JP2001155310A - 磁気ヘッド並びに磁気再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高インピーダンスでかつインピーダンスの変
化を効率的に検出できる高周波インピーダンス型磁気ヘ
ッドを実現しようとするものである。 【構成】 軟磁性体膜２と３で導電性金属膜１を挟み込
むように形成し、軟磁性膜２、３が磁路の一部を形成し
たリング型磁気ヘッドであって、前記軟磁性体膜３の厚
みが前記軟磁性膜２の厚みより小さく、導電性金属薄膜
１の両端に接続した１対の電極１５、１６を有する。前
記電極１５、１６に高周波キャリア信号電流を印加する
発振器と、検波回路を有する高周波増幅器１９とを接続
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、印加磁界により検
出導体のインピーダンスが変化する、磁気インピーダン
ス効果を利用した磁気ヘッド及びその磁気ヘッドを用い
た磁気再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図９は電子情報学会技報ＭＲ９５−８０
に報告されている、磁気インピーダンス効果（ＭＩ効
果）を利用した従来の再生用磁気ヘッド（以下、ＭＩヘ
ッドという）６１の斜視図である。図９の（ａ）におい
て、ＭＩヘッド６１は、導電性金属薄膜からなる検出導
体薄膜４２を、磁気記録媒体５３のトラック幅にほぼ等
しい幅４３の一対の軟磁性コア４６、４７によってはさ
み磁気インピーダンス効果の検出部（以下、磁気検出部
と記す）を形成している。一対の軟磁性コア４６、４７
は、部分拡大図の（ｂ）に示すように、それぞれパーマ
ロイ膜４４とＳｉＯ_２膜４５とを交互に積層した積層膜
で形成されている。

【０００３】ＭＩヘッド６１で磁気記録媒体５３に記録
されている信号磁化５４を再生するときは、高周波発振
器４８よりＵＨＦ帯の高周波キャリア信号を抵抗４９を
介して検出導体薄膜４２に印加して高周波電流５０を流
す。そして磁気インピーダンス効果により検出導体薄膜
４２の両端に接続した端子５１及び端子５２間に生じる
電圧変化を検出する。軟磁性コア４６、４７の磁化容易
軸の方向は、あらかじめ磁気記録媒体５３の記録トラッ
クの幅方向に配向されている。磁気記録媒体５３に信号
磁化５４が存在しない場合には、端子５１及び端子５２
間には、高周波電流５０と検出導体薄膜４２の両端子５
１、５２間のインピーダンスとの積に等しい高周波キャ
リア信号の電圧が発生する。磁気記録媒体５３に信号磁
化５４が存在する場合には、軟磁性コア４６、４７の磁
化容易軸が信号磁化５４によって、それぞれ予め配向さ
れている方向からずれる。その結果、磁気インピーダン
ス効果により、検出導体薄膜４２の両端子５１、５２間
のインピーダンスが小さくなる。

【０００４】この検出導体薄膜４２のインピーダンスの
変化により、高周波キャリア信号が磁気記録媒体５３の
信号磁化５４によってＡＭ変調されて検出される。この
信号をＡＭ検波することによって磁気記録媒体５３の信
号磁化５４を読み出すことができる。この磁気インピー
ダンス効果による磁気記録媒体５３の信号磁化５４の検
出感度は、磁気抵抗効果による検出感度に比べて非常に
高い。磁気インピーダンス効果を利用するＭＩヘッドで
は、現在開発が進められている磁気バブルを用いた既知
のジャイアントＭＲヘッドに比べて約１０倍の出力が得
られる可能性がある。

