JPH11177160A - 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 - Google Patents

磁気抵抗効果素子およびその製造方法

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JPH11177160A
JPH11177160A JP9339124A JP33912497A JPH11177160A JP H11177160 A JPH11177160 A JP H11177160A JP 9339124 A JP9339124 A JP 9339124A JP 33912497 A JP33912497 A JP 33912497A JP H11177160 A JPH11177160 A JP H11177160A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来では、直流抵抗を低減させるために、導
電層は厚く形成されていた。しかし、導電層の膜厚が厚
いと磁気抵抗効果素子の上面は歪んだ形状となってしま
い、前記磁気抵抗効果素子の上に形成されるインダクテ
ィブヘッドのコア層も歪んで形成されてしまう。従って
記録媒体に信号が直線的に記録されないといった問題点
があった。 【解決手段】 積層体１１の下側に第１の導電層２を形
成し、積層体１１の両側に位置する第２の導電層１０の
膜厚を薄くすることで、直流抵抗の低減と素子上面の平
坦化を同時に実現することができる。また積層体１１の
幅寸法はほぼトラック幅Ｔｗで形成されているので、再
生動作時において、トラック幅Ｔｗ以外の領域から余分
な信号を拾うこともなく、良好な再生特性を得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部磁界の変化に
応じて電気抵抗が変わる素子を利用して、磁気的に記録
された情報を再生する磁気抵抗効果素子に係り、特に、
再生特性を低下させることなく、前記磁気抵抗効果素子
の上面の平坦化を実現した磁気抵抗効果素子およびその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７（ａ）は、ハードディスクなどの記
録媒体からの記録磁界を検出するＡＭＲ（amisotropic
magnetoresistive）素子のＡＢＳ面近傍での断面図であ
る。なおこのＡＭＲ素子の上には、書込み用のいわゆる
インダクティブヘッドが積層されている。
【０００３】前記ＡＭＲ素子は、下から軟磁性層（ＳＡ
Ｌ層）２０、非磁性層（ＳＨＵＮＴ層）２１、磁気抵抗
層（ＭＲ層）２２の順に積層され、この積層体の両側領
域には、ハードバイアス層２４，２４および導電層２
６，２６が積層されている。なお前記ハードバイアス層
２４と導電層２６との間には、耐熱性を向上させるため
の中間層２５，２５が形成され、また前記磁気抵抗層２
２の上には保護層２３が形成されており、前記中間層２
５および保護層２３はいずれもＴａ膜などで形成されて
いる。
【０００４】前記軟磁性層２０には、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｎｂ
合金膜、非磁性導電層２１にはＴａ膜、磁気抵抗層２２
には、ＮｉＦｅ合金膜、ハードバイアス層２４にはＣｏ
−Ｐｔ合金膜、導電層２６にはＣｒ膜が一般的に使用さ
れる。このＡＭＲ素子では、ハードバイアス層２４が図
示Ｘ方向に磁化された磁石として機能し、このハードバ
イアス層２４により磁気抵抗層２２にＸ方向のバイアス
磁界が与えられる。さらに軟磁性層２０から磁気抵抗層
２２に図示Ｙ方向のバイアス磁界が与えられる。磁気抵
抗層２２にＸ方向とＹ方向のバイアス磁界が与えられる
ことにより、磁気抵抗層２２の磁界変化に対する磁化変
化が直線性を有する状態に設定される。
【０００５】導電層２６からの検出電流（センス電流）
は、磁気抵抗層２２に与えられる。ハードディスクなど
の記録媒体の走行方向はＺ方向であり、記録媒体からの
洩れ磁界がＹ方向に与えられると、磁気抵抗層２２の磁
化方向が変化することにより、抵抗値が変化し、これが
電圧の変化として検出される。また前述したように、前
記ＡＭＲ素子の上には、上部ギャップ層（図示しない）
を介してインダクティブヘッドが積層されているが、前
記インダクティブヘッドは、図７（ａ）に示す下部コア
層（上部シールド層）４０、上部コア層４１、およびコ
イル層（図示しない）などによって構成されている。
【０００６】前記コイル層に記録電流が流れると、上部
コア層４１及び下部コア層４０に記録磁界が与えられ、
磁気ギャップＧの部分における、下部コア層４０と上部
コア層４１との間での洩れ磁界により、ハードディスク
などの記録媒体に磁気信号が記録される。
【０００７】図９は、ハードディスクなどの記録媒体か
らの記録磁界を検出するスピンバルブ型薄膜素子（スピ
ンバルブ型薄膜磁気ヘッド）のＡＢＳ面近傍での断面図
である。なお図示されていないが、前記スピンバルブ型
薄膜素子の上にも、図７（ａ）に示す下部コア層４０、
および上部コア層４１などから構成されるインダクティ
ブヘッドが積層されている。前記スピンバルブ型薄膜素
子は、ＧＭＲ素子（giant magnetoresistive）の一種で
あり、ＡＭＲ素子に比べて再生感度が良く、高記録密度
化に対応することができる。
【０００８】このスピンバルブ型薄膜素子は、下からＴ
ａなどの下地層３４、反強磁性層３０、固定磁性層（ピ
ン（Pinned）磁性層）３１、非磁性導電層３２及びフリ
ー（Free）磁性層３３が積層され、前記フリー磁性層３
３の上には、図７（ａ）に示すＡＭＲ素子と同様にＴａ
などの保護層２３が形成されている。前記下地層３４か
ら保護層２３までの積層体の両側領域には、図７（ａ）
のＡＭＲ素子と同様に、ハードバイアス層２４，２４が
形成され、このハードバイアス層２４，２４の上に中間
層２５，２５を介して導電層２６，２６が形成されてい
る。
【０００９】反強磁性層３０にはＮｉＭｎ合金膜、固定
磁性層３１及びフリー磁性層３３にはＮｉＦｅ合金膜、
非磁性導電層３２にはＣｕ膜が一般的に使用されてい
る。図に示すように、反強磁性層３０と固定磁性層３１
とが接して形成され、アニール処理が施されることによ
り、前記固定磁性層３１は、前記反強磁性層３０との界
面での交換結合による交換異方性磁界により、Ｙ方向へ
