JPH0256722B2 - - Google Patents
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- JPH0256722B2 JPH0256722B2 JP56064266A JP6426681A JPH0256722B2 JP H0256722 B2 JPH0256722 B2 JP H0256722B2 JP 56064266 A JP56064266 A JP 56064266A JP 6426681 A JP6426681 A JP 6426681A JP H0256722 B2 JPH0256722 B2 JP H0256722B2
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- Japan
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- film
- demagnetizing field
- forming
- magnetoresistive
- magnetic
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3935—Flux closure films not being part of the track flux guides
- G11B5/3938—Flux closure films not being part of the track flux guides the flux closure films being used for absorbing or reducing demagnetisating or saturating fields
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方
法に関し、特に反磁界抑制機能を向上させた磁気
抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法に関するもので
ある。
法に関し、特に反磁界抑制機能を向上させた磁気
抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法に関するもので
ある。
従来より、磁気記録媒体上に記録された情報を
読みとるための磁気ヘツドとして第１図に示すよ
うな磁気抵抗効果型磁気ヘツド（以下MR磁気ヘ
ツドという）が知られている。
読みとるための磁気ヘツドとして第１図に示すよ
うな磁気抵抗効果型磁気ヘツド（以下MR磁気ヘ
ツドという）が知られている。
すなわち第１図において符号１は絶縁物から形
成された基板を示し、この基板１の一方の側と平
行な端面には強磁性導電体材料からなる磁気抵抗
効果素子（以下MR素子という）２が設けられて
いる。このMR素子２の両端は基板１上に形成さ
れた導電端子３にそれぞれ接続されている。符号
４で示すものは磁気記録媒体６の残留磁化による
反磁界を抑制するための反磁界抑制用磁性体膜で
これは前記MR素子２との間に介在される誘電体
５を介してMR素子２に接続されている。
成された基板を示し、この基板１の一方の側と平
行な端面には強磁性導電体材料からなる磁気抵抗
効果素子（以下MR素子という）２が設けられて
いる。このMR素子２の両端は基板１上に形成さ
れた導電端子３にそれぞれ接続されている。符号
４で示すものは磁気記録媒体６の残留磁化による
反磁界を抑制するための反磁界抑制用磁性体膜で
これは前記MR素子２との間に介在される誘電体
５を介してMR素子２に接続されている。
このような構造のMR磁気ヘツドにおいては磁
気記録媒体６の残留時間漏れ成分がMR素子２に
作用し磁化軸の方向が変化することに起因する電
気抵抗の変化に対応して、導電端子３，３間の電
圧が変化するため、この変化を検出することによ
つて磁気記録媒体６に記録されている情報を読み
とることができる。
気記録媒体６の残留時間漏れ成分がMR素子２に
作用し磁化軸の方向が変化することに起因する電
気抵抗の変化に対応して、導電端子３，３間の電
圧が変化するため、この変化を検出することによ
つて磁気記録媒体６に記録されている情報を読み
とることができる。
ここで、前記MR素子２の形状は厚さが0.03〜
0.1μm、幅は10μm、長さは記録トラツクの幅等
しい数10〜数1000μmである。このようなMR素
子２の形状、すなわち幅が長さに比較して短かい
ことにより、磁気記録媒体６の残留磁化による反
磁界の影響が大きく現われ、漏れ磁界に応じた磁
化軸の向きの変化率が小さくなり、再生感度が減
少する傾向がある。
0.1μm、幅は10μm、長さは記録トラツクの幅等
しい数10〜数1000μmである。このようなMR素
子２の形状、すなわち幅が長さに比較して短かい
