JPS62102411A - 磁気抵抗効果ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘツドInfo
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- JPS62102411A JPS62102411A JP24245285A JP24245285A JPS62102411A JP S62102411 A JPS62102411 A JP S62102411A JP 24245285 A JP24245285 A JP 24245285A JP 24245285 A JP24245285 A JP 24245285A JP S62102411 A JPS62102411 A JP S62102411A
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- magnetic field
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気抵抗効果ヘッドに係り、特に再生効率を向
上し得る磁気抵抗効果ヘッドに関する。
上し得る磁気抵抗効果ヘッドに関する。
従来の技術
薄膜磁気ヘッドには種々の構造のものがあり、その一種
として磁気抵抗効果ヘッドがある。磁気抵抗効果ヘッド
は磁気テープの走行速度によらず高山ノ〕が得られるた
め多トラツクのデジタルオーディオテープレコーダ用再
生ヘッド（以下ＤＡＴ用再主再生ヘッド称する）として
用いられる。また磁気抵抗効果ヘッドに形成された磁気
抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と略称する）（ま、Ｍｌｌ
索子を流れる電流とＭＲ素子の磁化のなす角度をθとす
るとＣＯ３２θに比例した出ツノを生じ、例えばＭＲ素
子の下部に配設された導体線を流れる電流が作る磁界（
この磁界をバイアス磁界という）を印加することにより
線形動作を行なわせ再生出力を得る構成となっている。
として磁気抵抗効果ヘッドがある。磁気抵抗効果ヘッド
は磁気テープの走行速度によらず高山ノ〕が得られるた
め多トラツクのデジタルオーディオテープレコーダ用再
生ヘッド（以下ＤＡＴ用再主再生ヘッド称する）として
用いられる。また磁気抵抗効果ヘッドに形成された磁気
抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と略称する）（ま、Ｍｌｌ
索子を流れる電流とＭＲ素子の磁化のなす角度をθとす
るとＣＯ３２θに比例した出ツノを生じ、例えばＭＲ素
子の下部に配設された導体線を流れる電流が作る磁界（
この磁界をバイアス磁界という）を印加することにより
線形動作を行なわせ再生出力を得る構成となっている。
この種の磁気抵抗効果ヘッドの内ヨークタイプの一例を
第６図及び第７図に示す。なお第７図は第６図のＢ−Ｂ
線に沿う断面図である。
第６図及び第７図に示す。なお第７図は第６図のＢ−Ｂ
線に沿う断面図である。
両図に示す如く、従来の磁気抵抗効果ヘッド１（以下Ｍ
Ｒヘッドという）はフェライト等の磁性体基板２上にＭ
Ｒ素子３．バイアス線４．十部ヨーク５等を配設した構
造となっており、ＭＲ素子３はこの上部位＠（下部に配
設された構成のものもある）に設けられた一本のバイア
ス線４が発年するバイアス磁界が印加される構成となっ
ていた。
Ｒヘッドという）はフェライト等の磁性体基板２上にＭ
Ｒ素子３．バイアス線４．十部ヨーク５等を配設した構
造となっており、ＭＲ素子３はこの上部位＠（下部に配
設された構成のものもある）に設けられた一本のバイア
ス線４が発年するバイアス磁界が印加される構成となっ
ていた。
またＭＲ素子３の上部にはセンサー・ギャップ６を有し
た上部ヨーク５が形成されていた。そして磁気ヘッド先
端面１ａ上を摺動する磁気テープ７（第７図に一点鎖線
で示す）の磁束は上部ヨーク５によりＭＲ素子３に導か
れて磁電変換され、その信号はリード線８ａ、８ｂより
取出される構成となっていた。なお９は非磁性体よりな
るギャップ材である。
た上部ヨーク５が形成されていた。そして磁気ヘッド先
端面１ａ上を摺動する磁気テープ７（第７図に一点鎖線
で示す）の磁束は上部ヨーク５によりＭＲ素子３に導か
れて磁電変換され、その信号はリード線８ａ、８ｂより
取出される構成となっていた。なお９は非磁性体よりな
るギャップ材である。
発明が解決しようとする問題点
周知の如＜ＭＲヘッド１においては、外部磁石やバイア
ス線を用いてＭＲ素子３にバイアス磁界を印加する必要
