JP3160947B2 - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録装置における
記録情報を再生するために用いる磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドに関する。
記録情報を再生するために用いる磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録において、記録媒体に記
録された情報を再生する磁気ヘッドとして磁気抵抗効果
型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称する）を用いるこ
とがある。このＭＲヘッドは、磁気抵抗効果型素子（以
下、ＭＲ素子と称する）に入り込んだ磁束の変化をＭＲ
素子の抵抗値の変化として取出すもので、磁気記録媒体
の速度変化に影響されない特徴をもっている。
録された情報を再生する磁気ヘッドとして磁気抵抗効果
型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称する）を用いるこ
とがある。このＭＲヘッドは、磁気抵抗効果型素子（以
下、ＭＲ素子と称する）に入り込んだ磁束の変化をＭＲ
素子の抵抗値の変化として取出すもので、磁気記録媒体
の速度変化に影響されない特徴をもっている。
【０００３】以下に従来のＭＲヘッドについて図６〜図
８を参照しながら説明する。図６は従来のＭＲヘッドの
斜視図、図７は図６に示すＡ部の拡大斜視図、図８は図
７に示すＸ−Ｘ線を含む面で切断した部分の一部拡大横
断面図である。
８を参照しながら説明する。図６は従来のＭＲヘッドの
斜視図、図７は図６に示すＡ部の拡大斜視図、図８は図
７に示すＸ−Ｘ線を含む面で切断した部分の一部拡大横
断面図である。
【０００４】図６に示すように、従来のＭＲヘッドは、
その上にＭＲ素子を形成したフェライトブロック１と他
のフェライトブロック２とがそのＭＲ素子を挟んでエポ
キシ樹脂で接着され、薄膜で形成されたＭＲ素子の端子
３からフレキシブル・プリント基板４（以下、ＦＰＣと
称する）により信号磁界を外部に取出すような構造をし
ている。ＭＲ素子の部分を図７，図８により詳しく説明
すると、まずフェライトブロック１上に第１の絶縁膜５
をスパッタ等により形成する。次に、バイアス導体用薄
膜（Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ等の材料）、ＭＲ素子用薄膜（Ｆ
ｅ・Ｎｉ合金，Ｃｏ・Ｎｉ合金等の材料）、端子用薄膜
（Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ等の材料）が、それぞれスパッタ，
蒸着等により形成され、バイアス導体６とＭＲ素子７と
端子３の形状になるように、フォトリソグラフィ技術を
用いて加工される。次に第２の絶縁膜８がスパッタ等に
より形成され、これらの各種薄膜が形成されたフェライ
トブロック１と他のフェライトブロック２とがエポキシ
樹脂等により接合されてトラック幅Ｌ，電磁変換ギャッ
プ長ＧＬをもつ構造のＭＲヘッドとなる。これらのフェ
ライトブロック１，２は、ＭＲ素子７を保護すると共に
磁気記録媒体からの不要な信号磁界を除去し、分解能を
高める磁気シールドの役目をする。
その上にＭＲ素子を形成したフェライトブロック１と他
のフェライトブロック２とがそのＭＲ素子を挟んでエポ
キシ樹脂で接着され、薄膜で形成されたＭＲ素子の端子
３からフレキシブル・プリント基板４（以下、ＦＰＣと
称する）により信号磁界を外部に取出すような構造をし
ている。ＭＲ素子の部分を図７，図８により詳しく説明
すると、まずフェライトブロック１上に第１の絶縁膜５
をスパッタ等により形成する。次に、バイアス導体用薄
膜（Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ等の材料）、ＭＲ素子用薄膜（Ｆ