ことにより、磁気記録媒体６の残留磁化による反
磁界の影響が大きく現われ、漏れ磁界に応じた磁
化軸の向きの変化率が小さくなり、再生感度が減
少する傾向がある。
このような反磁界を抑制する目的で反磁界抑制
用磁性体膜４を設けており、これとMR素子２の
間隙はできるだけ小さいことが望ましい。このた
め、MR素子２と反磁界抑制用磁性体膜４とは同
一材料を使用して基板１上に同時にパターニング
を行つているが、両者間の間隙を２〜3μm以下に
することは現在の蒸着技術では困難であつて磁気
記録媒体６の残留磁化による反磁界を所定値以下
に抑制することができないという欠点があつた。
用磁性体膜４を設けており、これとMR素子２の
間隙はできるだけ小さいことが望ましい。このた
め、MR素子２と反磁界抑制用磁性体膜４とは同
一材料を使用して基板１上に同時にパターニング
を行つているが、両者間の間隙を２〜3μm以下に
することは現在の蒸着技術では困難であつて磁気
記録媒体６の残留磁化による反磁界を所定値以下
に抑制することができないという欠点があつた。
又、MR素子と反磁界抑制用磁性体膜との間を
より小さくするために、第２図に示すようにMR
素子２の上側端縁に絶縁膜７を介して反磁界抑制
用磁性体膜４を重複して形成したものが提案され
ている。
より小さくするために、第２図に示すようにMR
素子２の上側端縁に絶縁膜７を介して反磁界抑制
用磁性体膜４を重複して形成したものが提案され
ている。
すなわち第２図ｂに拡大して示すように反磁界
抑制用膜４の下端部４ａとMR素子２との間に絶
縁膜７が形成されており、これによりMR素子と
の間隙を小さくできるように工夫されている。
抑制用膜４の下端部４ａとMR素子２との間に絶
縁膜７が形成されており、これによりMR素子と
の間隙を小さくできるように工夫されている。
しかし、このような構造を採用してもMR素子
２と膜４の下端部４ａとの間には絶縁膜７の厚み
に等しい間隙が生ずる。この間は絶縁を確保する
ためには0.5〜1.0μm程度必要であり反磁界抑制効
果を減少させている。
２と膜４の下端部４ａとの間には絶縁膜７の厚み
に等しい間隙が生ずる。この間は絶縁を確保する
ためには0.5〜1.0μm程度必要であり反磁界抑制効
果を減少させている。
又、MR素子２と膜４との重複部の幅を大きく
すると反磁界抑制効果を増加させるのには有効で
あるが、MR素子２のうち膜４と重複した部分は
磁気記録媒体６からの磁界に対して不感部分とな
り、MR磁気ヘツドとしての再生効率が低下する
という逆効果を生じる。
すると反磁界抑制効果を増加させるのには有効で
あるが、MR素子２のうち膜４と重複した部分は
磁気記録媒体６からの磁界に対して不感部分とな
り、MR磁気ヘツドとしての再生効率が低下する
という逆効果を生じる。
従つてこのような構造を採用することはできな
い。
い。
本発明は以上のような従来の欠点を除去するた
めになされたもので、MR素子に不感部分を生じ
ることなく磁気記録媒体の残留磁化による反磁界
を完全に抑制することができる磁気抵抗効果型磁
気ヘツドを簡単な工程で生産性良く製造できる磁
気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法を提供するこ
とを目的としている。
めになされたもので、MR素子に不感部分を生じ
ることなく磁気記録媒体の残留磁化による反磁界
を完全に抑制することができる磁気抵抗効果型磁
気ヘツドを簡単な工程で生産性良く製造できる磁
気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法を提供するこ
とを目的としている。
この目的を達成するため、本発明による磁気抵
抗効果型磁気ヘツドの製造方法においては、絶縁
材からなる基板上に磁気抵抗効果素子層を形成す
る工程と、この磁気抵抗効果素子層上に導電体膜
を形成する工程と、所定のパターニングにより左
右一対の導電体膜部分を除いて導電体膜を除去す
る工程と、残された導電体膜上及び両者の下端間
を連続するようにしてフオトレジスト層を形成す
る工程と、このフオトレジスト層で覆われた部分
以外の磁気抵抗効果素子層を除去する工程と、基
板上に全面にわたつて前記フオトレジスト層を含
めて反磁界抑制用磁性体膜を形成する工程と、前
記フオトレジスト層を除去し導電体膜と磁気抵抗
効果素子層とを露出させる工程とを含む構成を採
用した。
抗効果型磁気ヘツドの製造方法においては、絶縁
材からなる基板上に磁気抵抗効果素子層を形成す
る工程と、この磁気抵抗効果素子層上に導電体膜
を形成する工程と、所定のパターニングにより左
右一対の導電体膜部分を除いて導電体膜を除去す
る工程と、残された導電体膜上及び両者の下端間
を連続するようにしてフオトレジスト層を形成す
る工程と、このフオトレジスト層で覆われた部分
以外の磁気抵抗効果素子層を除去する工程と、基
