JPS6050712A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPS6050712A JPS6050712A JP16086283A JP16086283A JPS6050712A JP S6050712 A JPS6050712 A JP S6050712A JP 16086283 A JP16086283 A JP 16086283A JP 16086283 A JP16086283 A JP 16086283A JP S6050712 A JPS6050712 A JP S6050712A
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- magnetic
- magnetic field
- thin film
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、短波長で磁気記録された信号を再生するのに
適した磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関するものであ
る。
適した磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関するものであ
る。
（ロ）従来技術
一般に、磁気抵抗効果型薄膜磁気へラドの短波長再生特
性を向上さけるためには、磁気的／−ルド層の間隙（例
えば、１μｍ程度）に磁気抵抗効果素子層を配置して隣
接信号の影響を小さくすることや、強いバイアス磁界（
例えは、２０００ｅ程度）の下で磁気抵抗効果素子層の
記録媒体慴動面近傍のみに感度を持たせ、実効的スペー
シングロスを減少させることが有効である。
性を向上さけるためには、磁気的／−ルド層の間隙（例
えば、１μｍ程度）に磁気抵抗効果素子層を配置して隣
接信号の影響を小さくすることや、強いバイアス磁界（
例えは、２０００ｅ程度）の下で磁気抵抗効果素子層の
記録媒体慴動面近傍のみに感度を持たせ、実効的スペー
シングロスを減少させることが有効である。
然し乍ら、上記した磁気的シールドの効果及び強いバイ
アス磁界の効果を併用した短波長再生特性の良い磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドを得るためには、以下の点を十
分考慮しなければならない。即ち、第１に強いバイアス
磁界を印加でき、しかも該バイアス磁界の強さを容易に
制御して適正値に設定できるようなバイアス磁界発生手
段を備えること、第２に斯るバイアス磁界が磁気的シー
ルド層に引き込まれて、磁気抵抗効果素子層に有効に作
用しなくなることのないような磁気的シールド手段を用
いること、第３に磁気的シールド層、磁気抵抗効果素子
層、通電端子用導電体層、バイアス磁界発生手段層等の
特に各パターン端部の段差部での電気的導通、絶縁がそ
れぞれの目的に応じて十分になされるような構成にする
ことである。
アス磁界の効果を併用した短波長再生特性の良い磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドを得るためには、以下の点を十
分考慮しなければならない。即ち、第１に強いバイアス
磁界を印加でき、しかも該バイアス磁界の強さを容易に
制御して適正値に設定できるようなバイアス磁界発生手
段を備えること、第２に斯るバイアス磁界が磁気的シー
ルド層に引き込まれて、磁気抵抗効果素子層に有効に作
用しなくなることのないような磁気的シールド手段を用
いること、第３に磁気的シールド層、磁気抵抗効果素子
層、通電端子用導電体層、バイアス磁界発生手段層等の
特に各パターン端部の段差部での電気的導通、絶縁がそ
れぞれの目的に応じて十分になされるような構成にする
ことである。
ところが、従来技術では上記した点を十分に満足した信
頼性の高い磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とが出来なかった。
頼性の高い磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とが出来なかった。