ｅ・Ｎｉ合金，Ｃｏ・Ｎｉ合金等の材料）、端子用薄膜
（Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ等の材料）が、それぞれスパッタ，
蒸着等により形成され、バイアス導体６とＭＲ素子７と
端子３の形状になるように、フォトリソグラフィ技術を
用いて加工される。次に第２の絶縁膜８がスパッタ等に
より形成され、これらの各種薄膜が形成されたフェライ
トブロック１と他のフェライトブロック２とがエポキシ
樹脂等により接合されてトラック幅Ｌ，電磁変換ギャッ
プ長ＧＬをもつ構造のＭＲヘッドとなる。これらのフェ
ライトブロック１，２は、ＭＲ素子７を保護すると共に
磁気記録媒体からの不要な信号磁界を除去し、分解能を
高める磁気シールドの役目をする。
【０００５】ＭＲヘッドに外部磁界Ｈを印加したときの
ＭＲ素子７の磁気抵抗の変化ΔＲは、図９に示す曲線の
ようになることが知られており、磁気テープ等の磁気記
録媒体からの信号磁界に対する応答は、バイアス導体６
で印加されるバイアス磁界Ｈｂを中心として信号磁界の
大きさに対応して電気抵抗が変化し、それをＭＲ素子７
に流す電流で再生出力として取出す。
ＭＲ素子７の磁気抵抗の変化ΔＲは、図９に示す曲線の
ようになることが知られており、磁気テープ等の磁気記
録媒体からの信号磁界に対する応答は、バイアス導体６
で印加されるバイアス磁界Ｈｂを中心として信号磁界の
大きさに対応して電気抵抗が変化し、それをＭＲ素子７
に流す電流で再生出力として取出す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術では、所定のバイアス磁界Ｈｂを得るために比
較的大電流をバイアス導体６に流す必要があり、したが
って、ＭＲ素子７の電気ドリフトを起こし、かつ熱雑音
の原因にもなっていた。さらに比較的大電流をバイアス
導体６に分流させるには、ＭＲ素子７と同程度の電気抵
抗を有するようにバイアス導体６の膜厚および材料を選
択する必要があり、これは結局ＭＲヘッドの信号磁界を
低下させ、したがってＭＲヘッドの再生出力を低下させ
ていた。また、周波数特性を改善して高記録密度化を行
うためには、電磁変換ギャップ長ＧＬを小さくする必要
があるが、しかし、図８に示すように電磁変換ギャップ
長ＧＬの中にバイアス導体６を配置するため、電磁変換
ギャップ長ＧＬを小さくできないという問題点もあっ
た。
来の技術では、所定のバイアス磁界Ｈｂを得るために比
較的大電流をバイアス導体６に流す必要があり、したが
って、ＭＲ素子７の電気ドリフトを起こし、かつ熱雑音
の原因にもなっていた。さらに比較的大電流をバイアス
導体６に分流させるには、ＭＲ素子７と同程度の電気抵
抗を有するようにバイアス導体６の膜厚および材料を選
択する必要があり、これは結局ＭＲヘッドの信号磁界を
低下させ、したがってＭＲヘッドの再生出力を低下させ
ていた。また、周波数特性を改善して高記録密度化を行
うためには、電磁変換ギャップ長ＧＬを小さくする必要
があるが、しかし、図８に示すように電磁変換ギャップ
長ＧＬの中にバイアス導体６を配置するため、電磁変換
ギャップ長ＧＬを小さくできないという問題点もあっ
た。
【０００７】本発明は上記問題点を解決するもので、電
気ドリフトや熱雑音の発生を防止し、周波数特性を向上
させたＭＲヘッドを提供することを目的とする。
気ドリフトや熱雑音の発生を防止し、周波数特性を向上
させたＭＲヘッドを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一つは、第１の
フェライトブロックと、そのフェライトブロックの磁気
記録媒体に対向する面に対して直角な主平面上に設けた
前記磁気記録媒体に対向する面より離れた内側に切り欠
き部分を有する第１の絶縁膜と、前記切り欠き部分では
前記第１のフェライトブロックの主平面に密着するよう