単磁区化され、磁化の方向がＹ方向に固定される。
【００１０】また、図示Ｘ方向に磁化されているハード
バイアス層２４，２４の影響を受けて前記フリー磁性層
３３の磁化方向はＸ方向に揃えられている。このスピン
バルブ型薄膜素子では、導電層２６，２６から、固定磁
性層３１、非磁性導電層３２及びフリー磁性層３３に定
常電流（センス電流）が与えられる。ハードディスクな
どの記録媒体の走行方向はＺ方向であり、記録媒体から
の洩れ磁界がＹ方向に与えられると、フリー磁性層３３
の磁化がＸ方向からＹ方向へ向けて変化する。このフリ
ー磁性層３３内での磁化の方向の変動と、固定磁性層３
１の固定磁化方向との関係で電気抵抗が変化し、この電
気抵抗値の変化に基づく電圧変化により、記録媒体から
の洩れ磁界が検出される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図７（ａ）
に示す軟磁性層２０から保護層２３までの積層体の両側
領域に形成されている導電層２６は、その膜厚が非常に
厚く形成されているが、これはＡＭＲ素子の直流抵抗
（ＤＣＲ）を小さくするためである。直流抵抗を小さく
することで、検出出力を大きくでき、再生特性を向上さ
せることができる。
【００１２】しかし、導電層２６の膜厚を厚くすること
で、ハードバイアス層２４、中間層２５、および導電層
２６から成る両側領域の総合膜厚は、積層体（軟磁性層
２０から保護層２３までの層）の総合膜厚よりも厚くな
り、図７（ａ）に示すように、ＡＭＲ素子の上面が歪ん
だ形状となってしまう。このため図７（ａ）に示すよう
に、ＡＭＲ素子の上に形成される下部コア層４０は、前
記ＡＭＲ素子上面の起伏にならって歪んで形成されてし
まい、さらに前記下部コア層４０の上に磁気ギャップＧ
を介して対向する上部コア層４１にも歪みが生じる。
【００１３】図７（ａ）に示すように、磁気ギャップＧ
を介して対向する部分の下部コア層４０および上部コア
層４１に歪みが生じていると、記録媒体に書込まれる記
録パターン４２、４３は、図７（ｂ）に示すように直線
的ではなく、その両端が歪んだ形となってしまう。この
ように記録媒体に直線的に信号が記録されないと次のよ
うな問題が生じる。
【００１４】図示下方に記録媒体が走行し、ＡＭＲ素子
における磁気抵抗層２２が、記録パターン４２における
信号を再生する場合、図７（ｂ）に示すように、前記磁
気抵抗層２２の両側部付近では、前記記録パターン４２
以外の記録パターン４３における信号も同時に再生され
てしまい、良好な再生特性を得られないといった問題が
生じてしまう。また、導電層２６の膜厚が厚いと、前記
導電層２６には、積層体と接する部分に突起（バリ）が
形成されるといった問題も生じる。
【００１５】図８（ａ）は、ＡＭＲ素子を製造する際の
一工程を表わした前記ＡＭＲ素子の断面図である。ＡＭ
Ｒ素子の製造方法はまず、基板上に軟磁性層２０、非磁
性層２１、磁気抵抗層２２、および保護層２３から成る
積層体を成膜した後、前記保護層２３の上にリフトオフ
用のレジスト層２７を成膜し、図８（ａ）に示すよう
に、前記積層体の両側が傾斜面となるように、前記積層
体の両側を削り取る。そして、前記積層体の両側領域
に、ハードバイアス層２４、中間層２５、および導電層
２６を成膜するが、その際、前記レジスト層の上にも同
様に各層が成膜されていく。
【００１６】ところが、直流抵抗を小さくするために、
前記導電層２６をその膜厚が厚くなるように形成する
と、前記レジスト層の上に形成される導電膜２８の膜厚
も厚く形成されてしまい、図８（ａ）に示すように、前
記導電層２６は、前記導電膜２８と繋がった状態で形成
されてしまう。
【００１７】このような状態で、前記レジスト層２７を
除去すると、図８（ｂ）に示すように、前記導電層２６
には、前記導電膜２８の一部が突起（バリ）２９として
残ってしまうという問題が発生する。なお図８（ｂ）は
レジスト層２７を除去した後の、図８（ａ）に示すｂ領
域の部分拡大図である。なお、上述した問題点は、図９
に示すスピンバルブ型薄膜素子の場合においても同様に
起こる。
【００１８】図９に示すように、スピンバルブ型薄膜素
子の導電層２６は、その膜厚が厚いために、積層体の両
側領域の膜厚が、前記積層体の膜厚よりも厚くなってし
まい、前記スピンバルブ型薄膜素子の上面には歪みが発
生してしまう。このため、前記スピンバルブ型薄膜素子
の上に形成されるインダクティブヘッドの下部コア層４
０および上部コア層４１も歪んで形成されてしまい、記
録媒体に直線的に信号を記録できないという問題が生じ
る。また、導電層２６の膜厚が厚いために、図８（ｂ）
と同様に前記導電層２６に突起（バリ）２９が形成され
やすいといった問題も発生する。
【００１９】図１０，１１は、スピンバルブ型薄膜素子
の構造を示す他の従来例である。図１０に示すスピンバ
ルブ型薄膜素子では、その両側領域の各層の構成が、図
９に示すスピンバルブ型薄膜素子の両側領域の各層の構
成と異なっている。図１０では、下地層３４から保護層
２３までの積層体の両側に、まず第１の導電層３５が形
成され、前記第１の導電層３５の上に、ハードバイアス
層３６および第２の導電層３７が積層されている。
【００２０】図１０に示すスピンバルブ型薄膜素子の上
面も、図９に示すスピンバルブ型薄膜素子の上面と同様
に歪みが生じているために、前記スピンバルブ型薄膜素
子の上に形成される下部コア層４０および上部コア層４
１も歪んで形成されてしまう。また図１０に示すスピン
バルブ型薄膜素子では、ハードバイアス層３６が、積層
体の傾斜面に接触しないで形成され、前記ハードバイア
ス層３６とフリー磁性層３３との間には、第１の導電層
３５が介在している。このため前記フリー磁性層３３は
前記ハードバイアス層３６からのバイアス磁界の影響を
受けにくくなり、前記フリー磁性層の磁化が図示Ｘ方向
に適性に揃えられず、バルクハウゼンノイズが発生しや
すくなっている。
【００２１】図１１に示すスピンバルブ型薄膜素子はそ
の構造が、図９，１０に示すスピンバルブ型薄膜素子と
大きく異なっているが、再生原理は全く同じである。な
お図１１に示す各層における符号は、対応する図９，１
０に示す層の符号である。図１１に示すスピンバルブ型
薄膜素子の上面は、図９，１０に示すスピンバルブ型薄
膜素子の上面と同様に歪んで形成されており、好ましい
構造であるとは言えない。
【００２２】さらに図１１に示すスピンバルブ型薄膜素
子では、フリー磁性層３３から反強磁性層３０までの積