がある。しかるにこのバイアス磁界の磁束はＭＲ素子３
にバイアス磁界を印加するに停まらず、磁性体よりなる
基板２．上部ヨーク５に進入し磁気ヘッド先端面１ａに
形成された磁気ギャップ部１０（以下このギャップ部を
フロン□ト・ギャップ部という）まで回り込み、フロン
ト・ギャップ部１０に漏洩磁界が発生してしまう。
ス線を用いてＭＲ素子３にバイアス磁界を印加する必要
がある。しかるにこのバイアス磁界の磁束はＭＲ素子３
にバイアス磁界を印加するに停まらず、磁性体よりなる
基板２．上部ヨーク５に進入し磁気ヘッド先端面１ａに
形成された磁気ギャップ部１０（以下このギャップ部を
フロン□ト・ギャップ部という）まで回り込み、フロン
ト・ギャップ部１０に漏洩磁界が発生してしまう。
この磁界のためフロント・ギャップ部１０において磁気
テープ７の消磁及び減磁作用が発生したり、また再生出
力の低下及び再生出力信号にノイズが発生する等の問題
点があった。この、漏洩磁界による磁気テープ７の消磁
及び減磁作用は低い抗磁力の記録媒体においては特に大
である。
テープ７の消磁及び減磁作用が発生したり、また再生出
力の低下及び再生出力信号にノイズが発生する等の問題
点があった。この、漏洩磁界による磁気テープ７の消磁
及び減磁作用は低い抗磁力の記録媒体においては特に大
である。
そこで本発明では、バイアス磁界の印加に起因してフロ
ント・ギャップ部に発生する漏洩磁界を抑制し得る磁界
を発生する磁界発生手段を設けることにより上記問題点
を解決した磁気抵抗効果ヘッドを提供することを目的と
りる。
ント・ギャップ部に発生する漏洩磁界を抑制し得る磁界
を発生する磁界発生手段を設けることにより上記問題点
を解決した磁気抵抗効果ヘッドを提供することを目的と
りる。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明では、記録媒体と摺
接する第一のギャップと、記録媒体に記録されている信
号磁界により磁化されるヨークに形成された第二のギャ
ップ−と、この第二のギャップよりの漏れ磁界を電気抵
抗の変化として取り出す磁気抵抗効果素子とを有する磁
気抵抗効果ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子にバ
イアス磁界を印加するバイアス磁界印加手段により第一
のギャップ部に発生する漏れ磁界を抑制する磁界を発生
する磁界発生手段を第一または第二のギャップ近傍に配
設した。
接する第一のギャップと、記録媒体に記録されている信
号磁界により磁化されるヨークに形成された第二のギャ
ップ−と、この第二のギャップよりの漏れ磁界を電気抵
抗の変化として取り出す磁気抵抗効果素子とを有する磁
気抵抗効果ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子にバ
イアス磁界を印加するバイアス磁界印加手段により第一
のギャップ部に発生する漏れ磁界を抑制する磁界を発生
する磁界発生手段を第一または第二のギャップ近傍に配
設した。
実施例
第１図及び第２図に本発明になる磁気抵抗効果ヘッド（
ＭＲヘッド）の第一実施例を示す。なお第１図は第２図
におけるＡ−へ線に沿う断面を示している。両図に示す
ＭＲヘッド１１はフォトリングラフィ技術等の薄膜形成
技術を用いて形成されたヨーク型のＭＲヘッドであり、
例えばデジタルオーディオテープレコーダの再生用ヘッ
ドとして使用される。このＭＲヘッド１１は大略基板１
２、硬磁性膜１３．磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１４
．バイアス線１５．下部ヨーク１６．上部ヨーク１７等
より構成されている。
ＭＲヘッド）の第一実施例を示す。なお第１図は第２図
におけるＡ−へ線に沿う断面を示している。両図に示す
ＭＲヘッド１１はフォトリングラフィ技術等の薄膜形成
技術を用いて形成されたヨーク型のＭＲヘッドであり、
例えばデジタルオーディオテープレコーダの再生用ヘッ
ドとして使用される。このＭＲヘッド１１は大略基板１
２、硬磁性膜１３．磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１４
．バイアス線１５．下部ヨーク１６．上部ヨーク１７等
より構成されている。
基板１２は例えばセラミック等の非磁性体よりなり、そ
の内部に本発明の特徴となる硬磁性膜１３を埋設すると
共にその上面の磁気ヘッド先端面１１ａより所定距離離
間した位置には、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等よりなる膜