【０００５】図１０は、前記のＭＩヘッド６１に印加さ
れる磁界に対する高周波キャリア信号レベルの変化を示
す特性曲線である。図１０において、特性曲線５６は、
高周波キャリア信号の周波数を１ＧＨｚとして、上述の
ＭＩヘッド６１をヘルムホルツコイルの中央部に置き、
印加する直流磁界の強度を変化させて求めたものであ
る。この特性曲線５６によると、印加する磁界強度が零
の近傍では、高周波キャリア信号レベルは緩やかに変化
している。磁界強度の変化に対して高い変調度で高周波
キャリア信号を変調し、かつ歪みの少ない高周波キャリ
ア信号を得るには、特性曲線５６の直線状の部分を用い
るようにバイアスする直流バイアス磁界５５を与えるの
が望ましい。前記のＭＩヘッドにおいては、直流バイア
ス磁界５５を発生させるために直流電源５８により直流
電流を高周波キャリア信号電流に重畳させている。この
直流電流を検出導体薄膜４２に流すことにより直流磁界
を発生させてバイアス磁界としている。

【０００６】磁気インピーダンス効果による検出導体の
インピーダンスの変化率は、検出導体に印加する高周波
キャリア信号の周波数と軟磁性コアの透磁率の変化率と
の積に比例する。この検出導体のインピーダンスの変化
率を大きくして検出感度を高くするために、従来のＭＩ
ヘッドでは、前記のように軟磁性体コア４６、４７の材
料として透磁率の変化の大きいパーマロイ膜４４を使用
し、高周波による渦電流の発生を防止するためにパーマ
ロイ膜４４と絶縁体としてのＳｉＯ_２膜４５を交互に積
層した積層膜を用いている。さらに、高周波キャリア信
号の周波数を数百ＭＨｚ以上の高周波としている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】磁気記録の高密度化に
ともなってトラック幅が狭くなり、信号磁化５４の強さ
が低下する。そのため前記従来の構成のＭ１ヘッドでは
感度が不足し、更に高感度のＭ１ヘッドが必要となる。
本発明は従来のものより更に高感度のＭ１ヘッドを実現
することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【０００８】本発明の磁気ヘッドは、非磁性体の基板上
に形成した第１の軟磁性体膜、前記基板上に、前記第１
の軟磁性体膜の端部に接して形成した、第１の軟磁性体
膜より厚みが薄い第２の軟磁性体膜、前記第２の軟磁性
体膜の上に形成した導電性金属膜、前記導電性金属膜の
上に、端部が前記第１の軟磁性体膜に接するように形成
した第１の軟磁性体膜より厚みが薄い第３の軟磁性体
膜、前記基板上に、前記第２及び第３の軟磁性体膜のそ
れぞれの端部に接して形成され、前記第２及び第３の軟
磁性体膜より厚みが厚い軟磁性体膜の磁路部、及び一端
が非磁性の磁気ギャップ材を介して前記磁路部に対向
し、他端が前記第１の軟磁性体膜に接し、中央部が前記
第３の軟磁性体膜との間に非磁性体部を介して形成され
たリターンパスヨークを有する。

【０００９】導電性金属膜に高周波電流を流すと、第２
及び第３の軟磁性体膜で挟まれた導電性金属膜のインピ
ーダンスが、外部磁界によって第１及び第２の軟磁性体
膜を通る磁束によって変化する。このインピーダンス変
化により高周波電流はＡＭ変調される。このＡＭ変調電
流を検波することにより、外部磁界を検出することがで
きる。上記の構成において第２及び第３の軟磁性体膜の
厚みを第１の軟磁性体膜の厚みより小さくした場合高密
度記録信号を感度よく再生できた。

【００１０】本発明の他の観点の磁気ヘッドは、非磁性
体の基板上に形成した第１の軟磁性体膜、前記第１の軟
磁性体膜の一部分を除去した領域（以下Ｚ領域という）
と残存する第１の軟磁性体膜の上に形成した、第１の軟
磁性体膜より厚みが薄い第２の軟磁性体膜、前記Ｚ領域
内の第２の軟磁性体膜の上に形成した導電性金属膜、導
電性金属膜及び第２の軟磁性体膜の上に形成した第１の
軟磁性体膜より厚みが薄い第３の軟磁性体膜、前記第３
の軟磁性体膜上の一部分に形成したギャップ材の非磁性
絶縁膜、前記第３の軟磁性体膜の上の、前記Ｚ領域に相
当する部分に形成した非磁性体部、及び前記非磁性絶縁
膜、非磁性体部及び第３の軟磁性体膜の上に形成したリ
ターンパスヨークとなる軟磁性体膜を有する。