板上に全面にわたつて前記フオトレジスト層を含
めて反磁界抑制用磁性体膜を形成する工程と、前
記フオトレジスト層を除去し導電体膜と磁気抵抗
効果素子層とを露出させる工程とを含む構成を採
用した。
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳
細を説明する。
細を説明する。
第３図ａ，ｂは本発明の一実施例を示すもの
で、図中、第１図、第２図と同一部分には同一符
号を付し、その説明は省略する。
で、図中、第１図、第２図と同一部分には同一符
号を付し、その説明は省略する。
本実施例にあつては反磁界抑制用磁性体膜とし
てNiZnフエライトなどからなる高抵抗材料を用
い、磁気抵抗効果素子２の上端縁部に反磁界抑制
用高抵抗磁性体（以下反磁界抑制膜と言う）８の
下端部８ａが直接的に接して重複するようにスパ
ツタリングなどの薄膜堆積法によつて作成してあ
る。このような構造を採用すると、磁気抵抗効果
素子２と反磁界抑制膜８との間には間隙がなくな
ると共に、磁気的に結合している。
てNiZnフエライトなどからなる高抵抗材料を用
い、磁気抵抗効果素子２の上端縁部に反磁界抑制
用高抵抗磁性体（以下反磁界抑制膜と言う）８の
下端部８ａが直接的に接して重複するようにスパ
ツタリングなどの薄膜堆積法によつて作成してあ
る。このような構造を採用すると、磁気抵抗効果
素子２と反磁界抑制膜８との間には間隙がなくな
ると共に、磁気的に結合している。
この場合、反磁界抑制膜８として用いられる
NiZnフエライトの電気抵抗率は104〜105Ωｍで
あり、NiFe合金の10-7Ωｍと比較して格段に大、
きいため、絶縁物とみなすことができ、両者間に
絶縁物を介さずとも両者間は電気的に絶縁されて
いる。反磁界抑制膜８としてMnZnフエライト
（電気抵抗率10-2〜10-1Ωｍ）を用いても同様で
ある。
NiZnフエライトの電気抵抗率は104〜105Ωｍで
あり、NiFe合金の10-7Ωｍと比較して格段に大、
きいため、絶縁物とみなすことができ、両者間に
絶縁物を介さずとも両者間は電気的に絶縁されて
いる。反磁界抑制膜８としてMnZnフエライト
（電気抵抗率10-2〜10-1Ωｍ）を用いても同様で
ある。
なお、MR素子２の厚さは0.05μm、反磁界抑制
膜８の厚さは0.15〜1.0μmである。このような厚
みにした理由は、NiFe合金の飽和磁束密度が約
0.9Tであるのに対し、NiZnフエライトは0.3Tで
あるため、少なくとも同じ磁束量を確保するため
にはNiZnフエライトはNiFe合金の３倍の厚さが
必要であることと、NiZnフエライトのスパツタ
膜は厚いほど磁気特性がよく、反磁界抑制効果も
膜が厚いほど大きいが、成膜時間やエツチング時
間を考慮すると、必要以上に厚くすることは得策
ではないなどの理由による。
膜８の厚さは0.15〜1.0μmである。このような厚
みにした理由は、NiFe合金の飽和磁束密度が約
0.9Tであるのに対し、NiZnフエライトは0.3Tで
あるため、少なくとも同じ磁束量を確保するため
にはNiZnフエライトはNiFe合金の３倍の厚さが
必要であることと、NiZnフエライトのスパツタ
膜は厚いほど磁気特性がよく、反磁界抑制効果も
膜が厚いほど大きいが、成膜時間やエツチング時
間を考慮すると、必要以上に厚くすることは得策
ではないなどの理由による。
反磁界抑制膜８としてMnZnフエライトを用い
る場合には、その飽和磁束密度が0.45T程度であ
るため、膜厚は少くとも0.1μm以上必要である。
る場合には、その飽和磁束密度が0.45T程度であ
るため、膜厚は少くとも0.1μm以上必要である。
また、MR素子２と反磁界抑制膜８の重複部で
ある下端部８ａの幅はエツチングによるNiZnフ
エライトの抜け精度に対して両方の膜の接続を保
証するものであればよい。本実施例の場合NiZn
フエライトの厚みは0.15〜1.0μmであるため、重
複部の幅は1μm以下である。
ある下端部８ａの幅はエツチングによるNiZnフ
エライトの抜け精度に対して両方の膜の接続を保
証するものであればよい。本実施例の場合NiZn
フエライトの厚みは0.15〜1.0μmであるため、重
複部の幅は1μm以下である。
以上のように、本実施例にあつてはMR素子と
反磁界抑制膜が接しているため、反磁界の抑制が
完全に行なえる。また、両方の膜の重複部の幅を
1μm以下にできるため、MR素子の不感部分も最
小におさえことができる。
反磁界抑制膜が接しているため、反磁界の抑制が
完全に行なえる。また、両方の膜の重複部の幅を
1μm以下にできるため、MR素子の不感部分も最
小におさえことができる。
さらに、第２図に示した従来例と比較すると、
絶縁膜を必要としないため製造工程がそれだけ簡
単になる。
絶縁膜を必要としないため製造工程がそれだけ簡
単になる。