状のＭＲ素子１４が形成されている。硬磁性膜１３はコ
バルト（Ｃｏ）を主体とする磁性体合金よりなり、公知
の手段を用いて図に示す極性に着磁されている。この硬
磁性膜１３はＭＲ素子１４の下方位置で、かつ下部ヨー
ク１６に磁束を供給し得る位置に配設されている。なお
、硬磁性膜１３の機能については後に詳述する。
の内部に本発明の特徴となる硬磁性膜１３を埋設すると
共にその上面の磁気ヘッド先端面１１ａより所定距離離
間した位置には、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等よりなる膜
状のＭＲ素子１４が形成されている。硬磁性膜１３はコ
バルト（Ｃｏ）を主体とする磁性体合金よりなり、公知
の手段を用いて図に示す極性に着磁されている。この硬
磁性膜１３はＭＲ素子１４の下方位置で、かつ下部ヨー
ク１６に磁束を供給し得る位置に配設されている。なお
、硬磁性膜１３の機能については後に詳述する。
ＭＲ素子１４は周知の如く磁化困難な方向に印加された
信号磁界を磁化容易方向の電気的抵抗値の変化として検
出する素子であり、その両端部には夫々リード線１８ａ
、１８ｂが接続されており、このリード線１８ａ、１８
ｂよりＭＲ素子１４にて磁電変換された再生信号が取り
出される。また硬磁性膜１３．ＭＲ素子１４等が形成さ
れた基板１２上には絶縁層１９を介して一対のヨーク半
体１６ａ、１６ｂよりなる一下部ヨーク１６が形成され
ている。下部ヨーク１６はパーマロイ、センダスト（登
録商標）、アモルファス等の軟磁性体よりなり、また一
対のヨーク半体１６ａ、１−６ｂはＭＲ索子１４を挟ん
で配設されており、両者間にはセン１ナー・ギャップ部
２０が形成されている。
信号磁界を磁化容易方向の電気的抵抗値の変化として検
出する素子であり、その両端部には夫々リード線１８ａ
、１８ｂが接続されており、このリード線１８ａ、１８
ｂよりＭＲ素子１４にて磁電変換された再生信号が取り
出される。また硬磁性膜１３．ＭＲ素子１４等が形成さ
れた基板１２上には絶縁層１９を介して一対のヨーク半
体１６ａ、１６ｂよりなる一下部ヨーク１６が形成され
ている。下部ヨーク１６はパーマロイ、センダスト（登
録商標）、アモルファス等の軟磁性体よりなり、また一
対のヨーク半体１６ａ、１−６ｂはＭＲ索子１４を挟ん
で配設されており、両者間にはセン１ナー・ギャップ部
２０が形成されている。
マタ下部ヨーク１６上ニハｓ ｉ ０２ 、 ＡＦ−２
０ｚ 。
０ｚ 。
Ｔ！０３等のギャップ材として機能する絶縁層２１を介
してバイアス線１５が形成されている。
してバイアス線１５が形成されている。
バイアス１！１１５はＭＲ素子１４にバイアス磁界を印
加するものであり、ＭＲ素子１４への通電方向と略平行
となるようその配設方向が選定されている。なお絶縁層
２１は磁気ヘッド先端面１１ａにおいてギャップ２２（
以下このギャップをフロント・ギャップといいセンサー
・ギャップ部と区別する）を形成するため、その厚さ寸
法はヘッドの分解能を決定する。更にバイアス線１５上
には軟磁性材よりなる上部ヨーク１７が形成されている
。
加するものであり、ＭＲ素子１４への通電方向と略平行
となるようその配設方向が選定されている。なお絶縁層
２１は磁気ヘッド先端面１１ａにおいてギャップ２２（
以下このギャップをフロント・ギャップといいセンサー
・ギャップ部と区別する）を形成するため、その厚さ寸
法はヘッドの分解能を決定する。更にバイアス線１５上
には軟磁性材よりなる上部ヨーク１７が形成されている
。
上記ＭＲヘッド１１は、フロント・ギャップ２２、ヨー
ク半体１６ａ、ＭＲ素子１４．ヨーク半体１６ｂ、上部
ヨーク１７より構成されるリング状の磁気回路を形成し
ており、この磁気回路内及びその近傍にバイアス線１５
及び着磁された硬磁性膜１３が配設されたＩ造となって
いる。このＭＲヘッド１１の磁気ヘッド先端面１１ａに
磁気テープ２３（第１図に一点鎖線で示す）が当接摺動
すると、磁気テープ２３に記録されている信号磁界はｔ
ＶＩＲヘッド１１に形成された磁気回路内に供給される
。すなわち、信号磁界の磁束は下部ヨーク１６のヨーク
半休１６ａに進入しセンサー・ギャップ部２０に到り、
センサー・ギャップ部２０では磁気抵抗が人であるため
漏れ磁界を生ずる。この漏れ磁界の一部はＭＲ素子１４
を貫通して通り、これによりＭ ＲＡｉ了１４は信号磁
界の強さに対応してその電気抵抗値を変化ざゼる。ＭＲ
素子１４には予めセンス電流が印加されており、従って
信号磁界の磁束変化に伴うＭＲ素子１４の電気抵抗値の