【００１１】基板上に形成した第１の軟磁性体膜の一部
分を除去し、除去した領域に第２の軟磁性体膜、導電性
金属膜及び第３の軟磁性体膜を形成したことにより、導
電性金属膜を挟み込む第２及び第３の軟磁性体膜が形成
される。この構成により、高周波電流が流れる導電性金
属膜の外部磁界によるインピーダンスの変化から外部磁
界を検出することができる。本発明の磁気ヘッドの製造
方法は、基板上に第１の軟磁性体膜を形成する工程、基
板上に形成した第１の軟磁性体膜の一部をイオンビーム
などの手段によって基板面までエッチングすることによ
って凹部を形成する工程、前記凹部に第１に磁性体の厚
みより薄い第２の軟磁性体膜を形成する工程、前記凹部
の第２の軟磁性体膜上に導電性金属膜を形成する工程、
及び、前記導電性金属膜を挟み込むように第３の軟磁性
体膜を形成する工程を有する。この製造方法により、基
板上に形成した第１の軟磁性体膜の一部をイオンビーム
などでエッチングすることにより凹部が形成され、この
凹部に第２及び第３の磁性体膜により導電性金属膜を挟
み込む構成の磁気ヘッドが得られる。

【００１２】本発明の他の観点の磁気ヘッドの製造方法
は、非磁性体の基板上に第１の軟磁性体膜を形成する工
程、前記第１の軟磁性体膜の一部分を除去する工程、前
記第１の軟磁性体膜を除去した領域（以下Ｚ領域とい
う）と残存する第１の軟磁性体膜の上に第２の軟磁性体
膜を形成する工程、前記Ｚ領域内の第２の軟磁性体膜の
上に導電性金属膜を形成する工程、導電性金属膜及び第
２の軟磁性体膜の上に第３の軟磁性体膜を形成する工
程、前記第３の軟磁性体膜上の一部分にギャップ材の非
磁性絶縁膜を形成する工程、前記第３の軟磁性体膜の上
の、前記Ｚ領域に相当する部分に非磁性体部を形成する
工程、及び前記非磁性絶縁膜、非磁性体部及び第３の軟
磁性体膜の上にリターンパスヨークとなる軟磁性体膜を
形成する工程を有する。この製造方法により、薄膜形成
技術を用いて磁気ヘッドを製造することができ、製造コ
ストが低減される。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図１から図８を参照して、
本発明の好適な実施例について詳細に説明する。 《実施例１》図１は本発明の実施例１の磁気ヘッドの基
本構成を示す断面図である。図１において、非磁性のセ
ラミックであるＮｉＴｉＭｇの基板２１の上に鉄、タン
タル、窒素を含む合金（ＦｅＴａＮ）の第１の軟磁性体
膜５Ａを形成する。第１の軟磁性体膜５Ａの端部に接し
て、銅等の良導体の膜である導電性金属膜１をＦｅＴａ
Ｎの第２及び第３の軟磁性体膜２と３とで挟み込むよう
に形成して磁気センサー部４を構成する。磁気センサー
部４の図の下端部には、ＦｅＴａＮの軟磁性体膜の磁路
部５が設けられている。磁路部５は磁気ギャップ材８の
ＳｉＯ_２膜を介してＦｅＴａＮの軟磁性体のリターンパ
スヨーク６に接している。磁気センサー部４の上端部は
軟磁性体膜５Ａを経てリターンパスヨーク６に接してい
る。リターンパスヨーク６は、軟磁性体膜５Ａの第３の
軟磁性体膜３の側に設けられており、導電性金属膜１に
相当する部分に非磁性体部７が設けられている。非磁性
体部７としては、非磁性物質の例えばレジスト膜７Ａが
設けられる。リターンパスヨーク６と磁気センサー部４
により、非磁性体部７を囲むリング状の磁路が形成され
てリングヘッド型の磁気ヘッドが構成される。