に前記第１の絶縁膜上に設けた磁気抵抗効果型素子と、
その磁気抵抗効果型素子の一部に設けた端子と、前記第
１の絶縁膜上および前記端子を除く前記磁気抵抗効果型
素子上を覆う第２の絶縁膜と、その第２の絶縁膜上に設
けた第２のフェライトブロックとからなる構成とする。
に本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一つは、第１の
フェライトブロックと、そのフェライトブロックの磁気
記録媒体に対向する面に対して直角な主平面上に設けた
前記磁気記録媒体に対向する面より離れた内側に切り欠
き部分を有する第１の絶縁膜と、前記切り欠き部分では
前記第１のフェライトブロックの主平面に密着するよう
に前記第１の絶縁膜上に設けた磁気抵抗効果型素子と、
その磁気抵抗効果型素子の一部に設けた端子と、前記第
１の絶縁膜上および前記端子を除く前記磁気抵抗効果型
素子上を覆う第２の絶縁膜と、その第２の絶縁膜上に設
けた第２のフェライトブロックとからなる構成とする。
【０００９】他の一つは、第１のフェライトブロックに
代えて、磁気記録媒体に対して直角な主平面上の前記磁
気記録媒体に対向する面より離れた内側に突起部を設け
た変形フェライトブロックを有し、前記突起部を除く前
記変形フェライトブロックの主平面上に第１の絶縁膜が
形成され、前記突起部と密着するようにその絶縁膜上に
磁気抵抗効果型素子を設けて他の部分は前記と同様の構
成としたものである。
代えて、磁気記録媒体に対して直角な主平面上の前記磁
気記録媒体に対向する面より離れた内側に突起部を設け
た変形フェライトブロックを有し、前記突起部を除く前
記変形フェライトブロックの主平面上に第１の絶縁膜が
形成され、前記突起部と密着するようにその絶縁膜上に
磁気抵抗効果型素子を設けて他の部分は前記と同様の構
成としたものである。
【００１０】
【作用】上述の構成により、ＭＲ素子と第１のフェライ
トブロックとが密着する部分を設けたことによってＭＲ
素子に電流を流してバイアス磁界を発生させることがで
きる。これにより、従来のバイアス導体が不要となり、
バイアス導体に起因していた電気ドリフトや熱雑音の発
生を抑えることができる。また、バイアス導体が無いた
めに電磁変換ギャップ長を短くすることができ、周波数
特性が改善されて高記録密度化を図ることができる。
トブロックとが密着する部分を設けたことによってＭＲ
素子に電流を流してバイアス磁界を発生させることがで
きる。これにより、従来のバイアス導体が不要となり、
バイアス導体に起因していた電気ドリフトや熱雑音の発
生を抑えることができる。また、バイアス導体が無いた
めに電磁変換ギャップ長を短くすることができ、周波数
特性が改善されて高記録密度化を図ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１２】（実施例１）図１は本発明の第１の実施例
のＭＲヘッドにおけるＭＲ素子部分の一部拡大斜視図、
図２は図１のＹ−Ｙ線を含む面で切断した一部拡大横断
面図である。図１，図２において、１１および１２はＭ
ｎ−Ｚｎ，Ｎｉ−Ｚｎフェライト等からなるそれぞれ第
１および第２のフェライトブロックである。前記第１の
フェライトブロック１１の主平面上に二酸化硅素，Ａｌ
2Ｏ3等からなる第１の絶縁膜をスパッタ，蒸着等により
形成する。その膜厚は４０００Å程である。そして、フ
ォトリソグラフィ技術を用いた微細加工により、磁気記
録媒体に対向する面より内側近傍に切り欠き部分１３ａ
を有する所定形状の絶縁膜１３を形成する。次にＦｅ−
Ｎｉ合金，Ｃｏ−Ｎｉ合金等からなるＭＲ素子用材料を
用いてスパッタ，蒸着等により、厚さ３００〜８００Å
のＭＲ膜を絶縁膜１３上およびその切り欠き部分１３ａ
ではフェライトブロック１１の主平面上に密着して形成
する。さらに、このＭＲ膜上にＣｕ，Ａｕ，Ａｌ等から
なる厚さ１μｍ程度の導体膜をスパッタ，蒸着等により