変化によりＭＲ素子両端の電圧も変化し、これは再生信
号としてリード線１８ａ。
ク半体１６ａ、ＭＲ素子１４．ヨーク半体１６ｂ、上部
ヨーク１７より構成されるリング状の磁気回路を形成し
ており、この磁気回路内及びその近傍にバイアス線１５
及び着磁された硬磁性膜１３が配設されたＩ造となって
いる。このＭＲヘッド１１の磁気ヘッド先端面１１ａに
磁気テープ２３（第１図に一点鎖線で示す）が当接摺動
すると、磁気テープ２３に記録されている信号磁界はｔ
ＶＩＲヘッド１１に形成された磁気回路内に供給される
。すなわち、信号磁界の磁束は下部ヨーク１６のヨーク
半休１６ａに進入しセンサー・ギャップ部２０に到り、
センサー・ギャップ部２０では磁気抵抗が人であるため
漏れ磁界を生ずる。この漏れ磁界の一部はＭＲ素子１４
を貫通して通り、これによりＭ ＲＡｉ了１４は信号磁
界の強さに対応してその電気抵抗値を変化ざゼる。ＭＲ
素子１４には予めセンス電流が印加されており、従って
信号磁界の磁束変化に伴うＭＲ素子１４の電気抵抗値の
変化によりＭＲ素子両端の電圧も変化し、これは再生信
号としてリード線１８ａ。
１８ｂより取り出される。その後、信号磁界の磁束はヨ
ーク半体１６ｂ、上部ヨーク１７を介してフロント・ギ
ャップ２２に到り、磁気的な閉ループを形成する。
ーク半体１６ｂ、上部ヨーク１７を介してフロント・ギ
ャップ２２に到り、磁気的な閉ループを形成する。
ここで硬磁性膜１３に注目し、その機能について以下詳
述する。上記構成のＭＲヘッド１１は、これを線形動作
させるためバイアス線１５を設けてバイアス磁界を印加
する必要がある。バイアス線１５より発生するバイアス
磁界はＭＲ素子１４のみに印加されるのが望ましいが、
ＭＲ素子１４近傍には高透磁率を有する軟磁性体よりな
る下部ヨーク１６及び上部ヨーク１７が配設形成されて
いるため、バイアス磁界の磁束の一部はＭＲヘッド１１
内の磁気回路に供給されてしまう。ＭＲヘッド１１の磁
気回路については、磁気テープ２３に記録された信号磁
界の磁束のみが供給されることが望ましい。しかるに実
際には上記の如く磁気回路内にはバイアス磁界の磁束の
一部が供給されてしまう。第１図にＭＲヘッド１１内に
おけるバイアス磁界による磁束の流れを破線の矢印で示
す。
述する。上記構成のＭＲヘッド１１は、これを線形動作
させるためバイアス線１５を設けてバイアス磁界を印加
する必要がある。バイアス線１５より発生するバイアス
磁界はＭＲ素子１４のみに印加されるのが望ましいが、
ＭＲ素子１４近傍には高透磁率を有する軟磁性体よりな
る下部ヨーク１６及び上部ヨーク１７が配設形成されて
いるため、バイアス磁界の磁束の一部はＭＲヘッド１１
内の磁気回路に供給されてしまう。ＭＲヘッド１１の磁
気回路については、磁気テープ２３に記録された信号磁
界の磁束のみが供給されることが望ましい。しかるに実
際には上記の如く磁気回路内にはバイアス磁界の磁束の
一部が供給されてしまう。第１図にＭＲヘッド１１内に
おけるバイアス磁界による磁束の流れを破線の矢印で示
す。
なおバイアス線１５への電流印加方向は第２図中矢印Ｘ
で示す方向である。
で示す方向である。
硬磁性膜１３はＭＲ素子１４近傍位置にＭＲ素子１４と
平行に延在するよう形成されており、かつ図に示すよう
に、発生する磁界の磁束が磁気回路内におけるバイアス
磁界の磁束の流れ方向と対向する極性をもって着磁され
、その磁界の強さは磁束がＭＲヘッド１１内の磁気回路
内で閉ループを作り得ると共にバイアス磁界の磁束を抑
制し得る強さに選定されている。この硬磁性膜１３が発
生する磁界による磁束の流れを第１図に実線の矢印で示
す。同図に示す如くバイアス線１５による磁界の磁束の
流れ方向と、硬磁性膜１３により磁束の流れは相対向す
る方向となっているため、この両磁・束の流れは互いに
打ちＷｊシ合い、磁気回路内を流れる磁束は相互に抑制
される。これにより、硬磁性膜１３及びバイアス線１５
から発生するＭＲヘッド１１の磁気回路内を流れる磁束
は減少し、フロント・ギ１ｊツブ部２０における漏洩磁
界の発生は防止される。よって従来フロント・ギャップ
部に発生する漏洩磁界に起因して生じていた磁気テープ
に対する消磁作用は確実に防止され、また再生出力の低
下、再生出方信号へのノイズの混入等も防止され再生特
性を向上させることができる。
平行に延在するよう形成されており、かつ図に示すよう
に、発生する磁界の磁束が磁気回路内におけるバイアス
磁界の磁束の流れ方向と対向する極性をもって着磁され
、その磁界の強さは磁束がＭＲヘッド１１内の磁気回路
内で閉ループを作り得ると共にバイアス磁界の磁束を抑