【００１４】図２は図１の右側面図である。図２におい
て、前記導電性金属膜１の両端部に、それぞれ電極１５
及び１６を設けている。電極１５及び１６につながる第
１の対の電極端子１３、１４に、並列接続された定電流
高周波発振器１１とバイアス磁界発生用の直流電源２０
が抵抗１２を介して接続され、直流電流を重畳した高周
波電流（例えば１ＧＨｚ）が導電性金属膜１に通電され
る。また第２の対の電極端子１７、１８には高周波増幅
器１９が接続されている。この状態で図１に示すよう
に、磁気ヘッドを磁気記録媒体１０上で走行させると、
磁気記録媒体１０の信号磁化９から発生する磁束が前記
ギャップ材８の部分から磁気ヘッド内に流入する。磁束
は前記導電性金属膜１の両側の軟磁性体膜２及び３を通
り、軟磁性体膜５Ａを経てリターンパスヨーク６に入っ
て磁気記録媒体１０の信号磁化９へ戻る閉ループを形成
する。この時、主として前記導電性金属膜１の近傍の軟
磁性体膜２及び３の高周波における透磁率が変化する。
その結果、ＭＩ効果により導電性金属膜１のインピーダ
ンスが磁気記録媒体から発生する信号磁化９の強度に応
じて変化し、高周波電流はＡＭ変調される。電極１５及
び１６の両端に接続した高周波増幅器１９によりＡＭ変
調電流による信号を増幅し検波することにより信号磁化
９が検出される。磁路部５は、検出すべき信号磁化以外
の磁化から発生する磁界をシールドするシールドコアの
役目を果たす。

【００１５】図３は本実施例の磁気ヘッドの具体例の寸
法を示すための断面図である。前記導電性金属膜１の厚
みＴ１は１から２μｍ、幅Ｗ１は４から６μｍである。
好適には厚みＴ１は１μｍ、Ｔ２は５μｍである。前記
導電性金属膜１を挟み込むように形成した軟磁性体膜２
及び３の厚みＴ２及びＴ３は、それぞれ６０ｎｍ以下及
び４０ｎｍ以下である。好適には、厚みＴ２は５０ｎｍ
以下、Ｔ３は３５ｎｍ以下である。また磁路部５の厚み
Ｔ５は１から３μｍであり、好適には２μｍである。非
磁性体部７の左右方向の寸法Ｔ７は１から３μｍであ
り、好適には２μｍである。リターンパスヨーク６の厚
みＴ６は１から３μｍであり、好適には２μｍである。
試験用の磁気記録媒体として、面記録密度が１平方セン
チ当たり３．１ギガビットのＣｏＣｒＰｔ系の磁性体を
用い、前記ヘッドと磁気記録媒体の間隔を100オングス
トロームとして、インダクティブ型リングヘッドを用い
てあらかじめ記録した信号磁化を、本発明の前記磁気ヘ
ッドで再生した。

