JP3537380B2 - 磁気ヘッド及び磁気再生装置 - Google Patents
磁気ヘッド及び磁気再生装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波インピーダ
ンス変化を用いた高感度なアクティブ磁気ヘッド及び高
密度磁気再生装置に関するものである。
ンス変化を用いた高感度なアクティブ磁気ヘッド及び高
密度磁気再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は、電子情報学会技報ＭＲ９５−８
０に報告された、磁気インピーダンスの変化を用いた磁
気インピーダンス素子（以下ＭＩ素子と称する）及びＭ
Ｉ素子を用いたヘッド（以下ＭＩヘッドと称する）を示
す。図９において、導電性金属薄膜からなる検出導体膜
５６が、トラック幅５７に亘って、パーマロイ膜５８と
ＳｉＯ2膜５９の積層膜からなる軟磁性コア６０及び６
１によってサンドイッチされ、ＭＩ素子が構成されてい
る。その動作原理は次の通りである。ＵＨＦ帯の高周波
発信器６２より、抵抗６３を介して高周波信号を印加し
て検出導体膜５６に電流６４を通電する。そして、検出
導体薄膜５６の両端に配備した端子６５及び６６間の磁
気インピーダンスの変化にもとずいてその端子間の電圧
変化をを検出する。磁気記録媒体６７上の磁化６８から
発生する信号磁界が存在しない場合には、端子６５及び
６６間には、電流６４と検出導体薄膜５６の端子６５及
び６６間のインピーダンスとの積に相当するＵＨＦキャ
リア信号の電圧が発生する。磁気録媒体からの信号磁界
を受けた場合には、軟磁性コア６０及び６１の磁化の容
易磁化方向がトラック幅方向に配向されているため、磁
化が信号磁界によって、配向方向から傾き、磁気インピ
ーダンスが小さくなる。従って、ＵＨＦキャリア信号が
磁気記録媒体の信号磁界によってＡＭ変調された形で検
出される。この信号をＡＭ検波することによって、磁気
記録媒体６７上の信号磁化６８を読み出すことができ
る。
０に報告された、磁気インピーダンスの変化を用いた磁
気インピーダンス素子（以下ＭＩ素子と称する）及びＭ
Ｉ素子を用いたヘッド（以下ＭＩヘッドと称する）を示
す。図９において、導電性金属薄膜からなる検出導体膜
５６が、トラック幅５７に亘って、パーマロイ膜５８と
ＳｉＯ2膜５９の積層膜からなる軟磁性コア６０及び６
１によってサンドイッチされ、ＭＩ素子が構成されてい
る。その動作原理は次の通りである。ＵＨＦ帯の高周波
発信器６２より、抵抗６３を介して高周波信号を印加し
て検出導体膜５６に電流６４を通電する。そして、検出
導体薄膜５６の両端に配備した端子６５及び６６間の磁
気インピーダンスの変化にもとずいてその端子間の電圧
変化をを検出する。磁気記録媒体６７上の磁化６８から
発生する信号磁界が存在しない場合には、端子６５及び
６６間には、電流６４と検出導体薄膜５６の端子６５及
び６６間のインピーダンスとの積に相当するＵＨＦキャ
リア信号の電圧が発生する。磁気録媒体からの信号磁界
を受けた場合には、軟磁性コア６０及び６１の磁化の容
易磁化方向がトラック幅方向に配向されているため、磁
化が信号磁界によって、配向方向から傾き、磁気インピ
ーダンスが小さくなる。従って、ＵＨＦキャリア信号が
磁気記録媒体の信号磁界によってＡＭ変調された形で検
出される。この信号をＡＭ検波することによって、磁気
記録媒体６７上の信号磁化６８を読み出すことができ
る。
【０００３】このヘッドが実用化されると、現在開発が
進められているジャイアントＭＲヘッドの約１０倍の出
力が得られる可能性がある。また、図１０は、図９に示
す素子の動作カーブを求めたもので、キャリア信号周波
数を１．０ＧＨｚとして、素子をヘルムホルツコイルの
中央部に置いてＤＣ磁界を加えて求めたものである。図
１０から分かるように、感度良く信号を再生し、歪みの
小さな波形を得るには、直流バイアス点６９の設定が必
要になる。上記モデルでは、キャリア信号と直流電流を
導体中に流して直流磁界を発生させ、バイアスとしてい
る。このようにして大きなインピーダンスの変化率（印
加磁界が零の場合と印加磁界が所定の値の場合との比）
が得えられる。
進められているジャイアントＭＲヘッドの約１０倍の出
力が得られる可能性がある。また、図１０は、図９に示
す素子の動作カーブを求めたもので、キャリア信号周波
数を１．０ＧＨｚとして、素子をヘルムホルツコイルの
中央部に置いてＤＣ磁界を加えて求めたものである。図