制し得る強さに選定されている。この硬磁性膜１３が発
生する磁界による磁束の流れを第１図に実線の矢印で示
す。同図に示す如くバイアス線１５による磁界の磁束の
流れ方向と、硬磁性膜１３により磁束の流れは相対向す
る方向となっているため、この両磁・束の流れは互いに
打ちＷｊシ合い、磁気回路内を流れる磁束は相互に抑制
される。これにより、硬磁性膜１３及びバイアス線１５
から発生するＭＲヘッド１１の磁気回路内を流れる磁束
は減少し、フロント・ギ１ｊツブ部２０における漏洩磁
界の発生は防止される。よって従来フロント・ギャップ
部に発生する漏洩磁界に起因して生じていた磁気テープ
に対する消磁作用は確実に防止され、また再生出力の低
下、再生出方信号へのノイズの混入等も防止され再生特
性を向上させることができる。
続いて上記のように硬磁性膜１３が適宜な機能を奏する
硬磁性膜１３の配設位置及び発生磁界の強さについて以
下説明する。まず硬磁性膜１３のＭＲヘッド１１内にお
ける配設位置について説明する。硬磁性膜１３は（１）
センサー・ギヤツブ２０近傍位置または０フロント・ギ
Ｖツブ２２内のいずれかの位置に配設する必要がある。
硬磁性膜１３の配設位置及び発生磁界の強さについて以
下説明する。まず硬磁性膜１３のＭＲヘッド１１内にお
ける配設位置について説明する。硬磁性膜１３は（１）
センサー・ギヤツブ２０近傍位置または０フロント・ギ
Ｖツブ２２内のいずれかの位置に配設する必要がある。
これは硬磁性膜１３が発生する磁界の磁束の流れ方に大
きく関係している。硬磁性膜１３から発生する磁束のル
ープは大別してふたつある。ひとつはＮ極より出た磁束
がＭＲヘッド１１の磁気回路内に進入し上部］−り１７
．下部ヨーク１６等を通ってＳ極に到る閉ループであり
、もうひとつはＭＲヘッド１１の磁気回路内に進入する
ことなく硬磁性膜１３のＮ極から直接Ｓ極へ到る閉ルー
プである。
きく関係している。硬磁性膜１３から発生する磁束のル
ープは大別してふたつある。ひとつはＮ極より出た磁束
がＭＲヘッド１１の磁気回路内に進入し上部］−り１７
．下部ヨーク１６等を通ってＳ極に到る閉ループであり
、もうひとつはＭＲヘッド１１の磁気回路内に進入する
ことなく硬磁性膜１３のＮ極から直接Ｓ極へ到る閉ルー
プである。
またここで注意すべきことは、ＭＲ素子１４上において
はバイアス磁界が抑制されることなく適宜にバイアス磁
界を印加しく９るＪ、う構成する必要があるということ
である。
はバイアス磁界が抑制されることなく適宜にバイアス磁
界を印加しく９るＪ、う構成する必要があるということ
である。
第１図に示すＭＲヘッド１１は硬！１ゼｌ膜１３のＮ極
から直接Ｓ極へ到る磁束の流れをバイアス磁界の印加方
向と一致するＪ：う構成することにより上記条件を満足
させたものである。すなわち硬磁性膜１３をＭＲ素子１
４の近傍位置に配設し、硬磁性膜１３のＮ極からＳ極へ
直接到る磁気ループがバイアス磁界と順方向となるよう
構成することにより、ＭＲヘッド１１の磁気回路内にお
いてはバイアス磁界の磁束と硬磁ｆ１膜１３による磁束
が相互に抑制し合いフロント・ギャップ２２における漏
洩磁界の発生を防止すると共にＭＲ素子１４に適宜なバ
イアス磁界を印加し得るＭＲヘッド１１を実現すること
ができる。また上記説明から明らかなように、第３図に
示ず如く硬磁性膜２４をＭＲ素子１４の上部近傍に配設
した構成のＭＲヘッド２５としてしよい。この際にも硬
磁性膜２４のＮ極からＳ極へ直接到る磁気ループがバイ
アス磁界と順方向となるよう構成する必要があることは
勿論である。
から直接Ｓ極へ到る磁束の流れをバイアス磁界の印加方
向と一致するＪ：う構成することにより上記条件を満足
させたものである。すなわち硬磁性膜１３をＭＲ素子１
４の近傍位置に配設し、硬磁性膜１３のＮ極からＳ極へ
直接到る磁気ループがバイアス磁界と順方向となるよう
構成することにより、ＭＲヘッド１１の磁気回路内にお
いてはバイアス磁界の磁束と硬磁ｆ１膜１３による磁束
が相互に抑制し合いフロント・ギャップ２２における漏
洩磁界の発生を防止すると共にＭＲ素子１４に適宜なバ
イアス磁界を印加し得るＭＲヘッド１１を実現すること
ができる。また上記説明から明らかなように、第３図に
示ず如く硬磁性膜２４をＭＲ素子１４の上部近傍に配設
した構成のＭＲヘッド２５としてしよい。この際にも硬
磁性膜２４のＮ極からＳ極へ直接到る磁気ループがバイ
アス磁界と順方向となるよう構成する必要があることは
勿論である。
また第４図に示す如く、硬磁性膜２６をフロント・ギャ
ップ２２内に埋設した構成としたＭＲヘッド２７でもフ