（ハ）発明の目的
本発明は斯る点に鑑み成さｉ’１ノｓ、もので、１０波
長再生特性に優れ１１一つイ＾頼性の高い磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドを提供しようとするものて゛あイ、。
長再生特性に優れ１１一つイ＾頼性の高い磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドを提供しようとするものて゛あイ、。
（二〉 発明の構成
即ち、本発明ＩＪ上記した目的を達成する丸めに、第１
の非磁性基板−ヒに少なくとも第１の磁気的シールド層
、第１の電気的磁気的絶縁層、磁気抵抗効果素子層、通
電端子用導電体層、第２の電気的磁気的絶縁層並びに第
２の磁気的シール１゛層兼バイアス磁界発生用導電体層
を順次形成した記録媒体摺動面倒に露出させると共に、
前記第１の磁気的シールド層、磁気抵抗効果素子層、第
２の磁気的シールド層兼バイアス磁界発生用導電体層の
記録媒体摺動面に垂直づｊ向の幅をそれぞれＷｓｌ、Ｗ
ＭＲ，ＷＳ２とし、前記通電端子用導電体層の磁気抵抗
効果素子層との接続部先端の記録媒体摺動面からの距離
をｄとする時、ＷＭＲ＜Ｗｓ２＜ ｄ３− ＜Ｗｓｌになるようにしたものである。
の非磁性基板−ヒに少なくとも第１の磁気的シールド層
、第１の電気的磁気的絶縁層、磁気抵抗効果素子層、通
電端子用導電体層、第２の電気的磁気的絶縁層並びに第
２の磁気的シール１゛層兼バイアス磁界発生用導電体層
を順次形成した記録媒体摺動面倒に露出させると共に、
前記第１の磁気的シールド層、磁気抵抗効果素子層、第
２の磁気的シールド層兼バイアス磁界発生用導電体層の
記録媒体摺動面に垂直づｊ向の幅をそれぞれＷｓｌ、Ｗ
ＭＲ，ＷＳ２とし、前記通電端子用導電体層の磁気抵抗
効果素子層との接続部先端の記録媒体摺動面からの距離
をｄとする時、ＷＭＲ＜Ｗｓ２＜ ｄ３− ＜Ｗｓｌになるようにしたものである。
（ホ）実施例
以下、本発明の一実施例について図面と共に説明する。
ここで、第１図は本発明による磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの一例を示す１トラック分の磁気抵抗効果素子層
近傍での模式的平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’断面
図である。
ヘッドの一例を示す１トラック分の磁気抵抗効果素子層
近傍での模式的平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’断面
図である。
図における（１）は第１の非磁性基板く例えばフオトセ
ラム、ソーダガラス）、（２）は第１の磁気的シールド
層（例えば、パーマロイ、センダスト、膜厚０１μｍ）
、く３）は第１の電気的磁気的絶用導電体層〈例えば、
Ｃｕ、 Ａ ｕｘ Ａ １ ｓ膜厚０．３〜１μｍ＝・
接着層として０．０１〜０．１．ｕｍ（７）Ｃｒ、 Ｔ
ｉが積層きれることもある）、（６）は第２の電気的磁
気的絶縁層（例えば、ＳｉＯ□、Ａｊ２２０３、膜厚０
．１〜１μｍ）、（７）は第２の磁気的シールド層兼４
− バイアス磁界発生用導電体Ｊ！！（例えば、パーマロイ
、センダスト等の導電性の高透磁率磁性材、膜厚０．１
〜Ｌ ｐ ｍ）、（８）は被覆層（例えは５ｉ０２、Ａ
ｊ２．０３膜厚０．１〜１４ｍ）で、（Ｐ）は記録媒
体摺動面側を示している。そして、実際には被覆層（８
）上にガラス系又はエポキシ系接着材を介して第２の非
磁性基板（例えばフオトセラム、ソーダガラス）が接合
され記録媒体摺動面から０．１〜１μｍ１ＩＩＩれた位
置の被覆層（８）ｌにはハイＹス磁界発生用のバルク状
永久磁石（９）（例えばＳｍＣｏ５、アルニコ、Ｂａフ
ェライト・・・磁気抵抗効果素子層（４）のストライプ
幅方向に着磁されている）が配置きれる。
ラム、ソーダガラス）、（２）は第１の磁気的シールド
層（例えば、パーマロイ、センダスト、膜厚０１μｍ）
、く３）は第１の電気的磁気的絶用導電体層〈例えば、
Ｃｕ、 Ａ ｕｘ Ａ １ ｓ膜厚０．３〜１μｍ＝・
