JPH0817019A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JPH0817019A JPH0817019A JP6146345A JP14634594A JPH0817019A JP H0817019 A JPH0817019 A JP H0817019A JP 6146345 A JP6146345 A JP 6146345A JP 14634594 A JP14634594 A JP 14634594A JP H0817019 A JPH0817019 A JP H0817019A
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高再生感度で再生波形歪がなく高線記録密度
化に適した磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 【構成】 軟磁性体からなる上部ヨーク2および下部ヨ
ーク3の一端を対向してギャップ(間隙)1を有する磁
気回路と、上部ヨーク2の他端と磁気的に結合するMR
素子A5と、下部ヨーク3の他端と磁気的に結合するM
R素子B6と、MR素子A5,MR素子B6とを磁気的
に結合する軟磁性体からなるバックヨーク4を備えてい
る。そして、上部ヨーク2および下部ヨーク3は、ギャ
ップ1を除いて互いに重なり合わないように配置され、
かつMR素子A5とMR素子B6とが同時に成膜される
ように構成されている。これにより、ギャップ1は、膜
厚によってギャップ長が規定され、かつ特性が等価なM
R素子が得られるため、差動構成をなすことにより、高
線記録密度化に適したMRヘッドが得られる。
化に適した磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 【構成】 軟磁性体からなる上部ヨーク2および下部ヨ
ーク3の一端を対向してギャップ(間隙)1を有する磁
気回路と、上部ヨーク2の他端と磁気的に結合するMR
素子A5と、下部ヨーク3の他端と磁気的に結合するM
R素子B6と、MR素子A5,MR素子B6とを磁気的
に結合する軟磁性体からなるバックヨーク4を備えてい
る。そして、上部ヨーク2および下部ヨーク3は、ギャ
ップ1を除いて互いに重なり合わないように配置され、
かつMR素子A5とMR素子B6とが同時に成膜される
ように構成されている。これにより、ギャップ1は、膜
厚によってギャップ長が規定され、かつ特性が等価なM
R素子が得られるため、差動構成をなすことにより、高
線記録密度化に適したMRヘッドが得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置や磁
気テープ装置等に使用される磁気抵抗効果ヘッドに関
し、特にヨーク型の磁気抵抗効果ヘッドに関する。
気テープ装置等に使用される磁気抵抗効果ヘッドに関
し、特にヨーク型の磁気抵抗効果ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】磁気抵抗効果ヘッド(以下、MRヘッド
という)は、高い再生感度を有し、かつ再生出力が磁気
記録媒体−磁気ヘッド間の相対速度に依存しないため
に、磁気記録装置の高線記録密度化および小型化に対し
て有利な磁気ヘッドである。
という)は、高い再生感度を有し、かつ再生出力が磁気
記録媒体−磁気ヘッド間の相対速度に依存しないため
に、磁気記録装置の高線記録密度化および小型化に対し
て有利な磁気ヘッドである。
【0003】従来のMRヘッドとしては、磁気抵抗効果
素子(以下、MR素子という)を磁気記録媒体面の真上
に配置し、直接、磁気記録媒体から発生する磁束を検出
するタイプと、MR素子を磁気記録媒体面上から離れた
ところに配置し、磁気記録媒体面から発生する磁束を磁
気ヨークを介して検出するタイプとがあるが、後者は前
者と比較して再生感度は劣るものの、MR素子が磁気記
録媒体の対向面に露出しないため、信頼性が高いという
特徴がある。
素子(以下、MR素子という)を磁気記録媒体面の真上
に配置し、直接、磁気記録媒体から発生する磁束を検出
するタイプと、MR素子を磁気記録媒体面上から離れた
ところに配置し、磁気記録媒体面から発生する磁束を磁
気ヨークを介して検出するタイプとがあるが、後者は前
者と比較して再生感度は劣るものの、MR素子が磁気記
録媒体の対向面に露出しないため、信頼性が高いという
特徴がある。
【0004】図3は、従来のMRヘッドの概略構成の一
例を示す斜視図である。このMRヘッドは、従来の薄膜
磁気ヘッドと同様なプロセスで作成され、上部ヨーク1
2と下部ヨーク13とにそれぞれ磁気的に結合した一対
