JPH056515A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPH056515A JPH056515A JP15807991A JP15807991A JPH056515A JP H056515 A JPH056515 A JP H056515A JP 15807991 A JP15807991 A JP 15807991A JP 15807991 A JP15807991 A JP 15807991A JP H056515 A JPH056515 A JP H056515A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＭＲ素子を保護しつつ、再生出力を増加させる
ための磁気結合層を有する薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】ＭＲ素子１１と上部ヨーク部１３の間に設ける
結合層１２を非晶質の磁性合金で形成し、結合層１２の
膜厚と飽和磁束密度の積を、ＭＲ素子薄膜１１の膜厚と
飽和磁束密度の積に対して大きくする。
ための磁気結合層を有する薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】ＭＲ素子１１と上部ヨーク部１３の間に設ける
結合層１２を非晶質の磁性合金で形成し、結合層１２の
膜厚と飽和磁束密度の積を、ＭＲ素子薄膜１１の膜厚と
飽和磁束密度の積に対して大きくする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型の薄膜
磁気ヘッドに関する。
磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッ
ド（以下ＭＲヘッドと呼ぶ）の一形式として、ヨークの
一部を切断し、この切断部すなわちギャップを橋渡しす
るべく設置された磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と呼
ぶ）を持つ、いわゆるヨーク型ＭＲヘッドが知られてい
る。
ド（以下ＭＲヘッドと呼ぶ）の一形式として、ヨークの
一部を切断し、この切断部すなわちギャップを橋渡しす
るべく設置された磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と呼
ぶ）を持つ、いわゆるヨーク型ＭＲヘッドが知られてい
る。
【０００３】従来のヨーク型ＭＲヘッドの構成を図５に
示す。図５において、下部ヨーク１５は、基板１８上に
形成されている。１３は上部ヨークで、一端は下部ヨー
ク１５と接し、他の一端は磁気ギャップ１６を介し下部
ヨーク１５と対向し、上部ヨーク１３と下部ヨーク１５
は略環状の磁気回路を構成している。また上部ヨーク１
３にはギャップ１９が設けられていて、このギャップ１
９には、切断された磁路を橋渡しするように、ＭＲ素子
１１の薄膜が形成されている。このようなヨーク型ＭＲ
ヘッドにおいては、ＭＲ素子に入ってくる再生出力に寄
与する磁束が小さく、充分な再生出力が得られない。
示す。図５において、下部ヨーク１５は、基板１８上に
形成されている。１３は上部ヨークで、一端は下部ヨー
ク１５と接し、他の一端は磁気ギャップ１６を介し下部
ヨーク１５と対向し、上部ヨーク１３と下部ヨーク１５
は略環状の磁気回路を構成している。また上部ヨーク１
３にはギャップ１９が設けられていて、このギャップ１
９には、切断された磁路を橋渡しするように、ＭＲ素子
１１の薄膜が形成されている。このようなヨーク型ＭＲ
ヘッドにおいては、ＭＲ素子に入ってくる再生出力に寄
与する磁束が小さく、充分な再生出力が得られない。
【０００４】その問題を解決するために例えば特開平２
−２０６００９号公報では、ＭｎＺｎフェライトからな
り、ギャップ１９とＭＲ素子１１との間の磁気的結合を
強める結合層を備えた構造が考えられている。図６はそ
の構成を示す図である。図６で示された発明は、図５に
おいて形成されたＭＲ素子１１と上部ヨーク１３との間