１０から分かるように、感度良く信号を再生し、歪みの
小さな波形を得るには、直流バイアス点６９の設定が必
要になる。上記モデルでは、キャリア信号と直流電流を
導体中に流して直流磁界を発生させ、バイアスとしてい
る。このようにして大きなインピーダンスの変化率（印
加磁界が零の場合と印加磁界が所定の値の場合との比）
が得えられる。
【０００４】現在、ハードディスク用の磁気ヘッドはシ
ールドタイプの磁気ヘッドが採用されている。このシー
ルドヘッドでは、ジャイアントＭＲ膜（ＧＭＲ）を１対
のシールドコアで挟み込み、磁気記録媒体からの信号磁
界によるＧＭＲ膜両端間の抵抗の変化を検出することに
より信号を取り出している。また、１対のシールド磁性
体によって、ギャップ領域の信号磁化をそれ以外の信号
磁化からシールドし、記録した信号からＳＮＲの良好な
信号を再生するものである。
ールドタイプの磁気ヘッドが採用されている。このシー
ルドヘッドでは、ジャイアントＭＲ膜（ＧＭＲ）を１対
のシールドコアで挟み込み、磁気記録媒体からの信号磁
界によるＧＭＲ膜両端間の抵抗の変化を検出することに
より信号を取り出している。また、１対のシールド磁性
体によって、ギャップ領域の信号磁化をそれ以外の信号
磁化からシールドし、記録した信号からＳＮＲの良好な
信号を再生するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ディスク装置に導入し
やすくするためには、ＭＩ素子を用い同様の動作をする
シールド型ヘッド構造を構成することが望まれていた。
ＧＭＲ膜に直接高周波キャリア信号を印加しＭＩヘッド
として用いることが考えられるが、シールド間のＧＭＲ
膜の厚みは５００Å以下であるため、抵抗が大くなりす
ぎて（ＧＭＲ膜：約２０μΩ−ｍ）、信号磁界による高
周波キャリア信号の変化が隠されてしまい検出できな
い。また、ＧＭＲ膜に高周波キャリア電流を流すことに
より、シールド用磁性体に高周波キャリア信号電流から
発生する高周波磁束が流れるため、信号磁界によって変
化しないシールド用磁性体によるインピーダンス成分が
増大し、感度が悪くなる。従ってそのような問題を生じ
ない、新たな構造のシールド型ＭＩヘッドが望まれてい
た。
やすくするためには、ＭＩ素子を用い同様の動作をする
シールド型ヘッド構造を構成することが望まれていた。
ＧＭＲ膜に直接高周波キャリア信号を印加しＭＩヘッド
として用いることが考えられるが、シールド間のＧＭＲ
膜の厚みは５００Å以下であるため、抵抗が大くなりす
ぎて（ＧＭＲ膜：約２０μΩ−ｍ）、信号磁界による高
周波キャリア信号の変化が隠されてしまい検出できな
い。また、ＧＭＲ膜に高周波キャリア電流を流すことに
より、シールド用磁性体に高周波キャリア信号電流から
発生する高周波磁束が流れるため、信号磁界によって変
化しないシールド用磁性体によるインピーダンス成分が
増大し、感度が悪くなる。従ってそのような問題を生じ
ない、新たな構造のシールド型ＭＩヘッドが望まれてい
た。
【０００６】また、磁気記録における高密度磁気記録化
に伴い、トラック幅が狭くなる傾向がある。この場合ト
ラック幅の減少と比例してインピーダンスが減少し上記
高周波信号電圧が小さくなるため、できるだけインピー
ダンスの大きい構成にすることが求められる。さらに、
高周波キャリア信号や直流バイアス電流を導電性金属膜
に通電した場合、磁性体ギャップからの漏れ磁界によ
り、磁性体の磁化を消去する恐れがあり、できるだけギ
ャップからの漏れ磁界を弱める必要があった。
に伴い、トラック幅が狭くなる傾向がある。この場合ト
ラック幅の減少と比例してインピーダンスが減少し上記
高周波信号電圧が小さくなるため、できるだけインピー
ダンスの大きい構成にすることが求められる。さらに、
高周波キャリア信号や直流バイアス電流を導電性金属膜
に通電した場合、磁性体ギャップからの漏れ磁界によ
り、磁性体の磁化を消去する恐れがあり、できるだけギ
ャップからの漏れ磁界を弱める必要があった。
【０００７】本発明は、ＭＩ素子を用いたシールド型ヘ
ッド構造を有し、シールド用磁性体による感度劣化が抑
制され、磁気回路と高周波電流の差交数が増加して高出
力を得ることができ、かつギャップからの漏れ磁界を防
止した磁気ヘッドを構成することを目的とする。
ッド構造を有し、シールド用磁性体による感度劣化が抑
制され、磁気回路と高周波電流の差交数が増加して高出
力を得ることができ、かつギャップからの漏れ磁界を防