形成する。そして、これらの薄膜をフォトリソグラフィ
技術を用いて微細加工し、所定形状のＭＲ素子１４と端
子１５を形成する。次に二酸化硅素，Ａｌ2Ｏ3等からな
る厚さ０．４〜０．８μｍの第２の絶縁膜１６をスパッ
タ，蒸着等により形成する。この際、端子１５には前記
絶縁膜１６が形成されないようにする。そして、前記各
種の薄膜形成が行なわれた第１のフェライトブロック１
１と第２のフェライトブロック１２とがＭＲ素子１４を
挟むようにエポキシ樹脂やガラス等により接合される。
これらの両フェライトブロック１１，１２はＭＲ素子１
４を保護するとともに、分解能を高める磁気シールドの
役目をする。次に、図６において示したのと同じように
して、ＦＰＣを端子１５に接合し、ＦＰＣによりＭＲ素
子１４からの再生信号を外部に取出す。また、図１に示
すように、トラック幅ＬはＭＲ素子１４の幅と同じであ
り、図２に示すように、電磁変換ギャップ長ＧＬは両フ
ェライトブロック１１，１２の間の距離と同じである。
のＭＲヘッドにおけるＭＲ素子部分の一部拡大斜視図、
図２は図１のＹ−Ｙ線を含む面で切断した一部拡大横断
面図である。図１，図２において、１１および１２はＭ
ｎ−Ｚｎ，Ｎｉ−Ｚｎフェライト等からなるそれぞれ第
１および第２のフェライトブロックである。前記第１の
フェライトブロック１１の主平面上に二酸化硅素，Ａｌ
2Ｏ3等からなる第１の絶縁膜をスパッタ，蒸着等により
形成する。その膜厚は４０００Å程である。そして、フ
ォトリソグラフィ技術を用いた微細加工により、磁気記
録媒体に対向する面より内側近傍に切り欠き部分１３ａ
を有する所定形状の絶縁膜１３を形成する。次にＦｅ−
Ｎｉ合金，Ｃｏ−Ｎｉ合金等からなるＭＲ素子用材料を
用いてスパッタ，蒸着等により、厚さ３００〜８００Å
のＭＲ膜を絶縁膜１３上およびその切り欠き部分１３ａ
ではフェライトブロック１１の主平面上に密着して形成
する。さらに、このＭＲ膜上にＣｕ，Ａｕ，Ａｌ等から
なる厚さ１μｍ程度の導体膜をスパッタ，蒸着等により
形成する。そして、これらの薄膜をフォトリソグラフィ
技術を用いて微細加工し、所定形状のＭＲ素子１４と端
子１５を形成する。次に二酸化硅素，Ａｌ2Ｏ3等からな
る厚さ０．４〜０．８μｍの第２の絶縁膜１６をスパッ
タ，蒸着等により形成する。この際、端子１５には前記
絶縁膜１６が形成されないようにする。そして、前記各
種の薄膜形成が行なわれた第１のフェライトブロック１
１と第２のフェライトブロック１２とがＭＲ素子１４を
挟むようにエポキシ樹脂やガラス等により接合される。
これらの両フェライトブロック１１，１２はＭＲ素子１
４を保護するとともに、分解能を高める磁気シールドの
役目をする。次に、図６において示したのと同じように
して、ＦＰＣを端子１５に接合し、ＦＰＣによりＭＲ素
子１４からの再生信号を外部に取出す。また、図１に示
すように、トラック幅ＬはＭＲ素子１４の幅と同じであ
り、図２に示すように、電磁変換ギャップ長ＧＬは両フ
ェライトブロック１１，１２の間の距離と同じである。
【００１３】次に、本実施例におけるＭＲヘッドの動作
について図３および図４を参照しながら説明する。
について図３および図４を参照しながら説明する。
【００１４】図３は、図２の断面図においてＭＲ素子に
電流Ｉを流したときの磁束の流れを説明する図である。
今仮に、ＭＲ素子１４を厚さ方向に２等分し、そこに流
れる電流Ｉが図３（ａ）のように、下側半分を手前側か
ら奥行き方向に流れたと仮定した場合、そこに流れる磁
束は太い矢印のように流れる。すなわち磁束の流れはＭ
Ｒ素子１４の中では、上半分を左から右へ流れ、さらに
ＭＲ素子１４と第１のフェライトブロック１１の接する
部分を通ってフェライトブロック１１へ流れる。フェラ
イトブロック１１内では右から左へ流れ、絶縁膜１３を
通ってＭＲ素子１４へ流れる。また、図３（ｂ）のよう
に上側半分を手前側から奥行方向に電流Ｉが流れたと仮
