JP2507710B2 - ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド - Google Patents
ヨ−ク型薄膜磁気ヘツドInfo
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- JP2507710B2 JP2507710B2 JP19499786A JP19499786A JP2507710B2 JP 2507710 B2 JP2507710 B2 JP 2507710B2 JP 19499786 A JP19499786 A JP 19499786A JP 19499786 A JP19499786 A JP 19499786A JP 2507710 B2 JP2507710 B2 JP 2507710B2
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- yoke
- magnetic
- thin film
- magnetic head
- type thin
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は再生専用のヨーク型薄膜磁気ヘッドに関
し、特にヨークと、磁気変化検出素子である磁気抵抗素
子との磁気的結合構造に関する。
し、特にヨークと、磁気変化検出素子である磁気抵抗素
子との磁気的結合構造に関する。
従来の技術 外部から加えられる磁界の変化で磁気抵抗値が変化す
る磁気抵抗素子（以下MR素子と称す）は、磁気テープに
記録された情報を読み取ることに優れ、またMR素子は薄
膜化が容易であり、さらに一般のバルク型磁気ヘッドの
ような巻線を要しないといった構造上の優位性から、再
生専用の磁気ヘッドに賞用されている。このMR素子使っ
た磁気ヘッドは大別して２タイプがあり、１タイプはMR
素子を磁気テープに直接に接触（又は近接）させて、磁
気テープの情報を読み取るようにしたものであり、他の
１タイプは磁気テープの磁界変化を磁性体のヨークを通
してMR素子に導くものである。
る磁気抵抗素子（以下MR素子と称す）は、磁気テープに
記録された情報を読み取ることに優れ、またMR素子は薄
膜化が容易であり、さらに一般のバルク型磁気ヘッドの
ような巻線を要しないといった構造上の優位性から、再
生専用の磁気ヘッドに賞用されている。このMR素子使っ
た磁気ヘッドは大別して２タイプがあり、１タイプはMR
素子を磁気テープに直接に接触（又は近接）させて、磁
気テープの情報を読み取るようにしたものであり、他の
１タイプは磁気テープの磁界変化を磁性体のヨークを通
してMR素子に導くものである。
上記前者タイプの磁気ヘッドは構造が簡単であるが、
大気中の水分で酸化してMR素子の特性が劣化し易く、信
頼性が劣る問題があって、現在は上記後者タイプのヨー
ク型薄膜磁気ヘッドが主流になっている。このヨーク型
薄膜磁気ヘッドは、MR素子を絶縁層で気密にシールして
保護し、信頼性を上げた構造のもので、その従来構造例
としては、電子通信学会技術研究報告MR−84・44があ
り、第３図及び第４図を参照して説明する。
大気中の水分で酸化してMR素子の特性が劣化し易く、信
頼性が劣る問題があって、現在は上記後者タイプのヨー
ク型薄膜磁気ヘッドが主流になっている。このヨーク型
薄膜磁気ヘッドは、MR素子を絶縁層で気密にシールして
保護し、信頼性を上げた構造のもので、その従来構造例
としては、電子通信学会技術研究報告MR−84・44があ
り、第３図及び第４図を参照して説明する。
第３図及び第４図に示す磁気ヘッドはNi−Zn合金やMn
−Zn合金などの磁性体の基板（１）上にSiO2やAl2O3の
絶縁層（２）、Cu等のバイアス導体（３）、Ni−Fe合金
などのMR素子（４）、Ni−Fe合金などの磁性体のフロン
トヨーク（５）及び磁性体基板（１）と直接接続してい
るバックヨーク（６）の各薄膜を積層したものである。
バイアス導体（３）は基板（１）の近くを横切る（紙面
表面−裏面方向に）帯状のものであり、MR素子（４）は
バイアス導体（３）の一部に平行に対向する300Å〜500
Å導体の厚さの矩形薄膜で、その両端からリード（７）
（７′）が導出される。フロントヨーク（５）の一端と
基板（１）の一端との間で例えば、2500Å〜3000Åの磁
気ギャップ（ｇ）が形成される。フロントヨーク（５）
は磁気ギャップ（ｇ）からMR素子（４）の一端部上まで
延び、バックヨーク（６）はMR素子（４）の他の一端部
上から延びて基板（１）上に達する。フロントヨーク