【００１６】上記具体例の磁気ヘッドについて、信号磁
化の強さＨと、信号磁化により生じた磁気ヘッド内の磁
束密度Ｂとの関係を調べた結果を図４に示す。図４にお
いて、横軸は信号磁化の強さＨを示し、縦軸は磁気ヘッ
ドの軟磁性体膜２の磁束密度Ｂを示す。図中の曲線（以
下Ｈ−Ｂ曲線という）では、信号磁界の強さＨが強さＨ
２程度までは磁束密度Ｂも磁束密度Ｂ２のように増加す
るが、それ以上になると磁束密度Ｂの増加率は下がる。
図２に示す直流電源２０により、磁束密度Ｂが磁束密度
Ｂｂとなるようにバイアス磁界を与える。この状態で、
信号磁界が強さＨ１と強さＨ２の間で変化すると、高周
波増幅器１９の入力電圧は電圧Ｖ１と電圧Ｖ２の間で変
化してＡＭ変調信号となる。入力電圧が電圧Ｖ１と電圧
Ｖ２の間で変化するのは、以下の作用による。磁束密度
Ｂの変化にともなって、軟磁性体膜２及び３の磁化容易
軸があらかじめ配向されている方向からずれる。その結
果軟磁性体膜２及び３の透磁率が変化し、軟磁性体膜２
及び３にはさまれた導電性金属膜１のインピーダンスが
変化し、定電流の高周波発振器１１から印加される高周
波の電圧は変化する。発明者等による種々の実験の結
果、図４に示すような形状のＨ−Ｂ曲線は、軟磁性体膜
２及び３の厚さを６０ｎｍ以下にしたときに得られる。
軟磁性体膜２を軟磁性体膜３より厚くするのが望まし
い。特に、軟磁性体膜２の厚みを５０ｎｍ以下、軟磁性
体膜３の厚みを３５ｎｍ以下にすると、好適な形状のＨ
−Ｂ曲線が得られ、磁気記録媒体に記録された高密度記
録信号を感度よく再生できることが多くの実験で確認で
きた。Ｈ−Ｂ曲線において電圧Ｖ１と電圧Ｖ２の振幅の
変化率は１０％以上であるのが望ましく、軟磁性体膜２
及び３の厚みをそれぞれ上記の範囲にすると前記振幅の
変化率は１０％以上となる。

【００１７】図５の（Ａ）及び（Ｂ）はフォトリソグラ
フィ技術と薄膜形成技術による、本実施例の磁気ヘッド
の製造方法を示す断面図である。図５の（Ａ）におい
て、セラミックスの基板２１上に１μｍの厚みの前記と
同様の合金（ＦｅＴａＮ）からなる第１の軟磁性体膜３
１を形成し、イオンビームエッチング法を用いて点線ｃ
−ｄ及びｅ−ｆにはさまれた部分（以下Ｚ領域と呼ぶ）
の第１軟磁性体膜３１を除去する。これにより軟磁性体
膜３１の左端の残部が磁路部３１Ａとなる。次に、第１
の軟磁性体膜３１の上とＺ領域に、第１の軟磁性体膜３
１の厚みより薄い同様の材料の第２の軟磁性体膜３２を
形成する。Ｚ領域のみに銅（Ｃｕ）を用いて導電性金属
膜１を第１の軟磁性体膜３１と同程度の膜厚に形成す
る。そして全面に前記と同様の合金からなる、第１の軟
磁性体膜３１の厚みより薄い第３の軟磁性体膜３３を形
成する。第３の軟磁性体膜３３上の図において左側部分
にＳｉＯ_２の絶縁膜のギャップ材８を磁気ヘッドのギャ
ップを形成するために設ける。第３の軟磁性体膜３３の
上の前記Ｚ領域の上の部分に非磁性体部３７を形成する
ため非磁性体の厚いレジスト膜３７Ａを形成する。最後
に、リターンパスヨーク３６となる軟磁性体膜を１μｍ
の厚さに形成する。磁気ヘッドを薄膜形成技術により製
造できるので製造コストが低減される。

【００１８】次に、図５の（Ａ）の破線ａ−ｂから左側
の部分を研磨によって取り除き図５の（Ｂ）に示す磁気
ヘッドを作成した。研磨面が磁気記録媒体１０との対向
面３０になる。