第４は本発明の他の実施例を示すもので、本実
施例にあつてはMR素子２の上端部と反磁界抑制
膜８の下端部とが重複することなく接続されてい
る。
施例にあつてはMR素子２の上端部と反磁界抑制
膜８の下端部とが重複することなく接続されてい
る。
第４図に示す構造の製造方法を第５図以下を用
いて説明する。
いて説明する。
まず、第５図ａ，ｂに示すように絶縁物からな
る基板１上にNiFe合金などからなるMR素子２
を蒸着し、さらにその上にAl，Auなどからなる
導電体膜１０を蒸着する。そして第６図ａ，ｂに
示すように導電体膜１０を部分的にエツチングす
ることにより、左右一対形成する。
る基板１上にNiFe合金などからなるMR素子２
を蒸着し、さらにその上にAl，Auなどからなる
導電体膜１０を蒸着する。そして第６図ａ，ｂに
示すように導電体膜１０を部分的にエツチングす
ることにより、左右一対形成する。
然る後、導電体膜１０の全面を覆うとともに導
電体膜１０，１０の下端部間を連絡するようにフ
オトレジスト９を形成する（第７図ａ，ｂ）。そ
して、フオトレジスト９のついていない部分の
MR素子２をエツチングにより除去する。フオト
レジスト９はそのまま残す。この状態を第８図
ａ，ｂに示す。
電体膜１０，１０の下端部間を連絡するようにフ
オトレジスト９を形成する（第７図ａ，ｂ）。そ
して、フオトレジスト９のついていない部分の
MR素子２をエツチングにより除去する。フオト
レジスト９はそのまま残す。この状態を第８図
ａ，ｂに示す。
次に、第９図ａ，ｂに示すように基板１の全面
にわたつてMnZnフエライトまたはMnZnフエラ
イトからなる反磁界抑制膜８をスパツタリングに
より形成する。然る後、第１０図ａ，ｂに示すよ
うにリフトオフによりフオトレジスト９及び反磁
界抑制膜８を導電体膜１０及びMR素子２上から
除去する。然る後、基板１の下端縁を研磨して仕
上げを行う。この場合基板１の下端縁とMR素子
２の下端縁との間に反磁界抑制膜８を残してもよ
いし残さなくてもよい。残した場合には反磁界抑
制膜８は磁気記録媒体の残留磁化が発生する磁束
をMR素子に導入する働きを持つ。また、マルチ
トラツクの場合などにおいて、トラツク間のクロ
ストークを問題とする場合には、必要に応じて反
磁界抑制膜の不要部分をエツチングにより除去す
る。
にわたつてMnZnフエライトまたはMnZnフエラ
イトからなる反磁界抑制膜８をスパツタリングに
より形成する。然る後、第１０図ａ，ｂに示すよ
うにリフトオフによりフオトレジスト９及び反磁
界抑制膜８を導電体膜１０及びMR素子２上から
除去する。然る後、基板１の下端縁を研磨して仕
上げを行う。この場合基板１の下端縁とMR素子
２の下端縁との間に反磁界抑制膜８を残してもよ
いし残さなくてもよい。残した場合には反磁界抑
制膜８は磁気記録媒体の残留磁化が発生する磁束
をMR素子に導入する働きを持つ。また、マルチ
トラツクの場合などにおいて、トラツク間のクロ
ストークを問題とする場合には、必要に応じて反
磁界抑制膜の不要部分をエツチングにより除去す
る。
このようにして、MR素子の上端部と反磁界抑
制膜の下端部が重複することがなく、完全に突き
合わされた状態で形成されるため、MR素子に不
感部分が全く生じず、しかも反磁界は完全に抑制
される。
制膜の下端部が重複することがなく、完全に突き
合わされた状態で形成されるため、MR素子に不
感部分が全く生じず、しかも反磁界は完全に抑制
される。
以上説明したように本発明によれば、磁気抵抗
効果型磁気ヘツドの製造方法において、絶縁材か
らなる基板上に磁気抵抗効果素子層を形成する工
程と、この磁気抵抗効果素子層上に導電体膜を形
成する工程と、所定のパターニングにより左右一
対の導電体膜部分を除いて導電体膜を除去する工
程と、残された導電体膜上及び両者の下端間を連
続するようにしてフオトレジスト層を形成する工
程と、このフオトレジスト層で覆われた部分以外
の磁気抵抗効果素子層を除去する工程と、基板上
に全面にわたつて前記フオトレジスト層を含めて
反磁界抑制用磁性体膜を形成する工程と、前記フ
オトレジスト層を除去し導電体膜と磁気抵抗効果
素子層とを露出させる工程とを含む構成を採用し
た。この構成によれば、反磁界の抑制を完全に行
なえ、MR素子の不感部分が全く生じないか、ま
たは最小限にすることができる磁気抵抗効果型磁
気ヘツドを簡単な製造工程で生産性良く製造でき
るという優れた効果がある。
効果型磁気ヘツドの製造方法において、絶縁材か
らなる基板上に磁気抵抗効果素子層を形成する工
程と、この磁気抵抗効果素子層上に導電体膜を形
成する工程と、所定のパターニングにより左右一
対の導電体膜部分を除いて導電体膜を除去する工
程と、残された導電体膜上及び両者の下端間を連
続するようにしてフオトレジスト層を形成する工
程と、このフオトレジスト層で覆われた部分以外