に、結合層１２を設けたものである。この様に磁気結合
層１２を設けることで、ＭＲ素子に入る磁束を増やし、
再生出力を増大できるという効果がある。
−２０６００９号公報では、ＭｎＺｎフェライトからな
り、ギャップ１９とＭＲ素子１１との間の磁気的結合を
強める結合層を備えた構造が考えられている。図６はそ
の構成を示す図である。図６で示された発明は、図５に
おいて形成されたＭＲ素子１１と上部ヨーク１３との間
に、結合層１２を設けたものである。この様に磁気結合
層１２を設けることで、ＭＲ素子に入る磁束を増やし、
再生出力を増大できるという効果がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、通常ＭＲ素
子薄膜に使用されるＮｉＦｅ合金（以下パーマロイと呼
ぶ）の上に、ＭｎＺｎフェライト膜を結合層として成膜
する場合、ＭｎＺｎフェライトの形成温度がパーマロイ
のキュリー点や結晶再配列を起こす温度よりも高いため
に、ＭＲ素子としての特性が損なわれてしまう。このた
めに磁気抵抗効果が小さくなったり、バルクハウゼンノ
イズが発生するなど様々な問題が生じてきてしまうこと
がわかった。
子薄膜に使用されるＮｉＦｅ合金（以下パーマロイと呼
ぶ）の上に、ＭｎＺｎフェライト膜を結合層として成膜
する場合、ＭｎＺｎフェライトの形成温度がパーマロイ
のキュリー点や結晶再配列を起こす温度よりも高いため
に、ＭＲ素子としての特性が損なわれてしまう。このた
めに磁気抵抗効果が小さくなったり、バルクハウゼンノ
イズが発生するなど様々な問題が生じてきてしまうこと
がわかった。
【０００６】また図６のような構成で磁気ヘッドを作成
するときに、磁気結合層をパターニングする際、イオン
ミリング法を使うと下地となっているパーマロイをオー
バーミリングしてしまうが、ＭＲ素子薄膜として用いる
パーマロイの膜厚が非常に薄いためにその損傷が無視で
きなくなってしまう。
するときに、磁気結合層をパターニングする際、イオン
ミリング法を使うと下地となっているパーマロイをオー
バーミリングしてしまうが、ＭＲ素子薄膜として用いる
パーマロイの膜厚が非常に薄いためにその損傷が無視で
きなくなってしまう。
【０００７】本発明の目的は、ＭＲ素子を保護しつつ、
再生出力を増加させるための磁気結合層を有する薄膜磁
気ヘッドを提供することである。
再生出力を増加させるための磁気結合層を有する薄膜磁
気ヘッドを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】ＭＲ素子薄膜の
特性を劣化させることなく、ＭＲ素子薄膜とヨーク部と
の間に磁気結合層を設けるには考慮しなければならない
点として発明者は二つの点に着目した。
特性を劣化させることなく、ＭＲ素子薄膜とヨーク部と
の間に磁気結合層を設けるには考慮しなければならない
点として発明者は二つの点に着目した。
【０００９】一点目は磁気結合層の材料である。
【００１０】磁気結合層の材料の選択においては、結合
層の生成温度が周りに与える影響と物質の比抵抗を考え
ねばならない。
層の生成温度が周りに与える影響と物質の比抵抗を考え
ねばならない。
【００１１】そこで磁気結合層を、比抵抗も高く形成温
度の低い非晶質磁性合金で形成することにより、ＮｉＦ
ｅ合金（パーマロイ）からなるＭＲ素子薄膜に対しても
磁気抵抗効果を損なうことなく磁気結合層を形成でき
る。
度の低い非晶質磁性合金で形成することにより、ＮｉＦ
ｅ合金（パーマロイ）からなるＭＲ素子薄膜に対しても
磁気抵抗効果を損なうことなく磁気結合層を形成でき
る。
【００１２】また、比抵抗の小さな物質を磁気結合層に
用いた場合でも、磁気結合層とＭＲ素子薄膜の間に絶縁
層を設けることで、ＭＲ素子の内部電気抵抗を落す問題
を防ぐことができる。
用いた場合でも、磁気結合層とＭＲ素子薄膜の間に絶縁
層を設けることで、ＭＲ素子の内部電気抵抗を落す問題
を防ぐことができる。
【００１３】第１の発明としては、磁気回路を形成する
ように配置された第１及び第２のヨークと、前記第二の
ヨークに設けられた磁気ギャップに磁気回路を構成する