【００１９】図６は、実施例１の他の構造例を示す断面
図である。導電性金属膜１に高周波電流を通電すると熱
が発生するが、この熱により磁気ヘッドの温度が上昇し
て磁気特性が変化するおそれがある。磁気ヘッドの温度
上昇を押さえるため、セラミックスの基板２１の上に熱
伝導性金属膜２２を形成し、さらにその上に熱伝導率の
高いアルミナの誘電体膜２３を形成する。そして誘電体
膜２３の上に図５に示した各要素を形成する。この構造
は熱をセラミックスの基板２１に伝えて放散させて磁気
ヘッドの温度上昇を抑制する上できわめて有効であっ
た。図５の構成では、ギャップ材８としての硬いＳｉＯ
_２膜と磁路部３１Ａが、第２の軟磁性体膜３２と第３の
軟磁性体膜３３を挟む形になっている。特に高い再生感
度を得るために磁路部３１ＡをＦｅＴａＮで形成し、第
２及び第３の軟磁性体膜３２、３３をＦｅＴａＮより軟
らかいＮｉＦｅで形成する場合がある。このように、軟
らかいＮｉＦｅの第２及び第３の軟磁性体層３２、３３
がそれより硬いＦｅＴａＮの磁路部３１Ａとギャップ材
８で挟まれている構成の磁気ヘッドをスライダーにとり
つけて磁気記録媒体に近接させて摺動すると、ＮｉＦｅ
の第２、第３の軟磁性体膜３２、３３の摩耗量が磁路部
３１Ａの摩耗量より多く、凹みが生じることがある。こ
の凹みに磁気記録媒体からはがれた微少な磁性粉などが
入り込むと、磁気ヘッドの検出感度が大幅に低下する。
これを防ぐために図７に示す様に、対向面３０に第２及
び第３の軟磁性体膜３２、３３が露出しないように、Ｓ
ｉＯ_２のギャップ材８を形成する前に、第２及び第３の
軟磁性体膜３２、３３をイオンビームエッチング法によ
り選択的に除去する。その結果、対向面３０にはギャッ
プ材８の硬いＳｉＯ_２膜と比較的硬い磁路部３１Ａのみ
が存在することになり、磨耗による凹みの発生を防止で
きる。

【００２０】《実施例２》本発明の実施例２について図
８を用いて説明する。実施例２の磁気ヘッドは、図１に
示す構成において非磁性体部７にレジスト膜７Ａの代わ
りに銅等の導電性薄膜７Ｂを形成している。その他の構
成は図１のものと同じである。図８は図１の磁気ヘッド
の非磁性体部７に導電性薄膜７Ｂを設けたものの平面図
である。前記導電性薄膜７Ｂの両端に電極端子２５及び
２６を設けて直流電源２４を接続し、導電性薄膜７Ｂに
直流電流を通電することによって直流バイアス磁界を与
える。

【００２１】本実施例の磁気ヘッドの感度を更に向上さ
せるには、図１及び図３に示す軟磁性体膜３の膜厚Ｔ３
を軟磁性体膜２の膜厚Ｔ２より小さくすることが効果的
である。また、図８において導電性薄膜７Ｂを非磁性体
部７に形成する場合、有機材のレジスト膜７Ａを形成す
る場合に比べ、熱伝導が良いので熱の放散が容易とな
る。前記の各実施例では、軟磁性体膜２及び軟磁性体膜
３としてＦｅＴａＮを用いたが、高周波における実効透
磁率の優れたＦｅ系、Ｃｏ系金属磁性体膜、酸化物磁性
体膜等磁性体であれば使用可能である。導電性金属膜と
して銅を用いたが、比抵抗の小さなＡｕ、Ａｇなどの金
属膜でもよい。また、ギャップ材８としてＳｉＯ_２を用
いたが、アルミナ、ガラスなどの無機質の誘電体膜でも
よい。また、基板はＮｉＴｉＭｇのセラミック基板を用
いたが、ＡｌＴｉＣなど他のセラミック、ガラス系材
料、カーボン基板を用いてもよい。熱伝導の良好な誘電
体としてアルミナを用いたが他の誘電体でもよい。熱導
電性金属膜２２として銅を用いたが、Ａｕ、Ａｇ、黄銅
など熱伝導度の高い金属であれば使用可能である。