接着層として０．０１〜０．１．ｕｍ（７）Ｃｒ、 Ｔ
ｉが積層きれることもある）、（６）は第２の電気的磁
気的絶縁層（例えば、ＳｉＯ□、Ａｊ２２０３、膜厚０
．１〜１μｍ）、（７）は第２の磁気的シールド層兼４
− バイアス磁界発生用導電体Ｊ！！（例えば、パーマロイ
、センダスト等の導電性の高透磁率磁性材、膜厚０．１
〜Ｌ ｐ ｍ）、（８）は被覆層（例えは５ｉ０２、Ａ
ｊ２．０３膜厚０．１〜１４ｍ）で、（Ｐ）は記録媒
体摺動面側を示している。そして、実際には被覆層（８
）上にガラス系又はエポキシ系接着材を介して第２の非
磁性基板（例えばフオトセラム、ソーダガラス）が接合
され記録媒体摺動面から０．１〜１μｍ１ＩＩＩれた位
置の被覆層（８）ｌにはハイＹス磁界発生用のバルク状
永久磁石（９）（例えばＳｍＣｏ５、アルニコ、Ｂａフ
ェライト・・・磁気抵抗効果素子層（４）のストライプ
幅方向に着磁されている）が配置きれる。
この様に、本発明による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
では、第１の非磁性基板（１）上に第１の磁気的シール
ド層（２）、第１の電気的磁気的絶縁層（３）、磁気抵
抗効果素子層（４）、通電端子用導電体層（５）、第２
の電気的磁気的絶縁層（６）、第２の磁気的シールド層
兼バイアス磁界発生用導電体層（７）、被覆層（８）が
上記の順序で所定の形状に形成され、前記各層の内少な
くとも通電端子用導電体層（５）以外の層の端面が記録
媒体摺動面に露出した構造になっている。更に、第１の
磁気的シールド層（２）、磁気抵抗効果素子層（４）、
第２の磁気的シールド層兼バイアス磁界発生用導電体層
（７）の記録媒体摺動面に垂直方向の幅をそれぞれＷＳ
Ｉ、ＷＭＲ，ＷＳ２とし、前記通電端子用導電体層（５
）の磁気抵抗効果素子層（４）との接続部先端の記録媒
体摺動面（Ｐ）からの距離をｄとした時、ＷＭＲ＜ＷＳ
２＜ ｄ ＜Ｗｓｌとなるように構成している。具体的
には、ＷＭＲ＝ ５４ ｍ、 Ｗｓ２＝１０μｍ、ｄ
＝１５＊ ｍ、Ｗｓｌ＝２０μｍ程度である。
では、第１の非磁性基板（１）上に第１の磁気的シール
ド層（２）、第１の電気的磁気的絶縁層（３）、磁気抵
抗効果素子層（４）、通電端子用導電体層（５）、第２
の電気的磁気的絶縁層（６）、第２の磁気的シールド層
兼バイアス磁界発生用導電体層（７）、被覆層（８）が
上記の順序で所定の形状に形成され、前記各層の内少な
くとも通電端子用導電体層（５）以外の層の端面が記録
媒体摺動面に露出した構造になっている。更に、第１の
磁気的シールド層（２）、磁気抵抗効果素子層（４）、
第２の磁気的シールド層兼バイアス磁界発生用導電体層
（７）の記録媒体摺動面に垂直方向の幅をそれぞれＷＳ
Ｉ、ＷＭＲ，ＷＳ２とし、前記通電端子用導電体層（５
）の磁気抵抗効果素子層（４）との接続部先端の記録媒
体摺動面（Ｐ）からの距離をｄとした時、ＷＭＲ＜ＷＳ
２＜ ｄ ＜Ｗｓｌとなるように構成している。具体的
には、ＷＭＲ＝ ５４ ｍ、 Ｗｓ２＝１０μｍ、ｄ
＝１５＊ ｍ、Ｗｓｌ＝２０μｍ程度である。
ここで、磁気抵抗効果素子層（４）から少し離れた位置
に配置されたバルク状永久磁石（９）と、磁気抵抗効果
素子層（４）近傍に配置された第２の磁気シールド層兼
バイアス磁界発生用導電体層（７〉を併用するようにし
ているのは、斯るバルク状永久磁石（９）でメインの強
いバイアス磁界を発生きゼると共に、断る導電体層（７
）から発生する補助的なバイアス磁界を該導電体層（７
〉に流す電流を制御することで変化せしめて磁気抵抗効
果素子層（４）に作用するバイアス磁界の強さを微調整
するためである。
に配置されたバルク状永久磁石（９）と、磁気抵抗効果
素子層（４）近傍に配置された第２の磁気シールド層兼
バイアス磁界発生用導電体層（７〉を併用するようにし
ているのは、斯るバルク状永久磁石（９）でメインの強
いバイアス磁界を発生きゼると共に、断る導電体層（７
）から発生する補助的なバイアス磁界を該導電体層（７
〉に流す電流を制御することで変化せしめて磁気抵抗効
果素子層（４）に作用するバイアス磁界の強さを微調整
するためである。
また、磁気的シールド手段を磁気抵抗素子層（４）を覆