ロント・ギャップ２２における漏洩磁界の発生を防止す
ることができる。すなわち硬磁性膜２６のＮ極からＳ極
へ直接到る磁気ループがバイアス磁界によりフロント・
ギャップ２２に発生する漏洩磁界の磁束の流れ方向と逆
方向となるよう着磁方向を選定して硬磁性膜２６をフロ
ント・ギャップ２２内に配設する。これによりフロント
・ギャップ２２においては互いに流れ方向の異なるバイ
アス磁界による磁束と硬磁性膜２６による磁束が相互に
打ち消しあい抑制されるため、フロント・ギャップ２２
における漏洩磁界の発生は防止される。また上記構成の
ＭＲヘッド２７では磁気回路内におけるバイアス磁界及
び硬磁性膜２６による夫々の磁束の流れは同一方向とな
っている。このため磁気回路内におけるバイアス磁界は
強められ、よってバイアス線１５に印加する電流を小と
してもＭＲ素子１４に適宜なバイアス磁界を印加するこ
とができる。上記の如く硬磁性膜２６はフロント・ギャ
ップ２２内に埋設されるため、ギャップ材としても機能
覆ることになるが、一般に硬磁性膜２６は低透磁率であ
るため特に問題は生じない。なお第３図及び第４図にお
いて第１図と同一構成については同一符号を付し、更に
硬磁性膜２４による磁束の流れを実線の矢印で、またバ
イアス線１５による磁束の流れを破線の矢印で示した。
ップ２２内に埋設した構成としたＭＲヘッド２７でもフ
ロント・ギャップ２２における漏洩磁界の発生を防止す
ることができる。すなわち硬磁性膜２６のＮ極からＳ極
へ直接到る磁気ループがバイアス磁界によりフロント・
ギャップ２２に発生する漏洩磁界の磁束の流れ方向と逆
方向となるよう着磁方向を選定して硬磁性膜２６をフロ
ント・ギャップ２２内に配設する。これによりフロント
・ギャップ２２においては互いに流れ方向の異なるバイ
アス磁界による磁束と硬磁性膜２６による磁束が相互に
打ち消しあい抑制されるため、フロント・ギャップ２２
における漏洩磁界の発生は防止される。また上記構成の
ＭＲヘッド２７では磁気回路内におけるバイアス磁界及
び硬磁性膜２６による夫々の磁束の流れは同一方向とな
っている。このため磁気回路内におけるバイアス磁界は
強められ、よってバイアス線１５に印加する電流を小と
してもＭＲ素子１４に適宜なバイアス磁界を印加するこ
とができる。上記の如く硬磁性膜２６はフロント・ギャ
ップ２２内に埋設されるため、ギャップ材としても機能
覆ることになるが、一般に硬磁性膜２６は低透磁率であ
るため特に問題は生じない。なお第３図及び第４図にお
いて第１図と同一構成については同一符号を付し、更に
硬磁性膜２４による磁束の流れを実線の矢印で、またバ
イアス線１５による磁束の流れを破線の矢印で示した。
次に硬磁性膜１３，２／ｌ、２６が適宜に機能を奏し得
る発生磁界の強さについて第５図を用いて以下説明する
。第５図は第１図に示したＭＲへラド１１の等価磁気回
路を示している。なお同図中、Ｒ＋ 、Ｒ２・・・上部
ヨーク１７の磁気抵抗Ｒ３・・・フロント・ギャップ２
２の磁気抵抗 Ｒ４、Ｒ６−ヨーク半体１６ａ、１６ｂの磁気抵抗 Ｒ５・・・センサー・ギャップ部２０の磁気抵抗 Ｒ７、Ｒｓ・・・硬磁性膜１３と下部ヨーク１６間の磁
気抵抗 「１ ・・・バイアス電流による起磁力Ｆ２
・・・硬磁性膜１３による起磁ツノを夫々示している。
る発生磁界の強さについて第５図を用いて以下説明する
。第５図は第１図に示したＭＲへラド１１の等価磁気回
路を示している。なお同図中、Ｒ＋ 、Ｒ２・・・上部
ヨーク１７の磁気抵抗Ｒ３・・・フロント・ギャップ２
２の磁気抵抗 Ｒ４、Ｒ６−ヨーク半体１６ａ、１６ｂの磁気抵抗 Ｒ５・・・センサー・ギャップ部２０の磁気抵抗 Ｒ７、Ｒｓ・・・硬磁性膜１３と下部ヨーク１６間の磁
気抵抗 「１ ・・・バイアス電流による起磁力Ｆ２
・・・硬磁性膜１３による起磁ツノを夫々示している。
この等価磁気回路において特に重要どなるのはＲ３を流
れる磁束φ１とＲ５を流れる磁束φ２である。すなわち
磁束φ１は漏洩磁界の磁束となるため、これをゼロ又は
ゼロに極力近い値に選定すると共に磁束φ２はＭＲ素子
１４に印加される磁束となるため、この値はＭＲ素子１
４が適宜に機能する所定強さに選定する必要がある。こ
れはＲ７、Ｒ８、Ｆ２を調整することにより実現するこ
とができる。また第３図及び第４図に示すＭＲヘッド２
５．２７においても、同様に等価磁気回路を描きこれを
解析することにより漏洩磁界をゼロとしＭＲ素子１４に
適宜なバイアス磁界を印加し得る硬磁性膜２４．２６の
起磁力の強さ及び配設位置（これはＲ７、Ｒ８により決
定される）を決定することができる。
れる磁束φ１とＲ５を流れる磁束φ２である。すなわち