層体が成膜後、エッチング等で所定の形状に形成されて
おらず、幅寸法がトラック幅Ｔｗよりも長く形成される
ために、再生動作時において前記トラック幅Ｔｗ以外の
領域からノイズを拾い易くなっており、再生特性を向上
させることができないという問題点が発生する。以上、
上述した従来の磁気抵抗効果素子の構造では、いずれも
前記磁気抵抗効果素子の上面が平坦化されていないが、
次に挙げる２つの従来例は、前記磁気抵抗効果素子の上
面が平坦化された例である。
【００２３】図１２，１３は、いずれもＡＭＲ素子の構
造を示す断面図である。図１２では、絶縁層５０の両側
に導電層５１，５１が形成され、前記絶縁層５０および
前記導電層５１の上面に、軟磁性層２０、非磁性層２
１、および磁気抵抗層２２が連続して積層されている。
また図１３では、絶縁層５０の上に軟磁性層２０および
非磁性層２１が形成され、この積層体の両側に、導電層
５１およびハードバイアス層５２が積層されている。そ
して、前記非磁性層２１およびハードバイアス層５２の
上面に磁気抵抗層２２が形成されている。
【００２４】図１２，１３に示すように、ＡＭＲ素子の
最上層に相当する磁気抵抗層２２の上面は平坦化されて
おり、従ってこのＡＭＲ素子の上に形成される下部コア
層４０および上部コア層４１は、前記軟磁性層２０、非
磁性層２１、および磁気抵抗層２２に対して平行に形成
される。従って記録媒体にはほぼ直線的に信号が記録さ
れ、前記信号はＡＭＲ素子によって適切に再生されるこ
とになる。
【００２５】ところが、図１２，１３に示すＡＭＲ素子
では磁気抵抗層２２が、前記磁気抵抗層２２の下層面上
に全面的に成膜され、前記磁気抵抗層２２の幅寸法はト
ラック幅Ｔｗよりも長くなっている。従って再生動作時
において、前記磁気抵抗層２２がトラック幅Ｔｗ以外の
領域からノイズを拾う可能性が高く、再生特性を低下さ
せてしまうという問題点が発生する。このように従来で
は、再生特性を低下させることなく、磁気抵抗効果素子
の上面を平坦化する発明はなされていない。
【００２６】本発明は上記従来の問題点を解決するため
のものであり、再生特性を低下させることなく、磁気抵
抗効果素子の上面の平坦化を実現した磁気抵抗効果素子
およびその製造方法を提供することを目的としている。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明は、外部磁界の変
化に応じて電気抵抗が変わる素子部分を含んだ積層体
と、前記積層体の両側に位置する両側領域とで構成さ
れ、前記素子部分を利用して磁気的に記録された情報を
再生する磁気抵抗効果素子において、前記積層体の下に
は絶縁層が形成され、前記絶縁層の両側には、前記素子
部分に記録電流を与えるための第１の導電層が形成され
ており、さらに前記積層体の上面と、両側領域の上面と
が同一平面上に形成されていることを特徴とするもので
ある。
【００２８】本発明では、前記絶縁層の幅寸法は、前記
絶縁層の上に形成される積層体の幅寸法よりも長くなる
ように形成されることが好ましい。
【００２９】なお本発明では、前記両側領域は、永久磁
石製のバイアス層のみで構成されていてもよいし、永久
磁石製のバイアス層と、このバイアス層の上に形成され
た第２の導電層とで構成されていてもよい。
【００３０】また本発明では、前記絶縁層の上面、およ
び前記絶縁層の両側に形成された第１の導電層の上面に
は、下地層としてのＴａ膜が成膜されていることが好ま
しい。この下地層は配向膜としての役割と、耐熱性を向
上させる役割とを担っている。
【００３１】また、前記第１の導電層は、Ｃｒで形成さ
れていることが好ましく、前記導電層としてＣｒに代え
てＣｕあるいはＷが用いられてもよい。
【００３２】本発明では、前記積層体は、非磁性層を介
して重ねられた磁気抵抗効果層と軟磁性層とから成る、
いわゆるＡＭＲ素子である。この構造は図１に図示され
ている。
【００３３】また本発明では、前記積層体は、反強磁性
層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性
層との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定
磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成
され、バイアス層からのバイアス磁界により磁化が前記
固定磁性層の磁化方向と交叉する方向に揃えられるフリ
ー磁性層とから成る、いわゆるスピンバルブ型薄膜素子
である。この構造は図３に図示されている。
【００３４】また、前記積層体が、下から反強磁性層、
固定磁性層、非磁性導電層、およびフリー磁性層の順に
積層されている場合、前記反強磁性層は、固定磁性層、
非磁性導電層およびフリー磁性層よりもさらに両側の領
域に延びており、バイアス層が、前記反強磁性層の上に
形成されていることが好ましく、さらに前記反強磁性層
と、バイアス層との間には、体心立方構造で且つ（１０
０）配向の金属膜が形成されていることがより好まし
い。この構造は図４に図示されている。
【００３５】なお前記金属膜は、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ
50Ｍｏ50のいずれか１種以上で形成されていることが好
ましい。
【００３６】また本発明は、磁気抵抗効果素子の製造方
法において、下部ギャップ層上に、絶縁層を形成し、さ
らに前記絶縁層上に、リフトオフ用のレジスト層を形成
する工程と、前記リフトオフ用のレジスト層に覆われて
いない部分の絶縁層を削り取る工程と、前工程によって
絶縁層が除去された部分に、残された絶縁層表面と同程
度まで第１の導電層を成膜し、前記レジスト層を除去す
る工程と、前記絶縁層上に、外部磁界の変化に応じて電
気抵抗が変わる素子部分を含んだ積層体を形成する工程
と、を有することを特徴とするものである。
【００３７】本発明では、磁気抵抗効果素子において、
直流抵抗を増大させることなく、前記磁気抵抗効果素子
上面の平坦化を可能にしたものであり、その具体的な構
造として図１，図３，図４，図５，図６に示す実施形態
を挙げることができる。
【００３８】本発明における磁気抵抗効果素子の構造の
特徴点は、まず前記磁気抵抗効果素子上面を平坦化する
ために、外部磁界の変化に応じて電気抵抗が変わる素子
部分を含んだ積層体の膜厚と、前記積層体の両側に位置
する両側領域の膜厚とをほぼ同じ程度にしていることで