のMR素子A15,MR素子B16を設けており、上部
ヨーク12と下部ヨーク13と間には、磁気記録媒体
(図示せず)に対して情報の書き込み・読み出しを行う
ギャップ11が形成されている。そして、MR素子A1
5,MR素子B16にはバックヨーク14が磁気的に結
合し、かつ差動構成をなすとともに端子17および中間
端子18が接続されており、このように構成することに
よって再生感度を高めている。
例を示す斜視図である。このMRヘッドは、従来の薄膜
磁気ヘッドと同様なプロセスで作成され、上部ヨーク1
2と下部ヨーク13とにそれぞれ磁気的に結合した一対
のMR素子A15,MR素子B16を設けており、上部
ヨーク12と下部ヨーク13と間には、磁気記録媒体
(図示せず)に対して情報の書き込み・読み出しを行う
ギャップ11が形成されている。そして、MR素子A1
5,MR素子B16にはバックヨーク14が磁気的に結
合し、かつ差動構成をなすとともに端子17および中間
端子18が接続されており、このように構成することに
よって再生感度を高めている。
【0005】次に、図4は、従来のMRヘッドの別の例
を示す斜視図である。このMRヘッドでは、ヨーク22
とヨーク23とにそれぞれ磁気的に結合した一対のMR
素子A25,MR素子B26を設け、ヨーク22とヨー
ク23と間にはギャップ21が形成されている。そし
て、MR素子A25,MR素子B26にはバックヨーク
24が磁気的に結合し、かつ差動構成をなすとともに端
子27および中間端子28が接続されている。このMR
ヘッドは、ヨーク22,ヨーク23の高さによってトラ
ック幅が規定されている。また、MR素子A25,MR
素子B26MR素子は、同一平面上に設けられているた
め同時に成膜され、差動構成をとることが容易である。
を示す斜視図である。このMRヘッドでは、ヨーク22
とヨーク23とにそれぞれ磁気的に結合した一対のMR
素子A25,MR素子B26を設け、ヨーク22とヨー
ク23と間にはギャップ21が形成されている。そし
て、MR素子A25,MR素子B26にはバックヨーク
24が磁気的に結合し、かつ差動構成をなすとともに端
子27および中間端子28が接続されている。このMR
ヘッドは、ヨーク22,ヨーク23の高さによってトラ
ック幅が規定されている。また、MR素子A25,MR
素子B26MR素子は、同一平面上に設けられているた
め同時に成膜され、差動構成をとることが容易である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した、従来のMR
ヘッドにおいて、差動出力を得るには一対のMR素子が
同一の特性を有することが必要であるが、図3に示すM
Rヘッドにおいては、MR素子を2回成膜することにな
るため、波形歪のないMRヘッドを作成するのが困難で
あり、また、図4に示すMRヘッドにおいては、ギャッ
プをフォト・リソグラフィー(写真食刻)法を用いて作
成する必要があるため、高線記録密度のMPヘッドを作
成するのが困難である、という問題点がある。
ヘッドにおいて、差動出力を得るには一対のMR素子が
同一の特性を有することが必要であるが、図3に示すM
Rヘッドにおいては、MR素子を2回成膜することにな
るため、波形歪のないMRヘッドを作成するのが困難で
あり、また、図4に示すMRヘッドにおいては、ギャッ
プをフォト・リソグラフィー(写真食刻)法を用いて作
成する必要があるため、高線記録密度のMPヘッドを作
成するのが困難である、という問題点がある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、第1の磁気ヨ
ークおよび第2の磁気ヨークの一端を対向して間隙を有
する磁気回路と、前記第1の磁気ヨークの他端と磁気的
に結合する第1のMR素子と、前記第2の磁気ヨークの
他端と磁気的に結合する第2のMR素子と、前記第1の
MR素子と前記第2のMR素子とを磁気的に結合する第
3の磁気ヨークとを備えるMRヘッドにおいて、前記第
1および第2の磁気ヨークは前記間隙を除いて互いに重
なり合わないように配置され、かつ前記第1および第2
のMR素子は同時に成膜されていることを特徴とする。
また、前記第1,第2および第3の磁気ヨークのいずれ
か1つもしくは2つ、またはそれらすべてに導体薄膜パ
ターンにより形成されたコイルを備えてもよい。
ークおよび第2の磁気ヨークの一端を対向して間隙を有
する磁気回路と、前記第1の磁気ヨークの他端と磁気的
に結合する第1のMR素子と、前記第2の磁気ヨークの
他端と磁気的に結合する第2のMR素子と、前記第1の
MR素子と前記第2のMR素子とを磁気的に結合する第