の磁気抵抗効果素子層を除去する工程と、基板上
に全面にわたつて前記フオトレジスト層を含めて
反磁界抑制用磁性体膜を形成する工程と、前記フ
オトレジスト層を除去し導電体膜と磁気抵抗効果
素子層とを露出させる工程とを含む構成を採用し
た。この構成によれば、反磁界の抑制を完全に行
なえ、MR素子の不感部分が全く生じないか、ま
たは最小限にすることができる磁気抵抗効果型磁
気ヘツドを簡単な製造工程で生産性良く製造でき
るという優れた効果がある。
第１図は、従来構造を示す斜視図、第２図ａ，
ｂは従来構造の異なつた例を示す斜視図及び縦断
側面図、第３図ａ，ｂは本発明の一実施例を説明
する斜視図及び縦断側面図、第４図は本発明の他
の実施例を説明する縦断側面図、第５図ａ，ｂ〜
第１０図ａ，ｂはそれぞれ第４図に示す実施例の
製造方法を示す平面図及び縦断側面図である。 １……基板、２……MR素子、３……導電端
子、８……反磁界抑制膜、９……フオトレジス
ト、１０……導電体膜。
ｂは従来構造の異なつた例を示す斜視図及び縦断
側面図、第３図ａ，ｂは本発明の一実施例を説明
する斜視図及び縦断側面図、第４図は本発明の他
の実施例を説明する縦断側面図、第５図ａ，ｂ〜
第１０図ａ，ｂはそれぞれ第４図に示す実施例の
製造方法を示す平面図及び縦断側面図である。 １……基板、２……MR素子、３……導電端
子、８……反磁界抑制膜、９……フオトレジス
ト、１０……導電体膜。
Claims (1)
- １ 絶縁材からなる基板上に磁気抵抗効果素子層
を形成する工程と、この磁気抵抗効果素子層上に
導電体膜を形成する工程と、所定のパターニング
により左右一対の導電体膜部分を除いて導電体膜
を除去する工程と、残された導電体膜上及び両者
の下端間を連続するようにしてフオトレジスト層
を形成する工程と、このフオトレジスト層で覆わ
れた部分以外の磁気抵抗効果素子層を除去する工
程と、基板上に全面にわたつて前記フオトレジス
ト層を含めて反磁界抑制用磁性体膜を形成する工
程と、前記フオトレジスト層を除去し導電体膜と
磁気抵抗効果素子層とを露出させる工程とを含む
ことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6426681A JPS57179933A (en) | 1981-04-30 | 1981-04-30 | Magnetoresistance effect type magnetic head and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6426681A JPS57179933A (en) | 1981-04-30 | 1981-04-30 | Magnetoresistance effect type magnetic head and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57179933A JPS57179933A (en) | 1982-11-05 |
| JPH0256722B2 true JPH0256722B2 (ja) | 1990-12-03 |
Family
ID=13253225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6426681A Granted JPS57179933A (en) | 1981-04-30 | 1981-04-30 | Magnetoresistance effect type magnetic head and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57179933A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56111125A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-02 | Hitachi Ltd | Magnetic resistance head |
-
1981
- 1981-04-30 JP JP6426681A patent/JPS57179933A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56111125A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-02 | Hitachi Ltd | Magnetic resistance head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57179933A (en) | 1982-11-05 |
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