ある。
【００３９】前記両側領域は、永久磁石製のバイアス層
や導電層（第２の導電層）によって構成されているが、
特に本発明では、従来膜厚が厚くなっていた導電層を薄
く形成して、前記バイアス層の膜厚と前記導電層の膜厚
とを足した総合膜厚が、積層体の膜厚と同程度になるよ
うにしている。また本発明では前記両側領域をバイアス
層のみで構成してもよく、この場合前記バイアス層の膜
厚が、積層体の膜厚と同程度になるようにしなければな
らない。
【００４０】しかし、両側領域の膜厚を積層体の膜厚と
同程度で形成すると、前記両側領域の膜厚を積層体の膜
厚よりも大きく形成していた従来に比べて直流抵抗（Ｄ
ＣＲ）が大きくなるという問題が生じる。
【００４１】そこで本発明では、前記直流抵抗を低減さ
せるために、積層体の下側に新たに導電層（第１の導電
層）を設けている。この第１の導電層を設けたことによ
り、直流抵抗を小さくすることができる。
【００４２】また前述したように本発明では、積層体の
両側に位置する両側領域の膜厚は、前記積層体の膜厚と
同程度にされているが、これにより、前記両側領域を成
膜する際における、リフトオフ用のレジスト層上に成膜
される膜の総合膜厚は小さくなり、従来のように、前記
両側領域に突起（バリ）が発生するといった不具合も生
じにくくなる。
【００４３】また本発明では前記積層体は成膜後、所定
の形状に削り取られ、前記積層体の幅寸法はほぼトラッ
ク幅Ｔｗにされている。従って電気抵抗が変わる素子部
分がトラック幅Ｔｗよりも長く形成されていた図１１，
１２，１３の場合のように、再生動作時において、トラ
ック幅Ｔｗ以外の領域から余分なノイズを拾うことがな
く、良好な再生特性を得ることが可能になっている。
【００４４】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態のＡＭ
Ｒ素子の構造をＡＢＳ面側から見た断面図である。な
お、図１ではＸ方向に延びる素子の中央部分のみを破断
して示している。なお本発明における薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体の記録磁界を検出するためのＡＭＲ素子を
主体として構成される読出しヘッドと、この読出しヘッ
ドの上に、コア層およびコイル層などで構成されるイン
ダクティブヘッドが形成されている、いわゆるＭＲ／イ
ンダクティブ複合型薄膜磁気ヘッドであり、前記薄膜磁
気ヘッドは、ハードディスク装置に設けられた浮上式ス
ライダのトレーリング側端部などに設けられている。
【００４５】前記読出しヘッドでは、例えばＮｉＦｅ系
合金などの下部シールド層（図示しない）、およびＡｌ
2Ｏ3などの下部ギャップ層（図示しない）が積層され、
この下部ギャップ層の上に、図１に示すＡＭＲ素子が積
層されている。図１に示す符号１は、例えばＳｉＯ2や
Ａｌ2Ｏ3などで形成された絶縁層である。前記絶縁層１
の両側面は傾斜面で形成され、前記絶縁層１の両側に
は、第１の導電層２，２が形成されている。なお前記絶
縁層１と第１の導電層２とは同じ膜厚Ｌ1で形成され、
前記絶縁層１の上面と前記第１の導電層２の上面とが同
一平面上に形成されている。
【００４６】また前記第１の導電層２は、Ｃｒ（クロ
ム）で形成されていることが好ましく、あるいはＣｒに
代えて、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）などで形成さ
れていてもよい。前記絶縁層１の上面および前記第１の
導電層２の上面には、Ｔａなどで形成された下地層３が
形成される。なおこの下地層３は、耐熱性を向上させる
役割と配向膜としての役割とを担っている。
【００４７】前記下地層３の上には、軟磁性層（ＳＡＬ
層）４、非磁性層（ＳＨＵＮＴ層）５、磁気抵抗層６
（ＭＲ層）、および保護層７が積層された積層体１１が
形成されている。前記軟磁性層４は、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｎｂ
合金膜、非磁性層５はＴａ膜、磁気抵抗層６は、ＮｉＦ
ｅ合金膜、保護層７はＴａ膜により形成されている。
【００４８】さらに前記積層体１１の両側領域には、ハ
ードバイアス層８および中間層９を介して第２の導電層
１０が形成されている。なお前記第２の導電層１０の膜
厚はＬ2で形成されている。前記ハードバイアス層８は
例えばＣｏ−Ｐｔ（コバルト−白金）合金膜やＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ（コバルト−クロム−白金）合金膜、中間層９
はＴａ膜などで形成されている。また第２の導電層１０
は、第１の導電層２と同じくＣｒ，Ｃｕ，Ｗなどで形成
されている。なお前記中間層９は耐熱性を向上させるた
めに設けられたものである。
【００４９】このＡＭＲ素子では、ハードバイアス層８
が図示Ｘ方向に磁化された磁石となり、このハードバイ
アス層８から磁気抵抗層６へ、図示Ｘ方向のバイアス磁
界が与えられる。また軟磁性層４から磁気抵抗層６へ図
示Ｙ方向のバイアス磁界が与えられる。前記磁気抵抗層
６に図示Ｘ方向と図示Ｙ方向にバイアス磁界が与えられ
ることにより、磁気抵抗層６での磁気抵抗特性（Ｒ―Ｈ
特性）では、磁界の変化に対する抵抗変化の直線性を確
保できる。再生動作では、第１の導電層２および第２の
導電層１０から、磁気抵抗層６に記録電流が与えられ、
図示Ｙ方向に記録媒体からの磁界が与えられると、前記
磁気抵抗層６の抵抗値が変化し、この抵抗変化に基づく
検出電圧が得られる。
【００５０】本発明では、前述したように積層体１１の
両側領域に形成される第２の導電層１０の膜厚をＬ2で
形成し、ハードバイアス層８、中間層９および第２の導
電層１０の膜厚を足した総合膜厚が、積層体１１の膜厚
と同程度になるようにしている。従って図１に示すよう
に、積層体１１の上面と、第２の導電層１０の上面とは
同一平面上に形成され、ＡＭＲ素子上面の平坦化を実現
できる。
【００５１】また本発明では、前記積層体１１の両側領
域の膜厚を前記積層体１１の膜厚と同程度にしたこと
で、前記第２の導電層１０の成膜時に、前記第２の導電
層１０が、リフトオフ用のレジスト層の上に形成される
導電膜と繋がって形成される可能性は低下し、従って従
来（図８（ｂ）参照）に比べて、前記第２の導電層１０
に突起（バリ）が形成されることは少なくなる。
【００５２】また本発明では、前記第２の導電層１０の