定した場合、そこに流れる磁束は細い矢印で示すよう
に、ＭＲ素子１４中では下半分を右から左へ流れ、絶縁
膜１６を通って第２のフェライトブロック１２中を左か
ら右へ流れ、さらに絶縁膜１６を通ってＭＲ素子１４へ
帰る。すなわち、ＭＲ素子１４に電流を通すと、図３
（ａ）と図３（ｂ）とを合わせた磁束が発生する。ただ
し、図３（ａ）と図３（ｂ）とで発生する磁束が同じで
ある場合は互いに相殺されてＭＲ素子１４中に磁束は流
れず、ＭＲ素子１４にバイアス磁界は印加されない。し
かし、図３（ａ）と図３（ｂ）とで発生する磁束の量が
違う時は、ＭＲ素子１４にバイアス磁界が印加される。
すなわち、本実施例のようにＭＲ素子１４が絶縁膜１３
の切り欠き部分でフェライトブロック１１と密着してい
る場合は、磁束が磁性体であるＭＲ素子１４からフェラ
イトブロック１１へ流れる間に非磁性層を通さないため
に図３（ａ）に示す磁束の量の方が図３（ｂ）に示す磁
束の量よりも多くなり、磁束の発生効率が高まってＭＲ
素子１４にバイアス磁界が印加される。したがって、本
実施例では、従来のようにバイアス導体を設けて大電流
を流す必要がなく、ＭＲ素子１４の電気ドリフトや熱雑
音の発生が抑えられる。
電流Ｉを流したときの磁束の流れを説明する図である。
今仮に、ＭＲ素子１４を厚さ方向に２等分し、そこに流
れる電流Ｉが図３（ａ）のように、下側半分を手前側か
ら奥行き方向に流れたと仮定した場合、そこに流れる磁
束は太い矢印のように流れる。すなわち磁束の流れはＭ
Ｒ素子１４の中では、上半分を左から右へ流れ、さらに
ＭＲ素子１４と第１のフェライトブロック１１の接する
部分を通ってフェライトブロック１１へ流れる。フェラ
イトブロック１１内では右から左へ流れ、絶縁膜１３を
通ってＭＲ素子１４へ流れる。また、図３（ｂ）のよう
に上側半分を手前側から奥行方向に電流Ｉが流れたと仮
定した場合、そこに流れる磁束は細い矢印で示すよう
に、ＭＲ素子１４中では下半分を右から左へ流れ、絶縁
膜１６を通って第２のフェライトブロック１２中を左か
ら右へ流れ、さらに絶縁膜１６を通ってＭＲ素子１４へ
帰る。すなわち、ＭＲ素子１４に電流を通すと、図３
（ａ）と図３（ｂ）とを合わせた磁束が発生する。ただ
し、図３（ａ）と図３（ｂ）とで発生する磁束が同じで
ある場合は互いに相殺されてＭＲ素子１４中に磁束は流
れず、ＭＲ素子１４にバイアス磁界は印加されない。し
かし、図３（ａ）と図３（ｂ）とで発生する磁束の量が
違う時は、ＭＲ素子１４にバイアス磁界が印加される。
すなわち、本実施例のようにＭＲ素子１４が絶縁膜１３
の切り欠き部分でフェライトブロック１１と密着してい
る場合は、磁束が磁性体であるＭＲ素子１４からフェラ
イトブロック１１へ流れる間に非磁性層を通さないため
に図３（ａ）に示す磁束の量の方が図３（ｂ）に示す磁
束の量よりも多くなり、磁束の発生効率が高まってＭＲ
素子１４にバイアス磁界が印加される。したがって、本
実施例では、従来のようにバイアス導体を設けて大電流
を流す必要がなく、ＭＲ素子１４の電気ドリフトや熱雑
音の発生が抑えられる。
【００１５】次に、磁気記録媒体から磁束が入ったとき
のＭＲヘッドの動作について説明する。図４は、図２の
断面図においてその磁束が入ったときのＭＲヘッドにお
ける磁束の流れを説明する図である。磁気記録媒体１７
から入ってきた磁束は、まずＭＲ素子１４中を流れ、さ
らに第１のフェライトブロック１１を通って磁気記録媒
体１７に帰るものと、第２のフェライトブロック１２を
通って磁気記録媒体１７に帰るものとに別れる。このと
き、本実施例では、第２のフェライトブロック１２を通
る磁束の流れは非磁性体である第２の絶縁膜１６を通る
ため、すなわち磁気的に離れているために極めて少な
く、流入してきた磁束のほとんどは、ＭＲ素子１４と第
１のフェライトブロック１１とが磁気的につながってい
るためＭＲ素子１４から第１のフェライトブロック１１
へ流れる。またＭＲ素子１４の途中から第１のフェライ