【００２２】

【発明の効果】本発明は上記の各実施例の説明から明ら
かなように、リング型高周波インピーダンスヘッドにお
いて、軟磁性体の導電性金属薄膜を挟む部分の厚みを他
の部分の磁性体の膜厚より薄くした結果、磁気記録媒体
に記録された高密度記録信号を感度良く再生することが
できたもので、実用的効果が大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の磁気ヘッドの断面図

【図２】本発明の実施例１の磁気ヘッドの接続を示す図
１の右側面図

【図３】実施例1の磁気ヘッドの各部の寸法を示す断面
図

【図４】本発明の実施例の磁気ヘッドの特性図

【図５】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施例1の磁気
ヘッドをフォトリソグラフィによって作製した場合の断
面図

【図６】本発明の実施例1の磁気ヘッドの、熱放散性を
改善した構成を示す断面図

【図７】本発明の実施例１の磁気ヘッドの、偏磨耗を生
じにくい構成を示す断面図

【図８】本発明の実施例２の磁気ヘッドの接続を示す平
面図

【図９】（ａ）は従来のＭＩヘッドの使用状態を示す斜
視図 （ｂ）は軟磁性コアの部分拡大図

【図１０】従来のＭＩヘッドの動作原理を示すグラフ

【符号の説明】

１ 導電性金属膜 ２ 第２の軟磁性体膜 ３ 第３の軟磁性体膜 ４ 磁気センサー部 ５ 磁路部 ５Ａ 第１の軟磁性体膜 ６ リターンパスヨーク ７ 非磁性体部 ８ ギャップ材 ９ 信号磁化 １０ 磁気記録媒体 １１ 高周波発振器 １２ 抵抗 １３、１４、１７、１８ 電極端子 １５、１６ 電極 １９ 高周波増幅器 ２０ 直流電源 ２１ 基板 ２２ 熱伝導性金属膜 ２３ 誘電体 ２４ 直流電源 ２５ 電極端子 ２６ 電極端子 ３０ 対向面 ３１ 第１の軟磁性体膜 ３２ 第２の軟磁性体膜 ３３ 第３の軟磁性体膜 ３６ リターンパスヨーク ３７ 非磁性体部 ３７Ａ レジスト膜 ３７Ｂ 導電性薄膜 ４２ 検出導体膜 ４３ トラック幅 ４４ パーマロイ膜 ４５ ＳｉＯ_２膜 ４６ 軟磁性コア ４７ 軟磁性コア ４８ 高周波発振器 ４９ 抵抗 ５０ 電流 ５１ 端子 ５２ 端子 ５３ 磁気記録媒体 ５４ 磁化 ５８ 直流電源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 房安 浩嗣 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 村田 明夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性体の基板上に形成した第１の軟磁
   性体膜、 前記基板上に、前記第１の軟磁性体膜の端部に接して形
   成した、第１の軟磁性体膜より厚みが薄い第２の軟磁性
   体膜、 前記第２の軟磁性体膜の上に形成した導電性金属膜、 前記導電性金属膜の上に、端部が前記第１の軟磁性体膜
   に接するように形成した第１の軟磁性体膜より厚みが薄
   い第３の軟磁性体膜、 前記基板上に、前記第２及び第３の軟磁性体膜のそれぞ
   れの端部に接して形成され、前記第２及び第３の軟磁性
   体膜より厚みが厚い軟磁性体膜の磁路部、及び一端が非
   磁性の磁気ギャップ材を介して前記磁路部に対向し、他
   端が前記第１の軟磁性体膜に接し、中央部が前記第３の
   軟磁性体膜との間に非磁性体部を介して形成されたリタ
   ーンパスヨークを有する磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記導電性金属膜に高周波キャリア信号
   電流を流し、前記高周波信号電流に直流電流を重畳させ
   ることにより、直流バイアス磁界を加えることを特徴と
   する請求項１記載の磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記第２の軟磁性体膜の厚みが前記第３
   の軟磁性体膜の厚みより厚いことを特徴とする請求項１