止した磁気ヘッドを構成することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明の磁気ヘッドは、第１の軟磁性体膜と、前
記第１の軟磁性体膜を無機質の絶縁体膜を介して両側か
ら挟み込むように形成した１対の導電性金属薄膜と、さ
らにその両側に無機質の絶縁体膜を介して配置した１対
のシールド用磁性体と、前記１対の導電性金属薄膜のト
ラック幅方向における一方の側の第１の電極対を接続す
る手段と、他方の側の第２の電極対を介して前記１対の
導電性金属薄膜に高周波キャリア信号電流を印加する手
段と、前記第１の軟磁性体膜に直流バイアス磁界を印加
する手段と、前記第２の電極対から検出されるＡＭ変調
された信号を再生する高周波増幅器とを備える。それに
より、外部磁界に基づく前記１対の導電性金属薄膜にお
けるインダクタンスの変化を高周波キャリア信号の変化
として再生するように構成される。
めに、本発明の磁気ヘッドは、第１の軟磁性体膜と、前
記第１の軟磁性体膜を無機質の絶縁体膜を介して両側か
ら挟み込むように形成した１対の導電性金属薄膜と、さ
らにその両側に無機質の絶縁体膜を介して配置した１対
のシールド用磁性体と、前記１対の導電性金属薄膜のト
ラック幅方向における一方の側の第１の電極対を接続す
る手段と、他方の側の第２の電極対を介して前記１対の
導電性金属薄膜に高周波キャリア信号電流を印加する手
段と、前記第１の軟磁性体膜に直流バイアス磁界を印加
する手段と、前記第２の電極対から検出されるＡＭ変調
された信号を再生する高周波増幅器とを備える。それに
より、外部磁界に基づく前記１対の導電性金属薄膜にお
けるインダクタンスの変化を高周波キャリア信号の変化
として再生するように構成される。
【０００９】上記の構成において好ましくは、前記１対
のシールド用磁性体の１部にそれぞれ形成した第２の軟
磁性体膜を有する構成とする。
のシールド用磁性体の１部にそれぞれ形成した第２の軟
磁性体膜を有する構成とする。
【００１０】また、以上のいずれかの構成において、前
記導電性金属薄膜を前記第１の軟磁性体膜に対して対称
な位置に配備することが好ましい。
記導電性金属薄膜を前記第１の軟磁性体膜に対して対称
な位置に配備することが好ましい。
【００１１】さらに、以上のいずれかの構成において、
前記シールド用磁性体のキャリア周波数における透磁率
を、第１及び第２の軟磁性体膜の透磁率より小とするこ
とが好ましい。
前記シールド用磁性体のキャリア周波数における透磁率
を、第１及び第２の軟磁性体膜の透磁率より小とするこ
とが好ましい。
【００１２】さらに、以上のいずれかの構成において、
前記直流バイアス磁界を印加する手段を、高周波キャリ
ア信号電流に直流電流を重畳して印加することにより構
成することができる。あるいは、前記直流バイアス磁界
を印加する手段を、前記シールド用磁性体の一部に配置
した永久磁石膜により構成し、その極性が磁気記録磁性
体対向面に対して同一になるよう配置してもよい。
前記直流バイアス磁界を印加する手段を、高周波キャリ
ア信号電流に直流電流を重畳して印加することにより構
成することができる。あるいは、前記直流バイアス磁界
を印加する手段を、前記シールド用磁性体の一部に配置
した永久磁石膜により構成し、その極性が磁気記録磁性
体対向面に対して同一になるよう配置してもよい。
【００１３】本発明の磁気再生装置は、以上のいずれか
１種の磁気ヘッドと、記録されている信号を前記磁気ヘ
ッドによって再生される記録媒体を保持する手段と、前
記記録媒体上の所定の位置へ前記磁気ヘッドを位置決め
するための位置決め手段とを備える。
１種の磁気ヘッドと、記録されている信号を前記磁気ヘ
ッドによって再生される記録媒体を保持する手段と、前
記記録媒体上の所定の位置へ前記磁気ヘッドを位置決め
するための位置決め手段とを備える。
【００１４】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、図１〜図
４を用いて、実施の形態１について詳細に説明する。図
１は、実施の形態１におけるシールド型ＭＩヘッドの断
面図である。第１の軟磁性体膜７に対して、対称な位置
にＣｕ（比抵抗：１．５７μΩ−ｍ）からなる導電性金
属薄膜５及び９が、それぞれＳｉＯ2などの絶縁体６及
び８を介して配置されている。その外側をさらにそれぞ
れ絶縁体４及び１０を介して、ＣｏＮｂＺｒからなるシ
ールド用磁性体１及び２（以下シールドコアと称する）