ように設置されている磁気抵抗効果素子と、第二のヨー
クと前記磁気抵抗効果素子の間の磁気的結合を行うため
の結合層を備える薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子の
磁気抵抗効果を高めるために設けた磁気結合層が、ヨー
ク又はＭＲ素子のどちらかと絶縁層を介して接してい
て、この磁気結合層を非晶質磁性合金で形成するように
したものである。
ように配置された第１及び第２のヨークと、前記第二の
ヨークに設けられた磁気ギャップに磁気回路を構成する
ように設置されている磁気抵抗効果素子と、第二のヨー
クと前記磁気抵抗効果素子の間の磁気的結合を行うため
の結合層を備える薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子の
磁気抵抗効果を高めるために設けた磁気結合層が、ヨー
ク又はＭＲ素子のどちらかと絶縁層を介して接してい
て、この磁気結合層を非晶質磁性合金で形成するように
したものである。
【００１４】考慮しなければならない二点目は、磁気結
合層とＭＲ素子との位置関係である。ＭＲ素子薄膜の特
性を劣化させることなく、ＭＲ素子薄膜とヨーク部との
間に磁気結合層を設けるためである。
合層とＭＲ素子との位置関係である。ＭＲ素子薄膜の特
性を劣化させることなく、ＭＲ素子薄膜とヨーク部との
間に磁気結合層を設けるためである。
【００１５】磁気結合層を設けることで、ＭＲ素子の素
子抵抗を下げないようにすることを考えなければならな
い。磁気結合層が形成温度の高い物質であっても、磁気
結合層をＭＲ素子よりも先に膜を形成することで、磁気
結合層の形成温度によりＭＲ素子の能力の劣化を招かな
いようにする。
子抵抗を下げないようにすることを考えなければならな
い。磁気結合層が形成温度の高い物質であっても、磁気
結合層をＭＲ素子よりも先に膜を形成することで、磁気
結合層の形成温度によりＭＲ素子の能力の劣化を招かな
いようにする。
【００１６】第２の発明としては、磁気結合層の形成の
後に、ＭＲ素子の薄膜を形成した構成を持つ薄膜磁気ヘ
ッドの製法を示す。
後に、ＭＲ素子の薄膜を形成した構成を持つ薄膜磁気ヘ
ッドの製法を示す。
【００１７】基板上に下部ヨークと絶縁層を形成し、そ
の下部ヨークの上に絶縁層をはさみ、下部ヨークと磁気
回路を形成するように上部ヨークを成膜する。その上部
もしくは下部ヨークに設ける磁気ギャップに、磁気回路
を構成するように磁気抵抗効果素子を形成し、磁気ギャ
ップが設けられたヨークと磁気抵抗効果素子の間の磁気
的結合を行うための結合層を形成する薄膜磁気ヘッドの
製法において、磁気結合層を形成した後に、磁気抵抗効
果素子を成膜するようにした薄膜磁気ヘッドの製法であ
る。
の下部ヨークの上に絶縁層をはさみ、下部ヨークと磁気
回路を形成するように上部ヨークを成膜する。その上部
もしくは下部ヨークに設ける磁気ギャップに、磁気回路
を構成するように磁気抵抗効果素子を形成し、磁気ギャ
ップが設けられたヨークと磁気抵抗効果素子の間の磁気
的結合を行うための結合層を形成する薄膜磁気ヘッドの
製法において、磁気結合層を形成した後に、磁気抵抗効
果素子を成膜するようにした薄膜磁気ヘッドの製法であ
る。
【００１８】また、磁気結合層とＭＲ素子との間を通過
する磁束の流れを考えたときに、磁気結合層の膜厚と飽
和磁束密度の積を、ＭＲ素子の膜厚と飽和磁束密度の積
よりも大きくするように規定する。この磁気結合層とＭ
Ｒ素子薄膜の膜厚の比に対する再生出力の関係から、Ｍ
Ｒ素子の薄膜の膜厚に対する結合層の必要膜厚を開示す
る。第３の発明としては、磁気結合層の膜厚と飽和磁束
密度の積を、ＭＲ素子の膜厚と飽和磁束密度の積よりも
大きくした薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
する磁束の流れを考えたときに、磁気結合層の膜厚と飽
和磁束密度の積を、ＭＲ素子の膜厚と飽和磁束密度の積
よりも大きくするように規定する。この磁気結合層とＭ
Ｒ素子薄膜の膜厚の比に対する再生出力の関係から、Ｍ