（５）の後方端部とMR素子（４）の間、及びバックヨー
ク（６）の前方端部とMR素子（４）の間に絶縁層（２）
の一部が介在して、両ヨーク（５）（６）とMR素子
（４）は電気的絶縁された状態で磁気的結合され、これ
により磁気ギャップ（ｇ）に加えられた外部磁束は、図
番で示すと、（５）−（４）−（６）−（１）の閉ルー
プの磁気回路を流れる。
−Zn合金などの磁性体の基板（１）上にSiO2やAl2O3の
絶縁層（２）、Cu等のバイアス導体（３）、Ni−Fe合金
などのMR素子（４）、Ni−Fe合金などの磁性体のフロン
トヨーク（５）及び磁性体基板（１）と直接接続してい
るバックヨーク（６）の各薄膜を積層したものである。
バイアス導体（３）は基板（１）の近くを横切る（紙面
表面−裏面方向に）帯状のものであり、MR素子（４）は
バイアス導体（３）の一部に平行に対向する300Å〜500
Å導体の厚さの矩形薄膜で、その両端からリード（７）
（７′）が導出される。フロントヨーク（５）の一端と
基板（１）の一端との間で例えば、2500Å〜3000Åの磁
気ギャップ（ｇ）が形成される。フロントヨーク（５）
は磁気ギャップ（ｇ）からMR素子（４）の一端部上まで
延び、バックヨーク（６）はMR素子（４）の他の一端部
上から延びて基板（１）上に達する。フロントヨーク
（５）の後方端部とMR素子（４）の間、及びバックヨー
ク（６）の前方端部とMR素子（４）の間に絶縁層（２）
の一部が介在して、両ヨーク（５）（６）とMR素子
（４）は電気的絶縁された状態で磁気的結合され、これ
により磁気ギャップ（ｇ）に加えられた外部磁束は、図
番で示すと、（５）−（４）−（６）−（１）の閉ルー
プの磁気回路を流れる。
MR素子（４）にリード（７）（７′）を介して、MR素
子（４）の磁気抵抗変化を検出するための電流I1を流
し、バイアス導体（３）にMR素子（４）に垂直なバイア
ス磁界を印加するためにバイアス電流I2を流して、磁気
ギャップ（ｇ）に極接近させて磁気テープ（８）を走行
させる。すると磁気テープ（８）の情報である信号磁束
が、フロントヨーク（５）からMR素子（４）、バックヨ
ーク（６）、基板（１）へと前述の閉ループを通り、MR
素子（４）の電気抵抗値が変化して、MR素子（４）を流
れる電流I1から磁気テープ（８）の情報が読み取られ、
再生が行われる。
子（４）の磁気抵抗変化を検出するための電流I1を流
し、バイアス導体（３）にMR素子（４）に垂直なバイア
ス磁界を印加するためにバイアス電流I2を流して、磁気
ギャップ（ｇ）に極接近させて磁気テープ（８）を走行
させる。すると磁気テープ（８）の情報である信号磁束
が、フロントヨーク（５）からMR素子（４）、バックヨ
ーク（６）、基板（１）へと前述の閉ループを通り、MR
素子（４）の電気抵抗値が変化して、MR素子（４）を流
れる電流I1から磁気テープ（８）の情報が読み取られ、
再生が行われる。
発明が解決しようとする問題点 上記ヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、MR素子（４）
とフロントヨーク（５）及びバックヨーク（６）を直接
に接続すると、MR素子（４）に流れる電流が両ヨーク
（５）（６）に流れて、感度が悪くなるので、MR素子
（４）の両端部上に両ヨーク（５）（６）の端部を絶縁
層（２）で電気的絶縁かつ磁気的結合させている。この
ような結合構造の場合、フラットなMR素子（４）の両端
部上で両ヨーク（５）（６）の端面が接近して対向する
ことになり、そのためフロントヨーク（５）からMR素子
（４）に流れる磁束の一部は、フロントヨーク（５）か
ら直接にバックヨーク（６）にMR素子（４）を飛び越し
て流れることがあり、これがヨーク型薄膜磁気ヘッドの
効率を悪くする一要因になっている。
とフロントヨーク（５）及びバックヨーク（６）を直接
に接続すると、MR素子（４）に流れる電流が両ヨーク
（５）（６）に流れて、感度が悪くなるので、MR素子
（４）の両端部上に両ヨーク（５）（６）の端部を絶縁
層（２）で電気的絶縁かつ磁気的結合させている。この
ような結合構造の場合、フラットなMR素子（４）の両端
部上で両ヨーク（５）（６）の端面が接近して対向する
ことになり、そのためフロントヨーク（５）からMR素子
（４）に流れる磁束の一部は、フロントヨーク（５）か
ら直接にバックヨーク（６）にMR素子（４）を飛び越し
て流れることがあり、これがヨーク型薄膜磁気ヘッドの
効率を悪くする一要因になっている。
問題点を解決するための手段 この発明は、上記問題を解決する目的で提唱されたも
のであり、フロントヨーク及びバックトヨークとMR素子