によって挟み込んだ形に構成されている。図１には、磁
気記録媒体１４からフライングハイト１３の条件で再生
したときの磁束１１、１２の流れが示されている。
４を用いて、実施の形態１について詳細に説明する。図
１は、実施の形態１におけるシールド型ＭＩヘッドの断
面図である。第１の軟磁性体膜７に対して、対称な位置
にＣｕ（比抵抗：１．５７μΩ−ｍ）からなる導電性金
属薄膜５及び９が、それぞれＳｉＯ2などの絶縁体６及
び８を介して配置されている。その外側をさらにそれぞ
れ絶縁体４及び１０を介して、ＣｏＮｂＺｒからなるシ
ールド用磁性体１及び２（以下シールドコアと称する）
によって挟み込んだ形に構成されている。図１には、磁
気記録媒体１４からフライングハイト１３の条件で再生
したときの磁束１１、１２の流れが示されている。
【００１５】図２には、図１の矢印３０の向きに見た本
発明のシールド型ＭＩヘッドの側面図に、信号検出のた
めの結線図が併せて示されている。
発明のシールド型ＭＩヘッドの側面図に、信号検出のた
めの結線図が併せて示されている。
【００１６】図１のシールドコア１及び２は、ほぼシー
ルド間ギャップ３の中央の面（ａ）−（ａ'）に対称に
作成されている。 また図２に示すように、導電性金属
薄膜５及び９における、トラックＴに対する一方の側の
端部の電極２１及び２２が接続され、他方の側の端部の
電極２３及び２４に、第１の対の電極端子２７及び２
８、第２の対の電極端子２５及び２６が設けられてい
る。高周波発信器１８から高周波キャリア信号を、直流
電源１９から直流バイアス電流を、抵抗２０を介して第
２の対の電極端子２５及び２６に加えることによって、
導電性金属薄膜５に矢印３１、導電性金属薄膜９では矢
印３２の方向に電流が通電される。また、第１の対の電
極端子２７及び２８には高周波増幅器２９が接続され
る。このようにして第１の対の電極端子２７及び２８か
ら、図１に示す磁気記録媒体１４上に記録された信号磁
化１５から発生する信号によりＡＭ変調された高周波信
号が再生され、高周波増幅器２９で増幅され、この増幅
器に含まれているＡＭ検波器を通過して信号が復調され
る。
ルド間ギャップ３の中央の面（ａ）−（ａ'）に対称に
作成されている。 また図２に示すように、導電性金属
薄膜５及び９における、トラックＴに対する一方の側の
端部の電極２１及び２２が接続され、他方の側の端部の
電極２３及び２４に、第１の対の電極端子２７及び２
８、第２の対の電極端子２５及び２６が設けられてい
る。高周波発信器１８から高周波キャリア信号を、直流
電源１９から直流バイアス電流を、抵抗２０を介して第
２の対の電極端子２５及び２６に加えることによって、
導電性金属薄膜５に矢印３１、導電性金属薄膜９では矢
印３２の方向に電流が通電される。また、第１の対の電
極端子２７及び２８には高周波増幅器２９が接続され
る。このようにして第１の対の電極端子２７及び２８か
ら、図１に示す磁気記録媒体１４上に記録された信号磁
化１５から発生する信号によりＡＭ変調された高周波信
号が再生され、高周波増幅器２９で増幅され、この増幅
器に含まれているＡＭ検波器を通過して信号が復調され
る。
【００１７】なお、第１の軟磁性体膜７とシールドコア
１及び２は、図３に示した磁気特性を持つ。すなわち、
高周波キャリア信号を１ＧＨｚキャリア信号として、第
１の軟磁性体膜７の透磁率の周波数特性はμ１であり、
シールドコア１及び２の透磁率の周波数特性はμｃであ
る。このように構成すると、高周波キャリア信号、例え
ば１ＧＨｚ信号を導電性金属薄膜に通電したとき、イン
ピーダンスの発生に寄与するのは第１の軟磁性体膜７の
みであり、シールドコア１及び２は磁気記録媒体から発
生する信号磁界にのみ反応することになる。
１及び２は、図３に示した磁気特性を持つ。すなわち、
高周波キャリア信号を１ＧＨｚキャリア信号として、第
１の軟磁性体膜７の透磁率の周波数特性はμ１であり、
シールドコア１及び２の透磁率の周波数特性はμｃであ
る。このように構成すると、高周波キャリア信号、例え
ば１ＧＨｚ信号を導電性金属薄膜に通電したとき、イン
ピーダンスの発生に寄与するのは第１の軟磁性体膜７の
みであり、シールドコア１及び２は磁気記録媒体から発
生する信号磁界にのみ反応することになる。
【００１８】このように構成された本発明の特徴につい
て説明する。以下で説明する電流は、上記高周波キャリ
ア信号電流及び直流を意味するが、瞬時瞬時を考えると
直流的扱いをしても差し支えないものである。上記のよ