   記載の磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記非磁性体部に非磁性の導電性金属膜
   を形成し、前記導電性金属膜に直流バイアス磁界用の直
   流電流を加えることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘ
   ッド。
5. 【請求項５】 前記非磁性体部に銅などの熱伝導率の良
   好な金属材料を設けたことを特徴とする請求項１記載の
   磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 基板上に熱伝導性金属膜を形成し、前記
   熱伝導性金属膜の上に熱伝導性を有する誘電体膜を介し
   て、前記第１及び第２の軟磁性体膜及び磁路部を形成し
   たことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 非磁性体の基板上に形成した第１の軟磁
   性体膜、 前記第１の軟磁性体膜の一部分を除去し、除去した領域
   （以下Ｚ領域という）と残存する第１の軟磁性体膜の上
   に形成した、第１の軟磁性体膜より厚みが薄い第２の軟
   磁性体膜、 前記Ｚ領域内の第２の軟磁性体膜の上に形成した導電性
   金属膜、 前記導電性金属膜及び第２の軟磁性体膜の上に形成した
   第１の軟磁性体膜より厚みが薄い第３の軟磁性体膜、 前記第３の軟磁性体膜上の一部分に形成したギャップ材
   の非磁性絶縁膜、 前記第３の軟磁性体膜の上の、前記Ｚ領域に相当する部
   分に形成した非磁性体部、及び前記非磁性体部及び第３
   の軟磁性体膜の上に形成したリターンパスヨークとなる
   軟磁性体膜を有する磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 前記Ｚ領域に相当する部分に形成した非
   磁性体部が導電性金属膜であることを特徴とする請求項
   ７記載の磁気ヘッド。
9. 【請求項９】 前記第２の軟磁性体膜が第３の軟磁性体
   膜より厚いことを特徴とする請求項７記載の磁気ヘッ
   ド。
10. 【請求項１０】 基板上に第１の軟磁性体膜を形成する
    工程、 基板上に形成した第１の軟磁性体膜の一部を基板面まで
    エッチングすることによって凹部を形成する工程、 前記凹部に第１に磁性体の厚みより薄い第２の軟磁性体
    膜を形成する工程、 前記凹部の第２の軟磁性体膜上に導電性金属膜を形成す
    る工程、及び、 前記導電性金属膜を挟み込むように第３の軟磁性体膜を
    形成する工程を有することを特徴とする磁気ヘッドの製
    造方法。
11. 【請求項１１】 非磁性体の基板上に第１の軟磁性体膜
    を形成する工程、 前記第１の軟磁性体膜の一部分を除去する工程、 前記第１の軟磁性体膜を除去した領域（以下Ｚ領域とい
    う）と残存する第１の軟磁性体膜の上に第１の軟磁性体
    膜より厚みが薄い第２の軟磁性体膜を形成する工程、 前記Ｚ領域内の第２の軟磁性体膜の上に導電性金属膜を
    形成する工程、 前記導電性金属膜及び第２の軟磁性体膜の上に第１の軟
    磁性体膜より厚みが薄い第３の軟磁性体膜を形成する工
    程、 前記第３の軟磁性体膜上の一部分にギャップ材の非磁性
    絶縁膜を形成する工程、 前記第３の軟磁性体膜の上の、前記Ｚ領域に相当する部
    分に非磁性体部を形成する工程、及び前記非磁性絶縁
    膜、非磁性体部及び第３の軟磁性体膜の上にリターンパ
    スヨークとなる軟磁性体膜を形成する工程を有する磁気
    ヘッドの製造方法。
12. 【請求項１２】 前記第２の軟磁性体膜の厚さを第３の
    軟磁性体膜の厚さより厚く形成することを特徴とする請
    求項１１記載の磁気ヘッドの製造方法。
13. 【請求項１３】 請求項１〜９のいずれかに記載の磁気
    ヘッドと、前記磁気ヘッドによって記録されている信号
    が再生される記録媒体保持手段と、前記記録媒体上の指
    定された位置へ磁気ヘッドを位置決めするための位置決
    め手段と、を備えたことを特徴とする磁気再生装置。