いきれる程度の薄膜で形成しているので、磁気的シール
ド手段と前記バルク状永久磁石（９）との間の距！！１
ｔｌ！１を必然的に磁気抵抗効果素子層（４）とバルク
状永久磁石（９）との間の距離１２２と同程度にするこ
とが出来（ＪＬ体的に、記録媒体摺動面（Ｐ）からバル
ク状永久磁石（９）までの距離ｄ Ｍ＝ ５００ μｍ
とすると、ＷＭＲ＜ ＷＳ２＜ｊ ｄ ＭであるからＱ
１＝ （ｄ Ｍ −ＷＳ２）二ρ２＝ （ｄ Ｍ−Ｗ
ＭＲ）となる）、更に磁気的シールド層（２）（７）と
磁気抵抗効果素子（４）との膜厚の違いをあまり大きく
していないので、バイアス磁界を磁気抵抗効果素子層（
４〉にも十分作用させることが出来る。そして、この程
度の膜厚の磁気的シールド層であっても必然的にバイア
ス磁界に垂直な方向に長く伸びた構造を有しているため
、少なくとも記録媒体摺動面近傍はバイアス磁界方向に
飽和してしまうことは７− なく、記録バ体」−の隣接信号をシールドする効果は十
分にある。
いきれる程度の薄膜で形成しているので、磁気的シール
ド手段と前記バルク状永久磁石（９）との間の距！！１
ｔｌ！１を必然的に磁気抵抗効果素子層（４）とバルク
状永久磁石（９）との間の距離１２２と同程度にするこ
とが出来（ＪＬ体的に、記録媒体摺動面（Ｐ）からバル
ク状永久磁石（９）までの距離ｄ Ｍ＝ ５００ μｍ
とすると、ＷＭＲ＜ ＷＳ２＜ｊ ｄ ＭであるからＱ
１＝ （ｄ Ｍ −ＷＳ２）二ρ２＝ （ｄ Ｍ−Ｗ
ＭＲ）となる）、更に磁気的シールド層（２）（７）と
磁気抵抗効果素子（４）との膜厚の違いをあまり大きく
していないので、バイアス磁界を磁気抵抗効果素子層（
４〉にも十分作用させることが出来る。そして、この程
度の膜厚の磁気的シールド層であっても必然的にバイア
ス磁界に垂直な方向に長く伸びた構造を有しているため
、少なくとも記録媒体摺動面近傍はバイアス磁界方向に
飽和してしまうことは７− なく、記録バ体」−の隣接信号をシールドする効果は十
分にある。
また、本発明では第１の磁気的シールド層（２〉、磁気
抵抗効果素子層（４）、第２の磁気的シールド層兼バイ
アス磁界発生用導電体層（７）の記録媒体慴動面（Ｐ）
に垂直方向の幅をそれぞれＷＭＲ＜ ＷＳ２＜ ｄ ＜
Ｗｓｌとなるように構成することで、各層間（特に段
差部）での電気的導通、絶縁がそれぞれの目的に応じて
十分になされるようにしている。即ち、ここでｄ≠０と
するのは一般に塑性変形し易いＣｕ、Ａｕ、Ａｊ等で形
成される通電端子用導電体層（５）の先端が記録媒体摺
動面ＣＰ）側に露出していると記録媒体摺動面を通して
周辺の第１の磁気的シールド層（２）或いは第２の磁気
的シールド層兼バイアス磁界発生用導電体層（７）と電
気的に短絡する危険性が大きくこれを防ぐためである。
抵抗効果素子層（４）、第２の磁気的シールド層兼バイ
アス磁界発生用導電体層（７）の記録媒体慴動面（Ｐ）
に垂直方向の幅をそれぞれＷＭＲ＜ ＷＳ２＜ ｄ ＜
Ｗｓｌとなるように構成することで、各層間（特に段
差部）での電気的導通、絶縁がそれぞれの目的に応じて
十分になされるようにしている。即ち、ここでｄ≠０と
するのは一般に塑性変形し易いＣｕ、Ａｕ、Ａｊ等で形
成される通電端子用導電体層（５）の先端が記録媒体摺
動面ＣＰ）側に露出していると記録媒体摺動面を通して
周辺の第１の磁気的シールド層（２）或いは第２の磁気
的シールド層兼バイアス磁界発生用導電体層（７）と電
気的に短絡する危険性が大きくこれを防ぐためである。
また、ＷＭＲ＜Ｗｓｌ、ＷＭＲ＜ＷＳ２とするのは第１
の磁気的シールド層（２）と第２の磁気的シールド層兼
バイアス磁界発生用導電体層（７）が磁気抵抗効果素子
層（４）を覆いきってシールド効果を８− 十分に発揮できるようにするためである。そしてＷＳ２
＜ｄとするのは通電端子用導電体層（５）先端の段差部
では前記第２の磁気的電気的絶縁層〈６〉が薄くなるの
で、この上を前記第２の磁気的シールド着兼バイアス磁
界発生用導電体層（７）が覆うと通電端子用導電体層（
５）と電気的に短絡する危険性が大きくこれを防ぐため
である。またｄ〈Ｗｓｌとするのは第１の磁気的シール