うに構成することにより、図１中の導電性金属薄膜５に
は紙面と垂直に内部に向かう電流３３が、一方、導電性
金属薄膜９中では紙面から外側に向かう電流３４が流
れ、図２の電極端子２５及び２６から見て直列の流れと
なる。図４にギャップ部分の拡大図を示した。高周波キ
ャリア信号に対して電流３３によって発生する磁束を、
実際には分布を持っているが、分かりやすくするため、
模式的に実線で示した。軟磁性体膜７中では矢印３７、
シールドコア１中では矢印３６で示す磁束３５の流れと
なる。電流３４から発生する磁束は、第１の軟磁性体膜
７中では矢印３８、シールドコア２中では矢印３９の向
きで、点線で示される磁束４０となる。したがって軟磁
性体７中では磁束が強め合い、第１の軟磁性体膜７を有
効に使用することができることがわかる。すなわち、イ
ンピーダンスを向上させるためには、磁束と電流の差交
数をあげることが重要であり、インピーダンスは差交数
の２乗に比例する。従って、上記のように２つの軟磁性
体膜に直列に電流を流すことによって大幅にインピーダ
ンスが増加する。
て説明する。以下で説明する電流は、上記高周波キャリ
ア信号電流及び直流を意味するが、瞬時瞬時を考えると
直流的扱いをしても差し支えないものである。上記のよ
うに構成することにより、図１中の導電性金属薄膜５に
は紙面と垂直に内部に向かう電流３３が、一方、導電性
金属薄膜９中では紙面から外側に向かう電流３４が流
れ、図２の電極端子２５及び２６から見て直列の流れと
なる。図４にギャップ部分の拡大図を示した。高周波キ
ャリア信号に対して電流３３によって発生する磁束を、
実際には分布を持っているが、分かりやすくするため、
模式的に実線で示した。軟磁性体膜７中では矢印３７、
シールドコア１中では矢印３６で示す磁束３５の流れと
なる。電流３４から発生する磁束は、第１の軟磁性体膜
７中では矢印３８、シールドコア２中では矢印３９の向
きで、点線で示される磁束４０となる。したがって軟磁
性体７中では磁束が強め合い、第１の軟磁性体膜７を有
効に使用することができることがわかる。すなわち、イ
ンピーダンスを向上させるためには、磁束と電流の差交
数をあげることが重要であり、インピーダンスは差交数
の２乗に比例する。従って、上記のように２つの軟磁性
体膜に直列に電流を流すことによって大幅にインピーダ
ンスが増加する。
【００１９】一方、直流バイアス電流の場合には、図３
に示した低周波数領域の透磁率となるため、第１の軟磁
性体膜７及びシールドコア１及び２の両者に反応するこ
とになる。すなわち以下に述べる実施の形態２の場合と
同じ動作となり、直流バイアス電流によってギャップに
発生する漏洩磁界は相殺され弱められることが分かっ
た。
に示した低周波数領域の透磁率となるため、第１の軟磁
性体膜７及びシールドコア１及び２の両者に反応するこ
とになる。すなわち以下に述べる実施の形態２の場合と
同じ動作となり、直流バイアス電流によってギャップに
発生する漏洩磁界は相殺され弱められることが分かっ
た。
【００２０】（実施の形態２）実施の形態２におけるシ
ールド型ＭＩヘッドの要部を図５に示す。このヘッド
は、実施の形態１と同様のシールドコア１及び２上の第
１の軟磁性体膜７に対向する位置に、第２の軟磁性体膜
１６及び１７を形成したものである。このように構成す
ると、磁束は図６に示すようになる。電流３３から発生
する実線で示した磁束としては、第２の軟磁性体膜１６
から第１の軟磁性体膜７を通って矢印３６、３７に示す
経路を通って戻る磁束３５と、第２の軟磁性膜１６を通
って第２の軟磁性膜１１を矢印３６、４１に示す経路を
通って戻る磁束４２がある。一方、電流３４から発生す
る点線で示す磁束としては、第２の軟磁性体膜１１と第
１の軟磁性体膜７を矢印４９、３８に示す方向を経て戻
る磁束４０、及び、第２の軟磁性体膜１１から第２の軟
磁性体膜１６を矢印４９、４３の方向を経て戻る磁束５
０がある。これらは、上部では矢印４７及び４８で示す
ように相殺し、特に矢印５１で示した磁気記録媒体対向
面でも、矢印４６と４５に示すように電流３３及び３４
から発生する磁束とが相殺することになる。
ールド型ＭＩヘッドの要部を図５に示す。このヘッド
は、実施の形態１と同様のシールドコア１及び２上の第
１の軟磁性体膜７に対向する位置に、第２の軟磁性体膜
１６及び１７を形成したものである。このように構成す
ると、磁束は図６に示すようになる。電流３３から発生
する実線で示した磁束としては、第２の軟磁性体膜１６