膜厚Ｌ2を従来に比べて薄く形成し、前記積層体１１の
両側領域の総合膜厚を従来に比べて小さくしているの
で、直流抵抗（ＤＣＲ）が大きくなるという問題が発生
する。そのため本発明では、前記積層体１１の下側に絶
縁層１を形成し、その両側に第１の導電層２を形成し、
直流抵抗を小さくしている。直流抵抗を小さくできるこ
とで、検出出力を大きくでき、再生特性を向上させるこ
とができる。
【００５３】なお本発明では前記積層体１１の両側に必
ずしも第２の導電層１０を設ける必要はない。つまり、
前記積層体１１の両側領域にハードバイアス層８のみを
設けて、前記ハードバイアス層８の膜厚が、前記積層体
１１の膜厚と同程度になるように形成し、ＡＭＲ素子上
面の平坦化を図ってもよい。ただしこの場合、前記積層
体１１の下側に形成される第１の導電層２をその膜厚が
Ｌ1よりも大きくなるように形成し、直流抵抗の低減を
図る必要がある。
【００５４】また本発明では、図１に示すように前記絶
縁層１の幅寸法Ｔ1が、前記積層体１１の幅寸法（ほぼ
トラック幅Ｔｗ）よりも長く形成されていることが好ま
しい。前記絶縁層１の幅寸法Ｔ1を積層体１１の幅寸法
よりも小さく形成してしまうと、前記絶縁層１の両側に
形成されている第１の導電層２，２間の間隔はトラック
幅Ｔｗよりも小さくなってしまう。
【００５５】記録電流は、第１の導電層２−磁気抵抗層
６−第１の導電層２の順で流れるが、前記記録電流は最
短ルートを通るため、前記第１の導電層２，２の間が積
層体１１の幅寸法（トラック幅Ｔｗ）よりも小さいと、
磁気抵抗層６には、トラック幅Ｔｗよりも小さい領域に
しか記録電流が流れないことになり、記録媒体に記録さ
れているトラック幅Ｔｗ内の信号を適性に再生できない
といった問題が生じる。そこで本発明では、前述したよ
うに絶縁層１の幅寸法Ｔ1を、積層体１１の幅寸法以上
で形成している。
【００５６】また本発明では、磁気抵抗層６の幅寸法が
ほぼトラック幅Ｔｗと同じになるように、積層体１１を
所定の形状（台形）に形成しているので、図１２，１３
に示す幅寸法がトラック幅Ｔｗよりも長く形成されてい
る磁気抵抗層２２のように、再生動作時において、トラ
ック幅Ｔｗ以外の領域のノイズを拾い、再生特性を低下
させるといった問題も生じない。なお本発明では、絶縁
層１および第１の導電層２の形状は、図１に示す形状に
限るものではない。例えば、前記絶縁層１は、後述する
図２に示す絶縁層１のような形状であってもよい。
【００５７】次に、図２を参照して、本発明におけるＡ
ＭＲ素子の製造方法について、以下に説明する。まず図
２（ａ）に示すように、下部ギャップ層（図示しない）
上に、絶縁層１を成膜し、さらに前記絶縁層１上に一定
の幅寸法を有するリフトオフ用のレジスト層６０を成膜
する。次に、イオンミリングにより、前記レジスト層６
０に覆われていない部分の絶縁層１を深さ寸法Ｌ1まで
削り取る（図２（ｂ）参照）。
【００５８】なお図２（ｂ）では、絶縁層１の両側が、
全て傾斜面に削り取られておらず、絶縁層１の下側の層
が、両側領域まで延ばされて形成されているが、図１に
示す絶縁層１のように、前記絶縁層１の両側が全て傾斜
面状に削り取られ、前記絶縁層１が台形状に形成されて
いてもよい。
【００５９】そして、図２（ｃ）に示すように、前記絶
縁層１の両側に、膜厚Ｌ1の第１の導電層２を成膜し、
さらにレジスト層６０を除去する（図２（ｄ）参照）。
さらに、下地層（図１参照）を成膜する前に、イオンミ
リングもしくは逆スパッタにより、第１の導電層２の表
面をたたき、電気的なコンタクト（酸化層の除去）を確
保する。
【００６０】次に、絶縁層１の上および第１の導電層２
の上に図１に示す下地層３を成膜し、さらに前記下地層
３上に、軟磁性層４、非磁性層５、磁気抵抗層６および
保護層７を、連続して成膜し積層体１１を形成する。そ
の後、前記保護層７上に、前記絶縁層１の幅寸法Ｔ1よ
りも小さい幅寸法を有するリフトオフ用のレジスト層
（図示しない）を形成し、イオンミリング等で積層体１
１の両側面を傾斜面となるように削り取る。なおこの
時、前記積層体１１の幅寸法はほぼトラック幅Ｔｗにさ
れている。
【００６１】そして、前記積層体１１の両側領域にハー
ドバイアス層８、および中間層９を成膜し、最後に第２
の導電層１０を膜厚Ｌ2で成膜し、前記ハードバイアス
層８、中間層９および第２の導電層１０の膜厚を足した
両側領域の総合膜厚が、前記積層体１１の膜厚と同程度
になるようにする。そして前記レジスト層を除去すると
図１に示す形状のＡＭＲ素子が完成する。
【００６２】図３は、本発明の実施形態のスピンバルブ
型薄膜素子の構造をＡＢＳ面側から見た断面図である。
なお、図３ではＸ方向に延びる素子の中央部分のみを破
断して示しているまた図３に示すスピンバルブ型薄膜素
子を含む薄膜磁気ヘッドは、前記スピンバルブ型薄膜素
子を主体とする読出しヘッドと、書込み用のインダクテ
ィブヘッドとが積層されたいわゆるＭＲ／インダクティ
ブ複合型薄膜磁気ヘッドである。
【００６３】このスピンバルブ型薄膜素子も、図１に示
すＡＭＲ素子と同様に、積層体１６の下に、絶縁層１と
前記絶縁層１の両側に形成された第１の導電層２，２と
が形成されている。なお前記絶縁層１の膜厚および第１
の導電層２の膜厚は共にＬ3で形成され、前記絶縁層１
の上面と第１の導電層２の上面とは同一平面上に形成さ
れている。なお、前記絶縁層１および第１の導電層２の
製造方法は、図２に示す製造方法と同様である。そし
て、前記絶縁層１の上面および前記第１の導電層２の上
面には、耐熱性の向上、および配向膜としてのＴａ膜の
下地層３が形成されている。
【００６４】次に前記下地層３の上に形成される積層体
１６の各層について以下に説明する。前記下地層３の上
には反強磁性層１２、固定磁性層（ピン磁性層）１３が
積層されている。前記反強磁性層１２と固定磁性層１３
とが積層された状態で、所定の大きさの磁界中で熱処理
が施されることにより、両層の界面で交換異方性磁界が
得られ、前記固定磁性層１３の磁化の方向がＹ方向（ハ
イト方向）に単磁区化され固定される。
【００６５】本発明では、前記反強磁性層１２にＰｔ−
Ｍｎ（白金−マンガン）合金を使用している。Ｐｔ−Ｍ
ｎ合金は、Ｆｅ−Ｍｎ合金などに比べて耐熱性に優れて
おり、またブロッキング温度も高く、さらに交換異方性
磁界（Ｈｅｘ）が大きいなど反強磁性材料として優れた
特性を有している。また、Ｐｔ−Ｍｎ合金に代えて、Ｘ