との各近接端部間に、電気的には絶縁性大であり、磁気
的には高透磁率の軟磁性物質を介在させたことを特徴と
している。つまり、この発明は、MR素子とフロントヨー
ク、バックヨークとの磁束伝達効率を可能なかぎり高め
ることを意図する技術である。
のであり、フロントヨーク及びバックトヨークとMR素子
との各近接端部間に、電気的には絶縁性大であり、磁気
的には高透磁率の軟磁性物質を介在させたことを特徴と
している。つまり、この発明は、MR素子とフロントヨー
ク、バックヨークとの磁束伝達効率を可能なかぎり高め
ることを意図する技術である。
作用 この発明によれば、軟磁性物質がフロントヨーク、バ
ックヨークとMR素子との磁束伝達媒体となるので、不要
な漏れ磁束、つまりフロントヨークから直接バックヨー
クへと流れる磁束を皆無とし、著しく磁気伝達効率を改
善することができる。
ックヨークとMR素子との磁束伝達媒体となるので、不要
な漏れ磁束、つまりフロントヨークから直接バックヨー
クへと流れる磁束を皆無とし、著しく磁気伝達効率を改
善することができる。
実施例 第１図は、この発明の一実施例を示すヨーク型薄膜磁
気ヘッドの断面図である。まず（10）は、Ni−Znフェラ
イトやMn−Znフェライトなど強磁性体の基板、（11）〜
（17）は、基板（10）上に積層形成された薄膜であっ
て、（11）は、非磁性体で絶縁体でもあるSiO2又はAl2O
3の絶縁層、（12）はバイアス磁界を発生させるための
通電バイアス導体で、材質はCuやAu等である。つぎに
（13）は、Ni81−Fe19合金などを成膜形成させたMR素
子、（14）（15）は材質的にはMR素子（13）とほぼ同等
で、MR素子よりも厚膜形成されたフロントヨーク，バッ
クヨークである。そして、（16）（17）は、この発明の
要旨となるNi−Znフェライトの軟磁性物質で、MR素子
（13）の両端部と、フロントヨーク（14）及びバックヨ
ーク（15）のMR素子近接端部との間に、それぞれ局所的
に成膜して介在させたものである。
気ヘッドの断面図である。まず（10）は、Ni−Znフェラ
イトやMn−Znフェライトなど強磁性体の基板、（11）〜
（17）は、基板（10）上に積層形成された薄膜であっ
て、（11）は、非磁性体で絶縁体でもあるSiO2又はAl2O
3の絶縁層、（12）はバイアス磁界を発生させるための
通電バイアス導体で、材質はCuやAu等である。つぎに
（13）は、Ni81−Fe19合金などを成膜形成させたMR素
子、（14）（15）は材質的にはMR素子（13）とほぼ同等
で、MR素子よりも厚膜形成されたフロントヨーク，バッ
クヨークである。そして、（16）（17）は、この発明の
要旨となるNi−Znフェライトの軟磁性物質で、MR素子
（13）の両端部と、フロントヨーク（14）及びバックヨ
ーク（15）のMR素子近接端部との間に、それぞれ局所的
に成膜して介在させたものである。
上述のように軟磁性物質（16）（17）にて各ヨーク
（14）（15）と磁気的に結合させた構造とするには、例
えば次のようにすればよい。はじめに従来通りに第２図
（イ）に示すように、基板（10）上に、絶縁層（11）に
てバイアス導体（12）を埋め込み形成している凸状平坦
部（18）に、300Å〜600Å程度のMR素子（13）スパッタ
リング被着形成する。それから、第２図（ロ）のよう
に、MR素子（13）を軟磁性物質膜（16′）で一担完全に
覆い、ついで、破線で示す中央部（19）をフォトリソグ
ラフィ技術を用いて、エッチング除去する。そしてさら
に、第２図（ハ）に示すように、ヨーク厚膜（20）を形
成しておき、MR素子（13）と付着している中央部（2
0′）をエッチング除去してSiO2等の保護絶縁物（21）
を詰めると、第１図に示したヨーク型薄膜磁気ヘッドが
得られる。
（14）（15）と磁気的に結合させた構造とするには、例
えば次のようにすればよい。はじめに従来通りに第２図
（イ）に示すように、基板（10）上に、絶縁層（11）に
てバイアス導体（12）を埋め込み形成している凸状平坦
部（18）に、300Å〜600Å程度のMR素子（13）スパッタ
リング被着形成する。それから、第２図（ロ）のよう
に、MR素子（13）を軟磁性物質膜（16′）で一担完全に
覆い、ついで、破線で示す中央部（19）をフォトリソグ
ラフィ技術を用いて、エッチング除去する。そしてさら
に、第２図（ハ）に示すように、ヨーク厚膜（20）を形
成しておき、MR素子（13）と付着している中央部（2
0′）をエッチング除去してSiO2等の保護絶縁物（21）
を詰めると、第１図に示したヨーク型薄膜磁気ヘッドが