から第１の軟磁性体膜７を通って矢印３６、３７に示す
経路を通って戻る磁束３５と、第２の軟磁性膜１６を通
って第２の軟磁性膜１１を矢印３６、４１に示す経路を
通って戻る磁束４２がある。一方、電流３４から発生す
る点線で示す磁束としては、第２の軟磁性体膜１１と第
１の軟磁性体膜７を矢印４９、３８に示す方向を経て戻
る磁束４０、及び、第２の軟磁性体膜１１から第２の軟
磁性体膜１６を矢印４９、４３の方向を経て戻る磁束５
０がある。これらは、上部では矢印４７及び４８で示す
ように相殺し、特に矢印５１で示した磁気記録媒体対向
面でも、矢印４６と４５に示すように電流３３及び３４
から発生する磁束とが相殺することになる。
【００２１】したがって、磁気記録媒体１４上に記録さ
れた信号磁化を消去することがない程度に、磁界が弱め
られる効果が得られる。実施の形態２の場合には、第１
の軟磁性体膜７と第２の軟磁性体膜１６、１１が図３に
示すμ１の特性を持ち、シールドコア１及び２がμｃの
特性持つように選定する。したがって高周波キャリア信
号及び直流バイアス電流に対して同様な上記効果を持
つ。
れた信号磁化を消去することがない程度に、磁界が弱め
られる効果が得られる。実施の形態２の場合には、第１
の軟磁性体膜７と第２の軟磁性体膜１６、１１が図３に
示すμ１の特性を持ち、シールドコア１及び２がμｃの
特性持つように選定する。したがって高周波キャリア信
号及び直流バイアス電流に対して同様な上記効果を持
つ。
【００２２】（実施の形態３）実施の形態１及び２で
は、直流バイアスを印加するために、高周波キャリア信
号に直流バイアス電流を重畳させて用いたが、永久磁石
膜を用いてバイアスを掛ける方法が有効である。図７
は、シールドコア１及び２の一部に、ＣｏＣｒＰｔの永
久磁石膜５２及び５３配置したものである。このように
配置することによって、均一な直流バイアス磁界を第１
の軟磁性体膜７に印加することができる。なお、高周波
キャリア信号に対する動作は実施の形態１と同様である
ので説明は省略する。
は、直流バイアスを印加するために、高周波キャリア信
号に直流バイアス電流を重畳させて用いたが、永久磁石
膜を用いてバイアスを掛ける方法が有効である。図７
は、シールドコア１及び２の一部に、ＣｏＣｒＰｔの永
久磁石膜５２及び５３配置したものである。このように
配置することによって、均一な直流バイアス磁界を第１
の軟磁性体膜７に印加することができる。なお、高周波
キャリア信号に対する動作は実施の形態１と同様である
ので説明は省略する。
【００２３】（実施の形態４）実施の形態４におけるシ
ールド型ＭＩヘッドは、図８に示すように、実施の形態
２の構成において直流バイアス磁界を永久磁石膜５４及
び５５により印加するようにしたものである。この場
合、図に示すように、極性が磁気記録媒体面に対して同
一になるように配置することによって、２つの磁石から
発生するギャップ部分における磁束の向きが、逆向きと
なって相殺し合い、ギャップからの漏れ磁界を弱めるこ
とができる。
ールド型ＭＩヘッドは、図８に示すように、実施の形態
２の構成において直流バイアス磁界を永久磁石膜５４及
び５５により印加するようにしたものである。この場
合、図に示すように、極性が磁気記録媒体面に対して同
一になるように配置することによって、２つの磁石から
発生するギャップ部分における磁束の向きが、逆向きと
なって相殺し合い、ギャップからの漏れ磁界を弱めるこ
とができる。
【００２４】なお、図２に示したように一対の導電性金
属薄膜５、９に、電極端子から見て直列に電流を流すこ
とは、実施の形態１〜４とも同様に構成されているの
で、磁束と電流との差交数をあげ、インピーダンスを大
幅に向上せしめて出力レベルを向上させる効果は同様に
得られる。
属薄膜５、９に、電極端子から見て直列に電流を流すこ
とは、実施の形態１〜４とも同様に構成されているの
で、磁束と電流との差交数をあげ、インピーダンスを大
幅に向上せしめて出力レベルを向上させる効果は同様に
得られる。
【００２５】また、第１及び第２の軟磁性体膜としてＦ
ｅＴａＮを用いた例を示したが、１ＧＨｚにおける実効
透磁率の優れたＦｅ系、Ｃｏ系金属磁性体膜、酸化物磁
性体膜のすべてが有効である。また、上記実施の形態で
は、第１及び第２の軟磁性体として同一材料を用いた例
を示したが、異なる材料を用いることもできる。
ｅＴａＮを用いた例を示したが、１ＧＨｚにおける実効
透磁率の優れたＦｅ系、Ｃｏ系金属磁性体膜、酸化物磁