−Ｍｎ（Ｘ＝Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｏｓ）系合金あ
るいはＰｔ−Ｍｎ−Ｘ（Ｘ＝Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，
Ｉｒ，Ｃｒ，Ｃｏ）合金などを反強磁性層１２として使
用してもよい。
【００６６】また、固定磁性層１３は、Ｎｉ−Ｆｅ（ニ
ッケル−鉄）合金、Ｃｏ−Ｆｅ（コバルト−鉄）合金、
Ｃｏなどで形成されている。前記固定磁性層１３の上に
は、Ｃｕ（銅）などの電気抵抗の低い非磁性導電層１４
が形成され、さらにフリー磁性層１５、Ｔａなどの保護
層７が積層されている。なお、前記フリー磁性層１５
は、前述した固定磁性層１３に使用される磁性材料で形
成されている。
【００６７】図３に示すように、前記積層体１６の両側
にハードバイアス層８，８が形成され、さらに前記ハー
ドバイアス層８の上に中間層９，９を介して第２の導電
層１０，１０が形成される。なお前記第２の導電層１０
の膜厚はＬ4で形成され、前記ハードバイアス層８、中
間層９、および第２の導電層１０を足した総合膜厚が、
積層体１６の膜厚とほぼ同程度にされている。
【００６８】前記ハードバイアス層８，８は例えばＣｏ
−Ｐｔ（コバルト−白金）合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（コ
バルト−クロム−白金）合金などで形成されている。ま
た導電層１０，１０はＣｕ（クロム）、Ｗ（タングステ
ン）やＣｕ（銅）などにより形成されている。前記ハー
ドバイアス層８，８は図示Ｘ方向（トラック方向）に磁
化されており、フリー磁性層１５の磁化は前記ハードバ
イアス層８，８の影響を受けて、図示Ｘ方向に揃えられ
る。
【００６９】スピンバルブ型薄膜素子では、第１の導電
層２および第２の導電層１０から固定磁性層１３、非磁
性導電層１４およびフリー磁性層１５に定常電流（セン
ス電流）が与えられ、しかも記録媒体からＹ方向へ磁界
が与えられると、フリー磁性層１５の磁化方向がＸ方向
からＹ方向へ向けて変化する。このとき、フリー磁性層
１５と固定磁性層１３のうち片方の層から他方の層へ移
動しようとする電子が、非磁性導電層１４と固定磁性層
１３との界面、または非磁性導電層１４とフリー磁性層
１５との界面で散乱を起こし、電気抵抗が変化する。よ
って定常電流が変化し、検出出力を得ることができる。
【００７０】本発明では、積層体１６の下側に第１の導
電層２を形成することによって、直流抵抗の低減を図
り、さらに、前記積層体１６の両側に形成される第２の
導電層１０の膜厚Ｌ4を薄く形成し、両側領域の膜厚を
前記積層体１６の膜厚と同程度にすることで、前記スピ
ンバルブ型薄膜素子上面の平坦化を実現している。また
前記積層体１６の膜厚と、両側領域の膜厚とを同程度に
することで、リフトオフによって除去されるレジスト層
上の多層膜の総合膜厚を薄くすることができるので、前
記レジスト層を除去した際に、従来（図８（ｂ）参照）
のように、第２の導電層１０に突起（バリ）が発生する
といった不具合も生じない。
【００７１】また図３では、積層体１６の両側領域に第
２の導電層１０を形成しているが、前記両側領域にハー
ドバイアス層８のみを形成して、第２の導電層１０を形
成しなくてもよい。この場合、前記ハードバイアス層８
の膜厚を、積層体１６の膜厚とほぼ同じになるようにし
て、積層体１６の上面とハードバイアス層８の上面とを
同一平面上に形成する必要がある。
【００７２】また図３の発明では、絶縁層１の幅寸法Ｔ
2を積層体１６の幅寸法（ほぼトラック幅Ｔｗ）よりも
大きく形成している。つまり、本発明では第１の導電層
２，２間の間隔を積層体１６の幅寸法よりも大きくして
いるので、第１の導電層２から固定磁性層１３、非磁性
導電層１４、およびフリー磁性層１５に与えられる記録
電流をほぼトラック幅Ｔｗ領域全体に流すことが可能で
あり、再生特性を低下させることがない。
【００７３】なお前述したように、本発明では、反強磁
性層１２がＰｔＭｎ合金膜により形成されているが、Ｐ
ｔＭｎ合金膜で形成された反強磁性層１２では、図３に
示すように前記反強磁性層１２の上に固定磁性層１３が
形成されても、あるいは反強磁性層１２の下に固定磁性
層１３が形成されても、前記反強磁性層１２と固定磁性
層１３との界面にて交換異方性磁界が発生する。
【００７４】従って、図３では、下から反強磁性層１
２、固定磁性層１３、非磁性導電層１４、およびフリー
磁性層１５の順で積層されているが、逆に下からフリー
磁性層１５、非磁性導電層１４、固定磁性層１３、およ
び反強磁性層１２の順で積層されたスピンバルブ型薄膜
素子であってもよい。なお、積層体１６が、下から反強
磁性層１２、固定磁性層１３、非磁性導電層１４、およ
びフリー磁性層１５の順で積層されている場合、より好
ましい形状は図４に示す形状である。以下、図４に示す
スピンバルブ型薄膜素子について説明する。
【００７５】図４に示すスピンバルブ型薄膜素子も図３
に示すスピンバルブ型薄膜素子と同様に、積層体１９の
下側に、絶縁層１と前記絶縁層１の両側に形成された第
１の導電層２とが形成されている。前記第１の導電層２
が形成されることにより、直流抵抗を小さくすることが
できる。なお前記絶縁層１および第１の導電層２の製造
方法は、図２に示す製造方法と同様である。前記積層体
１９の最も下に形成される反強磁性層１７は、前記反強
磁性層１７の上に形成される固定磁性層１３、非磁性導
電層１４、およびフリー磁性層１５よりもさらに両側の
領域に延びて形成されている。
【００７６】前記積層体１９の製造方法は、まず反強磁
性層１７から保護層７までの５層がスパッタにより成膜
された後、前記固定磁性層１３、非磁性導電層１４、フ
リー磁性層１５、および保護層７をＸ方向の中心に残
し、その両側部分がイオンミリングによって除去され
る。この時、反強磁性層１７の上面もエッチングの影響
を受けて削り取られる。前記反強磁性層１７の両側上面
には、緩衝膜および配向膜となる金属膜１８が形成され
る。この金属膜１８には、結晶構造が体心立方構造（ｂ
ｃｃ構造）で（１００）配向となる材料を使用すること
が好ましく、例えばＣｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｗ50Ｍｏ50を提示
できる。なお、前記金属膜１８は、前述した材料のうち
１種を使用して形成されても、あるいは２種以上で形成
されてもよい。