Ｒ素子の薄膜の膜厚に対する結合層の必要膜厚を開示す
る。第３の発明としては、磁気結合層の膜厚と飽和磁束
密度の積を、ＭＲ素子の膜厚と飽和磁束密度の積よりも
大きくした薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
【００１９】
【実施例】図１は第１の実施例において説明する薄膜磁
気ヘッドの断面図である。本実施例では、非晶質の磁性
合金であるコバルト−ジルコニウム合金Ｃｏ90Ｚｒ10を
磁気結合層に用いたものである。本実施例の薄膜磁気ヘ
ッドは読み取りと書き込み用のヘッドを兼ねている。
気ヘッドの断面図である。本実施例では、非晶質の磁性
合金であるコバルト−ジルコニウム合金Ｃｏ90Ｚｒ10を
磁気結合層に用いたものである。本実施例の薄膜磁気ヘ
ッドは読み取りと書き込み用のヘッドを兼ねている。
【００２０】本実施例の薄膜磁気ヘッドは、まず軟磁性
体の基板１８に下部ヨーク１５が形成されている。その
下部ヨーク１５の上に絶縁層２０をはさみながら、コイ
ル１４を形成する。コイル１４の上の絶縁層２０上に形
成される上部ヨーク１３は、下部ヨーク１５と磁気回路
をなすように形成され、磁気記録媒体に向き合う端部は
磁気ギャップ１６を構成する。上部ヨーク１３に設けら
れたギャップ１９に、途切れた磁気回路を構成するため
のＭＲ素子１１と磁気結合層１２が、絶縁層２０を介し
て密接に形成している。
体の基板１８に下部ヨーク１５が形成されている。その
下部ヨーク１５の上に絶縁層２０をはさみながら、コイ
ル１４を形成する。コイル１４の上の絶縁層２０上に形
成される上部ヨーク１３は、下部ヨーク１５と磁気回路
をなすように形成され、磁気記録媒体に向き合う端部は
磁気ギャップ１６を構成する。上部ヨーク１３に設けら
れたギャップ１９に、途切れた磁気回路を構成するため
のＭＲ素子１１と磁気結合層１２が、絶縁層２０を介し
て密接に形成している。
【００２１】本実施例では、Ｃｏ90Ｚｒ10スパッタ法に
よって冷却しながら形成するためにＭＲ素子薄膜１１で
あるパーマロイの特性を劣化させない。
よって冷却しながら形成するためにＭＲ素子薄膜１１で
あるパーマロイの特性を劣化させない。
【００２２】また、Ｃｏ90Ｚｒ10で形成される磁気結合
層１２のパターニングは、イオンミリング法を使うとパ
ーマロイまでたたいてしまう可能性があるので、リフト
オフ法によっている。リフトオフ法とは、薄膜のパター
ニング方法であって、薄膜をパターニングする部分をそ
のままに残し、その他の部分にレジスト層を形成する。
次に、全面に薄膜を形成し、有機剤などでレジスト層を
除去すると、レジスト層の上に形成された薄膜も除去さ
れ、パターニングされた薄膜が残るという方法である。
層１２のパターニングは、イオンミリング法を使うとパ
ーマロイまでたたいてしまう可能性があるので、リフト
オフ法によっている。リフトオフ法とは、薄膜のパター
ニング方法であって、薄膜をパターニングする部分をそ
のままに残し、その他の部分にレジスト層を形成する。
次に、全面に薄膜を形成し、有機剤などでレジスト層を
除去すると、レジスト層の上に形成された薄膜も除去さ
れ、パターニングされた薄膜が残るという方法である。
【００２３】全ての実施例で使用されるＣｏ90Ｚｒ10合
金は導電性ではあるが、非晶質であるためにパーマロイ
に比べて３倍程度以上の比抵抗を持っている。従って磁
気抵抗効果による再生出力の低下はあまりない。しか
し、磁気結合層１２が、ヘッドヨークと直接接触してい
ると、ＭＲ素子薄膜１１に流れる電流が小さくなりすぎ
て再生出力が著しく低下する。そこで本実施例において
はＣｏ90Ｚｒ10合金からなる磁気結合層１２と上部ヨー
ク１３との間に絶縁層２０を介している。
金は導電性ではあるが、非晶質であるためにパーマロイ
に比べて３倍程度以上の比抵抗を持っている。従って磁
気抵抗効果による再生出力の低下はあまりない。しか
し、磁気結合層１２が、ヘッドヨークと直接接触してい
ると、ＭＲ素子薄膜１１に流れる電流が小さくなりすぎ
て再生出力が著しく低下する。そこで本実施例において