性体膜のすべてが有効である。また、上記実施の形態で
は、第１及び第２の軟磁性体として同一材料を用いた例
を示したが、異なる材料を用いることもできる。
【００２６】さらに、ギャップを形成する材料としてＳ
ｉＯ2を用いた例を示したが、アルミナやＣｕなど非磁
性体の全ての材料が有効である。基板としてはＮｉＴｉ
Ｍｇのセラミック基板を用いた例を示したが、ＡｌＴｉ
Ｃなど、他のセラミック、ガラス系材料、カーボン基板
も有効である。また、永久磁石膜としてＣｏＣｒＰｔを
用いた例を示したが、ＳｍＣｏやＦｅ系等の硬質磁性体
の全てが有効である。
ｉＯ2を用いた例を示したが、アルミナやＣｕなど非磁
性体の全ての材料が有効である。基板としてはＮｉＴｉ
Ｍｇのセラミック基板を用いた例を示したが、ＡｌＴｉ
Ｃなど、他のセラミック、ガラス系材料、カーボン基板
も有効である。また、永久磁石膜としてＣｏＣｒＰｔを
用いた例を示したが、ＳｍＣｏやＦｅ系等の硬質磁性体
の全てが有効である。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、シールドギャップ間に
第１の軟磁性体膜を１対の導電性金属薄膜により挟み込
むように形成して、高周波キャリア信号や直流バイアス
信号を用いることによるギャップからの洩磁界の発生を
防止し、また磁気回路と高周波電流との差交数を増加さ
せて大幅な出力向上が得られる。
第１の軟磁性体膜を１対の導電性金属薄膜により挟み込
むように形成して、高周波キャリア信号や直流バイアス
信号を用いることによるギャップからの洩磁界の発生を
防止し、また磁気回路と高周波電流との差交数を増加さ
せて大幅な出力向上が得られる。
【図１】実施の形態１における磁気ヘッドの断面図
【図２】実施の形態１における磁気ヘッドの側面及び結
線を示す図
線を示す図
【図３】実施の形態１における磁気ヘッドに用いた軟磁
性体膜の磁気特性図
性体膜の磁気特性図
【図４】本実施の形態１における磁気ヘッドの動作原理
図
図
【図５】実施の形態２における磁気ヘッドの断面図
【図６】実施の形態２における磁気ヘッドの動作原理図
【図７】実施の形態３における磁気ヘッドの断面図
【図８】実施の形態４における磁気ヘッドの断面図
【図９】従来例のＭＩヘッドの構成及び動作原理を示す
図
図
【図１０】図９のＭＩヘッドに用いられたＭＩ素子の動
作カーブを示す図
作カーブを示す図
１、２ シード用磁性体（シールドコア）
３ シールド間ギャップ
４ 絶縁体膜
５ 導電性金属薄膜
６ 絶縁体膜
７ 第１の軟磁性体膜
８ 絶縁体膜
９ 導電性金属薄膜
１０ 絶縁体膜
１１、１２ 磁気記録媒体からの磁束
１３ フライングハイト
１４ 磁気記録媒体
１５ 磁化
１６、１７ 第２の軟磁性体膜
１８ 高周波発信器
１９ 直流電源
２０ 抵抗
２１、２２、２３、２４ 電極
２５、２６ 第２の対の電極端子
２７、２８ 第１の対の電極端子
２９ 高周波増幅器
３０ 矢印
３１、３２ 電流の方向を示す矢印
３３、３４ 電流
３５ 磁束
３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４
４、４５、４６、４７、４８、４９ 磁束の方向を示す
矢印 ５０ 磁束 ５１ 磁気記録媒体対抗面を示す矢印 ５２、５３、５４、５５ 永久磁石膜 ５６ 検出導体膜 ５７ トラック幅 ５８ パーマロイ膜 ５９ ＳｉＯ2膜 ６０、６１ 軟磁性コア ６２ 高周波発信器 ６３ 抵抗 ６４ 電流 ６５、６６ 端子 ６７ 磁気記録媒体 ６８ 磁化 ６９ 直流バイアス
４、４５、４６、４７、４８、４９ 磁束の方向を示す
矢印 ５０ 磁束 ５１ 磁気記録媒体対抗面を示す矢印 ５２、５３、５４、５５ 永久磁石膜 ５６ 検出導体膜 ５７ トラック幅 ５８ パーマロイ膜 ５９ ＳｉＯ2膜 ６０、６１ 軟磁性コア ６２ 高周波発信器 ６３ 抵抗 ６４ 電流 ６５、６６ 端子 ６７ 磁気記録媒体 ６８ 磁化 ６９ 直流バイアス
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平11−328619（ＪＰ，Ａ)
特開2001−101621（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/33
H01L 43/00
Claims (7)
- 【請求項１】 第１の軟磁性体膜と、前記第１の軟磁性
体膜を無機質の絶縁体膜を介して両側から挟み込むよう