【００７７】図４に示すように前記金属膜１８の上に
は、ハードバイアス層８が形成され、さらに前記ハード
バイアス層８の上に、Ｔａ膜などの保護層７が形成され
ている。なお図４に示すように、前記ハードバイアス層
８の膜厚および保護層７の膜厚を適性に調節し、前記保
護層７の上面が、積層体１９の上面と同一平面上に形成
されるようにして、スピンバルブ型薄膜素子上面の平坦
化を図っている。
【００７８】また図４に示すスピンバルブ型薄膜素子で
は、反強磁性層１７が、下地層３の上面全体にわたって
成膜されているので、積層体１９の両側に形成される層
（ハードバイアス層８と保護層７）の総合膜厚は、図３
に示すスピンバルブ型薄膜素子における両側領域の総合
膜厚に比べて薄くなっている。従って図４に示す構造で
あれば、より両側領域の上面における突起（バリ）の発
生を防止することができる。
【００７９】本発明では反強磁性層１７のみを長く形成
し、前記反強磁性層１７の上にハードバイアス層８を形
成することで、前記ハードバイアス層８の膜厚の厚い部
分が、フリー磁性層１５の両側面と対向し、あるいは接
触する。従って、前記ハードバイアス層８から発生する
図示Ｘ方向への強いバイアス磁界が、フリー磁性層１５
に与えられ、前記フリー磁性層１５が図示Ｘ方向に適性
に揃えられる。よってバルクハウゼンノイズは発生しに
くくなり、再生特性を向上させることが可能になる。
【００８０】また図４に示すスピンバルブ型薄膜素子で
は、積層体１９の両側にハードバイアス層８のみを形成
しているが、図３に示すスピンバルブ型薄膜素子のよう
に、前記ハードバイアス層８の上に第２の導電層１０を
形成してもよい。ただしこの場合、図４に示すハードバ
イアス層８を薄く形成して、前記ハードバイアス層８の
上に第２の導電層１０を形成し、前記第２の導電層１０
の上面と積層体１９の上面とが同一平面上となるように
する必要がある。
【００８１】以上のように本発明では、ＡＭＲ素子およ
びスピンバルブ型薄膜素子の構造を例に挙げて説明した
が、本発明の構成は、これら以外の磁気抵抗効果素子に
も適用可能である。例えば、図３，４に示すスピンバル
ブ型薄膜素子は、いわゆるシングルスピンバルブ型薄膜
素子と呼ばれる構造であるが、前記シングルスピンバル
ブ型薄膜素子よりも、より抵抗変化率の高いデュアルス
ピンバルブ型薄膜素子にも本発明の構成を適用すること
ができる。
【００８２】図５及び図６は、本発明のデュアルスピン
バルブ型薄膜素子の構造を示す断面図である。なお図５
に示すデュアルスピンバルブ型薄膜素子は、図３に示す
シングルスピンバルブ型薄膜素子の構造を利用したも
の、図６に示すデュアルスピンバルブ型薄膜素子は、図
５に示すシングルスピンバルブ型薄膜素子の構造を利用
したものである。デュアルスピンバルブ型薄膜素子は、
図５及び図６に示すように、フリー磁性層１５を中心と
してその上下対称に、非磁性導電層１４、固定磁性層１
３、及び反強磁性層１２（図６では、下側の反強磁性層
は符号１７となっている）が積層された構造となってい
る。
【００８３】以上詳述したように本発明では、外部磁界
の変化に応じて電気抵抗が変わる素子部分を含んだ積層
体の下側に導電層（第１の導電層）を形成し、前記積層
体の両側に形成される導電層（第２の導電層）を薄く形
成して、あるいは形成しないことによって、磁気抵抗効
果素子上面の平坦化と直流抵抗の低減を同時に実現する
ことができる。従って、前記磁気抵抗効果素子の上に形
成されるインダクティブヘッドのコア層を歪みが生じる
ことなく形成することができ、記録動作時において、記
録媒体に直線的な信号を記録することができる。
【００８４】また、磁気抵抗効果素子上面の平坦化を実
現するために、積層体の両側領域の膜厚を、前記積層体
の膜厚と同程度にしているので、製造工程時において、
リフトオフ用のレジスト層上に成膜される多層膜の総合
膜厚を従来に比べて薄くすることができ、従って前記レ
ジスト層を除去しても、前記両側領域に突起（バリ）が
発生しにくくなっている。しかも本発明では前記積層体
の幅寸法をほぼトラック幅Ｔｗで形成しているので、再
生動作時において、前記トラック幅Ｔｗ以外の領域から
余分なノイズなどを拾い再生特性を低下させるといった
問題も生じない。
【００８５】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、磁気抵抗
効果素子において、外部磁界の変化に応じて電気抵抗が
変わる素子部分を含んだ積層体の下側に導電層（第１の
導電層）を形成し、前記積層体の両側に形成される導電
層（第２の導電層）の膜厚を薄く形成し、あるいは形成
しないことによって、前記積層体の両側に位置する両側
領域の膜厚を前記積層体の膜厚と同程度にすることが可
能となり、直流抵抗の低減と、磁気抵抗効果素子上面の
平坦化を同時に実現することができる。
【００８６】また前記積層体の両側に位置する両側領域
の膜厚を前記積層体の膜厚と同程度にすることにより、
前記両側領域の形成時に、リフトオフ用のレジスト層上
に形成される多層膜と前記両側領域の層とが繋がって形
成されることがなくなり、従って前記レジスト層を除去
した際に、前記両側領域に、レジスト層上に形成されて
いた多層膜の一部が突起（バリ）として残ってしまうこ
とがない。
【００８７】さらに本発明では、前記積層体の幅寸法を
ほぼトラック幅Ｔｗで形成しているので、再生動作時に
おいて、前記トラック幅Ｔｗ以外の領域から余分なノイ
ズなどを拾い再生特性を低下させるといった問題も生じ
ない。
【００８８】また本発明では、前記積層体の下側に形成
されている第１の導電層の間隔を前記積層体の幅寸法よ
りも長くしているので、再生動作時において、前記第１
の導電層から前記積層体の電圧変化が起こる素子部分に
流れる記録電流は、前記素子部分全体に行き渡り、従っ
て再生特性を低下させることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態のＡＭＲ素子の構造を
ＡＢＳ面側から見た断面図、
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明における磁気抵抗効果
素子の絶縁層、および前記絶縁層の両側に形成される第
１の導電層の製造工程を示す断面図、
【図３】本発明の第２の実施形態のスピンバルブ型薄膜
素子の構造をＡＢＳ面側から見た断面図、
【図４】本発明の第３の実施形態のスピンバルブ型薄膜