トブロック１１へ漏れることも極めて少なく、再生出力
が向上する。
のＭＲヘッドの動作について説明する。図４は、図２の
断面図においてその磁束が入ったときのＭＲヘッドにお
ける磁束の流れを説明する図である。磁気記録媒体１７
から入ってきた磁束は、まずＭＲ素子１４中を流れ、さ
らに第１のフェライトブロック１１を通って磁気記録媒
体１７に帰るものと、第２のフェライトブロック１２を
通って磁気記録媒体１７に帰るものとに別れる。このと
き、本実施例では、第２のフェライトブロック１２を通
る磁束の流れは非磁性体である第２の絶縁膜１６を通る
ため、すなわち磁気的に離れているために極めて少な
く、流入してきた磁束のほとんどは、ＭＲ素子１４と第
１のフェライトブロック１１とが磁気的につながってい
るためＭＲ素子１４から第１のフェライトブロック１１
へ流れる。またＭＲ素子１４の途中から第１のフェライ
トブロック１１へ漏れることも極めて少なく、再生出力
が向上する。
【００１６】（実施例２）実施例１では、ＭＲ素子１４
とフェライトブロック１１とをつなぐためにＭＲ素子１
４を曲げた形状としたが、図５に示すように、第１のフ
ェライトブロック１１の代わりに、磁気記録媒体に対向
する面の内側近傍に突起部を設けた形状の変形フェライ
トブロック１８を用い、その上に第１の絶縁膜１３を形
成してさらに平らなＭＲ素子１９を設けた構造としても
良い。この構造でも実施例１と同様に作用し、同様の効
果が得られることは明らかである。
とフェライトブロック１１とをつなぐためにＭＲ素子１
４を曲げた形状としたが、図５に示すように、第１のフ
ェライトブロック１１の代わりに、磁気記録媒体に対向
する面の内側近傍に突起部を設けた形状の変形フェライ
トブロック１８を用い、その上に第１の絶縁膜１３を形
成してさらに平らなＭＲ素子１９を設けた構造としても
良い。この構造でも実施例１と同様に作用し、同様の効
果が得られることは明らかである。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来のバ
イアス導体に電流を流す方式と違い、ＭＲ素子に電流を
流してバイアス磁界を発生させる構造としたことによ
り、ＭＲ素子におこる電気ドリフトや熱雑音の発生が抑
制され、さらにＭＲ素子に流入する磁束が増加するた
め、再生出力を増加させることもできる。また、電磁変
換ギャップ中にバイアス導体を配置しないため、電磁変
換ギャップ長を小さくできることにより、周波数特性を
改善して高記録密度化を実現することができる。
イアス導体に電流を流す方式と違い、ＭＲ素子に電流を
流してバイアス磁界を発生させる構造としたことによ
り、ＭＲ素子におこる電気ドリフトや熱雑音の発生が抑
制され、さらにＭＲ素子に流入する磁束が増加するた
め、再生出力を増加させることもできる。また、電磁変
換ギャップ中にバイアス導体を配置しないため、電磁変
換ギャップ長を小さくできることにより、周波数特性を
改善して高記録密度化を実現することができる。
【図１】本発明の第１の実施例における磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの一部拡大斜視図
磁気ヘッドの一部拡大斜視図
【図２】図１のＹ−Ｙ線を含む面で切断した一部拡大横
断面図
断面図
【図３】（ａ）は図２の横断面図において磁気抵抗効果
型素子に電流を流したときの磁束の流れを示す第１の説
明図 （ｂ）は同じく第２の説明図
型素子に電流を流したときの磁束の流れを示す第１の説
明図 （ｂ）は同じく第２の説明図
【図４】図２の横断面図において磁気記録媒体から磁束
が入ったときの磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおける磁束
の流れを示す説明図
が入ったときの磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおける磁束
