる軟磁性膜３が配され、前記
磁気抵抗効果膜の通電方向（矢印Ｃで示す方向）の両端
部に隣接して厚さ約８００ÅのＣｏＰｔ合金、ＣｏＰｔ
Ｃｒ合金等からなる永久磁石膜５が配され、前記軟磁性
膜３が前記永久磁石膜５の下層にまで延在していること
を特徴とするものである。なお、図１に符号６で示した
層は磁気抵抗効果膜に対する通電手段としての電極層、
符号７で示した層は下部シールド層（図示せず）との間
のギャップスペーサ層である。
【００１５】上記第１実施例による磁気抵抗効果型ヘッ
ドは、軟磁性膜、磁気分離膜及び磁気抵抗効果膜となる
３層膜を被着形成した後、磁気抵抗効果膜の平面形状を
規定するレジストパターンに従って前記３層膜をエッチ
ングする際に、前記軟磁性膜の途中までエッチングした
ところでエッチングを中断し、該エッチング中断部の直
上に周知のリフトオフ法等を用いて永久磁石膜を被着形
成することにより製造される。
ドは、軟磁性膜、磁気分離膜及び磁気抵抗効果膜となる
３層膜を被着形成した後、磁気抵抗効果膜の平面形状を
規定するレジストパターンに従って前記３層膜をエッチ
ングする際に、前記軟磁性膜の途中までエッチングした
ところでエッチングを中断し、該エッチング中断部の直
上に周知のリフトオフ法等を用いて永久磁石膜を被着形
成することにより製造される。
【００１６】上記第１実施例の製法において、前記３層
膜をエッチングする際に、前記磁気分離膜の途中までエ
ッチングしたところでエッチングを中断し、該エッチン
グ中断部の直上に周知のリフトオフ法等を用いて永久磁
石膜を被着形成すると、図２に示すような本発明第２実
施例による磁気抵抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果素子部
が得られる。
膜をエッチングする際に、前記磁気分離膜の途中までエ
ッチングしたところでエッチングを中断し、該エッチン
グ中断部の直上に周知のリフトオフ法等を用いて永久磁
石膜を被着形成すると、図２に示すような本発明第２実
施例による磁気抵抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果素子部
が得られる。
【００１７】又、上記第１実施例の製法において、エッ
チング中断部の直上にＴａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ等からなる
第２の磁気分離膜２２を介して永久磁石膜を被着形成す
ると、図３に示すような本発明第３実施例による磁気抵
抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果素子部が得られる。
チング中断部の直上にＴａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ等からなる
第２の磁気分離膜２２を介して永久磁石膜を被着形成す
ると、図３に示すような本発明第３実施例による磁気抵
抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果素子部が得られる。
【００１８】更に、上記第２実施例の製法において、エ
ッチング中断部の直上にＴａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ等からな
る第２の磁気分離膜２２を介して永久磁石膜を被着形成
すると、図４に示すような本発明第４実施例による磁気
抵抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果素子部が得られる。
ッチング中断部の直上にＴａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ等からな
る第２の磁気分離膜２２を介して永久磁石膜を被着形成
すると、図４に示すような本発明第４実施例による磁気
抵抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果素子部が得られる。
【００１９】前記第２、第３及び第４実施例における永
久磁石膜直下の第１及び／又は第２の磁気分離膜の厚さ
は、永久磁石膜と軟磁性膜との間の磁気的結合の強さを
制御するため、適宜設計される。
久磁石膜直下の第１及び／又は第２の磁気分離膜の厚さ
は、永久磁石膜と軟磁性膜との間の磁気的結合の強さを
制御するため、適宜設計される。
【００２０】上記第１〜第４の実施例として示した磁気
抵抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果素子部は、周知の通電
手段やシールド手段等と組み合わされて磁気抵抗効果型
ヘッドとしての実用に供される。又、該磁気抵抗効果型
ヘッドは、記録用の誘導型ヘッドと合体させた構成とし
て実用に供されてもよい。
抵抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果素子部は、周知の通電
手段やシールド手段等と組み合わされて磁気抵抗効果型
ヘッドとしての実用に供される。又、該磁気抵抗効果型
ヘッドは、記録用の誘導型ヘッドと合体させた構成とし
て実用に供されてもよい。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、再生感度を低下させる
ことなくバルクハウゼンノイズの発生を抑制し、磁気抵
抗効果素子部とシールド部との間の絶縁性も確保した磁
気抵抗効果型ヘッドが提供される。
ことなくバルクハウゼンノイズの発生を抑制し、磁気抵
抗効果素子部とシールド部との間の絶縁性も確保した磁
気抵抗効果型ヘッドが提供される。
【図１】本発明第１実施例による磁気抵抗効果型ヘッド
の断面図。
の断面図。
【図２】本発明第２実施例による磁気抵抗効果型ヘッド
の断面図。
の断面図。
【図３】本発明第３実施例による磁気抵抗効果型ヘッド
の断面図。
の断面図。
【図４】本発明第４実施例による磁気抵抗効果型ヘッド
の断面図。
の断面図。
【図５】従来例による磁気抵抗効果型ヘッドの断面図。