素子の構造をＡＢＳ面側から見た断面図、
【図５】本発明の第４の実施形態のスピンバルブ型薄膜
素子（デュアルスピンバルブ型薄膜素子）の構造をＡＢ
Ｓ面側から見た断面図、
【図６】本発明の第５の実施形態のスピンバルブ型薄膜
素子（デュアルスピンバルブ型薄膜素子）の構造をＡＢ
Ｓ面側から見た断面図、
【図７】（ａ）は、従来のＡＭＲ素子およびインダクテ
ィブヘッドの構造をＡＢＳ面側から見た断面図、（ｂ）
は、（ａ）に示すインダクティブヘッドで、記録媒体に
信号を記録した時の記録パターンを示すイメージ図、
【図８】（ａ）は、図５（ａ）に示すＡＭＲ素子の製造
方法の一工程を表わすＡＭＲ素子の断面図、（ｂ）は
（ａ）に示すレジスト層を除去した後のｂ領域の形状を
表わす拡大断面図、
【図９】従来のスピンバルブ型薄膜素子の構造をＡＢＳ
面側から見た断面図、
【図１０】従来の他のスピンバルブ型薄膜素子の構造を
ＡＢＳ面側から見た断面図、
【図１１】従来の他のスピンバルブ型薄膜素子の構造を
ＡＢＳ面側から見た断面図、
【図１２】従来の他のＡＭＲ素子の構造をＡＢＳ面側か
ら見た断面図、
【図１３】従来の他のＡＭＲ素子の構造をＡＢＳ面側か
ら見た断面図、
【符号の説明】
１ 絶縁層 ２ 第１の導電層 ３ 下地層 ４ 軟磁性層（ＳＡＬ層） ５ 非磁性層（ＳＨＵＮＴ層） ６ 磁気抵抗層（ＭＲ層） ７ 保護層 ８ ハードバイアス層 ９ 中間層 １０ 第２の導電層 １１，１６，１９ 積層体 １２，１７ 反強磁性層 １３ 固定磁性層 １４ 非磁性導電層 １５ フリー磁性層 １８ 金属膜 ６０ レジスト層

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 外部磁界の変化に応じて電気抵抗が変わ
    る素子部分を含んだ積層体と、前記積層体の両側に位置
    する両側領域とで構成され、前記素子部分を利用して磁
    気的に記録された情報を再生する磁気抵抗効果素子にお
    いて、前記積層体の下には絶縁層が形成され、前記絶縁
    層の両側には、前記素子部分に記録電流を与えるための
    第１の導電層が形成されており、さらに前記積層体の上
    面と、前記両側領域の上面とが同一平面上に形成されて
    いることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
  2. 【請求項２】 前記絶縁層の幅寸法は、前記絶縁層の上
    に形成される積層体の幅寸法よりも長くなるように形成
    される請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
  3. 【請求項３】 前記両側領域は、バイアス層のみで構成
    される請求項１または請求項２に記載の磁気抵抗効果素
    子。
  4. 【請求項４】 前記両側領域は、バイアス層と、このバ
    イアス層の上に形成された第２の導電層とで構成される
    請求項１または請求項２に記載の磁気抵抗効果素子。
  5. 【請求項５】 前記絶縁層の上面、および前記絶縁層の
    両側に形成された第１の導電層の上面には、下地層とし
    てのＴａ膜が成膜されている請求項１ないし請求項４の
    いずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
  6. 【請求項６】 前記第１の導電層は、Ｃｒで形成されて
    いる請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の磁気抵
    抗効果素子。
  7. 【請求項７】 Ｃｒに代えてＣｕあるいはＷが用いられ
    る請求項６記載の磁気抵抗効果素子。
  8. 【請求項８】 前記積層体は、非磁性層を介して重ねら
    れた磁気抵抗層と軟磁性層とから成る請求項１ないし請
    求項７のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
  9. 【請求項９】 前記積層体は、反強磁性層と、この反強
    磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換異方
    性磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記
    固定磁性層に非磁性導電層を介して形成され、バイアス
    層からのバイアス磁界により磁化が前記固定磁性層の磁
    化方向と交叉する方向に揃えられるフリー磁性層とから
    成る請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の磁気抵
    抗効果素子。
  10. 【請求項１０】 前記積層体が、下から反強磁性層、固
    定磁性層、非磁性導電層、およびフリー磁性層の順に積
    層されている場合、前記反強磁性層は、固定磁性層、非
    磁性導電層およびフリー磁性層よりもさらに両側の領域
    に延びており、バイアス層が、前記反強磁性層の上に形
    成されている請求項９記載の磁気抵抗効果素子。
  11. 【請求項１１】 前記反強磁性層と、バイアス層との間
    には、体心立方構造で且つ（１００）配向の金属膜が形
    成されている請求項１０記載の磁気抵抗効果素子。
  12. 【請求項１２】 前記金属膜は、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ
    50Ｍｏ50のいずれか１種以上で形成されている請求項１
    １記載の磁気抵抗効果素子。
  13. 【請求項１３】 下部ギャップ層上に、絶縁層を形成
    し、さらに前記絶縁層上に、リフトオフ用のレジスト層
    を形成する工程と、 前記リフトオフ用のレジスト層に覆われていない部分の
    絶縁層を削り取る工程と、 前工程によって絶縁層が除去された部分に、残された絶
    縁層表面と同程度まで第１の導電層を成膜し、前記レジ
    スト層を除去する工程と、 前記絶縁層上に、外部磁界の変化に応じて電気抵抗が変
    わる素子部分を含んだ積層体を形成する工程と、 を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方
    法。
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