磁束φ１は漏洩磁界の磁束となるため、これをゼロ又は
ゼロに極力近い値に選定すると共に磁束φ２はＭＲ素子
１４に印加される磁束となるため、この値はＭＲ素子１
４が適宜に機能する所定強さに選定する必要がある。こ
れはＲ７、Ｒ８、Ｆ２を調整することにより実現するこ
とができる。また第３図及び第４図に示すＭＲヘッド２
５．２７においても、同様に等価磁気回路を描きこれを
解析することにより漏洩磁界をゼロとしＭＲ素子１４に
適宜なバイアス磁界を印加し得る硬磁性膜２４．２６の
起磁力の強さ及び配設位置（これはＲ７、Ｒ８により決
定される）を決定することができる。
発明の効果
上述の如く本発明になるＭＲヘッドによれば、ＭＲ素子
にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加手段（バイ
アス線）によりフロント・ギャップ、に発生する漏れ磁
界を抑制する磁界を発生する磁界発生手段（硬磁性膜）
をフロン１〜・ギャップまたはセンサー・ギャップ部近
傍に配設することにより、上記両磁界発生手段により発
生した磁界の磁束は相互に打ち消し合うためフ［１ント
・ギャップに漏れ磁界が発生覆ることはなく、従ってこ
れに起因して生じていた磁気テープへの消磁及び減磁作
用、再生出力低下及び再生信号へのノイズの混入等は確
実に防止され、再住特性の向上を図ることができ、更に
は磁気テープの減磁作用がなくなるため抗磁力が低い記
録媒体からも良好な再生出力信号を得ることができる等
の特長を有する。
にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加手段（バイ
アス線）によりフロント・ギャップ、に発生する漏れ磁
界を抑制する磁界を発生する磁界発生手段（硬磁性膜）
をフロン１〜・ギャップまたはセンサー・ギャップ部近
傍に配設することにより、上記両磁界発生手段により発
生した磁界の磁束は相互に打ち消し合うためフ［１ント
・ギャップに漏れ磁界が発生覆ることはなく、従ってこ
れに起因して生じていた磁気テープへの消磁及び減磁作
用、再生出力低下及び再生信号へのノイズの混入等は確
実に防止され、再住特性の向上を図ることができ、更に
は磁気テープの減磁作用がなくなるため抗磁力が低い記
録媒体からも良好な再生出力信号を得ることができる等
の特長を有する。
第１図は本発明になるＭＲヘッドの一実施例の断面図、
第２図は第１図に示すＭＲヘッドの平面図、第３図及び
第４図は本発明になるＭＲヘッドの他実施例を示す断面
図、第５図は第１図に示すＭＲヘッドの等価磁気回路図
、第６図は従来のＭＲヘッドの一例を示す平面図、第７
図は第６図におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。 １１．２５．２７・・・ＭＲヘッド、１２・・・基板、
１３．２４．．２６・・・硬磁性膜、１４・・・ＭＲ素
子、１５・・・バイアス線、１６・・・下部ヨーク、１
６ａ。 １６ｂ・・・ヨーク半休、１７・・・上部ヨーク、２０
・・・センサー・ギャップ部、２２・・・フロント・ギ
ャップ、２３・・・磁気テープ。 特許出願人 日本ビクター株式会社 第１図１１ 第２図 １１
第２図は第１図に示すＭＲヘッドの平面図、第３図及び
第４図は本発明になるＭＲヘッドの他実施例を示す断面
図、第５図は第１図に示すＭＲヘッドの等価磁気回路図
、第６図は従来のＭＲヘッドの一例を示す平面図、第７
図は第６図におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。 １１．２５．２７・・・ＭＲヘッド、１２・・・基板、
１３．２４．．２６・・・硬磁性膜、１４・・・ＭＲ素
子、１５・・・バイアス線、１６・・・下部ヨーク、１
６ａ。 １６ｂ・・・ヨーク半休、１７・・・上部ヨーク、２０
・・・センサー・ギャップ部、２２・・・フロント・ギ
ャップ、２３・・・磁気テープ。 特許出願人 日本ビクター株式会社 第１図１１ 第２図 １１
Claims (1)
- 記録媒体と摺接する第一のギャップと、該記録媒体に記
録されている信号磁界により磁化されるヨークに形成さ
れた第二のギャップと、該第二のギャップよりの漏れ磁
界を電気抵抗の変化として取り出す磁気抵抗効果素子と
を有する磁気抵抗効果ヘッドにおいて、該磁気抵抗効果
素子にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加手段に
より該第１のギャップ部に発生する漏れ磁界を抑制する
磁界を発生する磁界発生手段を該第一または第二のギャ
ップ近傍に配設してなることを特徴とする磁気抵抗効果
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24245285A JPS62102411A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24245285A JPS62102411A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102411A true JPS62102411A (ja) | 1987-05-12 |
Family
ID=17089306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24245285A Pending JPS62102411A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102411A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6352108U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | ||
| EP0669609A2 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-08-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés |
| EP1187104A2 (en) * | 2000-08-31 | 2002-03-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | A magnetic recording head, a magnetic reproducing head, a magnetic recording apparatus, and a magnetic reproducing apparatus |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP24245285A patent/JPS62102411A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6352108U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | ||
| EP0669609A2 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-08-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés |
| FR2716741A1 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-09-01 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés. |
| EP0669609A3 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-10-18 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés. |
| EP1187104A2 (en) * | 2000-08-31 | 2002-03-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | A magnetic recording head, a magnetic reproducing head, a magnetic recording apparatus, and a magnetic reproducing apparatus |
| EP1187104A3 (en) * | 2000-08-31 | 2003-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | A magnetic recording head, a magnetic reproducing head, a magnetic recording apparatus, and a magnetic reproducing apparatus |
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