の流れを示す説明図
【図５】本発明の第２の実施例における磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの一部拡大横断面図
磁気ヘッドの一部拡大横断面図
【図６】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの斜視図
【図７】図６に示すＡ部の拡大斜視図
【図８】図７のＸ−Ｘ線を含む面で切断した一部拡大横
断面図
断面図
【図９】外部磁界と磁気抵抗の変化との関係を示す図
１１，１２，１８ フェライトブロック １３，１６ 絶縁膜 １３ａ 切り欠き部分 １４，１９ 磁気抵抗効果型素子 １５ 端子 １７ 磁気記録媒体
Claims (2)
- 【請求項１】第１のフェライトブロックと、そのフェラ
イトブロックの磁気記録媒体に対向する面に対して直角
な主平面上に設けた前記磁気記録媒体に対向する面より
離れた内側に切り欠き部分を有する第１の絶縁膜と、前
記切り欠き部分では前記第１のフェライトブロックの主
平面に密着するように前記第１の絶縁膜上に設けた磁気
抵抗効果型素子と、その磁気抵抗効果型素子の一部に設
けた端子と、前記第１の絶縁膜上および前記端子を除く
前記磁気抵抗効果型素子上を覆う第２の絶縁膜と、その
第２の絶縁膜上に設けた第２のフェライトブロックとか
らなる磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】第１のフェライトブロックに代えて、磁気
記録媒体に対して直角な主平面上の前記磁気記録媒体に
対向する面より離れた内側に突起部を設けた変形フェラ
イトブロックを有し、前記突起部を除く前記変形フェラ
イトブロックの主平面上に第１の絶縁膜が形成され、前
記突起部と密着するように前記絶縁膜上に磁気抵抗効果
型素子が設けられた請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18220191A JP3160947B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18220191A JP3160947B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528435A JPH0528435A (ja) | 1993-02-05 |
| JP3160947B2 true JP3160947B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=16114126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18220191A Expired - Lifetime JP3160947B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3160947B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
| US5646051A (en) * | 1995-05-05 | 1997-07-08 | Nec Research Institute, Inc. | Process for forming a magnetoresistive sensor for a reading head |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP18220191A patent/JP3160947B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0528435A (ja) | 1993-02-05 |
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