得られる。
尚、上記実施例では、軟磁性物質としてNi−Znフェラ
イトを選定したが、この発明では、要するに電気的絶縁
性が大きく、かつ高透磁率である物質であればその他
に、Mn−Znフェライト等としてもさしつかえない。
イトを選定したが、この発明では、要するに電気的絶縁
性が大きく、かつ高透磁率である物質であればその他
に、Mn−Znフェライト等としてもさしつかえない。
発明の効果 この発明によれば、フロントヨーク及びバックヨーク
とMR素子との間を流れる磁束は、全て軟磁性物質を介し
て漏洩することなく伝達され、磁気ヘッドの再生出力を
十分大きくすることができ、高感高性能のヨーク型薄膜
磁気ヘッドが実現できる。
とMR素子との間を流れる磁束は、全て軟磁性物質を介し
て漏洩することなく伝達され、磁気ヘッドの再生出力を
十分大きくすることができ、高感高性能のヨーク型薄膜
磁気ヘッドが実現できる。
第１図は、この発明の一実施例を示すヨーク型薄膜磁気
ヘッドの断面図、第２図（イ）〜（ニ）はその磁気ヘッ
ドの製造工程を示す断面図、第３図及び第４図は、従来
のヨーク型薄膜磁気ヘッドを示す断面図及び平面図であ
る。 10……基板（強磁性体）、11…絶縁層、13……磁気抵抗
素子、14……フロントヨーク、15……バックヨーク、1
6,17……軟磁性物質。
ヘッドの断面図、第２図（イ）〜（ニ）はその磁気ヘッ
ドの製造工程を示す断面図、第３図及び第４図は、従来
のヨーク型薄膜磁気ヘッドを示す断面図及び平面図であ
る。 10……基板（強磁性体）、11…絶縁層、13……磁気抵抗
素子、14……フロントヨーク、15……バックヨーク、1
6,17……軟磁性物質。
Claims (1)
- 【請求項１】薄膜のフロントヨークとバックヨークの間
に薄膜の磁気抵抗素子を電気的に絶縁し、磁気的には結
合させて配置したものであって、 上記フロントヨーク及びバックヨークと磁気抵抗素子と
の各近接端部間に、電気的絶縁性大かつ高透磁率の軟磁
性物質を介在させたことを特徴とするヨーク型薄膜磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19499786A JP2507710B2 (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19499786A JP2507710B2 (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6352314A JPS6352314A (ja) | 1988-03-05 |
| JP2507710B2 true JP2507710B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=16333815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19499786A Expired - Lifetime JP2507710B2 (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2507710B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE1007775A3 (nl) * | 1993-11-22 | 1995-10-17 | Philips Electronics Nv | Magneetkop, voorzien van een kopvlak en een dunnefilm structuur, en werkwijze voor het vervaardigen van de magneetkop. |
| DE69725123D1 (de) * | 1997-07-04 | 2003-10-30 | St Microelectronics Srl | Ein elektromagnetischer Kopf mit magnetoresistiven Mitteln verbunden mit einem Magnetkern |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP19499786A patent/JP2507710B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6352314A (ja) | 1988-03-05 |
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