はＣｏ90Ｚｒ10合金からなる磁気結合層１２と上部ヨー
ク１３との間に絶縁層２０を介している。
【００２４】次に図２を参照して他の実施例について説
明する。図２は第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの
断面図である。
明する。図２は第２の実施例における薄膜磁気ヘッドの
断面図である。
【００２５】前述した第１の実施例では、磁気結合層１
２とＭＲ素子１１が密接に形成されていて、磁気結合層
１２に電流が流れてしまうことは避けられない。そこで
第２の実施例においては、ＭＲ素子１１と磁気結合層１
２との間に絶縁層２０を設けたものである。リフトオフ
法のためのレジストパターンは前記絶縁層の上に形成し
たが、パーマロイの上に形成することも考えられる。そ
の場合は前記絶縁層がストッパー膜として働くのでイオ
ンミリング法でもパターニングできる。第２の実施例で
は、この時に形成する絶縁層２０を磁気ギャップとして
も使用する。
２とＭＲ素子１１が密接に形成されていて、磁気結合層
１２に電流が流れてしまうことは避けられない。そこで
第２の実施例においては、ＭＲ素子１１と磁気結合層１
２との間に絶縁層２０を設けたものである。リフトオフ
法のためのレジストパターンは前記絶縁層の上に形成し
たが、パーマロイの上に形成することも考えられる。そ
の場合は前記絶縁層がストッパー膜として働くのでイオ
ンミリング法でもパターニングできる。第２の実施例で
は、この時に形成する絶縁層２０を磁気ギャップとして
も使用する。
【００２６】第３の実施例について説明する。図３は第
３の実施例における薄膜磁気ヘッドの断面図である。
３の実施例における薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【００２７】第３の実施例では、磁気結合層が形成する
ときの高い形成温度によってＭＲ素子が損傷することを
防ぐために、磁気結合層膜１２をＭＲ素子薄膜１１より
も先に形成したものである。すなわち、軟磁性体の基板
１８の上に磁気結合層膜１２を成膜した後に、ＭＲ素子
薄膜１１、下部ヨーク１５を形成する。
ときの高い形成温度によってＭＲ素子が損傷することを
防ぐために、磁気結合層膜１２をＭＲ素子薄膜１１より
も先に形成したものである。すなわち、軟磁性体の基板
１８の上に磁気結合層膜１２を成膜した後に、ＭＲ素子
薄膜１１、下部ヨーク１５を形成する。
【００２８】本実施例では、磁気結合層１２に高い形成
温度をもつＭｎＺｎフェライトも使用できる。ＭｎＺｎ
フェライトを磁気結合層１２に用いると、下部ヨーク１
５と磁気結合層１２の間、もしくは磁気結合層１２とＭ
Ｒ素子薄膜の間の何れかに絶縁層を形成する必要が無
い。また本実施例は、パターニングをスパッタエッチ法
で行ったほうが、エッチング断面が急俊にならずパーマ
ロイの磁区構造に悪影響を及ぼさない。
温度をもつＭｎＺｎフェライトも使用できる。ＭｎＺｎ
フェライトを磁気結合層１２に用いると、下部ヨーク１
５と磁気結合層１２の間、もしくは磁気結合層１２とＭ
Ｒ素子薄膜の間の何れかに絶縁層を形成する必要が無
い。また本実施例は、パターニングをスパッタエッチ法
で行ったほうが、エッチング断面が急俊にならずパーマ
ロイの磁区構造に悪影響を及ぼさない。
【００２９】図４は本発明の実施例における、結合層の
膜厚と飽和磁束密度の積と、ＭＲ素子の膜厚と飽和磁束
密度の積との比に対する再生出力の大きさを示す図であ
る。
膜厚と飽和磁束密度の積と、ＭＲ素子の膜厚と飽和磁束
密度の積との比に対する再生出力の大きさを示す図であ
る。
【００３０】図４より、結合層の膜厚と飽和磁束密度の
積（図中ではＭｃと記載）と、ＭＲ素子の膜厚と飽和磁
束密度の積（図中ではＭｍｒと記載）との比が１を超え
る付近において再生出力が飽和してきていることがわか
る。このことは、結合層の膜厚と飽和磁束密度の積が、
ＭＲ素子の膜厚と飽和磁束密度の積に対して大きくない
と磁気結合層に捕らえられた磁束が少なく、磁気結合層
の効果が充分に発揮されないことを示している。