3の磁気ヨークとを備えるMRヘッドにおいて、前記第
1および第2の磁気ヨークは前記間隙を除いて互いに重
なり合わないように配置され、かつ前記第1および第2
のMR素子は同時に成膜されていることを特徴とする。
また、前記第1,第2および第3の磁気ヨークのいずれ
か1つもしくは2つ、またはそれらすべてに導体薄膜パ
ターンにより形成されたコイルを備えてもよい。
【0008】
【作用】本発明のMRヘッドは、磁気抵抗効果膜(以
下、MR膜という)が同時に成膜されるため、差動構成
を用いることにより高い再生感度を有し、歪のない再生
波形を得ることができる。また、ギャップは従来のMR
ヘッドと同様に、ギャップ層の厚さで決定されるため、
高線記録密度に適したヘッドを作成することができる。
下、MR膜という)が同時に成膜されるため、差動構成
を用いることにより高い再生感度を有し、歪のない再生
波形を得ることができる。また、ギャップは従来のMR
ヘッドと同様に、ギャップ層の厚さで決定されるため、
高線記録密度に適したヘッドを作成することができる。
【0009】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0010】(実施例1)図1は、第1の発明の一実施
例における概略構成を示す斜視図である。本実施例1の
MRヘッドは、図1に示すように、磁性体からなる上部
ヨーク2および下部ヨーク3の一端を対向してギャップ
(間隙)1を有する磁気回路と、上部ヨーク2の他端と
磁気的に結合するMR素子A5と、下部ヨーク3の他端
と磁気的に結合するMR素子B6と、MR素子A5とM
R素子B6とを磁気的に結合する磁性体からなるバック
ヨーク4を備えている。そして、上部ヨーク2および下
部ヨーク3は、ギャップ1を除いて互いに重なり合わな
いように配置されるとともに、MR素子A5とMR素子
B6とが同時に成膜されるように構成されている。
例における概略構成を示す斜視図である。本実施例1の
MRヘッドは、図1に示すように、磁性体からなる上部
ヨーク2および下部ヨーク3の一端を対向してギャップ
(間隙)1を有する磁気回路と、上部ヨーク2の他端と
磁気的に結合するMR素子A5と、下部ヨーク3の他端
と磁気的に結合するMR素子B6と、MR素子A5とM
R素子B6とを磁気的に結合する磁性体からなるバック
ヨーク4を備えている。そして、上部ヨーク2および下
部ヨーク3は、ギャップ1を除いて互いに重なり合わな
いように配置されるとともに、MR素子A5とMR素子
B6とが同時に成膜されるように構成されている。
【0011】次に、本実施例1のMRヘッドの作成方法
について説明する。
について説明する。
【0012】まず、スパッタ法によりAl2 O3 −Ti
C(アルミナ・チタンカーバイド)基板(図示せず)上
にSiO2 を約10μmの膜厚に成膜し、続いて、膜厚
30nmのNiFe合金膜,膜厚20nmのTa膜およ
び膜厚40nmのCoZrMo膜よりなるMR膜をスパ
ッタ法により成膜する。そして、このMR膜をイオンミ
リング法によりパターン化しMR素子A5およびMR素
子B6を作成する。また、MR素子A5,MR素子B6
と回路系とを接続するための導電性薄膜パターンよりな
る端子7を形成する。この端子7は膜厚300nmのA
u膜よりなっている。さらに、MR素子A5とMR素子
B6とを互いに電気的に接続するための導電性薄膜パタ
ーンとして、Au膜からなる中間端子8が接続される。
C(アルミナ・チタンカーバイド)基板(図示せず)上
にSiO2 を約10μmの膜厚に成膜し、続いて、膜厚
30nmのNiFe合金膜,膜厚20nmのTa膜およ
び膜厚40nmのCoZrMo膜よりなるMR膜をスパ
ッタ法により成膜する。そして、このMR膜をイオンミ
リング法によりパターン化しMR素子A5およびMR素
子B6を作成する。また、MR素子A5,MR素子B6
と回路系とを接続するための導電性薄膜パターンよりな
る端子7を形成する。この端子7は膜厚300nmのA
u膜よりなっている。さらに、MR素子A5とMR素子
B6とを互いに電気的に接続するための導電性薄膜パタ
ーンとして、Au膜からなる中間端子8が接続される。
【0013】次に、磁気記録媒体(図示せず)に対して
情報の書き込み・読み出しを行うギャップ部として、基
板全面にスパッタ法により膜厚10nmのSiO2 膜を
成膜し、MR素子と次に成膜される磁気回路を構成する
各ヨークとの間のギャップ1とした。さらに、膜厚2μ
mのCoZr膜をスパッタ法により成膜し、このCoZ
r膜をイオンミリング法により下部ヨーク3およびバッ
クヨーク4が形成されるようにパターンニングを行っ
た。
情報の書き込み・読み出しを行うギャップ部として、基