ド層（２）の端部の段差部でその上に前記第１の磁気的
電気的絶縁層（３）を介して形成きれる非常に薄い磁気
抵抗効果素子層（４）の通電用端子引き出し部（４’＞
（前記通電端子用導電体層〈５〉と接続するためのもの
）が段差を覆いきれずに断線する危険性が大きく、磁気
抵抗効果素子層（４）の該段差部を磁気抵抗効果素子層
より充分厚い通電端子用導電体層（５）で覆うことによ
って電気的導通を補うように構成するためである。
の磁気的シールド層（２）と第２の磁気的シールド層兼
バイアス磁界発生用導電体層（７）が磁気抵抗効果素子
層（４）を覆いきってシールド効果を８− 十分に発揮できるようにするためである。そしてＷＳ２
＜ｄとするのは通電端子用導電体層（５）先端の段差部
では前記第２の磁気的電気的絶縁層〈６〉が薄くなるの
で、この上を前記第２の磁気的シールド着兼バイアス磁
界発生用導電体層（７）が覆うと通電端子用導電体層（
５）と電気的に短絡する危険性が大きくこれを防ぐため
である。またｄ〈Ｗｓｌとするのは第１の磁気的シール
ド層（２）の端部の段差部でその上に前記第１の磁気的
電気的絶縁層（３）を介して形成きれる非常に薄い磁気
抵抗効果素子層（４）の通電用端子引き出し部（４’＞
（前記通電端子用導電体層〈５〉と接続するためのもの
）が段差を覆いきれずに断線する危険性が大きく、磁気
抵抗効果素子層（４）の該段差部を磁気抵抗効果素子層
より充分厚い通電端子用導電体層（５）で覆うことによ
って電気的導通を補うように構成するためである。
（へ）発明の効果
上述した如く本発明による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドは、磁気的シールドの効果と強いバイアス磁界の効果
を併用することによって、即ち磁気抵抗効果素子層を間
隙の狭い磁気的シールド層間に配することで隣接信号の
影響を／Ｊ１ｔ＜Ｌ、、尚且つ斯る磁気抵抗効果素子層
に強いバイアス磁界を有効に作用きせることによって、
短波長で記録された信号の再生能力を向上させることが
出来る。
ドは、磁気的シールドの効果と強いバイアス磁界の効果
を併用することによって、即ち磁気抵抗効果素子層を間
隙の狭い磁気的シールド層間に配することで隣接信号の
影響を／Ｊ１ｔ＜Ｌ、、尚且つ斯る磁気抵抗効果素子層
に強いバイアス磁界を有効に作用きせることによって、
短波長で記録された信号の再生能力を向上させることが
出来る。
更に、本発明では磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを構成
する各層の記録媒体摺動面に垂直方向の幅を夫々うまく
設定することによって各層間の段差部分での電気的導通
、絶縁に対する配慮を十分に成し、製造工程中或いは使
用中の不良が発生し難く、信頼性を大幅に向上させるこ
とが出来る。
する各層の記録媒体摺動面に垂直方向の幅を夫々うまく
設定することによって各層間の段差部分での電気的導通
、絶縁に対する配慮を十分に成し、製造工程中或いは使
用中の不良が発生し難く、信頼性を大幅に向上させるこ
とが出来る。
効果素子層近傍での模式的平面図、第２図は第１図のＡ
−Ａ’断面図である。
−Ａ’断面図である。
（２）、・第１の磁気的シールド層、（３〉・・・第１
の電気的磁気的絶縁層、（４） ・磁気抵抗効果素子層
、（５）・・通電端子用導電体層、（６）・・・第２の
電気的磁気的絶縁層、（７）・・第２の磁気的シールド
層兼バイアス磁界発生用導電体層。
の電気的磁気的絶縁層、（４） ・磁気抵抗効果素子層
、（５）・・通電端子用導電体層、（６）・・・第２の
電気的磁気的絶縁層、（７）・・第２の磁気的シールド
層兼バイアス磁界発生用導電体層。
出願人 三洋電機株式会社
代理人 Ｊｒ理士 佐野静夫
誂
７８−
Ｊ
図
１
味
Claims (2)
- （１）第１の非磁性基板上に少なくとも第１の磁気的シ
ールド層、第１の電気的磁気的絶縁層、磁気抵抗効果素
子層、通電端子用４電体層、第２の電気的磁気的絶縁層
並びに第２の磁気的シールド層兼バイアス磁界発生用導
電体層を順次形成した後、第２の非磁性基板を補強用と