に形成した１対の導電性金属薄膜と、さらにその両側に
無機質の絶縁体膜を介して配置した１対のシールド用磁
性体と、前記１対の導電性金属薄膜のトラック幅方向に
おける一方の側の第１の電極対を接続する手段と、他方
の側の第２の電極対を介して前記１対の導電性金属薄膜
に高周波キャリア信号電流を印加する手段と、前記第１
の軟磁性体膜に直流バイアス磁界を印加する手段と、前
記第２の電極対から検出されるＡＭ変調された信号を再
生する高周波増幅器とを備え、 外部磁界に基づく前記１対の導電性金属薄膜におけるイ
ンダクタンスの変化を高周波キャリア信号の変化として
再生することを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記１対のシールド用磁性体の１部にそ
れぞれ形成した第２の軟磁性体膜を有することを特徴と
する請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記導電性金属薄膜を前記第１の軟磁性
体膜に対して対称な位置に配備したことを特徴とする請
求項１または２記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記シールド用磁性体のキャリア周波数
における透磁率が、第１及び第２の軟磁性体膜の透磁率
より小であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか
１項に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記直流バイアス磁界を印加する手段
を、高周波キャリア信号電流に直流電流を重畳して印加
することにより構成したことを特徴とする請求項１〜４
のいずれか１項に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記直流バイアス磁界を印加する手段
を、前記シールド用磁性体の一部に配置した永久磁石膜
により構成し、その極性が磁気記録磁性体対向面に対し
て同一になるよう配置したことを特徴とする請求項１〜
４のいずれか１項に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁
気ヘッドと、記録されている信号を前記磁気ヘッドによ
って再生される記録媒体を保持する手段と、前記記録媒
体上の所定の位置へ前記磁気ヘッドを位置決めするため
の位置決め手段とを備えたことを特徴とする磁気再生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000156784A JP3537380B2 (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | 磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000156784A JP3537380B2 (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | 磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001344712A JP2001344712A (ja) | 2001-12-14 |
| JP3537380B2 true JP3537380B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=18661522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000156784A Expired - Fee Related JP3537380B2 (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | 磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3537380B2 (ja) |
-
2000
- 2000-05-26 JP JP2000156784A patent/JP3537380B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001344712A (ja) | 2001-12-14 |
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