板全面にスパッタ法により膜厚10nmのSiO2 膜を
成膜し、MR素子と次に成膜される磁気回路を構成する
各ヨークとの間のギャップ1とした。さらに、膜厚2μ
mのCoZr膜をスパッタ法により成膜し、このCoZ
r膜をイオンミリング法により下部ヨーク3およびバッ
クヨーク4が形成されるようにパターンニングを行っ
た。
【0014】その後、ギャップ1となる膜厚10nmの
SiO2 膜を上部ヨーク2と下部ヨーク3との重なる部
分にリフトオフ法により成膜し、続いて、膜厚2μmの
CoZr膜をスパッタ法により成膜し、下部ヨーク3と
同様にイオンミリング法により上部ヨーク2を形成し
た。
SiO2 膜を上部ヨーク2と下部ヨーク3との重なる部
分にリフトオフ法により成膜し、続いて、膜厚2μmの
CoZr膜をスパッタ法により成膜し、下部ヨーク3と
同様にイオンミリング法により上部ヨーク2を形成し
た。
【0015】以上のようにして作成されたMRヘッドで
は、成膜条件を変更することによって容易にギャップ厚
を薄くすることができるため、高線記録密度が実現でき
る。また、同時に成膜された等価なMR素子に対して、
差動構成による再生方式を用いることにより、再生波形
の歪がなく、高い再生出力を得ることができる。
は、成膜条件を変更することによって容易にギャップ厚
を薄くすることができるため、高線記録密度が実現でき
る。また、同時に成膜された等価なMR素子に対して、
差動構成による再生方式を用いることにより、再生波形
の歪がなく、高い再生出力を得ることができる。
【0016】(実施例2)図2は、第2の発明の一実施
例における概略構成を示す斜視図である。本実施例2の
MRヘッドは、図2に示すように、まず、Al2 O3 −
TiC基板(図示せず)上にスパッタ法によりSiO2
を約10μmの膜厚に成膜し、続いて、MR素子A5,
MR素子B6,端子7,中間端子8、およびMR素子A
5,MR素子B6と上部ヨーク2,下部ヨーク3との間
に設けられたギャップ1を、図1に示す実施例1と同様
に形成した。そして、メッキ法により膜厚1μmのCu
メッキ膜からなる下コイル(図示せず)を形成した。
例における概略構成を示す斜視図である。本実施例2の
MRヘッドは、図2に示すように、まず、Al2 O3 −
TiC基板(図示せず)上にスパッタ法によりSiO2
を約10μmの膜厚に成膜し、続いて、MR素子A5,
MR素子B6,端子7,中間端子8、およびMR素子A
5,MR素子B6と上部ヨーク2,下部ヨーク3との間
に設けられたギャップ1を、図1に示す実施例1と同様
に形成した。そして、メッキ法により膜厚1μmのCu
メッキ膜からなる下コイル(図示せず)を形成した。
【0017】さらに、下部ヨーク3,バックヨーク4,
ギャップ1および上部ヨーク2を、図1に示す実施例1
と同様に形成した。その後、絶縁層を介して前記下コイ
ルとの電気的連続性を損なわないようにして、メッキ法
により膜厚1μmのCuメッキ膜からなる上コイル9を
形成するとともに、併せてコイル端子10を接続した。
ギャップ1および上部ヨーク2を、図1に示す実施例1
と同様に形成した。その後、絶縁層を介して前記下コイ
ルとの電気的連続性を損なわないようにして、メッキ法
により膜厚1μmのCuメッキ膜からなる上コイル9を
形成するとともに、併せてコイル端子10を接続した。
【0018】以上のようにして作成されたMRヘッドで
は、前述した実施例1の長所に加え、バックヨーク4に
形成されたコイルにより磁気記録媒体に情報を記録でき
るという機能を合わせ備えている。
は、前述した実施例1の長所に加え、バックヨーク4に
形成されたコイルにより磁気記録媒体に情報を記録でき
るという機能を合わせ備えている。
【0019】なお、実施例2では、バックヨークにコイ
ルを備えた例について説明したが、このコイルは上部ヨ
ーク2,下部ヨーク3およびバックヨーク4のいずれか
1つもしくは2つ、またはそれらのすべてに形成しても
よく、同様の効果が得られることは明白である。
ルを備えた例について説明したが、このコイルは上部ヨ
ーク2,下部ヨーク3およびバックヨーク4のいずれか
1つもしくは2つ、またはそれらのすべてに形成しても
よく、同様の効果が得られることは明白である。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のMRヘッ
ドは、ギャップの膜厚によってギャップ長が規定される
ため、高線記録密度化が本質的に容易である。また、同
時に成膜される等価なMR素子に対して、作動構成をな
す再生方式を用いることにより、歪のない再生波形と高
い再生出力とが得られるという効果がある。