して接合し１成る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記各層の内、通電端子用導電体層以外の層の端面
を記録媒体摺動面側に露出させると共に、前記第１の磁
気的シールド層、磁気抵抗効果素子層、第２の磁気的シ
ールド層兼バイアス磁界発生用導電体層の記録媒体摺動
面に垂直方向の幅をそれぞれＷｓｌ、ＷＭＲ，Ｗｓ２と
し、面記通電端子用導電体層の磁気抵抗効果素子層との
接続部先端の記録媒体摺動面からの距離をｄとする時、
ＷＭＲ＜Ｗｓ２＜ ｄ＜Ｗｓｌであることを特徴とする
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - （２）前記各層が形成された第１の非磁性基板」−で、
少なくとも前記第１の磁気的ノールド層を覆わない位置
にバルク状永久磁石を配置６することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16086283A JPS6050712A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16086283A JPS6050712A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050712A true JPS6050712A (ja) | 1985-03-20 |
| JPH048847B2 JPH048847B2 (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15723980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16086283A Granted JPS6050712A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050712A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5311385A (en) * | 1991-12-18 | 1994-05-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magnetoresistive head with integrated bias and magnetic shield layer |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022208791A1 (ja) | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 株式会社エイシング | 情報処理装置、方法及びプログラム |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP16086283A patent/JPS6050712A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5311385A (en) * | 1991-12-18 | 1994-05-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magnetoresistive head with integrated bias and magnetic shield layer |
| US5312644A (en) * | 1991-12-18 | 1994-05-17 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of making a magnetoresistive head with integrated bias and magnetic shield layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH048847B2 (ja) | 1992-02-18 |
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