積（図中ではＭｃと記載）と、ＭＲ素子の膜厚と飽和磁
束密度の積（図中ではＭｍｒと記載）との比が１を超え
る付近において再生出力が飽和してきていることがわか
る。このことは、結合層の膜厚と飽和磁束密度の積が、
ＭＲ素子の膜厚と飽和磁束密度の積に対して大きくない
と磁気結合層に捕らえられた磁束が少なく、磁気結合層
の効果が充分に発揮されないことを示している。
【００３１】よって、結合層の膜厚と飽和磁束密度の積
が磁気抵抗効果素子の膜厚と飽和磁束密度の積よりも大
きいという関係が、磁気結合層とＭＲ素子にあることに
より、磁気結合層により再生出力を増加することができ
る磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドを得ることができ
る。
が磁気抵抗効果素子の膜厚と飽和磁束密度の積よりも大
きいという関係が、磁気結合層とＭＲ素子にあることに
より、磁気結合層により再生出力を増加することができ
る磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドを得ることができ
る。
【００３２】本実施例では、ＭＲ素子が充分な再生出力
を得るための磁気結合層の必要膜厚を規定できる。
を得るための磁気結合層の必要膜厚を規定できる。
【００３３】第４の実施例を図７に示す。図７はＭＲ素
子を磁気シールド１７の間に挾んだタイプの読み取り用
薄膜磁気ヘッドの断面図である。
子を磁気シールド１７の間に挾んだタイプの読み取り用
薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【００３４】本実施例においては磁気結合層１２を媒体
対向面側の上部ヨーク１３とＭＲ素子１１との間にしか
置いていないが、再生出力に大きな差は無い。
対向面側の上部ヨーク１３とＭＲ素子１１との間にしか
置いていないが、再生出力に大きな差は無い。
【００３５】第５の実施例を図８に示す。図８は本発明
を適用した垂直記録の読み取り用ヘッドの断面図であ
る。本ヘッドは軟磁性体の基板１８の上に形成してい
る。
を適用した垂直記録の読み取り用ヘッドの断面図であ
る。本ヘッドは軟磁性体の基板１８の上に形成してい
る。
【００３６】図１、図２、図３を参照した実施例におい
て、夫々の薄膜磁気ヘッドはコイル１４を有し、読み取
りと再生を両方行える形態を取っているが、読み取り専
用の薄膜磁気ヘッドとしてコイル１４を除いてもよい。
て、夫々の薄膜磁気ヘッドはコイル１４を有し、読み取
りと再生を両方行える形態を取っているが、読み取り専
用の薄膜磁気ヘッドとしてコイル１４を除いてもよい。
【００３７】また、本発明における実施例を磁気記録装
置、例えば磁気ディスク記録装置に適用する。図１にお
けるヨーク型ＭＲヘッドの本発明における実施例の断面
図で説明する。上部ヨーク１３と磁気ギャップ１６と下
部ヨーク１５に相対する位置に磁気記録媒体（図示せ
ず）を設け、その磁気記録媒体から上部ヨーク１３、下
部ヨーク１５が磁気回路を形成する。その磁気回路に生
じる磁束の変化を、ＭＲ素子１１によって信号の変化に
変換し、記録された情報を再生する。
置、例えば磁気ディスク記録装置に適用する。図１にお
けるヨーク型ＭＲヘッドの本発明における実施例の断面
図で説明する。上部ヨーク１３と磁気ギャップ１６と下
部ヨーク１５に相対する位置に磁気記録媒体（図示せ
ず）を設け、その磁気記録媒体から上部ヨーク１３、下
部ヨーク１５が磁気回路を形成する。その磁気回路に生
じる磁束の変化を、ＭＲ素子１１によって信号の変化に
変換し、記録された情報を再生する。
【００３８】本実施例は、従来のヨーク型ＭＲヘッドを
用いた場合に比べて、磁気ディスクに記録された磁気記
録情報に対し、再生感度の高い磁気記録装置を実現でき
る。
用いた場合に比べて、磁気ディスクに記録された磁気記
録情報に対し、再生感度の高い磁気記録装置を実現でき
る。
【００３９】
【発明の効果】本発明により、磁気抵抗効果を高める磁
気結合層を有する、磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドを
得ることができる。
気結合層を有する、磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドを
得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例における、非晶質な磁性
合金を磁気結合層に用いた薄膜磁気ヘッドを示す断面図
合金を磁気結合層に用いた薄膜磁気ヘッドを示す断面図
【図２】本発明の第２の実施例における、ＭＲ素子薄膜
と磁気結合層との間に絶縁層を設けた薄膜磁気ヘッドを
示す断面図
と磁気結合層との間に絶縁層を設けた薄膜磁気ヘッドを
示す断面図
【図３】本発明の第３の実施例における、磁気結合層膜
をＭＲ素子薄膜よりも先に形成した薄膜磁気ヘッドを示
す断面図
をＭＲ素子薄膜よりも先に形成した薄膜磁気ヘッドを示
す断面図
【図４】本発明の実施例における、結合層の膜厚と飽和
磁束密度の積と、ＭＲ素子の膜厚と飽和磁束密度の積と
の比に対する再生出力を表す図
磁束密度の積と、ＭＲ素子の膜厚と飽和磁束密度の積と
の比に対する再生出力を表す図
【図５】従来のヨーク型ＭＲヘッドの断面図
【図６】ヨーク中のギャップとＭＲ素子薄膜との間に磁
気的結合を強める結合層を備えたヨーク型ＭＲヘッドの
断面図
気的結合を強める結合層を備えたヨーク型ＭＲヘッドの
断面図
【図７】本発明の第４の実施例における、ＭＲ素子を磁
気シールド膜の間に挾んだ薄膜磁気ヘッドの断面図
気シールド膜の間に挾んだ薄膜磁気ヘッドの断面図
【図８】本発明の第５の実施例における垂直磁気記録用
の薄膜磁気ヘッドの断面図
の薄膜磁気ヘッドの断面図
１１：ＭＲ素子 １２：磁気結合層 １３：上
部ヨーク １４：コイル １５：下部ヨーク １６：磁
気ギャップ １７：磁気シールド １８：基板 １９：ギ
ャップ ２０：絶縁層 Ｍｃ：結合層の膜厚と飽和磁束密度の積 Ｍｍｒ：ＭＲ素子の膜厚と飽和磁束密度の積
部ヨーク １４：コイル １５：下部ヨーク １６：磁
気ギャップ １７：磁気シールド １８：基板 １９：ギ
ャップ ２０：絶縁層 Ｍｃ：結合層の膜厚と飽和磁束密度の積 Ｍｍｒ：ＭＲ素子の膜厚と飽和磁束密度の積
Claims (4)
- 【請求項１】磁気回路を形成し得るように配置された第
１及び第２のヨークと、前記第二のヨークに設けられた
磁気ギャップに磁気回路を構成するように設置されてい
る磁気抵抗効果素子と、第二のヨークと前記磁気抵抗効
果素子の間の磁気的結合を行うための結合層を備える薄
膜磁気ヘッドにおいて、前記第二のヨークと前記結合層
の間か、前記結合層と前記磁気抵抗効果素子の間の間隙
に絶縁層を設け、前記結合層を非晶質の磁性合金で形成
したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】基板上に第１のヨークと絶縁層を形成し、
該第１のヨークの上に絶縁層をはさみ、該第１のヨーク
と磁気回路を形成する第２のヨークを順次成膜し、前記
第１もしくは第２のヨークに設ける磁気ギャップに対
し、磁気回路を構成するように磁気抵抗効果素子を形成
し、前記磁気ギャップを設けるヨークと前記磁気抵抗効
果素子の間の磁気的結合を行うための結合層を形成する
薄膜磁気ヘッドの製法において、前記結合層を形成した
後に前記磁気抵抗効果素子を成膜することを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製法。 - 【請求項３】磁気回路を形成し得るように配置された第
１及び第２のヨークと、前記第二のヨークに設けられた
磁気ギャップに磁気回路を構成するように設置されてい
る磁気抵抗効果素子と、第二のヨークと前記磁気抵抗効
果素子の間の磁気的結合を行うための結合層を備える薄
膜磁気ヘッドにおいて、前記結合層の膜厚と飽和磁束密
度の積が、前記磁気抵抗効果素子の膜厚と飽和磁束密度
の積よりも大きいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】磁気記録媒体に対して、情報の再生を行う
磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを用いて該磁気記録媒体へ
情報の再生を行わせる制御手段を持つ磁気記録装置にお
いて、前記磁気ヘッドは、磁気回路を形成し得るように
配置された第１及び第２のヨークと、前記第二のヨーク
に設けられた磁気ギャップに磁気回路を構成するように
設置されている磁気抵抗効果素子と、第二のヨークと前
記磁気抵抗効果素子の間の磁気的結合を行うための結合
層を備え、前記第二のヨークと前記結合層の間か、前記
結合層と前記磁気抵抗効果素子の間の間隙に絶縁層を設
け、前記結合層を非晶質の磁性合金で形成し、磁気記録
媒体上の磁気的変化を前記磁気抵抗効果素子からの信号
の変化としてとらえて情報の再生を行うことを特徴とす
る磁気記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15807991A JPH056515A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15807991A JPH056515A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056515A true JPH056515A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=15663840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15807991A Pending JPH056515A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH056515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0654782A2 (en) * | 1993-11-22 | 1995-05-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetic head having a head face and a thin-film structure, and method of manufacturing the magnetic head |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP15807991A patent/JPH056515A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0654782A2 (en) * | 1993-11-22 | 1995-05-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetic head having a head face and a thin-film structure, and method of manufacturing the magnetic head |
| EP0654782A3 (en) * | 1993-11-22 | 1995-06-21 | Philips Electronics Nv | Magnetic head having a head face and a thin-film structure, and method of manufacturing the magnetic head. |
| BE1007775A3 (nl) * | 1993-11-22 | 1995-10-17 | Philips Electronics Nv | Magneetkop, voorzien van een kopvlak en een dunnefilm structuur, en werkwijze voor het vervaardigen van de magneetkop. |
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