ドは、ギャップの膜厚によってギャップ長が規定される
ため、高線記録密度化が本質的に容易である。また、同
時に成膜される等価なMR素子に対して、作動構成をな
す再生方式を用いることにより、歪のない再生波形と高
い再生出力とが得られるという効果がある。
【0021】しかも、本発明のMRヘッドでは、MR素
子がヨークを介して磁気記録媒体と接するため、磁気記
録媒体と接触・摺動時におけるMR素子の雑音発生が抑
制されるという利点もある。
子がヨークを介して磁気記録媒体と接するため、磁気記
録媒体と接触・摺動時におけるMR素子の雑音発生が抑
制されるという利点もある。
【図1】第1の発明の一実施例の概略構成を示す斜視図
である。
である。
【図2】第2の発明の一実施例の概略構成を示す斜視図
である。
である。
【図3】従来例の概略構成を示す斜視図である。
【図4】別の従来例の概略構成を示す斜視図である。
1,11,21 ギャップ 2,12 上部ヨーク 3,13 下部ヨーク 4,14,24 バックヨーク 5,15,25 MR素子A 6,16,26 MR素子B 7,17,27 端子 8,18,28 中間端子 9 上コイル 10 コイル端子 22,23 ヨーク
Claims (2)
- 【請求項1】 第1の磁気ヨークおよび第2の磁気ヨー
クの一端を対向して間隙を有する磁気回路と、前記第1
の磁気ヨークの他端と磁気的に結合する第1の磁気抵抗
効果素子と、前記第2の磁気ヨークの他端と磁気的に結
合する第2の磁気抵抗効果素子と、前記第1の磁気抵抗
効果素子と前記第2の磁気抵抗効果素子とを磁気的に結
合する第3の磁気ヨークとを備える磁気抵抗効果ヘッド
において、 前記第1および第2の磁気ヨークは前記間隙を除いて互
いに重なり合わないように配置され、かつ前記第1およ
び第2の磁気抵抗効果素子は同時に成膜されていること
を特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項2】 請求項1記載の磁気抵抗効果ヘッドにお
いて、前記第1,第2および第3の磁気ヨークのいずれ
か1つもしくは2つ、またはそれらのすべてに導体薄膜
パターンにより形成されたコイルを備えることを特徴と
する特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6146345A JPH0817019A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 磁気抵抗効果ヘッド |
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JP6146345A JPH0817019A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 磁気抵抗効果ヘッド |
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JPH0817019A true JPH0817019A (ja) | 1996-01-19 |
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US20030002225A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Storage Technology Corporation | Apparatus and method of making a reduced sensitivity spin valve sensor apparatus in which a flux injection efficiency is reduced |
JP2005044847A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイスならびにそれらの製造方法 |
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1995
- 1995-06-15 US US08/490,553 patent/US6134078A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6363117A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-19 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツド |
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