１ 磁気抵抗効果膜 ２１ 第１の磁気分離膜 ２２ 第２の磁気分離膜 ３ 軟磁性膜 ５ 永久磁石膜
Claims (4)
- 【請求項１】 通電手段が付設された磁気抵抗効果膜の
下層に磁気分離膜を介して軟磁性膜が配され、前記磁気
抵抗効果膜の通電方向両端部に隣接して永久磁石膜が配
された磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 前記軟磁性膜が前記永久磁石膜の下層にまで延在してい
ることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 前記磁気分離膜が前記永久磁石膜の下層
にまで延在していることを特徴とする請求項１記載の磁
気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】 通電手段が付設された磁気抵抗効果膜の
下層に磁気分離膜を介して軟磁性膜が配され、前記磁気
抵抗効果膜の通電方向両端部に隣接して永久磁石膜が配
された磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、 軟磁性膜、磁気分離膜及び磁気抵抗効果膜となる３層膜
を被着形成した後、磁気抵抗効果膜の平面形状を規定す
るレジストパターンに従って前記３層膜をエッチングす
る際に、前記軟磁性膜の途中までエッチングしたところ
でエッチングを中断し、 該エッチング中断部の上層に永久磁石膜を被着形成する
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 通電手段が付設された磁気抵抗効果膜の
下層に磁気分離膜を介して軟磁性膜が配され、前記磁気
抵抗効果膜の通電方向両端部に隣接して永久磁石膜が配
された磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、 軟磁性膜、磁気分離膜及び磁気抵抗効果膜となる３層膜
を被着形成した後、磁気抵抗効果膜の平面形状を規定す
るレジストパターンに従って前記３層膜をエッチングす
る際に、前記磁気分離膜の途中までエッチングしたとこ
ろでエッチングを中断し、 該エッチング中断部の上層に永久磁石膜を被着形成する
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13457595A JPH08329422A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13457595A JPH08329422A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08329422A true JPH08329422A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15131566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13457595A Pending JPH08329422A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08329422A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0916913A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド |
| US6487056B1 (en) * | 1999-09-21 | 2002-11-26 | Read-Rite Corporation | Thin film read head structure with improved bias magnet-to-magnetoresistive element interface and method of fabrication |
| WO2005101375A1 (en) * | 2004-04-02 | 2005-10-27 | Tdk Corporation | Stabilizer for magnetoresistive head and method of manufacture |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP13457595A patent/JPH08329422A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0916913A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド |
| US6487056B1 (en) * | 1999-09-21 | 2002-11-26 | Read-Rite Corporation | Thin film read head structure with improved bias magnet-to-magnetoresistive element interface and method of fabrication |
| US6735850B1 (en) | 1999-09-21 | 2004-05-18 | Western Digital (Fremont), Inc. | Thin film read head structure with improved bias magnet-to-magnetoresistive element interface and method of fabrication |
| WO2005101375A1 (en) * | 2004-04-02 | 2005-10-27 | Tdk Corporation | Stabilizer for magnetoresistive head and method of manufacture |
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